JP2778586B2 - Electron beam lithography system - Google Patents

Electron beam lithography system

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JP2778586B2
JP2778586B2 JP8167680A JP16768096A JP2778586B2 JP 2778586 B2 JP2778586 B2 JP 2778586B2 JP 8167680 A JP8167680 A JP 8167680A JP 16768096 A JP16768096 A JP 16768096A JP 2778586 B2 JP2778586 B2 JP 2778586B2
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造に
使用される電子ビーム描画装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an electron beam drawing apparatus used for manufacturing a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子ビーム描画装置において、被処理物
への描画実施時に外部磁場の変動が生じた場合、電子ビ
ームの軌道が曲げられ、所望のパターンを所望の位置に
描画することが不可能となる。通常電子ビーム描画装置
は予期しない電子ビームの位置ズレを抑える為、外部磁
界変動の極めて小さい環境に設置する。しかし磁性を有
する物体が付近を移動した場合や付近の電力ケーブルに
大電流が流れた場合等に電子ビーム描画装置の周囲の磁
界が乱れ、電子ビームの軌道に影響を与えてしまい描画
不良が発生する。しかし、微少なエリアの描画を繰り返
し行う電子ビーム描画装置では、検査装置を用いても描
画不良個所の特定が困難である。積極的に外部磁界変動
を偏向器にフィードバックするということも考えられる
が、電気回路の演算素子スピードから見て非現実的な技
術である。
2. Description of the Related Art In an electron beam lithography apparatus, when an external magnetic field fluctuates during writing on an object to be processed, the trajectory of the electron beam is bent, making it impossible to draw a desired pattern at a desired position. Becomes Usually, an electron beam lithography apparatus is installed in an environment where the external magnetic field fluctuation is extremely small in order to suppress unexpected positional deviation of the electron beam. However, when a magnetic object moves in the vicinity or a large current flows in the nearby power cable, the magnetic field around the electron beam writing device is disturbed, affecting the trajectory of the electron beam and causing drawing defects. I do. However, in an electron beam lithography system that repeatedly performs lithography in a minute area, it is difficult to specify a defective lithography portion even using an inspection device. Although it is conceivable to positively feed back the external magnetic field fluctuation to the deflector, this is an unrealistic technique in view of the operation speed of the electric circuit.

【0003】図4は従来の電子ビーム描画装置機の構成
を示すブロック図である。従来、電子ビーム描画装置は
電子ビーム9を出力する為の電子銃1、電子ビーム9を
矩形に形成する第1アパーチャ2、第1アパーチャ2を
通過した電子ビームの回転補正、歪み補正、偏向を行う
成形レンズ3、第1アパーチャとの切り合いにより所望
のビーム形状を発生させる第2アパーチャ4、電子ビー
ムを被処理物7に縮小、照射する為の対物レンズ5及
び、前記電子ビーム9を被処理物7上の所定の位置に偏
向する偏向器6からなる電子光学系と、被処理物7を載
置して移動する為のステージ8とを内蔵するコラムと、
ステージ8の位置を認識するためのレーザビーム11の
制御を行うレーザ干渉計10を有するステージ制御器
と、レーザ干渉計10からの信号を処理し、偏向器6へ
所望の偏向電圧を与える描画制御システム12を有す
る。
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a conventional electron beam writing apparatus. Conventionally, an electron beam writing apparatus performs an electron gun 1 for outputting an electron beam 9, a first aperture 2 for forming the electron beam 9 in a rectangular shape, and a rotation correction, a distortion correction, and a deflection of an electron beam passing through the first aperture 2. The shaping lens 3 to be formed, the second aperture 4 for generating a desired beam shape by cutting with the first aperture, the objective lens 5 for reducing and irradiating the object 7 with the electron beam, and the electron beam 9 A column including an electron optical system including a deflector 6 for deflecting the workpiece 7 to a predetermined position, and a stage 8 for mounting and moving the workpiece 7;
A stage controller having a laser interferometer 10 for controlling the laser beam 11 for recognizing the position of the stage 8, and a drawing control for processing a signal from the laser interferometer 10 and applying a desired deflection voltage to the deflector 6 It has a system 12.

