JP2773757B2 - ATM cell multiplexer - Google Patents

ATM cell multiplexer

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JP2773757B2
JP2773757B2 JP7444392A JP7444392A JP2773757B2 JP 2773757 B2 JP2773757 B2 JP 2773757B2 JP 7444392 A JP7444392 A JP 7444392A JP 7444392 A JP7444392 A JP 7444392A JP 2773757 B2 JP2773757 B2 JP 2773757B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、広帯域ISDNの実現
方式であるATM(Asynchroous Transfer Mode: 非同期
転送モード) 方式において、ATMセルを多重化するA
TMセル多重装置に関し、特に、ATMセル多重装置を
用いて構成される、ATMセル単位に接続変換するAT
Mスイッチに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ATM (Asynchroous Transfer Mode) system for realizing a broadband ISDN, which multiplexes ATM cells.
The present invention relates to a TM cell multiplexing apparatus, and more particularly to an AT configured to use an ATM cell multiplexing apparatus for connection conversion in ATM cell units.
Regarding the M switch.

【0002】[0002]

【従来の技術】このようなATMセル多重装置は、例え
ば、鈴木ほか「出力バッファ型ATMスイッチの構成
法」、電子情報通信学会技術研究報告SSE88−17
2、37ページ〜42ページ(以下文献1という)に記
載されている。
2. Description of the Related Art Such an ATM cell multiplexing apparatus is described in, for example, Suzuki et al., "Method of Configuring Output Buffer ATM Switch", IEICE Technical Report SSE88-17.
2, pages 37 to 42 (hereinafter referred to as Reference 1).

【0003】図6を参照すると、従来のATMセル多重
装置は、有効セル及び空セル(無効セル)に分けられる
連続したATMセルを表す、速度V(例えば、622.
08Mb/s)を持つ第1乃至第N(Nは2以上の整
数)の入力信号をそれぞれ供給される第1乃至第Nの入
力ライン11−1〜11−Nと、出力ライン120と
を、有する。
[0003] Referring to FIG. 6, a conventional ATM cell multiplexer includes a rate V (for example, 622.times.) Representing a continuous ATM cell divided into valid cells and empty cells (invalid cells).
The first to N-th input lines 11-1 to 11-N to which the first to N-th (N is an integer of 2 or more) input signals having the input signal levels of 08 Mb / s) and the output line 120, respectively. Have.

【0004】第1乃至第NのS/P(シリアル/パラレ
ル)変換部12−1〜12−Nは、第1乃至第Nの入力
ライン11(添字略)に接続され、第1乃至第Nの入力
信号を、例えば、11.52Mb/sを持つ第1乃至第
Nのパラレル信号に変換し、多重部13の処理速度を落
とす。多重部13は、第1乃至第NのS/P変換部12
(添字略)に接続され、第1乃至第Nのパラレル信号
を、速度V×Nを持ち、第1乃至第Nの多重化セル(多
重化成分)を含む時分割多重信号を出力する。第1乃至
第Nの多重化セルは第1乃至第Nの入力信号からそれぞ
れ得られる。Nが8であるとすると、速度V×Nは49
76.64Mb/sである。
The first to N-th S / P (serial / parallel) converters 12-1 to 12-N are connected to the first to N-th input lines 11 (subscripts are omitted), and Is converted into first to Nth parallel signals having, for example, 11.52 Mb / s, and the processing speed of the multiplexing unit 13 is reduced. The multiplexing unit 13 includes the first to Nth S / P conversion units 12
(Subscript omitted), and outputs a time-division multiplexed signal having the speed V × N and including the first to N-th multiplexed cells (multiplexed components). The first to N-th multiplexed cells are obtained from the first to N-th input signals, respectively. Assuming that N is 8, the speed V × N is 49
76.64 Mb / s.

【0005】シングルポートRAMを用いたFIFO
(ファーストインファーストアウト)メモリ15が、速
度V×Nのための時分割バス14を介して多重部13に
接続されている。制御部16は、時分割バス14及びF
IFOメモリ15に接続され、図7に示すように、第1
乃至第Nの多重化セルの内の有効セルをFIFOメモリ
15に、速度2×V×Nに等しい書込み速度で書込まれ
たセルとして連続的に書込み、書込まれたセルの一つを
FIFOメモリ15から、2×V×Nに等しい読出し速
度でファーストインファーストアウト規則に従って到着
順に読出し信号として読出す。
[0005] FIFO using single port RAM
A (first-in first-out) memory 15 is connected to the multiplexing unit 13 via a time division bus 14 for the speed V × N. The control unit 16 controls the time-division bus 14 and the F
The first memory is connected to the IFO memory 15 as shown in FIG.
To N-th multiplexed cells are successively written to the FIFO memory 15 as cells written at a writing speed equal to the speed 2 × V × N, and one of the written cells is FIFO-written. The data is read out from the memory 15 as a read signal in the order of arrival according to a first-in first-out rule at a read speed equal to 2 × V × N.

【0006】図7に示された例では、Nは8に等しい。
即ち、入力ラインの数は8である。シングルポートRA
Mを用いたFIFOメモリ15には書込み動作と読出し
動作とは同時に行えないので、書込み及び読出し速度の
各々を速度V×Nの2倍にして書込み動作及び読出し動
作を時分割で行う方法をとっている。書込みタイミング
は、速度Vの入力信号の各々の一つのATMセルの時間
内に8回現れる。第1乃至第Nの入力信号がある時点で
有効セルを表しているとすると、FIFOメモリ15
は、入力信号の各々の一つのATMセルの時間内に、第
1乃至第N(第8)の有効セルを連続的に第1乃至第N
(第8)の書込まれたセルとして記憶する。読出しタイ
ミングは、速度Vの入力信号の各々の一つのATMセル
の時間内に、1回現れる。その結果、第1の書込まれた
セルは、入力信号の各々の一つのATMセルの時間内
に、FIFOメモリ15からファーストインファースト
アウト規則に従って第1の読出されたセルとして読出さ
れる。第2の書込まれたセルは、入力信号の各々の次の
ATMセルの時間内に、FIFOメモリ15から第2の
読出されたセルとして読出される。同様に、第N(即ち
第8)の書込まれたセルは、FIFOメモリ15から第
8の読出されたセルとして読出される。第1乃至第8の
読出されたセルは前記読出し信号を構成する。
In the example shown in FIG. 7, N is equal to eight.
That is, the number of input lines is eight. Single port RA
Since the write operation and the read operation cannot be performed simultaneously in the FIFO memory 15 using M, the write and read speeds are each twice the speed V × N, and the write and read operations are performed in a time-division manner. ing. The write timing appears eight times in the time of each one ATM cell of the input signal of the speed V. Assuming that the first to Nth input signals represent valid cells at a certain point in time, the FIFO memory 15
Can sequentially output the first to Nth (eighth) valid cells within the time of each one ATM cell of the input signal.
It is stored as the (eighth) written cell. The read timing appears once within the time of each one ATM cell of the input signal of the speed V. As a result, the first written cell is read from FIFO memory 15 as a first read cell according to a first-in first-out rule within the time of one ATM cell of each of the input signals. The second written cell is read from FIFO memory 15 as a second read cell within the time of each next ATM cell of the input signal. Similarly, the Nth (ie, eighth) written cell is read from FIFO memory 15 as an eighth read cell. The first to eighth read cells constitute the read signal.

【0007】図6において、P/S(パラレル/シリア
ル)変換部17はFIFOメモリ15及び出力ライン1
20に接続され、読出し信号を速度Vの時分割多重出力
信号に変換し、出力ライン120に出力する。
In FIG. 6, a P / S (parallel / serial) conversion unit 17 includes a FIFO memory 15 and an output line 1.
20, converts the read signal into a time-division multiplexed output signal having a speed V, and outputs the converted signal to an output line 120.

