JP2777399B2 - Variable delay circuit, timing generator using the circuit, and LSI tester - Google Patents

Variable delay circuit, timing generator using the circuit, and LSI tester

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JP2777399B2
JP2777399B2 JP1073990A JP7399089A JP2777399B2 JP 2777399 B2 JP2777399 B2 JP 2777399B2 JP 1073990 A JP1073990 A JP 1073990A JP 7399089 A JP7399089 A JP 7399089A JP 2777399 B2 JP2777399 B2 JP 2777399B2
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output
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卓 須賀
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は遅延回路並びにその回路を用いたタイミング
発生装置及びLSIテスタに係り、特にLSI化に好適な可変
遅延回路並びにその回路を用いたタイミング発生装置及
びLSIテスタに関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a delay circuit, a timing generator and an LSI tester using the circuit, and more particularly to a variable delay circuit suitable for LSI and a timing using the circuit. It relates to a generator and an LSI tester.

[従来の技術] 従来の可変遅延回路は、特開昭63−131720号公報に記
載のように、ディジタル信号を入力する差動対トランジ
スタと、そのトランジスタ対のコレクタ側にベース接地
回路対を設け、そのベース接地回路対のコレクタ側から
ディジタル出力をとり出し、ベース接地回路対のベース
電位を可変することにより、ディジタル信号を入力する
差動対トランジスタのベース・コレクタ容量を変化さ
せ、入力から出力までの遅延時間を制御していた。
2. Description of the Related Art As disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-131720, a conventional variable delay circuit is provided with a differential pair transistor for inputting a digital signal and a grounded base pair on the collector side of the transistor pair. The digital output is taken from the collector side of the grounded base circuit pair, and the base potential of the grounded base circuit pair is varied, thereby changing the base-collector capacitance of the differential pair transistor for inputting the digital signal, and outputting from the input. Until the delay time was controlled.

[発明が解決しようとする課題] 上記従来技術は、遅延回路1段当りの可変遅延幅がト
ランジスタのベース・コレクタ容量の電圧依存性によっ
て決まり、大きい可変範囲を得るためには遅延回路を多
段接続しなければならず、可変遅延量をゼロに設定した
場合の入力から出力までの残留遅延時間が大きくなるの
で、温度および電源変動に対する遅延時間変動を小さく
して、遅延回路を内蔵したLSIおよびそのLSIを用いた装
置のタイミングを高精度に維持するには困難な問題があ
った。
[Problems to be Solved by the Invention] In the above-mentioned conventional technology, the variable delay width per stage of the delay circuit is determined by the voltage dependence of the base-collector capacitance of the transistor, and the delay circuits are connected in multiple stages to obtain a large variable range. When the variable delay amount is set to zero, the residual delay time from input to output increases, so that the delay time variation with temperature and power supply variation is reduced, and the LSI with a built-in delay circuit and its There has been a difficult problem in maintaining the timing of a device using LSI with high accuracy.

本発明の目的は、LSI内に組み込む回路で残留遅延時
間が小さく、遅延量に重み付けが可能な可変遅延回路並
びにその回路を用いたタイミング発生装置及びLSIテス
タを提供するにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a variable delay circuit in which a residual delay time is small and a delay amount can be weighted by a circuit incorporated in an LSI, and a timing generator and an LSI tester using the circuit.

[課題を解決するための手段] 上記目的は、差動信号を入力とする入力差動ゲート
と、 該入力差動ゲートからの差動出力信号を入力とする出
力差動ゲートと、 上記入力差動ゲート、出力差動ゲート間の差動出力信
号線に並列に接続され、かつ該差動出力信号線上の差動
出力信号を入力とする第1の差動トランジスタ対と、第
1のトランジスタと上記第1の差動トランジスタ対から
の出力信号および外部からの制御信号を入力とする第2
のトランジスタとを有する第2の差動トランジスタ対と
が直列接続されてなる入力容量制御差動ゲートとを備
え、 上記制御信号をONすることにより上記第2のトランジ
スタを介して上記第1の差動トランジスタ対を動作さ
せ、該制御信号をOFFすることにより該第1の差動トラ
ンジスタ対が動作しないよう上記第2のトランジスタを
動作させて該第1の差動トランジスタ対の有する入力容
量を可変させるべく構成することで達成される。
[MEANS FOR SOLVING THE PROBLEMS] The object is to provide an input differential gate that receives a differential signal, an output differential gate that receives a differential output signal from the input differential gate, A first differential transistor pair connected in parallel to a differential output signal line between a moving gate and an output differential gate, and receiving a differential output signal on the differential output signal line; A second input which receives an output signal from the first differential transistor pair and an external control signal;
And a second differential transistor pair having an input capacitance control differential gate, which is connected in series with the transistor, and turning on the control signal to cause the first differential transistor to pass through the second transistor. When the control signal is turned off and the control signal is turned off, the second transistor is operated so that the first differential transistor pair does not operate, thereby changing the input capacitance of the first differential transistor pair. It is achieved by configuring to make it.

