JP2781583B2 - Light emitting diode device - Google Patents

Light emitting diode device

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、発光ダイオード装置、特に発光面がドーム
状となる発光ダイオード素子(以下、単にチップとも称
する。)を光取り出し面が曲面となる透明樹脂からなる
パッケージで封止した発光ダイオード装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a light-emitting diode device, in particular, a light-emitting diode element having a light-emitting surface in a dome shape (hereinafter, also simply referred to as a chip). The present invention relates to a light emitting diode device sealed with a package made of a transparent resin.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

発光ダイオード(発光ダイオード素子)は光通信用光
源として、あるいはカメラやVTR(Video Tape Recorde
r)等のオートフォーカス用光源として使用されてい
る。たとえば、ミノルタカメラ株式会社発行「ミノルタ
テクノ レポート(MINOLTA TECHNO REPORT)」、No.
1、1984、P26に記載されているように、赤外LED(Light
Emitting Diode:LED)がカメラの自動焦点合わせ用の
発光源として使われている。同文献には「コンパクトな
カメラに適する測距モジュールを設計するには、発光、
受光両レンズの焦点距離及びこれらのレンズ間の間隔を
短かくする必要があるが、そのためには赤外LEDチップ
から出る光源光を小さく絞らなければならない。光源が
大きければ、受光素子上に帰ってくる反射光像もやはり
大きくなり、変位検出の分解能が悪くなる。」記載があ
り、かつLEDとしてチップをドーム状に研磨したもの
や、チップ上に極小の球レンズを配置したものがある旨
記載されている。
Light emitting diodes (light emitting diode elements) can be used as light sources for optical communications,
It is used as a light source for auto focus such as r). For example, "MINOLTA TECHNO REPORT" published by Minolta Camera Co., Ltd., No.
1, 1984, p. 26, an infrared LED (Light
Emitting Diode (LED) is used as a light source for automatic focusing of cameras. The document states, "To design a ranging module suitable for a compact camera,
It is necessary to shorten the focal length of both the receiving and receiving lenses and the distance between these lenses, but for that purpose, the light source light emitted from the infrared LED chip must be narrowed down. If the light source is large, the reflected light image returning to the light receiving element also becomes large, and the resolution of displacement detection is deteriorated. And that there is an LED in which a chip is polished in a dome shape, or an LED in which an extremely small spherical lens is arranged.

発光ダイオード素子を組み込んだ発光ダイオード装置
のパッケージ構造としては、TO型のキャンパッケージ構
造や透明レジンで封止したレジンパッケージ構造が知ら
れている。特願昭60−271448号公報には、ドーム状発光
ダイオード素子(ドーム状チップ)を内臓したキャンパ
ッケージの例が、オーム社発光ナショナル テクニカル
レポート(National Tecnical Report)」1988年2月
号、昭和63年2月18日発行、P20〜P26には平面形(矩形
体)のLEDチップ上に球レンズを取り付けたものを内臓
したキャンパッケージの例が、株式会社プレスジャーナ
ル発行「セミコンダクター ワールド(Semiconductor
World)」1982年6月号、昭和57年6月15日発行、P13〜
P36には平面形のチップを光取り出し面が曲面となる透
明な樹脂レンズで被った例が、それぞれ記載されてい
る。
As a package structure of a light emitting diode device incorporating a light emitting diode element, a TO type can package structure and a resin package structure sealed with a transparent resin are known. Japanese Patent Application No. 60-271448 discloses an example of a can package having a dome-shaped light-emitting diode element (dome-shaped chip) therein, which is described in Ohm's National Tecnical Report, February 1988, Showa 63. Published on February 18, 2006, P20-P26 is an example of a can package that incorporates a flat (rectangular) LED chip with a spherical lens mounted on it, published by Press Journal Inc., “Semiconductor World
World) ”June 1982 issue, June 15, 1982, P13-
P36 describes an example in which a planar chip is covered with a transparent resin lens having a curved light extraction surface.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

上記のように、近年、発光ダイオードの高出力用途
(通信用、カメラやVTR等のオートフォーカス用)にお
いて素子の発光面の形状自体がドーム状となる発光ダイ
オード素子や、平面型(矩形)の素子に直接球レンズを
装着した発光ダイオードが開発されている。また、透明
な樹脂(レジン)でレンズを形成するように素子をレジ
ンモールドしたパッケージ構造もある。
As described above, in recent years, in high-power applications of light-emitting diodes (for communication, for auto-focusing of cameras, VTRs, etc.), light-emitting diode elements in which the shape of the light-emitting surface of the element itself is dome-shaped, and planar (rectangular) Light emitting diodes in which a spherical lens is directly attached to the element have been developed. There is also a package structure in which elements are resin-molded so that a lens is formed of a transparent resin (resin).

