JP2789194B2 - Phosphor deposition equipment - Google Patents
Phosphor deposition equipmentInfo
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- JP2789194B2 JP2789194B2 JP63129995A JP12999588A JP2789194B2 JP 2789194 B2 JP2789194 B2 JP 2789194B2 JP 63129995 A JP63129995 A JP 63129995A JP 12999588 A JP12999588 A JP 12999588A JP 2789194 B2 JP2789194 B2 JP 2789194B2
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- Luminescent Compositions (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は蛍光体蒸着装置、さらに詳しくは大面積に
亘ってほぼ一定の層厚を有する蛍光体層の作成を可能と
する蛍光体蒸着装置に関するものである。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a phosphor vapor deposition apparatus, and more particularly, to a phosphor vapor deposition apparatus capable of forming a phosphor layer having a substantially constant layer thickness over a large area. It is about.
蛍光体に関しては古くから検討が行われ、蛍光物質の
探索の裾野を拡げ、また、その蛍光物質の発光機構、発
光特性等の解明が進むにつれて蛍光灯、X線写真用蛍光
スクリーン或いはCRT等のディスプレイ用等広汎な範囲
に亘って利用分野が拓けてきた。Phosphors have been studied for a long time, expanding the scope of search for fluorescent substances, and as the elucidation of the light emission mechanism and emission characteristics of the fluorescent substances progresses, fluorescent lamps, X-ray fluorescent screens or CRTs, etc. Application fields have been opened up over a wide range such as for displays.
これら蛍光体の利用においては、焼成工程を含む一般
的な蛍光体合成法によって得られた蛍光体粉末を、バイ
ンダを含む溶媒中に充分に分散させた後、ガラスチュー
ブその他の支持体上に塗布する。その後、これを乾燥し
て溶媒を除去し、バインダを含む蛍光体層を形成するこ
とにより種々の用途に用いられている。In the use of these phosphors, a phosphor powder obtained by a general phosphor synthesis method including a firing step is sufficiently dispersed in a solvent containing a binder, and then coated on a glass tube or other support. I do. After that, it is used for various applications by drying it to remove the solvent and forming a phosphor layer containing a binder.
さらに、蛍光体残光の解尽性、即ち、消尽性と輝尽性
について詳しい検討がなされ、就中、輝尽性(長残光性
の結晶蛍光体に、該蛍光体の蛍光よりも長波長光を照射
すると蓄光した蛍光体からエネルギーが放出されて残光
の明るさが急激に増す現象)に着目し、該輝尽性蛍光体
を放射線画像の中間記録媒体として利用する途が拓か
れ、さらに輝尽発光強度の向上、輝尽発光の励起光に対
する矩形的応答性への改善、或いは輝尽性蛍光体の開発
など記録媒体への適合の進度を速めている。Further, the dissociation properties of the phosphor afterglow, ie, the quenching properties and stimulability, have been studied in detail. In particular, the stimulability (longer afterglow of a crystalline phosphor is longer than that of the phosphor). Focusing on the phenomenon in which energy is emitted from the phosphor that has stored light when irradiated with light of a wavelength and the brightness of the afterglow sharply increases), the use of the stimulable phosphor as an intermediate recording medium for radiation images has been opened up. Further, the progress of adaptation to a recording medium, such as the improvement of the stimulable luminescence intensity, the improvement of the rectangular response to the stimulating light of the stimulable luminescence, or the development of a stimulable phosphor has been accelerated.
この中間記録媒体としては被写体を透過した放射線を
蛍光体に吸収せしめ、しかる後、該蛍光体を例えば光又
は熱エネルギーで励起することによりこの蛍光体が上記
吸収により蓄積している放射線エネルギーを蛍光として
放射させ、それを検出して画像化するものである。The intermediate recording medium absorbs radiation transmitted through the subject into a fluorescent material, and then excites the fluorescent material with, for example, light or heat energy, so that the fluorescent material absorbs the radiation energy accumulated by the absorption. , And detect it to form an image.
具体的には、例えば米国特許3,859,527号及び特開昭5
5−12144号には輝尽性蛍光体を用いて可視光線又は赤外
線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示されてい
る。この方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放
射線画像変換パネルを使用するもので、この放射線画像
変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線
を当てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エ
ネルギーを蓄積させて潜像を形成し、しかる後、この輝
尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって各部
の蓄積された放射線エネルギーを放射させて光に変換
し、この光の強弱による光信号により画像を得るもので
ある。しかして、この最終的な画像はハードコピーとし
て再生しても、或いはCRT上に再生しても良い。Specifically, for example, U.S. Pat.
No. 5-12144 discloses a radiation image conversion method using a stimulable phosphor and using visible light or infrared light as stimulating excitation light. In this method, a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer formed on a support is used. A latent image is formed by accumulating radiation energy corresponding to the radiation transmittance, and thereafter, the stimulable phosphor layer is scanned with stimulating excitation light to emit the accumulated radiation energy of each part and emit light. And an image is obtained by an optical signal based on the intensity of the light. Thus, the final image may be reproduced as a hard copy or reproduced on a CRT.
ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射接画像
変換パネルは、前記一般蛍光体と同様の粒径1μm〜30
μm程度の粒状の輝尽性蛍光体層と有機結着剤を含む分
散液を支持体(或いは保護層)上に塗布、乾燥して作成
されるので、輝尽性蛍光体の充填密度が低く(大体充填
率50%)、従って、放射線感度を充分に高くするには輝
尽性蛍光体層の層厚を厚くする必要があった。However, in general, a radiant image conversion panel having a stimulable phosphor layer has a particle size of 1 μm to 30 μm similar to that of the general phosphor.
A dispersion containing a granular photostimulable phosphor layer of about μm and an organic binder is applied to a support (or a protective layer) and dried, so that the packing density of the photostimulable phosphor is low. (Approximately 50% filling factor) Therefore, it was necessary to increase the thickness of the stimulable phosphor layer in order to sufficiently increase the radiation sensitivity.
これに対し、前記放射線画像変換時の鮮鋭性は放射線
画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の層厚が薄ければ薄い
ほど高いという傾向があり、従って鮮鋭性の向上のため
には輝尽性蛍光体層の薄層化が必要であった。On the other hand, the sharpness at the time of the radiation image conversion tends to be higher as the thickness of the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel is thinner. It was necessary to make the conductive phosphor layer thinner.
即ち、従来の放射線画像変換パネルは、輝尽性蛍光体
層の層厚に対して全く逆の傾向を示す感度及び画像の粒
状性と、画像の鮮鋭性との間にある程度の相互犠牲によ
って作成されてきた。That is, the conventional radiation image conversion panel is produced by a certain degree of mutual sacrifice between the sensitivity and the image granularity and the image sharpness which show a completely opposite tendency with respect to the thickness of the stimulable phosphor layer. It has been.
また、このような状況の中において、放射線画像の鮮
鋭性を改善するための手段が幾つか案出されてきた。例
えば、特開昭55−146447号記載の放射線画像変換パネル
の輝尽性蛍光体層中に白色粉体を混入する方法、或いは
特開昭55−163500号記載の放射線画像変換パネルの輝尽
性蛍光体層の輝尽励起波長領域における平均反射率が前
記輝尽性蛍光体層の輝尽発光波長領域における平均反射
率よりも小さくなるように着色する方法等である。しか
し、これらの方法は鮮鋭性を改良すると、必然的に感度
が著しく低下してしまう結果、好ましい方法とは言えな
かった。In such a situation, some means have been devised for improving the sharpness of a radiographic image. For example, a method of mixing a white powder in the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel described in JP-A-55-146447, or the stimulability of the radiation image conversion panel described in JP-A-55-163500. There is a method of coloring the phosphor layer so that the average reflectance in the stimulating phosphor wavelength region is smaller than the average reflectance in the stimulating emission wavelength region of the stimulable phosphor layer. However, these methods are not preferable because the improvement in sharpness inevitably lowers the sensitivity.
ところで、近年、真空技術及び真空技術を利用した薄
膜形成技術の発達と共に、気相堆積法を利用して蛍光体
層を形成することが試みられ、一部では既に実用化され
ている。この気相堆積法により形成された蛍光体層とし
てはCsI:Na蛍光体層を用いたX線イメージ・インテンシ
ファイアやZnS:Mn蛍光体層を用いた薄膜E.L.(エレクト
ロルミネセンス)パネル等が知られている。また、本出
願人は特開昭61−73100号において、結着剤(バイン
ダ)を含有しない輝尽性蛍光体層からなる放射線画像変
換パネルを提案している。By the way, in recent years, with the development of vacuum technology and thin film formation technology using vacuum technology, attempts have been made to form a phosphor layer using a vapor deposition method, and some of them have already been put into practical use. Examples of the phosphor layer formed by the vapor deposition method include an X-ray image intensifier using a CsI: Na phosphor layer and a thin-film EL (electroluminescence) panel using a ZnS: Mn phosphor layer. Are known. The present applicant has proposed a radiation image conversion panel comprising a stimulable phosphor layer containing no binder (binder) in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-73100.
