JP2790065B2 - ベンゼンスルホンアミド誘導体及びその製法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はエンドセリン拮抗作用を
有する新規ベンゼンスルホンアミド誘導体及びその製法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】エンドセリンは２１個のアミノ酸から成
るポリペプチドであり、ヒト、ブタ等の内皮細胞より産
生され、強力な血管収縮作用、気管支収縮作用及び細胞
増殖作用を有することが知られている。またエンドセリ
ンは、臨床上本態性高血圧患者、急性心筋梗塞患者、肺
性高血圧患者、レイノー病患者、糖尿病患者、アテロー
ム性動脈硬化症患者の血中及び喘息患者の血中或いは気
道洗浄液中において正常人に比べ明らかに増加している
ことが報告されている。このように、エンドセリンは直
接的又は間接的に血管性及び非血管性の平滑筋を持続的
に収縮させる内在性の生理活性物質であり、その過剰生
産や過剰分泌は高血圧症、肺性高血圧症、腎性高血圧
症、レイノー病、気管支喘息、胃潰瘍、炎症性腸疾患
（クローン病）、ショック、発癌、血管形成術後の再狭
窄、臓器移植後の臓器機能不全、糖尿病、血栓症、動脈
硬化症、心不全、急性腎不全、糸球体腎炎、サイクロス
ポリン誘発腎毒性、心筋梗塞、狭心症、不整脈、緑内
症、片頭痛、脳血管攣縮、脳梗塞等の病因のひとつであ
ると考えられている。よってエンドセリンに強く拮抗す
る物質は上記種々の病態の治療に有用であると考えられ
ている。

【０００３】一方、特開平５−１５５８６４号及び特開
平５−２２２００３号には、エンドセリン拮抗作用を有
するベンゼンスルホンアミド誘導体として、Ｎ−｛〔５
−置換フェニル（もしくは置換フェノキシ）〕−６−ヒ
ドロキシアルコキシピリミジン−４−イル｝−置換ベン
ゼンスルホンアミド等が記載されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、優れたエン
ドセリン拮抗作用を有する新規ベンゼンスルホンアミド
誘導体を提供するものである。また、本発明はこのよう
な新規ベンゼンスルホンアミド誘導体の製法をも提供す
るものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は一般式〔Ｉ〕

【０００６】

【化１４】

【０００７】（但し、環Ａ及び環Ｂは同一又は異なって
置換もしくは非置換ベンゼン環、Ｑは単結合手又は式−
Ｏ−、−Ｓ−，−ＳＯ−，−ＳＯ₂ −もしくは−ＣＨ₂
−で示される基、Ｙは式−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＨ−で
示される基、Ａｌｋは低級アルキレン基又は低級アルケ
ニレン基、Ｚは単結合手又は式−Ｏ−もしくは−ＮＨ−
で示される基、Ｒは置換もしくは非置換の芳香族複素環
式基もしくはアリール基、Ｒ¹ は水素原子、トリフルオ
ロメチル基、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ
基、置換もしくは非置換低級アルキル基、置換もしくは
非置換低級アルケニル基、置換もしくは非置換低級アル
キニル基、置換もしくは非置換低級アルキルチオ基、置
換もしくは非置換低級アルコキシ基、芳香族複素環式
基、置換もしくは非置換脂肪族複素環式基又はアリール
基を表す。但し、Ｚが単結合手である場合、Ｒがアリー
ル基のものを除く。）で示されるベンゼンスルホンアミ
ド誘導体又はその薬理的に許容し得る塩を提供するもの
である。

【０００８】本発明目的物〔Ｉ〕における環Ａ及び／又
は環Ｂ上の置換基としては、例えばハロゲン原子；低級
アルキル基；低級アルコキシ基；低級アルケニル基；低
級アルキニル基；低級アルキルチオ基；シクロアルキル
基；トリフルオロメチル基；カルボキシル基；シアノ
基；テトラゾリル基；ホルミル基；カルバモイル基；モ
ノ−もしくはジ−低級アルキルアミノカルボニル基；低
級アルコキシカルボニル基；低級アルコキシカルボニル
−低級アルコキシ基；低級アルコキシカルボニル−低級
アルキル基；低級アルコキシカルボニル−低級アルケニ
ル基；ジ−低級アルコキシ基置換低級アルキル基；ヒド
ロキシ基置換低級アルキル基；カルボキシル基置換低級
アルキル基；カルボキシル基置換低級アルケニル基；カ
ルボキシル基置換低級アルコキシ基；ブロモピリミジニ
ルオキシ低級アルキル基；低級アルキレンジオキシ基；
アリール低級アルコキシ基；又はアリールアミノカルボ
ニル基等があげられる。

【０００９】また低級アルキル基上の置換基としては、
ハロゲン原子、カルボキシル基、低級アルコキシカルボ
ニル基、芳香族複素環式基又はアリール基等があげられ
る。

【００１０】低級アルキニル基の置換基としては、カル
ボキシル基等があげられる。低級アルコキシ基上の置換
基としては、ヒドロキシ基、ヒドロキシ基置換低級アル
コキシ基等があげられる。さらに脂肪族複素環式基上の
置換基としては、低級アルキル基等があげられる。

【００１１】さらに芳香族複素環式基又はアリール基上
の置換基としては、例えばハロゲン原子；保護されてい
てもよいヒドロキシ基；ニトロ基；シアノ基；アミノ
基；ホルミル基；カルボキシル基；カルバモイル基；Ｎ
−低級アルキルカルバモイルオキシ基；Ｎ−ヒドロキシ
イミノメチル基；Ｎ−低級アルコキシイミノメチル基；
低級アルキル基；ヒドロキシ基置換低級アルキル基；シ
クロアルキル基；低級アルコキシ−低級アルキル基；低
級アルコキシカルボニル−低級アルケニル基；トリフル
オロメチル基；ヒドロキシ基及びアリール基置換低級ア
ルキル基；低級アルキルチオ基；モノ−もしくはジ−低
級アルキルアミノ基；低級アルカノイルアミノ基；低級
アルコキシ基；保護されていてもよいカルボキシル基で
置換された低級アルコキシ基；アリールオキシ基；低級
アルコキシカルボニル基；低級アルコキシ−低級アルケ
ニル基；低級アルカノイル基；アリールカルボニル基；
低級アルケニルオキシ基；ヒドロキシ基置換低級アルキ
ニル基；トリメチルシリル基で保護されていてもよい低
級アルキニル基；シアノ低級アルコキシ基；シクロアル
キル−低級アルコキシ基；低級アルキルスルフィニル
基；低級アルキルスルホニル基；アリール基；フェニル
低級アルキル基；芳香族複素環式基置換低級アルキル
基；芳香族複素環式基置換低級アルコキシ基；フェニル
低級アルケニル基；フェニル低級アルコキシ基；アリー
ルカルボニルアミノ基；ハロゲン原子及び低級アルキル
から選ばれる１〜３の基で置換されていてもよい芳香族
複素環式基置換オキシ基；又は低級アルキル基で置換さ
れていてもよい芳香族複素環式基等があげられる。

【００１２】環Ａ及び／又は環Ｂは、同一又は異なっ
て、上記の置換基を１〜３個有していてもよく、低級ア
ルキル基、芳香族複素環式基及び／又はアリール基は同
一又は異なって、上記の置換基を１〜４個有していても
よい。

【００１３】ヒドロキシ基及び／又はカルボキシル基の
保護基としては、ヒドロキシ基及び／又はカルボキシル
基の保護基となりうる慣用の保護基を用いることがで
き、例えば、ヒドロキシ基の保護基としては、ベンジル
基、メトキシメチル基、テトラヒドロピラニル基等があ
げられ、カルボキシル基の保護基としては、メチル基、
エチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ベンジル基等があげら
れる。

【００１４】芳香族複素環式基としては、窒素原子、酸
素原子及び硫黄原子から選ばれる１〜４個の異項原子を
含む単環もしくは二環式芳香族複素環式基であるものが
好ましく、例えばピロリル基、イミダゾリル基、フリル
基、チエニル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、
オキサゾリル基、オキサゾリニル基、ピラゾリル基、キ
ナゾリニル基、チエノピリミジニル基、ピリジル基、ピ
リミジニル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、トリア
ジニル基、テトラゾリル基、キノリル基、イソキノリル
基、キノキサリニル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオ
キサゾリル基又はベンゾイミダゾリル基等があげられ
る。

【００１５】またアリール基並びにアリールカルボニル
アミノ基、アリールアミノカルボニル基、アリールオキ
シ基及びアリールカルボニル基におけるアリール部分と
してはフェニル基、低級アルコキシフェニル基又はナフ
チル基等があげられる。

【００１６】脂肪族複素環式基としては、窒素原子、酸
素原子及び硫黄原子から選ばれる１〜４個の異項原子を
含む単環もしくは二環式脂肪族複素環式基であるものが
好ましく、例えばピペラジニル基、ピロリジニル基、ピ
ペリジル基、ホモピペリジル基、チオモルホリニル基又
はモルホリニル基等があげられる。

【００１７】本発明の目的物〔Ｉ〕のうち薬効上好まし
い化合物は、一般式〔Ｉ〕において、環Ａが低級アルキ
ル基；１又は２の低級アルコキシ基；低級アルコキシカ
ルボニル−低級アルキル基；ヒドロキシ基置換低級アル
キル基；及び低級アルコキシカルボニル−低級アルコキ
シ基から選ばれる基で置換されているベンゼン環、環Ｂ
がトリフルオロメチル基；ホルミル基；低級アルキル
基；１又は２の低級アルコキシ基；低級アルキレンジオ
キシ基；ヒドロキシ低級アルキル基；及び低級アルコキ
シカルボニル基から選ばれる基で置換されているベンゼ
ン環、Ｑが単結合手又は式−Ｏ−もしくは−Ｓ−で示さ
れる基、Ｙが式−Ｏ−で示される基、Ａｌｋが低級アル
キレン基、Ｚが式−Ｏ−で示される基、Ｒがアミノ基、
ニトロ基、ハロゲン原子及びヒドロキシ低級アルキル基
から選ばれる基で置換されていてもよいフェニル基；ア
ミノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基及び低級アル
カノイルアミノ基から選ばれる基で置換されていてもよ
いピリジル基；ハロゲン原子、ホルミル基、チエニル
基、フリル基、ピリジル基、低級アルキル基、低級アル
キルチオ基、低級アルカノイル基、低級アルキニル基、
低級アルケニルオキシ基、低級アルコキシ基、低級アル
キルスルフィニル基、低級アルキルスルホニル基、シア
ノ低級アルコキシ基、チアゾリル基、低級アルキル基置
換チエニル基、低級アルキル基置換ピロリル基、フェニ
ル基及び低級アルコキシフェニル基から選ばれる基で置
換されていてもよいピリミジニル基；又はベンゾチアゾ
リル基、Ｒ¹ が水素原子、低級アルキル基、モルホリニ
ル基、ピリジル基又はピリミジニル基である化合物であ
る。

【００１８】薬効上より好ましい化合物は、一般式
〔Ｉ〕において、環Ａが低級アルキル基で置換されてい
るベンゼン環、環Ｂがハロゲン原子、低級アルキル基及
び低級アルコキシ基から選ばれる基で置換されているベ
ンゼン環、Ｒがハロゲン原子、チエニル基、フリル基及
び低級アルキルチオ基から選ばれる基で置換されている
ピリミジニル基、Ｒ¹ が水素原子又はピリミジニル基で
ある化合物である。

【００１９】薬効上最も好ましい化合物としては、４−
ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（４−メチルフェニル）
−６−｛２−（５−（３−チエニル）ピリミジン−２−
イルオキシ）エトキシ｝ピリミジン−４−イル〕ベンゼ
ンスルホンアミド、４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−
（４−メチルフェニル）−６−｛２−（５−メチルチオ
ピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝ピリミジン−
４−イル〕ベンゼンスルホンアミド、４−ｔｅｒｔ−ブ
チル−Ｎ−〔５−（４−メチルフェニル）−６−｛２−
（５−（２−フリル）ピリミジン−２−イルオキシ）エ
トキシ｝ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミ
ド、４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（４−メチルフ
ェニル）−６−｛２−（５−（２−チエニルピリミジン
−２−イルオキシ）エトキシ｝ピリミジン−４−イル〕
ベンゼンスルホンアミド、４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−
〔５−（４−メチルフェニル）−６−｛２−（５−ブロ
モピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝ピリミジン
−４−イル〕ベンゼンスルホンアミド、４−ｔｅｒｔ−
ブチル−Ｎ−〔５−（４−メチルフェニル）−６−｛２
−（５−ブロモピリミジン−２−イルオキシ）エトキ
シ｝−２−（２−ピリミジル）ピリミジン−４−イル〕
ベンゼンスルホンアミド、４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−
〔５−（４−メチルフェニル）−６−｛２−（５−クロ
ロピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝ピリミジン
−４−イル〕ベンゼンスルホンアミド、４−ｔｅｒｔ−
ブチル−Ｎ−〔５−（４−メトキシフェニル）−６−
｛２−（５−メチルチオピリミジン−２−イルオキシ）
エトキシ｝ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンア
ミド、４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（２−メトキ
シフェノキシ）−６−｛２−（５−（２−チエニル）ピ
リミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝ピリミジン−４
−イル〕ベンゼンスルホンアミド、４−ｔｅｒｔ−ブチ
ル−Ｎ−〔５−（４−メチルフェニル）−６−｛２−
（５−ヨードピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝
ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミド、４−
ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（４−クロロフェニル）
−６−｛２−（５−メチルチオピリミジン−２−イルオ
キシ）エトキシ｝ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスル
ホンアミド又は４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（２
−メトキシフェニルチオ）−６−｛２−（５−ブロモピ
リミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−２−（２−ピ
リミジル）ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンア
ミドである。

【００２０】本発明の目的物〔Ｉ〕のうち、他の好まし
い化合物は、一般式〔Ｉ〕において、環Ａが低級アルキ
ル基で置換されているベンゼン環、環Ｂが低級アルキル
基又は低級アルコキシ基で置換されているベンゼン環、
Ｑが単結合手又は式−Ｏ−で示される基、Ｙが式−Ｏ−
で示される基、Ａｌｋが低級アルキレン基、Ｚが式−Ｏ
−で示される基、Ｒがハロゲン原子、ホルミル基、シア
ノ基、ヒドロキシ基、低級アルキルチオ基、低級アルカ
ノイル基、低級アルキニル基、低級アルケニルオキシ
基、低級アルコキシ基、低級アルキルスルフィニル基、
低級アルキルスルホニル基、低級アルキルアミノ−低級
アルカノイルオキシ基、シアノ基置換低級アルコキシ
基、ヒドロキシ基置換低級アルキル基、低級アルコキシ
−低級アルケニル基、低級アルキル基置換ピロリル基、
チアゾリル基、チエニル基、低級アルキル基置換チエニ
ル基、フリル基、ピリジル基、ジ−低級アルキル基置換
オキサゾリニル基及びフェニル基から選ばれる基で置換
されていてもよいピリミジニル基、Ｒ¹ が水素原子、モ
ルホリニル基、ピリジル基又はピリミジニル基である化
合物である。

【００２１】このうち、より好ましい化合物は、一般式
〔Ｉ〕において、Ｒがハロゲン原子、低級アルキルチオ
基、低級アルカノイル基、低級アルコキシ基、ヒドロキ
シ基置換低級アルキル基、低級アルコキシ−低級アルケ
ニル基、チエニル基、フリル基、ピリジル基及びフェニ
ル基から選ばれる基で置換されているピリミジニル基、
Ｒ¹ が水素原子、モルホリニル基又はピリミジニル基で
ある化合物である。

【００２２】本発明の目的物〔Ｉ〕には、不斉炭素原子
に基づく光学異性体が存在しうるが、本発明はこれらの
光学異性体及びその混合物のいずれをも含むものであ
る。

【００２３】本発明の目的化合物〔Ｉ〕は、遊離の形で
も、また薬理的に許容し得る塩の形でも医薬用途に使用
することができる。かかる薬理的に許容し得る塩として
は、無機酸もしくは有機酸との酸付加塩、無機塩基、有
機塩基又はアミノ酸との塩があげられ、例えば塩酸塩、
硫酸塩、臭化水素酸塩、メタンスルホン酸塩、酢酸塩、
フマル酸塩、マレイン酸塩、シュウ酸塩、アルカリ金属
（ナトリウム、カリウム等）塩、アルカリ土類金属（マ
グネシウム、カルシウム等）塩、トリエチルアミン塩、
リジンとの塩などがあげられる。

【００２４】本発明の目的化合物〔Ｉ〕もしくはその薬
理的に許容しうる塩は、経口的にも非経口的にも投与す
ることができ、また常法により例えば、錠剤、顆粒剤、
カプセル剤、散剤、注射剤、吸入剤のような適宜の医薬
製剤として用いることができる。

【００２５】本発明の目的化合物〔Ｉ〕又はその薬理的
に許容し得る塩の投与量は、投与方法、患者の年令、体
重、状態によっても異なるが、通常、１日当り約０．０
１〜１００ｍｇ／ｋｇ程度とするのが好ましい。

【００２６】本発明によれば、目的化合物〔Ｉ〕は、下
記〔Ａ法〕、〔Ｂ法〕、〔Ｃ法〕又は〔Ｄ法〕によって
製造することができる。

【００２７】〔Ａ法〕本発明の目的化合物〔Ｉ〕は、一
般式〔ＩＩ〕

【００２８】

【化１５】

【００２９】（但し、Ｘ¹ は反応性残基を表し、他の記
号は前記と同一意味を有する。）で示される化合物と一
般式〔ＩＩＩ〕

【００３０】

【化１６】

【００３１】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物又はその塩とを反応させて製造
することができる。

【００３２】〔Ｂ法〕また、化合物〔Ｉ〕は、一般式
〔ＩＶ〕

【００３３】

【化１７】

【００３４】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物又はその塩と一般式〔Ｖ〕

【００３５】

【化１８】

【００３６】（但し、Ｘ² は反応性残基を表し、環Ａは
前記と同一意味を有する。）で示される化合物を反応さ
せて製造することができる。

【００３７】〔Ｃ法〕本発明の目的物〔Ｉ〕のうち、Ｚ
が式−Ｏ−もしくは−ＮＨ−で示される基である一般式
〔Ｉ−ａ〕

【００３８】

【化１９】

【００３９】（但し、Ｚ¹ は式−Ｏ−もしくは−ＮＨ−
で示される基を表し、他の記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物は、一般式〔ＶＩ〕

【００４０】

【化２０】

【００４１】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物又はその塩と、一般式〔ＶＩ
Ｉ〕

【００４２】

【化２１】

【００４３】（但し、Ｘ³ は反応性残基を表し、他の記
号は前記と同一意味を有する。）で示される化合物とを
反応させて製造することができる。

【００４４】〔Ｄ法〕更に本発明の目的物〔Ｉ〕のう
ち、Ｑが単結合手である一般式〔Ｉ−ｂ〕

【００４５】

【化２２】

【００４６】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物は、一般式〔ＶＩＩＩ〕

【００４７】

【化２３】

【００４８】（但し、Ｘ⁴ は反応性残基を表し、他の記
号は前記と同一意味を有する。）で示される化合物又は
その塩と一般式〔ＩＸ〕

【００４９】

【化２４】

【００５０】（但し、Ｗは低級アルキル基を表し、環Ｂ
は前記と同一意味を有する。）で示される化合物を反応
させて製造することができる。

【００５１】化合物〔ＩＩＩ〕、〔ＩＶ〕、〔ＶＩ〕又
は〔ＶＩＩＩ〕の塩としては、例えば塩酸塩、硫酸塩等
の無機酸との塩及びアルカリ金属塩、アルカリ土類金属
塩等の無機塩基との塩が使用できる。