[作用] 入力信号としての差動信号が入力差動ゲートに入力さ
れた上、差動出力信号線を介し出力差動ゲートから出力
されるに際し、その差動出力信号線上からは、入力差動
ゲートからの差動出力信号が入力容量制御差動ゲートに
入力せしめられるべく構成したものである。その入力容
量制御差動ゲートは容量性負荷として機能しているが、
その入力容量制御差動ゲートでの入力容量が外部からの
制御信号により可変に制御される場合は、入力差動ゲー
トからの差動出力信号は、そのスループットがその入力
容量に応じ鈍化せしめられる結果として、出力差動ゲー
トからは、入力信号としての差動信号がそのパルス幅が
保存されたまま、所望に遅延された状態として出力され
得るものである。
[Operation] When a differential signal as an input signal is input to the input differential gate, and is output from the output differential gate via the differential output signal line, the input differential signal is input from the differential output signal line. The differential output signal from the gate is configured to be input to the input capacitance control differential gate. The input capacitance control differential gate functions as a capacitive load,
When the input capacitance at the input capacitance control differential gate is variably controlled by an external control signal, the differential output signal from the input differential gate results in the throughput being slowed down according to the input capacitance. From the output differential gate, a differential signal as an input signal can be output with a desired delay while its pulse width is preserved.

[実施例] 以下に本発明の実施例を第1図ないし第10図により説
明する。
Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 10.

第1図は本発明による可変遅延回路の一実施例を示す
ブロック図である。第1図において、可変遅延回路は入
力信号1a,1bを入力する入力差動ゲート10aと、入力差動
ゲート10aの出力信号2a,2bを入力して出力信号3a,3bを
出力する出力差動ゲート10bと、入力差動ゲート10aの出
力信号2a,2bを入力して制御信号4により制御される入
力容量制御差動ゲート11とから構成される。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of a variable delay circuit according to the present invention. In FIG. 1, a variable delay circuit includes an input differential gate 10a for inputting input signals 1a and 1b, and an output differential for inputting output signals 2a and 2b of the input differential gate 10a and outputting output signals 3a and 3b. It comprises a gate 10b and an input capacitance control differential gate 11 which receives output signals 2a and 2b of the input differential gate 10a and is controlled by a control signal 4.

第2図のa,b,cは第1図の入力信号1a,1bと、入力差動
ゲート10aの出力信号2a,2bと、出力差動ゲート10bの出
力信号3a,3bの動作波形図である。第1図の動作を第2
図のa,b,cにより説明する。まず制御信号4が“L"レベ
ルとした場合には、第2図のaに示す波形の入力信号1
a,1bが入力差動ゲート10aに入力されると、入力差動ゲ
ート10aの出力信号2a,2bは第2図のbの実線で示す波形
となる。この波形の出力信号2a,2bが出力差動ゲート10b
に入力され、第2図のcの実線で示す波形の出力信号3
a,3bが得られる。つぎに制御信号4が“H"レベルとした
場合には、入力容量制御差動ゲート11の差動入力端の入
力容量が増加する。したがって入力差動ゲート10aの出
力信号2a,2bの波形は入力容量制御差動ゲート11の入力
容量を充放電するため、第2図のbの点線で示す波形と
なる。この波形の出力信号2a,2bが出力差動ゲート10bに
入力され、第2図のcの点線で示す波形の出力信号3a,3
bが得られる。このように入力差動ゲート10aの出力信号
2a,2bおよび出力差動ゲート10bの出力信号3a,3bの波形
は、入力容量制御差動ゲート11の入力容量が変化するこ
とによってスルーレートが変わり、出力信号2a,bおよび
出力信号3a,3bの波形の交点が時間的にずれるため、入
力信号1a,1bから出力信号3a,3bまでの伝播時間が変わっ
て遅延時間を制御することができる。さらに入力容量に
よって波形の立上りと立下りの時間が異なっても、差動
入力構成をとっているため入力波形のパルス幅は保存さ
れることとなる。
A, b, and c in FIG. 2 are operation waveform diagrams of the input signals 1a and 1b, the output signals 2a and 2b of the input differential gate 10a, and the output signals 3a and 3b of the output differential gate 10b. is there. The operation of FIG.
This will be described with reference to a, b, and c of FIG. First, when the control signal 4 is at the "L" level, the input signal 1 having the waveform shown in FIG.
When a and 1b are input to the input differential gate 10a, the output signals 2a and 2b of the input differential gate 10a have the waveforms shown by the solid lines in FIG. Output signals 2a and 2b of this waveform are output differential gate 10b
And an output signal 3 having a waveform shown by a solid line in FIG.
a and 3b are obtained. Next, when the control signal 4 is set to “H” level, the input capacitance of the differential input terminal of the input capacitance control differential gate 11 increases. Therefore, the waveforms of the output signals 2a and 2b of the input differential gate 10a become the waveforms indicated by the dotted line in FIG. 2b because the input capacitance of the input capacitance control differential gate 11 is charged and discharged. The output signals 2a and 2b of this waveform are input to the output differential gate 10b, and the output signals 3a and 3 of the waveform shown by the dotted line in FIG.
b is obtained. Thus, the output signal of the input differential gate 10a is
The waveforms of the output signals 3a and 3b of the output differential gates 2a and 2b have different slew rates due to the change in the input capacitance of the input capacitance control differential gate 11, and the output signals 2a and b and the output signals 3a and 3b Since the intersections of the waveforms are shifted in time, the propagation time from the input signals 1a, 1b to the output signals 3a, 3b changes, and the delay time can be controlled. Further, even if the rise time and the fall time of the waveform differ depending on the input capacitance, the pulse width of the input waveform is preserved because of the differential input configuration.

