JP2768398B2 - Method and apparatus for aligning crystal orientation when cutting single crystal material - Google Patents

Method and apparatus for aligning crystal orientation when cutting single crystal material

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JP2768398B2
JP2768398B2 JP10548694A JP10548694A JP2768398B2 JP 2768398 B2 JP2768398 B2 JP 2768398B2 JP 10548694 A JP10548694 A JP 10548694A JP 10548694 A JP10548694 A JP 10548694A JP 2768398 B2 JP2768398 B2 JP 2768398B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の利用分野】本発明は単結晶材料切断時の結晶方
位合わせ方法及びその装置に係り、特にワイヤーソーで
半導体インゴットを切断する際に、その切断面が所定の
結晶方位になるよう結晶方位合わせを行う単結晶材料切
断時の結晶方位合わせ方法及びその装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for aligning a crystal orientation at the time of cutting a single crystal material, and more particularly, to a method of cutting a semiconductor ingot with a wire saw so that the cut surface has a predetermined crystal orientation. The present invention relates to a method and an apparatus for aligning a crystal orientation when cutting a single crystal material.

【0002】[0002]

【従来の技術】単結晶材料、例えば半導体インゴットを
切断装置で切断する場合には、その切断面が所定の結晶
方位になるように結晶方位合わせをしてから切断する必
要がある。従来の単結晶材料切断時の結晶方位合わせ方
法としては、特開平3−10760に開示されたものが
ある。この方法は、個々のワイヤーソーにゴニオ角測定
メータ、ゴニオ角設定装置を備え、ゴニオ角測定メータ
装着状態で直接測定した半導体インゴットの結晶方位結
果に基づいてゴニオ角設定装置で、半導体インゴットを
支持する押上台の傾きを調整する方法である。或いは、
前記ゴニオ角測定メータ、ゴニオ角設定装置を備えたワ
イヤーソー外に、別にゴニオ角測定メータとゴニオ角設
定装置を備えた測定装置を設け、この測定装置のゴニオ
角設定装置とワイヤーソーのゴニオ角設定装置をオンラ
インで結び、この測定装置で得られたゴニオ角設定装置
の運転条件をワイヤーソーのゴニオ角設定装置に出力す
る方法である。
2. Description of the Related Art When a single crystal material, for example, a semiconductor ingot is cut by a cutting device, it is necessary to align the crystal orientation so that the cut surface has a predetermined crystal orientation, and then cut. As a conventional method for aligning the crystal orientation at the time of cutting a single crystal material, there is a method disclosed in JP-A-3-10760. In this method, each wire saw is provided with a gonio angle measuring meter and a gonio angle setting device, and the semiconductor ingot is supported by the gonio angle setting device based on the crystal orientation result of the semiconductor ingot directly measured with the gonio angle measuring meter mounted. This is a method of adjusting the inclination of the push-up table to be performed. Or,
Outside the wire saw provided with the gonio angle measuring meter and the gonio angle setting device, a measuring device provided with a gonio angle measuring meter and a gonio angle setting device is separately provided, and the gonio angle setting device of the measuring device and the gonio angle of the wire saw are provided. This is a method of connecting a setting device online and outputting the operating conditions of the gonio angle setting device obtained by this measuring device to a gonio angle setting device of a wire saw.

【0003】また、別の方法としては、光学系(顕微
鏡)等を用いて、単結晶材料の基準と切断装置の基準等
を合わせてから、予め測定してある単結晶材料の結晶方
位情報に基づいて単結晶材料を所定角度だけ傾けるよう
にする方法がある。
[0003] Another method is to use an optical system (microscope) or the like to match the reference of the single crystal material with the reference of the cutting device, and then add the crystal orientation information of the single crystal material measured in advance. There is a method of inclining the single crystal material by a predetermined angle based on this.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
3−10760の方法は、ワイヤーソー個々にゴニオ角
測定メータを装着するので装置価格が高価になるという
欠点がある。また、ゴニオ角測定メータ、ゴニオ角設定
装置を備えた測定装置をワイヤーソー外に設ける方法
も、測定装置にゴニオ角設定装置をも備えなくてはなら
ないので、装置価格が高価になる。一方、光学系を使用
する方法は、単結晶材料の基準と切断装置の基準等を合
わせるのに時間がかかり作業効率が悪くなるという欠点
がある。
However, the method disclosed in JP-A-3-10760 has a drawback that the cost of the apparatus is high since a goniometer measuring meter is mounted on each wire saw. Also, a method of providing a gonio angle measuring meter and a measuring device having a gonio angle setting device outside the wire saw also requires the gonio angle setting device to be provided in the measuring device, so that the device price becomes expensive. On the other hand, the method using the optical system has a disadvantage that it takes time to match the standard of the single crystal material with the standard of the cutting device, and the working efficiency is deteriorated.

【0005】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、安価な装置価格で、且つ、単結晶材料の結晶
方位合わせの作業効率を向上できる単結晶材料切断時の
結晶方位合わせ方法及びその装置を提供することを目的
とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and a method of aligning a crystal orientation at the time of cutting a single crystal material, which can improve the work efficiency of aligning the crystal orientation of a single crystal material at an inexpensive apparatus price. And an apparatus therefor.

【0006】[0006]

【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
する為に、棒状の単結晶材料をワイヤーソーのワイヤー
列でウェーハに切断した時に、その切断面が所定の結晶
方位になるように単結晶材料の結晶方位合わせを行う単
結晶材料切断時の結晶方位合わせ装置に於いて、水平・
垂直な各基準面を有するワーク接着ブロックと、前記ワ
イヤーソーとは別に設けられ、前記単結晶材料を前記ワ
ーク接着ブロックに、前記単結晶材料に形成したオリエ
ンテーションフラット等の基準を所定位置に合わせた状
態で単結晶材料の中心軸とワーク接着ブロックの水平・
垂直な各基準面とが平行になるように位置決め接着する
接着治具と、前記ワイヤーソーの切断送りテーブルに設
けられ、前記切断送りテーブルの切断送り方向と前記ワ
イヤー列の走行方向で形成される切断平面に対して直交
する水平・垂直な各基準面を有し、該基準面に前記ワー
ク接着ブロックの基準面を合わせて前記ワーク接着ブロ
ックを位置決め装着することにより前記単結晶材料の中
心軸を前記切断平面に対して直交させる取付治具と、前
記ワイヤーソー外で予め測定しておいた前記単結晶材料
の中心軸を基準にした結晶方位のズレ量データに基づい
て前記中心軸が前記切断平面に対して所定の傾きになる
ように単結晶材料を傾ける傾動機構と、から成ることを
特徴とする。
According to the present invention, in order to achieve the above object, when a rod-shaped single crystal material is cut into a wafer by a wire row of a wire saw, the cut surface has a predetermined crystal orientation. In a single crystal material cutting orientation alignment device that aligns single crystal material
A work bonding block having each vertical reference plane and the wire saw are provided separately, and the single crystal material is aligned with the work bonding block, and a reference such as an orientation flat formed on the single crystal material is adjusted to a predetermined position. In the state, the center axis of the single crystal material and the horizontal
An adhesive jig for positioning and bonding so that each vertical reference surface is parallel to the other, and is provided on a cutting feed table of the wire saw, and is formed in a cutting feed direction of the cutting feed table and a traveling direction of the wire row. It has horizontal and vertical reference planes perpendicular to the cutting plane, and aligns the reference plane of the work bonding block with the reference plane to position and mount the work bonding block so that the central axis of the single crystal material is aligned. A mounting jig perpendicular to the cutting plane, and the center axis is cut based on a shift amount data of a crystal orientation based on a center axis of the single crystal material measured in advance outside the wire saw. A tilting mechanism for tilting the single crystal material so as to have a predetermined tilt with respect to the plane.