これら気相堆積法により形成された蛍光体層は従来の
ものと異なり、真空中で蛍光体層が形成されるために不
純物混入量が極めて少なくなり、その結果、発光強度が
高く、しかも、バラツキの少ない蛍光体層が得られるこ
と、また、バインダなどの蛍光体以外の物質が含まれ
ず、蛍光体充填密度がほぼ100%となるために発光が有
効に利用できること、等の特徴がある。特に、放射線画
像変換パネルの場合には輝尽性蛍光体層が結着剤を含有
しないので輝尽性蛍光体層の充填率が著しく向上すると
共に、輝尽性蛍光体層中での輝尽励起光及び輝尽発光の
指向性が向上し、放射線画像変換パネルの放射線に対す
る感度及び画像の粒状性が改善されると同時に、画像の
鮮鋭性も改善されるに至った。Unlike conventional phosphor layers formed by these vapor deposition methods, the phosphor layer is formed in a vacuum, so that the amount of mixed impurities is extremely small, and as a result, the emission intensity is high and the dispersion is high. It is characterized in that a phosphor layer with a small number of phosphors is obtained, and that a substance other than the phosphor such as a binder is not contained, and the phosphor packing density is almost 100%, so that light emission can be effectively used. In particular, in the case of a radiation image conversion panel, since the stimulable phosphor layer does not contain a binder, the filling rate of the stimulable phosphor layer is significantly improved, and the stimulable phosphor layer is stimulable. The directivity of the excitation light and the stimulated emission is improved, and the sensitivity of the radiation image conversion panel to radiation and the granularity of the image are improved, and the sharpness of the image is also improved.
前記「指向性の向上」は輝尽性蛍光体層の気相堆積の
過程で形成される微細柱状結晶に由来するものであり、
得られる画像に対して著しい効果をもたらす。しかし、
一般にこれらの蛍光体層が気相堆積法を利用して蒸着
法、スパッタリング法等により形成される場合には蛍光
体層の層厚のバラッキが大きな問題となった。点蒸発源
からの蒸発に関しては (ここでt0、tはそれぞれ蒸発源から距離hだけ離れた
支持体面中央と支持体面中央から距離xの位置における
層厚を示す。) で表される層厚の分布を生じるので、例えば、蒸発源か
らの距離h=40cmであり、支持体の大きさを30cm×30cm
とすると、支持体面中央に対する支持体面周辺部の層厚
は82%となり、支持体面中央に対して18%も薄くなって
しまう。The `` improvement of directivity '' is derived from fine columnar crystals formed in the process of vapor phase deposition of the stimulable phosphor layer,
It has a significant effect on the resulting image. But,
In general, when these phosphor layers are formed by a vapor deposition method, a sputtering method, or the like utilizing a vapor deposition method, a variation in the thickness of the phosphor layers becomes a serious problem. Regarding evaporation from point evaporation sources (Here, t 0 and t respectively represent the center of the support surface separated from the evaporation source by the distance h and the layer thickness at the position of the distance x from the center of the support surface.) The distance from the evaporation source is h = 40 cm, and the size of the support is 30 cm × 30 cm.
Then, the layer thickness at the peripheral portion of the support surface with respect to the center of the support surface is 82%, which is 18% smaller than the center of the support surface.
従来、大面積の支持体への蒸着においては、層厚を均
一にするために蒸発源と支持体との距離を大きくとった
り、支持体を回転運動させるなどの操作を行ってきた。Conventionally, in vapor deposition on a large-area support, operations such as increasing the distance between the evaporation source and the support or rotating the support have been performed in order to make the layer thickness uniform.
しかしながら、これら蒸発源と支持体との距離を大き
くとったり、支持体を回転運動させる等の操作では蛍光
体層形成効率、即ち、 が著しく悪くなったり、支持体に対して充分に大きな真
空槽を必要とした。However, in operations such as increasing the distance between these evaporation sources and the support or rotating the support, the phosphor layer formation efficiency, that is, Was significantly worse, and required a sufficiently large vacuum chamber for the support.
また、支持体周辺部で層厚のバラツキが大きくなると
いう欠点を完全に改善することは困難であったし、蒸着
面積が大きくなるにつれて層厚のバラツキが一層増大し
た。In addition, it was difficult to completely improve the disadvantage that the thickness of the layer increased around the periphery of the support, and the thickness of the layer further increased as the deposition area increased.
この蛍光体層の層厚のバラツキは発光強度のバラツキ
となり、画像を再現する際には再現性の悪化をもたらし
たばかりでなく、画像の先鋭性や粒状性にも大きく影響
した。特に、放射線画像変換パネルの場合は389mm×445
mmといった大きさのパネルが使用されるため、従来の方
法で形成される輝尽性蛍光体層の層厚をパネル全面に亘
ってほぼ一定に保つことは至極困難であった。This variation in the thickness of the phosphor layer caused a variation in the light emission intensity, which not only deteriorated the reproducibility when reproducing the image, but also greatly affected the sharpness and granularity of the image. In particular, 389 mm x 445 for radiation image conversion panels
Since a panel having a size of mm is used, it is extremely difficult to keep the thickness of the stimulable phosphor layer formed by the conventional method substantially constant over the entire surface of the panel.
この発明は上記の問題点を解消するためのもので、蛍
光体層の層厚が大面積に亘ってほぼ一定となるような蛍
光体蒸着装置を提供することを目的としている。また、
他の目的は蛍光体層形成効率が良く、生産性の高い蛍光
体蒸着装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to provide a phosphor vapor deposition apparatus in which the thickness of a phosphor layer is substantially constant over a large area. Also,
It is another object of the present invention to provide a phosphor vapor deposition apparatus having high phosphor layer formation efficiency and high productivity.
上記の目的を達成するため、この発明は、蒸発源と、
該蒸発源に対して相対的に移動する支持体と前記蒸発源
との間に、スリットを有する前記蒸発源からの蒸気流が
前記支持体面に入射する交角を規制する規制部材とを備
え、前記スリットは、前記支持体の搬送方向と直交する
方向の幅が、前記支持体の搬送方向と直交する方向の支
持体の幅以上であり、かつ、前記スリットの前記支持体
の搬送方向における幅が端部より中央部で狭くなってい
ることを特徴としているものである。To achieve the above object, the present invention provides an evaporation source,
A regulating member that regulates an intersection angle at which a steam flow from the evaporation source having a slit is incident on the support body surface, between the support and the evaporation source that move relatively to the evaporation source, The slit has a width in a direction orthogonal to the transport direction of the support, which is equal to or greater than a width of the support in a direction orthogonal to the transport direction of the support, and a width of the slit in the transport direction of the support. It is characterized in that it is narrower at the center than at the ends.
次に、この発明を添付図面に基づき説明する。第1図
(a)は線状蒸発源と支持体の関係位置、姿勢及び支持
体の移動についての説明図である。Next, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 (a) is an explanatory view of the relative position and attitude of the linear evaporation source and the support and the movement of the support.
本図において、11は線状蒸発源、13は支持体である。
線状蒸発源11は長さ方向に直線aで貫かれている。この
線状蒸発源11は直線aによって串差しされた多元蒸発源
であってもよい。In this figure, 11 is a linear evaporation source and 13 is a support.
The linear evaporation source 11 is penetrated by a straight line a in the length direction. The linear evaporation source 11 may be a multi-source evaporation source skewed by a straight line a.
前記直線aを含む平面Aは支持体13の面Cと交線bを
作って交わっている。この直線aと交線bは平行であ
る。また、交線bに平行な平面Bは平面Aと交角θをな
して交わり、支持体13の面Cは平面Bに接線cで接して
いる。The plane A including the straight line a intersects with the plane C of the support 13 by forming an intersection line b. The straight line a and the intersection line b are parallel. A plane B parallel to the intersection line b intersects with the plane A at an intersection angle θ, and a surface C of the support 13 contacts the plane B at a tangent line c.
しかして、支持体13は交線bにほぼ直角な方向(図中
矢印)の2つの向き(往復)に移動可能である。なお、
平面Bは交線bで支持体面Cに接する平面B′になって
もよいものである。Thus, the support 13 is movable in two directions (reciprocation) in a direction substantially perpendicular to the intersection line b (arrow in the figure). In addition,
The plane B may be a plane B ′ that is in contact with the support surface C at the intersection line b.
また、前記交角θは蒸気流の流線及び流線規制部材の
形状、位置によって実用的に定められるがほぼ直角であ
ることが好ましい。The intersection angle θ is practically determined by the shape and position of the streamline of the steam flow and the shape of the streamline regulating member, but is preferably substantially a right angle.
前記支持体13は第1図(b),(c)の如く線状蒸発
源11から発した蒸気流(破線で示す)16に対し、即ち、
交線b,b′にほぼ直角な方向に往復移動可能なものであ
れば、適宜の移動機構(図示せず)により平面上を移動
する剛直なシート状物((b)参照)でも、複数個の搬
送用ローラ15よりなる移動機構18で移動する可撓性のウ
ェブ((c)参照)でも良く、また、その形状や材質な
どにも制限されない。As shown in FIGS. 1 (b) and (c), the support 13 is adapted to a steam flow (indicated by a broken line) 16 emanating from the linear evaporation source 11,
Any rigid sheet-like object (see (b)) that moves on a plane by an appropriate moving mechanism (not shown) may be used as long as it can reciprocate in a direction substantially perpendicular to the intersection lines b and b '. A flexible web (see (c)) that is moved by the moving mechanism 18 including the transport rollers 15 may be used, and the shape and the material are not limited.