第3図は第1図の入力容量制御差動ゲート11の一実施
例を示す回路図である。第3図において、入力容量制御
差動ゲート11はトランジスタ12a,12b,12c,12d,12e,12f
と、抵抗13a,13b,13cと、定電流源14とから構成され
る。この構成で、まず制御信号4が“L"レベルの場合に
は、定電流源14の電流Iはトランジスタ12fのベース電
位(VBB2)がトランジスタ12eのベース電位より高くな
るため、抵抗13cとトランジスタ12c,12fに流れる。した
がってトランジスタ12a,12bには電流が流れず、トラン
ジスタ12a,12bはカットオフするから、そのときの出力
信号2a,2bの入力容量は主にベース・コレクタ間容量CBC
である。つぎに制御信号4が“H"レベルの場合には、定
電流源14の電流Iはトランジスタ12eのベース電位がト
ランジスタ12fのベース電位より高くなるため、抵抗13
a,13bとトランジスタ12a,12b,12eの側を流れる。したが
って出力信号2a,2bの状態によってトランジスタ12a,12b
のどちらかに電流Iが流れる。トランジスタ12a,12bに
電流Iが流れると、ベースからコレクタへの電圧利得AV
が生じる。よって出力信号2a,2bの入力容量はミラー効
果により、ベース・コレクタ間容量CBCが(1+AV)倍
されて(1+AV)CBCとなる。このように制御信号4に
よって出力信号2a,2bの入力容量を制御することがで
き、この入力容量を充放電する時間は入力容量に比例す
るため遅延時間を制御することができる。したがって、
以上の入力容量差動ゲート11の構成による場合には、例
えば特開昭61−242409号公報に開示されている遅延回
路、特にその第1図や第2図に見受けられていた不具
合、即ち、入力信号と接続されるトランジスタQ1と、制
御信号と接続されるトランジスタQ2とが並列に接続され
ているために、トランジスタQ1,Q2に印加される電圧レ
ベルによって、それぞれに生じる負荷容量(それぞれの
トランジスタに流れる電流値)が変化し、遅延量が精度
良好に制御され得ないといった不具合は、本発明による
可変遅延回路では解消されたものとなっている。因み
に、本発明による可変遅延回路に類似したものとして、
特開昭59−22436号公報中にその第3図として開示され
た可変遅延回路が知られているが、その構成上、入力容
量差動ゲート11相当のものはその入力容量差動ゲート11
の構成とは大きく異なっており、可変遅延回路がモノリ
シックICとして構成される上で不利なものとなってい
る。
FIG. 3 is a circuit diagram showing one embodiment of the input capacitance control differential gate 11 of FIG. In FIG. 3, the input capacitance control differential gate 11 includes transistors 12a, 12b, 12c, 12d, 12e, and 12f.
And resistors 13a, 13b, 13c and a constant current source 14. In this configuration, first, when the control signal 4 is at the “L” level, the current I of the constant current source 14 has the base potential (V BB2 ) of the transistor 12f higher than the base potential of the transistor 12e. It flows to 12c and 12f. Therefore, no current flows through the transistors 12a and 12b, and the transistors 12a and 12b are cut off. Therefore, the input capacitance of the output signals 2a and 2b at that time is mainly the base-collector capacitance C BC
It is. Next, when the control signal 4 is at the "H" level, the current I of the constant current source 14 is higher than the resistance of the resistor 13 because the base potential of the transistor 12e is higher than the base potential of the transistor 12f.
a, 13b and transistors 12a, 12b, 12e. Therefore, depending on the state of the output signals 2a, 2b, the transistors 12a, 12b
The current I flows through either of the two. When a current I flows through the transistors 12a and 12b, a voltage gain A V from the base to the collector is obtained.
Occurs. Accordingly, the input capacitance of the output signals 2a and 2b is multiplied by (1 + A V ) by the base-collector capacitance C BC by the Miller effect to become (1 + A V ) C BC . As described above, the input capacity of the output signals 2a and 2b can be controlled by the control signal 4. Since the time for charging and discharging the input capacity is proportional to the input capacity, the delay time can be controlled. Therefore,
In the case of the above-described configuration of the input capacitance differential gate 11, for example, the delay circuit disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-242409, particularly the defect found in FIG. 1 and FIG. a transistor Q 1 which is connected to the input signal, to the transistor Q 2 to which is connected to the control signal are connected in parallel, the voltage level applied to the transistor Q 1, Q 2, the load capacitance generated respectively The problem that the (current values flowing through the respective transistors) change and the delay amount cannot be controlled with good accuracy has been eliminated by the variable delay circuit according to the present invention. Incidentally, as similar to the variable delay circuit according to the present invention,
A variable delay circuit disclosed as FIG. 3 in Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-22436 is known.
Is greatly different from the configuration described above, and is disadvantageous when the variable delay circuit is configured as a monolithic IC.