一方、本出願人は、光取り出し面(発光面)を半球状
(ドーム状)にすることによって所望の小さな発光径を
得るとともに、光出力(前方向光出力:輝度)の向上を
図っている。光通信用の場合には前記文献にも示されて
いるように、光ファイバの結合性から発光径30μm,ドー
ム高さ20μm,ドーム半径200μmとなっている。また、
カメラ等のオートフォーカス用にあっては発光径100〜3
00μm,ドーム高さ200μm,ドーム半径200μmとなってい
る。
On the other hand, the present applicant obtains a desired small light emission diameter by making the light extraction surface (light emission surface) hemispherical (dome-shaped), and also improves the light output (forward light output: luminance). . In the case of optical communication, as shown in the above document, the light emitting diameter is 30 μm, the dome height is 20 μm, and the dome radius is 200 μm due to the coupling property of the optical fiber. Also,
Light emission diameter of 100 to 3 for auto focus such as cameras
The size of the dome is 200 μm, the dome height is 200 μm, and the dome radius is 200 μm.

ところで、このようなドームチップは、サブマウント
等を介して固定されるとともに金属キャップに被われ、
いわゆるキャンパッケージ構造として提供されている。
By the way, such a dome chip is fixed via a submount or the like and covered with a metal cap,
It is provided as a so-called can package structure.

キャンパッケージは前記レジンパッケージに比較して
気密性が良いことから、信頼度が高いが製造コストが高
くなる嫌いがある。
Since the can package has better airtightness than the resin package, the can package has high reliability but tends to increase the manufacturing cost.

そこで、本発明者は製造コスト低減を目的として、ド
ームチップを透明レジンで封止する構造を採用すること
を検討した。
Therefore, the present inventor studied to adopt a structure in which the dome chip is sealed with a transparent resin for the purpose of reducing the manufacturing cost.

しかし、光出力や発光径等の光学特性が特定されたド
ーム状チップをそのまま透明レジンにパッケージしたの
では、ドーム状チップの特性は失われてしまうというこ
とが本発明者によってあきらかにされた。
However, it has been clarified by the present inventors that the characteristics of the dome-shaped chip are lost if the dome-shaped chip whose optical characteristics such as light output and emission diameter are specified is packaged as it is in a transparent resin.

本発明の目的は、発光径,光出力等の光学特性が、内
蔵したドーム状チップの光学特性と略同一となる発光ダ
イオード装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a light emitting diode device in which optical characteristics such as a light emitting diameter and a light output are substantially the same as those of a built-in dome-shaped chip.

本発明の他の目的は、発光径,光出力等の光学特性
が、内蔵したドーム状チップの光学特性と略同一となる
量産性に富んだ安価な発光ダイオード装置を提供するこ
とにある。
Another object of the present invention is to provide an inexpensive light-emitting diode device with high mass productivity in which optical characteristics such as a light emission diameter and a light output are substantially the same as those of a built-in dome-shaped chip.

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴
は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになる
であろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
The outline of a representative invention among the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

本発明の発光ダイオード装置は、一対のリードの一方
のリード先端面にサブマウントを介してドーム状発光ダ
イオード素子が固定されているとともに、このドーム状
発光ダイオード素子のサブマウント上の電極はそれぞれ
一対のリードの先端面に電気的に接続されている。ま
た、一対のリードの先端部は前記発光ダイオード素子お
よびワイヤをも含んで透明樹脂からなりかつ光取り出し
面の曲率がRとなるレジンパッケージで被われている。
また、前記レジンパッケージの光取り出し面の曲率R
と、前記発光ダイオード素子の発光源から前記光取り出
し面との距離hとの相関は、R/h≒10となって、発光ダ
イオード装置の光出力および発光径は、内蔵されたドー
ム状の発光ダイオード素子固有の光出力および発光径と
略同一となるように構成されている。
In the light-emitting diode device of the present invention, a dome-shaped light-emitting diode element is fixed to one lead end surface of a pair of leads via a sub-mount, and the electrodes on the sub-mount of the dome-shaped light-emitting diode element are each a pair. Are electrically connected to the leading end surfaces of the leads. The tips of the pair of leads are covered with a resin package including the light emitting diode element and the wire, made of a transparent resin, and having a light extraction surface with a curvature of R.
Further, the curvature R of the light extraction surface of the resin package
And the distance h from the light-emitting source of the light-emitting diode element to the light extraction surface is R / h ≒ 10, and the light output and the light-emitting diameter of the light-emitting diode device have a built-in dome-shaped light emission. The light output and the light emission diameter specific to the diode element are configured to be substantially the same.