第1図(b),(c)において、12は線状蒸発源11と
支持体13との間に配置され、支持体13面に入射する蒸気
流16の交角θを規制する規制部材で、該規制部材12は輝
尽性蛍光体の気相堆積法において、輝尽性蛍光体成分の
蒸気流の流線方向に沿って成長する微細柱状結晶の成長
方向を揃えるために設けられる。即ち、蒸気流の支持体
面に到る流線の方向を制限することによって、前記微細
柱状結晶の成長方向を支持体面に対してほぼ一定の角度
となるように揃えることができる。従って、支持体面に
到る蒸気流の流線の入射方向を選べば、前記微細柱状結
晶の成長方向を制御することもできるし、輝尽励起光照
射及び輝尽発光集光に最も好都合な輝尽性蛍光体を形成
することが可能となる。なお、前記微細柱状結晶の成長
方向は輝尽励起光を一次元照射し、一次元集光面を有す
る集光部材で集光する場合には支持体面に対し直角であ
ることが好ましい。1 (b) and 1 (c), reference numeral 12 denotes a regulating member which is disposed between the linear evaporation source 11 and the support 13 and regulates the intersection angle θ of the steam flow 16 incident on the surface of the support 13. The regulating member 12 is provided to align the growth directions of the fine columnar crystals growing along the streamline direction of the vapor flow of the stimulable phosphor component in the vapor phase deposition method of the stimulable phosphor. That is, by limiting the direction of the stream of the vapor flow reaching the support surface, the growth direction of the fine columnar crystals can be aligned at a substantially constant angle with respect to the support surface. Therefore, by selecting the incident direction of the stream of the vapor flow reaching the support surface, the growth direction of the fine columnar crystals can be controlled, and the most convenient luminous excitation light irradiation and stimulable luminescence condensing can be performed. It is possible to form a depleted phosphor. The growth direction of the fine columnar crystal is preferably perpendicular to the surface of the support when stimulating excitation light is irradiated one-dimensionally and collected by a light-collecting member having a one-dimensional light-collecting surface.
17は支持体13に付着する蒸気量が支持体面上の位置に
よらずほぼ一定になるように調節する制御手段で、該制
御手段17は第2図示の如く前記規制部材12の規制長さd
を蒸気量分布により適宜コントロールできるように構成
するか、或いは第3図示の如く蒸発源11の蒸発量を適宜
コントロールできるようにしている。Reference numeral 17 denotes control means for adjusting the amount of vapor adhering to the support 13 so as to be substantially constant irrespective of the position on the surface of the support. The control means 17 controls the control length d of the control member 12 as shown in FIG.
Of the evaporation source 11 can be appropriately controlled by the vapor amount distribution, or the evaporation amount of the evaporation source 11 can be appropriately controlled as shown in FIG.
即ち、支持体13面に堆積される蛍光体層の層厚分布は
支持体13の移動方向〔第1図(b)のY方向〕での移動
速度が一定であれば均一になるが、この移動方向に直交
する方向(線状蒸発源の長さ方向〔第1図(b)のX方
向〕)では線状蒸発源11からの蒸発量が場所によらず一
定であり、かつ、規制部材12の規制長さdが中央と周辺
部とが共に一定であれば、支持体13に付着する蒸気量は
中央部の密度が大きく、周辺部の密度が小さくなるた
め、その蒸気量の密度差により支持体面の中央に対する
周辺部の層厚が約18%も薄くなってしまう。前記制御手
段17が規制部材12の規制長さdを中央より周辺部を大き
くして蒸気量の密度差を補正することにより、支持体上
での結晶の成長(堆積)速度を同等とし、支持体面中央
と周辺部の層厚分布をほぼ均一にすることを可能として
いる。また、線状蒸発源11からの蒸発量を中央部位に対
して周辺部位が多くなるようにコントロールすることに
より支持体面中央と周辺部の層厚分布を上記同様に均一
にすることを可能としている。That is, the layer thickness distribution of the phosphor layer deposited on the surface of the support 13 becomes uniform if the moving speed of the support 13 in the moving direction [Y direction in FIG. 1B] is constant. In the direction perpendicular to the moving direction (the length direction of the linear evaporation source [X direction in FIG. 1 (b)]), the amount of evaporation from the linear evaporation source 11 is constant regardless of the location, and If the regulation length d of 12 is constant at both the center and the periphery, the amount of vapor adhering to the support 13 has a large density at the center and a small density at the periphery. As a result, the thickness of the peripheral portion with respect to the center of the support surface is reduced by about 18%. The control means 17 makes the regulation length d of the regulation member 12 larger from the center to the periphery to correct the difference in the density of the amount of vapor, so that the crystal growth (deposition) rate on the support is equalized, It is possible to make the layer thickness distribution in the center and the peripheral part of the body surface almost uniform. Further, by controlling the amount of evaporation from the linear evaporation source 11 so that the peripheral region is larger than the central region, it is possible to make the layer thickness distribution at the center and the peripheral portion of the support surface uniform as described above. .
従って、制御手段17により規制部材12の規制長さ或い
は蒸発量の調節又はその双方同時の調節により、支持体
面上の蛍光体層の層厚を全方向についてコントロール可
能であり、大面積に亘って均一な層厚の蛍光体層を形成
できる。Therefore, the thickness of the phosphor layer on the support surface can be controlled in all directions by controlling the regulating length of the regulating member 12 and / or adjusting the amount of evaporation of the regulating member 12 by the control means 17 at the same time. A phosphor layer having a uniform thickness can be formed.
ここにいう「均一な層厚」とは支持体面上の蛍光体層
の最大層厚と最小層厚の平均をt(μm)としたとき
に、蒸着面積全体における層厚の分布がt±10%t(μ
m)以下、さらに好ましくはt±5%t(μm)以下を
いう。なお、必要に応じて希望の層厚分布をもたせるこ
とも可能であることは勿論である。The term “uniform layer thickness” as used herein means that the distribution of the layer thickness over the entire deposition area is t ± 10, where t (μm) is the average of the maximum and minimum layer thicknesses of the phosphor layer on the support surface. % T (μ
m) or less, more preferably t ± 5% t (μm) or less. Needless to say, a desired layer thickness distribution can be provided as needed.
第2図は規制部材12として、多数枚の細条片12aを規
制方向に変位可能にスダレ状に配設するとともに、各細
状片12aをそれぞれ油圧シリンダ12bのプランジャー12
b′に連結した場合を示している。この油圧シリンダ12b
はデジタル弁12cを介して制御手段17に連繋されてい
る。従って、蒸着時、蒸着速度や蒸着厚を監視する膜厚
モニター37からの情報を受領した制御手段17はデジタル
弁12cを駆動し、各油圧シリンダ12bの油圧(プランジャ
ー12b′の突出量)を調節し、各細状片12aを規制方向に
図示の如く変位し、支持体13に付着する上記量が支持体
面上の位置によらずほぼ一定になるようにしている。FIG. 2 shows that a large number of narrow strips 12a are arranged in a slidable manner so as to be displaceable in a restricting direction, and each of the narrow strips 12a is respectively connected to a plunger 12 of a hydraulic cylinder 12b.
The case where it is connected to b 'is shown. This hydraulic cylinder 12b
Is connected to the control means 17 via the digital valve 12c. Therefore, at the time of vapor deposition, the control means 17 receiving the information from the film thickness monitor 37 for monitoring the vapor deposition rate and the vapor deposition thickness drives the digital valve 12c, and controls the hydraulic pressure of each hydraulic cylinder 12b (the amount of protrusion of the plunger 12b '). By adjusting the position, each strip 12a is displaced in the regulating direction as shown in the drawing, so that the amount adhering to the support 13 is substantially constant irrespective of the position on the support surface.
第3図(a)〜(e)は、気相堆積法の種類及び蒸発
方法を変えた場合の構成図を示す。また、制御手段17と
しては、抵抗加熱蒸着法において抵抗線にて消費される
電力分布をコントロールするもの、或いは電子ビーム加
熱蒸着法において電子ビームの電力分布や走査速度をコ
ントロールするものを示しているが、電子ビーム制御に
よる蒸発量分布のコントロールは蛍光体が昇華性である
場合においてより有効である。3 (a) to 3 (e) show configuration diagrams when the type of vapor deposition method and the evaporation method are changed. The control means 17 controls the power distribution consumed by the resistance wire in the resistance heating evaporation method, or controls the power distribution and scanning speed of the electron beam in the electron beam heating evaporation method. However, control of the evaporation amount distribution by electron beam control is more effective when the phosphor is sublimable.
第3図(a)は蒸発源21から抵抗加熱法により蒸発さ
せた蛍光体を支持体22に堆積23させる一元蒸着を、同図
(b)は二元平行設置した蒸着源21から抵抗加熱法によ
り蒸発させた蛍光体を規制部材29を通して支持体22に堆
積23させる二元蒸着をそれぞれ示している。この二元蒸
着は蒸気圧の異なる物質を同時に蒸発させ、目的とする
組成の蒸着膜を得る場合に特に有効である。FIG. 3 (a) shows a single deposition in which the phosphor evaporated from the evaporation source 21 by the resistance heating method is deposited 23 on the support 22, and FIG. 2 shows a dual vapor deposition in which the phosphor evaporated by is deposited 23 on the support 22 through the regulating member 29. This dual vapor deposition is particularly effective in evaporating substances having different vapor pressures at the same time to obtain a vapor deposited film having a desired composition.