第4図は第1図の入力容量制御差動ゲート11の、本発
明には直接係わらない他の実施例を示す回路図である。
第4図において、入力容量制御差動ゲート11はトランジ
スタ12m,12n,12pと、抵抗13f,13gと、定電流源14とから
構成される。この構成で、まず制御信号4が“L"レベル
の場合には、トランジスタ12mはカットオフし、トラン
ジスタ12n,12pは出力信号2a,2bの状態によってどちらか
のトランジスタに電流Iが流れる。したがってトランジ
スタ12n,12pのベースからコレクタへの電圧利得AVが生
じ、出力信号2a,2bの入力容量はミラー効果によってベ
ース・コレクタ間容量CBCが(1+AV)倍され、(1+A
V)CBCとなる。つぎに制御信号4が“H"レベルの場合に
は、トランジスタ12mに電流Iが流れ、トランジスタ12
n,12pはカットオフ状態となる。したがってトランジス
タ12m,12pのベースからコレクタへの電圧利得はゼロと
なり、出力信号2a,2bの入力するベースから見た入力容
量はベース・コレクタ間容量CBCとなる。このように制
御信号4により出力信号2a,2bの入力容量を制御できる
ので、可変遅延することができる。
FIG. 4 is a circuit diagram showing another embodiment of the input capacitance control differential gate 11 of FIG. 1 which is not directly related to the present invention.
In FIG. 4, the input capacitance control differential gate 11 includes transistors 12m, 12n, 12p, resistors 13f, 13g, and a constant current source 14. With this configuration, first, when the control signal 4 is at the “L” level, the transistor 12m is cut off, and the current I flows through one of the transistors 12n and 12p depending on the state of the output signal 2a or 2b. Therefore, a voltage gain A V from the base to the collector of the transistors 12n and 12p is generated, and the input capacitance of the output signals 2a and 2b is multiplied by (1 + A V ) between the base-collector capacitance C BC by the Miller effect, and (1 + A
V ) C BC . Next, when the control signal 4 is at "H" level, the current I flows through the transistor 12m,
n and 12p are cut off. Therefore, the voltage gain from the base to the collector of the transistors 12m and 12p becomes zero, and the input capacitance as viewed from the base to which the output signals 2a and 2b are input becomes the base-collector capacitance CBC . As described above, since the input capacitance of the output signals 2a and 2b can be controlled by the control signal 4, variable delay can be achieved.

第5図は本発明による直接係わらない可変遅延回路を
参考までに示すブロック図である。第5図において、可
変遅延回路は入力信号1a,1bを入力する入力差動ゲート1
0aと、入力差動ゲート10aの出力信号2a,2bを入力して出
力信号3a,3bを出力する出力差動ゲート10bと、入力差動
ゲート10aの出力信号2a,2bを入力して制御信号4により
制御されるアンドゲート15a,15bとから構成される。こ
の可変遅延回路は第1図の実施例の入力容量制御差動ゲ
ート11をアンドゲート15a,15bに置換した回路である。
制御信号4によってANDゲート15a,15bの入力容量が変化
し、第1図の実施例と同様に遅延時間を制御信号4によ
って可変することができる。
FIG. 5 is a block diagram showing, for reference, a variable delay circuit not directly related to the present invention. In FIG. 5, a variable delay circuit is an input differential gate 1 for inputting input signals 1a and 1b.
0a, an output differential gate 10b that receives the output signals 2a, 2b of the input differential gate 10a and outputs output signals 3a, 3b, and a control signal that receives the output signals 2a, 2b of the input differential gate 10a. And AND gates 15a and 15b controlled by the control circuit 4. This variable delay circuit is a circuit in which the input capacitance control differential gate 11 of the embodiment of FIG. 1 is replaced with AND gates 15a and 15b.
The input capacitance of the AND gates 15a and 15b is changed by the control signal 4, and the delay time can be varied by the control signal 4 as in the embodiment of FIG.