〔作用〕[Action]

上記したように、本発明の発光ダイオード装置は、カ
メラ等のオートフォーカス用光源として所望の光学特
性、すなわち、所望の光出力や発光径を有するドーム状
の発光ダイオード素子を、レンズを兼ねる透明なレジン
パッケージでパッケージングされているが、このレジン
パッケージの光取り出し面の曲率Rと、ドーム状発光ダ
イオード素子の発光源から光取り出し面に至る距離hと
はR/h≒10となり、発光ダイオード装置から発光される
光の特性は、内蔵されたドーム状発光ダイオード素子の
光学特性を損なうことなく略同一の光学特性を有するよ
うになり所望の特性を得ることができる。また、本発明
の発光ダイオード装置はレジンパッケージ構造となって
いることから、キャンパッケージ品に比較して生産コス
トが安くなる。
As described above, the light-emitting diode device of the present invention has a dome-shaped light-emitting diode element having a desired optical property as a light source for autofocus such as a camera, that is, a dome-shaped light-emitting diode element having a desired light output and a light emission diameter. Although packaged in a resin package, the curvature R of the light extraction surface of the resin package and the distance h from the light emitting source of the dome-shaped light emitting diode element to the light extraction surface are R / h ≒ 10, and the light emitting diode device The characteristics of the light emitted from the light emitting device have substantially the same optical characteristics without impairing the optical characteristics of the built-in dome-shaped light emitting diode element, and desired characteristics can be obtained. Further, since the light emitting diode device of the present invention has a resin package structure, the production cost is lower than that of a can package product.

〔実施例〕〔Example〕

以下図面を参照して本発明の一実施例について説明す
る。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例による発光ダイオード装置
を示す正面図、第2図は同じく発光ダイオード素子の固
定状態を示す断面図、第3図は同じく発光ダイオード素
子とサブマウントとの位置関係を示す分解斜視図、第4
図は同じく発光ダイオード装置の組立状態を示す正面
図、第5図は同じく発光ダイオード装置の製造における
モールド状態を示す断面図、第6図は発光源から光取り
出し面に至る距離に対する光取り出し面の曲率変化と、
ドーム状発光ダイオード素子の光出力に対するレジンパ
ッケージによる発光ダイオード装置の光出力変動との相
関を示すグラフ、第7図は発光源から光取り出し面に至
る距離に対する光取り出し面の曲率変化と、ドーム状発
光ダイオード素子の発光径に対するレジンパッケージに
よる発光ダイオード装置の発光径変動との相関を示すグ
ラフである。
FIG. 1 is a front view showing a light emitting diode device according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing a fixed state of the light emitting diode element, and FIG. 3 is a positional relationship between the light emitting diode element and a submount. Exploded perspective view showing the fourth
FIG. 5 is a front view showing an assembled state of the light-emitting diode device, FIG. 5 is a cross-sectional view showing a mold state in the manufacture of the light-emitting diode device, and FIG. Curvature change,
FIG. 7 is a graph showing the correlation between the light output of the dome-shaped light emitting diode element and the light output fluctuation of the light emitting diode device by the resin package. FIG. 7 shows the curvature change of the light extraction surface with respect to the distance from the light source to the light extraction surface, and the dome shape. 6 is a graph showing a correlation between a light emitting diameter of a light emitting diode element and a light emitting diameter variation of a light emitting diode device using a resin package.

この実施例による発光ダイオード装置1は、第1図に
示されるように、外観的には下部が太い段付円柱状の透
明レジンからなるレジンパッケージ2と、このレジンパ
ッケージ2の下端から突出する2本のリード3とからな
っている。
As shown in FIG. 1, a light emitting diode device 1 according to this embodiment has a resin package 2 made of a stepped cylindrical transparent resin having a thick bottom, and a protrusion 2 protruding from the lower end of the resin package 2. And a book lead 3.

前記レジンパッケージ2の上端は光取り出し面4とな
り、曲率半径の逆数である曲率Rを有する曲面となって
いる。また、このレジンパッケージ2内にあっては、前
記リード3の一方の一端面(上端面)には、第2図の拡
大断面図で示すように金とシリコンとからなる共晶層5
によってサブマウント6が固定されているとともに、こ
のサブマウント6上にはフェイスダウン構造でドーム状
の発光ダイオード素子(ドーム状チップ)7が固定され
ている。また、前記ドーム状チップ7の発光源(発光位
置)から前記レジンパッケージ2の光取り出し面4に至
る距離hは1.0mmとなっている。
The upper end of the resin package 2 is a light extraction surface 4 and has a curved surface having a curvature R which is the reciprocal of the radius of curvature. Further, in the resin package 2, one end face (upper end face) of the lead 3 is provided with an eutectic layer 5 made of gold and silicon as shown in an enlarged sectional view of FIG.
The submount 6 is fixed, and a dome-shaped light-emitting diode element (dome-shaped chip) 7 having a face-down structure is fixed on the submount 6. The distance h from the light emitting source (light emitting position) of the dome-shaped chip 7 to the light extraction surface 4 of the resin package 2 is 1.0 mm.