【００５２】Ｘ¹ 、Ｘ² 、Ｘ³ 又はＸ⁴ の反応性残基と
しては、ハロゲン原子、低級アルキルスルホニルオキシ
基又はアリールスルホニルオキシ基等を好適に用いるこ
とができるが、とりわけハロゲン原子が好ましい。

【００５３】〔Ａ法〕：化合物〔ＩＩ〕と化合物〔ＩＩ
Ｉ〕又はその塩との反応は、脱酸剤の存在下、適当な溶
媒中又は無溶媒で実施することができる。脱酸剤として
は、水素化アルカリ金属、炭酸アルカリ金属、アルカリ
金属アミド、アルカリ金属アルコキシド、アルキルアル
カリ金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属、水酸化ア
ルカリ金属、水酸化アルカリ土類金属、有機塩基（１，
８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウンデカ−７−エン
等）等を好適に用いることができる。また溶媒として
は、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミド、ジ
メチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホラミド、スル
ホラン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジ
オキサン、テトラヒドロフラン、トルエン、エチレング
リコールジメチルエーテル等を適宜用いることができ
る。本反応は、室温〜１５０℃、とりわけ室温〜１００
℃で好適に進行する。

【００５４】〔Ｂ法〕：化合物〔ＩＶ〕又はその塩と化
合物〔Ｖ〕との反応は、脱酸剤の存在下、適当な溶媒中
又は無溶媒で実施することができる。脱酸剤及び溶媒と
しては、上記〔Ａ法〕で記載の脱酸剤及び溶媒をいずれ
も好適に用いることができる。本反応は、０〜１５０
℃、とりわけ室温〜１００℃で好適に進行する。また、
本反応は硫酸水素テトラブチルアンモニウム、塩化トリ
メチルベンジルアンモニウム、１８−クラウン−６等の
相間移動触媒を触媒量添加するとより好適に進行する。

【００５５】〔Ｃ法〕：化合物〔ＶＩ〕又はその塩と化
合物〔ＶＩＩ〕との反応は、脱酸剤の存在下、適当な溶
媒中又は無溶媒で実施することができる。脱酸剤として
は、上記〔Ａ法〕で記載の脱酸剤をいずれも好適に用い
ることができる。また溶媒としては、ジメチルスルホキ
シド、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、エチレング
リコールジメチルエーテル、ヘキサメチルホスホラミ
ド、スルホラン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ト
ルエン等を適宜用いることができる。本反応は、室温〜
１５０℃、とりわけ室温〜１００℃で好適に進行する。

【００５６】〔Ｄ法〕： 化合物〔ＶＩＩＩ〕又はその塩と化合物〔ＩＸ〕との反
応は、触媒の存在下、適当な溶媒中で実施することがで
きる。触媒としてはビス（トリフェニルホスフィン）パ
ラジウム（ＩＩ）クロリド、パラジウム（ＩＩ）アセテ
ート、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウ
ム（０）等のパラジウム系触媒を適宜用いることができ
る。本反応は、ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミ
ストリー（Ｊ． Ｏｒｇ． Ｃｈｅｍ．）第５８巻、１
９６３頁（１９９３年）記載の方法に準じ、塩化銅
（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、ヨウ化銅（Ｉ）等の銅（Ｉ）塩
を添加するとより好適に進行する。また溶媒としては、
例えばジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ヘ
キサメチルホスホラミド、ベンゼン、テトラヒドロフラ
ン、トルエン、酢酸エチル、低級アルコール、塩化メチ
レン、クロロホルム、四塩化炭素、１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノン、酢酸、ジエチルエーテル、ジメ
トキシエタン、水又はそれらの混合溶媒を適宜用いるこ
とができる。本反応は、５０〜１００℃で好適に進行す
る。

【００５７】本発明の目的物〔Ｉ〕は、上記の如くして
得られる目的物を他の目的物へ相互変換することによっ
ても製造することができる。このような目的物間の相互
変換反応としては、その化合物が有する置換基の種類に
応じ、適宜選択すればよいが、例えば次の（ａ）〜
（ｗ）法の如く実施することができる。

【００５８】（ａ）法：Ｒが置換基を有する芳香族複素
環式基又はアリール基である目的物〔Ｉ〕は、対応のＲ
がハロゲン原子で置換された芳香族複素環式基又はアリ
ール基である化合物と置換させる基のトリアルキルスズ
錯体とを触媒の存在下に反応させることにより製造する
ことができる。触媒としては上記〔Ｄ法〕で記載の触媒
をいずれも好適に用いることができる。本反応は、室温
〜１００℃で好適に進行する。

【００５９】（ｂ）法：Ｒが低級アルカノイル基（例え
ば、アセチル基等）で置換された芳香族複素環式基又は
アリール基である目的物〔Ｉ〕は、対応のＲが低級アル
コキシ−低級アルケニル基（例えば、１−エトキシビニ
ル基等）で置換された芳香族複素環式基又はアリール基
である化合物を酸処理することにより製造することがで
きる。酸としては、塩酸、硫酸、ｐ−トルエンスルホン
酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、酢酸等を好
適に用いることができる。本反応は、０℃〜室温で好適
に進行する。

【００６０】（ｃ）法：Ｒがヒドロキシ基置換低級アル
キル基で置換された芳香族複素環式基又はアリール基で
ある目的物〔Ｉ〕は、対応のＲが低級アルカノイル基ま
たはホルミル基で置換された芳香族複素環式基又はアリ
ール基である化合物を還元剤で処理することにより製造
することができる。還元剤としては、水素化ホウ素ナト
リウム、水素化ホウ素リチウム、水素化アルミニウムリ
チウム、水素化ジイソブチルアルミニウム等を好適に用
いることができる。本反応は、０℃〜室温で好適に進行
する。

【００６１】（ｄ）法：Ｒが低級アルキル基で置換され
た芳香族複素環式基又はアリール基である目的物〔Ｉ〕
は、対応のＲがヒドロキシ基置換低級アルキル基で置換
された芳香族複素環式基又はアリール基である化合物を
ハロゲン化し、次いで還元することにより製造すること
ができる。ハロゲン化は、チオニルクロリド、オキシ塩
化リン、五塩化リン、三臭化リン等のハロゲン化剤と反
応させることにより実施できる。

【００６２】還元は、パラジウム−炭素、パラジウム−
硫酸バリウム、パラジウム−酸化アルミニウム、パラジ
ウム黒等のパラジウム系触媒で処理することにより実施
でき、本還元反応は脱酸剤の存在下に水素雰囲気中で実
施するのが好ましく、脱酸剤としては、トリエチルアミ
ン、ピリジン、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、酢
酸ナトリウム等を好適に用いることができる。本反応
は、室温〜６０℃で好適に進行する。

【００６３】（ｅ）法：Ｒが無置換の芳香族複素環式基
又はアリール基である目的物〔Ｉ〕は、対応のＲがハロ
ゲン原子で置換された芳香族複素環式基又はアリール基
である化合物を、還元して製造することができる。還元
は上記（ｄ）法記載と同様の条件で好適に実施すること
ができる。

【００６４】（ｆ）法：また、Ｒが無置換の芳香族複素
環式基又はアリール基である目的物〔Ｉ〕は、対応のＲ
が低級アルキルチオ基で置換された芳香族複素環式基又
はアリール基である化合物を、脱硫反応に付すことによ
っても製造することができる。脱硫反応はラネーニッケ
ル、パラジウム−炭素等の触媒の存在下に好適に実施す
ることができる。本反応は、室温〜５０℃で好適に進行
する。

【００６５】（ｇ）法：Ｒがホルミル基、ヒドロキシ基
置換低級アルキル基、或いはヒドロキシ基及びアリール
基置換低級アルキル基で置換された芳香族複素環式基又
はアリール基である目的物〔Ｉ〕は、対応のＲがハロゲ
ン原子で置換された芳香族複素環式基又はアリール基で
ある化合物を、リチオ化し、次いで対応するカルボニル
化合物（例えば、ジメチルホルムアミド、アセトン、ベ
ンズアルデヒド等）と反応させることにより製造するこ
とができる。リチオ化は、ｎ−ブチルリチウム、ｓ−ブ
チルリチウム、ｔ−ブチルリチウム等のリチオ化剤と反
応させることにより好適に実施できる。本反応は、−１
００℃〜２５℃で好適に進行する。

【００６６】（ｈ）法：Ｒがアミノ基で置換された芳香
族複素環式基又はアリール基である目的物〔Ｉ〕は、対
応のＲがニトロ基で置換された芳香族複素環式基又はア
リール基である化合物を還元することにより製造でき
る。還元反応は、遷移金属触媒の存在下水素雰囲気中で
還元するか、又は還元剤と反応させることにより実施で
きる。遷移金属触媒としては、パラジウム−炭素、パラ
ジウム−酸化アルミニウム、パラジウム黒、コロイドパ
ラジウム、酸化白金、ラネーニッケル等を、還元剤とし
ては、リチウムアルミニウムヒドリド、スズ、塩化第一
スズ、亜鉛、鉄等を好適に用いることができる。本反応
は、−２０℃〜８０℃で好適に進行する。

【００６７】（ｉ）法：Ｒが低級アルカノイルアミノ基
又はアリールカルボニルアミノ基で置換された芳香族複
素環式基又はアリール基である目的物〔Ｉ〕は、対応の
Ｒがアミノ基で置換された芳香族複素環式基又はアリー
ル基である化合物をアシル化することにより製造でき
る。アシル化剤としては、カルボン酸又はその反応性誘
導体（酸クロリド、酸ブロミド、酸無水物、混合酸無水
物等）があげられる。遊離のカルボン酸を用いて本反応
を実施する場合、Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシルカルボジ
イミド、Ｎ−ジメチルアミノプロピル−Ｎ’−エチルカ
ルボジイミド、ジエチルリン酸シアニド、ジフェニルリ
ン酸アジド等の縮合剤の存在下に実施するのが好まし
く、カルボン酸の反応性誘導体を用いて本反応を実施す
る場合、水酸化アルカリ金属、炭酸水素アルカリ金属、
炭酸アルカリ金属、有機塩基（トリエチルアミン、ピリ
ジン等）等の脱酸剤の存在下に実施するのが好ましい。
本反応は、−２０℃〜１００℃で好適に進行する。

【００６８】（ｊ）法：Ｒがモノ−もしくはジ−低級ア
ルキルアミノ基で置換された芳香族複素環式基又はアリ
ール基である目的物〔Ｉ〕は、対応のＲがアミノ基で置
換された芳香族複素環式基又はアリール基である化合物
をアルキル化することにより製造できる。アルキル化は
（１）脱酸剤の存在下、低級アルキルハライド（低級ア
ルキルクロリド、低級アルキルブロミド等）または低級
アルキルスルホネート（メタンスルホネート、トルエン
スルホネート等）等を反応させるか、或いは（２）還元
剤の存在下、低級アルキルアルデヒドとの反応物を還元
することにより実施することができる。脱酸剤として
は、水酸化アルカリ金属、炭酸水素アルカリ金属、炭酸
アルカリ金属、有機塩基（トリエチルアミン、ピリジン
等）等を好適に用いることができる。還元剤としては、
水素化ホウ素ナトリウム、水素化トリアセトキシホウ素
ナトリウム、ギ酸等を好適に用いることができる。本反
応は、０〜１００℃で好適に進行する。

【００６９】（ｋ）法：Ｒがテトラゾリル基で置換され
た芳香族複素環式基又はアリール基である目的物〔Ｉ〕
は、対応のＲがシアノ基で置換された芳香族複素環式基
又はアリール基である化合物とアジ化トリブチルスズを
反応させることにより製造できる。本反応は５０〜１２
０℃で好適に進行する。

【００７０】（ｌ）法：Ｒが保護されていてもよいカル
ボキシル基置換低級アルコキシ基で置換された芳香族複
素環式基又はアリール基である目的物〔Ｉ〕は、対応の
Ｒがヒドロキシ基で置換された芳香族複素環式基又はア
リール基である化合物を保護されていてもよいカルボキ
シル基置換低級アルキルハライド又は保護されていても
よいカルボキシル基置換低級アルキルスルホネート等と
反応させることにより製造できる。本反応は、水酸化ア
ルカリ金属、炭酸水素アルカリ金属、炭酸アルカリ金
属、有機塩基（トリエチルアミン、ピリジン等）等の脱
酸剤の存在下に好適に進行する。本反応は、０〜１００
℃で好適に進行する。カルボキシル基の保護基として
は、慣用のカルボキシル基の保護基を用いることがで
き、その種類に従い、常法によって除去することができ
る。

【００７１】（ｍ）法：Ｒが低級アルコキシ−低級アル
キル基で置換された芳香族複素環式基又はアリール基で
ある目的物〔Ｉ〕は、対応のＲがヒドロキシ基置換低級
アルキル基で置換された芳香族複素環式基又はアリール
基である化合物をハロゲン化し、次いで、アルコキシ化
することにより製造できる。ハロゲン化剤としては、
（ｄ）法で記載のハロゲン化剤を好適に用いることがで
きる。本反応は、−２０℃〜１００℃で好適に進行す
る。アルコキシ化は、メタノール、エタノール、イソプ
ロパノール等の低級アルコールと反応させることによ
り、実施することができる。本アルコキシ化反応は脱酸
剤の存在下に実施するのが好ましく、脱酸剤としては水
酸化アルカリ金属、炭酸水素アルカリ金属、炭酸アルカ
リ金属、有機塩基（トリエチルアミン、ピリジン等）等
を好適に用いることができる。本反応は、−２０℃〜１
００℃で好適に進行する。

【００７２】（ｎ）法：Ｒが低級アルキルスルフィニル
基及び／又は低級アルキルスルホニル基で置換された芳
香族複素環式基又はアリール基である目的物〔Ｉ〕は、
対応のＲが低級アルキルチオ基で置換された芳香族複素
環式基又はアリール基である化合物を酸化剤の存在下に
反応させることにより製造できる。酸化剤としては、３
−クロロ過安息香酸、過酢酸、過酸化水素、過トリフル
オロ酢酸、過ヨウ素酸ナトリウム、次亜塩素酸ナトリウ
ム、過マンガン酸カリウム等を好適に用いることができ
る。本反応は０〜５０℃で好適に進行する。

【００７３】（ｏ）法：Ｒが低級アルキルチオ基で置換
された芳香族複素環式基又はアリール基である目的物
〔Ｉ〕は、対応のＲが低級アルキルスルフィニル基で置
換された芳香族複素環式基又はアリール基である化合物
を、まず酸無水物の存在下に反応させ、次いで加水分解
してチオールとした後、さらに塩基の存在下、低級アル
キルハライドと反応させることにより製造できる。酸無
水物としては、トリフルオロ酢酸無水物、無水酢酸、等
を好適に用いることができ、塩基としては、炭酸カリウ
ム、炭酸ナトリウム、低級アルコキシナトリウム（例え
ば、ＭｅＯＮａ、ＥｔＯＮａ）等を好適に用いることが
できる。本反応は０〜５０℃で好適に進行する。

【００７４】（ｐ）法：Ｒがシアノ基で置換された芳香
族複素環式基又はアリール基である目的物〔Ｉ〕は、対
応のＲがハロゲン原子で置換された芳香族複素環式基又
はアリール基である化合物とシアン化亜鉛とを触媒の存
在下に反応させることにより製造できる。触媒として
は、上記〔Ｄ〕法に記載の触媒をいずれも好適に用いる
ことができる。本反応は６０〜１００℃で好適に進行す
る。

【００７５】（ｑ）法：Ｒがトリメチルシリル基置換低
級アルキニル基又はヒドロキシ基置換低級アルキニル基
で置換された芳香族複素環式基又はアリール基である目
的物〔Ｉ〕は、対応のＲがハロゲン原子で置換された芳
香族複素環式基又はアリール基である化合物を、トリメ
チルシリル基置換低級アルキニル化又はヒドロキシ基置
換低級アルキニル化させることにより製造できる。トリ
メチルシリル基置換低級アルキニル化又はヒドロキシ基
置換低級アルキニル化は、触媒及び有機塩基の存在下に
反応させることにより製造できる。触媒としては、上記
〔Ｄ〕法に記載の触媒を、また有機塩基としては上記
〔ｊ〕法に記載の有機塩基をいずれも好適に用いること
ができる。また本反応は、上記〔Ｄ〕法と同様、銅
（Ｉ）塩を添加するとより好適に進行する。本反応は室
温〜１００℃で好適に進行する。

【００７６】（ｒ）法：Ｒが低級アルキニル基で置換さ
れた芳香族複素環式基又はアリール基である目的物
〔Ｉ〕は、対応のＲがトリメチルシリル基置換低級アル
キニル基で置換された芳香族複素環式基又はアリール基
である化合物を、酸又は無機塩基の存在下に反応させる
ことにより製造できる。酸としては、塩酸、硫酸、臭化
水素酸等を、塩基としては、炭酸カリウム、炭酸ナトリ
ウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等を好適に用
いることができる。本反応は０℃〜室温で好適に進行す
る。

【００７７】（ｓ）法：Ｒがフェニル低級アルキル基で
置換された芳香族複素環式基又はアリール基である目的
物〔Ｉ〕は、対応のＲがフェニルアルケニル基で置換さ
れた芳香族複素環式基又はアリール基である化合物を、
触媒の存在下に反応させることにより製造できる。触媒
としては、上記〔ｄ〕法に記載の触媒をいずれも好適に
用いることができる。本反応は室温〜６０℃で好適に進
行する。

【００７８】（ｔ）法：環Ａ及び／又は環Ｂがホルミル
基で置換されたベンゼン環である目的物〔Ｉ〕は、対応
の環Ａ及び／又は環Ｂがジ−低級アルコキシ基置換低級
アルキル基で置換されたベンゼン環である化合物を、酸
の存在下に反応させることにより製造できる。酸として
は、ｐ−トルエンスルホン酸、シュウ酸等の有機酸又は
塩酸、硫酸、臭化水素等の鉱酸等を好適に用いることが
できる。本反応は０〜５０℃で好適に進行する。

【００７９】（ｕ）法：環Ａ及び／又は環Ｂが低級アル
コキシカルボニル−低級アルケニル基で置換されたベン
ゼン環である目的物〔Ｉ〕は、対応の環Ａ及び／又は環
Ｂがホルミル基で置換されたベンゼン環である化合物と
置換させる基のトリフェニルリン錯体とを反応させるこ
とにより製造できる。本反応は室温〜６０℃で好適に進
行する。

