JP2769398B2 - Manufacturing method of scattering type liquid crystal display device - Google Patents

Manufacturing method of scattering type liquid crystal display device

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JP2769398B2
JP2769398B2 JP23322191A JP23322191A JP2769398B2 JP 2769398 B2 JP2769398 B2 JP 2769398B2 JP 23322191 A JP23322191 A JP 23322191A JP 23322191 A JP23322191 A JP 23322191A JP 2769398 B2 JP2769398 B2 JP 2769398B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、散乱型液晶表示装置
製造方法に関するものである。
The present invention relates to a scattering type liquid crystal display device .
It relates to a manufacturing method .

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置は、液晶の相転移、流動性
等の光学的性質や電界等による分子配向制御方式の違い
により、種々の異なる型式のものがある。このうちの一
つに散乱型液晶表示装置があり、一般に普及している。
このような散乱型液晶表示装置について、図10を参照し
て説明する。
2. Description of the Related Art There are various types of liquid crystal display devices depending on differences in optical properties such as phase transition and fluidity of liquid crystal and molecular alignment control methods by electric fields and the like. One of them is a scattering type liquid crystal display device, which is widely used.
Such a scattering type liquid crystal display device will be described with reference to FIG.

【0003】図10(a) に部分断面図で示す散乱型液晶表
示装置としての液晶パネル100 の製造は以下のように行
われる。即ち、先ず、絶縁性基板上に電極が形成された
一対の基板101 を適当な間隙を隔てて貼り合わせ、この
間隙に紫外線重合型の高分子化合物前駆体及び液晶材料
の混合物を充填し、封入する。次に、紫外線を照射する
と、高分子化合物前駆体が重合し、相分離が起こる。こ
の際、液晶相102 を構成する液晶分子103 は高分子化合
物104 の網目構造中に分散し、担体となる高分子化合物
との界面105 に沿って配向する。
The manufacture of a liquid crystal panel 100 as a scattering type liquid crystal display device shown in a partial sectional view in FIG. 10 (a) is performed as follows. That is, first, a pair of substrates 101 each having electrodes formed on an insulating substrate are adhered to each other with an appropriate gap therebetween, and the gap is filled with a mixture of a UV-polymerizable high molecular compound precursor and a liquid crystal material and sealed. I do. Next, when ultraviolet rays are irradiated, the polymer compound precursor is polymerized, and phase separation occurs. At this time, the liquid crystal molecules 103 constituting the liquid crystal phase 102 are dispersed in the network structure of the polymer compound 104 and are oriented along the interface 105 with the polymer compound as a carrier.

【0004】以上のように製造された液晶パネル100 に
より画像表示を行う際には、図10(a) に示すように電圧
を印加しない状態では、液晶パネル100 中における液晶
分子の配向方向はランダムとなり、液晶パネル100 に入
射する光を散乱する。次に、この高分子分散型液晶層に
電圧を印加すると、図10(b) に示すように液晶分子が電
解方向に配向するため、光の散乱作用が減少し透明とな
る。
When an image is displayed on the liquid crystal panel 100 manufactured as described above, the orientation direction of the liquid crystal molecules in the liquid crystal panel 100 is random when no voltage is applied as shown in FIG. Thus, light incident on the liquid crystal panel 100 is scattered. Next, when a voltage is applied to the polymer-dispersed liquid crystal layer, the liquid crystal molecules are oriented in the direction of electrolysis as shown in FIG.

【0005】このように従来の散乱型液晶表示装置では
散乱状態と透明状態とを印加電圧で制御することによ
り、画像表示を行っている。
As described above, in the conventional scattering type liquid crystal display device, an image is displayed by controlling the scattering state and the transparent state by the applied voltage.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置において
は、より簡単に製造することができ、同時により高い表
示特性や信頼性が得られることが一般に望まれている。
It is generally desired that a liquid crystal display device can be manufactured more easily while at the same time obtaining higher display characteristics and higher reliability.

