JP2798517B2 - Wafer plating equipment - Google Patents

Wafer plating equipment

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JP2798517B2
JP2798517B2 JP3069417A JP6941791A JP2798517B2 JP 2798517 B2 JP2798517 B2 JP 2798517B2 JP 3069417 A JP3069417 A JP 3069417A JP 6941791 A JP6941791 A JP 6941791A JP 2798517 B2 JP2798517 B2 JP 2798517B2
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JP
Japan
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wafer
plating
elastic member
cathode electrode
plating apparatus
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博文 石田
和広 谷口
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日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース 株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体用のウエーハ
にメッキを施すためのウエーハ用メッキ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer plating apparatus for plating a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のウエーハ用メッキ装置としては図
5に示すようなものが知られている。このウエーハ用メ
ッキ装置は、ロート状に絞られた下方の供給部1sから
供給されたメッキ液Lを上方の開口部1pからオーバー
フローさせるようにしたカップ状のメッキ槽1を備えて
おり、このメッキ槽1の開口部1pに載置したウエーハ
Uにメッキ液Lを接触させてメッキするようになってい
る。そして、ウエーハUの載置用として先端をピン状に
尖らせたカソード電極2を用いており、このカソード電
極2は、メッキ槽1内においてメッキ液Lと常に接触す
る状態で設けられている。尚、3はアノード電極で、メ
ッキ液Lはこのアノード電極3に形成された多数の通孔
3hを通って供給されるようになっている。
2. Description of the Related Art A conventional wafer plating apparatus as shown in FIG. 5 is known. This wafer plating apparatus is provided with a cup-shaped plating tank 1 in which a plating solution L supplied from a lower supply unit 1s squeezed into a funnel overflows from an upper opening 1p. The plating is performed by bringing the plating solution L into contact with the wafer U placed on the opening 1p of the tank 1. For mounting the wafer U, a cathode electrode 2 whose tip is sharpened in a pin shape is used. The cathode electrode 2 is provided in the plating tank 1 so as to be always in contact with the plating solution L. Reference numeral 3 denotes an anode electrode, and the plating solution L is supplied through a large number of through holes 3h formed in the anode electrode 3.

【0003】このウエーハ用メッキ装置は平板なウエー
ハに効率よくメッキできると言う点で優れているもの
の、未だ不十分な点がいくつかある。すなわち、.カソ
ード電極がメッキ液中にあるためにそこにメッキが析出
してしまう。.ウエーハの側面や裏面にメッキ液が回り
込んで不必要なメッキがなされてしまう。.カソード電
極に対する接触性が不安定である。
Although this wafer plating apparatus is excellent in that a flat wafer can be efficiently plated, there are still some insufficient points. That is,. Since the cathode electrode is in the plating solution, plating is deposited there. . Unnecessary plating is performed due to the plating solution flowing around the side surface and the back surface of the wafer. . The contact with the cathode electrode is unstable.

【0004】これらの点を改良するものとして提案され
た技術の一つに例えば実開平2‐38472号公報に開
示される技術がある。この技術は、導電性緩衝板を介在
させて板状陰極(カソード電極)上にウエーハを押圧固
定するようにしているもので、このような構造によりカ
ソード電極及びウエーハの側面や裏面をメッキ液からシ
ールできるようになり、上記の点が解決されている。し
かし、この構造は、板状陰極や導電性緩衝板を必要と
し、特に、導電性緩衝板が内部に導電性部材を組み合わ
せた複雑な構造を必要とするようになっているので、大
きなコストアップ要因を抱えている。
[0004] One of the techniques proposed to improve these points is, for example, the technique disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 2-38472. In this technique, a wafer is pressed and fixed on a plate-shaped cathode (cathode electrode) with a conductive buffer plate interposed therebetween. With such a structure, the side and back surfaces of the cathode electrode and the wafer are separated from the plating solution. The above point has been solved by being able to seal. However, this structure requires a plate-shaped cathode and a conductive buffer plate, and in particular, the conductive buffer plate requires a complicated structure in which a conductive member is combined, resulting in a large cost increase. Have a factor.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】したがって、この発明
は、前記従来の装置が有する欠点をより簡単な構造で解
決することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to solve the disadvantages of the above-mentioned conventional device with a simpler structure.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段及び作用】このような目的
を達成するために、この発明によるウエーハ用メッキ装
置は、メッキ槽の開口部に形成した配置受け部に弾性部
材を設け、この弾性部材にウエーハを押接させて配置す
るようにすると共に、前記弾性部材とウエーハとの間
で、平たい状態で薄く形成したカソード電極の先端を、
該カソード電極がメッキ液と接触しないように挟持する
ようになっている。
In order to achieve the above object, a wafer plating apparatus according to the present invention is provided with an elastic member at an arrangement receiving portion formed at an opening of a plating tank. Along with the wafer being pressed against and arranged, between the elastic member and the wafer, the tip of the cathode electrode formed thin in a flat state,
The cathode electrode is sandwiched so as not to contact the plating solution.