【００８０】（ｖ）法：環Ａ及び／又は環Ｂがカルボキ
シ基置換低級アルケニル基で置換されたベンゼン環であ
る目的物〔Ｉ〕は、対応の環Ａ及び／又は環Ｂが低級ア
ルコキシカルボニル−低級アルケニル基で置換されたベ
ンゼン環である化合物を無機塩基の存在下に反応させる
ことにより製造できる。無機塩基としては、水酸化ナト
リウム、等の無機塩基を好適に用いることができる。本
反応は０℃〜室温で好適に進行する。

【００８１】（ｗ）法：Ｑが式−ＳＯ−又−ＳＯ₂ −で
示される基である目的物〔Ｉ〕は、対応のＱが式−Ｓ−
で示される基である化合物を酸化剤の存在下に反応させ
ることにより製造できる。酸化剤としては、３−クロロ
過安息香酸、過酢酸、過酸化水素、過トリフルオロ酢
酸、過ヨウ素酸ナトリウム、次亜塩素酸ナトリウム、過
マンガン酸カリウム等を好適に用いることができる。本
反応は０〜５０℃で好適に進行する。

【００８２】上記（ａ）〜（ｗ）に記載の反応に用いる
溶媒は、反応に不活性な溶媒であれば、特に限定され
ず、例えばジオキサン、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミ
ド、ヘキサメチルホスホラミド、ベンゼン、テトラヒド
ロフラン、トルエン、ジオキサン、酢酸エチル、低級ア
ルコール、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、酢酸、ジエ
チルエーテル、ジメトキシエタン、ジメチルスルホキシ
ド、水又はそれらの混合溶媒を適宜用いることができ
る。

【００８３】なお、本発明の原料化合物〔ＩＩ〕及び
〔ＶＩ〕は、例えば特開平５−１５５８６４号又は特開
平５−２２２００３号記載の方法に準じて製造すること
ができる。即ち、Ｑが単結合手である化合物〔ＩＩ〕
は、まず、一般式〔Ｘ〕

【００８４】

【化２５】

【００８５】（但し、環Ｂは前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を、ハロゲン化剤（チオニルク
ロリド等）で処理して対応の酸ハライドとし、次いでア
ルコールで処理して対応のエステルとした後、塩基（水
素化ナトリウム、カリウムｔ−ブトキシド等）の存在
下、炭酸ジエチルと反応させて、一般式〔ＸＩ〕

【００８６】

【化２６】

【００８７】（但し、環Ｂは前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とする。次いで生成物をアンモ
ニアで処理してアミド化して一般式

【００８８】

【化２７】

【００８９】（但し、環Ｂは前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とし、生成物を塩基（ナトリウ
ムエチラート等）の存在下に一般式

【００９０】

【化２８】

【００９１】（但し、Ｒ¹ は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物と反応させて、一般式〔ＸＩ
Ｉ〕

【００９２】

【化２９】

【００９３】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を得るか、または、化合物〔Ｘ
Ｉ〕を塩基（ナトリウムメトキシド等）の存在下一般式
〔ＸＩＩＩ〕

【００９４】

【化３０】

【００９５】（但し、Ｒ¹ は前記と同一意味を有す
る。）で示されるアミジン化合物と反応させて化合物
〔ＸＩＩ〕を得る。さらに生成物の水酸基をハロゲン化
剤（オキシ塩化リン等）で処理して反応性残基に変換さ
せて一般式〔ＸＩＶ〕

【００９６】

【化３１】

【００９７】（但し、Ｘ⁵ は反応性残基を表し、他の記
号は前記と同一意味を有する。）で示される化合物と
し、これを一般式〔ＸＶ〕

【００９８】

【化３２】

【００９９】（但し、環Ａは前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物と脱酸剤（水素化ナトリウム、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム等）
の存在下に反応させることにより製造することができ
る。

【０１００】一方、Ｑが式−Ｏ−で示される基である化
合物〔ＩＩ〕は、一般式〔ＸＶＩ〕

【０１０１】

【化３３】

【０１０２】（但し、環Ｂは前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とブロモマロン酸ジエチルエス
テルとを脱酸剤（炭酸カリウム等）の存在下に反応させ
て、一般式〔ＸＶＩＩ〕

【０１０３】

【化３４】

【０１０４】（但し、環Ｂは前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とし、これを塩基（ナトリウム
メチラート等）の存在下にアミジン化合物〔ＸＩＩＩ〕
と反応させて、一般式〔ＸＶＩＩＩ〕

【０１０５】

【化３５】

【０１０６】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を得た後、前記のＱが単結合手
である化合物〔ＸＩＩ〕の水酸基の反応性残基への変換
工程と同様にして、一般式〔ＸＩＸ〕

【０１０７】

【化３６】

【０１０８】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を製し、引き続き化合物〔ＸＩ
Ｖ〕と化合物〔ＸＶ〕との反応と同様に処理して化合物
〔ＩＩ〕を製造することができる。

【０１０９】さらに化合物〔ＶＩ〕は、対応の化合物
〔ＩＩ〕を一般式〔ＸＸ〕

【０１１０】

【化３７】

【０１１１】（但し、Ｙ、Ａｌｋ及びＺ¹ は前記と同一
意味を有する。）で示される化合物と脱酸剤（水素化ナ
トリウム等）の存在下に反応させることにより製造でき
る。

【０１１２】また、本発明の原料化合物〔ＩＶ〕は、
（ｉ）化合物〔ＸＩＶ〕又は化合物〔ＸＩＸ〕と、化合
物〔ＩＩＩ〕を脱酸剤（例えば水素化ナトリウム等）の
存在下反応させて、一般式〔ＸＸＩ〕

【０１１３】

【化３８】

【０１１４】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とし、これをアジ化ナトリウム
と反応させて、一般式〔ＸＸＩＩ〕

【０１１５】

【化３９】

【０１１６】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を得たのち、接触水素還元して
製造するか、或いは、（ii）化合物〔ＸＩＶ〕又は化合
物〔ＸＩＸ〕と、アンモニアを反応させて、一般式〔Ｘ
ＸＩＩＩ〕

【０１１７】

【化４０】

【０１１８】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を製し、これを脱酸剤（例え
ば、水素化ナトリウム等）の存在下、化合物〔ＩＩＩ〕
と反応させることにより製造することができる。

【０１１９】原料化合物〔ＩＶ〕のうち、Ｚが式−Ｏ−
もしくは−ＮＨ−で示される基である一般式〔ＩＶ−
ａ〕

【０１２０】

【化４１】

【０１２１】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物は、（ｉ）化合物〔ＸＩＶ〕又
は化合物〔ＸＩＸ〕と、化合物〔ＸＸ〕を脱酸剤（例え
ば水素化ナトリウム等）の存在下反応させて、一般式
〔ＸＸＩＶ〕

【０１２２】

【化４２】

【０１２３】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とし、これをアジ化ナトリウム
と反応させて、一般式〔ＸＸＶ〕

【０１２４】

【化４３】

【０１２５】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を得たのち、接触水素還元して
一般式〔ＸＸＶＩ〕

【０１２６】

【化４４】

【０１２７】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を製し、これを脱酸剤（例えば
水素化ナトリウム等）の存在下化合物〔ＶＩＩ〕と反応
させて製造するか、或いは、（ii）化合物〔ＸＸＩＩ
Ｉ〕を化合物〔ＸＸ〕と反応させて、化合物〔ＸＸＶ
Ｉ〕を得た後、これを脱酸剤（例えば、水素化ナトリウ
ム等）の存在下、化合物〔ＶＩＩ〕と反応させることに
より製造することができる。

【０１２８】更に、本発明の原料化合物〔ＶＩＩＩ〕
は、（ｉ）一般式〔ＸＸＶＩＩ〕

【０１２９】

【化４５】

【０１３０】（但し、Ｒ¹ は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物と化合物〔ＸＶ〕を脱酸剤（例
えば水素化ナトリウム等）の存在下反応させ、一般式
〔ＸＸＶＩＩＩ〕

【０１３１】

【化４６】

【０１３２】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を製し、この化合物を脱酸剤
（例えば水素化ナトリウム等）の存在下、化合物〔ＩＩ
Ｉ〕と反応させて一般式〔ＸＸＩＸ〕

【０１３３】

【化４７】

【０１３４】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とし、次いで、ハロゲン化剤等
で反応性残基を形成させることにより製造するか、或い
は、（ii）化合物〔ＸＸＶＩＩ〕と化合物〔ＩＩＩ〕を
脱酸剤（例えば水素化ナトリウム等）の存在下反応させ
て、一般式〔ＸＸＸ〕

【０１３５】

【化４８】

【０１３６】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とし、これをアジ化ナトリウム
と反応させて、一般式〔ＸＸＸＩ〕

【０１３７】

【化４９】

【０１３８】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を得たのち、接触水素還元して
一般式〔ＸＸＸＩＩ〕

【０１３９】

【化５０】

【０１４０】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を製し、次いで、これを脱酸剤
（水素化ナトリウム等）の存在下、化合物〔Ｖ〕と反応
させて化合物〔ＸＸＩＸ〕とし、更にハロゲン化剤等で
反応性残基を形成させることにより製造することができ
る。

【０１４１】原料化合物〔ＶＩＩＩ〕のうち、Ｚが式−
Ｏ−もしくは−ＮＨ−で示される基である一般式〔ＶＩ
ＩＩ−ａ〕

【０１４２】

【化５１】

【０１４３】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物は、（ｉ）化合物〔ＸＸＶＩＩ
Ｉ〕を脱酸剤（例えば水素化ナトリウム等）の存在下、
化合物〔ＸＸ〕と反応させて一般式〔ＸＸＸＩＩＩ〕

【０１４４】

【化５２】

【０１４５】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とし、次いで、ハロゲン化剤
（例えばＮ−ブロモスクシンイミド等）で処理して反応
性残基を形成させて一般式〔ＸＸＸＩＶ〕

【０１４６】

【化５３】

【０１４７】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を得たのち、脱酸剤（例えば水
素化ナトリウム等）の存在下、化合物〔ＶＩＩ〕と反応
させることにより製造するか、或いは、（ii）化合物
〔ＸＸＶＩＩ〕と化合物〔ＸＸ〕を脱酸剤（例えば水素
化ナトリウム等）の存在下反応させて、一般式〔ＸＸＸ
Ｖ〕

【０１４８】

【化５４】

【０１４９】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とし、これをアジ化ナトリウム
と反応させて、一般式〔ＸＸＸＶＩ〕

【０１５０】

【化５５】

【０１５１】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を得たのち、接触水素還元して
一般式〔ＸＸＸＶＩＩ〕

【０１５２】

【化５６】

【０１５３】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物を製し、次いで、これを化合物
〔Ｖ〕と反応させて一般式〔ＸＸＸＶＩＩＩ〕

【０１５４】

【化５７】

【０１５５】（但し、記号は前記と同一意味を有す
る。）で示される化合物とし、ハロゲン化剤（例えば臭
素等）で処理して反応性残基を形成させて化合物〔ＸＸ
ＸＩＶ〕を得たのち、脱酸剤（例えば水素化ナトリウム
等）の存在下、化合物〔ＶＩＩ〕と反応させることによ
り製造することができる。

【０１５６】なお、本発明において、低級アルキル基、
低級アルコキシ基、低級アルキレン基、低級アルキレン
ジオキシ基、低級アルキルチオ基、低級アルキルアミノ
基、低級アルキルスルフィニル基又は低級アルキルスル
ホニル基は、炭素数１〜６、とりわけ１〜４のものがあ
げられる。また、低級アルケニル基、低級アルカノイル
基、低級アルカノイルアミノ基、低級アルコキシカルボ
ニル基，低級アルキニル基、低級アルケニルオキシ基、
低級アルケニレン基、Ｎ−低級アルキルカルバモイルオ
キシ基、Ｎ−低級アルコキシイミノメチル基又はＮ−低
級アルキルアミノカルボニル基は炭素数２〜７、とりわ
け２〜５のものがあげられる。さらに、シクロアルキル
基は炭素数３〜８、とりわけ３〜６のものがあげられ
る。ハロゲン原子としては、塩素、臭素、フッ素又はヨ
ウ素があげられる。

【０１５７】

【実施例】

実施例１ ２−ピリジンメタノール１３０ｍｇのジメチルアセトア
ミド０．５ｍｌ溶液に氷冷撹拌下、水素化ナトリウム
（６２．７％分散型）６０ｍｇを徐々に加え、次いで４
−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛６−クロロ−５−（３−メ
トキシフェノキシ）ピリミジン−４−イル｝ベンゼンス
ルホンアミド１００ｍｇを加える。１００℃にて３０分
間反応させた後冷却し、飽和塩化アンモニウム水溶液に
てｐＨを８とする。酢酸エチル抽出し、抽出液を洗浄、
乾燥後、減圧乾固し、残渣を酢酸エチルから結晶化して
４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛５−（３−メトキシフェ
ノキシ）−６−（２−ピリジニルメトキシ）ピリミジン
−４−イル｝ベンゼンスルホンアミド１１０ｍｇを結晶
として得る。

【０１５８】ｍ．ｐ．：２０６−２０７．５℃ 実施例２〜１８ 対応原料化合物を実施例１と同様に処理して下記第１〜
３表記載化合物を得る。

【０１５９】

【表１】

【０１６０】

【表２】

【０１６１】

【表３】

【０１６２】実施例１９ （１）４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛６−クロロ−５−
（３−メトキシフェノキシ）ピリミジン−４−イル｝ベ
ンゼンスルホンアミド及び２−アミノエタノールを実施
例１と同様に処理した後、析出する結晶を塩酸塩とし
て、Ｎ−｛６−（２−アミノエトキシ）−５−（３−メ
トキシフェノキシ）ピリミジン−４−イル｝−４−ｔｅ
ｒｔ−ブチルベンゼンスルホンアミド・塩酸塩〔化合物
Ａ〕を得る。

【０１６３】一方、母液をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（溶媒；クロロホルム：メタノール：酢酸＝１
０：１：０．３）で精製後、クロロホルム−ジイソプロ
ピルエーテルで再結晶して４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−
｛６−（２−ヒドロキシエチルアミノ）−５−（３−メ
トキシフェノキシ）ピリミジン−４−イル｝ベンゼンス
ルホンアミド〔化合物Ｂ〕を得る。

【０１６４】〔化合物Ａ〕；ｍ．ｐ．：２０１．５−２
０２℃ 〔化合物Ｂ〕；ｍ．ｐ．：１６１−１６３℃ （２）上記化合物Ａ１５０ｍｇ、２−クロロピリミジン
６１ｍｇ、炭酸カリウム１２２ｍｇ及びジメチルアセト
アミド１．５ｍｌの混液を１００℃で３日間加熱撹拌す
る。反応液を塩化アンモニウム水溶液で希釈し、酢酸エ
チルにて抽出する。抽出液を洗浄後、乾燥する。溶媒を
留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶媒；クロロホルム：メタノール＝１００：１）で精
製後、酢酸エチル−ｎ−ヘキサンより再結晶して４−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（３−メトキシフェノキ
シ）−６−｛２−（２−ピリミジニルアミノ）エトキ
シ｝ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミド水
和物１３５ｍｇを結晶として得る。

【０１６５】ｍ．ｐ．：１０１−１０２℃（分解） 実施例２０ 実施例１９−（１）で得た化合物Ｂ１１６ｍｇのジメチ
ルアセトアミド２ｍｌ溶液に水素化ナトリウム（６０％
分散型）３３ｍｇを加え、次いで２−クロロピリミジン
４０ｍｇを加える。反応液を室温にて終夜撹拌後、飽和
塩化アンモニウム水溶液で処理し、酢酸エチルにて抽出
する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後、溶媒を減圧下留去
する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶
媒；クロロホルム：メタノール＝２０：１）で精製後、
クロロホルム−ジイソプロピルエーテルで結晶化して４
−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（３−メトキシフェノ
キシ）−６−｛２−（ピリミジン−２−イルオキシ）エ
チルアミノ｝ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスルホン
アミド１２５ｍｇを結晶として得る。

【０１６６】ｍ．ｐ．：１４７．５−１４９℃ 実施例２１ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛６−（２−ヒドロキシエ
トキシ）−５−（３−メトキシフェノキシ）ピリミジン
−４−イル｝ベンゼンスルホンアミド２５０ｍｇのジメ
チルアセトアミド５ｍｌ溶液に室温で水素化ナトリウム
（６０％分散型）６４ｍｇを加え２０分間撹拌する。反
応液に５−ブロモ−２−クロロピリミジン１３３ｍｇを
加え、室温で１８時間撹拌する。反応液を氷水中に注
ぎ、飽和塩化アンモニウム水溶液で中和した後、酢酸エ
チルで抽出する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後、溶媒を
減圧下留去する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（溶媒；クロロホルム：メタノール＝４０：１）
で精製して粗結晶を得、酢酸エチル−ジイソプロピルエ
ーテルで再結晶してＮ−〔６−｛２−（５−ブロモピリ
ミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５−（３−メト
キシフェノキシ）ピリミジン−４−イル〕−４−ｔｅｒ
ｔ−ブチルベンゼンスルホンアミド２８０ｍｇを結晶と
して得る。

【０１６７】ｍ．ｐ．：１６８−１６８．５℃ 実施例２２〜７５ 対応原料化合物を実施例２１と同様に処理して下記第４
〜１１表記載化合物を得る。

【０１６８】

【表４】

【０１６９】

【表５】

【０１７０】

【表６】

【０１７１】

【表７】

【０１７２】

【表８】

【０１７３】

【表９】

【０１７４】

【表１０】

【０１７５】

【表１１】

【０１７６】実施例７６ ６−〔２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオキシ）
エトキシ〕−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−
４−アミン１５０ｍｇ、４−ｔｅｒｔ−アミルベンゼン
スルホニルクロリド１８４ｍｇ、９６％水酸化カリウム
（粉末状）３００ｍｇ、硫酸水素テトラブチルアンモニ
ウム３４ｍｇ及びトルエン１０ｍｌの混合物を室温で一
晩攪拌する。飽和塩化アンモニウム水溶液で希釈し、酢
酸エチルで抽出する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後、溶
媒を留去する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（溶媒；クロロホルム：酢酸エチル＝５：１）で精
製し、ヘキサン−酢酸エチルで再結晶して、４−ｔｅｒ
ｔ−アミル−Ｎ−｛６−〔２−（５−ブロモピリミジン
−２−イルオキシ）エトキシ〕−５−（４−メチルフェ
ニル）ピリミジン−４−イル｝ベンゼンスルホンアミド
１８８ｍｇを得る。

【０１７７】ｍ．ｐ．：１５３．５−１５４．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３２７０，１５７０，１
５５０ ＦＡＢＭＳ（ｍ／ｚ）：６１４，６１２（ＭＨ⁺ ） 実施例７７−８２ 対応原料化合物を実施例７６と同様に処理して下記第１
２表記載化合物を得る。

【０１７８】

【表１２】

【０１７９】実施例８３ ６−〔２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオキシ）
エトキシ〕−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−
４−アミン１５０ｍｇ、４−ブロモベンゼンスルホニル
クロリド１９１ｍｇ、ヨウ化ナトリウム１１２ｍｇ、水
素化ナトリウム（６０％分散型）４５ｍｇ及びテトラヒ
ドロフラン５ｍｌの混合物を室温で一晩攪拌する。更に
４−ブロモベンゼンスルホニルクロリド１９１ｍｇ及び
水素化ナトリウム（６０％分散型）４５ｍｇを加え、一
晩加熱還流する。冷却後、反応液を飽和塩化アンモニウ
ムで処理し、酢酸エチルで抽出する。酢酸エチル層を洗
浄、乾燥後、溶媒を留去し、残渣を分取用薄層クロマト
グラフィー（展開溶媒；クロロホルム：酢酸エチル＝１
０：１）で精製して、４−ブロモ−Ｎ−｛６−〔２−
（５−ブロモピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ〕
−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−イル｝
ベンゼンスルホンアミド８５ｍｇを得る。