【0007】[0007]

【作用】本発明によれば、先ず、ワイヤーソーとは別に
設けた接着治具を用いて、棒状の単結晶材料をワーク接
着ブロックに、単結晶材料の中心軸とワーク接着ブロッ
クの水平・垂直な各基準面とが平行になるように位置決
め接着する。次に、前記ワーク接着ブロックを、ワイヤ
ーソーの切断送りテーブルに設けられ、切断送りテーブ
ルの切断送り方向と前記ワイヤー列の走行方向で形成さ
れる切断平面に対して直交する水平・垂直な各基準面を
有する取付治具に位置決め装着する。これにより、前記
単結晶材料の中心軸は自動的に前記切断平面に対して直
交する。次に、ワイヤーソー外で予め測定しておいた前
記単結晶材料の中心軸を基準にした結晶方位のズレ量情
報に基づいて前記中心軸が前記切断平面に対して所定の
傾きになるように傾動機構で単結晶材料を傾ける。即
ち、ワーク接着ブロック、接着治具、取付治具のように
簡単な部材と治具を用いて、単結晶材料の中心軸を切断
平面に所定の角度(この場合は直交関係)になるように
設定しておき、予め測定しておいた前記中心軸を基準に
した結晶方位のズレ量情報に基づいて前記中心軸が前記
切断平面に対して所定の傾き(切断された単結晶材料の
切断面が所定の結晶方位になる傾き)になるように、切
断平面に対して単結晶材料を傾けるようにした。
According to the present invention, first, using a bonding jig provided separately from a wire saw, a rod-shaped single crystal material is attached to a work bonding block, and the central axis of the single crystal material and the horizontal / vertical direction of the work bonding block. Positioning and bonding are performed so that the respective reference planes are parallel to each other. Next, the work bonding block is provided on a cutting and feeding table of a wire saw, and each of horizontal and vertical references perpendicular to a cutting plane formed by the cutting and feeding direction of the cutting and feeding table and the running direction of the wire row. It is positioned and mounted on a mounting jig having a surface. Thereby, the central axis of the single crystal material is automatically orthogonal to the cutting plane. Next, based on the deviation information of the crystal orientation based on the central axis of the single crystal material, which has been measured in advance outside the wire saw, so that the central axis has a predetermined inclination with respect to the cutting plane. The single crystal material is tilted by a tilting mechanism. That is, using a simple member and a jig such as a work bonding block, an adhesive jig, and a mounting jig, the central axis of the single crystal material is set to a predetermined angle (in this case, an orthogonal relationship) with the cutting plane. The center axis is set at a predetermined inclination (cut plane of the cut single crystal material) with respect to the cutting plane based on crystal misalignment information of the crystal orientation with respect to the center axis measured in advance. So that the single crystal material is inclined with respect to the cutting plane so that the inclination becomes a predetermined crystal orientation).

【0008】[0008]

【実施例】以下添付図面に従って本発明に係る単結晶材
料切断時の結晶方位合わせ方法及びその装置の好ましい
実施例について詳説する。図1は、本発明の単結晶材料
切断時の結晶方位合わせ方法を適用するワイヤーソー1
0であって、切断送りテーブル22に本発明の取付治具
12が組み込こまれた斜視図。また、図2及び図3は、
本発明の接着治具14の側面図と正面図である。また、
図6及び図7は本発明の取付治具12の側面図と正面図
である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the method and apparatus for aligning the crystal orientation at the time of cutting a single crystal material according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows a wire saw 1 to which the method for aligning crystal orientation at the time of cutting a single crystal material according to the present invention is applied.
0 is a perspective view in which the mounting jig 12 of the present invention is incorporated in the cutting feed table 22. FIG. 2 and FIG.
It is the side view and front view of the bonding jig 14 of this invention. Also,
6 and 7 are a side view and a front view of the mounting jig 12 of the present invention.

【0009】前記接着治具14と取付治具12の説明を
する前に、ワイヤーソー10における切断機構を説明す
る。図1に示すように、図示しない一方のリールから巻
き出されたワイヤー16は、複数の溝付きローラ18、
18…に順次巻き掛けられてワイヤー列20を形成し、
図示しない他方のリールに巻き取られる。また、ワイヤ
ー列20の上方には、切断送りテーブル22が設けら
れ、この切断送りテーブル22のスライド部材24は、
複数のリニアベアリング26、26…を介して垂直に配
設された平行な一対のガイドレール28、28にスライ
ド自在に支持される。また、スライド部材24に固定さ
れたナット部材30は、ガイドレール28に沿って配設
されたリードスクリュー32に螺合すると共に、リード
スクリュー32は正逆回転可能なモータ34により回転
される。従って、モータ34でリードスクリュー32を
回転させると、切断送りテーブル22は上下方向(図中
Z−Z方向)に移動する。
Before describing the bonding jig 14 and the mounting jig 12, a cutting mechanism of the wire saw 10 will be described. As shown in FIG. 1, a wire 16 unwound from one of the reels (not shown) has a plurality of grooved rollers 18,
18 are sequentially wound around to form a wire row 20,
It is wound on the other reel (not shown). Further, a cutting feed table 22 is provided above the wire row 20, and a slide member 24 of the cutting feed table 22
Are slidably supported by a pair of parallel guide rails 28 vertically arranged via a plurality of linear bearings 26. The nut member 30 fixed to the slide member 24 is screwed into a lead screw 32 provided along the guide rail 28, and the lead screw 32 is rotated by a forward / reverse rotatable motor 34. Therefore, when the lead screw 32 is rotated by the motor 34, the cutting feed table 22 moves in the vertical direction (ZZ direction in the figure).