第3図(c)及び(d)は電子ビーム加熱蒸着を示
し、(c)は蒸着源21が拡大図で示す如く蒸着源21と一
体に電子銃25を線状に配置し、それより発した電子ビー
ム24の走査により蛍光体を蒸発させて支持体22に堆積23
させた場合、(d)はピアス式電子銃25′を用い、それ
より発した電子ビーム24の走査で蛍光体を蒸発させて支
持体22に堆積23させた場合である。FIGS. 3 (c) and 3 (d) show electron beam heating vapor deposition, and FIG. 3 (c) shows that the vapor source 21 is linearly arranged with the electron gun 25 integrally with the vapor source 21 as shown in an enlarged view. The phosphor is evaporated by the scanning of the electron beam 24 and deposited on the support 22.
(D) shows a case in which the phosphor is evaporated by the scanning of the electron beam 24 emitted from the pierced electron gun 25 'and deposited on the support 22 using the piercing electron gun 25'.
第3図(e)は高周波マグネトロンスパッタ法を用い
た場合である。ここに用いた蒸発源21は拡大図の如くタ
ーゲット26と、マグネット27a及び電極板(ポール・ピ
ース)27bを磁場28が形成されるように組み合せてなる
ターゲット電極27とにより構成されている。FIG. 3 (e) shows a case where a high-frequency magnetron sputtering method is used. The evaporation source 21 used here is composed of a target 26 as shown in an enlarged view, and a target electrode 27 formed by combining a magnet 27a and an electrode plate (pole piece) 27b so as to form a magnetic field 28.
上記線状蒸発源とは、坩堝自体を線状にした場合の
他、第3図(c)で代表される如く複数の蒸発源を線状
に配置した場合も含む。また、蒸発源は線状蒸発源に限
らず、面状蒸発源(線状蒸発源を併設した場合を含む)
でも、点状蒸発源(線状蒸発源の長さ方向の寸法は支持
体幅の0.4〜2.0倍の範囲で使用されるが、その下限の長
さ以下のものをいう)でも応用できる。尤も、蒸発源を
面状蒸発源とした場合は第4図示の如く、蒸発源21の上
方に支持体22を対向的に設置(固定)し、該蒸発源21
を、電子銃25より発した電子ビーム24の走査により蒸発
させる際に、走査速度を制御手段17により制御し、蒸気
量が支持体面上の位置によらずほぼ一定になるようにす
る一方、第5図示の如く、蒸発源を点状蒸発源21とした
場合は、該蒸発源21の上方において支持体22を水平方向
に往復移動させ、該蒸発源と支持体との間に、前記蒸発
源からの蒸気流が支持体面に入射する交角を規制する規
制部材29を設け、該規制部材29の規制長さdを支持体22
に付着する蒸気量が支持体面上の位置によらずほぼ一定
となるように調節可能にする。この点状蒸発源の場合は
蒸発量の調節はない。The linear evaporation source includes a case where a plurality of evaporation sources are linearly arranged as represented by FIG. 3 (c), in addition to a case where the crucible itself is linear. The evaporation source is not limited to a linear evaporation source, but may be a planar evaporation source (including a case where a linear evaporation source is provided).
However, the present invention can also be applied to a point evaporation source (a linear evaporation source having a dimension in the length direction of 0.4 to 2.0 times the width of the support, but not more than the lower limit). However, when the evaporation source is a planar evaporation source, as shown in FIG. 4, a support 22 is installed (fixed) opposite the evaporation source 21 so as to face the evaporation source 21.
When evaporating by the scanning of the electron beam 24 emitted from the electron gun 25, the scanning speed is controlled by the control means 17 so that the vapor amount becomes substantially constant irrespective of the position on the support body surface. 5, when the evaporation source is a point-like evaporation source 21, the support 22 is reciprocated in a horizontal direction above the evaporation source 21, and the evaporation source is placed between the evaporation source and the support. A regulating member 29 for regulating the crossing angle at which the steam flow from the surface enters the support surface is provided, and the regulating length d of the regulating member 29 is
The amount of vapor adhering to the support can be adjusted so as to be substantially constant regardless of the position on the surface of the support. In the case of this point evaporation source, there is no adjustment of the evaporation amount.
この発明は大面積を必要とする輝尽性蛍光体層からな
る放射線画像変換パネルを作成する場合に特に有効であ
る。The present invention is particularly effective when producing a radiation image conversion panel comprising a stimulable phosphor layer requiring a large area.
ここにいう「放射線状画像パネル」とは前記中間記録
媒体の具体例として述べたものであって、放射線吸収率
及び光変換率(両者を含めて「放射線感度」という)が
高いことは言うに及ばず、画像の粒状性が良く、しか
も、高鮮鋭性を有するものであることが要求される。放
射線感度、粒状性及び鮮鋭性は前述した如く輝尽性蛍光
体層の層厚と密接に関連しており、放射線感度と粒状性
は層厚が厚くなるにつれて向上し、鮮鋭性は低下するか
ら、層厚を決定すれば、その層厚に応じた放射線感度、
粒状性及び鮮鋭性を有する放射線画像変換パネルが得ら
れる。即ち、放射線画像変換パネルはその面積が大き
く、均一な蛍光体層層厚が要求される反面、蛍光体層の
層厚にある程度大きな差が生じれば放射線感度のバラツ
キの他に得られる画像の粒状性、鮮鋭性にも影響を及ぼ
すことから、医用画像としての診断能が低下する。The "radial image panel" mentioned here is a specific example of the intermediate recording medium, and has a high radiation absorption rate and a high light conversion rate (both are referred to as "radiation sensitivity"). It is required that the image has good graininess and high sharpness. Radiation sensitivity, granularity, and sharpness are closely related to the layer thickness of the stimulable phosphor layer as described above, and radiation sensitivity and granularity increase as the layer thickness increases, and sharpness decreases. , If the layer thickness is determined, the radiation sensitivity according to the layer thickness,
A radiation image conversion panel having granularity and sharpness is obtained. That is, the radiation image conversion panel has a large area and requires a uniform phosphor layer thickness, but if there is a large difference in the phosphor layer thickness to some extent, in addition to the variation in the radiation sensitivity, the obtained image can be obtained. Since it also affects graininess and sharpness, the diagnostic ability as a medical image is reduced.
しかして、この発明によれば層厚の不均一さが解消で
き、画像特性の向上に大きな効果をもたらすものであ
る。Thus, according to the present invention, it is possible to eliminate the non-uniformity of the layer thickness and bring about a great effect on the improvement of the image characteristics.
次に、この発明を適用した電子ビーム蒸着法により輝
尽性蛍光体層を支持体面に形成する蒸着装置及び蒸着方
法を第6図に基づいて述べる。Next, a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method for forming a stimulable phosphor layer on a support surface by an electron beam vapor deposition method to which the present invention is applied will be described with reference to FIG.
第6図(a)は第3図(d)に基づく電子ビーム加熱
蒸着装置の一例の概要図であり、第6図(b)は支持体
と蒸発源の位置関係を示す平面図である。FIG. 6 (a) is a schematic view of an example of the electron beam heating vapor deposition apparatus based on FIG. 3 (d), and FIG. 6 (b) is a plan view showing the positional relationship between the support and the evaporation source.
本図において、31はベルジャー(真空槽)、32はピア
ス式電子銃、33はピアス式電子銃より放射される電子ビ
ーム、35は蒸発される輝尽性蛍光体(蒸発源)34を入れ
る坩堝、311は輝尽性蛍光体を蒸着すべき支持体、313は
支持体加熱ヒータ312と一体化した支持体ホルダであ
る。In this figure, 31 is a bell jar (vacuum tank), 32 is a pierced electron gun, 33 is an electron beam emitted from the pierced electron gun, and 35 is a crucible containing a stimulable phosphor (evaporation source) 34 to be evaporated. Reference numeral 311 denotes a support on which a stimulable phosphor is to be deposited, and reference numeral 313 denotes a support holder integrated with the support heater 312.
前記坩堝35は第6図(d)の如く支持体311の幅と同
じ長さを有し、蒸発源34を仕込んで線状蒸発源を形成す
る。この線状蒸発源34の長さaは支持体311の幅bに対
して0.4〜2.0倍程度がよく、0.7〜1.4倍がより良い。即
ち、0.4倍以下であると、膜厚分布大きく成り過ぎて制
御ができなくなるし、2.0以上であると、蒸着効率が悪
くなる。The crucible 35 has the same length as the width of the support 311 as shown in FIG. 6 (d), and is charged with the evaporation source 34 to form a linear evaporation source. The length a of the linear evaporation source 34 is preferably about 0.4 to 2.0 times the width b of the support 311 and more preferably 0.7 to 1.4 times. That is, if the ratio is 0.4 times or less, the film thickness distribution becomes too large to control, and if it is 2.0 or more, the vapor deposition efficiency deteriorates.
