JP2782607B2 - Film exposure method and film exposure apparatus - Google Patents

Film exposure method and film exposure apparatus

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JP2782607B2 JP2045915A JP4591590A JP2782607B2 JP 2782607 B2 JP2782607 B2 JP 2782607B2 JP 2045915 A JP2045915 A JP 2045915A JP 4591590 A JP4591590 A JP 4591590A JP 2782607 B2 JP2782607 B2 JP 2782607B2
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば回路パターンの転写に好適に使用さ
れる投影露光方式のフィルム露光方法およびフィルム露
光装置に関し、詳しくは、パターン形成部以外の幅方向
の周辺部のポジ型フォトレジストを現像により容易に除
去することができるようにしたフィルム露光方法および
フィルム露光装置に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a film exposure method and a film exposure apparatus of a projection exposure system suitably used for transfer of a circuit pattern, for example. The present invention relates to a film exposure method and a film exposure apparatus capable of easily removing a positive photoresist in a peripheral portion in a width direction by development.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来より、液晶表示板,カメラ,電卓,ICカードなど
では、回路基板のベース材料として、厚さが25〜125μ
m程度のポリエステルフィルム,ポリイミドフィルム等
が用いられている。
Conventionally, liquid crystal display panels, cameras, calculators, IC cards, etc. have a thickness of 25-125μ
For example, a polyester film, a polyimide film, or the like having a length of about m is used.

また、特に、半導体チップの実装技術の分野では、従
来のワイヤーボンディングに代わり、ワイヤレスボンデ
ィングの一つとして、フィルムキャリア方式により実装
が盛んになってきている。
In particular, in the field of semiconductor chip mounting technology, mounting by a film carrier method as one of wireless bonding instead of conventional wire bonding has become popular.

このフィルムキャリア方式による半導体チップの実装
においては、ポリエステルフィルム等の絶縁性フィルム
基板上に銅箔等の導電性薄膜を貼り付け、この導電性薄
膜をフォトリソグラフィによりパターン化して、フィル
ム回路基板を製作し、このフィルム回路基板をリードと
して用い、金等のバンプが形成された半導体チップをこ
のリード上に一括してボンディングすることが行われて
いる。このフィルムキャリア方式による半導体チップの
実装は、TAB(Tape Automated Bonding)方式と呼ばれ
ることもある。
In mounting a semiconductor chip by this film carrier method, a conductive thin film such as a copper foil is pasted on an insulating film substrate such as a polyester film, and the conductive thin film is patterned by photolithography to produce a film circuit board. Then, using the film circuit board as a lead, a semiconductor chip having bumps made of gold or the like is collectively bonded onto the lead. The mounting of the semiconductor chip by the film carrier method is sometimes called a TAB (Tape Automated Bonding) method.

このフォトリソグラフィの技術においては、通常、フ
ォトレジスト塗布工程、回路パターンの転写のための露
光工程、現像工程、エッチング工程等を経由してフィル
ム回路基板が製造される。
In this photolithography technique, a film circuit board is usually manufactured through a photoresist coating step, an exposure step for transferring a circuit pattern, a development step, an etching step, and the like.

フォトレジスト塗布工程においては、絶縁性フィルム
基板の表面に貼り付けられた導電性薄膜上に、通常、ロ
ールコーターによりフォトレジストが塗布されてフォト
レジスト層が形成される。このロールコーターは、印刷
機の輪転機等と同様の構造であって、移送されるフィル
ム基板にフォトレジストが被着した棒を押し当てて回転
させ、押圧力によりフォトレジストをフィルム基板の片
面または両面の全面に塗布するものである。
In the photoresist coating step, a photoresist is usually applied by a roll coater on a conductive thin film attached to the surface of an insulating film substrate to form a photoresist layer. This roll coater has a structure similar to that of a rotary press of a printing press and the like, in which a rod on which a photoresist is applied is pressed against a film substrate to be transferred and rotated, and the photoresist is pressed on one side of the film substrate or by a pressing force. It is applied to the entire surface on both sides.