【0007】しかしながら、前述した従来の高分子分散
型液晶の電気光学特性は、高分子化合物の網目構造に大
きく左右される。即ち網目構造中に分散する液晶層の大
きさの平均値及び分布により、散乱特性が変化する。従
って、適切な電気光学特性を得るためには、高分子網目
構造の微妙な制御を行わねばならず、高分子及び液晶材
料の調整、または照射する紫外線の照射量及び照射時間
の最適化などに重大な困難を生じてしまう。
However, the electro-optical characteristics of the above-mentioned conventional polymer-dispersed liquid crystal largely depend on the network structure of the polymer compound. That is, the scattering characteristics change depending on the average value and distribution of the size of the liquid crystal layer dispersed in the network structure. Therefore, in order to obtain appropriate electro-optical characteristics, delicate control of the polymer network structure must be performed, and adjustment of the polymer and liquid crystal materials, or optimization of the irradiation amount and irradiation time of ultraviolet rays to be irradiated, etc. It causes serious difficulties.

【0008】また、高分子化合物前駆体を紫外線照射に
よって重合する際、未反応物及び副生成物の残留によ
り、液晶パネルの表示特性及び信頼性に悪影響を及ぼす
という問題があった。
In addition, when the polymer compound precursor is polymerized by irradiation with ultraviolet rays, unreacted substances and by-products remain, which has a problem that display characteristics and reliability of the liquid crystal panel are adversely affected.

【0009】本発明は上述した従来の問題点に鑑み成さ
れたものであり、高品質の画像を表示することができ、
信頼性が高い散乱型液晶表示装置の製造方法を提供する
ことを課題とする。
The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and can display a high-quality image.
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a highly reliable scattering type liquid crystal display device.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の散乱型液晶表示
装置の製造方法は上述の課題を達成すべく、第1の基板
に画素電極を形成し、該画素電極上に絶縁層を形成し、
該絶縁層に複数の穴を形成し、該複数の穴にカイラル化
合物を含む液晶を充填し、第2の基板に対向電極を形成
し、前記第1の基板と第2の基板とを張り合わせて製造
する散乱型液晶表示装置の製造方法であって、前記第1
の基板を真空環境に配置し、前記複数の穴が形成された
絶縁層上に前記液晶を滴下し、前記第1の基板が配置さ
れている環境を常圧に戻し、前記第1の基板をスピンナ
ーに設置して回転させることによって余分な前記液晶を
除去することによって前記複数の穴に前記液晶を充填す
ることを特徴とする
According to the present invention, there is provided a method for manufacturing a scattering type liquid crystal display device , comprising the steps of:
Forming a pixel electrode, forming an insulating layer on the pixel electrode,
Forming a plurality of holes in the insulating layer;
Fills liquid crystal containing compound and forms counter electrode on second substrate
And bonding the first substrate and the second substrate together.
A method for manufacturing a scattering type liquid crystal display device, comprising:
The substrate was placed in a vacuum environment and the plurality of holes were formed.
The liquid crystal is dropped on an insulating layer, and the first substrate is disposed.
The ambient environment is returned to normal pressure, and the first substrate is
The extra liquid crystal by installing it and rotating it.
Filling the plurality of holes with the liquid crystal by removing
It is characterized by that .

【0011】[0011]

【作用】本発明の散乱型液晶表示装置の製造方法によっ
て製造された液晶表示装置において、画素電極及び対向
電極間に電圧を印加すれば、絶縁層に電界が発生し、絶
縁層に設けられた複数の穴の中に充填されたカイラル化
合物を含む液晶が、電界方向に配向して透明になる。ま
た、電界を印加しなければ、配向方向はランダムとな
り、液晶が入射光を散乱する。従って、液晶の散乱状態
と透明状態とを画素電極及び対向電極間の印加電圧で制
御すれば、液晶の散乱作用を用いて画素電極に応じた画
素により表示を行うことができる。ここで液晶は、画素
電極及び対向電極の間に配置された絶縁層に設けられて
おり例えばホトリソグラフィ手法により作成された複数
の穴の中に充填されているので、液晶の散乱特性を最適
にする担体の構造を作成することが容易となり、適切な
電気光学特性を容易に得ることができる。また、重合反
応を用いないで製造することができるので、不純物の混
入が効果的に低減されており、液晶パネルの表示特性及
び信頼性が改善される。
According to the method of manufacturing a scattering type liquid crystal display device of the present invention,
When a voltage is applied between the pixel electrode and the counter electrode in the manufactured liquid crystal display device, an electric field is generated in the insulating layer, and the liquid crystal containing the chiral compound filled in a plurality of holes provided in the insulating layer. Are oriented in the direction of the electric field and become transparent. If no electric field is applied, the orientation direction becomes random, and the liquid crystal scatters incident light. Therefore, if the scattering state and the transparent state of the liquid crystal are controlled by the voltage applied between the pixel electrode and the counter electrode, display can be performed by the pixel corresponding to the pixel electrode by using the scattering action of the liquid crystal. Here, the liquid crystal is provided in an insulating layer disposed between the pixel electrode and the counter electrode, and is filled in, for example, a plurality of holes formed by a photolithography method, so that the scattering characteristics of the liquid crystal can be optimized. Thus, it is easy to form a carrier structure, and appropriate electro-optical characteristics can be easily obtained. In addition, since the liquid crystal panel can be manufactured without using a polymerization reaction, contamination of impurities is effectively reduced, and display characteristics and reliability of the liquid crystal panel are improved.