【0007】このウエーハ用メッキ装置では、配置受け
部に配した弾性部材にウエーハを押接させて配置するこ
とにより、ウエーハの側面や裏面のメッキ液からのシー
ルをなすと共に、この弾性部材とウエーハとの間にカソ
ード電極の先端を挟持させることにより、カソード電極
のメッキ液に対するシール及びカソード電極のウエーハ
への接触安定性を実現している。つまり、このウエーハ
用メッキ装置は、従来装置の欠点を改良するについて、
部材的には単純な構造の弾性部材が付加されただけであ
り、部材の組合せについても複雑な構造を全く必要とし
ない極めて簡単な構造で済んでいる。
In this wafer plating apparatus, the wafer is pressed against the elastic member arranged in the arrangement receiving portion and arranged so as to seal the side surface and the back surface of the wafer from the plating solution, and the elastic member and the wafer are arranged. By sandwiching the front end of the cathode electrode between the first electrode and the second electrode, the sealing of the cathode electrode against the plating solution and the stability of contact of the cathode electrode with the wafer are realized. In other words, this wafer plating apparatus improves the disadvantages of the conventional apparatus.
Only an elastic member having a simple structure is added as a member, and an extremely simple structure that does not require a complicated structure at all is also required for the combination of members.

【0008】このようなウエーハ用メッキ装置について
は、弾性部材をウエーハの全周に対応する状態、つまり
ウエーハの全周をシールする状態で設けることも可能で
あり、またさらに、ウエーハの周囲にメッキの必要な部
分がある場合には、弾性部材をメッキの必要でない部分
について部分的に複数箇所設けるようにすることもでき
る。
In such a wafer plating apparatus, the elastic member can be provided in a state corresponding to the entire circumference of the wafer, that is, in a state in which the entire circumference of the wafer is sealed. If there is a portion that requires plating, a plurality of elastic members may be provided in portions where plating is not required.

【0009】さらに、配置受け部をメッキ槽の開口部に
着脱自在とするようにすれば、ウエーハのサイズ変更の
場合にメッキ槽を変えなくとも配置受け部の取り換えだ
けで対応でき、装置の汎用性を上げることができる。
Furthermore, if the arrangement receiving portion is made detachable from the opening of the plating tank, the wafer size can be changed simply by changing the arrangement receiving portion without changing the plating tank. Can increase the quality.

【0010】[0010]