【0010】また、前記スライド部材24の下側には取
付治具12が支持される共に、取付治具12は、取付治
具12を傾動させるチルチング機構部と、前記接着治具
14で被切断部材である半導体インゴット38(単結晶
材料)をスライスベース40を介して接着したワーク接
着ブロック42を位置決め装着するクランプ機構部とか
ら構成される。また、前記チルチング機構部は、チルチ
ングベース37の半球状慴動面39に慴動自在に支持さ
れたチルチングコラム36を、チルチングコラム36内
に内蔵された傾動装置で水平揺動(図中A−A方向)及
び垂直揺動(図中B−B方向)させるように構成され
る。
A mounting jig 12 is supported below the slide member 24. The mounting jig 12 is cut by a tilting mechanism for tilting the mounting jig 12 and the bonding jig 14. A clamping mechanism for positioning and mounting a work bonding block 42 to which a semiconductor ingot 38 (single crystal material) as a member is bonded via a slice base 40. Further, the tilting mechanism section horizontally swings a tilting column 36 slidably supported on a hemispherical sliding surface 39 of a tilting base 37 by a tilting device built in the tilting column 36 (see FIG. 1). It is configured to swing vertically (in the direction AA) and to swing vertically (in the direction B-B in the figure).

【0011】前記したワイヤーソー10で半導体インゴ
ット38を切断する場合には、切断送りテーブル22を
切断送り方向(図中Z−Zのワイヤー列方向)に移動さ
せて、半導体インゴット38をワイヤー16の走行方向
(図中X−X方向)に高速走行するワイヤー列20に押
し当てると共に、ワイヤー列20に加工液を供給する。
これにより、ワイヤー列20に供給された加工液のラッ
ピング作用により半導体インゴット38を多数の薄板状
のウェーハに切断する。
When cutting the semiconductor ingot 38 with the wire saw 10 described above, the cutting feed table 22 is moved in the cutting feed direction (Z-Z wire row direction in the figure), and the semiconductor ingot 38 is The processing liquid is supplied to the wire array 20 while being pressed against the wire array 20 traveling at a high speed in the traveling direction (XX direction in the figure).
Thus, the semiconductor ingot 38 is cut into a number of thin wafers by the lapping action of the working fluid supplied to the wire row 20.

【0012】次に、図2及び図3に従って、ワイヤーソ
ー10とは別に設けられた本発明の接着治具14につい
て説明する。尚、半導体インゴット38には、ウェーハ
になった時に、結晶方位が分かるように半導体インゴッ
ト38表面の長手方向にオリエンテーションフラット3
8A或いはノッチ38Bが形成される(図4参照)。図
2及び図3に示すように、基台44上には、その長手方
向にV字状の溝46が形成されたVブロック48(受け
台)が固定される。また、Vブロック48の溝46の底
部には、溝46に沿ってオリフラ用駒50が水平に配設
される。また、オリフラ用駒50の長手方向両端側には
貫通孔が穿設されると共に、この貫通孔に先端部が尖っ
たノッチ用ピン52が移動自在に貫通される。また、ノ
ッチ用ピン52の基端部は固定台54に支持されると共
に、固定台54と前記基台44とは間には複数の圧縮バ
ネ56,56…が配設される。これにより、ノッチ用ピ
ン52の先端部を押すと、オリフラ用駒50から突出し
たノッチ用ピン52の先端部は貫通孔に隠れる。そし
て、オリエンテーションフラット38Aが形成された半
導体インゴット38の場合には、オリフラ用駒50でオ
リエンテーションフラット38A位置の位置決めを行
い、ノッチ38Bが形成された半導体インゴット38の
場合には、ノッチ38A内にノッチ用ピン52の先端部
が突出することによりノッチ38A位置の位置決めを行
う。
Next, the bonding jig 14 of the present invention provided separately from the wire saw 10 will be described with reference to FIGS. The semiconductor ingot 38 has an orientation flat 3 in the longitudinal direction of the surface of the semiconductor ingot 38 so that the crystal orientation can be understood when the wafer becomes a wafer.
8A or notch 38B is formed (see FIG. 4). As shown in FIGS. 2 and 3, on the base 44, a V block 48 (receiving base) having a V-shaped groove 46 formed in the longitudinal direction is fixed. At the bottom of the groove 46 of the V block 48, an orientation flat piece 50 is horizontally disposed along the groove 46. Further, through holes are formed at both ends in the longitudinal direction of the orientation flat piece 50, and a notch pin 52 having a sharp tip is penetrated through the through hole movably. The base end of the notch pin 52 is supported by a fixed base 54, and a plurality of compression springs 56 are disposed between the fixed base 54 and the base 44. Thus, when the tip of the notch pin 52 is pushed, the tip of the notch pin 52 protruding from the orientation flat piece 50 is hidden by the through hole. In the case of the semiconductor ingot 38 on which the orientation flat 38A is formed, the position of the orientation flat 38A is determined by the orientation flat piece 50, and in the case of the semiconductor ingot 38 on which the notch 38B is formed, the notch 38A is formed. The position of the notch 38A is determined by projecting the tip of the pin 52 for use.

【0013】また、基台44には、垂直な支柱58が固
定されると共に、支柱58には平行な一対のガイドレー
ル60、60が上下方向に配設される。また、ガイドレ
ール60には、複数のリニアベアリング62、62…を
介して支持部材64がスライド自在に支持されると共
に、支持部材64に固定されたナット部材66には、そ
の上下端が前記支柱58に設けられた軸受58A、58
Bに回動自在に支持されたリードスクリュー68が螺合
される。また、リードスクリュー68の上端にはハンド
ル70が設けられる。これにより、ハンドル70を回転
させると、支持部材64はガイドレール60に沿って上
下方向に移動する。
A vertical support 58 is fixed to the base 44, and a pair of guide rails 60, 60 parallel to the support 58 are vertically arranged. A support member 64 is slidably supported on the guide rail 60 via a plurality of linear bearings 62, 62..., And the upper and lower ends of the nut member 66 fixed to the support member 64 Bearings 58A, 58 provided in 58
A lead screw 68 rotatably supported by B is screwed. A handle 70 is provided at the upper end of the lead screw 68. Thus, when the handle 70 is rotated, the support member 64 moves up and down along the guide rail 60.