前記電子ビーム33は線状蒸発源34に入射して長さ方向
にラスタスキャンを行い、蒸発源の長さ方向に亘って蒸
発を行わせる。この場合、電子ビーム33は制御手段17に
より電力分布或いは走査速度が制御できるようになって
いる。即ち、蒸発源34の中央部位より周辺部位の蒸発量
が多くなるように制御し、支持体に付着する蒸気量が支
持体面上の位置によらず均一になるようにしている。The electron beam 33 is incident on the linear evaporation source 34, performs a raster scan in the length direction, and performs evaporation along the length direction of the evaporation source. In this case, the power distribution or the scanning speed of the electron beam 33 can be controlled by the control means 17. That is, the amount of evaporation at the peripheral portion is controlled to be greater than that at the central portion of the evaporation source 34, so that the amount of vapor adhering to the support is uniform regardless of the position on the support surface.
上記の如く、蒸発させる輝尽性蛍光体としては均一に
溶解させるか、プレス、ホットプレスによって成形して
線状蒸発源34として坩堝35に仕込まれる。この際、脱ガ
ス処理を行うことが好ましい。また、前記蒸発源34は必
ずしも輝尽性蛍光体である必要はなく、輝尽性蛍光体原
料を混和したものであってもよい。As described above, the stimulable phosphor to be evaporated is uniformly dissolved or formed by pressing or hot pressing and charged into the crucible 35 as the linear evaporation source. At this time, it is preferable to perform a degassing treatment. Further, the evaporation source 34 does not necessarily need to be a stimulable phosphor, and may be a mixture of a stimulable phosphor material.
また、母体〔basic substance〕に対して付活剤〔act
ivator〕を後からドープしてもよい。例えば、母体であ
るRbBrのみを蒸着した後、付活剤であるTlをドープして
もよい。In addition, activator (act
ivator] may be doped later. For example, after depositing only RbBr as a base, Tl as an activator may be doped.
さらに、坩堝35は均一組成された蒸発源34を少量宛組
成均一に蒸発させるため局部加熱昇温できるように液冷
用パイプ36を用いて冷却することもできるようになって
いる。Further, the crucible 35 can be cooled by using a liquid cooling pipe 36 so that the temperature can be locally heated to evaporate a small amount of the evaporation source 34 having a uniform composition into a uniform composition.
前記支持体311は蒸発源34を仕込んだ坩堝35に対向さ
せて設置する。その間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合
わせて、概ね10cm〜60cmが適当である。また、支持体31
1は加熱ヒータ312によって50℃〜350℃に加熱されるよ
うにしてもよい。この支持体311はモータ(図示せず)
と連動した支持体ホルダ313の搬送用ワイヤ310に係留さ
れて線状蒸発源34に対して直角方向にガイドレール39に
沿って移動できるようになっている。38は蒸気流を規制
部材である。The support 311 is placed facing the crucible 35 in which the evaporation source 34 is charged. The interval is suitably about 10 cm to 60 cm in accordance with the average range of the stimulable phosphor. Also, the support 31
1 may be heated to 50 ° C. to 350 ° C. by the heater 312. This support 311 is a motor (not shown)
It is moored by the transport wire 310 of the support holder 313 interlocked with the linear evaporator 34 and can move along the guide rail 39 in a direction perpendicular to the linear evaporation source 34. 38 is a member for regulating the steam flow.
314はメインバルブ、315は補助バルブ、316はリーク
バルブを示している。リークバルブ316は排気装置(図
示せず)と連動してベルジャー31内の所定真空度の現出
と保持、調整のために用いられる。メインバルブ314と
補助バルブ315はその操作でベルジャー31の内部の気体
を排除し、10-4Torr〜10-6Torr程度の真空度にもたら
す。なお、この際、アルゴン等の不活性ガスを混入して
もよい。314 is a main valve, 315 is an auxiliary valve, and 316 is a leak valve. The leak valve 316 is used for producing, maintaining, and adjusting a predetermined degree of vacuum in the bell jar 31 in conjunction with an exhaust device (not shown). The operation of the main valve 314 and the auxiliary valve 315 eliminates gas inside the bell jar 31 by operation, and brings about a vacuum degree of about 10 -4 Torr to 10 -6 Torr. At this time, an inert gas such as argon may be mixed.
今、支持体を左右に一定速度で移動させながらピアス
式電子銃32から電子ビーム33を蒸発源34の局部に入射さ
せ、少量宛蒸発させるとともに、膜厚モニター37によっ
て蒸着速度、蒸着厚みを監視しながら蒸着を進める。こ
の膜厚モニター37としては蒸発飛翔粒子のモーメンタム
による効果を機械的に検出するもの、蒸発飛翔粒子のス
ペクトルの強度を測定するもの等がある。この膜厚モニ
ターによる支持体面上の膜厚分布をオンラインで監視し
て制御しようとするときは該モニターを第6図(b)の
如く線状蒸発源に沿って多数配列し、それぞれの膜厚モ
ニターの検知信号を制御手段17に出力し、前記規制部材
38の規制長さを第2図で説明した如く制御するか、或い
は蒸発源34の蒸発量を第3図で説明したように制御す
る。しかる後、制御手段17は支持体面上の位置によらず
均一な蒸着が行われたこと(蛍光体層が所定の厚みにな
ったこと)が膜厚モニターにより検知されると蒸着を停
止させる。Now, while moving the support at a constant speed to the left and right, the piercing electron gun 32 makes the electron beam 33 incident on the local portion of the evaporation source 34, evaporates a small amount, and monitors the deposition rate and the deposition thickness by the film thickness monitor 37. While proceeding the vapor deposition. Examples of the film thickness monitor 37 include a type that mechanically detects the effect of the momentum of the evaporative flying particles and a type that measures the intensity of the spectrum of the evaporative flying particles. To monitor and control the film thickness distribution on the support surface by the film thickness monitor online, many monitors are arranged along a linear evaporation source as shown in FIG. The detection signal of the monitor is output to the control means 17, and the regulating member
The regulation length of 38 is controlled as described in FIG. 2, or the amount of evaporation of the evaporation source 34 is controlled as described in FIG. Thereafter, the control means 17 stops the vapor deposition when it is detected by the film thickness monitor that uniform vapor deposition has been performed (that the phosphor layer has a predetermined thickness) regardless of the position on the support surface.
この膜厚モニター37の監視及び制御手段17の制御はオ
ンラインでも、オフラインでも可能である。The monitoring of the film thickness monitor 37 and the control of the control means 17 can be performed online or offline.
なお、互いに異なる蒸発源34を仕込んだ複数の坩堝35
をベルジャー31中に設置し、順次蒸着させ、複数種の輝
尽性蛍光体から成る堆積層が得られるようにしてもよ
い。A plurality of crucibles 35 charged with different evaporation sources 34
May be placed in a bell jar 31 and sequentially vapor-deposited to obtain a deposited layer composed of a plurality of types of stimulable phosphors.
また、前記蒸着時に必要に応じて被蒸着物(支持体あ
るいは保護層)を冷却或いは加熱してもよいし、蒸着終
了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。Further, at the time of the vapor deposition, an object to be vapor-deposited (support or protective layer) may be cooled or heated as necessary, or after the vapor deposition, the stimulable phosphor layer may be subjected to a heat treatment.
さらに、前記ベルジャー31中には必要に応じてO2、H2
等のガスを導入して反応性蒸着を行ってもよい。Further, O 2 , H 2
The reactive vapor deposition may be performed by introducing a gas such as the above.
前記蒸着法によって得られる輝尽性蛍光体層の層厚は
目的とする放射線画像変換パネルの放射線に対する感
度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、30μm〜
1000μmの範囲から選ばれることが好ましい。より好ま
しくは40μm〜800μmの範囲から選ばれる。即ち、輝
尽性蛍光体層の層厚を30μm未満にした場合には放射線
吸収率が極端に低下するから放射線感度が悪くなり、画
像の粒状性が劣化するばかりか、輝尽性蛍光体層が透明
となり易く、輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中で横方向へ
の広がりが著しく増大し、画像の鮮鋭性が劣化する傾向
にあるので好ましくない。1000μmを越えると鮮鋭性が
著しく低下するからである。The layer thickness of the stimulable phosphor layer obtained by the vapor deposition method varies depending on the sensitivity to radiation of the intended radiation image conversion panel, the type of the stimulable phosphor, etc.
It is preferably selected from the range of 1000 μm. More preferably, it is selected from the range of 40 μm to 800 μm. That is, when the thickness of the stimulable phosphor layer is less than 30 μm, the radiation absorptivity is extremely reduced, so that the radiation sensitivity is deteriorated, and not only the image granularity is deteriorated, but also the stimulable phosphor layer is reduced. Is liable to be transparent, and the spread of stimulating excitation light in the stimulable phosphor layer in the lateral direction is remarkably increased, and the sharpness of the image tends to deteriorate, which is not preferable. If the thickness exceeds 1000 μm, sharpness is significantly reduced.
また、放射線画像変換パネルの製造において、輝尽性
蛍光体層の堆積速度は目的特性等によって異なるが、0.
01μm/分〜100μm/分であることが好ましく、0.1μm/分
〜10μm/分であることが好ましく、0.1μm/分〜10μm/
分であることがより好ましい。即ち、堆積速度が0.01μ
m/分未満の場合には放射線画像変換パネルの生産性が低
く好ましくないし、逆に、堆積速度が100μm/分を越え
る場合には堆積速度のコントロールがむずかしく好まし
くない。In the production of the radiation image conversion panel, the deposition rate of the stimulable phosphor layer varies depending on the intended characteristics and the like.