第6図は第5図のANDゲート15a(15b)の一実施例を
示す回路図である。第6図において、ANDゲート15a(15
b)はトランジスタ12g,12h,12i,12j,12k,12lと、抵抗13
d,13eと、定電流源14とから成り、トランジスタ12jのベ
ースに制御信号4を接続し、トランジスタ12gのベース
に出力信号2a(2b)のどちらかを接続して構成される。
この構成で、制御信号4が“L"レベルの場合には、定電
流源14の電流Iはトランジスタ12l,12iと抵抗13eを流
れ、出力信号2a(2b)が接続されたトランジスタ12gは
カットオフ状態となり、したがって入力容量はベース・
コレクタ間容量CBCとなる。つぎに制御信号4が“H"レ
ベルの場合には、トランジスタ12g,12h,12kと抵抗13d,1
3eに電流Iが流れる。したがってトランジスタ12gのベ
ース・コレクタ間に電圧利得AVが生じ、ミラー効果によ
って出力信号2a(2b)の入力容量は(1+AV)CBCとな
る。このように制御信号4によって入力容量を可変でき
るので、出力信号2a(2b)の遅延時間を制御することが
できる。
FIG. 6 is a circuit diagram showing one embodiment of the AND gate 15a (15b) of FIG. In FIG. 6, the AND gate 15a (15
b) includes transistors 12g, 12h, 12i, 12j, 12k, and 12l, and a resistor 13
The control signal 4 is connected to the base of the transistor 12j, and one of the output signals 2a (2b) is connected to the base of the transistor 12g.
In this configuration, when the control signal 4 is at "L" level, the current I of the constant current source 14 flows through the transistors 12l and 12i and the resistor 13e, and the transistor 12g to which the output signal 2a (2b) is connected is cut off. State, so the input capacitance is
This is the collector-to-collector capacitance CBC . Next, when the control signal 4 is at "H" level, the transistors 12g, 12h, 12k and the resistors 13d, 1
A current I flows through 3e. Therefore, a voltage gain A V is generated between the base and the collector of the transistor 12g, and the input capacitance of the output signal 2a (2b) becomes (1 + A V ) C BC due to the Miller effect. As described above, since the input capacitance can be varied by the control signal 4, the delay time of the output signal 2a (2b) can be controlled.

第7図は本発明に直接係わらない可変遅延回路のさら
に他の実施例を示すブロック図である。第7図におい
て、可変遅延回路は入力信号1a,1bを入力する入力差動
ゲート10aと、入力差動ゲート10aの出力信号2a,2bを入
力して出力信号3a,3bを出力する出力差動ゲート10bと、
入力差動ゲート10aの出力信号2a,2bを入力して制御信号
4により制御される可変ゲイン差動ゲート16とから構成
される。この可変遅延回路は第1図の入力容量制御差動
ゲート11を可変ゲイン差動ゲート16に置換した回路であ
る。制御信号4によって可変ゲイン差動ゲート16の入力
容量が変化し、第1図の実施例と同様に遅延時間を可変
することができる。
FIG. 7 is a block diagram showing still another embodiment of the variable delay circuit not directly related to the present invention. In FIG. 7, a variable delay circuit includes an input differential gate 10a for inputting input signals 1a and 1b, and an output differential for inputting output signals 2a and 2b of the input differential gate 10a and outputting output signals 3a and 3b. Gate 10b,
It comprises a variable gain differential gate 16 which receives the output signals 2a and 2b of the input differential gate 10a and is controlled by the control signal 4. This variable delay circuit is a circuit in which the input capacitance control differential gate 11 of FIG. The input capacitance of the variable gain differential gate 16 changes according to the control signal 4, so that the delay time can be varied similarly to the embodiment of FIG.

第8図は第7図の可変ゲイン差動ゲート16の一実施例
を示す回路図である。第8図において、可変ゲイン差動
ゲート16はトランジスタ12Q,12Rと、抵抗13h,13iと、定
電流源17とから成り、制御信号4によって定電流源17の
電流Iを制御する構成である。この構成で、トランジス
タ12Q,12Rと抵抗値RLの抵抗13h,13iから成る差動ゲート
の電圧利得AVは次式となる。
FIG. 8 is a circuit diagram showing one embodiment of the variable gain differential gate 16 of FIG. In FIG. 8, the variable gain differential gate 16 includes transistors 12Q and 12R, resistors 13h and 13i, and a constant current source 17, and has a configuration in which the control signal 4 controls the current I of the constant current source 17. In this arrangement, the voltage gain A V transistor 12Q, 12R and resistance 13h of the resistance value R L, differential gate consisting 13i becomes the following equation.

AV=RL/2Re …(1) ただしReはトランジスタ12Q,12Rのエミッタ抵抗であ
る。ここでトランジスタ12Q,12Rのエミッタ抵抗Reは次
式で与えられる。
A V = R L / 2R e ... (1) provided that R e transistors 12Q, a 12R emitter resistor. Here transistors 12Q, an emitter resistor R e of 12R is given by the following equation.