【0014】また、前記支持部材64本体は上板64
A、背板64B、両側板64C、64Cから成り、前面
(図2の矢印72側)と底面(図3参照)が開放された
中空四角体状に形成される。また、両側板64C、64
CはL字が向き合った状態に形成され、L字の水平部6
4Dには水平基準面74が形成される。また、前記支持
部材64内の背板64B面の両端側には、それぞれ突当
て駒78、78が設けられ、垂直基準を形成している。
また、上板64Aの両端側には貫通孔が形成され、この
貫通孔には雌ネジが刻設されると共に、貫通孔にボルト
76,76が螺合される。これにより、ボルト76を回
転させると支持部材64内に突出するボルト76先端部
の突出量が変化する。
The main body of the support member 64 is an upper plate 64.
A, a back plate 64B, both side plates 64C and 64C, and is formed in a hollow square shape with an open front surface (arrow 72 side in FIG. 2) and a bottom surface (see FIG. 3). Also, both side plates 64C, 64
C is formed in a state where the L-shape faces each other, and the L-shaped horizontal portion 6 is formed.
A horizontal reference plane 74 is formed in 4D. Also, abutting pieces 78, 78 are provided at both ends of the back plate 64B surface in the support member 64, respectively, to form a vertical reference.
Further, through holes are formed at both ends of the upper plate 64A, and female screws are cut into the through holes, and bolts 76, 76 are screwed into the through holes. Thus, when the bolt 76 is rotated, the amount of protrusion of the tip of the bolt 76 that projects into the support member 64 changes.

【0015】次に、接着部材14の使用方法について説
明すると、半導体インゴット38をVブロック48の溝
46に沿って横向きに載置すると共に、半導体インゴッ
ト38のノッチ38B位置をノッチ用ピン52で位置決
めする(この場合は、ノッチが形成された半導体インゴ
ットを使用)。この時、支持部材64は、半導体インゴ
ット38をVブロック48に載置するのに充分なよう
に、上方に位置させておく。一方、水平・垂直な各基準
面41、43を有する直方体状の上部ブロック42A
と、上部ブロック42Aより一回り小さな直方体状をし
た下部ブロック42Bから成るワーク接着ブロック42
(図5参照)を、支持部材64の前方から支持部材64
内に挿入して両側板64C、64Cの水平部64Dに掛
け渡す。そして、ワーク接着ブロック42の垂直基準面
43を突当て駒78に突き当てた状態でボルト76によ
りワーク接着ブロック42を下向きに押して、ワーク接
着ブロック42の水平基準面41を両側板64C、64
Cの水平基準面74に突き当てた状態で固定する。これ
により、半導体インゴット38の中心軸38Aとワーク
接着ブロック42の各基準面41、43とは平行関係が
形成される。次に、支持部材64を半導体インゴット3
8に接近させて、スライスベース40を介してワーク接
着ブロック42を半導体インゴット38に接着剤80で
接着する。この時、スライスベース40を介さずに、ワ
ーク接着ブロック42をスライスベース40と兼用させ
ることもできる。この接着操作において、ワーク接着ブ
ロック42とスライスベース40の間に隙間が生じた場
合には、隙間に接着剤80を充填する。これにより、半
導体インゴット38の中心軸38Aとワーク接着ブロッ
ク42の各基準面41、43とは平行関係が形成された
状態でスライスベース40を介して接着することができ
る。
Next, the method of using the adhesive member 14 will be described. The semiconductor ingot 38 is placed laterally along the groove 46 of the V-block 48, and the notch 38B of the semiconductor ingot 38 is positioned by the notch pin 52. (In this case, a semiconductor ingot with a notch is used). At this time, the support member 64 is positioned above enough to place the semiconductor ingot 38 on the V block 48. On the other hand, a rectangular parallelepiped upper block 42A having horizontal and vertical reference surfaces 41, 43
And a work bonding block 42 including a lower block 42B having a rectangular parallelepiped shape slightly smaller than the upper block 42A.
(See FIG. 5) from the front of the support member 64.
And hang over the horizontal portions 64D of both side plates 64C, 64C. Then, with the vertical reference surface 43 of the work bonding block 42 abutting against the abutting piece 78, the work bonding block 42 is pushed downward by the bolt 76, and the horizontal reference surface 41 of the work bonding block 42 is moved to both side plates 64C and 64.
It is fixed in a state where it abuts against the horizontal reference surface 74 of C. As a result, a parallel relationship is formed between the central axis 38A of the semiconductor ingot 38 and each of the reference surfaces 41 and 43 of the work bonding block 42. Next, the support member 64 is connected to the semiconductor ingot 3.
8, the work bonding block 42 is bonded to the semiconductor ingot 38 with the adhesive 80 via the slice base 40. At this time, the work bonding block 42 can also be used as the slice base 40 without using the slice base 40. In this bonding operation, if a gap is formed between the work bonding block 42 and the slice base 40, the gap is filled with the adhesive 80. Thereby, the central axis 38A of the semiconductor ingot 38 and the reference surfaces 41 and 43 of the work bonding block 42 can be bonded via the slice base 40 in a state where a parallel relationship is formed.