第4図は、このロールコーターによりフィルム基板の
片面に塗布されたフォトレジスト層の状態を示す断面図
である。81は絶縁性フィルム基板、82は絶縁性フィルム
基板81に貼り付けられた導電性薄膜、83はフォトレジス
ト層、84は絶縁性フィルム基板81に形成されたパーフォ
レーションである。ここで、絶縁性フィルム基板81上に
導電性薄膜82が貼り付けられ、さらにフォトレジスト層
83が設けられたものを総称して、以下「フィルム基板材
料」という。なお、絶縁性フィルム基板81を使用しない
場合もあるが、この場合は、導電性フィルム82上にフォ
トレジスト層83が設けられたものをフィルム基板材料と
いう。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state of a photoresist layer applied to one surface of a film substrate by the roll coater. 81 is an insulating film substrate, 82 is a conductive thin film attached to the insulating film substrate 81, 83 is a photoresist layer, and 84 is a perforation formed on the insulating film substrate 81. Here, a conductive thin film 82 is stuck on an insulating film substrate 81, and further a photoresist layer is formed.
The materials provided with 83 are hereinafter collectively referred to as “film substrate materials”. In some cases, the insulating film substrate 81 is not used. In this case, a material in which the photoresist layer 83 is provided on the conductive film 82 is referred to as a film substrate material.

しかして、ロールコーターにより導電性薄膜82上にフ
ォトレジストを塗布したフォトレジスト層83を形成する
と、第4図に示すように、フォトレジスト層83のパター
ン形成部FCのみならず、その外部における幅方向の周辺
部FPもフォトレジストが塗布され、そして当該周辺部FP
のフォトレジストは、パターン形成部FCによりも塗布膜
の厚さが大きくなる。
Thus, when a photoresist layer 83 in which a photoresist is applied on the conductive thin film 82 by a roll coater is formed, as shown in FIG. 4, not only the pattern formation portion F C of the photoresist layer 83 but also the outside thereof. Photoresist is also applied to the peripheral portion F P in the width direction, and the peripheral portion F P
Photoresist, the thickness of even coating film more in the pattern forming portion F C increases.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

しかし、従来のフィルム露光装置においては、パター
ン形成部FC以外の周辺部FPは、アパーチャ等により遮光
されて露光されないため、当該周辺部FP上のフォトレジ
ストが感光せず、従って、次の現像工程においては、当
該周辺部FPのフォトレジストが除去されずに残留してし
まう。このように周辺部FPにフォトレジストが残留する
と、次のエッチング工程においては、この残留したフォ
トレジストによって、周辺部FPの導電性薄膜部分はエッ
チングされずに不要に残留し、適正なリードとしての役
割を果たすフィルム回路基板を製作することができな
い。
However, in the conventional film exposure device, the peripheral portion F P other than the pattern forming portion F C because they are not exposed is shielded by the aperture or the like, the photoresist on the peripheral portion F P is not sensitive, therefore, the following in the development step, the photoresist of the peripheral portion F P may remain without being removed. With such photoresist in the peripheral portion F P remains in the subsequent etching step, by the remaining photoresist, a conductive thin film portion of the peripheral portion F P is unnecessarily remains unetched, proper read It is not possible to manufacture a film circuit board that plays the role of a film circuit.

従って、従来においては、エッチング工程に至る前に
おいて、この周辺部FPに残留したフォトレジストを削り
落とす等の煩瑣な作業が必要となる問題があった。
Therefore, conventionally, before reaching the etching process, the troublesome work such as scraping the photoresist remaining on the peripheral portion F P has a problem that required.

そこで、本発明者は、パターン形成部FCのみならずそ
の外部における周辺部FPをも同時に露光するようにし
て、当該周辺部FPのフォトレジストを現像工程において
除去することを試みた。
The present inventors, as will be exposed simultaneously to the peripheral portion F P at its external not pattern forming section F C only, the photoresist of the peripheral portion F P tried to remove in a development step.