【０１８０】ｍ．ｐ．：２１７−２１８℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：２８００−２４００，１
５７５，１５６０ ＦＡＢＭＳ（ｍ／ｚ）：６２４，６２２，６２０（ＭＨ
⁺ ） 実施例８４ Ｎ−｛５−ブロモ−６−〔２−（５−メチルチオピリミ
ジン−２−イルオキシ）エトキシ〕ピリミジン−４−イ
ル｝−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホンアミド１
００ｍｇ、３，４−ジメトキシフェニルトリブチルスズ
２２０ｍｇ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウ
ム（ＩＩ）クロリド２６ｍｇ、塩化銅（Ｉ）１１ｍｇ、
２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルクレゾールの結晶２、３
片及びジオキサン５ｍｌの混合物を１．５時間加熱還流
する。冷却後、反応液を酢酸エチルとフッ化カリウム水
溶液で希釈し、室温で３０分撹拌する。不溶物をろ去
し、ろ液を１０％塩酸を用いて酸性とし、酢酸エチルで
抽出する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後溶媒を留去し、
残渣を分取用薄層クロマトグラフィー（展開溶媒；クロ
ロホルム：酢酸エチル＝３：１）で精製後、酢酸エチル
−ジイソプロピルエーテルで再結晶して、、４−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−Ｎ−｛５−（３，４−ジメトキシフェニ
ル）−６−〔２−（５−メチルチオピリミジン−２−イ
ルオキシ）エトキシ〕ピリミジン−４−イル｝ベンゼン
スルホンアミド８２ｍｇを得る。

【０１８１】ｍ．ｐ．：１７０．５−１７１．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３２００，１５９０，１
５７０，１５２０，１５１０ 実施例８５−９５ 対応原料化合物を実施例８４と同様に処理して下記第１
３及び１４表記載化合物を得る。

【０１８２】

【表１３】

【０１８３】

【表１４】

【０１８４】実施例９６ Ｎ−〔６−｛２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオ
キシ）エトキシ｝−５−（３−メトキシフェノキシ）ピ
リミジン−４−イル〕−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン
スルホンアミド１５０ｍｇ、トリブチルフェニルスズ１
３１ｍｇ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（ＩＩ）クロリド８．５ｍｇ及びジオキサン４ｍｌの混
液を１２時間加熱還流する。反応液を酢酸エチルで希釈
し、１０％フッ化カリウム水溶液で処理する。不溶物を
ろ去し、酢酸エチル層を分取する。水洗、乾燥後、溶媒
を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶媒；クロロホルム）で精製後、酢酸エチル−ジイソ
プロピルエーテルで再結晶して４−ｔｅｒｔ−ブチル−
Ｎ−〔５−（３−メトキシフェノキシ）−６−｛２−
（５−フェニルピリミジン−２−イルオキシ）エトキ
シ｝ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミド８
５ｍｇを結晶として得る。

【０１８５】ｍ．ｐ．：１６０−１６１℃ 実施例９７−１１８ Ｎ−〔６−｛２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオ
キシ）エトキシ｝−５−（４−メチルフェニル）ピリミ
ジン−４−イル〕−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスル
ホンアミド及び対応原料化合物を実施例９６と同様に処
理して下記第１５〜１７表記載化合物を得る。

【０１８６】

【表１５】

【０１８７】

【表１６】

【０１８８】

【表１７】

【０１８９】実施例１１９ Ｎ−〔６−｛２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオ
キシ）エトキシ｝−５−（２−メトキシフェノキシ）ピ
リミジン−４−イル〕−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン
スルホンアミド及び対応原料化合物を実施例９６と同様
に処理して、４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（２−
メトキシフェノキシ）−６−｛２−（５−（２−チエニ
ル）ピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝ピリミジ
ン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミドを得る。

【０１９０】ｍ．ｐ．：１８５．５−１８６．５℃ 実施例１２０ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（３−メトキシフェ
ノキシ）−６−｛２−（２−メチルチオピリミジン−４
−イルオキシ）エトキシ｝ピリミジン−４−イル〕ベン
ゼンスルホンアミド２５０ｍｇ、ラネーニッケル（Ｗ−
２）２ｇ及びエタノール５ｍｌの混液を室温で終夜撹拌
し、更に４時間加熱還流する。ラネーニッケルをろ去
し、エタノール及び酢酸で洗浄する。ろ液を減圧下濃縮
し、残渣を酢酸エチル抽出する。酢酸エチル層を洗浄、
乾燥後、溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（溶媒；クロロホルム：メタノール＝１
０：１）で精製後、酢酸エチル−ｎ−ヘキサンで再結晶
して４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（３−メトキシ
フェノキシ）−６−｛２−（ピリミジン−４−イルオキ
シ）エトキシ｝ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスルホ
ンアミド７６ｍｇを結晶として得る。

【０１９１】ｍ．ｐ．：１４９−１５０．５℃ 実施例１２１ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（６−クロロ
ピリダジン−３−イルオキシ）エトキシ｝−５−（３−
メトキシフェノキシ）ピリミジン−４−イル〕ベンゼン
スルホンアミド１５０ｍｇ、１０％パラジウム−炭素３
０ｍｇ、トリエチルアミン５２ｍｇ、メタノール８ｍｌ
及びテトラヒドロフラン６ｍｌの混液を水素雰囲気（１
気圧）下、室温で５時間撹拌する。触媒をろ去後、ろ液
を減圧乾固する。残渣をクエン酸水溶液で処理後、クロ
ロホルムで抽出し、洗浄、乾燥後、溶媒を留去する。残
渣を酢酸エチル−ジイソプロピルエーテルで再結晶して
４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（３−メトキシフェ
ノキシ）−６−｛２−（ピリダジン−３−イルオキシ）
エトキシ｝ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンア
ミド１１１ｍｇを結晶として得る。

【０１９２】ｍ．ｐ．：１６９．５−１７０℃ 実施例１２２ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（１−メチル
−４，５−ジブロモイミダゾール−２−イルオキシ）エ
トキシ｝−５−（３−メトキシフェノキシ）ピリミジン
−４−イル〕ベンゼンスルホンアミドを実施例１２１と
同様に処理して４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２
−（１−メチルイミダゾール−２−イルオキシ）エトキ
シ｝−５−（３−メトキシフェノキシ）ピリミジン−４
−イル〕ベンゼンスルホンアミドを得る・ ｍ．ｐ．：１２４−１２６℃ 実施例１２３ （１）２−メルカプトエタノール１．３１ｇのジメチル
アセトアミド１５ｍｌ溶液にアルゴン雰囲気下水素化ナ
トリウム（６２．３％分散型）５２０ｍｇを加える。５
分後、４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛６−クロロ−５−
（３−メトキシフェノキシ）ピリミジン−４−イル｝ベ
ンゼンスルホンアミド１．５ｇを加え、混合物をアルゴ
ン雰囲気下７０℃で２時間、１００℃で３時間、さらに
１３０℃で２時間反応させる。反応液を塩酸で処理後、
酢酸エチルで抽出する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後、
溶媒を減圧下留去する。残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（溶媒；クロロホルム：メタノール＝７
０：１）にて精製後、酢酸エチル−ｎ−ヘキサンで再結
晶して４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛６−（２−ヒドロ
キシエチルチオ）−５−（３−メトキシフェノキシ）ピ
リミジン−４−イル｝ベンゼンスルホンアミド１．１４
ｇを結晶として得る。

【０１９３】ｍ．ｐ．：１４９．５−１５０．５℃ （２）本品２００ｍｇ、２−クロロピリミジン６１ｍ
ｇ、水素化ナトリウム（６２．３％分散型）４７ｍｇ及
びジメチルアセトアミド３ｍｌの混液を室温にて終夜撹
拌する。塩化アンモニウム水溶液で処理後、酢酸エチル
で抽出する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後、溶媒を減圧
下留去する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（溶媒；クロロホルム：メタノール＝５０：１）にて
精製後、酢酸エチル−ｎ−ヘキサンで再結晶して４−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（３−メトキシフェノキ
シ）−６−｛２−（ピリミジン−２−イルオキシ）エチ
ルチオ｝ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミ
ド１９１ｍｇを結晶として得る。

【０１９４】ｍ．ｐ．：１６７．５−１６８℃ 実施例１２４ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−（１−
エトキシエテニル）ピリミジン−２−イルオキシ）エト
キシ｝−５−（３−メトキシフェノキシ）ピリミジン−
４−イル〕ベンゼンスルホンアミド１．０２２ｇ、１０
％塩酸１ｍｌ及びアセトン２０ｍｌの混液を室温で４時
間反応させる。反応液を炭酸水素ナトリウム水溶液でｐ
Ｈ６とした後、溶媒を留去する。残渣に塩化アンモニウ
ム水溶液及び酢酸エチルを加え、酢酸エチル層を分取す
る。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後、溶媒を減圧下留去す
る。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶
媒；酢酸エチル：ｎ−ヘキサン＝１：１〜酢酸エチル）
で精製後、酢酸エチル−ｎ−ヘキサンで再結晶してＮ−
〔６−｛２−（５−アセチルピリミジン−２−イルオキ
シ）エトキシ｝−５−（３−メトキシフェノキシ）ピリ
ミジン−４−イル〕−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンス
ルホンアミド８４９ｍｇを結晶として得る。

【０１９５】ｍ．ｐ．：１４２．５−１４４℃ 実施例１２５ Ｎ−〔６−｛２−（５−アセチルピリミジン−２−イル
オキシ）エトキシ｝−５−（３−メトキシフェノキシ）
ピリミジン−４−イル〕−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼ
ンスルホンアミド７５６ｍｇ、テトラヒドロフラン１０
ｍｌ及びイソプロピルアルコール１０ｍｌの混液に、氷
冷撹拌下水素化ホウ素ナトリウム４８ｍｇを加え、氷冷
下４０分間撹拌する。その後反応液に水素化ホウ素ナト
リウム１４ｍｇを追加し、さらに３０分間撹拌する。水
で希釈後、酢酸エチルにて抽出し、酢酸エチル層を洗
浄、乾燥後、減圧乾固する。残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（溶媒；クロロホルム：メタノール＝
４０：１〜２０：１）で精製後、酢酸エチル−ｎ−ヘキ
サンで再結晶して４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−
｛２−（５−（１−ヒドロキシエチル）ピリミジン−２
−イルオキシ）エトキシ｝−５−（３−メトキシフェノ
キシ）ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミド
５７１ｍｇを結晶として得る。

【０１９６】ｍ．ｐ．：１３３−１３５℃ 実施例１２６ 対応原料化合物を実施例１２５と同様に処理してＮ−
〔６−｛２−（（５−メチルチオ）ピリミジン−２−イ
ルオキシ）エトキシ｝−５−（４−ヒドロキシメチルフ
ェニル）ピリミジン−４−イル〕−４−ｔｅｒｔ−ブチ
ルベンゼンスルホンアミドを得る。

【０１９７】ｍ．ｐ．：１７２−１７３℃ 実施例１２７ Ｎ−〔６−｛２−（４−アセチルフェノキシ）エトキ
シ｝−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−イ
ル〕−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホンアミドを
実施例１２５と同様に処理して４−ｔｅｒｔ−ブチル−
Ｎ−〔６−｛２−（４−（１−ヒドロキシエチル）フェ
ノキシ）エトキシ｝−５−（４−メチルフェニル）ピリ
ミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミドを得る。

【０１９８】ｍ．ｐ．：１７６−１７８℃ 実施例１２８ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−（１−
ヒドロキシエチル）ピリミジン−２−イルオキシ）エト
キシ｝−５−（３−メトキシフェノキシ）ピリミジン−
４−イル〕ベンゼンスルホンアミド１５０ｍｇの塩化メ
チレン３ｍｌ溶液にチオニルクロリド９０ｍｇを加え、
室温で０．５時間反応させる。反応液を減圧乾固し、残
渣に１０％パラジウム−炭素３０ｍｇ、トリエチルアミ
ン７６ｍｇ及びエタノール３ｍｌを加え、水素（１気
圧）雰囲気下室温にて２時間撹拌する。触媒をろ去し、
ろ液を減圧乾固する。残渣を酢酸エチルにて抽出後、酢
酸エチル層を洗浄、乾燥後、溶媒を減圧下留去する。残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒；クロ
ロホルム：酢酸エチル＝１０：１）で精製後、酢酸エチ
ル−ｎ−ヘキサンで再結晶して４−ｔｅｒｔ−ブチル−
Ｎ−〔６−｛２−（５−エチルピリミジン−２−イルオ
キシ）エトキシ｝−５−（３−メトキシフェノキシ）ピ
リミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミド１３７ｍ
ｇを結晶として得る。

【０１９９】ｍ．ｐ．：１５８．５−１５９．５℃ 実施例１２９ Ｎ−〔６−｛２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオ
キシ）エトキシ｝−５−（４−メチルフェニル）ピリミ
ジン−４−イル〕−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスル
ホンアミド３００ｍｇのテトラヒドロフラン１０ｍｌ溶
液に、−７８℃でｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍｎ−ヘ
キサン溶液）０．７５ｍｌを加える。−７８℃で５分間
撹拌後、アセトン５８ｍｇのテトラヒドロフラン１ｍｌ
溶液を加え、混合物の温度が室温になるまで昇温させ
る。塩化アンモニウム水溶液で処理後、酢酸エチルで抽
出する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後、溶媒を減圧留去
する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶
媒；クロロホルム：酢酸エチル＝２：１〜１：１）で精
製後、酢酸エチル−ｎ−ヘキサンで再結晶して４−ｔｅ
ｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−（１−ヒドロキ
シ−１−メチルエチル）ピリミジン−２−イルオキシ）
エトキシ｝−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−
４−イル〕ベンゼンスルホンアミド８８ｍｇを結晶とし
て得る。

【０２００】ｍ．ｐ．：１４９．５−１５０．５℃ 実施例１３０ Ｎ−〔６−｛２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオ
キシ）エトキシ｝−５−（４−メチルフェニル）ピリミ
ジン−４−イル〕−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスル
ホンアミド及びベンズアルデヒドを実施例１２９と同様
に処理して４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−
（５−（αーヒドロキシベンジル）ピリミジン−２−イ
ルオキシ）エトキシ｝−５−（４−メチルフェニル）ピ
リミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミドを得る。

【０２０１】ｍ．ｐ．：１８３−１８５℃ 実施例１３１〜１３３ Ｎ−〔６−｛２−（４−ブロモフェノキシ）エトキシ｝
−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−イル〕
−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホンアミド６００
ｍｇ、（１−エトキシビニル）トリブチルスズ６８０ｍ
ｇ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｉ
Ｉ）クロリド３５．５ｍｇ及びジオキサン２４ｍｌの混
液を１８時間加熱還流する。酢酸エチルで希釈後、１０
％フッ化カリウム水溶液を加え、析出物をろ去する。ろ
液を酢酸エチルで抽出し、酢酸エチル層を洗浄、乾燥
後、減圧乾固する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（溶媒；ｎ−ヘキサン：酢酸エチル＝５：１〜
３：１〜１：１）で精製後、得られた化合物をそれぞれ
酢酸エチル−ジイソプロピルエーテルで再結晶して４−
ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛５−（４−メチルフェニル）
−６−（２−フェノキシエトキシ）ピリミジン−４−イ
ル｝ベンゼンスルホンアミド〔化合物Ａ〕４２ｍｇ、Ｎ
−〔６−｛２−（４−アセチルフェノキシ）エトキシ｝
−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−イル〕
−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホンアミド〔化合
物Ｂ〕２４２ｍｇ及び４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６
−｛２−（４−エトキシカルボニルフェノキシ）エトキ
シ｝−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−イ
ル〕ベンゼンスルホンアミド〔化合物Ｃ〕５８ｍｇを得
る。

【０２０２】〔化合物Ａ〕：ｍ．ｐ．：１８６．５−１
８７．５℃ 〔化合物Ｂ〕：ｍ．ｐ．：２０５−２０６．５℃ 〔化合物Ｃ〕：ｍ．ｐ．：１９９．５−２００．５℃ 実施例１３４ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛５−（４−メチルフェニ
ル）−６−｛２−（５−ニトロピリジン−２−イルオキ
シ）エトキシ｝ピリミジン−４−イル｝ベンゼンスルホ
ンアミド９７５ｍｇのイソプロパノール−テトラヒドロ
フラン（１：１）溶液２０ｍｌに１０％パラジウム−炭
素２００ｍｇを加え、水素雰囲気（１気圧）下、室温で
１．５時間撹拌する。触媒をろ去後、ろ液を減圧濃縮す
る。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶
媒；クロロホルム：酢酸エチル＝２：１）で精製後、酢
酸エチル−ｎ−ヘキサンで再結晶してＮ−〔６−｛２−
（５−アミノピリジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−
５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−イル｝−
４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホンアミド８２９ｍ
ｇを結晶として得る。

【０２０３】ｍ．ｐ．：１６５−１６７℃（分解） 実施例１３５ Ｎ−〔６−｛２−（５−アミノピリジン−２−イルオキ
シ）エトキシ｝−５−（４−メチルフェニル）ピリミジ
ン−４−イル｝−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホ
ンアミド１５０ｍｇのピリジン２ｍｌ溶液に、ベンゾイ
ルクロリド４３ｍｇの塩化メチレン０．４ｍｌ溶液を加
え、室温で２時間撹拌した後、反応液に１０％塩酸を加
え、酢酸エチルで抽出する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥
後、溶媒を減圧下留去する。残渣を酢酸エチル−ｎ−ヘ
キサンで再結晶してＮ−（６−〔２−｛６−（４−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニルスルホニルアミノ）−５−（４−
メチルフェノル）ピリミジン−４−イルオキシ｝エトキ
シ〕ピリジン−３−イル）ベンザミド１６１ｍｇを結晶
として得る。

【０２０４】ｍ．ｐ．：１７３−１７４．５℃ 実施例１３６ Ｎ−〔６−｛２−（５−アミノピリジン−２−イルオキ
シ）エトキシ｝−５−（４−メチルフェニル）ピリミジ
ン−４−イル｝−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホ
ンアミド及び無水酢酸を実施例１３５と同様に処理して
Ｎ−（６−〔２−｛６−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニ
ルスルホニルアミノ）−５−（４−メチルフェニル）ピ
リミジン−４−イルオキシ｝エトキシ〕ピリジン−３−
イル）アセタミドを得る。

【０２０５】ｍ．ｐ．：１７５−１７６℃ 実施例１３７ Ｎ−〔６−｛２−（５−アミノピリジン−２−イルオキ
シ）エトキシ｝−５−（４−メチルフェニル）ピリミジ
ン−４−イル｝−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホ
ンアミド及びピバロイルクロリドを実施例１３５と同様
に処理してＮ−（６−〔２−｛６−（４−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニルスルホニルアミノ）−５−（４−メチルフ
ェニル）ピリミジン−４−イルオキシ｝エトキシ〕ピリ
ジン−３−イル）ピバラミドを得る。