【0008】このように、S/P変換部12、多重部1
3、時分割バス14、FIFOメモリ15、制御部1
6、及びP/S変換部17は、第1乃至第Nの入力ライ
ン11及び出力ライン120に接続され、第1乃至第N
の入力信号を速度Vを持つ時分割多重出力信号に処理
し、時分割多重出力信号を出力ライン120に送出する
処理部として働く。また、S/P変換部12、多重部1
3、及び時分割バス14は、第1乃至第Nの入力信号を
時分割多重し、速度V×Nを持つ時分割多重信号を出力
する時分割多重部として作用する。
As described above, the S / P converter 12 and the multiplexer 1
3, time division bus 14, FIFO memory 15, control unit 1
6 and the P / S converter 17 are connected to the first to Nth input lines 11 and the output line 120, and the first to Nth
To a time-division multiplexed output signal having a speed V, and serves as a processing unit for sending the time-division multiplexed output signal to the output line 120. In addition, the S / P conversion unit 12, the multiplexing unit 1
3, and the time division bus 14 functions as a time division multiplexing unit that time division multiplexes the first to Nth input signals and outputs a time division multiplexed signal having a speed V × N.

【0009】次に図8を参照して、図6のATMセル多
重装置の詳細を説明する。第1乃至第Nの入力ライン1
1−1〜11−Nは、各々が連続したATMセルを表す
第1乃至第Nの入力信号を受ける。ATMセルの一つを
図9(a)に示す。図9(a)において、図示されたA
TMセルは、各バイトが8ビット(一般的にはQビッ
ト)からなる第1乃至第54バイトを有する。第1のバ
イトは第1乃至第8のビットを有する。第2のバイトは
第9乃至第16のビットを有する。第54のバイトは第
425乃至第432のビットを有する。
Next, the details of the ATM cell multiplexer shown in FIG. 6 will be described with reference to FIG. 1st to Nth input lines 1
1-1 to 11-N receive first to Nth input signals, each representing a continuous ATM cell. One of the ATM cells is shown in FIG. In FIG. 9A, the illustrated A
The TM cell has first to 54th bytes, each byte consisting of 8 bits (generally Q bits). The first byte has first to eighth bits. The second byte has ninth through sixteenth bits. The 54th byte has 425th through 432th bits.

【0010】図8及び図9(a)において、S/P変換
部121−1〜121−Nは第1乃至第Nの入力ライン
11−1〜11−Nにそれぞれ接続され、入力信号を第
1乃至第8(第Q)のスライスされたセルに変換する。
第1のスライスされたセルは、第1、第9、…、及び第
425のビットを有する。第8のスライスされたセル
は、第8、第16、…、及び第432のビットを有す
る。このようなセルのスライスは上記文献1に記載され
ている。
In FIG. 8 and FIG. 9A, S / P converters 121-1 to 121-N are connected to first to N-th input lines 11-1 to 11-N, respectively, and input signals are sent to first to Nth input lines 11-1 to 11-N. The first to eighth (Q) th sliced cells are converted.
The first sliced cell has the first, ninth, ..., and 425th bits. The eighth sliced cell has eighth, sixteenth, ..., and 432th bits. Such a cell slice is described in the above-mentioned reference 1.

【0011】図8において、第1乃至第Q(第8)のL
SIチップ#1〜#Q(#8)がS/P変換部121−
1〜121−Nに接続されている。第1のLSIチップ
#1はS/P変換部121−1〜121−Nから第1の
スライスされたセルを受け、第Q(第8)のLSIチッ
プ#Q(#8)は第Q(第8)のスライスされたセルを
受ける。第1乃至第Q(第8)のLSIチップ#1〜#
Q(#8)は、構造及び動作に関して、互いに同様であ
るので、ここでは第1のLSIチップ#1についてのみ
説明する。
In FIG. 8, first to Qth (eighth) L
The SI chips # 1 to #Q (# 8) are connected to the S / P converter 121-
1 to 121-N. The first LSI chip # 1 receives the first sliced cell from the S / P converters 121-1 to 121-N, and the Qth (eighth) LSI chip #Q (# 8) receives the Qth ( Eighth) receive the sliced cell. First to Qth (eighth) LSI chips # 1 to #
Since Q (# 8) is similar in structure and operation to each other, here, only the first LSI chip # 1 will be described.

【0012】第1のLSIチップ#1は、S/P変換部
121−1〜121−Nにそれぞれ接続されたS/P変
換部122−1〜122−Nを有する。S/P変換部1
22−1はS/P変換部121−1から第1のスライス
されたセルを受け、S/P変換部122−NはS/P変
換部121−Nから第1のスライスされたセルを受け
る。S/P変換部122−1〜22−Nの各々は、第1
のスライスされたセルを図9(b)に示されたパラレル
信号に変換する。S/P変換部121−1と第1のLS
Iチップ#1のS/P変換部122−1と残りのLSI
チップの同様のS/P変換部は、図6の第1のS/P変
換部12−1として作用する。同様に、S/P変換部1
21−Nと第1のLSIチップ#1のS/P変換部12
2−Nと残りのLSIチップの同様のS/P変換部は、
図6の第NのS/P変換部12−Nとして作用する。
The first LSI chip # 1 has S / P converters 122-1 to 122-N connected to S / P converters 121-1 to 121-N, respectively. S / P converter 1
22-1 receives the first sliced cell from the S / P converter 121-1, and the S / P converter 122-N receives the first sliced cell from the S / P converter 121-N. . Each of the S / P converters 122-1 to 22-N has a first
Is converted into the parallel signal shown in FIG. 9B. S / P conversion section 121-1 and first LS
S / P converter 122-1 of I chip # 1 and remaining LSI
A similar S / P converter of the chip acts as the first S / P converter 12-1 in FIG. Similarly, S / P converter 1
21-N and S / P Converter 12 of First LSI Chip # 1
2-N and similar S / P converters of the remaining LSI chips
It functions as the N-th S / P converter 12-N in FIG.

【0013】図8において、多重部131はS/P変換
部122−1〜122−Nからパラレル信号を受け、パ
ラレル信号を時分割多重し、多重信号を出力する。図9
(c)に示すように、この多重信号は、第1乃至第8
(第N)の入力信号の第1のスライスされたセルからそ
れぞれ得られた第1乃至第8の成分#1〜#8(#N)
を持つ。同様にして、第QのLSIチップ#Qの同様の
多重部は、第1乃至第8(第N)の入力信号の第Qのス
ライスされたセルからそれぞれ得られた第1乃至第8の
成分#1〜#8(#N)を持つ多重信号を出力する。第
1のLSIチップ#1の多重部131と残りのLSIチ
ップの同様の多重部は、図6の多重部13として作用す
る。
In FIG. 8, a multiplexer 131 receives parallel signals from S / P converters 122-1 to 122-N, time-division multiplexes the parallel signals, and outputs a multiplexed signal. FIG.
As shown in (c), the multiplexed signal includes first to eighth signals.
First to eighth components # 1 to # 8 (#N) obtained respectively from the first sliced cells of the (Nth) input signal
have. Similarly, the similar multiplexing unit of the Q-th LSI chip #Q includes the first to eighth components obtained from the Q-th sliced cells of the first to eighth (N-th) input signals, respectively. A multiplex signal having # 1 to # 8 (#N) is output. The multiplexing unit 131 of the first LSI chip # 1 and a similar multiplexing unit of the remaining LSI chips function as the multiplexing unit 13 in FIG.