Re=26mV/(I/2)=56mV/I …(2) したがって電圧利得AVは定電流源17の電流Iによって
制御することができる。電圧利得AVが変化するとミラー
効果によってトランジスタ12Q,12Rのベースから見た入
力容量が変わり、第1図の実施例と同様に出力信号2a,2
bしたがって出力信号3a,3bの遅延時間を可変することが
できる。
R e = 26mV / (I / 2) = 56mV / I ... (2) Therefore, the voltage gain A V can be controlled by the current I of the constant current source 17. When the voltage gain A V changes, the input capacitance viewed from the bases of the transistors 12Q, 12R changes due to the Miller effect, and the output signals 2a, 2
b Therefore, the delay time of the output signals 3a, 3b can be varied.

上記実施例では入力容量制御差動ゲート11は1個で、
ANDゲート15a,15bは2個で説明したが、その個数によっ
て本発明は制限されるものではなく、複数の入力容量制
御差動ゲート11の制御信号4を個々に制御し、制御する
出力信号2a,2bの信号数を可変して、その遅延時間を制
御することも可能である。さらにトランジスタによる電
圧利得AVを大きくとれば、入力容量変化比が電圧利得AV
に比例するため、遅延時間の可変幅を大きくとることが
できる。
In the above embodiment, the input capacitance control differential gate 11 is one,
Although the number of the AND gates 15a and 15b has been described as two, the present invention is not limited by the number, and the output signal 2a for individually controlling and controlling the control signals 4 of the plurality of input capacitance control differential gates 11 is described. , 2b can be varied to control the delay time. If the voltage gain A V by the transistor is further increased, the input capacitance change ratio becomes the voltage gain A V
, The variable width of the delay time can be increased.

また上記第5図および第6図の実施例のANDゲート15
a,15bおよび入出力に用いている差動ゲートは通常のECL
ゲートアレイに標準的に用意されているものであり、第
3図および第4図の実施例の入力容量制御差動ゲート11
も第6図のANDゲート15a(15b)の配線を変更すること
によって作ることができる。また上記実施例のトランジ
スタはバイポーラトランジスタで説明したが、GaAsMESF
ETやヘテロバイポーラトランジスタを用いてもよく、使
用する能動素子によって本発明が制限されるものではな
い。
The AND gate 15 of the embodiment shown in FIGS.
a, 15b and differential gates used for input and output are normal ECL
The input capacitance control differential gate 11 of the embodiment shown in FIG. 3 and FIG.
6 can be made by changing the wiring of the AND gate 15a (15b) in FIG. Although the transistor of the above embodiment has been described as a bipolar transistor, the GaAs MESF
An ET or a hetero bipolar transistor may be used, and the present invention is not limited by the active element used.

第9図は本発明による可変遅延回路を用いたタイミン
グ発生装置の一実施例を示すブロック図である。第9図
において、タイミング発生装置は基準クロック20aを作
成するシンセサイザ20と、シンセサイザ20の基準クロッ
ク20aを計数するカウンタ18と、カウンタ18の計数終了
信号18aを基準クロックの一周期内でアナログ的に遅延
する本発明の可変遅延回路19とから構成される。この構
成で、シンセサイザ20により作成した基準クロック20a
をカウンタ18で計数して、計数終了信号18aを出力す
る。可変遅延回路19はカウンタ18の計数終了信号18aを
基準クロック20aの一周期内でアナログ的に遅延した信
号をタイミング信号19aとして出力する。本実施例によ
れば、本発明による可変遅延回路19をカウンタ18と同一
LSI上に構成できるので、タイミング発生装置の小型化
が可能である。
FIG. 9 is a block diagram showing an embodiment of a timing generator using a variable delay circuit according to the present invention. In FIG. 9, the timing generator includes a synthesizer 20 for generating a reference clock 20a, a counter 18 for counting the reference clock 20a of the synthesizer 20, and a count end signal 18a of the counter 18 in one cycle of the reference clock. And a variable delay circuit 19 of the present invention for delaying. With this configuration, the reference clock 20a generated by the synthesizer 20
Is counted by the counter 18, and a counting end signal 18a is output. The variable delay circuit 19 outputs a signal obtained by analogly delaying the count end signal 18a of the counter 18 within one cycle of the reference clock 20a as a timing signal 19a. According to the present embodiment, the variable delay circuit 19 according to the present invention is the same as the counter 18.
Since it can be configured on an LSI, the size of the timing generator can be reduced.