ここで前記ドーム状チップ7について簡単に説明す
る。
Here, the dome-shaped chip 7 will be briefly described.

前記ドーム状チップ7は、第2図および第3図に示さ
れるように、一面が半球状(ドーム状)のドーム面10と
なっていて、同図では下面となる主面、すなわち平坦面
11にカソード電極12およびアノード電極13を有してい
る。前記カソード電極12は、主面の中央に位置し、数十
から百μm前後の直径の点電極となっている。また、前
記アノード電極13は、この点電極であるカソード電極12
を同心円的に取り囲むような馬蹄形電極となっている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the dome-shaped chip 7 has a hemispherical (dome-shaped) dome surface 10 on one surface, and in FIG.
11 has a cathode electrode 12 and an anode electrode 13. The cathode electrode 12 is located at the center of the main surface and is a point electrode having a diameter of about several tens to about 100 μm. Further, the anode electrode 13 is a cathode electrode 12 which is a point electrode.
Are concentrically surrounded by a horseshoe-shaped electrode.

また、第2図に示されるように、前記カソード電極12
の下層のn+形層14と、前記アノード電極13の下層のp+
層15とは、リング状に設けられた溝(メサエッチ溝)に
よって電気的に分断されている。また、前記n+形層14の
内側には、n形層16,p形層17,GaAlAs層18が順次設けら
れている。前記p形層17は前記p+形層15と接し、かつ前
記溝はpn接合をリング状に分断するように深く設けられ
ている。また、前記溝はPSG膜やSiO2膜を重ねたパッシ
ベーション膜19で被われている。
Also, as shown in FIG.
The lower n + -type layer 14 and the lower p + -type layer 15 under the anode electrode 13 are electrically separated by a ring-shaped groove (mesa-etch groove). An n-type layer 16, a p-type layer 17, and a GaAlAs layer 18 are sequentially provided inside the n + -type layer 14. The p-type layer 17 is in contact with the p + -type layer 15, and the groove is provided deeply so as to divide the pn junction into a ring. Further, the groove is covered with a passivation film 19 in which a PSG film and a SiO 2 film are stacked.

前記ドーム状チップ7はドーム高さ200μm,ドーム半
径が200μmとなっている。また、前記溝で規定される
発光径は100〜300μm前後、たとえば、200μmとなっ
ている。
The dome-shaped chip 7 has a dome height of 200 μm and a dome radius of 200 μm. The light emission diameter defined by the groove is around 100 to 300 μm, for example, 200 μm.

一方、前記リード3の先端に取り付けられたサブマウ
ント6はシリコンで形成されているが、サブマウント16
上に固定されるドーム状チップ7と、このサブマウント
6を取り付けるリード3とを電気的に絶縁する必要があ
ることから、その上面には絶縁層25が設けられている。
また、第3図に示されるように、前記サブマウント6の
主面(上面)には、所望のパターンからなるアノード配
線層26およびカソード配線層27が設けられている。前記
アノード配線層26はドーム状チップ7のアノード電極13
に対応するパターンとなるとともに、一部はサブマウン
ト6の一端側に延在し、ワイヤを接続するためのボンデ
ィングパッド28を構成している。また、前記カソード配
線層27はドーム状チップ7のカソード電極12に対応する
パターンとなるとともに、一部はサブマウント6の他端
側に延在し、ワイヤを接続するためのボンディングパッ
ド29を構成している。そして、前記ドーム状チップ7
は、第2図に示されるように、フェイスダウンボンディ
ングによって、前記サブマウント6に位置決め固定され
ている。また、前記サブマウント6のボンディングパッ
ド28,29と、これに対応するリード3は金線からなるワ
イヤ30によって電気的に接続されている。このような発
光ダイオード装置1は前記2本のリード3に所定の電圧
を印加することによって、前記レジンパッケージ2内に
封入されたドーム状チップ7から光31を発光するように
なっている。
On the other hand, the submount 6 attached to the tip of the lead 3 is made of silicon.
Since it is necessary to electrically insulate the dome-shaped chip 7 fixed thereon and the lead 3 for attaching the submount 6, an insulating layer 25 is provided on the upper surface.
As shown in FIG. 3, on the main surface (upper surface) of the submount 6, an anode wiring layer 26 and a cathode wiring layer 27 having a desired pattern are provided. The anode wiring layer 26 is the anode electrode 13 of the dome-shaped chip 7.
And a part thereof extends to one end of the submount 6 to form a bonding pad 28 for connecting a wire. The cathode wiring layer 27 has a pattern corresponding to the cathode electrode 12 of the dome-shaped chip 7, and a part thereof extends to the other end side of the submount 6 to form a bonding pad 29 for connecting a wire. doing. And the dome-shaped chip 7
Are positioned and fixed to the submount 6 by face-down bonding, as shown in FIG. The bonding pads 28 and 29 of the submount 6 and the corresponding leads 3 are electrically connected by a wire 30 made of a gold wire. The light emitting diode device 1 emits light 31 from the dome-shaped chip 7 enclosed in the resin package 2 by applying a predetermined voltage to the two leads 3.