【0014】図8において、FIFOメモリ151は時
分割バス141を介して多重部131に接続される。時
分割バス141と残りのLSIチップの同様の時分割バ
スとは、図6の時分割バス14として作用する。第1乃
至第Nの入力信号がある時点で有効セルを表していると
すると、制御部16は、図7で説明したように、第1の
スライスされたセルから得られた第1乃至第8(第N)
の成分#1〜#8(#N)をFIFOメモリ151に連
続的に書込み、第1の成分#1をFIFOメモリ151
から読出す。そのような第1のLSIチップ#1に対す
る書込み及び読出し動作は、残りのLSIチップに対す
る書込み及び読出し動作と同期して行われる。第1のL
SIチップ#1のFIFOメモリ151と残りのLSI
チップの同様なFIFOメモリとは、図6のFIFOメ
モリ15として作用する。
In FIG. 8, a FIFO memory 151 is connected to a multiplexing unit 131 via a time division bus 141. The time division bus 141 and the similar time division bus of the remaining LSI chips act as the time division bus 14 in FIG. Assuming that the first to N-th input signals represent valid cells at a certain point in time, the control unit 16 determines the first to eighth signals obtained from the first sliced cells as described with reference to FIG. (No. N)
Components # 1 to # 8 (#N) are continuously written to the FIFO memory 151, and the first component # 1 is written to the FIFO memory 151.
Read from Such a write and read operation for the first LSI chip # 1 is performed in synchronization with a write and read operation for the remaining LSI chips. First L
FIFO memory 151 of SI chip # 1 and remaining LSI
A similar FIFO memory in the chip acts as FIFO memory 15 in FIG.

【0015】第1のLSIチップ#1のP/S変換部1
71、残りのLSIチップの同様なP/S変換部、及び
P/S変換部172は、図6のP/S変換部17として
作用する。
P / S converter 1 of first LSI chip # 1
The P / S converter 71 and the P / S converter 172 of the remaining LSI chips function as the P / S converter 17 of FIG.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】上述したように図6の
ATMセル多重装置では、LSIチップ内でシングルポ
ートRAMを用いてFIFOメモリ15を実現してい
た。この時、シングルポートRAMに対する書込み動作
と読出し動作とは同時に行えないので、図6に関して記
述したように、書込み及び読出し速度の各々を速度V×
Nの2倍にして書込み動作及び読出し動作を時分割で行
う方法をとっている。従って、高速、大規模なATMセ
ル多重装置を実現するとき、FIFOメモリ15へのア
クセス時間が実現の上でのボトルネックになりやすい欠
点がある。
As described above, in the ATM cell multiplexer shown in FIG. 6, the FIFO memory 15 is realized by using a single port RAM in an LSI chip. At this time, since the write operation and the read operation for the single port RAM cannot be performed at the same time, as described with reference to FIG.
A method is adopted in which the write operation and the read operation are performed in a time-division manner by setting N times twice. Therefore, when a high-speed and large-scale ATM cell multiplexing device is realized, there is a disadvantage that the access time to the FIFO memory 15 tends to be a bottleneck in realizing the device.

【0017】本発明の課題は、FIFOメモリへアクセ
ス速度(書込み及び読出し速度)を減少させることがで
きる、高速、大規模なATMスイッチの実現に適したA
TMセル多重装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an ATM switch suitable for realizing a high-speed and large-scale ATM switch capable of reducing the access speed (write and read speed) to a FIFO memory.
An object of the present invention is to provide a TM cell multiplexer.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明の一態様によれ
ば、有効セル及び空セルに分けられる連続したATMセ
ルを表す、速度Vを持つ第1乃至第N(Nは2以上の整
数)の入力信号をそれぞれ供給される第1乃至第Nの入
力ラインと、少なくとも一つの出力ラインと、前記第1
乃至前記第Nの入力ライン及び前記少なくとも一つの出
力ラインに接続され、前記第1乃至前記第Nの入力信号
を前記速度Vを持つ時分割多重出力信号に処理し、該時
分割多重出力信号を前記少なくとも一つの出力ラインに
送出する処理手段とを有するATMセル多重装置におい
て、前記処理手段は、連続した空セルを表す、前記速度
Vを持つダミー入力信号を供給される一つのダミー入力
ラインと、前記第1乃至前記第Nの入力ライン及び前記
ダミー入力ラインに接続され、前記第1乃至前記第Nの
入力信号及び前記ダミー入力信号を時分割多重し、速度
V×(N+1)を持ち、且つ、前記第1乃至前記第Nの
入力信号及び前記ダミー入力信号からそれぞれ得られた
第1乃至第Nの多重化セル及びダミー多重化セルを含
む、時分割多重信号を出力する時分割多重手段と、この
時分割多重手段に接続されたファーストインファースト
アウトメモリと、前記時分割多重手段及び前記ファース
トインファーストアウトメモリに接続され、前記第1乃
至前記第Nの多重化セルの前記有効セルを前記ファース
トインファーストアウトメモリに、前記第1乃至前記第
Nの多重化セルによって定まる書込み期間、前記速度V
×(N+1)に等しい書込み速度で書込まれたセルとし
て連続的に書込み、前記書込まれたセルの一つを前記フ
ァーストインファーストアウトメモリから、前記ダミー
多重化セルによって定まる読出し期間、前記速度V×
(N+1)に等しい読出し速度でファーストインファー
ストアウト規則に従って到着順に読出し信号として読出
し、前記書込み期間と前記読出し期間との時間比をN:
1に制御する制御手段と、前記ファーストインファース
トアウトメモリ及び前記少なくとも一つの出力ラインに
接続され、前記速度V×(N+1)で読出された前記読
出し信号を前記速度Vの前記時分割多重出力信号に変換
し、前記少なくとも一つの出力ラインに出力する変換手
段とを含むことを特徴とするATMセル多重装置が得ら
れる。
According to one aspect of the present invention, first to N-th (N is an integer greater than one) with a speed V representing consecutive ATM cells divided into valid cells and empty cells. First to Nth input lines to which the input signals are respectively supplied, at least one output line,
To the Nth input line and the at least one output line, processing the first to Nth input signals into a time division multiplexed output signal having the speed V, An ATM cell multiplexing device having processing means for sending to said at least one output line, said processing means comprising: one dummy input line supplied with a dummy input signal having said speed V, representing continuous empty cells; , Connected to the first to Nth input lines and the dummy input line, time-division multiplexing the first to Nth input signals and the dummy input signal, and having a speed V × (N + 1); And a time division multiplexed signal including first to Nth multiplexed cells and dummy multiplexed cells obtained from the first to Nth input signals and the dummy input signal, respectively. A time-division multiplexing means for outputting, a first-in first-out memory connected to the time-division multiplexing means, and the first to N-th multiplexing means connected to the time-division multiplexing means and the first-in first-out memory Writing the valid cells of the cells into the first-in first-out memory in the write period determined by the first to N-th multiplexed cells;
× (N + 1) continuously written as cells written at a write speed equal to (N + 1), and one of the written cells is read from the first-in first-out memory from the first-in first-out memory for a read period determined by the dummy multiplexed cell, V ×
At the read speed equal to (N + 1), the signals are read as read signals in the order of arrival in accordance with the first-in first-out rule.
Control means for controlling the read-out signal at a speed of V × (N + 1) and connected to the first-in-first-out memory and the at least one output line. , And a conversion unit for outputting the data to the at least one output line.