【0016】次に、図6及び図7に従って、ワイヤーソ
ー10の切断送りテーブル22に設けられた本発明の取
付治具12について説明する。図6及び図7に示すよう
に、取付治具12は、クランプ機構部82と図示しない
チルチング機構部で構成される。クランプ機構部82
は、前記した接着治具14の支持部材64と同様に上板
82A、背板82B、両側板82C、82Cから成り、
前面(図6の矢印83側)と底面(図7参照)が開放さ
れた中空四角体状に形成される。また、両側板82C、
82CはL字が向き合った状態に形成され、L字の水平
部82Dには水平基準面84が形成される。また、前記
クランプ機構部82内の背板82B面には垂直基準面8
6が形成される。また、上板82Aの中央部には、ワー
ク接着ブロック42の垂直基準面43をクランプ機構部
82の垂直基準面86に突き当てて位置決めクランプす
る第1のクランプシリンダ104が設けられると共に、
上板82Aの両端側には、ワーク接着ブロック42の水
平基準面41をクランプ機構部82の水平基準面84に
突き当てて位置決めクランプする第2のクランプシリン
ダ106、106が設けられる。また、各クランプシリ
ンダ104、106のシリンダロッド104A、106
Aは上板82Aに穿設された貫通孔を通ってクランプ機
構部82内に伸縮するようになっている。また、クラン
プ機構部82に形成された水平基準面84と垂直基準面
86にはエア流路87、88の開放端81、85が形成
される。そして、水平基準面84の開放端81に繋がる
第1のエア流路78は両側板82C、82C内と上板8
2A内に形成されて、一方の側板82C外に固定された
第1の接続部材90に連通すると共に、第1の接続部材
90に接続された第1のエア配管92は第1の圧力計9
4に繋がっている。また、第1のエア配管92の途中か
ら分岐した第1のエアホース96は図示しないコンプレ
ッサに接続される。一方、垂直基準面86の開放端85
に繋がる第2のエア流路88は背板82B内に形成され
て、上板82A外に固定された第2の接続部材98に連
通すると共に、第2の接続部材98に接続された第2の
エア配管100は第2の圧力計102に繋がっている。
また、第2のエア配管98の途中から分岐した第2のエ
アホース105は前記コンプレッサに接続される。そし
て、コンプレッサからのエアが前記両開放端81、85
から常時吹き出しているようにする。これにより、開放
端81、85が遮断されると、エア流路87、88の圧
力が上がり、この圧力の上昇が圧力計94、102によ
り検出されるので、ワーク接着ブロック42の各基準面
41、43がクランプ機構部82の各基準面84、86
に正しく着座されたことを確認する着座確認センサを形
成することができる。
Next, the mounting jig 12 of the present invention provided on the cutting and feeding table 22 of the wire saw 10 will be described with reference to FIGS. As shown in FIGS. 6 and 7, the mounting jig 12 includes a clamp mechanism 82 and a tilting mechanism (not shown). Clamp mechanism 82
Consists of an upper plate 82A, a back plate 82B, and both side plates 82C and 82C, like the support member 64 of the bonding jig 14 described above.
It is formed in a hollow square shape with an open front surface (arrow 83 side in FIG. 6) and a bottom surface (see FIG. 7). Also, both side plates 82C,
82C is formed with the L-shape facing each other, and a horizontal reference surface 84 is formed on the L-shaped horizontal portion 82D. A vertical reference surface 8 is provided on the back plate 82B surface in the clamp mechanism 82.
6 are formed. In addition, a first clamp cylinder 104 for positioning and clamping the vertical reference surface 43 of the work bonding block 42 against the vertical reference surface 86 of the clamp mechanism 82 is provided at the center of the upper plate 82A.
On both end sides of the upper plate 82A, second clamp cylinders 106, 106 for positioning and clamping the horizontal reference surface 41 of the work bonding block 42 against the horizontal reference surface 84 of the clamp mechanism 82 are provided. Also, the cylinder rods 104A, 106A of the clamp cylinders 104, 106
A extends and contracts into the clamp mechanism 82 through a through hole formed in the upper plate 82A. Open ends 81 and 85 of air flow paths 87 and 88 are formed on a horizontal reference plane 84 and a vertical reference plane 86 formed in the clamp mechanism 82. The first air passage 78 connected to the open end 81 of the horizontal reference surface 84 is provided between the upper and lower plates 82C, 82C.
2A, and communicates with a first connection member 90 fixed outside one side plate 82C, and a first air pipe 92 connected to the first connection member 90 is connected to a first pressure gauge 9.
It is connected to 4. Further, a first air hose 96 branched from the middle of the first air pipe 92 is connected to a compressor (not shown). On the other hand, the open end 85 of the vertical reference plane 86
Is formed in the back plate 82B, communicates with the second connecting member 98 fixed outside the upper plate 82A, and is connected to the second connecting member 98. Is connected to a second pressure gauge 102.
A second air hose 105 branched from the middle of the second air pipe 98 is connected to the compressor. Then, the air from the compressor is released from the open ends 81, 85.
So that it always blows out from. As a result, when the open ends 81 and 85 are shut off, the pressure in the air flow passages 87 and 88 increases, and the increase in the pressure is detected by the pressure gauges 94 and 102. , 43 are reference surfaces 84, 86 of the clamp mechanism 82.
A seating confirmation sensor for confirming that the user has been properly seated can be formed.

【0017】次に、取付治具12の使用方法について説
明すると、半導体インゴット38にスライスベース40
を介して位置決め接着したワーク接着ブロック42をク
ランプ機構部82の前方から挿入し、両側板82Cの水
平部分82Dに掛け渡す。次に、第1のクランプシリン
ダ104を作動させてシリンダロッド104Aを伸動作
させ、ワーク接着ブロック42の中央部上側に固定され
た当接部材42Cの斜面を押す。これにより、ワーク接
着ブロック42はクランプ機構部82の背板82B方向
に移動され、ワーク接着ブロック42の垂直基準面43
がクランプ機構部82の垂直基準面86に突き当たる。
続いて、第2のクランプシリンダ106を作動させてシ
リンダロッド106Aを伸動作させ、ワーク接着ブロッ
ク42の水平基準面41をクランプ機構部82の水平基
準面84に突き当てる。この状態で、第1及び第2のク
ランプシリンダ104、106をロックしてワーク接着
ブロック42が動かないようにクランプする。この時、
クランプ機構部82の水平基準面84及び垂直基準面8
6に着座確認センサを設けたので、ワーク接着ブロック
42とクランプ機構部82の各基準面同志が正しく突き
合わされたかどうかを確実に確認することができる。
Next, a method of using the mounting jig 12 will be described.
Is inserted from the front of the clamp mechanism 82, and is placed over the horizontal portions 82D of the side plates 82C. Next, the first clamp cylinder 104 is operated to extend the cylinder rod 104A, and pushes the slope of the contact member 42C fixed on the upper center portion of the work bonding block 42. As a result, the work bonding block 42 is moved in the direction of the back plate 82B of the clamp mechanism 82, and the vertical reference surface 43 of the work bonding block 42 is moved.
Abuts against the vertical reference plane 86 of the clamp mechanism 82.
Subsequently, the second clamp cylinder 106 is operated to extend the cylinder rod 106 </ b> A, and the horizontal reference surface 41 of the work bonding block 42 abuts against the horizontal reference surface 84 of the clamp mechanism 82. In this state, the first and second clamp cylinders 104 and 106 are locked and clamped so that the work bonding block 42 does not move. At this time,
Horizontal reference plane 84 and vertical reference plane 8 of clamp mechanism 82
6 is provided with a seating confirmation sensor, it is possible to surely confirm whether or not the reference surfaces of the work bonding block 42 and the clamping mechanism 82 are correctly butted together.