01 μm / min to 100 μm / min, preferably 0.1 μm / min to 10 μm / min, and 0.1 μm / min to 10 μm / min
More preferably, it is minutes. That is, the deposition rate is 0.01μ
When the rate is less than m / min, the productivity of the radiation image conversion panel is low, which is not preferable. On the contrary, when the deposition rate exceeds 100 μm / min, it is difficult to control the deposition rate, which is not preferable.
前記「輝尽性蛍光体」とは、最初の光もしくは高エネ
ルギー放射線が照射された後に、光的、熱的、機械的、
化学的又は電気的等の刺激(輝尽励起)により、最初の
光若しくは高エネルギー放射線の照射量に対応した輝尽
発光を示す蛍光体を言うが、実用的な面から好ましくは
500nm以上の輝尽励起光によって輝尽発光を示す蛍光体
である。この発明の放射線画像変換パネルに用いられる
輝尽性蛍光体としては、例えば、特開昭48−80487号に
記載されている。BaSO4:Axで表される蛍光体、特開昭48
−80488号記載のMgSO4:Axで表される蛍光体、特開昭48
−80489号に記載されているSrSO4:Axで表される蛍光
体、特開昭51−29889号に記載されているNa2SO4,CaSO4
及びBaSO4等にMn,Dy及びTbのうち少なくとも1種を添加
した蛍光体、特開昭52−30487号に記載されているBeO,L
iF,MgSO4及びCaF2等の蛍光体、特開昭53−39277号に記
載されているLi2B4O7:Cu,Agの蛍光体、特開昭54−47883
号に記載されているLi2O・(B2O2)x:Cu及びLi2O・(B2O2)
x:Cu,Ag等の蛍光体、米国特許第3,859,527号に記載され
ているSrS:Ce,Sm、SrS:Eu,Sm、La2O2S:Eu,Sm及び(Zn,C
d)S:Mn,xで表される蛍光体が挙げられる。また、特開
昭55−12142号に記載されているZnS:Cu,Pb蛍光体、一般
式がBaO・xAl2O3:Euで表されるアルミン酸バリウム蛍光
体、及び、一般式がMIIO・xSiO2:Aで表されるアルカリ
土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。The "stimulable phosphor", after the first light or high-energy radiation is irradiated, optically, thermally, mechanically,
A phosphor that emits photostimulated light corresponding to the amount of initial light or high-energy radiation irradiated by a chemical or electrical stimulus (stimulated excitation).
It is a phosphor that shows stimulated emission by stimulated excitation light of 500 nm or more. The stimulable phosphor used in the radiation image conversion panel of the present invention is described, for example, in JP-A-48-80487. Phosphor represented by BaSO 4 : Ax, JP-A-48
JP-A-48488 describes a phosphor represented by MgSO 4 : Ax
SrSO is described in JP -80,489 4: phosphor represented by Ax, Na 2 SO 4 as described in JP-A-51-29889, CaSO 4
And BaSO 4 or the like Mn, phosphors doped with at least one of Dy and Tb, which is described in JP-A-52-30487 BeO, L
iF, phosphors such as MgSO 4 and CaF 2, Li 2 B are described in JP-A-53-39277 4 O 7: Cu, phosphor Ag, JP 54-47883
Li 2 O ・ (B 2 O 2 ) x: Cu and Li 2 O ・ (B 2 O 2 )
x: phosphors such as Cu and Ag, SrS: Ce, Sm, SrS: Eu, Sm, La 2 O 2 S: Eu, Sm and (Zn, C) described in U.S. Pat.
d) Phosphor represented by S: Mn, x. Further, ZnS is described in JP-A-55-12142: Cu, Pb phosphor general formula BaO · xAl 2 O 3: barium aluminate phosphor represented by Eu, and the general formula M II An alkaline earth metal silicate-based phosphor represented by O.xSiO 2 : A is exemplified.
また、特開昭55−12143号に記載されている一般式が
(Ba1−x−yMg x Cay)FX:Eu2+で表されるアルカリ土
類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55−12144号に記載
されている一般式がLnOX:xAで表される蛍光体、特開昭5
5−12145号に記載されている一般式が(Ba1−xMIIx)F
X:yAで表される蛍光体、特開昭55−84389号に記載され
ている一般式がBaFX:xCe,yAで表される蛍光体、特開昭5
5−160078号に記載されている一般式がMIIFX・xA:yLnで
表される希土類元素付活二価金属フルオロハライド蛍光
体、一般式がZnS:ACdS:A、(Zn、Cd)S:A,X及びCds:A,X
で表される蛍光体、特開昭59−38278号に記載されてい
る下記いずれかの一般式 xM3(PO4)2・NX2:yA M3(PO4)2:yA で表される蛍光体、特開昭59−155487号に記載されてい
る下記いずれかの一般式 nReX3・mAX′2:xEu nReX3・mAX′2:xEu,ySm で表される蛍光体、特開昭61−72087号に記載されてい
る下記一般式 MIX・aMIIX′2・bMIIIX″3:cA で表されるアルカリハライド蛍光体、及び特開昭61−22
8400号に記載されている一般式MIX・xBiで表されるビス
マス付活アルカリハライド蛍光体等が挙げられる。Further, an alkaline earth fluoride halide phosphor represented by the formula (Ba 1 -x-yMg x Cay) FX: Eu 2+ described in JP-A-55-12143 is disclosed. A phosphor represented by the general formula LnOX: xA described in JP-A-12144;
The general formula described in No. 5-12145 is (Ba 1 -xM II x) F
X: a phosphor represented by yA, a phosphor represented by the formula BaFX: xCe, yA described in JP-A-55-84389,
No. 5-160078 describes a rare earth element-activated divalent metal fluorohalide phosphor represented by the general formula M II FX · xA: yLn, and the general formula is ZnS: ACdS: A, (Zn, Cd) S : A, X and Cds: A, X
And a phosphor represented by any of the following general formulas xM 3 (PO 4 ) 2 NX 2 : yA M 3 (PO 4 ) 2 : yA described in JP-A-59-38278. phosphor, following one of the general formulas described in JP-a-59-155487 nReX 3 · mAX '2: xEu nReX 3 · mAX' 2: xEu, phosphor represented by YSM, JP 61 the following general formula are described in JP -72087 M I X · aM II X '2 · bM III X "3: alkali halide phosphor represented by cA, and JP 61-22
Is described in JP 8400 general formula M I X · bismuth-activated alkali halide phosphor, etc. represented by xBi the like it is.
特に、アルカリハライド蛍光体は、蒸着、スパッタリ
ング等の方法で輝尽性蛍光体層を形成させ易く好まし
い。In particular, an alkali halide phosphor is preferable because a stimulable phosphor layer can be easily formed by a method such as vapor deposition or sputtering.
しかし、この発明の放射線画像変換パネルに用いられ
る輝尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではな
く、放射線を照射した後、輝尽励起光を照射した場合に
輝尽発光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であって
もよい。However, the stimulable phosphor used in the radiation image conversion panel of the present invention is not limited to the above-described phosphor, and after irradiating radiation, shows stimulable luminescence when irradiated with stimulating excitation light. Any phosphor may be used as long as it is a phosphor.
また、放射線画像変換パネルは前述の輝尽性蛍光体の
少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽性
蛍光体層からなる輝尽性蛍光体層群であってもよい。ま
た、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性蛍光体
は同一であってもよいが異なっていてもよい。Further, the radiation image conversion panel may be a stimulable phosphor layer group composed of one or more stimulable phosphor layers containing at least one kind of the stimulable phosphor described above. Also, the stimulable phosphor contained in each stimulable phosphor layer may be the same or different.
放射線画像変換パネルに用いられる支持体としては各
種の高分子材料、ガラス、金属等が用いられ、セルロー
スアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエ
チレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、
ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカ
ーボネイトフィルム等のプラスチックフィルム、アルミ
ニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート或い
は該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好まし
い。As the support used for the radiation image conversion panel, various polymer materials, glass, metals and the like are used, and a cellulose acetate film, a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyamide film,
A plastic film such as a polyimide film, a triacetate film, or a polycarbonate film, a metal sheet such as an aluminum sheet, an iron sheet, or a copper sheet, or a metal sheet having a coating layer of the metal oxide is preferable.
これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性
蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面として
もよい。The surface of the support may be a smooth surface or a mat surface for the purpose of improving the adhesion to the stimulable phosphor layer.
また、支持体の表面は第7図(a)に示す如く凹凸面
41としてもよいし、同図(b)の如く基部42の表面に隔
絶されたタイル状板43を敷き詰めた構造でもよい。しか
して、第7図(a)の場合には輝尽性蛍光体層が第7図
(c)の如く凹凸面41によって細分化されるので、画像
の鮮鋭性が一段と向上する。第7図(b)の場合には輝
尽性蛍光体層が支持体のタイル状板43の輪郭を維持しな
がら堆積するので、結果的には輝尽性蛍光体層は第7図
(d)の如く亀裂46によって隔絶された輝尽性蛍光体の
柱状ブロック45からなるため、画像の鮮鋭性が一段と向
上する。The surface of the support is uneven as shown in FIG. 7 (a).