【0019】更に、本発明のもう一つの態様によれば、
有効セル及び空セルに分けられる連続したATMセルを
表す、速度Vを持つ第1乃至第N(Nは2以上の整数)
の入力信号をそれぞれ供給される第1乃至第Nの入力ラ
インと、それぞれ異なる出力ライン番号を有する第1乃
至第M(Mは2以上の整数)の出力ラインと、連続した
空セルを表す、前記速度Vを持つダミー入力信号を供給
される一つのダミー入力ラインと、前記第1乃至前記第
Nの入力ライン及び前記ダミー入力ラインに接続され、
前記第1乃至前記第Nの入力信号及び前記ダミー入力信
号を時分割多重し、速度V×(N+1)を持ち、且つ、
前記第1乃至前記第Nの入力信号及び前記ダミー入力信
号からそれぞれ得られた第1乃至第Nの多重化セル及び
ダミー多重化セルを含む、時分割多重信号を出力する時
分割多重手段と、前記第1乃至前記第Mの出力ラインに
対応して設けられ、対応する出力ラインの出力ライン番
号を格納アドレスとして格納しており、前記時分割多重
信号を受けて、当該時分割多重信号に含まれる前記有効
セルに付随する出力ラインアドレスが前記格納アドレス
に一致した時のみ当該有効セルを通過させる第1乃至第
Mのセル通過手段と、前記第1乃至前記第Mのセル通過
手段にそれぞれ接続された第1乃至第Mのファーストイ
ンファーストアウトメモリと、前記時分割多重手段と前
記第1乃至前記第Mのファーストインファーストアウト
メモリとに接続され、前記第1乃至前記第Mのセル通過
手段を通過した有効セルを、対応するファーストインフ
ァーストアウトメモリに、前記第1乃至前記第Nの多重
化セルによって定まる書込み期間、前記速度V×(N+
1)に等しい書込み速度で書込まれたセルとして連続的
に書込み、前記第1乃至前記第Mのファーストインファ
ーストアウトメモリから、前記書込まれたセルの一つを
前記ダミー多重化セルによって定まる読出し期間、前記
速度V×(N+1)に等しい読出し速度でファーストイ
ンファーストアウト規則に従って到着順に読出し信号と
して読出し、前記書込み期間と前記読出し期間との時間
比をN:1に制御する制御手段と、前記第1乃至前記第
Mのファーストインファーストアウトメモリと前記第1
乃至前記第Mの出力ラインとの間にそれぞれ接続され、
前記第1乃至前記第Mのファーストインファーストアウ
トメモリから前記速度V×(N+1)で読出された前記
読出し信号を前記速度Vの時分割多重出力信号に変換
し、前記第1乃至前記第Mの出力ラインに出力する第1
乃至第Mの変換手段とを含むことを特徴とするATMセ
ル多重装置が得られる。
Further, according to another aspect of the present invention,
First to N-th (N is an integer of 2 or more) having a speed V, representing continuous ATM cells divided into valid cells and empty cells
1 to N-th input lines to which the input signals are respectively supplied, first to M-th (M is an integer of 2 or more) output lines having different output line numbers, and continuous empty cells. One dummy input line to which the dummy input signal having the speed V is supplied, the first to the Nth input lines and the dummy input line,
The first to Nth input signals and the dummy input signal are time-division multiplexed, have a speed V × (N + 1), and
Time-division multiplexing means for outputting a time-division multiplexed signal, including first to Nth multiplexed cells and dummy multiplexed cells obtained from the first to Nth input signals and the dummy input signal, respectively; An output line number of the corresponding output line is provided as a storage address, provided corresponding to the first to M-th output lines, and receives the time division multiplex signal and includes the output line number in the time division multiplex signal. Connected to the first to Mth cell passing means for passing the valid cell only when the output line address associated with the valid cell coincides with the storage address, and respectively connected to the first to Mth cell passing means. Connected to the first to Mth first-in first-out memories, the time-division multiplexing means, and the first to M-th first-in first-out memories. The effective cell which has passed through the cell passing means of the first to the second M, the corresponding first-in-first-out memory, the first to write period determined by the multiplexing cells of the first N, the velocity V × (N +
The cells are continuously written as cells written at a writing speed equal to 1), and one of the written cells is determined by the dummy multiplexed cell from the first to Mth first-in first-out memories. Control means for reading as a read signal in the order of arrival according to a first-in first-out rule at a read speed equal to the speed V × (N + 1) during the read period, and controlling a time ratio between the write period and the read period to N: 1; The first to Mth first-in first-out memories and the first
To the M-th output line,
Converting the read signal read from the first to Mth first-in first-out memories at the speed V × (N + 1) into a time-division multiplexed output signal at the speed V; 1st output to output line
To an M-th conversion means.

【0020】[0020]

【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

【0021】図1を参照すると、本発明の第1の実施例
によるATMセル多重装置は、以下に説明することを除
けば、図6のATMセル多重装置と同様である。本AT
Mセル多重装置は、連続した空セル(無効セル)を表
す、速度Vを持つダミー入力信号を供給されるダミー入
力ライン20を有する。空セルの各々はすべてのビット
が論理“0”である。多重部13´は、第1乃至第Nの
S/P変換部12−1〜12−N及びダミー入力ライン
20に接続され、第1乃至第Nのパラレル信号及びダミ
ー入力信号を時分割多重し、速度V×(N+1)を持
ち、且つ、第1乃至第Nの多重化セル(多重化成分)及
びダミー多重化セルを含む、時分割多重信号を出力す
る。第1乃至第Nの多重化セル及びダミー多重化セル
は、第1乃至第Nの入力信号及びダミー入力信号からそ
れぞれ得られる。Nが8とすると、速度V×(N+1)
は5598.72Mb/sである。
Referring to FIG. 1, the ATM cell multiplexer according to the first embodiment of the present invention is the same as the ATM cell multiplexer of FIG. 6, except as described below. Real AT
The M-cell multiplexing device has a dummy input line 20 supplied with a dummy input signal having a speed V, which represents a continuous empty cell (invalid cell). In each of the empty cells, all bits are logic "0". The multiplexing unit 13 'is connected to the first to N-th S / P converters 12-1 to 12-N and the dummy input line 20, and multiplexes the first to N-th parallel signals and the dummy input signal. , A time-division multiplexed signal having a speed V × (N + 1) and including first to N-th multiplexed cells (multiplexed components) and dummy multiplexed cells. The first to Nth multiplexed cells and the dummy multiplexed cells are obtained from the first to Nth input signals and the dummy input signal, respectively. Assuming that N is 8, the speed V × (N + 1)
Is 5598.72 Mb / s.

【0022】FIFOメモリ15は、速度V×(N+
1)のための時分割バス14´を介して多重部13´に
接続されている。制御部16´は、時分割バス14´と
FIFOメモリ15とに接続され、図2に示すように、
第1乃至第Nの多重化セルの内の有効セルをFIFOメ
モリ15に、第1乃至第Nの多重化セルによって定まる
書込み期間、速度V×(N+1)に等しい書込み速度で
書込まれたセルとして連続的に書込み、書込まれたセル
の一つを前記FIFOメモリ15から、ダミー多重化セ
ルによって定まる読出し期間、速度V×(N+1)に等
しい読出し速度でファーストインファーストアウト規則
に従って到着順に読出し信号として読出し、書込み期間
と読出し期間との時間比をN:1に制御する。
The FIFO memory 15 has a speed V × (N +
It is connected to the multiplexing unit 13 'via a time division bus 14' for 1). The control unit 16 'is connected to the time division bus 14' and the FIFO memory 15, and as shown in FIG.
Effective cells of the first to N-th multiplexed cells are written into the FIFO memory 15 at a write period equal to the speed V × (N + 1) during a write period determined by the first to N-th multiplex cells. One of the written cells is sequentially read from the FIFO memory 15 in the order of arrival according to the first-in first-out rule at a read speed equal to the speed V × (N + 1) during a read period determined by the dummy multiplex cell. Reading is performed as a signal, and the time ratio between the writing period and the reading period is controlled to N: 1.