【0012】次に示す本発明の実施例から、本発明のこ
のような作用がより明らかにされ、更に本発明の他の作
用が明らかにされよう。
The following examples of the present invention will further clarify such an operation of the present invention, and will further clarify other operations of the present invention.

【0013】[0013]

【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説
明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0014】図1は、本発明の実施例である散乱型液晶
表示装置の要部構造を示す部分破断斜視図である。
FIG. 1 is a partially broken perspective view showing the structure of a main part of a scattering type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【0015】図1において、散乱型液晶表示装置10は、
第1の基板の一例としてのガラス基板11と、ガラス基板
11上に設けられた画素電極27と、ガラス基板11に対向配
置された第2の基板の一例としての対向基板12と、対向
基板12上に設けられた対向電極13と、画素電極27及び対
向電極13の間に配置された液晶保持用の絶縁層の一例と
してのポリイミド膜51と、ポリイミド膜51に設けられた
複数の穴52と、該穴52の中に充填されたカイラル化合物
を含む液晶61とを備えている。ガラス基板11上には、画
素電極27の他に画素電極27を駆動するためのTFT(薄
膜トランジスタ)アレイ20が形成されている。画素電極
27及びTFTアレイ20とポリイミド膜51との間には、パ
ッシベ−ション膜28が設けられており、対向電極13とポ
リイミド膜51との間には、パッシベ−ション膜62が設け
られている。
In FIG. 1, a scattering type liquid crystal display device 10 comprises:
A glass substrate 11 as an example of a first substrate, and a glass substrate
A pixel electrode 27 provided on the glass substrate 11, a counter substrate 12 as an example of a second substrate disposed opposite to the glass substrate 11, a counter electrode 13 provided on the counter substrate 12, A polyimide film 51 as an example of a liquid crystal holding insulating layer disposed between the electrodes 13, a plurality of holes 52 provided in the polyimide film 51, and a liquid crystal containing a chiral compound filled in the holes 52 61 and. On the glass substrate 11, in addition to the pixel electrode 27, a TFT (thin film transistor) array 20 for driving the pixel electrode 27 is formed. Pixel electrode
A passivation film 28 is provided between the TFT array 27 and the TFT array 20 and the polyimide film 51, and a passivation film 62 is provided between the counter electrode 13 and the polyimide film 51.

【0016】以上のように構成された散乱型液晶表示装
置10は、図1に示した基板11、TFTアレイ20等を含む
A部分と、対向基板12等を含むB部分とを別々に作成し
た後、後述の如く貼り合わせることにより作成される。
In the scattering type liquid crystal display device 10 configured as described above, the portion A including the substrate 11 and the TFT array 20 shown in FIG. 1 and the portion B including the counter substrate 12 and the like are separately formed. Thereafter, it is created by laminating as described later.

【0017】先ず、基板11、TFTアレイ20等を含むA
部分の作製手順について以下に述べる。
First, A including the substrate 11, the TFT array 20, and the like
The procedure for manufacturing the portion will be described below.