ところで、これが本発明の特徴の一つであるが、前記
レジンパッケージ2から放出された前記光31の光学特
性、すなわち、光出力PfMおよび発光径LMは、前記レジ
ンパッケージ2内に封入されたドーム状チップ7そのも
のの光出力PfCおよび発光径LCと略同一となるように、
前記レジンパッケージ2の光取り出し面4の曲率Rおよ
び前記ドーム状チップ7の発光源から前記レジンパッケ
ージ2の光取り出し面4に至る距離hが規定されてい
て、その相関はR/h≒10となっている。
Incidentally, this is is one of the features of the present invention, the optical characteristics of the light 31 emitted from the resin package 2, i.e., the optical output P fM and emission diameter L M is sealed in the resin package 2 So that the light output P fC and the light emission diameter L C of the dome-shaped chip 7 itself are substantially the same.
The curvature R of the light extraction surface 4 of the resin package 2 and the distance h from the light emitting source of the dome-shaped chip 7 to the light extraction surface 4 of the resin package 2 are defined, and the correlation is R / h ≒ 10. Has become.

この相関のR/h≒10が設定された理由は下記による。 The reason why R / h ≒ 10 of this correlation was set is as follows.

パッケージされない裸の状態のドーム状チップ7のチ
ップ光出力がPfC、チップ発光径をLCとし、レジンパッ
ケージでモールドされた発光ダイオード装置1の光出力
をPfM、発光径をLMとした場合、発光ダイオード装置1
から発光された光31の光出力PfMおよび発光径LMがドー
ム状チップ7そのもののチップ光出力PfCおよびチップ
発光径LCと同一となるということは、下記の(1)式お
よび(2)式が成り立つことになる。
Chip light output of the dome-shaped tip 7 of the bare state that is not package P fC, a chip light emitting diameter and L C, the optical output of the light emitting diode device 1 which is molded with resin package P fM, the light emitting diameter is L M In the case, the light emitting diode device 1
That the light output P fM and emission diameter L M of the light 31 that is emitted is the same as the chip light output P fC and chip light emitting diameter L C of the dome-shaped tip 7 itself from, the following (1) and ( 2) Equation holds.

PfM/PfC=1 ・・・(1) LM/LC=1 ・・・(2) そこで、前記レジンパッケージ2の光取り出し面4の
曲率をRとし、前記ドーム状チップ7の発光源から前記
レジンパッケージ2の光取り出し面4に至る距離をhと
した場合、R/hが変化したときの発光ダイオード装置1
の光出力PfMとドーム状チップ7のチップ光出力PfCの比
の依存性を、また、発光ダイオード装置1の発光径LM
ドーム状チップ7のチップ発光径LCの比の依存性を求め
た。第6図がR/h変動に対する光出力比変動のグラフで
あり、第7図がR/h変動に対する発光径比変動のグラフ
である。これらのグラフから、R/h≒10とすることによ
って、前記(1)式および(2)、すなわちPfM/PFC
1およびLM/LC=1を満足できることになり、レジンパ
ッケージ2でドーム状チップ7を被っても、レジンパッ
ケージ2から放出される光31は、ドーム状チップ状から
発光される光の光学特性と略同一の光学特性を得ること
ができるようになり、レジンパッケージでもキャンパッ
ケージと同様な光学特特性を得ることができるようにな
る。
P fM / P fC = 1 (1) L M / L C = 1 (2) Therefore, let the curvature of the light extraction surface 4 of the resin package 2 be R, and emit light of the dome-shaped chip 7. Assuming that the distance from the light source to the light extraction surface 4 of the resin package 2 is h, the light emitting diode device 1 when R / h changes
Of the ratio of dependence of the tip optical output P fC of the optical output P fM and the dome-shaped tip 7, The ratio of the dependence of the chip light emitting diameter L C of the light-emitting size L M and the dome-shaped tip 7 of the light emitting diode device 1 I asked. FIG. 6 is a graph of the variation of the light output ratio with respect to the R / h variation, and FIG. 7 is a graph of the variation of the emission diameter ratio with respect to the R / h variation. From these graphs, by setting R / h ≒ 10, the above-mentioned equations (1) and (2), that is, P fM / P FC =
1 and L M / L C = 1, so that even if the resin package 2 covers the dome-shaped chip 7, the light 31 emitted from the resin package 2 will be the optical light emitted from the dome-shaped chip. Optical characteristics substantially the same as the characteristics can be obtained, and the same optical characteristics as those of the can package can be obtained in the resin package.