【0018】次に、本発明の単結晶材料切断時の結晶方
位合わせ方法について説明する。先ず、ワイヤーソー1
0とは別に設けた接着治具14を用いて、半導体インゴ
ット38をワーク接着ブロック42に、前記半導体イン
ゴット38に形成したオリエンテーションフラット又は
ノッチの基準をオリフラ用駒50又はノッチ用ピン52
で所定位置に合わせた状態で、半導体インゴット38の
中心軸38Aとワーク接着ブロック42の水平・垂直な
各基準面41、43とが平行になるようにスライスベー
ス40を介して位置決め接着する。次に、前記ワーク接
着ブロック42を、ワイヤーソー10の切断送りテーブ
ル22に設けられ切断平面(図1のZ−X平面)に対し
て直交する水平・垂直な各基準面84、86を有する取
付治具12のクランプ機構部82に位置決め装着する。
これにより、半導体インゴット38の中心軸38Aは自
動的に前記切断平面に対して直交する。次に、ワイヤー
ソー10外で予め測定(例えば、ゴニオ角測定メータで
測定)しておいた半導体インゴット38の中心軸38A
を基準にした結晶方位のズレ量情報に基づいて半導体イ
ンゴット38の中心軸38Aが前記切断平面に対して所
定の傾きになるように、チルチング機構により取付治具
12を傾ける。これにより、半導体インゴット38が切
断平面に対して所定角度に傾くので、切断された半導体
インゴット38の切断面が所定の結晶方位になるように
結晶方位合わせを行うことができる。
Next, the method of aligning the crystal orientation at the time of cutting a single crystal material according to the present invention will be described. First, wire saw 1
The semiconductor ingot 38 is attached to the work adhesive block 42 by using an adhesive jig 14 provided separately from the orientation flat or notch formed on the semiconductor ingot 38 and the orientation flat piece 50 or the notch pin 52 is used.
Then, the center axis 38A of the semiconductor ingot 38 and the horizontal and vertical reference surfaces 41 and 43 of the work bonding block 42 are positioned and bonded via the slice base 40 so as to be parallel to each other. Next, the work bonding block 42 is mounted on the cutting feed table 22 of the wire saw 10 and has horizontal and vertical reference planes 84 and 86 orthogonal to a cutting plane (ZX plane in FIG. 1). The jig 12 is positioned and mounted on the clamp mechanism 82.
Thereby, the central axis 38A of the semiconductor ingot 38 is automatically orthogonal to the cutting plane. Next, the central axis 38A of the semiconductor ingot 38 measured in advance outside the wire saw 10 (for example, measured with a goniometer).
The mounting jig 12 is tilted by the tilting mechanism so that the central axis 38A of the semiconductor ingot 38 has a predetermined tilt with respect to the cutting plane based on the information on the amount of deviation of the crystal orientation with reference to the above. As a result, the semiconductor ingot 38 is inclined at a predetermined angle with respect to the cutting plane, so that the crystal orientation can be adjusted so that the cut surface of the semiconductor ingot 38 has a predetermined crystal orientation.

【0019】このように、本発明の単結晶材料切断時の
結晶方位合わせ方法及びその装置では、ワーク接着ブロ
ック42、接着治具14、取付治具12のような簡単な
部材及び治具を用いて、半導体インゴット38の中心軸
38Aを切断平面に所定の角度(この場合は直交関係)
になるように容易且つ迅速に設定でき、予め測定してお
いた前記中心軸38Aを基準にした結晶方位のズレ量情
報に基づいて前記中心軸38Aが前記切断平面に対して
所定の傾き(切断された半導体インゴット38の切断面
が所定の結晶方位になる傾き)になるように、切断平面
に対して半導体インゴット38を傾けることができるの
で、従来の単結晶材料切断時の結晶方位合わせ方法に比
べて安価な装置価格で、且つ、単結晶材料の結晶方位合
わせの作業効率を向上できる。
As described above, in the method and apparatus for aligning the crystal orientation when cutting a single crystal material according to the present invention, simple members and jigs such as the work bonding block 42, the bonding jig 14, and the mounting jig 12 are used. The center axis 38A of the semiconductor ingot 38 is at a predetermined angle to the cutting plane (in this case, orthogonal relationship).
The center axis 38A can be set easily and quickly so that the center axis 38A has a predetermined inclination (cutting) with respect to the cutting plane based on the information of the amount of deviation of the crystal orientation based on the center axis 38A measured in advance. The semiconductor ingot 38 can be tilted with respect to the cutting plane so that the cut surface of the semiconductor ingot 38 has a predetermined crystal orientation). It is possible to improve the operation efficiency of aligning the crystal orientation of the single crystal material at a relatively low device price.

【0020】また、前記取付治具12内に内蔵したクラ
ンプ機構部82を第1及び第2のシリンダクランプ10
4、106によりワーク接着ブロック42を自動クラン
プできるようにしたことにより、汚れた加工室内での作
業を極力少なくできるので、作業者の負担を軽減するこ
とができる。また、チルチング機構部は、詳細は省略す
るが、数値制御で制御するようにしたので、制御精度に
おいて作業者の個人差がなく、正確且つ安定した制御を
行うことができる。また、従来の光学系を用いた方法に
比べて、短時間で結晶方位合わせができるので、作業時
間を短縮することができる。
The clamp mechanism 82 built in the mounting jig 12 is connected to the first and second cylinder clamps 10.
Since the work bonding block 42 can be automatically clamped by the steps 4 and 106, the work in the dirty processing chamber can be reduced as much as possible, so that the burden on the operator can be reduced. Although the details of the tilting mechanism are omitted, the tilting mechanism is controlled by numerical control, so that accurate and stable control can be performed without any individual difference in control accuracy between workers. In addition, since the crystal orientation can be adjusted in a shorter time as compared with a method using a conventional optical system, the operation time can be reduced.