【０２０６】ｍ．ｐ．：１４０−１４１℃ 実施例１３８ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛６−〔２−（４−ベンジ
ルオキシフェノキシ）エトキシ〕−５−（４−メチルフ
ェニル）ピリミジン−４−イル｝ベンゼンスルホンアミ
ド３．９５ｇ、１０％パラジウム−炭素１．５ｇ及びエ
タノール−テトラヒドロフラン（８０ｍｌ−８０ｍｌ）
の混合物を水素雰囲気下（１気圧）、室温で２４時間接
触還元に付す。触媒をろ去した後、ろ液を濃縮する。残
渣を酢酸エチル−ジイソプロピルエーテルで結晶化し
て、４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛６−〔２−（４−ヒ
ドロキシフェノキシ）エトキシ〕−５−（４−メチルフ
ェニル）ピリミジン−４−イル｝ベンゼンスルホンアミ
ド３．３１ｇを得る。

【０２０７】ｍ．ｐ．：１６１．５−１６３℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３２６０，１５９０，１
５７０ ＦＡＢＭＳ（ｍ／ｚ）：５５６（Ｍ⁺ ＋Ｎａ），５３４
（ＭＨ⁺ ） 実施例１３９ 実施例６２で得られた化合物を実施例１３８と同様に処
理することにより、４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛６−
〔２−（５−ヒドロキシピリミジン−２−イルオキシ）
エトキシ〕−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−
４−イル｝ベンゼンスルホンアミドを得る。

【０２０８】ｍ．ｐ．：１８６．５−１８８℃ 実施例１４０ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛５−（４−メチルフェニ
ル）−６−〔２−（４−ニトロフェノキシ）エトキシ〕
ピリミジン−４−イル｝ベンゼンスルホンアミド３８３
ｍｇ、１０％パラジウム−炭素５０ｍｇ及びエタノール
−テトラヒドロフラン（６ｍｌ−３ｍｌ）の混合物を水
素雰囲気下（１気圧）、室温で２時間接触還元に付す。
触媒をろ去した後、ろ液を濃縮する。残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（溶媒；クロロホルム：酢酸
エチル＝１０：１）で精製した後、酢酸エチル−ジイソ
プロピルエーテルで再結晶して、Ｎ−｛６−〔２−（４
−アミノフェノキシ）エトキシ〕−５−（４−メチルフ
ェニル）ピリミジン−４−イル｝−４−ｔｅｒｔ−ブチ
ルベンゼンスルホンアミド３５８ｍｇを得る。

【０２０９】ｍ．ｐ．：１９０−１９１℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３４４０，３３６０，３
２６０，１７４０，１６３０，１６１０ ＦＡＢＭＳ（ｍ／ｚ）：５３３（ＭＨ⁺ ） 実施例１４１ Ｎ−｛６−〔２−（４−アミノフェノキシ）エトキシ〕
−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−イル｝
−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホンアミド１００
ｍｇのテトラヒドロフラン２ｍｌ溶液に、ギ酸３８ｍｇ
及び３５％ホルムアルデヒド水溶液０．０５ｍｌを加
え、５０℃で３時間撹拌する。反応液を氷水に注ぎ、飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液を用いて中和した後、酢酸
エチルで抽出する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後溶媒を
留去する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶媒；クロロホルム：酢酸エチル＝１０：１）で精製
後、酢酸エチル−ジイソプロピルエーテルで結晶化し
て、４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛６−〔２−（４−ジ
メチルアミノフェノキシ）エトキシ〕−５−（４−メチ
ルフェニル）ピリミジン−４−イル｝ベンゼンスルホン
アミド６７ｍｇを得る。

【０２１０】ｍ．ｐ．：１４２−１４５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３２６０，１５９０，１
５７０ ＦＡＢＭＳ（ｍ／ｚ）：５６１（ＭＨ⁺ ） 実施例１４２ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛６−〔２−（４−シアノ
フェノキシ）エトキシ〕−５−（４−メチルフェニル）
ピリミジン−４−イル｝ベンゼンスルホンアミド１．３
１ｇ、アジ化トリブチルスズ１．６０ｇ及びトルエン１
３ｍｌの混合物をアルゴン雰囲気下、２４時間加熱還流
する。冷却後、酢酸エチルと１０％フッ化カリウム水溶
液を反応液に加える。不溶物をろ去し、酢酸エチル層を
減圧乾固させる。１０％水酸化ナトリウム水溶液とジエ
チルエーテルを加え、室温で２０分撹拌する。水層をジ
エチルエーテルで洗浄後、氷冷下、１０％塩酸を用いて
酸性とし、酢酸エチルで抽出する。酢酸エチル層を洗
浄、乾燥後溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（溶媒；クロロホルムのみ〜クロロホル
ム：メタノール＝２０：１）で精製後、酢酸エチルで結
晶化して、４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛５−（４−メ
チルフェニル）６−〔２−（４−（５−テトラゾリル）
フェノキシ）エトキシ〕ピリミジン−４−イル｝ベンゼ
ンスルホンアミド１．２６ｇを得る。

【０２１１】ｍ．ｐ．：１６５−１６６℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３２６０，１６２０，１
５８０ ＦＡＢＭＳ（ｍ／ｚ）：５８６（ＭＨ⁺ ） 実施例１４３ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛６−〔２−（４−ヒドロ
キシフェノキシ）エトキシ〕−５−（４−メチルフェニ
ル）ピリミジン−４−イル｝ベンゼンスルホンアミド２
００ｍｇのジメチルホルムアミド２ｍｌ溶液に、水素化
ナトリウム（６０％分散型）３２ｍｇを加え、室温で３
０分撹拌する。次いで、ｔｅｒｔ−ブチルブロモ酢酸７
７ｍｇのジメチルホルムアミド２ｍｌ溶液を氷冷下で加
え、同温で１時間撹拌する。反応液を氷水に注ぎ、飽和
塩化アンモニウム水溶液で処理した後、酢酸エチルで抽
出する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後溶媒を留去する。
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒；ヘ
キサン：酢酸エチル＝３：１）で精製後、酢酸エチル−
ジイソプロピルエーテルで結晶化して、４−｛２−〔６
−（４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニルアミノ）
−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−イルオ
キシ〕エトキシ｝フェノキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチルエス
テル２２５ｍｇを得る。

【０２１２】ｍ．ｐ．：１２９．５−１３０．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３２８０，１７６５，１
５９０，１５７０ ＦＡＢＭＳ（ｍ／ｚ）：６４８（ＭＨ⁺ ） 実施例１４４ ４−｛２−〔６−（４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスル
ホニルアミノ）−５−（４−メチルフェニル）ピリミジ
ン−４−イルオキシ〕エトキシ｝フェノキシ酢酸ｔｅｒ
ｔ−ブチルエステル１．２５ｇのジクロロメタン１２０
ｍｌ溶液に、アニソール２．０９ｇ及びトリフルオロ酢
酸２０ｍｌを氷冷下で加える。室温で５時間撹拌した
後、反応液を水洗し、１０％水酸化ナトリウム水溶液で
抽出する。

【０２１３】水層をクロロホルムで洗浄後、氷冷下、１
０％塩酸を用いて酸性とする。酢酸エチルで抽出し、酢
酸エチル層を洗浄、乾燥後、溶媒を留去し、酢酸エチル
−ジイソプロピルエーテルで結晶化して、４−｛２−
〔６−（４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニルアミ
ノ）−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−イ
ルオキシ〕エトキシ｝フェノキシ酢酸１．１４ｇを得
る。

【０２１４】ｍ．ｐ．：１８３−１８４．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３２６０，３２４０，１
７６０，１７４０，１７１０，１５８０，１５６５ ＦＡＢＭＳ（ｍ／ｚ）：５９２（ＭＨ⁺ ） 実施例１４５ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛６−〔２−（４−（１−
ヒドロキシエチル）フェノキシ）エトキシ〕−５−（４
−メチルフェニル）ピリミジン−４−イル｝ベンゼンス
ルホンアミド８５ｍｇのジクロロメタン３ｍｌ溶液に、
チオニルクロリド５４ｍｇを加え、１時間撹拌する。反
応液を減圧乾固し、残渣をエタノール−テトラヒドロフ
ラン（６ｍｌ−２ｍｌ）に溶解し、室温でトリエチルア
ミン４５ｍｇを加え、３時間撹拌する。溶媒を留去し、
残渣を酢酸エチルに溶解し、洗浄、乾燥後溶媒を留去す
る。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶
媒；ヘキサン：酢酸エチル＝３：１）で精製した後、酢
酸エチル−ジイソプロピルエーテルで再結晶して、４−
ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛６−〔２−（４−（１−エト
キシエチル）フェノキシ）エトキシ〕−５−（４−メチ
ルフェニル）ピリミジン−４−イル｝ベンゼンスルホン
アミド６１ｍｇを得る。

【０２１５】ｍ．ｐ．：１３９−１４０℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３２７０，１６１０，１
５９０，１５７０ ＦＡＢＭＳ（ｍ／ｚ）：５９０（ＭＨ⁺ ） 実施例１４６ Ｎ−〔６−｛２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオ
キシ）エトキシ｝−５−（４−メチルフェニル）ピリミ
ジン−４−イル〕−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスル
ホンアミド７００ｍｇのテトラヒドロフラン１５ｍｌ溶
液に、−７８℃でｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍｎ−ヘ
キサン溶液）１．４６ｍｌを滴下する。−７８℃で１５
分間撹拌後、ジメチルホルムアミド０．２８ｍｌを加
え、同温で１５分間反応させる。塩化アンモニウム水溶
液で処理後、１０％塩酸で酸性とし、酢酸エチルで抽出
する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後、シリカゲルカラム
クロマトグラフィー（溶媒；クロロホルム：酢酸エチル
＝１００：１〜３０：１）で精製後、ジイソプロピルエ
ーテルで再結晶して４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−
｛２−（５−ホルミルピリミジン−２−イルオキシ）エ
トキシ｝−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４
−イル〕ベンゼンスルホンアミド１９８ｍｇを結晶とし
て得る。

【０２１６】ｍ．ｐ．：１９１−１９３℃ ＦＡＢＭＳ（ｍ／ｚ）：５４８（ＭＨ⁺ ） 実施例１４７ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−ホルミ
ルピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５−（４
−メチルフェニル）ピリミジン−４−イル〕ベンゼンス
ルホンアミド１４３ｍｇのテトラヒドロフラン−イソプ
ロパノール（４ｍｌ−４ｍｌ）溶液に、氷冷下、水素化
ホウ素ナトリウム１３ｍｇを加え、２時間反応させる。
塩化アンモニウム水溶液で処理し、酢酸エチルで抽出す
る。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後、溶媒を減圧留去す
る。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶
媒；クロロホルム：メタノール＝２００：１〜５０：
１）で精製した後、ジエチルエーテルで結晶化して、４
−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−ヒドロキ
シメチルピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５
−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−イル〕ベン
ゼンスルホンアミド９６ｍｇを得る。

【０２１７】ｍ．ｐ．：１７２−１７３℃ ＦＡＢＭＳ（ｍ／ｚ）：５５０（ＭＨ⁺ ） 実施例１４８ 水素化ナトリウム０．２５ｇのテトラヒドロフラン５ｍ
ｌ懸濁液に、４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−（２−
ヒドロキシエトキシ）−５−（４−メチルフェニル）−
２−ｎ−プロピルピリミジン−４−イル〕ベンゼンスル
ホンアミド１．００ｇのジメチルアセトアミド３ｍｌ及
びテトラヒドロフラン１０ｍｌ溶液を室温で滴下し、２
−クロロ−５−ブロモピリミジン０．５６ｇを加え、室
温で２．５時間かくはんする。反応混合物に氷冷した希
塩酸を加えて酸性とし、酢酸エチル抽出後、洗浄、乾燥
し、溶媒を留去する。得られた油状物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（溶媒；クロロホルム）で精製
し、さらにｎ−ヘキサンで結晶化して４−ｔｅｒｔ−ブ
チル−Ｎ−〔６−｛２−（５−ブロモピリミジン−２−
イルオキシ）エトキシ｝−５−（４−メチルフェニル）
−２−ｎ−プロピルピリミジン−４−イル〕ベンゼンス
ルホンアミド１．２１ｇを結晶として得る。

【０２１８】ｍ．ｐ．：１８４−１８６℃ 実施例１４９〜１８９ 対応原料化合物を実施例１４８と同様に処理して下記第
１８〜２６表記載化合物を得る。

【０２１９】

【表１８】

【０２２０】

【表１９】

【０２２１】

【表２０】

【０２２２】

【表２１】

【０２２３】

【表２２】

【０２２４】

【表２３】

【０２２５】

【表２４】

【０２２６】

【表２５】

【０２２７】

【表２６】

【０２２８】実施例１９０ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−ブロモ
ピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５−（４−
メチルフェニル）−２−ｎ−プロピルピリミジン−４−
イル〕ベンゼンスルホンアミド３００ｍｇ、２−チエニ
ルトリブチルスズ６７０ｍｇ、ビス（トリフェニルホス
フィン）パラジウム（ＩＩ）クロリド１６ｍｇ及びジオ
キサン５ｍｌの混合物を８０分間加熱還流する。冷却
後、反応液を酢酸エチルで希釈し、１０％フッ化カリウ
ム水溶液を加え、室温で１時間かくはんする。反応液を
洗浄、乾燥後、溶媒を留去し、残さをシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（溶媒；ｎ−ヘキサン：酢酸エチル
＝３０：１〜１０：１）で精製する。さらに塩化メチレ
ン−ｎ−ヘキサン混液で結晶化して４−ｔｅｒｔ−ブチ
ル−Ｎ−〔６−｛２−（５−（２−チエニル）ピリミジ
ン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５−（４−メチルフ
ェニル）−２−ｎ−プロピルピリミジン−４−イル〕ベ
ンゼンスルホンアミド２０９ｍｇを結晶として得る。

【０２２９】ｍ．ｐ．：１６５〜１６６℃ 実施例１９１ 実施例１５０の生成物と２−ピリジルトリブチルスズと
を実施例１９０と同様に処理して、４−ｔｅｒｔ−ブチ
ル−Ｎ−〔６−｛２−（５−（２−ピリジル）−ピリミ
ジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５−（２−メトキ
シフェノキシ）−２−（２−ピリミジル）ピリミジン−
４−イル〕ベンゼンスルホンアミドを得る。

【０２３０】ｍ．ｐ．：１４９〜１５７℃ 実施例１９２ （１）Ｎ−〔６−クロロ−２−（２−ピリミジル）−５
−（２−メトキシフェノキシ）ピリミジン−４−イル｝
−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホンアミド１．０
５ｇ及び２−（４−アセチルフェノキシ）エタノール７
２８ｍｇのジメチルアセトアミド溶液１２ｍｌに、氷冷
下で水素化ナトリウム２４０ｍｇを加え、室温で終夜か
くはんする。反応液を１０％塩酸で酸性とし、酢酸エチ
ル抽出する。抽出液を洗浄、乾燥を、溶媒を留去し、残
さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒；クロ
ロホルム：アセトニトリル＝２：１）で精製後、さらに
酢酸エチル−ｎ−ヘキサン混液から再結晶してＮ−〔６
−｛２−（４−アセチルフェノキシ）エトキシ｝−２−
（２−ピリミジル）−５−（２−メトキシフェノキシ）
ピリミジン−４−イル｝−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼ
ンスルホンアミド４８２ｍｇを結晶として得る。

【０２３１】ｍ．ｐ．：１６９−１７２℃ （２）本品１９７ｍｇ、イソプロピルアルコール２ｍｌ
及びテトラヒドロフラン２ｍｌの混合物に氷冷下で水素
化ホウ素ナトリウム２６ｍｇを加え、同温度で２時間か
くはんする。反応後、溶媒を留去し、残さを１０％塩酸
で酸性とした後、酢酸エチル抽出する。抽出液を洗浄、
乾燥後溶媒を留去し、残さをシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（溶媒；クロロホルム：アセトニトリル＝
１：１）で精製後、さらに酢酸エチル−ｎ−ヘキサン混
液から再結晶してＮ−〔６−｛２−（４−（１−ヒドロ
キシエチル）フェノキシ）エトキシ｝−２−（２−ピリ
ミジル）−５−（２−メトキシフェノキシ）ピリミジン
−４−イル｝−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホン
アミド８５ｍｇを結晶として得る。

【０２３２】ｍ．ｐ．：１９１−１９４℃ 実施例１９３ Ｎ−〔６−クロロ−２−（２−ピリミジル）−５−（２
−メトキシフェノキシ）ピリミジン−４−イル｝−４−
ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホンアミドと２−（４−
ブロモフェノキシ）エタノールとを実施例１９２−
（１）と同様に処理してＮ−〔６−｛２−（４−ブロモ
フェノキシ）エトキシ｝−２−（２−ピリミジル）−５
−（２−メトキシフェノキシ）ピリミジン−４−イル｝
−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホンアミドを得
る。

【０２３３】ｍ．ｐ．：２５１−２５６℃ 実施例１９４ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−メチル
チオピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５−
（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−イル〕ベンゼ
ンスルホンアミド・ナトリウム塩１．０ｇのクロロホル
ム１０ｍｌ溶液に、３−クロロ過安息香酸４１２ｍｇを
０℃で加え、同温度で１時間、さらに室温で一夜攪拌す
る。反応液を飽和炭酸水素ナトリウム溶液で希釈後、ク
ロロホルムで抽出する。抽出液を洗浄、乾燥後溶媒を留
去し、濃縮する。残さをシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（溶媒；クロロホルム：酢酸エチル＝２：１〜
１：１）で精製後、得られた化合物をそれぞれ酢酸エチ
ル−ｎ−ヘキサン混液から再結晶して４−ｔｅｒｔ−ブ
チル−Ｎ−〔６−｛２−（５−メチルスルホニルピリミ
ジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５−（４−メチル
フェニル）ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンア
ミド〔化合物Ａ〕９１ｍｇを無色結晶として、さらに４
−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−メチルス
ルフィニルピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−
５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−イル〕ベ
ンゼンスルホンアミド〔化合物Ｂ〕６０１ｍｇを無色結
晶として得る。

【０２３４】〔化合物Ａ〕 ｍ．ｐ．：１７０−１７２
℃ 〔化合物Ｂ〕：ｍ．ｐ．：２０６．５−２０８℃ 実施例１９５ （１）４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−
メチルスルフィニルピリミジン−２−イルオキシ）エト
キシ｝−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−
イル〕ベンゼンスルホンアミド４７１ｍｇ、無水トリフ
ルオロ酢酸５ｍｌ及び塩化メチレン５ｍｌの混合物を３
０分間加熱還流し、生成する揮発性物質を留去する。残
さをメタノール−トリエチルアミン混液（１：１）に溶
解後、溶媒を留去する。残さをクロロホルムに溶解し、
洗浄、乾燥後溶媒を濃縮して４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ
−〔６−｛２−（５−メルカプトピリミジン−２−イル
オキシ）エトキシ｝−５−（４−メチルフェニル）ピリ
ミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミド５２９ｍｇ
を薄黄色泡状物として得る。