【0004】次に動作について説明する。電子銃1から
放射された電子ビーム9は第1アパーチャ2、成形レン
ズ3により成形、偏向され、第2アパーチャ4の所望の
領域を照らす。第2アパーチャ4通過後の電子ビーム9
は、対物レンズ5により縮小され、偏向器6によりステ
ージ8上の被処理物7を照射する。被処理物7上での電
子ビーム9の位置はレーザ干渉計10の信号と偏向器6
の印可電圧(もしくは電子ビームの偏向位置の座標デー
タ)より描画制御システム12にて計算される。描画制
御システム12は電子ビーム9を被処理物7上の所望の
位置に照射する為、ステージ8の移動、及び偏向器6の
印可電圧(電子ビームの偏向位置に対応)制御を行う。
Next, the operation will be described. An electron beam 9 emitted from the electron gun 1 is shaped and deflected by the first aperture 2 and the shaping lens 3 to illuminate a desired area of the second aperture 4. Electron beam 9 after passing through second aperture 4
Is reduced by the objective lens 5 and the object 7 on the stage 8 is irradiated by the deflector 6. The position of the electron beam 9 on the workpiece 7 is determined by the signal of the laser interferometer 10 and the deflector 6.
Is calculated by the drawing control system 12 from the applied voltage (or the coordinate data of the deflection position of the electron beam). The drawing control system 12 controls the movement of the stage 8 and the applied voltage of the deflector 6 (corresponding to the deflection position of the electron beam) in order to irradiate the electron beam 9 to a desired position on the workpiece 7.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】この従来の電子ビーム
描画装置では描画制御システムによるステージと偏向器
が制御され、被処理物上の所望の位置へ向けて電子ビー
ムを照射する機能を有しているが、外部磁界変動による
電子ビームの意図しない偏向の乱れから生じる描画不良
を認識する手段を有していなかった。その際、描画不良
の確認は製品動作チェックを待たなければならず、当
然、再工事も不可能となり製品の収率は著しく低下す
る。又、描画不良の検査を行う場合、外部磁界変動によ
る描画不良箇所の特定は極めて困難であり、特に微細パ
ターンが全面に描画される製品に於いては、外観検査等
は不可能である。積極的に描画不良箇所を抑制する為、
外部磁界変動を偏向器にフィードバックするという方法
は、電気回路の演算素子スピードから見て非現実的な技
術であり、当然実現していないという問題点がある。
In this conventional electron beam writing apparatus, a stage and a deflector are controlled by a writing control system, and the electron beam writing apparatus has a function of irradiating an electron beam to a desired position on an object to be processed. However, there is no means for recognizing a drawing failure caused by unintended deflection of the electron beam due to an external magnetic field fluctuation. At that time, the drawing failure must be confirmed by checking the operation of the product. Naturally, rework is impossible and the yield of the product is significantly reduced. Further, when performing a drawing failure inspection, it is extremely difficult to specify a drawing failure location due to an external magnetic field fluctuation. In particular, in a product in which a fine pattern is drawn on the entire surface, an appearance inspection or the like is impossible. In order to proactively suppress drawing defects,
The method of feeding back the external magnetic field fluctuation to the deflector is an unrealistic technique in view of the operation speed of the electric circuit and has a problem that it is not realized.

【0006】本発明の目的は、外部磁界変動による描画
不良のチェックを容易にする手段を備えた電子ビーム描
画装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an electron beam writing apparatus provided with means for facilitating checking of a writing defect due to an external magnetic field fluctuation.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の電子ビーム描画
装置は、電子ビームを発生し成形し偏向して被処理物に
照射する電子光学系及び前記被処理物を載置するステー
ジを内蔵したコラムと、前記ステージの位置を検出し移
動させるステージ制御器と、前記電子光学系及びステー
ジ制御器を制御して前記被処理物に電子ビーム描画を行
なう描画制御システムとを有する電子ビーム描画装置に
おいて、前記コラム周辺の外部磁界の変動を検知して信
号を発生する手段と、前記外部磁界変動の検知信号を受
けて前記描画制御システムから前記ステージの位置情報
と偏向位置情報とにより算出される前記被処理物上のビ
ーム照射目標位置の座標データを受取って格納する描画
位置計算機とを有するものである。
An electron beam writing apparatus according to the present invention includes an electron optical system for generating, shaping, deflecting, and irradiating an object to be processed with an electron beam, and a stage for mounting the object to be processed. A column, a stage controller that detects and moves the position of the stage, and a drawing control system that controls the electron optical system and the stage controller to perform electron beam drawing on the object to be processed. Means for detecting a change in the external magnetic field around the column to generate a signal, and receiving the detection signal of the change in the external magnetic field, calculating the position information and the deflection position information of the stage from the drawing control system. A drawing position calculator that receives and stores the coordinate data of the beam irradiation target position on the workpiece.