第10図は本発明による可変遅延回路を用いたLSIテス
タの一実施例を示すブロック図である。第10図におい
て、本発明による可変遅延回路を内部タイミング調整に
用いたLSIテスタの例を示す。LSIテスタはタイミング発
生器21と、パターン発生器22と、波形フォーマッタ23
と、ディジタルコンパレータ24と、本発明の可変遅延回
路19a,19bと、ドライバ25と、アナログコンパレータ26
とから成り、被試験素子27の試験を行なう構成である。
FIG. 10 is a block diagram showing an embodiment of an LSI tester using a variable delay circuit according to the present invention. FIG. 10 shows an example of an LSI tester using the variable delay circuit according to the present invention for internal timing adjustment. The LSI tester includes a timing generator 21, a pattern generator 22, and a waveform formatter 23.
, A digital comparator 24, the variable delay circuits 19a and 19b of the present invention, a driver 25, and an analog comparator 26
This is a configuration for testing the device under test 27.

上記構成で、タイミング発生器21で作成されたタイミ
ング信号21aとパターン発生器22で作成されたテストパ
ターン22aとは波形フォーマッタ23で合成され、試験波
形23aとなってドライバ25を介して被試験素子27に与え
る。この試験波形23aの応答として、被試験素子27から
の出力信号27aをアナログコンパレータ26で電圧比較
し、“0",“1"のディジタル値に変換した後に、ディジ
タルコンパレータ24により良品素子の応答であるパター
ン発生器22で作成した期待値で比較試験を行なう。この
ような試験を行なうLSIテスタでは、論理が正しく動作
するか否かを確認する試験とともに、規定された時間内
に論理回路が応答するか否かを確認する。後者の試験の
時間精度を向上するために、タイミング発生器21と波形
フォーマッタ23およびディジタルコンパレータ24との間
に、製造ばらつきに起因する遅延時間ばらつきを補正す
る可変遅延回路19a,19bが設けられている。
In the above configuration, the timing signal 21a generated by the timing generator 21 and the test pattern 22a generated by the pattern generator 22 are synthesized by the waveform formatter 23, and become a test waveform 23a, and the device under test via the driver 25. Give to 27. As a response to the test waveform 23a, the output signal 27a from the device under test 27 is compared with a voltage by the analog comparator 26, and converted into digital values of "0" and "1". A comparison test is performed using the expected value created by a certain pattern generator 22. An LSI tester that performs such a test checks whether the logic circuit responds within a prescribed time, together with a test that checks whether the logic operates correctly. In order to improve the time accuracy of the latter test, variable delay circuits 19a and 19b are provided between the timing generator 21, the waveform formatter 23, and the digital comparator 24 to correct delay time variations caused by manufacturing variations. I have.

本実施例によれば、LSIテスタの構成要素であるタイ
ミング発生器21と、パターン発生器22と、波形フォーマ
ッタ23と、ディジタルコンパレータ24と、ドライバ25
と、アナログコンパレータ26と、可変遅延回路19a,19b
とをLSI上に構成することが可能となり、さらに可変遅
延回路19a,19bの遅延量を広範囲に制御できるので、精
度の高い小型のLSIテスタを安価に実現できる。
According to the present embodiment, the timing generator 21, the pattern generator 22, the waveform formatter 23, the digital comparator 24, the driver 25
, An analog comparator 26, and variable delay circuits 19a, 19b
Can be configured on the LSI, and the delay amount of the variable delay circuits 19a and 19b can be controlled in a wide range, so that a small LSI tester with high accuracy can be realized at low cost.