【0023】図2に示された例では、Nは8に等しい。
書込み期間は、図2の書込みタイミングで示されるよう
に、第1乃至第Nの多重化セルによって定まる。読出し
期間は、図2の読出しタイミングで示されるように、ダ
ミー多重化セルによって定まる。書込みタイミングは、
速度Vの入力信号の各々の一つのATMセルの時間内に
N(即ち、8)回現れる。読出しタイミングは、速度V
の入力信号の各々の一つのATMセルの時間内に、1回
現れる。この際、書込み及び読出し速度の各々は、V×
(N+1)に等しくされる。FIFOメモリ15は、入
力信号の各々の一つのATMセルの時間内に、最大8個
(N個)の有効セルを連続的に、書込まれたセルとして
記憶し、書込まれたセルの一つをファーストインファー
ストアウト規則に従ってP/S変換部17に送出する。
本発明では、アクセス速度(即ち、書込み及び読出し速
度)は、2×N×V(図6)からV×(N+1)に減少
され、従来の(N+1)/(2×N)とすることができ
る。
In the example shown in FIG. 2, N is equal to eight.
The write period is determined by the first to N-th multiplexed cells, as shown by the write timing in FIG. The read period is determined by the dummy multiplex cell as shown by the read timing in FIG. Write timing is
Each V input signal of rate V appears N (ie, 8) times in the time of one ATM cell. The read timing is the speed V
Appear once within the time of one ATM cell of each of the input signals. At this time, each of the write and read speeds is V ×
(N + 1). The FIFO memory 15 stores up to eight (N) valid cells continuously as written cells within the time of one ATM cell of each of the input signals, and stores one of the written cells. Are sent to the P / S converter 17 according to the first-in first-out rule.
In the present invention, the access speed (i.e., the write and read speed) is reduced from 2 * N * V (FIG. 6) to V * (N + 1), which is the conventional (N + 1) / (2 * N). it can.

【0024】図1において、P/S変換部17は、速度
V×(N+1)の読出し信号を速度Vの時分割多重出力
信号に変換し、出力ライン120に出力する。
In FIG. 1, a P / S converter 17 converts a read signal of speed V × (N + 1) into a time-division multiplexed output signal of speed V, and outputs it to an output line 120.

【0025】次に図3を参照して、図1のATMセル多
重装置の詳細を説明する。図3のATMセル多重装置
は、以下に述べることを除けば、図8のATMセル多重
装置と同様である。第1乃至第Q(第8)のLSIチッ
プ#1〜#Q(#8)は、構造及び動作に関して、互い
に同様であるので、ここでは第1のLSIチップ#1に
ついてのみ説明する。第1のLSIチップ#1は、多重
部131´及び時分割バス141´を、第8図の多重部
131及び時分割バス141の代りに有する。多重部1
31´はS/P変換部122−1〜122−Nからパラ
レル信号を受けると共に、ダミー入力ライン20からダ
ミー入力信号を受け、パラレル信号及びダミー入力信号
を時分割多重し、多重信号を出力する。図9(c)に示
すように、この多重信号は、第1乃至第8の成分#1〜
#8と仮想線で示されたダミー成分とを有する。ダミー
成分は、ダミー入力信号から得られ、54ビットを持
つ。
Next, the details of the ATM cell multiplexer shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG. The ATM cell multiplexer of FIG. 3 is the same as the ATM cell multiplexer of FIG. 8 except as described below. Since the first to Qth (eighth) LSI chips # 1 to #Q (# 8) are similar in structure and operation to each other, only the first LSI chip # 1 will be described here. The first LSI chip # 1 has a multiplexing unit 131 'and a time division bus 141' instead of the multiplexing unit 131 and the time division bus 141 of FIG. Multiplexer 1
31 'receives parallel signals from the S / P converters 122-1 to 122-N, receives a dummy input signal from the dummy input line 20, time-division multiplexes the parallel signal and the dummy input signal, and outputs a multiplexed signal. . As shown in FIG. 9C, the multiplex signal has first to eighth components # 1 to # 1.
# 8 and a dummy component indicated by a virtual line. The dummy component is obtained from the dummy input signal and has 54 bits.

【0026】図3において、第1のLSIチップ#1の
多重部131´と残りのLSIチップの同様の多重部
は、図1の多重部13として作用する。FIFOメモリ
151は時分割バス141´を介して多重部131に接
続される。時分割バス141´と残りのLSIチップの
同様の時分割バスとは、図1の時分割バス14´として
作用する。第1乃至第Nの入力信号がある時点で有効セ
ルを表しているとすると、制御部16´は、図2で説明
したように、第1乃至第8(第N)の成分#1〜#8
(#N)をFIFOメモリ151に連続的に書込み、第
1の成分#1をFIFOメモリ151から読出す。その
ような第1のLSIチップ#1に対する書込み及び読出
し動作は、残りのLSIチップに対する書込み及び読出
し動作と同期して行われる。第1のLSIチップ#1の
P/S変換部171、残りのLSIチップの同様なP/
S変換部、及びP/S変換部172は、図1のP/S変
換部17として作用する。
In FIG. 3, a multiplexing section 131 'of the first LSI chip # 1 and a similar multiplexing section of the remaining LSI chips function as the multiplexing section 13 of FIG. The FIFO memory 151 is connected to the multiplexing unit 131 via the time division bus 141 '. The time division bus 141 'and the same time division bus of the remaining LSI chips function as the time division bus 14' of FIG. Assuming that the first to N-th input signals represent a valid cell at a certain point in time, the control unit 16 ′ performs the first to eighth (N-th) components # 1 to # 8
(#N) is continuously written into the FIFO memory 151, and the first component # 1 is read from the FIFO memory 151. Such a write and read operation for the first LSI chip # 1 is performed in synchronization with a write and read operation for the remaining LSI chips. The P / S conversion section 171 of the first LSI chip # 1 has the same P / S
The S converter and the P / S converter 172 function as the P / S converter 17 in FIG.

【0027】図4を参照すると、本発明の第2の実施例
によるATMセル多重装置はATMセル単位に接続変換
するATMスイッチとして働く。このATMセル多重装
置は、以下に述べることを除けば、図1のATMセル多
重装置と同様である。
Referring to FIG. 4, the ATM cell multiplexer according to the second embodiment of the present invention functions as an ATM switch for performing connection conversion on an ATM cell basis. This ATM cell multiplexer is the same as the ATM cell multiplexer of FIG. 1 except as described below.

【0028】本ATMセル多重装置は、それぞれ異なる
出力ライン番号を有する第1乃至第M(Mは2以上の整
数)の出力ライン120−1〜120−Mを有する。第
1乃至第Mのアドレスフィルタ(セル通過手段)35−
1〜35−Mは、第1乃至第Mの出力ライン120−1
〜120−Mに対応して設けられ、対応する出力ライン
の出力ライン番号を格納アドレスとして格納しており、
時分割バス14´から時分割多重信号を受けて、時分割
多重信号に含まれる有効セルに付随する出力ラインアド
レスが格納アドレスに一致した時のみ当該有効セルを通
過させる。第1乃至第MのFIFOメモリ15−1〜1
5−Mは、第1乃至第Mのアドレスフィルタ35−1〜
35−Mにそれぞれ接続されている。
The ATM cell multiplexer has first to M-th (M is an integer of 2 or more) output lines 120-1 to 120-M having different output line numbers. First to Mth address filters (cell passing means) 35-
1-35-M are the first through M-th output lines 120-1.
, And the output line number of the corresponding output line is stored as a storage address.
Upon receiving the time division multiplex signal from the time division bus 14 ', it passes the valid cell only when the output line address associated with the valid cell included in the time division multiplex signal matches the storage address. First to M-th FIFO memories 15-1 to 15-1
5-M is the first to Mth address filters 35-1 to 35-1.
35-M.