【0008】この場合、描画位置計算機がビーム照射目
標位置の座標データに所定の変換を行なって外部検査装
置用の座標データとして出力する手段を設けることがで
きる。
In this case, means may be provided for the drawing position calculator to perform a predetermined conversion on the coordinate data of the beam irradiation target position and output the coordinate data for the external inspection apparatus.

【0009】また、描画位置計算機がビーム照射目標位
置の座標データ及び描画データを描画制御システムから
受取って格納するようにしてもよい。
The drawing position calculator may receive the coordinate data and the drawing data of the beam irradiation target position from the drawing control system and store them.

【0010】更に、描画位置計算機がビーム照射目標位
置の座標データ及び描画データにそれぞれ所定の変換を
行なって外部検査装置用の座標データ及び認識データと
して出力する手段を設けることができる。
Further, it is possible to provide a means for the drawing position calculator to perform a predetermined conversion on the coordinate data of the beam irradiation target position and the drawing data, respectively, and to output them as coordinate data and recognition data for the external inspection apparatus.

【0011】ビーム照射目標位置の座標データをもとに
被処理物上の外部磁界変動による描画不良のチェックが
可能である。
[0011] Based on the coordinate data of the beam irradiation target position, it is possible to check for a writing defect due to an external magnetic field variation on the workpiece.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態の電子
ビーム描画装置の構成を示すブロック図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the electron beam writing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【0013】この実施の形態は、電子ビーム9を出力す
る為の電子銃1、電子ビーム9を矩形に形成する第1ア
パーチャ2、第1アパーチャ2を通過した電子ビーム9
の回転補正、歪み補正及び偏向を行う成形レンズ3、第
1アパーチャとの切り合いにより所望のビーム形状を発
生させる第2アパーチャ4、電子ビーム9を被処理物7
に縮小、照射する為の対物レンズ5及び電子ビーム9を
被処理物7上の所定の位置に偏向する偏向器6からなる
電子光学系と、被処理物7を移動する為のステージ8と
を内蔵するコラムと、ステージ8の位置を認識するため
のレーザビーム11の制御を行うレーザ干渉計10を有
するステージ制御系と、レーザ干渉計10からの信号を
処理し、偏向器6に所要の偏向電圧を与える描画制御シ
ステム12と、外部磁界変動を認識するための磁気測定
器13と、磁気測定器13の信号と描画制御システム1
2の情報より外部出力情報を出力する描画位置計算機1
4を有する。
In this embodiment, an electron gun 1 for outputting an electron beam 9, a first aperture 2 for forming the electron beam 9 in a rectangular shape, and an electron beam 9 having passed through the first aperture 2
Forming lens 3 for performing rotation correction, distortion correction and deflection of the laser beam, second aperture 4 for generating a desired beam shape by engagement with the first aperture, and electron beam 9 to be processed 7
An electron optical system composed of an objective lens 5 for reducing and irradiating an electron beam 9 and a deflector 6 for deflecting the electron beam 9 to a predetermined position on the processing object 7, and a stage 8 for moving the processing object 7 A stage control system having a built-in column, a laser interferometer 10 for controlling a laser beam 11 for recognizing the position of the stage 8, a signal from the laser interferometer 10, and a deflector 6 Drawing control system 12 for applying voltage, magnetometer 13 for recognizing external magnetic field fluctuation, signal of magnetometer 13 and drawing control system 1
Drawing position calculator 1 that outputs external output information from the information of item 2
4