しかし、ここで新たな問題のあることが判明した。す
なわち、周辺部FPのフォトレジストは、パターン形成部
FCよりも膜厚が厚いので、パターン形成部FCと同程度の
照度では、現像工程において周辺部FPのフォトレジスト
を容易に除去することが困難である問題である。
However, it turned out that there was a new problem here. That is, the photoresist in the peripheral portion F P, the pattern forming section
Since film thickness than the thicker F C, the pattern forming unit F C about the same illuminance, a problem is difficult to photoresist in the peripheral portion F P be easily removed in a development step.

本発明の目的は、ポジ型フォトレジストのパターン形
成部以外の幅方向の周辺部を現像により容易に除去する
ことができるフィルム露光方法およびフィルム露光装置
を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a film exposure method and a film exposure apparatus capable of easily removing a peripheral portion in a width direction other than a pattern forming portion of a positive photoresist by development.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

上記目的を達成するため、本発明のフィルム露光方法
においては、その表面にポジ型フォトレジストが塗布さ
れた長尺なフィルム基板材料を露光領域に間欠的に搬送
しながら、ランプからの光をフォトマスクを透過させて
結像レンズに入射させ、この光を露光領域に結像させて
ポジ型フォトレジストの表面を露光する投影露光方式の
フィルム露光方法において、ポジ型フォトレジストのパ
ターン形成部をフォトマスクのパターンの像を結像させ
て露光すると共に、パターン形成部の外部における幅方
向周辺部を当該パターン形成部よりも高い照度で露光す
る構成を採用する。
In order to achieve the above object, in the film exposure method of the present invention, while intermittently transporting a long film substrate material having a surface coated with a positive photoresist to an exposure area, the light from the lamp is exposed to light. In a projection exposure type film exposure method in which a mask is transmitted and made incident on an imaging lens, and this light is imaged on an exposure area to expose the surface of the positive photoresist, a pattern forming portion of the positive photoresist is exposed to light. A configuration is adopted in which an image of the pattern of the mask is formed and exposed, and a peripheral portion in the width direction outside the pattern forming portion is exposed with higher illuminance than the pattern forming portion.

本発明のフィルム露光装置においては、ランプと、こ
のランプからの光が照射されたフォトマスクを透過した
光を露光領域に結び、フォトマスクの像を結像させる結
像レンズと、その表面にポジ型フォトレジストが塗布さ
れた長尺なフィルム基板材料を結像位置に間欠的に搬送
する搬送系と、搬送されたフィルム基板材料の幅方向の
外側に向かう結像レンズからの光を、該幅方向の内側に
反射させてフィルム基板材料の幅方向の周辺部を光照射
するようにする一対の周辺反射鏡とを具備してなる構成
を採用する。
In the film exposure apparatus of the present invention, the lamp, the light transmitted from the photomask irradiated with the light from the lamp, the image forming lens for connecting the light transmitted through the photomask to the exposure area, and forming an image of the photomask, and the positive surface on the surface. A transport system for intermittently transporting a long film substrate material coated with a mold photoresist to an imaging position, and light from an imaging lens directed outward in the width direction of the transported film substrate material. A configuration including a pair of peripheral reflecting mirrors for reflecting light inward in the direction to irradiate the peripheral portion in the width direction of the film substrate material with light is adopted.

本発明の他のフィルム露光装置においては、ランプ
と、このランプから光が照射されたフォトマスクを透過
した光を結び、フォトマスクの像を結像させる結像レン
ズと、その表面にポジ型フォトレジストが塗布された長
尺なフィルム基板材料を結像位置に間欠的に搬送する搬
送系と、搬送されたフィルム基板材料の幅方向の外側に
向かう結像レンズからの光を、該幅方向の内側に屈折さ
せてフィルム基板材料の幅方向の周辺部を光照射するよ
うに一対の周辺レンズとを具備してなる構成を採用す
る。
In another film exposure apparatus of the present invention, a lamp, an image forming lens for connecting light transmitted through a photomask irradiated with light from the lamp to form an image of the photomask, and a positive type photo A transport system that intermittently transports a long film substrate material coated with a resist to an image forming position, and light from an imaging lens directed outward in the width direction of the transported film substrate material, in the width direction. A configuration including a pair of peripheral lenses so as to be refracted inward and irradiate the peripheral portion in the width direction of the film substrate material with light is adopted.