【０２３５】（２）本品２００ｍｇ、炭酸カリウム１０
０ｍｇ、ヨウ化エチル９７ｍｇ及びジメチルホルムアミ
ド４ｍｌの混合物をアルゴン置換中、室温で２時間攪拌
する。

【０２３６】反応液を１０％塩酸で希釈後、酢酸エチル
で抽出する。抽出液を洗浄、乾燥後溶媒を濃縮する。残
さを薄層カラムクロマトグラフィー（溶媒；クロロホル
ム：酢酸エチル＝１５：１）で精製後、得られた化合物
を酢酸エチル−ｎ−ヘキサン混液から再結晶して４−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−エチルチオピ
リミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５−（４−メ
チルフェニル）ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスルホ
ンアミド９０ｍｇ無色結晶として得る。

【０２３７】ｍ．ｐ．：１７７−１７８℃ 実施例１９６ 対応原料化合物を実施例１９５（１）及び（２）と同様
に処理してＮ−〔６−｛２−（５−イソプロピルチオピ
リミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５−（４−メ
チルフェニル）ピリミジン−４−イル｝−４−ｔｅｒｔ
−ブチルベンゼンスルホンアミドを得る。

【０２３８】ｍ．ｐ．：１６１．５−１６２．５℃ 実施例１９７ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−ブロモ
ピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５−（４−
メチルフェニル）ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスル
ホンアミド１．０ｇ、シアン化亜鉛７８４ｍｇ、テトラ
キス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）２５
０ｍｇ及び１、３−ジメチル−２−イミダゾリジノンＩ
４０ｍｌの混合物をアルゴン置換中、８０℃で６時間攪
拌後、室温まで冷却する。反応液を飽和塩化アンモニウ
ム水溶液で希釈後、酢酸エチルで抽出する。抽出液を洗
浄、乾燥後溶媒を留去し、濃縮する。残さをシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（溶媒；クロロホルム：酢酸
エチル＝１０：１）で精製後、得られた化合物をテトラ
ヒドロフラン−酢酸エチル混液から再結晶して４−ｔｅ
ｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−シアノピリミジ
ン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５−（４−メチルフ
ェニル）ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミ
ド５９０ｍｇを無色結晶として得る。

【０２３９】ｍ．ｐ．：１９６−１９７℃ 実施例１９８ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−ブロモ
ピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５−（４−
メチルフェニル）ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスル
ホンアミド１．０ｇ、トリメチルシリルエチン３３０ｍ
ｇ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｉ
Ｉ）クロリド５８ｍｇ、ヨウ化銅３２ｍｇ、トリエチル
アミン４２０ｍｇ及びジメチルホルムアミド５ｍｌの混
合物をアルゴン置換中、５０℃で３時間攪拌後、室温ま
で冷却する。反応液を飽和塩化アンモニウム水溶液で希
釈後、酢酸エチルで抽出する。抽出液を洗浄、乾燥後溶
媒を留去し、濃縮する。残さをシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（溶媒；クロロホルム：酢酸エチル＝４
０：１）で精製後、得られた化合物を酢酸エチル−ｎ−
ヘキサン混液から再結晶して４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ
−〔６−｛２−（５−トリメチルシリルエチニルピリミ
ジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５−（４−メチル
フェニル）ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンア
ミド８３７ｍｇを無色結晶として得る。

【０２４０】ｍ．ｐ．：２００−２０２℃ 実施例１９９ 対応原料化合物を実施例１９８と同様に処理して４−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−（３−ヒドロ
キシ−３−メチル−１−ブチニル）ピリミジン−２−イ
ルオキシ）エトキシ｝−５−（４−メチルフェニル）ピ
リミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミドを得る。

【０２４１】ｍ．ｐ．：１７２．５−１７３．５℃ 実施例２００ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−トリメ
チルシリルエチニルピリミジン−２−イルオキシ）エト
キシ｝−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−
イル〕ベンゼンスルホンアミド６６７ｍｇ、炭酸カリウ
ム２９９ｍｇ及びメタノール１３ｍｌの混合物を０℃で
２時間攪拌後、飽和塩化アンモニウム水溶液で希釈後、
酢酸エチルで抽出する。抽出液を洗浄、乾燥後溶媒を留
去し、濃縮する。残さをシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（溶媒；クロロホルム：酢酸エチル＝３０：１）
で精製後、得られた化合物を塩化メチレン−酢酸エチル
混液から再結晶して４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−
｛２−（５−エチニルピリミジン−２−イルオキシ）エ
トキシ｝−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４
−イル〕ベンゼンスルホンアミド５０２ｍｇを無色結晶
として得る。

【０２４２】ｍ．ｐ．：２０７−２１０℃ 実施例２０１ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−メチル
チオピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５−
（４−ジエトキシメチルフェニル）ピリミジン−４−イ
ル〕ベンゼンスルホンアミド５５８ｍｇ、ｐ−トルエン
スルホン酸・１水和物５０ｍｇ、テトラヒドロフラン１
８ｍｇ及び 水６ｍｌの混合物を室温で１時間攪拌後、
テトラヒドロフランを留去する。残さを酢酸エチルで希
釈後、酢酸エチル層を洗浄、乾燥後溶媒を留去し、濃縮
する。残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶
媒；クロロホルム：酢酸エチル＝２：１）で精製後、得
られた化合物を塩化メチレン−酢酸エチル混液から再結
晶して４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−
メチルチオピリリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝
−５−（４−ホルミルフェニル）ピリミジン−４−イ
ル〕ベンゼンスルホンアミド３４５ｍｇを無色結晶とし
て得る。

【０２４３】ｍ．ｐ．：２２３−２２４℃ 実施例２０２ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−メチル
チオピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５−
（４−ホルミルフェニル）ピリミジン−４−イル〕ベン
ゼンスルホンアミド２６９ｍｇ、（カルボエトキシエチ
リデン）トリフェニルホスホラン２４２ｍｇ及びクロロ
ホルム５ｍｌの混合物を室温で４時間攪拌後、クロロホ
ルムで希釈し、洗浄、乾燥後溶媒を留去し、濃縮する。
残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒；ｎ
−ヘキサン：酢酸エチル＝１：１）で精製後、得られた
化合物を酢酸エチル−ｎ−ヘキサン混液から再結晶して
（Ｅ）−３−〔４−｛４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ニルスルホニルアミノ）−６−｛２−（５−メチルチオ
ピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝ピリミジン−
５−イル〕フェニルアクリル酸エチルエステル２６１ｍ
ｇを無色結晶として得る。

【０２４４】ｍ．ｐ．：１７２−１７３℃ 実施例２０３ （Ｅ）−３−〔４−｛４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ニルスルホニルアミノ）−６−｛２−（５−メチルチオ
ピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝ピリミジン−
５−イル〕フェニルアクリル酸エチルエステル１８２ｍ
ｇ、１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液０．５６ｍｌ、テトラ
ヒドロフラン３ｍｌ及び水１ｍｌの混合物を室温で３０
時間攪拌後、クロロホルムで希釈し、１０％塩酸で酸性
にする。

【０２４５】混合物をクロロホルムで抽出し、抽出液を
洗浄、乾燥後溶媒を留去し、濃縮する。残さを薄層カラ
ムクロマトグラフィー（溶媒；クロロホルム：メタノー
ル＝１０：１）で精製後、得られた化合物を酢酸エチル
−ｎ−ヘキサン混液から再結晶して（Ｅ）−３−〔４−
｛４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルスルホニルアミ
ノ）−６−｛２−（５−メチルチオピリミジン−２−イ
ルオキシ）エトキシ｝ピリミジン−５−イル〕フェニル
アクリル酸３１ｍｇを無色結晶として得る。

【０２４６】ｍ．ｐ．：１９６−２０４℃ 実施例２０４ 対応原料化合物を実施例２０３と同様に処理して４−
｛４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルスルホニルアミ
ノ）−６−｛２−（５−メチルチオピリミジン−２−イ
ルオキシ）エトキシ｝ピリミジン−５−イル〕安息香酸
を得る。

【０２４７】ｍ．ｐ．：２２６−２２７℃ 実施例２０５及び２０６ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−ブロモ
ピリリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５−（２
−メトキシフェニルチオ）ピリミジン−４−イル〕ベン
ゼンスルホンアミド４６４ｍｇのクロロホルム９ｍｌ溶
液に３−クロロ過安息香酸２１７ｍｇを０℃で加え、混
合物をを同温度で２時間攪拌する。反応液を飽和炭酸水
素ナトリウム水溶液で希釈し、クロロホルムで抽出す
る。抽出液を洗浄、乾燥後溶媒を留去し、濃縮する。残
さを薄層カラムクロマトグラフィー（溶媒；クロロホル
ム：酢酸エチル＝１０：１）で精製後、最初に得られる
化合物を塩化メチレン−酢酸エチル混液から再結晶して
４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−ブロモ
ピリリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５−（２
−メトキシフェニルスルホニル）ピリミジン−４−イ
ル〕ベンゼンスルホンアミド１９７ｍｇを無色結晶とし
て得る。

【０２４８】ｍ．ｐ．：２０８−２１０℃ 続いて得られる化合物を酢酸エチル−ｎ−ヘキサン混液
から再結晶して４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２
−（５−ブロモピリリミジン−２−イルオキシ）エトキ
シ｝−５−（２−メトキシフェニルスルフィニル）ピリ
ミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミド１６７ｍｇ
を無色結晶として得る。

【０２４９】ｍ．ｐ．：１６３−１６４．５℃ 実施例２０７ 水素化ナトリウム（６０％分散型）６５ｍｇのジメチル
アセトアミド０．５ｍｌ−テトラヒドロフラン０．５ｍ
ｌ懸濁液に、室温にて４−（２−ヒドロキシ−１，１−
ジメチルエチル）−Ｎ−｛６−（２−ヒドロキシエトキ
シ｝−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−イ
ル｝ベンゼンスルホンアミド１３５ｍｇの懸濁液にジメ
チルアセトアミド２ｍｌ−テトラヒドロフラン２ｍｌ溶
液に５分間かけて滴下し、５−ブロモ−２−クロロピリ
ミジン３９９ｍｇを加え、室温で６日間攪拌する。反応
液に氷−希塩酸を加えて酸性にし、酢酸エチルで抽出す
る。抽出液を洗浄、乾燥後溶媒を留去する。残さをシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒；クロロホル
ム：酢酸エチル＝１００：１）で精製後、得られた化合
物を塩化メチレン−イソプロピルエーテル混液から再結
晶して４−｛２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオ
キシ）−１，１−ジメチルエチル｝−Ｎ−〔６−｛２−
（５−ブロモピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝
−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−イル〕
ベンゼンスルホンアミド７７ｍｇを無色結晶として得
る。

【０２５０】ｍ．ｐ．：１５６−１５８℃ 実施例２０８ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−ヒドロ
キシピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５−
（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−イル｝ベンゼ
ンスルホンアミド２００ｍｇのジメチルホルムアミド４
ｍｌ溶液に炭酸カルシウム１５４ｍｇ及び５−ブロモ−
２−クロロピリミジン２１６ｍｇを加え、５０℃で２時
間攪拌する。反応液に氷−希塩酸を加えて酸性にし、酢
酸エチルで抽出する。抽出液を洗浄、乾燥後溶媒を留去
する。残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶
媒；クロロホルム：酢酸エチル＝５０：１）で精製後、
得られた化合物を塩化メチレン−イソプロピルエーテル
混液から再結晶して４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−
｛２−（５−（５−ブロモピリミジン−２−イルオキ
シ）ピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５−
（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−イル｝ベンゼ
ンスルホンアミド２３８ｍｇを無色針状晶として得る。

【０２５１】ｍ．ｐ．：１８３−１８４℃ 実施例２０９−２１３ 対応原料化合物を実施例２０８と同様に処理して下記第
２７表記載化合物を得る。

【０２５２】

【表２７】

【０２５３】実施例２１４ ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−（α−
スチリル）ピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝−
５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−イル｝ベ
ンゼンスルホンアミド１３０ｍｇ、１０％パラジウム−
炭素４２ｍｇ、エタノール１ｍｌ及びトリエチルアミン
１０ｍｌの混合物を水素雰囲気（１気圧）下、室温で１
時間攪拌する。触媒をろ去後、ろ液を減圧乾固する。残
さを薄層カラムクロマトグラフィー（溶媒；クロロホル
ム：酢酸エチル＝１５：１）で精製後、得られた化合物
を酢酸エチル−イソプロピルエーテル混液から再結晶し
て４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−｛２−（５−（α
−フェネチル）ピリミジン−２−イルオキシ）ピリミジ
ン−２−イルオキシ）エトキシ｝−５−（４−メチルフ
ェニル）ピリミジン−４−イル｝ベンゼンスルホンアミ
ド１１１ｍｇを無色針状晶として得る。

【０２５４】ｍ．ｐ．：１５８．５−１６０．５℃ 参考例１ １、３−プロパンジオール７ｍｌに、水素化ナトリウム
（６０％分散型）３１２ｍｇを加え、さらに４−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−Ｎ−｛６−クロロ−５−（３−メトキシフ
ェノキシ）ピリミジン−４−イル｝ベンゼンスルホンア
ミド７０７ｍｇを加える。反応液を９０℃で２時間さら
に１３０℃で１時間反応させる。その後反応液を１０％
塩酸を用いて酸性とし、酢酸エチル抽出し、酢酸エチル
層を洗浄、乾燥後、減圧乾固し、残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（溶媒；クロロホルム：酢酸エチ
ル＝１０：１）で精製後、酢酸エチル−ジイソプロピル
エーテルで結晶化して４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−｛６
−（３−ヒドロキシプロピルオキシ）−５−（３−メト
キシフェノキシ）ピリミジン−４−イル｝ベンゼンスル
ホンアミド３１５ｍｇを結晶として得る。

【０２５５】ｍ．ｐ．：１１３−１１４℃ 参考例２〜１２ 対応化合物を参考例１と同様に処理して、下記２８及び
２９表記載化合物を得る。

【０２５６】

【表２８】

【０２５７】

【表２９】

【０２５８】参考例１３ （１）テトラヒドロフラン４００ｍｌ、エチレングリコ
ール６０ｍｌの混液に、氷冷撹拌下、水素化ナトリウム
（６０％分散型）３．３８ｇを加え、次いで、４，６−
ジクロロ−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン２
０．０ｇを加える。氷冷下で３０分、更に室温で２時間
撹拌後、酢酸を用いて弱酸性とした後、減圧濃縮する。
残渣を酢酸エチルに溶かし、洗浄、乾燥後、減圧乾固す
る。残渣をヘキサンで結晶化して、２−｛６−クロロ−
５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−イルオキ
シ｝エタノール２１．８５ｇを得る。

【０２５９】ｍ．ｐ．：６２−６４℃ （２）２−｛６−クロロ−５−（４−メチルフェニル）
ピリミジン−４−イルオキシ｝エタノール２１．８５
ｇ、アジ化ナトリウム１０．７ｇ、ジメチルホルムアミ
ド２６０ｍｌの混合物を７５〜８０℃で一晩加熱撹拌す
る。冷却後水で処理し、酢酸エチルで抽出する。酢酸エ
チル層を洗浄、乾燥後、溶媒を留去し、残渣をヘキサン
で結晶化して２−｛６−アジド−５−（４−メチルフェ
ニル）ピリミジン−４−イルオキシ｝エタノール１９．
６ｇを得る。

【０２６０】ｍ．ｐ．：８３．５−８５℃ ＭＳ（ｍ／ｚ）：２７１（Ｍ⁺ ） （３）２−｛６−アジド−５−（４−メチルフェニル）
ピリミジン−４−イルオキシ｝エタノール１９．６ｇ、
１０％パラジウム−炭素（５０％含水）４．０ｇ及びエ
タノール２４０ｍｌの混合物を水素雰囲気下（１気
圧）、室温にて１時間接触還元に付す。触媒をろ去し、
ろ液を減圧濃縮し、残渣を酢酸エチル−ヘキサンで再結
晶して２−｛６−アミノ−５−（４−メチルフェニル）
ピリミジン−４−イルオキシ｝エタノール１５．９ｇを
得る。

【０２６１】ｍ．ｐ．：１０４−１０５℃ 参考例１４ （１）４，６−ジクロロ−５−（４−メチルフェニル）
ピリミジン４．１４ｇのエーテル２０ｍｌ溶液に２７％
アンモニア−メタノール溶液３０ｍｌを加え、封管中、
室温で３日間反応させる。溶媒を減圧濃縮し、残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒；ヘキサン：
酢酸エチル１０：１〜酢酸エチルのみ）で精製し、６−
クロロ−５−（４−メチルフェニル）ピリミジン−４−
アミン１．８９ｇを得る。

【０２６２】ｍ．ｐ．：１６８−１７１℃ （２）６−クロロ−５−（４−メチルフェニル）ピリミ
ジン−４−アミン５００ｍｇ、エチレングリコール１０
ｍｌ、水素化ナトリウム（６０％分散型）０．４６ｇの
混合物を７０℃で２時間、更に９０℃で５時間反応させ
る。混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液で処理し、酢
酸エチルで抽出する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後溶媒
を留去する。残渣をヘキサン−酢酸エチルで結晶化し
て、２−｛６−アミノ−５−（４−メチルフェニル）ピ
リミジン−４−イルオキシ｝エタノール４２２ｍｇを得
る。

【０２６３】ｍ．ｐ．：９１．５−９３．５℃ 参考例１５ ２−｛６−アミノ−５−（４−メチルフェニル）ピリミ
ジン−４−イルオキシ｝エタノール７．５４ｇのテトラ
ヒドロフラン１５０ｍｌ溶液に水素化ナトリウム（６０
％分散型）１．４７ｇを加えた後、５−ブロモ−２−ク
ロロピリミジン７．７３ｇを加え、室温で一晩撹拌す
る。反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、溶媒
を減圧留去する。析出する結晶をろ取し、洗浄、乾燥す
る。祖結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶
媒；クロロホルム：メタノール１００：１〜８０：１）
で精製後、テトラヒドロフラン−ジエチルエーテルで再
結晶して、６−〔２−（５−ブロモピリミジン−２−イ
ルオキシ）エトキシ〕−５−（４−メチルフェニル）ピ
リミジン−４−アミン１１．２７ｇを得る。

【０２６４】ｍ．ｐ．：１７８．５−１７９．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３４００，３３００，３
１３０，１６４０，１５８０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：４０１，４０３（Ｍ⁺ ） 参考例１６ （１）４，６−ジクロロピリミジン１．３３ｇ及び４−
ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホンアミド１．９６ｇの
ジメチルスルホキシド２０ｍｌ溶液に水素化ナトリウム
（６０％分散型）７１４ｍｇを加える。室温で２時間撹
拌後、反応液を１０％塩酸及び水で希釈し、酢酸エチル
で抽出する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥後溶媒を留去
し、残渣を酢酸エチルで再結晶して、４−ｔｅｒｔ−ブ
チル−Ｎ−（６−クロロピリミジン−４−イル）ベンゼ
ンスルホンアミド２．０２ｇを得る。