【0014】次に動作について説明する。電子銃1から
放射された電子ビーム9は第1アパーチャ2、成形レン
ズ3により成形、偏向され、第2アパーチャ4の所望の
領域を照らす。第2アパーチャ4通過後の電子ビーム9
は対物レンズ5により縮小され、偏向器6によりステー
ジ8上の被処理物7を照射する。被処理物7上での電子
ビーム9の位置(ビーム照射目標位置)はレーザ干渉計
10の信号と偏向器6の印可電圧より(もしくは電子ビ
ームの偏向位置の座標データ)より描画制御システム1
2にて計算される。描画制御システム12は電子ビーム
9を被処理物7上の所望の位置に照射する為、ステージ
8の移動、及び偏向器6の印可電圧制御を行う。磁気測
定器13は常時外部磁界をモニタし、その出力を描画位
置計算機14に入力する。描画位置計算機14は磁気測
定器の信号を受け、予め設定された許容値を越える磁界
変動が発生した場合、描画制御システム12にて計算さ
れた現状の前述した被処理物7上での電子ビーム9の位
置の座標データ(描画位置情報)を記録し、保管する。
描画位置計算機14にて記録し、保管された描画位置情
報は外部の検査装置(図示しない)のステージ座標デー
タに変換された後、出力される。外部検査装置は描画位
置計算機14より得られたステージ座標データにに従
い、外観検査、測定検査を行う。
Next, the operation will be described. An electron beam 9 emitted from the electron gun 1 is shaped and deflected by the first aperture 2 and the shaping lens 3 to illuminate a desired area of the second aperture 4. Electron beam 9 after passing through second aperture 4
Is reduced by the objective lens 5 and the object 7 on the stage 8 is irradiated by the deflector 6. The position of the electron beam 9 on the workpiece 7 (beam irradiation target position) is determined from the signal of the laser interferometer 10 and the applied voltage of the deflector 6 (or the coordinate data of the deflection position of the electron beam).
It is calculated by 2. The drawing control system 12 moves the stage 8 and controls the applied voltage of the deflector 6 in order to irradiate the electron beam 9 to a desired position on the workpiece 7. The magnetometer 13 constantly monitors the external magnetic field, and inputs its output to the drawing position calculator 14. The drawing position calculator 14 receives the signal from the magnetometer, and when a magnetic field fluctuation exceeding a preset allowable value occurs, the current position of the electron beam on the workpiece 7 calculated by the drawing control system 12 is calculated. Record and store the coordinate data (drawing position information) at the position 9.
The drawing position information recorded and stored by the drawing position calculator 14 is converted into stage coordinate data of an external inspection device (not shown) and then output. The external inspection device performs an appearance inspection and a measurement inspection according to the stage coordinate data obtained from the drawing position calculator 14.

【0015】図2は本実施の形態を使用する描画作業の
処理手順を示すフローチャートである。まず、ステップ
100において、電子ビーム描画装置を始動させ、マス
ク材等の被処理物をステージ8にロードして製品作業を
開始する。製品作業開始の指示を受けて磁気測定器13
は外部磁界信号の描画位置計算機への出力を開始する
(ステップ101)。描画制御システム12は描画開始
と同時に描画位置情報を描画位置計算機14への出力を
開始する(ステップ102)。描画位置計算機14は、
外部磁界信号を基準値と比較して外部磁界の変動の有無
をモニタする。外部磁界信号が基準値を越えると許容値
を越える外部磁界変動があったと判断して(ステップ1
03)、その時点における描画位置情報(ビーム照射目
標位置の座標データ。実際のビーム照射位置は外部磁界
の変動の影響を受けてこれよりずれている。)を記録し
保管する(ステップ104)。描画終了の指示が描画制
御システム12から発生するまでステップ103、10
4を続行する。描画制御システム12が停止する(ステ
ップ106)と、外部磁界変動の監視を終了する(ステ
ップ107)。描画が終了した後、描画位置計算機1は
既に記録し、保存されている描画位置座標を外部検査装
置の有する座標系に則した座標データに変換する(ステ
ップ108)。変換された座標データは外部検査装置に
検査対象座標データとして出力される(ステップ10
9)。最後に、被処理物をコラムから取り出すことによ
り、製品作業は終了する(ステップ110)。
FIG. 2 is a flowchart showing a processing procedure of a drawing operation using the present embodiment. First, in step 100, the electron beam lithography apparatus is started, an object to be processed such as a mask material is loaded on the stage 8, and a product operation is started. Upon receiving an instruction to start product work, the magnetometer 13
Starts outputting the external magnetic field signal to the drawing position calculator (step 101). The drawing control system 12 starts outputting the drawing position information to the drawing position calculator 14 simultaneously with the start of the drawing (step 102). The drawing position calculator 14
An external magnetic field signal is compared with a reference value to monitor whether or not the external magnetic field fluctuates. If the external magnetic field signal exceeds the reference value, it is determined that there is an external magnetic field fluctuation exceeding an allowable value (step 1).
03), the writing position information at that time (coordinate data of the beam irradiation target position; the actual beam irradiation position is deviated from this by the influence of the fluctuation of the external magnetic field) is recorded and stored (step 104). Steps 103, 10 until the drawing end instruction is issued from the drawing control system 12.
Continue with 4. When the drawing control system 12 stops (step 106), the monitoring of the external magnetic field fluctuation ends (step 107). After the drawing is completed, the drawing position calculator 1 converts the already recorded and stored drawing position coordinates into coordinate data conforming to the coordinate system of the external inspection device (step 108). The converted coordinate data is output to the external inspection apparatus as inspection target coordinate data (step 10).
9). Finally, the work is finished by removing the workpiece from the column (step 110).