〔作用〕[Action]

本発明のフィルム露光方法によれば、ポジ型フォトレ
ジストのパターン形成部を露光する際に、パターン形成
部以外の幅方向の周辺部をも露光し、かつ当該周辺部の
照度をパターン形成部よりも高い照度とするので、ポジ
型フォトレジストの周辺部の膜厚が厚い場合でも、十分
に感光させることができる。
According to the film exposure method of the present invention, when exposing the pattern forming portion of the positive photoresist, also exposing the peripheral portion in the width direction other than the pattern forming portion, and the illuminance of the peripheral portion from the pattern forming portion Therefore, even when the thickness of the peripheral portion of the positive photoresist is large, the photosensitive can be sufficiently exposed.

従って、次の現像工程においては、パターン形成部の
感光部分のみならず、周辺部のフォトレジストをも容易
に除去することができる。
Therefore, in the next developing step, not only the photosensitive portion of the pattern forming portion but also the peripheral portion of the photoresist can be easily removed.

そして、本発明のフィルム露光装置によれば、フィル
ム基板材料の幅方向の外側に向かう結像レンズからの光
を、該幅方向の内側に反射させ、幅方向の周辺部を光照
射する一対の周辺反射鏡を設けるという簡単な構成によ
り、上記フィルム露光方法を確実に達成することができ
る。
According to the film exposure apparatus of the present invention, the light from the imaging lens heading outward in the width direction of the film substrate material is reflected inward in the width direction, and a pair of light irradiating the peripheral portion in the width direction. With the simple configuration of providing the peripheral reflecting mirror, the above-described film exposure method can be reliably achieved.

また、本発明の他のフィルム露光装置によれば、フィ
ルム基板材料の幅方向の外側向かう結像レンズからの光
を、該幅方向の内側に屈折させ、幅方向の周辺部を光照
射する一対の周辺レンズを設けるという簡単な構成によ
り、上記フィルム露光方法を確実に達成することができ
る。
According to another film exposure apparatus of the present invention, the light from the imaging lens directed outward in the width direction of the film substrate material is refracted inward in the width direction to irradiate the peripheral portion in the width direction with light. With the simple configuration of providing the peripheral lens described above, the above-described film exposure method can be reliably achieved.

〔実施例〕〔Example〕

第1図および第2図は、本発明の実施例のフィルム露
光装置であり、第1図がフィルムの長さ方向での側面
図、第2図が幅方向での側面図である。以下、第1図を
用いて本発明の実施例のフィルム露光方法およびフィル
ム露光装置を説明する。
1 and 2 show a film exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a side view in the length direction of the film, and FIG. 2 is a side view in the width direction. Hereinafter, a film exposure method and a film exposure apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

第1図に示すように、その表面にポジ型フォトレジス
トが塗布された長尺なTAB用のフィルム基板材料Fを、
1回の露光で一つのフォトマスクの像を結像させて露光
する区域(以下、露光区域という。)が順次結像位置に
位置されるように搬送する。
As shown in FIG. 1, a long film substrate material F for TAB, the surface of which is coated with a positive photoresist,
An image of one photomask is formed by one exposure, and the image is conveyed so that areas to be exposed (hereinafter, referred to as exposure areas) are sequentially positioned at an image forming position.