【0021】尚、本実施例では、本発明の単結晶材料切
断時の結晶方位合わせ方法を、ワイヤーソー式のスライ
シングマシンに適用した例で説明したが、内周刃式或い
は外周刃式のスライシングマシンに適用することもでき
る。また、本実施例では、図1に示したように、切断送
り方向をZ−Z方向、ワイヤー列の走行方向をX−X方
向にしたが、切断送り方向をX−X方向、ワイヤー列の
走行方向をZ−Z方向に、即ち、垂直なワイヤー列に対
して横方向から半導体インゴットを切断するように装置
を配設することもできる。また、ワーク接着ブロックを
取付治具に装着した時に、切断平面に対して半導体イン
ゴットの中心軸が直交するように設定したが、これは最
も適切な例で、場合によっては切断平面に対して半導体
インゴットの中心軸が所定角度になるように設定しても
よい。また、チルチング機構を取付治具内に内蔵するよ
うにしたが、取付治具外から取付治具を傾動させるよう
にしてもよい。
In this embodiment, the method of aligning the crystal orientation at the time of cutting a single crystal material according to the present invention has been described as an example in which the method is applied to a wire saw type slicing machine. It can also be applied to machines. Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 1, the cutting feed direction is set to the ZZ direction, and the running direction of the wire row is set to the XX direction. It is also possible to arrange the device so as to cut the semiconductor ingot in the running direction in the Z-Z direction, that is, in the transverse direction to the vertical wire row. Also, when the work bonding block is mounted on the mounting jig, the center axis of the semiconductor ingot is set to be orthogonal to the cutting plane, but this is the most appropriate example. The center axis of the ingot may be set at a predetermined angle. Further, the tilting mechanism is built in the mounting jig, but the mounting jig may be tilted from outside the mounting jig.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の単結晶材
料切断時の結晶方位合わせ方法及びその装置によれば、
ワーク接着ブロック、接着治具、取付治具のような簡単
な部材及び治具を用いて、単結晶材料の中心軸を切断平
面に直交するように容易且つ迅速に設定でき、予め測定
しておいた前記中心軸を基準にした結晶方位のズレ量情
報に基づいて前記中心軸が前記切断平面に対して所定の
傾きになるように、切断平面に対して単結晶材料を傾け
ることができるので、従来の単結晶材料切断時の結晶方
位合わせ方法に比べて安価な装置価格で、且つ、単結晶
材料の結晶方位合わせの作業効率を向上できる。
As described above, according to the method and apparatus for aligning the crystal orientation at the time of cutting a single crystal material according to the present invention,
The center axis of the single crystal material can be easily and quickly set to be perpendicular to the cutting plane using simple members and jigs such as a work bonding block, an adhesive jig, and a mounting jig. The single crystal material can be tilted with respect to the cutting plane so that the center axis has a predetermined inclination with respect to the cutting plane based on the deviation amount information of the crystal orientation based on the center axis. Compared with the conventional method for aligning the crystal orientation at the time of cutting the single crystal material, it is possible to improve the operation efficiency of aligning the crystal orientation of the single crystal material at a lower price for the apparatus.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は本発明の単結晶材料切断時の結晶方位合
わせ方法を適用したワイヤーソーであって、切断送りテ
ーブルに本発明の取付治具が組み込まれた斜視図
FIG. 1 is a perspective view of a wire saw to which a method for aligning a crystal orientation at the time of cutting a single crystal material according to the present invention is applied, in which a mounting jig of the present invention is incorporated in a cutting feed table.

【図2】図2は、本発明に係る接着治具で一部を切り欠
いた側面図
FIG. 2 is a side view of the bonding jig according to the present invention, with a part cut away.

【図3】図3は本発明に係る接着治具の正面図FIG. 3 is a front view of the bonding jig according to the present invention.

【図4】図4は、半導体インゴットに形成されたオリエ
ンテーションフラット又はノッチを示した斜視図
FIG. 4 is a perspective view showing an orientation flat or notch formed in the semiconductor ingot.

【図5】図5は本発明に係るワーク接着ブロックを示し
た斜視図
FIG. 5 is a perspective view showing a work bonding block according to the present invention.

【図6】図6は本発明に係る取付治具の部分断面を示し
た側面図
FIG. 6 is a side view showing a partial cross section of the mounting jig according to the present invention.

【図7】図7はの本発明に係る取付治具の部分断面を示
した正面図
FIG. 7 is a front view showing a partial cross section of the mounting jig according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…ワイヤーソー 12…取付治具 14…接着治具 16…ワイヤー 18…溝突きローラ 20…ワイヤー列 22…切断送りテーブル 36…傾動自在な支持機構 38…半導体インゴット 38A…半導体インゴットの中心軸 40…スライスベース 41…ワーク接着ブロックの水平基準面 42…ワーク接着ブロック 43…ワーク接着ブロックの垂直基準面 48…Vブロック 50…オリフラ用駒 52…ノッチ用ピン 64…支持部材 76…ボルト 78…突当て駒 80…接着剤 81、85…エア流路の開放端 82…クランプ機構部 84…クランプ機構部の水平基準面 86…クランプ機構部の垂直基準面 87、88…エア流路 94、102…圧力計 104、106…クランプシリンダ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Wire saw 12 ... Mounting jig 14 ... Adhesive jig 16 ... Wire 18 ... Groove roller 20 ... Wire row 22 ... Cutting feed table 36 ... Tiltable support mechanism 38 ... Semiconductor ingot 38A ... Center axis of semiconductor ingot 40 ... Slice base 41 ... Horizontal reference plane of work bonding block 42 ... Work bonding block 43 ... Vertical reference plane of work bonding block 48 ... V block 50 ... Orientation piece 52 ... Notch pin 64 ... Support member 76 ... Bolt 78 ... Protrusion Contact piece 80 ... Adhesive 81,85 ... Open end of air flow path 82 ... Clamp mechanism 84 ... Horizontal reference plane of clamp mechanism 86 ... Vertical reference plane of clamp mechanism 87,88 ... Air flow paths 94,102 ... Pressure gauge 104, 106 ... clamp cylinder