【0016】以上の動作より、電子ビーム描画装置にお
いて外部磁場変動による描画不良箇所を被処理物毎にあ
る程度特定出来、外部検査装置にて外観検査、測定検査
を行なう範囲を狭くすることができるので描画不良の発
見が容易となる。その結果、極めて微細なパターンを有
する製品であっても製品処理再工事の決定が可能とな
り、製品の収率は規格の厳しいものほど向上する。
From the above operation, the defective drawing position due to the fluctuation of the external magnetic field can be specified to some extent in the electron beam drawing apparatus for each object to be processed, and the range in which the external inspection apparatus performs the appearance inspection and the measurement inspection can be narrowed. Drawing defects can be easily found. As a result, even if the product has an extremely fine pattern, it is possible to determine the reprocessing of the product processing, and the yield of the product is improved as the standard becomes stricter.

【0017】前述した描画不良は具体的には、電子ビー
ム描画装置の鏡筒(コラム)に近ければボールペンで
も、遠くても屋外の電車、トラックの通過によっても描
画不良は発生する。少なくとも、この様な環境下でも、
製品の不良を回避することが可能となる。
Specifically, the above-described drawing failure occurs even when a ball-point pen is used near the lens barrel (column) of the electron beam drawing apparatus, or when a train or track is used far away from the outside. At least in such an environment,
Product defects can be avoided.

【0018】次に本発明の第2の実施の形態について説
明する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described.

【0019】本実施の形態では、図1における描画位置
計算機14は、外部磁界変動が許容値を越えたときのビ
ーム照射目標位置の座標データ(描画位置情報)ばかり
でなくその描画位置情報に対応する描画データも描画制
御システム12から受けて格納する。その他は第1の実
施の形態と同様である。
In the present embodiment, the drawing position calculator 14 shown in FIG. 1 handles not only the coordinate data (drawing position information) of the beam irradiation target position when the external magnetic field fluctuation exceeds the allowable value but also the drawing position information. The drawing data to be processed is also received from the drawing control system 12 and stored. Others are the same as in the first embodiment.

【0020】すなわち、磁気測定器13は常時外部磁界
をモニタし、その出力を描画位置計算機14に入力す
る。描画位置計算機14は磁気測定器の信号を受け、予
め設定された許容値を越える磁場変動が発生した場合、
描画制御システム12にて計算された現状の前記被処理
物7上での電子ビーム照射目標位置の座標データを記録
し、保管する。と同時にこの描画位置情報に対応する描
画データも記録し、保管する。描画位置計算機14にて
記録し、保管された描画位置情報は外部の検査装置(図
示しない)のステージ座標に変換され、同時に描画デー
タも検査装置の認識データに変換された後、外部検査装
置に出力される。外部検査装置は描画位置計算機14よ
り得られたステージ座標及び認識データを用い、自動的
に描画結果と、描画データの比較を行う。
That is, the magnetometer 13 constantly monitors the external magnetic field and inputs its output to the drawing position calculator 14. The drawing position calculator 14 receives the signal of the magnetometer and, when a magnetic field fluctuation exceeding a preset allowable value occurs,
The current coordinate data of the target position of the electron beam irradiation on the workpiece 7 calculated by the drawing control system 12 is recorded and stored. At the same time, the drawing data corresponding to the drawing position information is also recorded and stored. The drawing position information recorded and stored by the drawing position calculator 14 is converted into stage coordinates of an external inspection device (not shown), and at the same time, the drawing data is also converted into recognition data of the inspection device. Is output. The external inspection apparatus uses the stage coordinates and the recognition data obtained from the drawing position calculator 14 to automatically compare the drawing result with the drawing data.