[発明の効果] 本発明によれば、ゲートアレイ構造のECL論理LSIのゲ
ートの入力容量を制御すことができるので入出力間の遅
延時間を可変し、かつ信号が入力差動ゲートと出力差動
ゲートを通過するだけなので遅延量をゼロに設定した場
合の残留遅延時間を小さくできる効果がある。また信号
を差動で取扱うために信号の立上りと立下り時間の容量
依存性が異なっても、入力信号のパルス幅を保存して可
変遅延する効果がある。さらに入力容量の変化比を電圧
利得によって制御できるので任意の遅延時間を容易に発
生する効果がある。
[Effects of the Invention] According to the present invention, the input capacitance of the gate of the ECL logic LSI having the gate array structure can be controlled, so that the delay time between the input and the output can be varied, and the signal difference between the input differential gate and the output can be obtained. Since the signal only passes through the moving gate, there is an effect that the residual delay time when the delay amount is set to zero can be reduced. In addition, since the signal is handled differentially, even if the rise and fall times of the signal have different capacity dependencies, there is an effect that the pulse width of the input signal is preserved and the delay is variable. Further, since the change ratio of the input capacitance can be controlled by the voltage gain, there is an effect that an arbitrary delay time is easily generated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明による可変遅延回路の一実施例を示すブ
ロック図、第2図は第1図の動作波形図、第3図は第1
図の入力容量制御差動ゲートの一実施例の回路図、第4
図は本発明には直接係わらない入力容量制御差動ゲート
の回路図、第5図は本発明に直接係わらない可変遅延回
路を参考までに示すブロック図、第6図は第5図のAND
ゲートの一実施例の回路図、第7図は本発明に直接係わ
らない可変遅延回路のさらに他の実施例を示すブロック
図、第8図は第7図の可変ゲイン差動ゲートの一実施例
の回路図、第9図は本発明によるタイミング発生装置の
一実施例を示すブロック図、第10図は本発明によるLSI
テスタの一実施例を示すブロック図である。 10a……入力差動ゲート、10b……出力差動ゲート、11…
…入力容量制御差動ゲート、12a〜12f,12m〜12p……ト
ランジスタ、15a,15b……ANDゲート、16……可変ゲイン
差動ゲート、18……カウンタ、19,19a,19b……可変遅延
回路、20……シンセサイザ、21……タイミング発生器、
22……パターン発生器、23……波形フォーマッタ、24…
…ディジタルコンパレータ、25……ドライバ、26……ア
ナログコンパレータ、27……被試験素子。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a variable delay circuit according to the present invention, FIG. 2 is an operation waveform diagram of FIG. 1, and FIG.
4 is a circuit diagram of an embodiment of the input capacitance control differential gate shown in FIG.
FIG. 5 is a circuit diagram of an input capacitance control differential gate not directly related to the present invention, FIG. 5 is a block diagram showing a variable delay circuit not directly related to the present invention for reference, and FIG. 6 is an AND of FIG.
7 is a circuit diagram of an embodiment of a gate, FIG. 7 is a block diagram showing still another embodiment of a variable delay circuit not directly related to the present invention, and FIG. 8 is an embodiment of a variable gain differential gate of FIG. FIG. 9 is a block diagram showing an embodiment of a timing generator according to the present invention, and FIG. 10 is an LSI according to the present invention.
FIG. 3 is a block diagram illustrating an example of a tester. 10a …… Input differential gate, 10b …… Output differential gate, 11…
… Input capacitance control differential gate, 12a-12f, 12m-12p …… Transistor, 15a, 15b… AND gate, 16… Variable gain differential gate, 18… Counter, 19,19a, 19b… Variable delay Circuit, 20 ... synthesizer, 21 ... timing generator,
22 …… Pattern generator, 23 …… Waveform formatter, 24…
... Digital comparator, 25 ... Driver, 26 ... Analog comparator, 27 ... Device under test.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大崎 昭雄 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−22436(JP,A) 特開 昭61−242409(JP,A) 特開 昭62−250713(JP,A) 特開 昭61−49517(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Akio Osaki 292, Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture, Hitachi, Ltd. Production Technology Laboratory (56) References JP-A-59-22436 (JP, A) JP-A-61-242409 (JP, A) JP-A-62-250713 (JP, A) JP-A-61-49517 (JP, A)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】差動信号を入力とする入力差動ゲートと、 該入力差動ゲートからの差動出力信号を入力とする出力
差動ゲートと、 上記入力差動ゲート、出力差動ゲート間の差動出力信号
線に並列に接続され、かつ該差動出力信号線上の差動出
力信号を入力とする第1の差動トランジスタ対と、第1
のトランジスタと上記第1の差動トランジスタ対からの
出力信号および外部からの制御信号を入力とする第2の
トランジスタとを有する第2の差動トランジスタ対とが
直列接続されてなる入力容量制御差動ゲートとを備え、 上記制御信号をONすることにより上記第2のトランジス
タを介して上記第1の差動トランジスタ対を動作させ、
該制御信号をOFFすることにより該第1の差動トランジ
スタ対が動作しないよう上記第2のトランジスタを動作
させて該第1の差動トランジスタ対の有する入力容量を
可変させるように構成したことを特徴とする可変遅延回
路。
1. An input differential gate receiving a differential signal, an output differential gate receiving a differential output signal from the input differential gate, and between the input differential gate and the output differential gate. A first differential transistor pair connected in parallel to the differential output signal line of
And a second differential transistor pair having a second transistor to which an output signal from the first differential transistor pair and an external control signal are input are connected in series. Operating the first differential transistor pair via the second transistor by turning on the control signal;
By turning off the control signal, the second transistor is operated so that the first differential transistor pair does not operate, thereby varying the input capacitance of the first differential transistor pair. Characteristic variable delay circuit.
【請求項2】請求項1記載の可変遅延回路の入力側にカ
ウンタを接続したことを特徴とするタイミング発生装
置。
2. A timing generator, wherein a counter is connected to the input side of the variable delay circuit according to claim 1.
【請求項3】少なくとも、被試験素子への試験波形の発
生タイミングと、該被試験素子からの応答と事前設定期
待値との比較タイミングとが、それぞれ請求項1記載の
可変遅延回路を用いて可変遅延できるように構成されて
いることを特徴とするLSIテスタ。
3. The variable delay circuit according to claim 1, wherein at least a generation timing of a test waveform to the device under test and a comparison timing between a response from the device under test and a preset expected value are respectively set. An LSI tester configured to be capable of variable delay.
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