【0018】図2及び図3は基板11上におけるTFTア
レイの各作製工程における断面図及び平面図を夫々順次
示したものである。尚、これらの図及び以下の説明にお
いて、補助容量や補助容量電極線等、本発明に直接関係
しない部分は簡単化の為、省略する。
FIGS. 2 and 3 are a sectional view and a plan view, respectively, showing the steps of fabricating the TFT array on the substrate 11 in sequence. In these figures and the following description, parts not directly related to the present invention, such as auxiliary capacitances and auxiliary capacitance electrode lines, are omitted for simplification.

【0019】最初に図2(a) 及び図3(a)に示すよう
に、ガラス基板11上にタンタルの薄膜をスパッタリング
法にて形成し、ホトリソグラフィの手法を用いてゲート
バスライン22を形成する。
First, as shown in FIGS. 2A and 3A, a thin film of tantalum is formed on a glass substrate 11 by a sputtering method, and a gate bus line 22 is formed by a photolithographic method. I do.

【0020】次に図2(b) 及び図3(b) に示すように、
ゲート絶縁膜である窒化シリコン膜23、非ドープアモル
ファスシリコン膜24、及びn+アモルファスシリコン膜
25を順次プラズマCVD法により形成し、両アモルファ
スシリコン膜を島状にパターニングする。
Next, as shown in FIGS. 2 (b) and 3 (b),
Silicon nitride film 23 as gate insulating film, undoped amorphous silicon film 24, and n + amorphous silicon film
25 are sequentially formed by a plasma CVD method, and both amorphous silicon films are patterned in an island shape.

【0021】次いで図2(c) 及び図3(c) に示すよう
に、チタン膜をスパッタリング法により成膜し、n+シ
リコン膜と共にパターン化して、ソースバスライン26を
形成する。
Next, as shown in FIGS. 2C and 3C, a source bus line 26 is formed by forming a titanium film by a sputtering method and patterning it with an n + silicon film.

【0022】この後図2(d) 及び図3(d) に示すよう
に、ITO膜をスパッタリング法により成膜し、画素電
極27としてパターン化する。更に窒化シリコン膜をプラ
ズマCVD法及びホトリソグラフィにより画面全体に形
成し、TFT及び各電極のパッシベーション膜28とす
る。尚、図3(d) には、パッシベーション膜は描いてい
ない。
Thereafter, as shown in FIGS. 2D and 3D, an ITO film is formed by a sputtering method and is patterned as the pixel electrode 27. Further, a silicon nitride film is formed on the entire screen by a plasma CVD method and photolithography to form a passivation film 28 for the TFT and each electrode. Note that the passivation film is not shown in FIG.

【0023】ここで図4に示すように、前述のゲートバ
スライン22及びソースバスライン26は画面外のパネル周
辺部においてドライバICを接続するための電極端子で
ある島状パターン31及び32に夫々接続されている。尚、
図4において、点線で囲まれた領域は、その拡大図であ
る図3で示した画面領域である。尚、33は後述する対向
電極用端子である。
As shown in FIG. 4, the gate bus line 22 and the source bus line 26 are respectively connected to island-shaped patterns 31 and 32 which are electrode terminals for connecting a driver IC in a peripheral portion of the panel outside the screen. It is connected. still,
In FIG. 4, the area surrounded by the dotted line is the screen area shown in FIG. 3, which is an enlarged view of the area. 33 is a terminal for a counter electrode described later.

【0024】次に、図5に示すように、前述のパッシベ
ーション膜28の上にポリイミドの溶液をスピンナーで塗
布する。塗布後に約 250℃で焼成し、溶媒を除去し、ポ
リイミド膜51を形成する。この際、ポリイミド膜51の膜
厚は5μm とする。次に円状パターンが多数形成された
ホトマスクを用いて、ホトリソグラフィの手法によりポ
リイミド膜51に多数の穴52を設ける。本実施例で使用し
たマスクパターンは直径5μm の円を中心間距離 7.5μ
m 間隔で設置している。また、この円パターンは画素電
極上にのみ設け、その他のバスライン上又はTFT上に
は円パターンは無い。
Next, as shown in FIG. 5, a polyimide solution is applied on the passivation film 28 by a spinner. After the application, baking is performed at about 250 ° C., and the solvent is removed to form a polyimide film 51. At this time, the thickness of the polyimide film 51 is 5 μm. Next, using a photomask in which a large number of circular patterns are formed, a large number of holes 52 are provided in the polyimide film 51 by photolithography. The mask pattern used in this embodiment is a circle having a diameter of 5 μm and a center-to-center distance of 7.5 μm.
They are installed at m intervals. This circular pattern is provided only on the pixel electrode, and there is no circular pattern on the other bus lines or TFTs.