フィルム基板材料Fの一つの露光区域が結像位置に位
置されたら、超高圧水銀灯等のランプ10からの光をフォ
トマスクMを透過させて結像レンズ70に入射させ、第2
図に示すように、この光を結ばせて、ポジ型フォトレジ
ストのパターン形成部FCおよび幅方向の周辺部FPの両者
を同時に露光する。幅方向の周辺部FPにおける照度は、
ロールコーターにより塗布されて形成されたフォトレジ
スト層の幅方向の周辺部FPの膜厚を考慮すると、通常、
パターン形成部FCの照度の120%以上であればよい。
When one exposure area of the film substrate material F is located at the image forming position, light from a lamp 10 such as an ultra-high pressure mercury lamp is transmitted through the photomask M and made incident on the image forming lens 70, and the second
As shown in the figure, so bear this light, simultaneously exposing both the peripheral portion F P of the positive photoresist pattern forming portion F C and the transverse direction. Illuminance in the peripheral portion F P in the width direction,
Considering the thickness of the peripheral portion F P in the width direction of the applied photoresist layer is formed by a roll coater, usually,
It may be at least 120% of the illumination of the pattern forming portion F C.

第1図および第2図においてフィルム基板材料Fの幅
方向の外側に向かう結像レンズ70からの光を、パターン
形成部FCの外部における幅方向の周辺部FPに向かうよう
に反射させる一対の周辺反射鏡52を備えている。
The light from the imaging lens 70 toward the outer side in the width direction of the film substrate material F in FIGS. 1 and 2, a pair of reflecting to face the peripheral portion F P in the width direction of the outside of the pattern forming portion F C Peripheral mirror 52 is provided.

一対の周辺反射鏡52は、幅方向の外側において、当該
結像位置に位置されたフィルム基板材料Fを挟み込むよ
うに対向し、かつ結像レンズ70の光軸方向に立設した状
態で配置され、その反射面の長さ方向(紙面に垂直方
向)の長さは、露光区域の長さと同等か、もしくは若干
長く、これらの一対の周辺反射鏡52からの反射光によっ
て、それぞれ幅方向の周辺部FPが、第2図に示した照度
分布となるように過剰に露光される。なお、周辺反射鏡
52の姿勢は、フィルム基板材料Fの搬送面に垂直である
ことは必要でなく、傾斜していてもよい。また、周辺反
射鏡52の反射面の形態は、平面に限られず曲面であって
もよい。
The pair of peripheral reflecting mirrors 52 are arranged on the outer side in the width direction so as to sandwich the film substrate material F positioned at the image forming position, and stand upright in the optical axis direction of the image forming lens 70. The length of the reflecting surface in the length direction (perpendicular to the paper surface) is equal to or slightly longer than the length of the exposure area. part F P is overexposed so that the illuminance distribution shown in Figure 2. In addition, peripheral reflector
The posture of 52 does not need to be perpendicular to the transport surface of the film substrate material F, and may be inclined. Further, the form of the reflecting surface of the peripheral reflecting mirror 52 is not limited to a plane, but may be a curved surface.

第1図において、15は楕円型集光鏡、16は結像位置に
おける照度分布を均一化するためのインテグレータレン
ズ、17はコンデンサレンズである。ランプ10の輝点は楕
円型集光鏡15の第1焦点に位置され、インテグレータレ
ンズ16の中心は、楕円型集光鏡15の第2焦点に位置され
ている。
In FIG. 1, reference numeral 15 denotes an elliptical converging mirror, 16 denotes an integrator lens for uniforming the illuminance distribution at the image forming position, and 17 denotes a condenser lens. The bright spot of the lamp 10 is located at the first focal point of the elliptical condenser mirror 15, and the center of the integrator lens 16 is located at the second focal point of the elliptical condenser mirror 15.

40はシャッタであり、このシャッタ40は、フィルム基
板材料Fの間欠的な搬送に追随するように、所定のデュ
ーティーサイクルで開閉制御される。
Reference numeral 40 denotes a shutter, and the shutter 40 is controlled to open and close at a predetermined duty cycle so as to follow intermittent conveyance of the film substrate material F.