つぎにこのような発光は方層ダイオード装置1の製造
方法について説明する。
Next, a method for manufacturing such a light emitting diode device 1 will be described.

この発光ダイオード装置1の製造にあっては、最初に
第4図に示されるようなリードフレーム40が用意され
る。このリードフレーム40は、数mmの厚さの金属板をプ
レスで打ち抜くことによって形成される。リードフレー
ム40は細長の枠41の一側から定間隔に平行に複数のリー
ド3を突出した構造となっている。また、前記枠41に平
行となりかつ各リード3を連結するダム42が設けられて
いる。単位リードフレームは、第4図に示されるよう
に、2本のリード3で構成されている。また、前記リー
ド3にあって、右側のリード3はその先端が左側に部分
的に張り出す固定部43を有している。この固定部43の上
端には前記サブマウント6が固定されるようになってい
る。また、両リード3の先端部分は、モールドされた
後、レジンパッケージ2から抜けないように幅広となっ
ているとともに、それぞれ内側に抜け防止用突部44,45
が設けられている。なお、前記固定部43上端は平坦に加
工される。
In manufacturing the light emitting diode device 1, first, a lead frame 40 as shown in FIG. 4 is prepared. The lead frame 40 is formed by punching a metal plate having a thickness of several mm with a press. The lead frame 40 has a structure in which a plurality of leads 3 protrude from one side of an elongated frame 41 in parallel at regular intervals. Further, a dam 42 which is parallel to the frame 41 and connects each lead 3 is provided. The unit lead frame is composed of two leads 3, as shown in FIG. Further, in the lead 3, the right lead 3 has a fixing portion 43 whose tip partially projects to the left. The submount 6 is fixed to the upper end of the fixing portion 43. The ends of the leads 3 are wide so that they do not come out of the resin package 2 after being molded, and the protrusions 44 and 45 are provided inside to prevent the leads 3 from coming off.
Is provided. The upper end of the fixing portion 43 is processed flat.

一方、前記サブマウント6上にはドーム状チップ7が
アノード配線層26およびカソード配線層27に対して位置
決めされかつフェイスダウンボンディングによって固定
される。
On the other hand, the dome-shaped chip 7 is positioned on the sub-mount 6 with respect to the anode wiring layer 26 and the cathode wiring layer 27 and fixed by face-down bonding.

そこで、このようにドーム状チップ7が取り付けられ
たサブマウント6が前記リードフレーム40の固定部43上
に共晶層5によって固定される。つぎに、前記サブマウ
ント6のアノード配線層26およびカソード配線層27のボ
ンディングパッド28,29と、両リード3がAuからなるワ
イヤ30で電気的に接続される。
Thus, the submount 6 to which the dome-shaped chip 7 is attached is fixed by the eutectic layer 5 on the fixing portion 43 of the lead frame 40. Next, the leads 3 are electrically connected to the bonding pads 28 and 29 of the anode wiring layer 26 and the cathode wiring layer 27 of the submount 6 by wires 30 made of Au.

つぎに、このリードフレーム40は、第5図に示される
ように、ドーム状チップ7を取り付けたリード3の先端
が下を向くように逆さにされた後、キャストモールドの
モールド型46のキャビティ47に入れられる。前記キャビ
ティ47は上部が太径となる段付円形孔からなるととも
に、その底面は曲率R、たとえば光取り出しレンズ面で
形成されている。また、キャビティ47内にはエポキシレ
ジン等からなる溶けた透明レジン48が一定量入れられて
いる。そして、前記リードフレーム40は、ドーム状チッ
プ7の発光源からキャビティ47の底面までの距離がh、
たとえば1.0mmとなる高さまで正確に降下される。その
後、前記溶けた透明レジン48が硬化した後、前記リード
フレーム40は引き上げられる。前記溶けた透明レジン48
は硬化して透明なレジンパッケージ2となり、リード3
の先端部全体を被うため、モールド型46から引き抜かれ
る。
Next, as shown in FIG. 5, the lead frame 40 is turned upside down so that the tip of the lead 3 to which the dome-shaped chip 7 is attached faces downward, and then the cavity 47 of the mold 46 of the cast mold is formed. Can be put in. The cavity 47 has a stepped circular hole having a large diameter at the top, and has a bottom surface formed with a curvature R, for example, a light extraction lens surface. In the cavity 47, a fixed amount of melted transparent resin 48 made of epoxy resin or the like is put. The lead frame 40 has a distance h from the light emitting source of the dome-shaped chip 7 to the bottom surface of the cavity 47,
For example, it is accurately lowered to a height of 1.0 mm. Thereafter, after the melted transparent resin 48 is cured, the lead frame 40 is pulled up. The melted transparent resin 48
Cures into a transparent resin package 2 and leads 3
It is pulled out of the mold 46 to cover the entire tip of the mold.