【0029】制御部16”は、時分割バス14´と第1
乃至第MのFIFOメモリ15−1〜15−Mとに接続
され、第1乃至第Mのアドレスフィルタ35−1〜35
−Mを通過した有効セルを、対応するFIFOメモリ
に、第1乃至第Nの多重化セルによって定まる書込み期
間、速度V×(N+1)に等しい書込み速度で書込まれ
たセルとして連続的に書込み、第1乃至第MのFIFO
メモリ15−1〜15−Mから、書込まれたセルの一つ
をダミー多重化セルによって定まる読出し期間、速度V
×(N+1)に等しい読出し速度でファーストインファ
ーストアウト規則に従って到着順に読出し信号として読
出し、書込み期間と読出し期間との時間比をN:1に制
御する。
The control unit 16 "includes the time division bus 14 'and the first
To the M-th FIFO memories 15-1 to 15-M, and the first to M-th address filters 35-1 to 35-35.
-M successively write valid cells that have passed through the corresponding FIFO memory as cells written at a write speed equal to the speed V × (N + 1) for a write period determined by the first to N-th multiplexed cells. , First to M-th FIFOs
From the memories 15-1 to 15-M, one of the written cells is read at a speed V, which is determined by a dummy multiplex cell.
At the read speed equal to × (N + 1), the read signals are read in the order of arrival according to the first-in first-out rule, and the time ratio between the write period and the read period is controlled to N: 1.

【0030】第1乃至第MのP/S変換部17−1〜1
7−Mは、第1乃至第MのFIFOメモリと第1乃至第
Mの出力ライン120−1〜120−Mとの間にそれぞ
れ接続され、第1乃至第MのFIFOメモリから速度V
×(N+1)で読出された読出し信号を速度Vの時分割
多重出力信号に変換し、第1乃至第Mの出力ライン12
0−1〜120−Mに出力する。
First to Mth P / S converters 17-1 to 17-1
7-M are connected between the first to M-th FIFO memories and the first to M-th output lines 120-1 to 120-M, respectively.
× (N + 1) is converted into a time-division multiplexed output signal of the speed V, and the first to Mth output lines 12
0-1 to 120-M.

【0031】図5を参照して、図4のATMセル多重装
置の変形例を説明する。図5のATMセル多重装置は、
動作に関しては、図4のATMセル多重装置と実質的に
同様の動作をし、図3のATMセル多重装置とは以下の
点で相違する。本ATMセル多重装置は、第1乃至第M
の出力ラインアドレス(出力ライン番号)を持つ第1乃
至第Mの出力ライン120−1〜120−Mと、出力ラ
インアドレスを連続的に表す、速度Vを持つ第1乃至第
Nのアドレス信号をそれぞれ受ける第1乃至第Nのアド
レスライン31−1〜31−Nとを、有する。この際、
第1のアドレス信号は、第1の入力信号によって表され
た連続したATMセルが送られるべき出力ライン120
(添字略)の出力ラインアドレスを連続的に表してい
る。同様に、第Nのアドレス信号は、第Nの入力信号に
よって表された連続したATMセルが送られるべき出力
ライン120の出力ラインアドレスを連続的に表してい
る。
Referring to FIG. 5, a modification of the ATM cell multiplexer shown in FIG. 4 will be described. The ATM cell multiplexer of FIG.
The operation is substantially the same as that of the ATM cell multiplexer shown in FIG. 4, and differs from the ATM cell multiplexer shown in FIG. 3 in the following points. The present ATM cell multiplexer includes first to Mth
The first to M-th output lines 120-1 to 120-M having the output line addresses (output line numbers) and the first to N-th address signals having the speed V, which continuously represent the output line addresses. It has first to Nth address lines 31-1 to 31-N, respectively. On this occasion,
The first address signal is output line 120 to which successive ATM cells represented by the first input signal are to be sent.
The output line addresses (subscripts omitted) are continuously shown. Similarly, the Nth address signal continuously represents the output line address of output line 120 to which the consecutive ATM cells represented by the Nth input signal are to be sent.

【0032】第1乃至第NのS/P変換部32−1〜3
2−Nは、第1乃至第Nのアドレスライン31(添字
略)に接続され、第1乃至第Nのアドレス信号を第1乃
至第Nのパラレルアドレス信号に変換する。ダミーアド
レスライン20´は速度Vを持つダミーアドレス信号を
受ける。ダミーアドレス信号は、すべてのビットが論理
“0”であるアドレスを、連続的に表す。多重部33
は、第1乃至第NのS/P変換部32(添字略)とダミ
ーアドレスライン20´とに接続され、第1乃至第Nの
パラレルアドレス信号及びダミーアドレス信号を時分割
多重し、速度V×(N+1)を持ち、且つ、第1乃至第
Nの多重化アドレス及びダミー多重化アドレスを含む時
分割多重信号を出力する。第1乃至第Nの多重化アドレ
ス及びダミー多重化アドレスは、第1乃至第Nのパラレ
ルアドレス信号及びダミーアドレス信号からそれぞれ得
られる。
First to Nth S / P converters 32-1 to 32-3
2-N is connected to the first to Nth address lines 31 (subscripts omitted), and converts the first to Nth address signals into first to Nth parallel address signals. Dummy address line 20 'receives a dummy address signal having speed V. The dummy address signal continuously indicates an address in which all bits are logic “0”. Multiplexing unit 33
Is connected to the first to N-th S / P converters 32 (subscripts omitted) and the dummy address line 20 ′, time-division multiplexes the first to N-th parallel address signals and the dummy address signal, and × (N + 1), and outputs a time division multiplexed signal including the first to Nth multiplexed addresses and the dummy multiplexed address. The first to N-th multiplexed addresses and the dummy multiplexed addresses are obtained from the first to N-th parallel address signals and the dummy address signals, respectively.

【0033】第1乃至第Mのアドレスフィルタ35−1
〜35−Mは、速度V×(N+1)のための時分割バス
34を介して多重部33に接続される。第1乃至第Mの
アドレスフィルタ35−1〜35−Mは、予め、第1乃
至第Mの出力ライン120−1〜120−Mの第1乃至
第Nの出力ラインアドレスを、第1乃至第Nの記憶され
たアドレスとして記憶している。第1乃至第Mのアドレ
スフィルタ35(添字略)の各々は、第1乃至第Nの多
重化アドレスによって表された出力ラインアドレスの各
々が第1乃至第Mのアドレスフィルタ35の各々の記憶
されたアドレスに一致する毎に、一致パルスを発生す
る。第1乃至第Mのアップ/ダウンカウンタ36−1〜
36−Mは、第1乃至第Mのアドレスフィルタ35−1
〜35−Mにそれぞれ接続される。第1乃至第Mのアッ
プ/ダウンカウンタ36(添字略)の各々は、一致パル
スを受ける毎に初期カウント(ゼロに等しい)を、増加
カウントにカウントアップする。増加カウントが1以上
の時、アップ/ダウンカウンタ36の各々は、読出しタ
イミング信号を出力し、読出しタイミング信号を出力す
る毎に増加カウントを減少カウントにカウントダウンす
る。
First to Mth address filters 35-1
To 35-M are connected to the multiplexing unit 33 via the time division bus 34 for the speed V × (N + 1). The first to M-th address filters 35-1 to 35 -M preliminarily set the first to N-th output line addresses of the first to M-th output lines 120-1 to 120 -M, respectively. N is stored as the stored address. In each of the first to Mth address filters 35 (subscripts omitted), each of the output line addresses represented by the first to Nth multiplexed addresses is stored in each of the first to Mth address filters 35. A match pulse is generated each time the address matches. First to M-th up / down counters 36-1 to 36-1
36-M are first to M-th address filters 35-1
To 35-M. Each of the first to M-th up / down counters 36 (subscripts omitted) counts up the initial count (equal to zero) to the increment count each time a coincidence pulse is received. When the increment count is 1 or more, each of the up / down counters 36 outputs a read timing signal, and counts down the increment count to the decrement count each time the read timing signal is output.