フィルム基材材料Fの搬送系は、搬送の駆動力となる
一対のフリクションローラ92,92と、このフリクション
ローラ92,92を回転・停止させる駆動源(図示省略)
と、この駆動源の動作を制御する制御回路(図示省略)
と、フィルム基板材料Fの搬送直線性および停止位置の
再現性を確保するためのスプロケットローラ94,押えロ
ーラ94′とを備えてなる。このスプロケットローラ94は
フィルム基板材料Fのパーフォレーション84に嵌合して
いる。
The conveyance system of the film base material F includes a pair of friction rollers 92, 92 serving as a driving force for conveyance, and a driving source (not shown) for rotating and stopping the friction rollers 92, 92.
And a control circuit (not shown) for controlling the operation of the drive source
And a sprocket roller 94 and a pressing roller 94 'for ensuring the transport linearity of the film substrate material F and the reproducibility of the stop position. The sprocket roller 94 is fitted into a perforation 84 of the film substrate material F.

結像レンズ70としては、最近の回路パターンの微細化
に応えるために、露光線幅が10μm程度の解像度を有す
るものが用いられる。
As the imaging lens 70, a lens having a resolution with an exposure line width of about 10 μm is used in order to respond to recent miniaturization of circuit patterns.

従って、幅方向の周辺部FPのポジ型フォトレジストの
膜厚が厚い場合にも、これを十分に感光させることがで
き、後の現像工程において幅方向周辺部FPのポジ型フォ
トレジストを容易に除去することができる。
Therefore, when the thickness of the positive photoresist is thick to be the peripheral portion F P in the width direction, which can be sufficiently sensitive, after the positive photoresist widthwise perimeter F P in the development step It can be easily removed.

次に、他の実施例を説明する。第3図は本発明の他の
実施例の説明図であり、第2図同様幅方向の側面図であ
る。周辺反射鏡の代わりに一対の周辺レンズ53を用いた
構成を採用している。
Next, another embodiment will be described. FIG. 3 is an explanatory view of another embodiment of the present invention, and is a side view in the width direction like FIG. A configuration using a pair of peripheral lenses 53 instead of the peripheral reflector is adopted.

第3図において、一対の周辺レンズ53は、幅方向の外
側に向う結像レンズ70からの光を、該方向の内側に屈折
させ、幅方向の周辺部FPに光照射させるものであり、こ
れらの一対の周辺レンズ53を透過する光によって、それ
ぞれ幅方向の周辺部FPが、第3図に示すように過剰に露
光される。
In FIG. 3, a pair of peripheral lens 53, the light from the imaging lens 70 toward the outer side in the width direction, is refracted inside the said direction, which is the light irradiation to the peripheral portion F P in the width direction, the light passing through these of the pair of peripheral lens 53, the peripheral portion F P of each width direction, are overexposed as shown in Figure 3.

この一対の周辺レンズ53は、周辺部FPのフォトレジス
トから見て、外側の斜め上方の位置において、フィルム
基板材料Fの長さ方向に沿って伸びるように配置された
例えばシリンドリカルレンズからなる。なお、これらの
周辺レンズ53においては、パターン形成部FCに向かう光
を屈折させないように、結像レンズ70からパターン形成
部FCに向かう光線が入射する部分はあらかじめカットさ
れている。
The pair of lens periphery 53, as viewed from the photoresist in the peripheral portion F P, in the oblique position above the outer, consisting placed for example cylindrical lenses so as to extend along the length of the film substrate material F. Incidentally, in these peripheral lens 53, so as not to refract light towards the pattern forming portion F C, part beams directed from the imaging lens 70 to the pattern forming portion F C is incident is pre-cut.

また、結像レンズ70と各周辺レンズ53との間には、そ
れぞれ遮蔽板20が配置されている。この遮蔽板20の像が
周辺レンズ53によってフィルム基板材料Fのパターン形
成部FCに結像するようになっており、その際の像の端部
はパターン形成部FCと周辺部FPの境界に一致するように
なっている。従って、この境界を鮮明にしてパターン形
成部FCに光が被らないようにすることができる。このた
め、パターン形成部FCがオーバー露光されることはな
い。
Further, between the imaging lens 70 and each of the peripheral lenses 53, the shielding plate 20 is disposed. The image of the shielding plate 20 is formed on the pattern forming portion F C of the film substrate material F by the peripheral lens 53, and the end of the image at that time is formed by the pattern forming portion F C and the peripheral portion FP . It is designed to match the boundaries. Therefore, it is possible to prevent light suffer this boundary vividly to the pattern forming section F C a. Therefore, not the pattern forming section F C is over-exposed.