41, or a structure in which isolated tile-like plates 43 are spread over the surface of the base 42 as shown in FIG. In the case of FIG. 7 (a), the stimulable phosphor layer is subdivided by the uneven surface 41 as shown in FIG. 7 (c), so that the sharpness of the image is further improved. In the case of FIG. 7 (b), the stimulable phosphor layer is deposited while maintaining the contour of the tile plate 43 of the support, and as a result, the stimulable phosphor layer is formed as shown in FIG. 7 (d). ), The sharpness of the image is further improved because it is composed of the columnar blocks 45 of the stimulable phosphor separated by the cracks 46.
さらに、これら支持体は輝尽性蛍光体層との接着性を
向上させる目的で輝尽性蛍光体層が設けられる面に下引
層を設けてもよい。また、これら支持体厚は用いる材質
等によって異なるが、一般的には80μm〜2000μmであ
り、取扱い上の点からさらに好ましくは80μm〜1000μ
mである。Further, these supports may be provided with an undercoat layer on the surface on which the stimulable phosphor layer is provided for the purpose of improving the adhesion to the stimulable phosphor layer. The thickness of the support varies depending on the material used, but is generally 80 μm to 2000 μm, and more preferably 80 μm to 1000 μm from the viewpoint of handling.
m.
放射線画像変換パネルにおいては、一般的に前記輝尽
性蛍光体層の支持体が設けられる面とは反対側の面に、
輝尽性蛍光体層を物理的に或いは化学的に保護するため
の保護層が設けられていてもよい。この保護層は保護層
用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布しても形成でき
るし、或いは予め別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層
上に接着しても形成できる。保護層の材料としては酢酸
セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメチクリレ
ート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、
ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン等
の通常の保護層用材料が用いられる。また、この保護層
は蒸着法、スパッタリング法等により、SiC,SiO2,SiN,A
l2O3などの無機物質を積層して形成してもよい。これら
の保護層の層厚は一般には0.1μm〜2000μmが好まし
い。In the radiation image conversion panel, generally on the surface opposite to the surface on which the support of the stimulable phosphor layer is provided,
A protective layer for physically or chemically protecting the stimulable phosphor layer may be provided. This protective layer can be formed by directly applying the protective layer coating solution on the stimulable phosphor layer, or by bonding a separately formed protective layer on the stimulable phosphor layer. As the material of the protective layer, cellulose acetate, nitrocellulose, polymethyl methacrylate, polyvinyl butyral, polyvinyl formal,
Conventional protective layer materials such as polycarbonate, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene, vinylidene chloride, and nylon are used. Further, this protective layer is made of SiC, SiO 2 , SiN, A
An inorganic material such as l 2 O 3 may be stacked. Generally, the thickness of these protective layers is preferably from 0.1 μm to 2000 μm.
次に、この発明の実施例を、比較例との比較において
説明する。Next, examples of the present invention will be described in comparison with comparative examples.
*比較例 支持体として389mm×445mm×1mmの結晶化ガラスを用
い、第6図(a)に示した電子ビーム加熱蒸着装置に設
置した。蒸発させる輝尽性蛍光体の母体であるRbBrを、
坩堝35に入れ、線状蒸発源34を得る。この線状蒸発源34
の長さa=48cmである。また、蒸気流を規制する規制部
材38の規制長さを9.5cm(一定)とした。このとき、坩
堝35と支持体311との距離は43cmであり、規制部材38と
坩堝35との距離は38であった。なお、前記支持体311、
坩堝35及び規制部材38の位置関係の詳細は第6図
(a),(b)に示す通りである。* Comparative Example A crystallized glass of 389 mm × 445 mm × 1 mm was used as a support, and was set in an electron beam heating vapor deposition apparatus shown in FIG. 6A. RbBr, which is the base of the stimulable phosphor to be evaporated,
In a crucible 35, a linear evaporation source 34 is obtained. This linear evaporation source 34
Is a = 48 cm. Further, the regulation length of the regulation member 38 for regulating the steam flow is set to 9.5 cm (constant). At this time, the distance between crucible 35 and support 311 was 43 cm, and the distance between regulating member 38 and crucible 35 was 38. The support 311,
Details of the positional relationship between the crucible 35 and the regulating member 38 are as shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b).
次に、ベルジャー31内を排気し、2×10-6Torrの真空
度に保持し、支持体を100℃に加熱保持した。Next, the inside of the bell jar 31 was evacuated, kept at a vacuum of 2 × 10 −6 Torr, and the support was heated and kept at 100 ° C.
次いで、支持体を50cm/分の速度で往復移動させなが
ら電子銃32から電子ビーム33を蒸発源34の表面にa方向
(蒸発源の長さ方向)に走査(線速度が一定、振幅が48
cm)して入射させ、輝尽性蛍光体を連続的に蒸発させて
支持体面上の370mm×435mmの蒸発領域に2μm/分の蒸着
速度で蒸着した。このときの電子ビーム電力と、a方向
ビーム速度は一定であった。Next, while the support is reciprocated at a speed of 50 cm / min, an electron beam 33 is scanned from the electron gun 32 on the surface of the evaporation source 34 in the direction a (the length direction of the evaporation source) (the linear velocity is constant and the amplitude is 48).
cm) and incident, and the stimulable phosphor was continuously evaporated to deposit at an evaporation area of 370 mm × 435 mm on the support surface at a deposition rate of 2 μm / min. At this time, the electron beam power and the a-direction beam speed were constant.
しかして、膜厚モニタによって蒸着速度、蒸着厚みを
監視しながらと蒸着を進めて行き、輝尽性蛍光体層の層
厚が300μmとなった処で蒸着を終了させ、放射線画像
変換パネルを得た。Then, while monitoring the deposition rate and the deposition thickness with the film thickness monitor, the deposition was advanced, and the deposition was terminated when the thickness of the stimulable phosphor layer reached 300 μm, and the radiation image conversion panel was obtained. Was.
このようにして得られた放射線画像変換パネルにおけ
る輝尽性蛍光体層の平均層厚に対する層厚分布は支持体
の搬送方向(第1図(b)のY方向)では、±1%であ
り、支持体のa方向において支持体面中央に対する両端
部の層厚は60%となり、40%も薄くなった。層厚分布は
約±20%、蛍光体層形成効率は4.3%であった。この原
因は蒸発源の蒸気流密度が中央において周辺部より高く
なったことによる。これは電子ビームの焦点が電子ビー
ム走査の両端においてズレるためである。なお、このズ
レは電子ビームの偏向コイルの種類により変化し、磁界
式コイルの場合は4極子コイルよりトロイダルコイルの
方がズレが少ない。In the radiation image conversion panel thus obtained, the layer thickness distribution with respect to the average layer thickness of the stimulable phosphor layer is ± 1% in the transport direction of the support (Y direction in FIG. 1 (b)). The layer thickness at both ends with respect to the center of the support surface in the direction a of the support was 60%, which was as thin as 40%. The layer thickness distribution was about ± 20%, and the phosphor layer forming efficiency was 4.3%. This is because the vapor flow density of the evaporation source is higher at the center than at the periphery. This is because the focus of the electron beam shifts at both ends of the electron beam scanning. This shift varies depending on the type of the deflection coil of the electron beam. In the case of the magnetic field type coil, the shift is smaller in the toroidal coil than in the quadrupole coil.
*実施例−(1) 電子ビームの走査速度を補正した以外は比較例と同一
条件である。電子ビーム電力を一定、走査速度を比較例
で得られた層厚分布を基準として以下の式により蒸発源
の中央蒸発部位より両端蒸発部位の蒸発量が多くなるよ
うに補正した。* Example- (1) The conditions were the same as those of the comparative example except that the scanning speed of the electron beam was corrected. The electron beam power was kept constant, and the scanning speed was corrected based on the layer thickness distribution obtained in the comparative example so that the amount of evaporation at both ends of the evaporation source was larger than that at the center of the evaporation source by the following equation.
V′(a)=(D(a)/(a))L・V(a) (V(a)はa方向のビーム走査速度ベクトル、ダッシ
ュ(′)は補正後、D(a)はV(a)に対応する支持体上の位
置における蛍光体層厚、バーは平均値、Lは定数(=
3)である。) このようにして得られた放射線画像変換パネルにおけ
る輝尽性蛍光体層の平均層厚に対する層厚分布(支持体
の搬送方向では前述比較例と同様に±1%)は、支持体
のa方向において±4.5%であり、放射線画像変換パネ
ルの全面に亘ってほぼ一様であった。また、蛍光体層形
成効率は3.2%であった。V ′ (a) = (D (a) / (a) ) L · V (a) (V (a) is the beam scanning velocity vector in the a direction, dash (′) is corrected, and D (a) is V The phosphor layer thickness at the position on the support corresponding to (a) , the bar is an average value, and L is a constant (=
3). The thickness distribution of the stimulable phosphor layer in the radiation image conversion panel obtained as described above with respect to the average thickness of the stimulable phosphor layer (± 1% in the transport direction of the support as in the comparative example) is a ± 4.5% in the direction, and was substantially uniform over the entire surface of the radiation image conversion panel. Further, the phosphor layer forming efficiency was 3.2%.
この結果、この放射線画像変換パネルを診断に用いる
ことにより、粒状性、鮮鋭性に優れた診断能の高い放射
線画像を得ることができた。As a result, by using this radiation image conversion panel for diagnosis, it was possible to obtain a radiation image with excellent granularity and sharpness and high diagnostic ability.