【０２６５】ｍ．ｐ．：２２５−２２６．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３０３５，１６３０，１
５９５，１５７５ ＭＳ（ｍ／ｚ）：３２５（Ｍ⁺ ） （２）エチレングリコール２０ｍｌに水素化ナトリウム
（６０％分散型）１．０３ｇを加え、さらに４−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−Ｎ−（６−クロロピリミジン−４−イル）
ベンゼンスルホンアミド１．６６ｇを加え、６０℃で２
０時間撹拌する。冷却後、１０％塩酸を用いて酸性と
し、酢酸エチルで抽出する。酢酸エチル層を洗浄、乾燥
後、溶媒を留去する。残渣を酢酸エチルで結晶化して、
４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−（２−ヒドロキシエ
トキシ）ピリミジン−４−イル）ベンゼンスルホンアミ
ド１．５８ｇを得る。

【０２６６】ｍ．ｐ．：１６９−１７０．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３４４０，１６００，１
５７０ ＦＡＢＭＳ（ｍ／ｚ）：３５２（ＭＨ⁺ ） （３）４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−（２−ヒドロ
キシエトキシ）ピリミジン−４−イル）ベンゼンスルホ
ンアミド２１０ｍｇのジメチルホルムアミド４ｍｌ溶液
にＮ−ブロモスクシンイミド１１６ｍｇを加え、室温で
１時間撹拌する。亜硫酸水素ナトリウム水溶液で処理し
た後、酢酸エチルで抽出する。酢酸エチル層を洗浄、乾
燥後、溶媒を留去する。残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（溶媒；クロロホルム：メタノール＝４
０：１）で精製後、ヘキサン−酢酸エチルで再結晶し
て、Ｎ−〔５−ブロモ−６−（２−ヒドロキシエトキ
シ）ピリミジン−４−イル〕−４−ｔｅｒｔ−ブチルベ
ンゼンスルホンアミド１６９ｍｇを得る。

【０２６７】ｍ．ｐ．：１４６−１４７．５℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３３６０，３２００，１
６２０，１５７５ ＦＡＢＭＳ（ｍ／ｚ）：４３２，４３０（ＭＨ⁺ ） （４）Ｎ−〔５−ブロモ−６−（２−ヒドロキシエトキ
シ）ピリミジン−４−イル〕−４−ｔｅｒｔ−ブチルベ
ンゼンスルホンアミド３．１０ｇのジメチルアセトアミ
ド３０ｍｌ溶液に水素化ナトリウム（６０％分散型）７
２０ｍｇを加え、室温で３０分撹拌する。次いで、２−
クロロ−５−メチルチオピリミジン１．５１ｇを加え、
室温で一晩撹拌する。反応液を１０％塩酸及び飽和塩化
アンモニウム水溶液で処理し、酢酸エチルで抽出する。
酢酸エチル層を洗浄、乾燥後、溶媒を留去する。残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒；クロロホ
ルム：酢酸エチル＝１０：１）で精製後、ヘキサン−酢
酸エチルで再結晶して、Ｎ−｛５−ブロモ−６−〔２−
（５−メチルチオピリミジン−２−イルオキシ）エトキ
シ〕ピリミジン−４−イル｝−４−ｔｅｒｔ−ブチルベ
ンゼンスルホンアミド３．３４ｇを得る。

【０２６８】ｍ．ｐ．：１２０−１２１℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：１５８５，１５７５，１
５５０ ＦＡＢＭＳ（ｍ／ｚ）：５５６，５５４（ＭＨ⁺ ） 参考例１７ （１）４，６−ジクロロピリミジン５．０ｇ、エチレン
グリコール１００ｍｌ及びテトラヒドロフラン１００ｍ
ｌの混合物に、氷冷下、水素化ナトリウム（６０％分散
型）１．３４ｇを加える。同温で２時間撹拌した後、溶
媒を留去する。

【０２６９】残渣を酢酸エチルで抽出し、抽出液を乾燥
後、減圧下濃縮する。残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（溶媒；クロロホルム：酢酸エチル５：１〜
２：１）で精製して、２−（６−クロロピリミジン−４
−イルオキシ）エタノール５．６７ｇを油状物として得
る。

【０２７０】ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３３００，
１５７５，１５４５ ＦＡＢＭＳ（ｍ／ｚ）：１７５（ＭＨ⁺ ） （２）２−（６−クロロピリミジン−４−イルオキシ）
エタノール５．６１ｇのジメチルホルムアミド６０ｍｌ
溶液に、アジ化ナトリウム４．１８ｇを加え、７０℃で
２０時間撹拌する。冷却後、反応液を水で処理し、酢酸
エチルで抽出する。酢酸エチル層を乾燥後、溶媒を留去
する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶
媒；ヘキサン：酢酸エチル＝１：１）で精製して、２−
（６−アジドピリミジン−４−イルオキシ）エタノール
１．６８ｇを得る。

【０２７１】ｍ．ｐ．：４９−５０℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３２８０，２０７０，１
６００，１５５０ ＦＡＢＭＳ（ｍ／ｚ）：１８１（ＭＨ⁺ ） （３）２−（６−アジドピリミジン−４−イルオキシ）
エタノール１．６４ｇ、１０％パラジウム−炭素０．２
５ｇ及びエタノール２０ｍｌの混合物を水素雰囲気下
（１気圧）、室温にて１時間、接触還元に付す。触媒を
ろ去し、ろ液を濃縮する。残渣をエタノール−ジエチル
エーテルで再結晶して、２−（６−アミノピリミジン−
４−イルオキシ）エタノール１．１１ｇを得る。

【０２７２】ｍ．ｐ．：１３３−１３７℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３３６０，３２００，１
６６０，１６１０，１５５０ ＦＡＢＭＳ（ｍ／ｚ）：１５６（ＭＨ⁺ ） （４）２−（６−アミノピリミジン−４−イルオキシ）
エタノール４００ｍｇのメタノール４ｍｌ懸濁液に、臭
素４３７ｍｇのメタノール２ｍｌ溶液を滴下する。溶媒
を留去後、残渣を酢酸エチルに溶かす。飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液で処理した後、酢酸エチル−テトラヒド
ロフランで抽出する。有機層を洗浄、乾燥後、溶媒を留
去して、２−（６−アミノ−５−ブロモピリミジン−４
−イルオキシ）エタノール６３２ｍｇを得る。

【０２７３】ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３４８０，
３４２０，３３９０，３２９０，１６４０，１５８０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：２３５，２３３（Ｍ⁺ ） （５）２−（６−アミノ−５−ブロモピリミジン−４−
イルオキシ）エタノール６１１ｍｇのジメチルホルムア
ミド２０ｍｌ溶液に水素化ナトリウム（６０％分散型）
１２５ｍｇを加える。２０分撹拌後、２−クロロ−５−
メチルチオピリミジン４６１ｍｇを加え、室温で３時間
撹拌する。氷水を加え、酢酸エチルで抽出する。酢酸エ
チル層を洗浄、乾燥後、溶媒を留去する。残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒；クロロホルム：
メタノール＝２０：１）で精製後、酢酸エチル−ジイソ
プロピルエーテルで結晶化して、５−ブロモ−６−〔２
−（５−メチルチオピリミジン−２−イルオキシ）エト
キシ〕ピリミジン−４−アミン５０１ｍｇを得る。

【０２７４】ｍ．ｐ．：１２６−１２９℃ ＩＲ（ｎｕｊｏｌ，ｃｍ^-1）：３４５０，３２７０，１
６３５，１５８５，１５７０，１５４０ ＭＳ（ｍ／ｚ）：３５９，３５７（ＭＨ⁺ ） （６）５−ブロモ−６−〔２−（５−メチルチオピリミ
ジン−２−イルオキシ）エトキシ〕ピリミジン−４−ア
ミン１０２ｍｇのテトラヒドロフラン２ｍｌ溶液に、水
素化ナトリウム（６０％分散型）３４ｍｇを加えた後、
４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニルクロリド１９
８ｍｇを加え、室温で２０分撹拌する。

【０２７５】ピリジン１滴及び水を加え、室温で３０分
撹拌し、次いで、飽和塩化アンモニウム水溶液を用いて
中和する。酢酸エチルで抽出し、酢酸エチル層を洗浄、
乾燥後、溶媒を留去し、残渣を分取用薄層クロマトグラ
フィー（展開溶媒；クロロホルム：メタノール＝１５：
１）で精製後、ヘキサン−酢酸エチルで再結晶して、Ｎ
−｛５−ブロモ−６−〔２−（５−メチルチオピリミジ
ン−２−イルオキシ）エトキシ〕ピリミジン−４−イ
ル｝−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホンアミド１
３５ｍｇを得る。物性値は参考例５（４）と同じであ
る。

【０２７６】参考例１８ （１）（４−メチルフェニル）マロン酸ジエチル９．４
５ｇ及びブチルアミジン塩酸塩５．００ｇのメタノール
２５ｍｌ溶液に、氷冷下で２８％ナトリウムメトキシド
１９．６７ｇを加え、室温で終夜かくはんする。反応
後、溶液を半分に濃縮し、水で希釈後、１０％塩酸で酸
性とする。析出晶をろ過、洗浄、乾燥して５−（４−メ
チルフェニル）−４，６−ジヒドロキシ−２−ｎ−プロ
ピルピリミジン５．１７ｇを結晶性粉末として得る。

【０２７７】ｍ．ｐ． ＞３００℃ （２）本品５．１４ｇ、ジエチルフェニルアミン５ｍｌ
及びオキシ塩化リン２０ｍｌの混合物を２時間加熱還流
し、反応後オキシ塩化リンを留去し、水３００ｍｌにゆ
っくり注加する。混合物を室温で２０分間かくはんし、
エーテル抽出する。洗浄、乾燥後、活性炭で処理し、溶
媒を留去して５−（４−メチルフェニル）−４，６−ジ
クロロ−２−ｎ−プロピルピリミジン５．９１ｇを結晶
として得る。

【０２７８】ｍ．ｐ． ９１〜９３℃ （３）本品２．１０ｇのジメチルスルホキシド２５ｍｌ
懸濁液に、４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホンアミ
ド１．９１ｇ及び炭酸カリウム４．１３ｇを加え、８０
℃で９時間かくはんする。冷却後、反応混合物を氷冷し
た塩酸に加え、酢酸エチル抽出する。洗浄、乾燥後溶媒
を留去し、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶媒；クロロホルム：酢酸エチル＝５０：１）で精製
後、さらにｎ−ヘキサンで結晶化して４−ｔｅｒｔ−ブ
チル−Ｎ−〔６−クロロ−５−（４−メチルフェニル）
−２−ｎ−プロピルピリミジン−４−イル〕ベンゼンス
ルホンアミド３．０．ｇを粉末として得る。

【０２７９】ｍ．ｐ． １３８〜１３９℃ （４）本品２．９４ｇのエチレングリコール５０ｍｌ溶
液に室温でナトリウム０．７４ｇを少しずつ加え、１３
５℃で１８時間かくはんする。冷却後、反応混合物を冷
却下に希塩酸で希釈し、酢酸エチル抽出する。抽出液を
洗浄、乾燥後、溶媒を留去し、残さをシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（溶媒；クロロホルム：酢酸エチル
＝５０：１）で精製して４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−
〔６−（２−ヒドロキシエトキシ）−５−（４−メチル
フェニル）−２−ｎ−プロピルピリミジン−４−イル〕
ベンゼンスルホンアミド２．２１ｇを結晶性粉末として
得る。

【０２８０】ｍ．ｐ． １３３〜１３４℃ 参考例１９ （４−メチルフェニル）マロン酸ジエチルとイソブチル
アミジン塩酸塩とを参考例１８と同様に処理して、４−
ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−（２−ヒドロキシエトキ
シ）−５−（４−メチルフェニル）−２−ｉ−プロピル
ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミドを得
る。

【０２８１】ｍ．ｐ． １４３〜１４４℃ 参考例２０ （１）チオフェン１．６９ｇの無水テトラヒドロフラン
２０ｍｌ溶液に、アルゴン気流下０℃にて１．６Ｍｎ−
ブチルリチウム−ｎ−ヘキサン溶液１１．４ｍｌを３０
分間かけて滴下する。この混合物に５−（４−メチルフ
ェニル）−４，６−ジクロロピリミジン４．０ｇの無水
テトラヒドロフラン５ｍｌ溶液を−６０℃にてゆっくり
と滴下し、０℃まで昇温し、１．５時間かくはんする。
反応後、酢酸１．５ｇ及び水０．２５ｇを加え、さらに
２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−１，４−ベンゾ
キノン５．７０ｇのテトラヒドロフラン５ｍｌ溶液を加
え、０℃にて１時間かくはんする。これを炭末処理後、
酢酸エチル及びクエン酸水溶液の混液で抽出し、洗浄、
乾燥後、溶媒を留去する。残さをシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（溶媒；ｎ−ヘキサン：酢酸エチル＝５
０：１）で精製して５−（４−メチルフェニル）−４，
６−ジクロロ−２−（２−チエニル）ピリミジン２．６
４ｇを粉末として得る。

【０２８２】ｍ．ｐ． １１９．５〜１２０℃ （２）本品２．６４ｇを参考例１８−（３）と同様に処
理して４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−クロロ−５−
（４−メチルフェニル）−２−（２−チエニル）ピリミ
ジン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミド３．３８ｇを
粉末として得る。

【０２８３】ｍ．ｐ． ＞３００℃ （３）本品３．３８ｇを参考例１８−（４）と同様に処
理して４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−（２−ヒドロ
キシエトキシ）−５−（４−メチルフェニル）−２−
（２−チエニル）ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスル
ホンアミド２．１１ｇを粉末として得る。

【０２８４】ｍ．ｐ． ＞３００℃ 参考例２１ ５−（４−メチルフェニル）−４，６−ジクロロピリミ
ジンのエーテル溶液を−３０℃に冷却し、１．８Ｍフェ
ニルリチウム−シクロヘキサン溶液を滴下する。反応混
合物を参考例２０−（１）と同様に処理して５−（４−
メチルフェニル）−４，６−ジクロロ−２−フェニルピ
リミジンを結晶性粉末として得る。

【０２８５】ｍ．ｐ． １６５〜１６６．５℃ （２）本品を参考例１８−（３）と同様に処理して４−
ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−クロロ−５−（４−メチ
ルフェニル）−２−フェニルピリミジン−４−イル〕ベ
ンゼンスルホンアミドを粉末として得る。

【０２８６】ｍ．ｐ． ２４９〜２５０℃ （３）本品を参考例１８−（４）と同様に処理して４−
ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔６−（２−ヒドロキシエトキ
シ）−５−（４−メチルフェニル）−２−フェニルピリ
ミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミドを結晶とし
て得る。

【０２８７】ｍ．ｐ． １９７．５〜１９８．５℃ 参考例２２ ２−クロロ−５−ブロモピリミジンと２−フリルトリブ
チルスズとを実施例１９０と同様に処理して２−クロロ
−５−（２−フリル）ピリミジンを得る。

【０２８８】ｍ．ｐ． １３４．５〜１３６℃ 参考例２３ ２−クロロ−５−ブロモピリミジンと２−チエニルトリ
ブチルスズとを実施例１９０と同様に処理して２−クロ
ロ−５−（２−チエニル）ピリミジンを得る。

【０２８９】ｍ．ｐ． １２４．５〜１２５．５℃ 参考例２４ ２−クロロ−５−ブロモピリミジンと３−チエニルトリ
ブチルスズとを実施例１９０と同様に処理して２−クロ
ロ−５−（３−チエニル）ピリミジンを得る。

【０２９０】ｍ．ｐ． １５４〜１５７℃ 参考例２５ ２−クロロ−５−メトキシピリミジン１．９ｇの塩化メ
チレン３０ｍｌ溶液にドライアイス−アセトン浴下、ト
リブロモホウ素４．９７ｍｌを１５分間かけて滴下し、
滴下終了後、室温にて２２時間攪拌した。反応混合物に
ドライアイス−アセトン浴下、メタノール３０ｍｌを滴
下し、反応混合物を減圧濃縮後、水酸化ナトリウム水溶
液にてｐＨを５とし、酢酸エチルで抽出した。抽出液を
洗浄、乾燥後、溶媒を減圧留去して得られた結晶をｎ−
ヘキサンで洗浄し、２−クロロ−５−ヒドロキシピリミ
ジン１．４７ｇを無色結晶として得る。

【０２９１】ｍ．ｐ． １９４〜１９５℃ 参考例２６ （１）３−ヒドロキシメチルチオフェン及びチオニルク
ロリドを塩化メチレン中、氷冷下で３０分間攪拌する。
反応液に水を加え、クロロホルムで抽出する。抽出液を
洗浄、乾燥後、溶媒を減圧留去して、３−クロロメチル
チオフェン１．６１ｇを得る。

【０２９２】（２）本品６１０ｍｇ、２−クロロ−５−
ヒドロキシピリミジン２００ｍｇ、炭酸カリウム６３５
ｍｇ及びジメチルホルムアミド３ｍｌの混合物を５０℃
で１時間攪拌する。反応液に水を加え、酢酸エチルで抽
出する。抽出液を洗浄、乾燥後、溶媒を減圧下濃縮す
る。残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶
媒；ｎ−ヘキサン：酢酸エチル＝２０：１〜２０：３）
で精製後、溶媒を留去して、２−クロロ−５−（３−チ
エニルメトキシ）ピリミジン３４５ｍｇを無色針状晶と
して得る。

【０２９３】ｍ．ｐ． ７３〜７６℃ 参考例２７−３２ 対応化合物を参考例２６と同様に処理して下記第３０表
記載化合物を得る。

【０２９４】

【表３０】

【０２９５】

【発明の効果】本発明の目的化合物〔Ｉ〕又はその薬理
的に許容し得る塩は、優れたエンドセリン拮抗作用を有
することから、エンドセリン活性に関連する疾患、例え
ば、高血圧症、肺性高血圧症、腎性高血圧症、レイノー
病、気管支喘息、胃潰瘍、炎症性腸疾患（クローン
病）、ショック、発癌、血管形成術後の再狭窄、臓器移
植後の臓器機能不全、糖尿病、血栓症、動脈硬化症、心
不全、急性腎不全、糸球体腎炎、サイクロスポリン誘発
腎毒性、心筋梗塞、狭心症、不整脈、緑内症、片頭痛、
脳血管攣縮及び脳梗塞等の予防又は治療薬として有用で
ある。また本発明の目的物は、毒性も低く、医薬化合物
として使用する場合、高い安全性を有する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ａ６１Ｋ 31/505 ＡＣＢ Ａ６１Ｋ 31/505 ＡＣＢ ＡＣＦ ＡＣＦ ＡＣＬ ＡＣＬ ＡＣＶ ＡＣＶ ＡＥＤ ＡＥＤ Ｃ０７Ｄ 401/12 ２３９ Ｃ０７Ｄ 401/12 ２３９ 401/14 ２３９ 401/14 ２３９ 403/12 ２３３ 403/12 ２３３ ２３５ ２３５ ２３７ ２３７ ２３９ ２３９ 405/12 ２３９ 405/12 ２３９ 405/14 ２３９ 405/14 ２３９ 409/12 ２３９ 409/12 ２３９ 409/14 ２３９ 409/14 ２３９ 417/12 ２３９ 417/12 ２３９ 417/14 ２３９ 417/14 ２３９ (72)発明者 河野 理夏子 埼玉県大宮市桜木町４丁目180番地１ 藤和シティコープ大宮桜木町401 (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) C07D 239/69 A61K 31/505 C07D 401/12 239 C07D 401/14 239 C07D 403/12 233 C07D 403/12 235 C07D 403/12 237 C07D 403/12 239 C07D 405/12 239 C07D 405/14 239 C07D 409/12 239 C07D 409/14 239 C07D 417/12 239 C07D 417/14 239 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ) ＷＰＩＤＳ（ＳＴＮ)