【0034】第1乃至第Q(第8)のLSIチップ#1
〜#Q(#8)に着目しよう。第1乃至第Q(第8)の
LSIチップ#1〜#Q(#8)は、構造及び動作に関
して互いに同様であるので、第1のLSIチップ#1に
ついて主に説明する。第1のLSIチップ#1は、時分
割バス141´に共通に接続され、且つ、第1乃至第M
のアドレスフィルタ35−1〜35−Mにそれぞれ接続
された第1乃至第MのFIFOメモリ151−1〜15
1−Mを有する。FIFOメモリ151(添字略)の各
々は、対応するアドレスフィルタ35から一致信号を、
書込みタイミング信号として受けた時、多重部131´
の出力信号を、記憶された信号として記憶し、アップ/
ダウンカウンタ36から読出しタイミング信号を受けた
時、記憶された信号をファーストインファーストアウト
規則に従って出力する。
First to Qth (eighth) LSI chips # 1
Let's focus on #Q (# 8). The first to Qth (eighth) LSI chips # 1 to #Q (# 8) are similar in structure and operation to each other, so the first LSI chip # 1 will be mainly described. The first LSI chip # 1 is commonly connected to the time-division bus 141 ′, and the first to Mth
To M-th FIFO memories 151-1 to 15-15 respectively connected to the address filters 35-1 to 35-M
1-M. Each of the FIFO memories 151 (subscripts omitted) receives a match signal from the corresponding address filter 35,
When received as a write timing signal, the multiplexing unit 131 '
Is stored as a stored signal, and up /
Upon receiving the read timing signal from the down counter 36, the stored signal is output according to a first-in first-out rule.

【0035】第1乃至第Nの入力信号が第1の出力ライ
ン120−1に送られるべきものとすると、この場合、
第1のアドレスフィルタ35−1と第1のアップ/ダウ
ンカウンタ36−1とは、図1や図3の制御部16´と
して作用する。
If the first to Nth input signals are to be sent to the first output line 120-1, then
The first address filter 35-1 and the first up / down counter 36-1 function as the control unit 16 'in FIGS. 1 and 3.

【0036】第1乃至第MのP/S変換部171−1〜
171−Mは第1乃至第MのFIFOメモリ151−1
〜151−Mにそれぞれ接続される。第1乃至第MのP
/S変換部172−1〜172−Mは第1乃至第MのP
/S変換部171−1〜171−Mにそれぞれ接続され
る。第1乃至第Mの出力ライン120−1〜120−M
は第1乃至第MのP/S変換部172−1〜172−M
にそれぞれ接続される。第1のP/S変換部171−1
及び172−1は図3のP/S変換部171及び172
として作用し、第MのP/S変換部171−M及び17
2−Mも図3のP/S変換部171及び172として作
用する。
The first to M-th P / S converters 171-1 to 171-1
171-M are first to M-th FIFO memories 151-1
To 151-M. 1st to Mth P
/ S converters 172-1 to 172-M are the first to M-th P
/ S converters 171-1 to 171-M, respectively. First to M-th output lines 120-1 to 120-M
Are the first to M-th P / S converters 172-1 to 172-M
Connected to each other. First P / S converter 171-1
And 172-1 are the P / S converters 171 and 172 in FIG.
And the M-th P / S conversion units 171-M and 17
2-M also functions as the P / S converters 171 and 172 in FIG.

【0037】図5において、アドレスフィルタ35−1
〜35−Mは時分割バス34に接続される代りに、時分
割バス141´に接続されても良い。この場合、入力ラ
インン11−1〜11−Nの各々は、出力ライン120
−1〜120−Mのラインアドレスの一つを示す宛先ア
ドレスをそれぞれ伴う有効セルを含む入力信号を供給さ
れる。
In FIG. 5, the address filter 35-1
35-M may be connected to the time division bus 141 'instead of being connected to the time division bus 34. In this case, each of the input lines 11-1 to 11-N is connected to the output line 120.
An input signal is provided that includes a valid cell with a destination address indicating one of the -1 to 120-M line addresses.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、N本の入
力ラインの信号を時分割多重するとき、N本の入力に対
して1本のダミー入力ラインを加え、時分割多重信号の
速度をV×(N+1)とすることにより、FIFOメモ
リへのアクセス速度を従来の(N+1)/2Nとするこ
とができ、より高速で、大規模なATMスイッチを実現
できる効果がある。
As described above, according to the present invention, when time-division multiplexing of signals of N input lines is performed, one dummy input line is added to N inputs, and the speed of the time-division multiplexed signal is increased. Is set to V × (N + 1), the access speed to the FIFO memory can be reduced to the conventional (N + 1) / 2N, and there is an effect that a higher-speed and large-scale ATM switch can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例によるATMセル多重装
置のブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram of an ATM cell multiplexer according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のATMセル多重装置の動作を説明するた
めのタイミングチャートである。
FIG. 2 is a timing chart for explaining the operation of the ATM cell multiplexer of FIG. 1;

【図3】図1のATMセル多重装置の詳細のブロック図
である。
FIG. 3 is a detailed block diagram of the ATM cell multiplexer of FIG. 1;

【図4】本発明の第2の実施例によるATMセル多重装
置のブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram of an ATM cell multiplexer according to a second embodiment of the present invention.

【図5】図4のATMセル多重装置の変形例のブロック
図である。
FIG. 5 is a block diagram of a modification of the ATM cell multiplexer of FIG. 4;

【図6】従来のATMセル多重装置のブロック図であ
る。
FIG. 6 is a block diagram of a conventional ATM cell multiplexer.

【図7】図6のATMセル多重装置の動作を説明するた
めのタイミングチャートである。
FIG. 7 is a timing chart for explaining the operation of the ATM cell multiplexer of FIG. 6;

【図8】図6のATMセル多重装置の詳細のブロック図
である。
FIG. 8 is a detailed block diagram of the ATM cell multiplexer of FIG. 6;

【図9】図6及び本発明のATMセル多重装置の動作を
説明するための図である。
FIG. 9 is a diagram for explaining the operation of the ATM cell multiplexer of FIG. 6 and the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11−1〜11−N 入力ライン 120、120−1〜120−M 出力ライン 12−1〜12−N S/P変換部 13´ 多重部 14´ 時分割バス 15、15−1〜15−M FIFOメモリ 16´、16” 制御部 17、17−1〜17−M P/S変換部 20 ダミー入力ライン 35−1〜35−M アドレスフィルタ 11-1 to 11-N Input line 120, 120-1 to 120-M Output line 12-1 to 12-N S / P converter 13 'Multiplexer 14' Time division bus 15, 15-1 to 15-M FIFO memory 16 ', 16 "control unit 17, 17-1 to 17-M P / S conversion unit 20 dummy input line 35-1 to 35-M address filter