つぎに、リードフレーム40の不要部分、すなわち枠41
およびダム42が切断除去されて、第1図に示されるよう
な発光ダイオード装置1が製造される。
Next, unnecessary portions of the lead frame 40, that is, the frame 41
Then, the dam 42 is cut and removed, and the light emitting diode device 1 as shown in FIG. 1 is manufactured.

このような実施例によれば、つぎのような効果が得ら
れる。
According to such an embodiment, the following effects can be obtained.

(1)本発明の発光ダイオード装置は、透明なレジンパ
ッケージでドーム状チップを封止した構造となっている
が、レジンパッケージの光取り出し面の曲率Rとドーム
状チップの発光源から前記レジンパッケージの光取り出
し面に至る距離hとの関係をR/h≒10となるようにして
いることから、発光ダイオード装置から発光される光の
特性はドーム状チップの光学特性そのものと略同じとな
るという効果が得られる。
(1) The light-emitting diode device of the present invention has a structure in which a dome-shaped chip is sealed with a transparent resin package, but the curvature R of the light extraction surface of the resin package and the light-emitting source of the dome-shaped chip make the resin package. Since the relationship with the distance h to the light extraction surface is set to R / h ≒ 10, the characteristics of light emitted from the light emitting diode device are substantially the same as the optical characteristics of the dome-shaped chip itself. The effect is obtained.

(2)上記(1)により、本発明の発光ダイオード装置
は、光出力PfMおよび発光径LMが内蔵したドーム状チッ
プのチップ光出力PfCの20mWおよびチップ発光径LCの200
μmと同一となり、カメラやVTR用オートフォーカスの
光源として充分使用できるものとなるという効果が得ら
れる。
(2) the above (1), light emitting diode device of the present invention, 200 of 20mW and chip light emitting diameter L C of the optical output P fM and emission diameter L M is a dome-shaped chip having a built-chip optical output P fC
μm, which is an effect that the light source can be sufficiently used as a light source for a camera or an autofocus for a VTR.

(3)本発明の発光ダイオード装置は、ドーム状チップ
を透明なレジンパッケージでモールドすることによって
製造されるため、量産化が可能となるという効果が得ら
れる。
(3) Since the light emitting diode device of the present invention is manufactured by molding a dome-shaped chip with a transparent resin package, the effect that mass production is possible is obtained.

(4)本発明の発光ダイオード装置はドーム状チップを
透明なレジンパッケージで被った構造となっていること
から、加工や組立が面倒なキャンパッケージ製品に比較
して生産コストが安価となるという効果が得られる。
(4) Since the light emitting diode device of the present invention has a structure in which the dome-shaped chip is covered with a transparent resin package, the production cost is lower than that of a can package product which is difficult to process and assemble. Is obtained.

(5)上記(1)〜(4)により、本発明によれば、封
止したドーム状チップの光学特性と略同一の光学特性を
有するレジンパッケージ型の発光ダイオード装置を安価
に提供することができるという相乗効果が得られる。
(5) According to (1) to (4), according to the present invention, it is possible to provide a resin package type light emitting diode device having optical characteristics substantially the same as the optical characteristics of a sealed dome-shaped chip at low cost. The synergistic effect of being able to do is obtained.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes can be made without departing from the gist of the invention. Nor.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野であるカメラやVTR用オ
ートフォーカス用光源としての発光ダイオード装置の製
造技術に適用した場合について説明したが、それに限定
されるものではなく、光通信用発光ダイオード装置の製
造技術等に適用できる。
In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to a manufacturing technique of a light emitting diode device as a light source for an autofocus for a camera or a VTR, which is a background field of application, has been described. However, the present invention can be applied to a technique for manufacturing a light emitting diode device for optical communication.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
The effects obtained by the representative inventions among the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