【実施例】以下、この発明の実施例を説明する。尚、以
下の説明では前述の従来例と共通する部分には同一の符
号を用い、その説明は適宜省略するものとする。このウ
エーハ用メッキ装置10は、メッキ槽1の開口部1pに
配置受け部11が庇状に内側に出っ張らせて形成されて
いる。この配置受け部11はメッキ槽1の開口部1pに
着脱自在とされているもので、この配置受け部11を、
ウエーハUのサイズに応じて、その内側への出っ張りサ
イズが異なるものと交換するだけでウエーハUのサイズ
変更に対応できるようになっている。また、この配置受
け部11には弾性部材12が設けられている。そして、
ウエーハUは、この弾性部材12に、図示せぬ押接部材
で押接させられた状態で載置され、図3に示すような状
態でその全周を所定の幅でメッキ液Lに対しシールされ
る状態にされている。
Embodiments of the present invention will be described below. In the following description, the same parts as those in the above-described conventional example are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted as appropriate. This wafer plating apparatus 10 is formed such that an arrangement receiving portion 11 projects inwardly like an eave in an opening 1p of a plating tank 1. The arrangement receiving portion 11 is detachably attached to the opening 1p of the plating tank 1.
According to the size of the wafer U, it is possible to cope with a change in the size of the wafer U simply by exchanging it with a different protrusion size to the inside. Further, an elastic member 12 is provided in the arrangement receiving portion 11. And
The wafer U is placed in a state of being pressed against the elastic member 12 by a pressing member (not shown), and the entire circumference thereof is sealed with the plating solution L with a predetermined width in a state as shown in FIG. Have been in a state to be.

【0011】また、ウエーハUと弾性部材12との間に
カソード電極13の先端が挟持されている。このカソー
ド電極13の先端は、細線の束を解いて平たくして形成
されており、弾性部材12の弾性により弾性部材12に
めり込む状態となり、メッキ液Lに対し完全にシールさ
れ(図2)、しかもカソード電極13のウエーハUへの
接触が確実に且つ安定的になされる状態となっている。
この例では、図3に示すように、カソード電極13を3
本設けているが、この本数は電流容量との関係で適宜に
選択されることになる。ただ、複数のカソード電極13
は対称にして設けるのが均一なメッキ形成にとって好ま
しい。
Further, the tip of the cathode electrode 13 is held between the wafer U and the elastic member 12. The tip of the cathode electrode 13 is formed by unwinding a bundle of fine wires and flattening, and is sunk into the elastic member 12 by the elasticity of the elastic member 12, and is completely sealed with the plating solution L (FIG. 2). In addition, the cathode electrode 13 is brought into contact with the wafer U reliably and stably.
In this example, as shown in FIG.
Although the number is provided, this number is appropriately selected in relation to the current capacity. However, a plurality of cathode electrodes 13
Is preferably provided symmetrically for uniform plating.

【0012】さらに、アノード電極14についても工夫
が施されている。すなわち、メッキ槽1内を循環するメ
ッキ液Lの流れについて中央部分を周辺部分に較べ強い
流れにすることにより循環流の淀みをなくすために、周
辺から中央にゆくにしたがって通孔14hの径が大きく
なるようにしている。
Further, the anode electrode 14 is also devised. That is, in order to eliminate the stagnation of the circulating flow by making the central part of the flow of the plating solution L circulating in the plating tank 1 stronger than the peripheral part, the diameter of the through-hole 14h increases from the periphery to the center. I'm trying to get bigger.

【0013】尚、以上の実施例では、弾性部材12がウ
エーハUの全周をシールする構造になっていたが、ウエ
ーハUの周囲にメッキの必要な部分がある場合について
は、「弾性部材」をいわば細切れにして設け、この細切
れの「弾性部材」をメッキの必要でない部分に対応させ
て設けることになる。
In the above embodiment, the elastic member 12 seals the entire circumference of the wafer U. However, when there is a portion that needs plating around the wafer U, the "elastic member" is used. Is provided in a so-called finely divided manner, and the "elastic member" of the finely divided piece is provided corresponding to a portion that does not require plating.