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 有効セル及び空セルに分けられる連続し
たATMセルを表す、速度Vを持つ第1乃至第N(Nは
2以上の整数)の入力信号をそれぞれ供給される第1乃
至第Nの入力ラインと、少なくとも一つの出力ライン
と、前記第1乃至前記第Nの入力ライン及び前記少なく
とも一つの出力ラインに接続され、前記第1乃至前記第
Nの入力信号を前記速度Vを持つ時分割多重出力信号に
処理し、該時分割多重出力信号を前記少なくとも一つの
出力ラインに送出する処理手段とを有するATMセル多
重装置において、前記処理手段は、連続した空セルを表
す、前記速度Vを持つダミー入力信号を供給される一つ
のダミー入力ラインと、前記第1乃至前記第Nの入力ラ
イン及び前記ダミー入力ラインに接続され、前記第1乃
至前記第Nの入力信号及び前記ダミー入力信号を時分割
多重し、速度V×(N+1)を持ち、且つ、前記第1乃
至前記第Nの入力信号及び前記ダミー入力信号からそれ
ぞれ得られた第1乃至第Nの多重化セル及びダミー多重
化セルを含む、時分割多重信号を出力する時分割多重手
段と、この時分割多重手段に接続されたファーストイン
ファーストアウトメモリと、前記時分割多重手段及び前
記ファーストインファーストアウトメモリに接続され、
前記第1乃至前記第Nの多重化セルの前記有効セルを前
記ファーストインファーストアウトメモリに、前記第1
乃至前記第Nの多重化セルによって定まる書込み期間、
前記速度V×(N+1)に等しい書込み速度で書込まれ
たセルとして連続的に書込み、前記書込まれたセルの一
つを前記ファーストインファーストアウトメモリから、
前記ダミー多重化セルによって定まる読出し期間、前記
速度V×(N+1)に等しい読出し速度でファーストイ
ンファーストアウト規則に従って到着順に読出し信号と
して読出し、前記書込み期間と前記読出し期間との時間
比をN:1に制御する制御手段と、前記ファーストイン
ファーストアウトメモリ及び前記少なくとも一つの出力
ラインに接続され、前記速度V×(N+1)で読出され
た前記読出し信号を前記速度Vの前記時分割多重出力信
号に変換し、前記少なくとも一つの出力ラインに出力す
る変換手段とを含むことを特徴とするATMセル多重装
置。
1. A first to N-th (N is an integer of 2 or more) input signals having a speed V, which represent continuous ATM cells divided into valid cells and empty cells, respectively. And the at least one output line, and the first through the Nth input lines and the at least one output line, the first through the Nth input signals having the speed V Processing means for processing the divided multiplexed output signal and sending said time multiplexed output signal to said at least one output line, said processing means comprising: One dummy input line supplied with a dummy input signal having the following, and the first to Nth input signals connected to the first to Nth input lines and the dummy input line. And the dummy input signal is time-division multiplexed, has a speed of V × (N + 1), and has first to N-th multiplexes obtained from the first to N-th input signals and the dummy input signal, respectively. A time-division multiplexing means for outputting a time-division multiplexed signal including cells and dummy multiplexed cells, a first-in first-out memory connected to the time-division multiplexing means, the time-division multiplexing means and the first-in first-out memory Connected to
The valid cells of the first to N-th multiplexed cells are stored in the first-in first-out memory in the first-in first-out memory.
A writing period determined by the N-th multiplexed cell,
Write continuously as cells written at a write speed equal to the speed V × (N + 1), and one of the written cells is removed from the first-in first-out memory
During a read period determined by the dummy multiplexed cells, read signals are read out in the order of arrival at a read speed equal to the speed V × (N + 1) according to a first-in first-out rule, and the time ratio between the write period and the read period is N: 1. Control means for controlling the time-division multiplexed output signal connected to the first-in first-out memory and the at least one output line and read at the speed V × (N + 1). Converting means for converting and outputting to the at least one output line.
【請求項2】 有効セル及び空セルに分けられる連続し
たATMセルを表す、速度Vを持つ第1乃至第N(Nは
2以上の整数)の入力信号をそれぞれ供給される第1乃
至第Nの入力ラインと、それぞれ異なる出力ライン番号
を有する第1乃至第M(Mは2以上の整数)の出力ライ
ンと、連続した空セルを表す、前記速度Vを持つダミー
入力信号を供給される一つのダミー入力ラインと、前記
第1乃至前記第Nの入力ライン及び前記ダミー入力ライ
ンに接続され、前記第1乃至前記第Nの入力信号及び前
記ダミー入力信号を時分割多重し、速度V×(N+1)
を持ち、且つ、前記第1乃至前記第Nの入力信号及び前
記ダミー入力信号からそれぞれ得られた第1乃至第Nの
多重化セル及びダミー多重化セルを含む、時分割多重信
号を出力する時分割多重手段と、前記第1乃至前記第M
の出力ラインに対応して設けられ、対応する出力ライン
の出力ライン番号を格納アドレスとして格納しており、
前記時分割多重信号を受けて、当該時分割多重信号に含
まれる前記有効セルに付随する出力ラインアドレスが前
記格納アドレスに一致した時のみ当該有効セルを通過さ
せる第1乃至第Mのセル通過手段と、前記第1乃至前記
第Mのセル通過手段にそれぞれ接続された第1乃至第M
のファーストインファーストアウトメモリと、前記時分
割多重手段と前記第1乃至前記第Mのファーストインフ
ァーストアウトメモリとに接続され、前記第1乃至前記
第Mのセル通過手段を通過した有効セルを、対応するフ
ァーストインファーストアウトメモリに、前記第1乃至
前記第Nの多重化セルによって定まる書込み期間、前記
速度V×(N+1)に等しい書込み速度で書込まれたセ
ルとして連続的に書込み、前記第1乃至前記第Mのファ
ーストインファーストアウトメモリから、前記書込まれ
たセルの一つを前記ダミー多重化セルによって定まる読
出し期間、前記速度V×(N+1)に等しい読出し速度
でファーストインファーストアウト規則に従って到着順
に読出し信号として読出し、前記書込み期間と前記読出
し期間との時間比をN:1に制御する制御手段と、前記
第1乃至前記第Mのファーストインファーストアウトメ
モリと前記第1乃至前記第Mの出力ラインとの間にそれ
ぞれ接続され、前記第1乃至前記第Mのファーストイン
ファーストアウトメモリから前記速度V×(N+1)で
読出された前記読出し信号を前記速度Vの時分割多重出
力信号に変換し、前記第1乃至前記第Mの出力ラインに
出力する第1乃至第Mの変換手段とを含むことを特徴と
するATMセル多重装置。
2. The first to N-th input signals (N is an integer of 2 or more) having a speed V, which represent continuous ATM cells divided into valid cells and empty cells. And a first to M-th (M is an integer of 2 or more) output lines having different output line numbers, and a dummy input signal having the speed V, which represents a continuous empty cell. One dummy input line and the first through Nth input lines and the dummy input line, and time-division multiplexes the first through Nth input signals and the dummy input signal to obtain a speed V × ( N + 1)
And outputting a time division multiplexed signal including first to Nth multiplexed cells and dummy multiplexed cells obtained from the first to Nth input signals and the dummy input signal, respectively. Division multiplexing means;
The output line number of the corresponding output line is stored as a storage address.
First to Mth cell passing means for receiving the time-division multiplexed signal and passing the valid cell only when an output line address associated with the valid cell included in the time-division multiplexed signal matches the storage address. And first to Mth cells respectively connected to the first to Mth cell passing means.
A first-in first-out memory, the time-division multiplexing means, and the first to the M-th first-in first-out memory, which are connected to the effective cells passing through the first to the M-th cell passing means. In the corresponding first-in first-out memory, the write period is determined by the first to N-th multiplexed cells, and is continuously written as a cell written at a write speed equal to the speed V × (N + 1). A first-in first-out rule from one to the M-th first-in first-out memory at a read speed equal to the speed V × (N + 1) during a read period determined by the dummy multiplexed cell. As a read signal in the order of arrival, and the time ratio between the write period and the read period N: 1 control means, connected between the first to Mth first-in first-out memories and the first to Mth output lines, respectively, The first to the Mth output lines convert the read signal read from the first-in first-out memory at the speed V × (N + 1) into a time-division multiplexed output signal at the speed V and output the converted signal to the first to M-th output lines. An ATM cell multiplexer comprising M-th conversion means.
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