Claims (14)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式〔Ｉ〕 【化１】 （但し、環Ａ及び環Ｂは同一又は異なって置換もしくは
   非置換ベンゼン環、Ｑは単結合手又は式−Ｏ−、−Ｓ
   −，−ＳＯ−，−ＳＯ₂ −もしくは−ＣＨ₂ −で示され
   る基、Ｙは式−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＨ−で示される
   基、Ａｌｋは低級アルキレン基又は低級アルケニレン
   基、Ｚは単結合手又は式−Ｏ−もしくは−ＮＨ−で示さ
   れる基、Ｒは置換もしくは非置換の芳香族複素環式基も
   しくはアリール基、Ｒ¹ は水素原子、トリフルオロメチ
   ル基、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ基、置換
   もしくは非置換低級アルキル基、置換もしくは非置換低
   級アルケニル基、置換もしくは非置換低級アルキニル
   基、置換もしくは非置換低級アルキルチオ基、置換もし
   くは非置換低級アルコキシ基、芳香族複素環式基、置換
   もしくは非置換脂肪族複素環式基又はアリール基を表
   す。但し、Ｚが単結合手である場合、Ｒがアリール基の
   ものを除く。）で示されるベンゼンスルホンアミド誘導
   体又はその薬理的に許容し得る塩。
2. 【請求項２】 環Ａ及び環Ｂが同一又は異なってハロゲ
   ン原子；低級アルキル基；低級アルコキシ基；低級アル
   ケニル基；低級アルキニル基；低級アルキルチオ基；シ
   クロアルキル基；トリフルオロメチル基；カルボキシル
   基；シアノ基；テトラゾリル基；ホルミル基；カルバモ
   イル基；モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノカルボ
   ニル基；低級アルコキシカルボニル基；低級アルコキシ
   カルボニル−低級アルコキシ基；低級アルコキシカルボ
   ニル−低級アルキル基；低級アルコキシカルボニル−低
   級アルケニル基；ジ−低級アルコキシ基置換低級アルキ
   ル基；ヒドロキシ基置換低級アルキル基；カルボキシル
   基置換低級アルキル基；カルボキシル基置換低級アルケ
   ニル基；カルボキシル基置換低級アルコキシ基；ブロモ
   ピリミジニルオキシ低級アルキル基；低級アルキレンジ
   オキシ基；アリール低級アルコキシ基；及びアリールア
   ミノカルボニル基から選ばれる１〜３個の基で置換され
   ていてもよいベンゼン環、Ｒがハロゲン原子；保護され
   ていてもよいヒドロキシ基；ニトロ基；シアノ基；アミ
   ノ基；ホルミル基；カルボキシル基；カルバモイル基；
   Ｎ−低級アルキルカルバモイルオキシ基；Ｎ−ヒドロキ
   シイミノメチル基；Ｎ−低級アルコキシイミノメチル
   基；低級アルキル基；ヒドロキシ基置換低級アルキル
   基；シクロアルキル基；低級アルコキシ−低級アルキル
   基；低級アルコキシカルボニル−低級アルケニル基；ト
   リフルオロメチル基；ヒドロキシ基及びアリール基置換
   低級アルキル基；低級アルキルチオ基；モノ−もしくは
   ジ−低級アルキルアミノ基；低級アルカノイルアミノ
   基；低級アルコキシ基；保護されていてもよいカルボキ
   シル基で置換された低級アルコキシ基；アリールオキシ
   基；低級アルコキシカルボニル基；低級アルコキシ−低
   級アルケニル基；低級アルカノイル基；アリールカルボ
   ニル基；低級アルケニルオキシ基；ヒドロキシ基置換低
   級アルキニル基；トリメチルシリル基で保護されていて
   もよい低級アルキニル基；シアノ低級アルコキシ基；シ
   クロアルキル−低級アルコキシ基；低級アルキルスルフ
   ィニル基；低級アルキルスルホニル基；アリール基；フ
   ェニル低級アルキル基；芳香族複素環式基置換低級アル
   キル基；芳香族複素環式基置換低級アルコキシ基；フェ
   ニル低級アルケニル基；フェニル低級アルコキシ基；ア
   リールカルボニルアミノ基；ハロゲン原子及び低級アル
   キルから選ばれる１〜３の基で置換されていてもよい芳
   香族複素環式基置換オキシ基；及び低級アルキル基で置
   換されていてもよい芳香族複素環式基から選ばれる１〜
   ４個の基で置換されていてもよい、芳香族複素環式基又
   はアリール基、Ｒ¹ が（１）水素原子、（２）トリフル
   オロメチル基、（３） モノ−もしくはジ−低級アルキ
   ルアミノ基、（４）ハロゲン原子、カルボキシル基、低
   級アルコキシカルボニル基、芳香族複素環式基及びアリ
   ール基から選ばれる１〜４個の基で置換されていてもよ
   い低級アルキル基、（５）低級アルケニル基、（６）カ
   ルボキシル基で置換されていてもよい低級アルキニル
   基、（７）低級アルキルチオ基、（８）ヒドロキシ基又
   はヒドロキシ基置換低級アルコキシ基で置換されていて
   もよい低級アルコキシ基、（９）芳香族複素環式基、
   （１０）低級アルキル基で置換されていてもよい脂肪族
   複素環式基又は（１１）アリール基である請求項１記載
   の化合物。
3. 【請求項３】 芳香族複素環式基が窒素原子、酸素原子
   及び硫黄原子から選ばれる１〜４個の異項原子を含む単
   環もしくは二環式芳香族複素環式基である請求項２記載
   の化合物。
4. 【請求項４】 芳香族複素環式基がピロリル基、イミダ
   ゾリル基、フリル基、チエニル基、チアゾリル基、イソ
   オキサゾリル基、オキサゾリル基、オキサゾリニル基、
   ピラゾリル基、キナゾリニル基、チエノピリミジニル
   基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピ
   ラジニル基、トリアジニル基、テトラゾリル基、キノリ
   ル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、ベンゾチア
   ゾリル基、ベンゾオキサゾリル基又はベンゾイミダゾリ
   ル基であり、脂肪族複素環式基がピペラジニル基、ピロ
   リジニル基、ピペリジル基、ホモピペリジル基、チオモ
   ルホリニル基又はモルホリニル基であり、アリール基並
   びにアリールカルボニルアミノ基、アリールアミノカル
   ボニル基、アリールオキシ基及びアリールカルボニル基
   におけるアリール部分がフェニル基、低級アルコキシフ
   ェニル基又はナフチル基である請求項２記載の化合物。
5. 【請求項５】 環Ａが低級アルキル基；１又は２の低級
   アルコキシ基；低級アルコキシカルボニル−低級アルキ
   ル基；ヒドロキシル基置換低級アルキル基；及び低級ア
   ルコキシカルボニル−低級アルコキシ基から選ばれる基
   で置換されているベンゼン環、環Ｂがトリフルオロメチ
   ル基；ホルミル基；低級アルキル基；１又は２の低級ア
   ルコキシ基；低級アルキレンジオキシ基；ヒドロキシ低
   級アルキル基；及び低級アルコキシカルボニル基から選
   ばれる基で置換されているベンゼン環、Ｑが単結合手又
   は式−Ｏ−もしくは−Ｓ−で示される基、Ｙが式−Ｏ−
   で示される基、Ａｌｋが低級アルキレン基、Ｚが式−Ｏ
   −で示される基、Ｒがアミノ基、ニトロ基、ハロゲン原
   子及びヒドロキシ低級アルキル基から選ばれる基で置換
   されていてもよいフェニル基；アミノ基、ニトロ基、ト
   リフルオロメチル基及び低級アルカノイルアミノ基から
   選ばれる基で置換されていてもよいピリジル基；ハロゲ
   ン原子、ホルミル基、チエニル基、フリル基、ピリジル
   基、低級アルキル基、低級アルキルチオ基、低級アルカ
   ノイル基、低級アルキニル基、低級アルケニルオキシ
   基、低級アルコキシ基、低級アルキルスルフィニル基、
   低級アルキルスルホニル基、シアノ低級アルコキシ基、
   チアゾリル基、低級アルキル基置換チエニル基、低級ア
   ルキル基置換ピロリル基、フェニル基及び低級アルコキ
   シフェニル基から選ばれる基で置換されていてもよいピ
   リミジニル基；又はベンゾチアゾリル基、Ｒ¹ が水素原
   子、低級アルキル基、モルホリニル基、ピリジル基又は
   ピリミジニル基である請求項４記載の化合物。
6. 【請求項６】 環Ａが低級アルキル基で置換されている
   ベンゼン環、環Ｂがハロゲン原子、低級アルキル基及び
   低級アルコキシ基から選ばれる基で置換されているベン
   ゼン環、Ｒがハロゲン原子、チエニル基、フリル基及び
   低級アルキルチオ基から選ばれる基で置換されているピ
   リミジニル基、Ｒ¹ が水素原子又はピリミジニル基であ
   る請求項５記載の化合物。
7. 【請求項７】 ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（４
   −メチルフェニル）−６−｛２−（５−（３−チエニ
   ル）ピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝ピリミジ
   ン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミド、 ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（４−メチルフェニ
   ル）−６−｛２−（５−メチルチオピリミジン−２−イ
   ルオキシ）エトキシ｝ピリミジン−４−イル〕ベンゼン
   スルホンアミド、 ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（４−メチルフェニ
   ル）−６−｛２−（５−（２−フリル）ピリミジン−２
   −イルオキシ）エトキシ｝ピリミジン−４−イル〕ベン
   ゼンスルホンアミド、 ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（４−メチルフェニ
   ル）−６−｛２−（５−（２−チエニルピリミジン−２
   −イルオキシ）エトキシ｝ピリミジン−４−イル〕ベン
   ゼンスルホンアミド、 ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（４−メチルフェニ
   ル）−６−｛２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオ
   キシ）エトキシ｝ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスル
   ホンアミド、 ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（４−メチルフェニ
   ル）−６−｛２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオ
   キシ）エトキシ｝−２−（２−ピリミジル）ピリミジン
   −４−イル〕ベンゼンスルホンアミド、 ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（４−メチルフェニ
   ル）−６−｛２−（５−クロロピリミジン−２−イルオ
   キシ）エトキシ｝ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスル
   ホンアミド、 ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（４−メトキシフェ
   ニル）−６−｛２−（５−メチルチオピリミジン−２−
   イルオキシ）エトキシ｝ピリミジン−４−イル〕ベンゼ
   ンスルホンアミド、 ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（２−メトキシフェ
   ノキシ）−６−｛２−（５−（２−チエニル）ピリミジ
   ン−２−イルオキシ）エトキシ｝ピリミジン−４−イ
   ル〕ベンゼンスルホンアミド、 ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（４−メチルフェニ
   ル）−６−｛２−（５−ヨードピリミジン−２−イルオ
   キシ）エトキシ｝ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスル
   ホンアミド、 ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（４−クロロフェニ
   ル）−６−｛２−（５−メチルチオピリミジン−２−イ
   ルオキシ）エトキシ｝ピリミジン−４−イル〕ベンゼン
   スルホンアミドもしくは ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−（２−メトキシフェ
   ニルチオ）−６−｛２−（５−ブロモピリミジン−２−
   イルオキシ）エトキシ｝−２−（２−ピリミジル）ピリ
   ミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミド、又はそれ
   らの薬理的に許容しうる塩。
8. 【請求項８】 一般式〔ＩＩ〕 【化２】 （但し、環Ａ及び環Ｂは同一又は異なって置換もしくは
   非置換ベンゼン環、Ｑは単結合手又は式−Ｏ−、−Ｓ
   −，−ＳＯ−，−ＳＯ₂ −もしくは−ＣＨ₂ −で示され
   る基、Ｒ¹ は水素原子、トリフルオロメチル基、モノ−
   もしくはジ−低級アルキルアミノ基、置換もしくは非置
   換低級アルキル基、置換もしくは非置換低級アルケニル
   基、置換もしくは非置換低級アルキニル基、置換もしく
   は非置換低級アルキルチオ基、置換もしくは非置換低級
   アルコキシ基、芳香族複素環式基、置換もしくは非置換
   脂肪族複素環式基又はアリール基、Ｘ¹ は反応性残基を
   表す。）で示される化合物と一般式〔ＩＩＩ〕 【化３】 （但し、Ｙは式−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＨ−で示される
   基、Ａｌｋは低級アルキレン基又は低級アルケニレン
   基、Ｚは単結合手又は式−Ｏ−もしくは−ＮＨ−で示さ
   れる基、Ｒは置換もしくは非置換の芳香族複素環式基も
   しくはアリール基を表す。但し、Ｚが単結合手である場
   合、Ｒがアリール基のものを除く。）で示される化合物
   又はその塩とを反応させ、要すれば生成物をその薬理的
   に許容し得る塩とすることを特徴とする一般式〔Ｉ〕 【化４】 （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
   ベンゼンスルホンアミド誘導体又はその薬理的に許容し
   得る塩の製法。
9. 【請求項９】 一般式〔ＩＶ〕 【化５】 （但し、環Ｂは置換もしくは非置換ベンゼン環、Ｑは単
   結合手又は式−Ｏ−、−Ｓ−，−ＳＯ−，−ＳＯ₂ −も
   しくは−ＣＨ₂ −で示される基、Ｙは式−Ｏ−、−Ｓ−
   又は−ＮＨ−で示される基、Ａｌｋは低級アルキレン基
   又は低級アルケニレン基、Ｚは単結合手又は式−Ｏ−も
   しくは−ＮＨ−で示される基、Ｒは置換もしくは非置換
   の芳香族複素環式基もしくはアリール基、Ｒ¹ は水素原
   子、トリフルオロメチル基、モノ−もしくはジ−低級ア
   ルキルアミノ基、置換もしくは非置換低級アルキル基、
   置換もしくは非置換低級アルケニル基、置換もしくは非
   置換低級アルキニル基、置換もしくは非置換低級アルキ
   ルチオ基、置換もしくは非置換低級アルコキシ基、芳香
   族複素環式基、置換もしくは非置換脂肪族複素環式基又
   はアリール基を表す。但し、Ｚが単結合手である場合、
   Ｒがアリール基のものを除く。）で示される化合物又は
   その塩と一般式〔Ｖ〕 【化６】 （但し、環Ａは同一又は異なって置換もしくは非置換ベ
   ンゼン環、Ｘ² は反応性残基を表す。）で示される化合
   物を反応させ、要すれば生成物をその薬理的に許容し得
   る塩とすることを特徴とする一般式〔Ｉ〕 【化７】 （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
   ベンゼンスルホンアミド誘導体又はその薬理的に許容し
   得る塩の製法。
10. 【請求項１０】 一般式〔ＶＩ〕 【化８】 （但し、環Ａ及び環Ｂは同一又は異なって置換もしくは
    非置換ベンゼン環、Ｑは単結合手又は式−Ｏ−、−Ｓ
    −，−ＳＯ−，−ＳＯ₂ −もしくは−ＣＨ₂ −で示され
    る基、Ｙは式−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＨ−で示される
    基、Ａｌｋは低級アルキレン基又は低級アルケニレン
    基、Ｒ¹ は水素原子、トリフルオロメチル基、モノ−も
    しくはジ−低級アルキルアミノ基、置換もしくは非置換
    低級アルキル基、置換もしくは非置換低級アルケニル
    基、置換もしくは非置換低級アルキニル基、置換もしく
    は非置換低級アルキルチオ基、置換もしくは非置換低級
    アルコキシ基、芳香族複素環式基、置換もしくは非置換
    脂肪族複素環式基又はアリール基、Ｚ¹ は式−Ｏ−もし
    くは−ＮＨ−で示される基を表す。）で示される化合物
    又はその塩と一般式〔ＶＩＩ〕 【化９】 （但し、Ｒは置換もしくは非置換の芳香族複素環式基も
    しくはアリール基、Ｘ³は反応性残基を表す。）で示さ
    れる化合物を反応させ、要すれば生成物をその薬理的に
    許容し得る塩とすることを特徴とする一般式〔Ｉ−ａ〕 【化１０】 （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
    ベンゼンスルホンアミド誘導体又はその薬理的に許容し
    得る塩の製法。
11. 【請求項１１】 一般式〔ＶＩＩＩ〕 【化１１】 （但し、環Ａは置換もしくは非置換ベンゼン環、Ｙは式
    −Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＨ−で示される基、Ａｌｋは低
    級アルキレン基又は低級アルケニレン基、Ｚは単結合手
    又は式−Ｏ−もしくは−ＮＨ−で示される基、Ｒは置換
    もしくは非置換の芳香族複素環式基もしくはアリール
    基、Ｒ¹ は水素原子、トリフルオロメチル基、モノ−も
    しくはジ−低級アルキルアミノ基、置換もしくは非置換
    低級アルキル基、置換もしくは非置換低級アルケニル
    基、置換もしくは非置換低級アルキニル基、置換もしく
    は非置換低級アルキルチオ基、置換もしくは非置換低級
    アルコキシ基、芳香族複素環式基、置換もしくは非置換
    脂肪族複素環式基又はアリール基、Ｘ⁴ は反応性残基を
    表す。但し、Ｚが単結合手である場合、Ｒがアリール基
    のものを除く。）で示される化合物又はその塩と一般式
    〔ＩＸ〕 【化１２】 （但し、環Ｂは置換もしくは非置換ベンゼン環を表し、
    Ｗは低級アルキル基を表す。）で示される化合物を反応
    させ、要すれば生成物をその薬理的に許容し得る塩とす
    ることを特徴とする一般式〔Ｉ−ｂ〕 【化１３】 （但し、記号は前記と同一意味を有する。）で示される
    ベンゼンスルホンアミド誘導体又はその薬理的に許容し
    得る塩の製法。
12. 【請求項１２】 ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−
    （４−メチルフェニル）−６−｛２−（５−ブロモピリ
    ミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝ピリミ ジン−４−
    イル〕ベンゼンスルホンアミド、又はその薬理的に許容
    しうる塩。
13. 【請求項１３】 ４−（２−ヒドロキシ−１，１−ジ
    メチルエチル）−Ｎ−〔５−（４−メチルフェニル）−
    ６−｛２−（５−ブロモピリミジン−２−イルオキシ）
    エトキシ｝ピリミジン−４−イル〕ベンゼンスルホンア
    ミド、又はその薬理的に許容しうる塩。
14. 【請求項１４】 ４−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−〔５−
    （４−メチルフェニル）−６−｛２−（５−ヒドロキシ
    メチルピリミジン−２−イルオキシ）エトキシ｝ピリミ
    ジン−４−イル〕ベンゼンスルホンアミド、又はその薬
    理的に許容しうる塩。