【0025】このようにして作成したパネルを真空装置
に入れ、10-3 Torr 程度の真空環境にする。この状態
で、液晶分子の配列構造に旋回性を与える作用を有する
カイラル化合物であるコレステリックナノエートを混入
した液晶材料を、ポリイミド膜51表面一面に滴下する。
次に徐々に圧力を上げ、常圧に戻していくと、ポリイミ
ド膜51に形成された穴52の中に、図6に示すように液晶
61が侵入する。常圧に戻した後、スピンナーに載せて回
転し、ポリイミド膜51の上部に残留した余分な液晶を除
く。
The panel thus prepared is placed in a vacuum device, and a vacuum environment of about 10 -3 Torr is established. In this state, a liquid crystal material mixed with cholesteric nanoate, which is a chiral compound having a function of imparting a revolving property to the arrangement structure of liquid crystal molecules, is dropped on the entire surface of the polyimide film 51.
Next, when the pressure is gradually increased and returned to normal pressure, the liquid crystal is inserted into the holes 52 formed in the polyimide film 51 as shown in FIG.
61 invades. After the pressure is returned to normal pressure, the liquid crystal is rotated on a spinner to remove excess liquid crystal remaining on the polyimide film 51.

【0026】次に、図6に示すように、ポリイミド膜51
上に、第2のポリイミド膜であるパッシベ−ション膜62
をスピンナーで塗布し、焼成し、成膜する。この際、ポ
リイミド膜62の膜厚は 0.5μm とする。パネルの周辺部
に位置する前述の電極端子部上の膜はエッチングにより
除去する。
Next, as shown in FIG.
On top of this, a passivation film 62 which is a second polyimide film.
Is applied with a spinner, baked, and formed into a film. At this time, the thickness of the polyimide film 62 is 0.5 μm. The film on the electrode terminal portion located at the peripheral portion of the panel is removed by etching.

【0027】以上の手順により、基板11、TFTアレイ
20等を含む図1に示したA部分が完成される。次に、か
かるA部分と貼り合わされる対向基板12及び対向電極13
を含むB部分の作成手順について以下に述べる。
By the above procedure, the substrate 11, the TFT array
The portion A shown in FIG. 1 including 20 and the like is completed. Next, the counter substrate 12 and the counter electrode 13 bonded to the portion A
The procedure for creating the part B including the following will be described below.

【0028】先ず図7に示すように、例えば、ガラス基
板から構成された対向基板12上に遮光パターン、即ち対
向するTFT基板の画素電極に対応する部分のみを開口
部71とするパターンをクロム膜72で形成する。その後、
その上にITO膜をスパッタリング手法により成膜し、
対向電極13を形成する。
First, as shown in FIG. 7, a light-shielding pattern, that is, a pattern in which only a portion corresponding to a pixel electrode of an opposing TFT substrate has an opening 71 on a counter substrate 12 made of a glass substrate is a chrome film. Form at 72. afterwards,
An ITO film is formed thereon by a sputtering method,
The counter electrode 13 is formed.

【0029】次に、以上の手順により完成されたA部分
及びB部分を貼り合わせる方法について以下に述べる。
Next, a method of bonding the portions A and B completed by the above procedure will be described below.

【0030】図8に示すように、このB部分の周囲に、
直径5μm のプラスティックビーズを混入した熱硬化性
のシール樹脂82をスクリーン印刷の手法を用いて設け、
前述のA部分と真空中で貼り合わせる。この際、B部分
の四隅には導電性樹脂84を設け、B部分にあり、図1に
示した対向電極13を構成するITO膜と、A部分にあり
図4に示した基板11上の対向電極用電極線33とが接続さ
れるようにする。
As shown in FIG. 8, around the portion B,
A thermosetting sealing resin 82 mixed with plastic beads having a diameter of 5 μm is provided by using a screen printing method,
The part A is bonded in a vacuum. At this time, a conductive resin 84 is provided at the four corners of the portion B, and the ITO film constituting the counter electrode 13 shown in FIG. 1 and the counter electrode 13 on the substrate 11 shown in FIG. The electrode electrode lines 33 are connected to each other.