【0021】図3は、本発明の第2の実施の形態を使用
する描画作業の処理手順を示すフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing a processing procedure of a drawing operation using the second embodiment of the present invention.

【0022】製品作業開始の指示(ステップ100)
後、磁気測定器13及び描画制御システム12はそれぞ
れ外部磁界信号、描画位置情報を描画位置計算機14に
出力する(ステップ101,102A)。外部磁界の変
動が予め設定された許容値を超えた場合(ステップ10
3)、描画位置情報及び描画データの記録、保管を描画
位置計算機13にて行う(ステップ104−1,104
−2)。描画が終了した後、描画位置計算機13は既に
記録、保存された描画位置座標を外部検査装置の有する
座標系に則した座標データに変換する(ステップ10
8)。と同時に描画データを外部測定器の解するデータ
フォーマットに変換する(ステップ111)。変換され
た座標データは外部検査装置に検査対象座標データとし
て出力され、同様に検査対象座標データに対応した描画
データも比較検査用描画データベース(認識データ)と
して出力される(ステップ109A)。外部検査装置で
は検査対象座標データより検査箇所を特定し、比較検査
用描画データより得られる仮想パターンとの比較を行
う。
Instruction to start product work (step 100)
Thereafter, the magnetometer 13 and the writing control system 12 output the external magnetic field signal and the writing position information to the writing position calculator 14 (steps 101 and 102A). When the fluctuation of the external magnetic field exceeds a preset allowable value (Step 10
3) The recording and storage of the drawing position information and the drawing data are performed by the drawing position calculator 13 (steps 104-1, 104).
-2). After the drawing is completed, the drawing position calculator 13 converts the already recorded and stored drawing position coordinates into coordinate data conforming to the coordinate system of the external inspection device (step 10).
8). At the same time, the drawing data is converted into a data format understood by the external measuring instrument (step 111). The converted coordinate data is output to the external inspection apparatus as inspection target coordinate data, and similarly, drawing data corresponding to the inspection target coordinate data is output as a drawing database (recognition data) for comparison inspection (step 109A). The external inspection apparatus specifies an inspection location from the inspection target coordinate data and compares the inspection location with a virtual pattern obtained from the comparative inspection drawing data.

【0023】以上の動作より、電子線描画装置において
外部磁界変動による描画不良箇所を被処理物毎に特定出
来、外部検査装置に接続する事による描画不良が予想さ
れる箇所の外観検査、測定検査がより一層容易に行える
利点がある。その結果、極めて微細なパターンを有する
製品であっても製品処理再工事の決定が可能となり、製
品の収率は規格の厳しいものほど向上する。
From the above operation, the electron beam lithography apparatus can identify a drawing defect portion due to an external magnetic field fluctuation for each object to be processed, and the appearance inspection and the measurement inspection of the portion where the drawing defect is expected by connecting to an external inspection device. Is more easily performed. As a result, even if the product has an extremely fine pattern, it is possible to determine the reprocessing of the product processing, and the yield of the product is improved as the standard becomes stricter.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上、説明した様に本発明の電子ビーム
描画装置は外部磁界をモニタする磁界測定器と、外部磁
界変動時の描画位置の、記録、保管及び外部検査装置に
出力する描画位置計算機を有することにより、外部磁界
変動による描画不良箇所を被処理物毎に特定出来、外部
検査装置により容易に描画不良が予想される箇所の外観
検査、測定検査が行える。その結果、極めて微細なパタ
ーンを有する製品であっても製品処理再工事の決定が可
能となり、製品の収率は規格の厳しいものほど向上す
る。
As described above, the electron beam writing apparatus according to the present invention has a magnetic field measuring device for monitoring an external magnetic field and a writing position for recording, storing, and outputting to an external inspection apparatus the writing position when the external magnetic field fluctuates. By having a computer, a drawing failure location due to an external magnetic field fluctuation can be specified for each workpiece, and an external inspection device can easily perform an appearance inspection and a measurement inspection of a location where a rendering failure is expected. As a result, even if the product has an extremely fine pattern, it is possible to determine the reprocessing of the product processing, and the yield of the product is improved as the standard is more severe.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の電子ビーム描画装置を示すブロック
図。
FIG. 1 is a block diagram showing an electron beam writing apparatus according to the present invention.