*実施例−(2) 規制部材の対向端縁を凸円弧状し、中央部の最小間隔
が5.7cm、両端部の最大間隔が9.5cmとして両端部での蒸
発流の通過を緩和した以外は比較例と同一条件である。* Example-(2) Except that the opposing edges of the regulating member are convex arc-shaped, the minimum interval at the center is 5.7 cm, and the maximum interval at both ends is 9.5 cm, so as to ease the passage of evaporative flow at both ends. The conditions are the same as in the comparative example.
このようにして得られた放射線画像変換パネルに於け
る輝尽性蛍光体層の平均層厚に対する層厚分布(支持体
の搬送方向では前述比較例と同様に±1%)は、支持体
のa方向において±4.5%であり、放射線画像変換パネ
ルの全面に亘ってほぼ一様であった。また、蛍光体層形
成効率は3.6%であった。In the radiation image conversion panel thus obtained, the layer thickness distribution with respect to the average layer thickness of the stimulable phosphor layer (± 1% in the transport direction of the support as in the comparative example) is the same as that of the support. The value was ± 4.5% in the direction a, and was substantially uniform over the entire surface of the radiation image conversion panel. The phosphor layer forming efficiency was 3.6%.
*実施例−(3) 規制部材の対向端縁を凸円弧状にし、中央部の最小間
隔が6.7cm、両端部の最大間隔が9.5cmとして両端部での
蒸発流の通過を緩和し、実施例(1)に示した補正式の
L=1で補正した。これ以外は比較例と同一条件であ
る。* Example-(3) The opposing edge of the regulating member is formed in a convex arc shape, the minimum interval at the center is 6.7 cm, and the maximum interval at both ends is 9.5 cm, so that the passage of evaporative flow at both ends is eased. Correction was performed using L = 1 in the correction formula shown in Example (1). Other conditions are the same as those of the comparative example.
このようにして得られた放射線画像変換パネルに於け
る輝尽性蛍光体層の平均層厚に対する層厚分布(支持体
の搬送方向では前述比較例と同様に±1%)は、支持体
のa方向において±4.4%であり、放射線画像変換パネ
ルの全面に亘ってほぼ一様であった。また、蛍光体層形
成効率は3.6%であった。In the radiation image conversion panel thus obtained, the layer thickness distribution with respect to the average layer thickness of the stimulable phosphor layer (± 1% in the transport direction of the support as in the comparative example) is the same as that of the support. The value was ± 4.4% in the direction a, and was substantially uniform over the entire surface of the radiation image conversion panel. The phosphor layer forming efficiency was 3.6%.
*実施例−(4) 48cm×48cmの面状蒸発源を用いる。* Example-(4) A 48 cm x 48 cm planar evaporation source is used.
規制部材なし、支持体の移動なし。No regulating member, no support movement.
電子ビームの走査速度は実施例(1)を二次元にした
もの。The scanning speed of the electron beam is obtained by making the embodiment (1) two-dimensional.
上記以外は比較例と同一条件。Other than the above, the conditions were the same as those of the comparative example.
このようにして得られた放射線画像変換パネルに於け
る輝尽性蛍光体層の平均層厚に対する層厚分布(支持体
の搬送方向では前述比較例と同様に±1%)は、支持体
のa方向及びそれに垂直な方向で各々±4.4%であり、
放射線画像変換パネルの全面に亘ってほぼ一様であっ
た。また、蛍光体層形成効率は13.2%であった。In the radiation image conversion panel thus obtained, the layer thickness distribution with respect to the average layer thickness of the stimulable phosphor layer (± 1% in the transport direction of the support as in the comparative example) is the same as that of the support. ± 4.4% each in the direction a and the direction perpendicular thereto,
It was almost uniform over the entire surface of the radiation image conversion panel. The phosphor layer formation efficiency was 13.2%.
*実施例−(5) 線状蒸発源に沿って配列した膜厚モニターの検知信号
を制御手段に出力し、電子ビーム速度をオンラインで制
御した以外は実施例(1)と同一条件である。* Example- (5) Same conditions as in Example (1) except that a detection signal of a film thickness monitor arranged along a linear evaporation source was output to the control means, and the electron beam speed was controlled online.
このようにして得られた放射線画像変換パネルに於け
る輝尽性蛍光体層の平均層厚に対する層厚分布(支持体
の搬送方向では前述比較例と同様に±1%)は、支持体
のa方向において±2%であり、放射線画像変換パネル
の全面に亘ってほぼ一様であった。また、蛍光体層形成
効率は3.2%であった。In the radiation image conversion panel thus obtained, the layer thickness distribution with respect to the average layer thickness of the stimulable phosphor layer (± 1% in the transport direction of the support as in the comparative example) is the same as that of the support. The value was ± 2% in the direction a, and was substantially uniform over the entire surface of the radiation image conversion panel. Further, the phosphor layer forming efficiency was 3.2%.
以上の如く、この発明は、蒸発源と、該蒸発源に対し
て相対的に移動する支持体と前記蒸発源との間に、スリ
ットを有する前記蒸発源からの蒸気流が前記支持体面に
入射する交角を規制する規制部材とを備え、前記スリッ
トは、前記支持体の搬送方向と直交する方向の幅が、前
記支持体の搬送方向と直交する方向の支持体の幅以上で
あり、かつ、前記スリットの前記支持体の搬送方向にお
ける幅が端部より中央部で狭くなっていることを特徴と
しているから、蒸気流を規制することで輝尽性蛍光体を
微細柱状結晶化させ、かつ膜厚を規制することにより、
大面積にわたって層厚がほぼ一定な層を形成することが
でき、支持体周辺部での層厚のバラツキが小さくなるこ
とにより、膜厚形成功率、生産性の向上を図ることがで
きるという優れた効果を奏するものである。As described above, according to the present invention, the vapor flow from the evaporation source having a slit is incident on the surface of the support between the evaporation source, the support moving relatively to the evaporation source, and the evaporation source. Regulating member that regulates the angle of intersection, wherein the width of the slit in a direction perpendicular to the direction of conveyance of the support is equal to or greater than the width of the support in a direction perpendicular to the direction of conveyance of the support, and Since the width of the slit in the transport direction of the support is narrower at the center than at the end, the stimulable phosphor is finely columnar-crystallized by regulating the vapor flow, and the film is formed. By regulating the thickness,
It is possible to form a layer having a substantially constant layer thickness over a large area, and to reduce the variation in the layer thickness at the periphery of the support, thereby improving the film forming success rate and improving the productivity. It is effective.
第1図(a)〜(c)は線状蒸発源と支持体と規制部材
の構成を示す説明図、第2図は規制長さを蒸気量分布に
より適宜コントロールできるように構成した規制部材の
平面図、第3図(a)〜(e)は蒸着方法の態様を示す
説明図、第4図は面状蒸発源と支持体の構成を示す略示
的斜視図、第5図は点状蒸発源と支持体と規制部材の構
成を示す略示的斜視図、第6図(a)、(b)は蛍光体
蒸着装置の説明図、第7図(a)〜(d)は輝尽性蛍光
体を蒸着するのに適した支持体表面の例を示す説明図で
ある。 11,21,34……線状蒸発源 12,29,38……規制部材 12a,12b……対向端縁 13,22,311……支持体 14,23……堆積領域 15……搬送用ローラ 16……蒸気流 17……制御手段 18……移動機構 24,33……電子ビーム 25,25′,32……電子銃 31……ベルジャー(真空槽) 35……坩堝1 (a) to 1 (c) are explanatory diagrams showing the configuration of a linear evaporation source, a support, and a regulating member, and FIG. 2 is a diagram of a regulating member configured so that the regulating length can be appropriately controlled by a steam amount distribution. FIGS. 3 (a) to 3 (e) are explanatory views showing aspects of the vapor deposition method, FIG. 4 is a schematic perspective view showing the configuration of a planar evaporation source and a support, and FIG. 6 (a) and 6 (b) are explanatory views of a phosphor vapor deposition apparatus, and FIGS. 7 (a) to 7 (d) are stimulative views showing the configuration of the evaporation source, the support, and the regulating member. FIG. 3 is an explanatory view showing an example of a support surface suitable for depositing a luminescent phosphor. 11,21,34… Linear evaporation source 12,29,38… Regulator 12a, 12b… Opposed edge 13,22,311… Supporter 14,23… Deposition area 15… Transport roller 16… … Vapor flow 17… control means 18… moving mechanism 24, 33… electron beam 25, 25 ', 32… electron gun 31… bell jar (vacuum tank) 35… crucible
Claims (1)
する支持体と前記蒸発源との間に、スリットを有する前
記蒸発源からの蒸気流が前記支持体面に入射する交角を
規制する規制部材とを備え、前記スリットは、前記支持
体の搬送方向と直交する方向の幅が、前記支持体の搬送
方向と直交する方向の支持体の幅以上であり、かつ、前
記スリットの前記支持体の搬送方向における幅が端部よ
り中央部で狭くなっていることを特徴とする蛍光体蒸着
装置。An intersecting angle at which a vapor flow from the evaporation source having a slit is incident on the surface of the support between the evaporation source and the support moving relatively to the evaporation source; Regulating member to regulate, the slit, the width of the support in the direction perpendicular to the transport direction of the support is not less than the width of the support in the direction perpendicular to the transport direction of the support, and the slit A phosphor vapor deposition apparatus, wherein the width of the support in the transport direction is smaller at the center than at the ends.
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