この実施例のフィルム露光装置によれば、前記実施例
と同様に、幅方向の周辺部FPのポジ型フォトレジストの
膜厚が厚い場合にも、これを十分に感光させることがで
き、後の現像工程において幅方向の周辺部FPのポジ型フ
ォトレジストを容易に除去することができる。また、周
辺レンズ53を用いているので、集光効率が高く、従って
幅方向の周辺部FPを、パターン形成部FCよりも例えば1.
8倍以上の照度で露光することができる。
According to the film exposure apparatus of this embodiment, as in the embodiment, even when the thickness of the positive photoresist of the peripheral portion F P in the width direction is thick, can be sufficiently sensitive so, after the positive photoresist in the width direction of the peripheral portion F P can be easily removed in the development step. Moreover, because of the use of peripheral lens 53, high light collection efficiency, thus the peripheral portion F P in the width direction, the pattern forming section F C eg than 1.
Exposure can be performed with an illuminance of 8 times or more.

以上本発明の実施例について説明したが、これら以外
に、光源部からの光を導いて周辺部FPに光照射する光フ
ァイバ等を用い、この際の照度をパターン形成部FCの照
度より高くするようにすることも可能である。
Above have been described in the embodiments the present invention, in addition to these, using an optical fiber or the like irradiating light to the peripheral portion F P guiding light from the light source unit than the illuminance of the illuminance when the pattern forming section F C It is also possible to make it higher.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように、請求項1の発明によれば、ポジ
型フォトレジストのパターン形成部を露光する際に、パ
ターン形成部以外の幅方向の周辺部をも露光し、かつ当
該周辺部の照度をパターン形成部よりも高い照度とする
ので、ポジ型フォトレジストの周辺部の膜厚が厚い場合
でも、十分に感光させることができ、次の現像工程にお
いては、パターン形成部の感光部分のみならず周辺部の
フォトレジストをも容易に除去することができ、従来必
要とされていた、周辺部のフォトレジストの削り落とし
等の作業が不要となる。
As described above, according to the first aspect of the invention, when exposing the pattern forming portion of the positive photoresist, the peripheral portion in the width direction other than the pattern forming portion is also exposed, and the illuminance of the peripheral portion is also exposed. Illuminance is higher than that of the pattern forming part, so that even when the film thickness of the peripheral part of the positive photoresist is large, it is possible to sufficiently expose the photoresist, and in the next developing step, if only the photosensitive part of the pattern forming part is exposed, In addition, the photoresist in the peripheral portion can be easily removed, and the operation of removing the photoresist in the peripheral portion, which is conventionally required, is not required.

請求項2,3の発明によれば、ポジ型フォトレジストの
幅方向の周辺部を十分に感光させることができる。
According to the second and third aspects of the present invention, the peripheral portion in the width direction of the positive photoresist can be sufficiently exposed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図および第2図は本発明の実施例のフィルム露光装
置の説明図、第3図は本発明の他の実施例のフィルム露
光装置の説明図、第4図はロールコーターにより塗布さ
れたフォトレジスト層の状態を示す断面図である。 10……ランプ、15……楕円型集光鏡 16……インテグレータレンズ 17……コンデンサレンズ、20……遮蔽板 40……シャッタ、52……周辺反射鏡 53……周辺レンズ、70……結像レンズ 81……絶縁性フィルム基板 82……導電性薄膜、83……フォトレジスト層 84……パーフォレーション 92……フリクションローラ 94……スプロケットローラ 94′……押えローラ、FC……パターン形成部 FP……幅方向周辺部、M……フォトマスク F……フィルム基板材料
1 and 2 are explanatory views of a film exposure apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is an explanatory view of a film exposure apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is coated by a roll coater. It is sectional drawing which shows the state of a photoresist layer. 10 Lamp, 15 Elliptical condenser mirror 16 Integrator lens 17 Condenser lens, 20 Shielding plate 40 Shutter 52 Peripheral reflector 53 Peripheral lens 70 Image lens 81: Insulating film substrate 82: Conductive thin film, 83: Photoresist layer 84: Perforation 92: Friction roller 94: Sprocket roller 94 ': Pressing roller, F C: Pattern forming part F P … Peripheral part in width direction, M… Photo mask F… Film substrate material