【0031】このようにしてA部分とB部分とを貼り合
わせた後、加熱処理を行い、シール樹脂を硬化させて、
図1に示した散乱型液晶表示装置10を完成させる。
After bonding the A portion and the B portion in this way, a heat treatment is performed to cure the seal resin,
The scattering type liquid crystal display device 10 shown in FIG. 1 is completed.

【0032】以上のように作成された散乱型液晶表示装
置10を動作させるためには、現行のTFT−LCD(液
晶表示)装置と同様に、ドライバICをゲートバスライ
ン22、ソースバスライン26及び対向電極13に夫々対応す
る電極端子に実装し、駆動回路に接続すればよい。この
結果、散乱型液晶表示装置10においては、画面内の各画
素電極27と対向電極13との間に印加される電圧を制御す
ることができる。
In order to operate the scattering type liquid crystal display device 10 formed as described above, the driver IC is connected to the gate bus line 22, the source bus line 26 and the source bus line 26 similarly to the current TFT-LCD (liquid crystal display) device. What is necessary is just to mount on the electrode terminal respectively corresponding to the counter electrode 13, and to connect to a drive circuit. As a result, in the scattering type liquid crystal display device 10, the voltage applied between each pixel electrode 27 and the counter electrode 13 in the screen can be controlled.

【0033】従って、散乱型液晶表示装置10の動作の際
には、この印加電圧が小さいときは、図9(a) に示すよ
うに、穴52中の、カイラル化合物が混合された液晶61は
フォーカルコニック状態にあり、入射光を散乱する。印
加電圧が大きくなると、図9(b) に示すように液晶分子
の配向が変化し、入射光に対して透明状態になる。この
散乱と透明の度合いを印加電圧で制御することにより画
像表示を行うことができる。
Therefore, during the operation of the scattering type liquid crystal display device 10, when the applied voltage is small, as shown in FIG. 9 (a), the liquid crystal 61 mixed with the chiral compound in the hole 52 It is in a focal conic state and scatters incident light. When the applied voltage increases, the orientation of the liquid crystal molecules changes as shown in FIG. 9B, and the liquid crystal molecules become transparent to the incident light. An image can be displayed by controlling the degree of scattering and transparency by the applied voltage.

【0034】尚、本実施例では、絶縁層としてポリイミ
ド膜51を用いたが、その他、プラズマCVD法などによ
り成膜した窒化シリコン膜または酸化シリコン膜などを
用いても良い。
Although the polyimide film 51 is used as the insulating layer in this embodiment, a silicon nitride film or a silicon oxide film formed by a plasma CVD method or the like may be used.

【0035】また、必ずしもTFT駆動する必要はな
く、単純マトリクス構造を用いても良い。
It is not always necessary to drive the TFT, and a simple matrix structure may be used.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、液晶は、画素電極及び対向電極の間に配置された絶
縁層に設けられた複数の穴の中に充填されているので、
液晶の散乱特性を最適にする担体の構造を作成すること
が容易となり、即ち安定した散乱特性が容易に得られ、
適切な電気光学特性を容易に得ることができる。また、
重合反応を用いないで製造することができるので、不純
物の混入が効果的に低減されており、液晶パネルの表示
特性及び信頼性が改善される。
As described in detail above, according to the present invention, the liquid crystal is filled in a plurality of holes provided in the insulating layer disposed between the pixel electrode and the counter electrode.
It is easy to create a carrier structure that optimizes the scattering characteristics of the liquid crystal, that is, a stable scattering characteristic is easily obtained,
Suitable electro-optical characteristics can be easily obtained. Also,
Since it can be manufactured without using a polymerization reaction, contamination of impurities is effectively reduced, and display characteristics and reliability of the liquid crystal panel are improved.

【0037】以上の結果、本発明により高品質の画像を
表示することができ、信頼性が高く、しかも安価な散乱
液晶表示装置の製造方法を実現することができる。
As a result, according to the present invention, a high-quality image can be displayed, and a highly reliable and inexpensive scattering
The method for manufacturing a liquid crystal display device can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例である液晶表示装置の要部構
造を示す部分破断斜視図ある。
FIG. 1 is a partially broken perspective view showing a main structure of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の液晶表示装置のTFTアレイの製造工程
を示す部分拡大断面図である。
FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view showing a manufacturing process of the TFT array of the liquid crystal display device of FIG.