本発明の発光ダイオード装置は、その製造において、
レジンパッケージの光取り出し面の曲率Rとドーム状チ
ップの発光源から前記レジンパッケージの光取り出し面
に至る距離hとがR/h≒10となるように設計されている
ことから、内蔵されたドーム状チップの固有の光学特性
を変えることなくレジンパッケージから光を発光させる
ことができる。また、この構造は従来のキャンパッケー
ジ構造に比較して生産コストが安価となる。したがっ
て、所望の光出力および発光径を有するドーム状チップ
を組み込むことによって、カメラやVTR用オートフォー
カス用光源としての発光ダイオード装置を安価に提供す
ることができる。
The light emitting diode device of the present invention, in its manufacture,
Since the curvature R of the light extraction surface of the resin package and the distance h from the light emitting source of the dome-shaped chip to the light extraction surface of the resin package are designed to be R / h ≒ 10, the built-in dome Light can be emitted from the resin package without changing the inherent optical characteristics of the chip. In addition, this structure has a lower production cost than the conventional can package structure. Therefore, by incorporating a dome-shaped chip having a desired light output and emission diameter, a light-emitting diode device as a light source for a camera or an autofocus for a VTR can be provided at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の一実施例による発光ダイオード装置を
示す正面図、 第2図は同じく発光ダイオード素子の固定状態を示す断
面図、 第3図は同じく発光ダイオード素子とサブマウントとの
位置関係を示す分解斜視図、 第4図は同じく発光ダイオード装置の組立状態を示す正
面図、 第5図は同じく発光ダイオード装置の製造におけるモー
ルド状態を示す断面図、 第6図は発光源から光取り出し面に至る距離に対する光
取り出し面の曲率変化と、ドーム状発光ダイオード素子
の光出力に対するレジンパッケージによる発光ダイオー
ド装置の光出力変動との相関を示すグラフ、 第7図は発光源から光取り出し面に至る距離に対する光
取り出し面の曲率変化と、ドーム状発光ダイオード素子
の発光径に対するレジンパッケージによる発光ダイオー
ド装置の発光径変動との相関を示すグラフである。 1……発光ダイオード装置、2……レジンパッケージ、
3……リード、4……光取り出し面、5……共晶層、6
……サブマウント、7……発光ダイオード素子(ドーム
状チップ)、10……ドーム面、11……平坦面、12……カ
ソード電極、13……アノード電極、14……n+形層、15…
…p+形層、16……n形層、17……p形層、18……GaAlAs
層、19……パッシベーション膜、25……絶縁層、26……
アノード配線層、27……カソード配線層、28……ボンデ
ィングパッド、29……ボンディングパッド、30……ワイ
ヤ、31……光、40……リードフレーム、41……枠、42…
…ダム、43……固定部、44,45……抜け防止用突部、46
……モールド型、47……キャビティ、48……溶けた透明
レジン。
FIG. 1 is a front view showing a light emitting diode device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing a fixed state of the light emitting diode element, and FIG. 3 is a positional relationship between the light emitting diode element and a submount. FIG. 4 is a front view showing an assembled state of the light-emitting diode device, FIG. 5 is a cross-sectional view showing a molded state in the manufacture of the light-emitting diode device, and FIG. Is a graph showing a correlation between a change in curvature of the light extraction surface with respect to the distance to the light source, and a change in the light output of the light emitting diode device by the resin package with respect to the light output of the dome-shaped light emitting diode element. The change in the curvature of the light extraction surface with respect to the distance and the light emitting diode with the resin package for the light emitting diameter of the dome-shaped light emitting diode element It is a graph showing a correlation between emission diameter change movement of the device. 1 ... light emitting diode device, 2 ... resin package,
3 ... lead, 4 ... light extraction surface, 5 ... eutectic layer, 6
...... Submount, 7 ... Light-emitting diode element (dome-shaped chip), 10 ... Dome surface, 11 ... Flat surface, 12 ... Cathode electrode, 13 ... Anode electrode, 14 ... n + -type layer, 15 …
... p + -type layer, 16 ... n-type layer, 17 ... p-type layer, 18 ... GaAlAs
Layer, 19 ... passivation film, 25 ... insulating layer, 26 ...
Anode wiring layer, 27 Cathode wiring layer, 28 Bonding pad, 29 Bonding pad, 30 Wire, 31 Light, 40 Lead frame, 41 Frame, 42
… Dam, 43… fixed part, 44, 45 …… projecting part to prevent falling off, 46
…… Mold type, 47 …… Cavity, 48 …… Melted transparent resin.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菊池 悟 埼玉県入間郡毛呂山町大字旭台15番地 日立東部セミコンダクタ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭50−148091(JP,A) 特開 昭63−104489(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 33/00──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Satoru Kikuchi 15 Asahidai, Moroyama-cho, Iruma-gun, Saitama Hitachi East Semiconductor Company, Ltd. (56) References JP 50-148091 (JP, A) JP 63 −104489 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 33/00

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】ドーム状の発光面を有する発光ダイオード
素子を透明樹脂で封止してなり、前記透明樹脂の光取り
出し面は曲面状に形成され且つ該曲面の曲率Rと前記発
光ダイオード素子の発光源から該光取り出し面までの距
離hとがR/h≒10なる関係を満たすように設定されるこ
とを特徴とする発光ダイオード装置。
1. A light-emitting diode element having a dome-shaped light-emitting surface is sealed with a transparent resin, and a light extraction surface of the transparent resin is formed in a curved surface. A light emitting diode device wherein a distance h from a light emitting source to the light extraction surface is set to satisfy a relationship of R / h ≒ 10.
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