【0014】[0014]

【発明の効果】この発明によるウエーハ用メッキ装置
は、以上説明してきたように、配置受け部に設けた弾性
部材にウエーハを押接させて配置することにより、ウエ
ーハの側面や裏面のメッキ液からのシールをなすと共
に、この弾性部材とウエーハとの間にカソード電極の先
端を挟持させることにより、カソード電極のメッキ液に
対するシール及びカソード電極のウエーハへの接触安定
性を実現しているので、部材的には単純な構造の弾性部
材を付加するだけであり、部材の組合せについても複雑
な構造を全く必要としない極めて簡単な構造で従来の装
置が有する欠点を解消できる。また、配置受け部がメッ
キ槽に着脱自在とされているので、ウエーハのサイズ変
更の場合にメッキ槽を変えなくとも配置受け部の取り換
えだけで対応でき、装置の汎用性を上げることができ
る。
As described above, the wafer plating apparatus according to the present invention, by arranging the wafer by pressing it against the elastic member provided on the arrangement receiving portion, allows the plating solution on the side and back surfaces of the wafer to be removed. Since the tip of the cathode electrode is sandwiched between the elastic member and the wafer, the sealing of the cathode electrode against the plating solution and the stability of the contact of the cathode electrode with the wafer are realized. In general, only an elastic member having a simple structure is added, and the combination of members can be eliminated with a very simple structure that does not require a complicated structure at all. In addition, since the arrangement receiving portion is detachable from the plating tank, it is possible to cope with a change in the size of the wafer only by replacing the arrangement receiving portion without changing the plating tank, thereby increasing the versatility of the apparatus.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明によるウエーハ用メッキ装置の要部側
面図である。
FIG. 1 is a side view of a main part of a wafer plating apparatus according to the present invention.

【図2】弾性部材とウエーハとの間に挟持されたカソー
ド電極を示す部分断面図である。
FIG. 2 is a partial sectional view showing a cathode electrode sandwiched between an elastic member and a wafer.

【図3】弾性部材によるウエーハのシール状態を示す平
面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a state where a wafer is sealed by an elastic member.

【図4】図1で示したウエーハ用メッキ装置の上端部を
示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing an upper end portion of the wafer plating apparatus shown in FIG.

【図5】従来のウエーハ用メッキ装置の要部側面図であ
る。
FIG. 5 is a side view of a main part of a conventional wafer plating apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……メッキ槽 1p……開口部 10……ウエーハ用メッキ装置 11……配置受け部 12……弾性部材 13……カソード電極 U……ウエーハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Plating tank 1p ... Opening 10 ... Plating device for wafer 11 ... Placement receiving part 12 ... Elastic member 13 ... Cathode U U ... Wafer

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 メッキ槽の開口部に配置したウエーハ
に、流動状態のメッキ液を接触させてメッキするように
したウエーハ用メッキ装置において、 メッキ槽の開口部に形成した配置受け部に弾性部材を設
け、この弾性部材にウエーハを押接させて配置するよう
にすると共に、前記弾性部材とウエーハとの間で、平た
い状態で薄く形成したカソード電極の先端を、該カソー
ド電極がメッキ液と接触しないように挟持するようにな
っていることを特徴とするウエーハのメッキ装置。
1. A wafer plating apparatus in which a plating solution in a flowing state is brought into contact with a wafer disposed in an opening of a plating tank to perform plating, wherein an elastic member is provided on an arrangement receiving portion formed in the opening of the plating tank. And a wafer is pressed against the elastic member so as to be arranged, and between the elastic member and the wafer, the tip of the cathode electrode formed thin in a flat state is brought into contact with the plating solution. A wafer plating apparatus characterized by being held so as not to be caught.
【請求項2】 弾性部材がウエーハの全周に対応する状
態で設けられている請求項1記載のウエーハ用メッキ装
置。
2. The plating apparatus for a wafer according to claim 1, wherein the elastic member is provided in a state corresponding to the entire circumference of the wafer.
【請求項3】 弾性部材が部分的に複数箇所設けられて
いる請求項1記載のウエーハ用メッキ装置。
3. The plating apparatus for a wafer according to claim 1, wherein a plurality of elastic members are partially provided.
【請求項4】 配置受け部がメッキ槽の開口部に着脱自
在とされた請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の
ウエーハ用メッキ装置。
4. The plating apparatus for a wafer according to claim 1, wherein the arrangement receiving section is detachable from an opening of the plating tank.
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