【図3】図1の液晶表示装置のTFTアレイの製造工程
を示す部分拡大平面図である。
FIG. 3 is a partially enlarged plan view showing a manufacturing process of a TFT array of the liquid crystal display device of FIG.

【図4】図1の液晶表示装置の製造工程を説明するため
の図式的平面図である。
FIG. 4 is a schematic plan view for explaining a manufacturing process of the liquid crystal display device of FIG.

【図5】図1の液晶表示装置の製造工程を説明するため
の部分破断斜視図である。
FIG. 5 is a partially broken perspective view for explaining a manufacturing process of the liquid crystal display device of FIG.

【図6】図1の液晶表示装置の製造工程を説明するため
の部分破断斜視図である。
FIG. 6 is a partially broken perspective view for explaining a manufacturing process of the liquid crystal display device of FIG.

【図7】図1の液晶表示装置の製造工程を説明するため
の部分拡大平面図である。
FIG. 7 is a partially enlarged plan view for explaining a manufacturing process of the liquid crystal display device of FIG.

【図8】図1の液晶表示装置の製造工程を説明するため
の図式的斜視図である。
FIG. 8 is a schematic perspective view for explaining a manufacturing process of the liquid crystal display device of FIG.

【図9】図1の液晶表示装置の動作を説明するための図
式的斜視図である。
FIG. 9 is a schematic perspective view for explaining the operation of the liquid crystal display device of FIG.

【図10】従来の液晶表示装置の動作を説明するための
図式的断面図である。
FIG. 10 is a schematic sectional view for explaining the operation of a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 散乱型液晶表示装置 11 ガラス基板 12 対向基板 13 対向電極 20 TFTアレイ 22 ゲ−トバスライン 26 ソ−スバスライン 27 画素電極 28、62 パッシベ−ション膜 51、62 ポリイミド膜 52 穴 61 液晶 10 Scattering type liquid crystal display 11 Glass substrate 12 Counter substrate 13 Counter electrode 20 TFT array 22 Gate bus line 26 Source bus line 27 Pixel electrode 28, 62 Passivation film 51, 62 Polyimide film 52 Hole 61 Liquid crystal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−97317(JP,A) 特開 平3−287122(JP,A) 特開 平4−56920(JP,A) 特開 平5−61017(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G02F 1/1333 G02F 1/1341 G02F 1/136 500──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-56-97317 (JP, A) JP-A-3-287122 (JP, A) JP-A-4-56920 (JP, A) JP-A-5-97 61017 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) G02F 1/1333 G02F 1/1341 G02F 1/136 500

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 第1の基板に画素電極を形成し、該画素
電極上に絶縁層を形成し、該絶縁層に複数の穴を形成
し、該複数の穴にカイラル化合物を含む液晶を充填し、
第2の基板に対向電極を形成し、前記第1の基板と第2
の基板とを張り合わせて製造する散乱型液晶表示装置の
製造方法であって、前記第1の基板を真空環境に配置
し、前記複数の穴が形成された絶縁層上に前記液晶を滴
下し、前記第1の基板が配置されている環境を常圧に戻
し、前記第1の基板をスピンナーに設置して回転させる
ことによって余分な前記液晶を除去することによって前
記複数の穴に前記液晶を充填することを特徴とする散乱
型液晶表示装置の製造方法
A first electrode formed on a first substrate ;
Form an insulating layer on the electrode and form multiple holes in the insulating layer
Filling the plurality of holes with a liquid crystal containing a chiral compound,
A counter electrode is formed on a second substrate, and the first substrate and the second
Of a scattering type liquid crystal display device manufactured by bonding
A manufacturing method, wherein the first substrate is disposed in a vacuum environment.
The liquid crystal is dropped on the insulating layer in which the plurality of holes are formed.
And return the environment in which the first substrate is placed to normal pressure.
Then, the first substrate is set on a spinner and rotated.
By removing the excess liquid crystal by
Filling the plurality of holes with the liquid crystal;
Manufacturing method of a liquid crystal display device .
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