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】その表面にポジ型フォトレジストが塗布さ
れた長尺なフィルム基板材料を露光領域に間欠的に搬送
しながら、ランプからの光をフォトマスクを透過させて
結像レンズに入射させ、この光を露光領域に結像させて
ポジ型フォトレジストの表面を露光する投影露光方式の
フィルム露光方法において、 ポジ型フォトレジストのパターン形成部をフォトマスク
のパターンの像を結像させて露光すると共に、パターン
形成部の外部における幅方向の周辺部を当該パターン形
成部よりも高い照度で露光することを特徴とするフィル
ム露光方法。
1. A method according to claim 1, wherein a long film substrate material coated with a positive photoresist on its surface is intermittently conveyed to an exposure area, and light from a lamp is transmitted through a photomask and made incident on an imaging lens. In a projection exposure type film exposure method of exposing the surface of a positive type photoresist by forming an image of the light on an exposure area, the pattern forming portion of the positive type photoresist is formed by forming an image of a pattern of a photomask. And exposing a peripheral portion in a width direction outside the pattern forming portion with higher illuminance than the pattern forming portion.
【請求項2】ランプと、 このランプからの光が照射されたフォトマスクを透過し
た光を露光領域に結び、フォトマスクの像を結像させる
結像レンズと、 その表面にポジ型フォトレジストが塗布された長尺なフ
ィルム基板材料を結像位置に間欠的に搬送する搬送系
と、 搬送されたフィルム基板材料の幅方向の外側に向かう結
像レンズからの光を、該幅方向の内側に反射させてフィ
ルム基板材料の幅方向の周辺部を光照射するように一対
の周辺反射鏡と を具備してなることを特徴とするフィルム露光装置。
2. A lamp, an imaging lens for connecting light transmitted through a photomask irradiated with light from the lamp to an exposure area to form an image of the photomask, and a positive photoresist on the surface thereof. A conveying system that intermittently conveys the coated long film substrate material to the image forming position; and a light from an image forming lens that goes outward in the width direction of the conveyed film substrate material, and enters the light inward in the width direction. A film exposure apparatus comprising: a pair of peripheral reflecting mirrors for reflecting light to irradiate a peripheral portion in a width direction of a film substrate material.
【請求項3】ランプと、 このランプからの光が照射されたフォトマスクを透過し
た光を結び、フォトマスクの像を結像させる結像レンズ
と、 その表面にポジ型フォトレジストが塗布された長尺なフ
ィルム基板材料を結像位置に間欠的に搬送する搬送系
と、 搬送されたフィルム基板材料の幅方向の外側に向かう結
像レンズからの光を、該幅方向の内側に屈折させてフィ
ルム基板材料の幅方向の周辺部を光照射するようにする
一対の周辺レンズと を具備してなることを特徴とするフィルム露光装置。
3. A lamp, an image forming lens for connecting light transmitted through a photomask irradiated with light from the lamp to form an image of the photomask, and a positive type photoresist applied to the surface thereof. A transport system for intermittently transporting a long film substrate material to an imaging position, and refracting light from an imaging lens directed outward in the width direction of the transported film substrate material inward in the width direction. A film exposure apparatus, comprising: a pair of peripheral lenses for irradiating a peripheral portion in a width direction of a film substrate material with light.
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