【図2】本発明の第1の実施の形態を使用する描画作業
の処理手順を示すフローチャート。
FIG. 2 is a flowchart illustrating a processing procedure of a drawing operation using the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2の実施の形態を使用する描画作業
の処理手順を示すフローチャート。
FIG. 3 is a flowchart showing a processing procedure of a drawing operation using the second embodiment of the present invention.

【図4】従来の電子ビーム描画装置を示すブロック図。FIG. 4 is a block diagram showing a conventional electron beam writing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電子銃 2 第1アパーチャ 3 成形レンズ 4 第2アパーチャ 5 対物レンズ 6 偏向器 7 被処理物 8 ステージ 9 電子ビーム 10 レーザ干渉計 11 レーザビーム 12 描画制御システム 13 磁気測定器 14 描画位置計算機 100〜111,102A,104−1,104−2,
109A ステップ番号
Reference Signs List 1 electron gun 2 first aperture 3 forming lens 4 second aperture 5 objective lens 6 deflector 7 workpiece 8 stage 9 electron beam 10 laser interferometer 11 laser beam 12 drawing control system 13 magnetometer 14 drawing position calculator 100 to 100 111, 102A, 104-1, 104-2,
109A Step number

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 電子ビームを発生し成形し偏向して被処
理物に照射する電子光学系及び前記被処理物を載置する
ステージを内蔵したコラムと、前記ステージの位置を検
出し移動させるステージ制御器と、前記電子光学系及び
ステージ制御器を制御して前記被処理物に電子ビーム描
画を行なう描画制御システムとを有する電子ビーム描画
装置において、前記コラム周辺の外部磁界の変動を検知
して信号を発生する手段と、前記外部磁界変動の検知信
号を受けて前記描画制御システムから前記ステージの位
置情報と偏向位置情報とにより算出される前記被処理物
上のビーム照射目標位置の座標データを受取って格納す
る描画位置計算機とを有することを特徴とする電子ビー
ム描画装置。
An electron optical system for generating, shaping, deflecting, and irradiating an object to be processed with an electron beam and a column having a stage on which the object is mounted, and a stage for detecting and moving the position of the stage A controller, and an electron beam drawing apparatus having a drawing control system that controls the electron optical system and the stage controller to perform electron beam drawing on the object to be processed, by detecting a change in an external magnetic field around the column. Means for generating a signal, and receiving the detection signal of the external magnetic field fluctuation, calculating coordinate data of a beam irradiation target position on the workpiece to be calculated from the position information and deflection position information of the stage from the drawing control system. An electron beam drawing apparatus, comprising: a drawing position calculator for receiving and storing.
【請求項2】 描画位置計算機がビーム照射目標位置の
座標データに所定の変換を行なって外部検査装置用の座
標データとして出力する手段を備えている請求項1記載
の電子ビーム描画装置。
2. The electron beam writing apparatus according to claim 1, further comprising means for performing a predetermined conversion on the coordinate data of the beam irradiation target position and outputting the coordinate data as coordinate data for an external inspection apparatus.
【請求項3】 描画位置計算機がビーム照射目標位置の
座標データ及び描画データを描画制御システムから受取
って格納する請求項1記載の電子ビーム描画装置。
3. The electron beam drawing apparatus according to claim 1, wherein the drawing position calculator receives the coordinate data of the beam irradiation target position and the drawing data from the drawing control system and stores them.
【請求項4】 描画位置計算機がビーム照射目標位置の
座標データ及び描画データにそれぞれ所定の変換を行な
って外部検査装置用の座標データ及び認識データとして
出力する手段を備えている請求項3記載の電子ビーム描
画装置。
4. The apparatus according to claim 3, further comprising means for performing a predetermined conversion on the coordinate data of the beam irradiation target position and the drawing data, respectively, and outputting the coordinate data and the recognition data for the external inspection apparatus. Electron beam drawing equipment.
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