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】棒状の単結晶材料を切断装置でウェーハ状
に切断した時に、その切断面が所定の結晶方位になるよ
うに前記単結晶材料の結晶方位合わせを行う単結晶材料
切断時の結晶方位合わせ方法に於いて、 先ず、前記切断装置外で、前記単結晶材料をワーク接着
ブロックに、前記単結晶材料に形成したオリエンテーシ
ョンフラット等の基準を所定位置に合わせた状態で単結
晶材料の中心軸と前記ワーク接着ブロックの水平・垂直
な各基準面とが平行になるように位置決め接着し、 次に、前記ワーク接着ブロックを、切断平面に対して直
交する水平・垂直な各基準面を有する前記切断装置の取
付治具に、前記ワーク接着ブロックと前記取付治具の各
基準面同志を合わせるように位置決め装着して、前記単
結晶材料の中心軸を前記切断平面に対して直交させ、 次に、前記切断装置外で予め測定しておいた前記単結晶
材料の中心軸を基準にした結晶方位のズレ量情報に基づ
いて前記中心軸が前記切断平面に対して所定の傾きにな
るように単結晶材料を傾けることを特徴とする単結晶材
料切断時の結晶方位合わせ方法。
1. A single crystal material for cutting a single crystal material, wherein when the single crystal material in a rod shape is cut into a wafer by a cutting device, the crystal orientation of the single crystal material is adjusted so that the cut surface has a predetermined crystal orientation. In the orientation alignment method, first, outside of the cutting apparatus, the center of the single crystal material is aligned with a work bonding block with a reference such as an orientation flat formed on the single crystal material at a predetermined position. An axis and the horizontal and vertical reference surfaces of the work bonding block are positioned and bonded so as to be parallel to each other. Next, the work bonding block has horizontal and vertical reference surfaces orthogonal to a cutting plane. On the mounting jig of the cutting device, it is positioned and mounted so that the respective reference surfaces of the work bonding block and the mounting jig are aligned with each other, and the central axis of the single crystal material is aligned with the cutting plane. Then, the center axis is predetermined with respect to the cutting plane based on the shift amount information of the crystal orientation based on the center axis of the single crystal material measured outside the cutting apparatus in advance. A method for aligning crystal orientation when cutting a single crystal material, characterized in that the single crystal material is tilted so as to have a tilt of.
【請求項2】棒状の単結晶材料をワイヤーソーのワイヤ
ー列でウェーハ状に切断した時に、その切断面が所定の
結晶方位になるように単結晶材料の結晶方位合わせを行
う単結晶材料切断時の結晶方位合わせ装置に於いて、 水平・垂直な各基準面を有するワーク接着ブロックと、 前記ワイヤーソーとは別に設けられ、前記単結晶材料を
前記ワーク接着ブロッックに、前記単結晶材料に形成し
たオリエンテーションフラット等の基準を所定位置に合
わせた状態で単結晶材料の中心軸と前記ワーク接着ブロ
ックの水平・垂直な各基準面とが平行になるように位置
決め接着する接着治具と、 前記ワイヤーソーの切断送りテーブルに設けられ、前記
切断送りテーブルの切断送り方向と前記ワイヤー列の走
行方向で形成される切断平面に対して直交する水平・垂
直な各基準面を有し、該基準面に前記ワーク接着ブロッ
クの基準面を合わせて前記ワーク接着ブロックを位置決
め装着することにより前記単結晶材料の中心軸を前記切
断平面に対して直交させる取付治具と、 前記ワイヤーソー外で予め測定しておいた前記単結晶材
料の中心軸を基準にした結晶方位のズレ量情報に基づい
て前記中心軸が前記切断平面に対して所定の傾きになる
ように単結晶材料を傾ける傾動機構と、 から成ることを特徴とする単結晶材料切断時の結晶方位
合わせ装置。
2. When cutting a single-crystal material, the rod-shaped single-crystal material is cut into a wafer by a wire row of a wire saw, and the crystal orientation of the single-crystal material is adjusted so that the cut surface has a predetermined crystal orientation. In the crystal orientation alignment device, a work bonding block having horizontal and vertical reference planes, and the single crystal material is provided separately from the wire saw, and the single crystal material is formed on the work bonding block on the single crystal material. A bonding jig for positioning and bonding the central axis of the single crystal material and the horizontal and vertical reference surfaces of the work bonding block in parallel with a reference such as an orientation flat at a predetermined position; Is provided on the cutting feed table, and is orthogonal to a cutting plane formed by the cutting feed direction of the cutting feed table and the traveling direction of the wire row. It has flat and vertical reference surfaces, and aligns the reference surface of the work bonding block with the reference surface to position and mount the work bonding block so that the central axis of the single crystal material is orthogonal to the cutting plane. A mounting jig to be moved, and a predetermined inclination of the central axis with respect to the cutting plane based on deviation information of the crystal orientation with respect to the central axis of the single crystal material measured in advance outside the wire saw. And a tilting mechanism for tilting the single crystal material so as to obtain a crystal orientation alignment device for cutting a single crystal material.
【請求項3】前記接着治具は、 前記単結晶材料を横向き水平に位置決め載置する受け台
と、 前記受け台の上方に設けられ、水平・垂直な各基準面を
有すると共に、該各基準面に前記ワーク接着ブロックの
水平・垂直な各基準面を合わせて位置決め支持する支持
部材と、 前記支持部材を上下動する上下動機構と、 から成ることを特徴とする請求項2の単結晶材料切断時
の結晶方位合わせ装置。
3. The bonding jig has a receiving table for positioning and placing the single crystal material in a horizontal and horizontal direction, and has a horizontal and vertical reference surface provided above the receiving table. 3. A single crystal material according to claim 2, comprising: a support member for positioning and supporting a horizontal and vertical reference surface of said work bonding block on a surface thereof; and a vertical movement mechanism for vertically moving said support member. Crystal orientation alignment device for cutting.
【請求項4】前記取付治具は、 前記切断平面に対して直交する水平・垂直な各基準面を
有する取付治具本体と、 前記取付治具本体内に装着された前記ワーク接着ブロッ
クの垂直基準面を前記取付治具本体の垂直基準面に突き
当てて位置決めクランプする第1のクランプ手段と、 前記ワーク接着ブロックの水平基準面を前記取付治具本
体の水平基準面に突き当てて位置決めクランプする第2
のクランプ手段と、 から成ることを特徴とする請求項2の単結晶材料切断時
の結晶方位合わせ装置。
4. The mounting jig includes: a mounting jig main body having horizontal and vertical reference planes perpendicular to the cutting plane; and a vertical section of the work bonding block mounted in the mounting jig main body. First clamping means for abutting a reference surface against a vertical reference surface of the mounting jig body to perform positioning clamp; and positioning clamp by abutting a horizontal reference surface of the work bonding block to a horizontal reference surface of the mounting jig body. Second
3. The apparatus according to claim 2, further comprising: a clamping means.
【請求項5】前記取付治具の各基準面には、前記ワーク
接着ブロックの各基準面が前記取付治具の各基準面に着
座したことを確認する着座確認センサが設けられている
ことを特徴とする請求項2又は4の単結晶材料切断時の
結晶方位合わせ装置。
5. A sensor for confirming that each reference surface of said work bonding block is seated on each reference surface of said mounting jig is provided on each reference surface of said mounting jig. 5. The crystal orientation aligning apparatus according to claim 2, wherein the single crystal material is cut.
【請求項6】前記取付治具は前記切断送りテーブルに傾
動自在に設けられると共に、前記取付治具を傾動させる
傾動機構を内蔵していることを特徴とする請求項2の単
結晶材料切断時の結晶方位合わせ装置。
6. The single crystal material cutting device according to claim 2, wherein said mounting jig is provided on said cutting feed table so as to be tiltable, and has a built-in tilt mechanism for tilting said mounting jig. Crystal orientation aligner.
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DE19510625A1 (en) * 1995-03-23 1996-09-26 Wacker Siltronic Halbleitermat Wire saw and method for cutting slices from a workpiece
CH692331A5 (en) * 1996-06-04 2002-05-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wire saw and cutting method using the same.
JP4658863B2 (en) * 2006-06-01 2011-03-23 シャープ株式会社 Work slice processing method and wire saw
CN101890763B (en) * 2010-07-02 2013-12-11 中国电子科技集团公司第四十五研究所 Wiring transversely-moving rack
JP2013183046A (en) * 2012-03-02 2013-09-12 Sumitomo Electric Ind Ltd Manufacturing method of semiconductor substrate
CN104162855A (en) * 2014-07-23 2014-11-26 安徽卓金标准件有限公司 Positioning reference switchable device
CN104441264B (en) * 2014-11-29 2016-04-13 广元飞达模具制造有限公司 For the precision machined wire cutting machine tool modified node method of graphite electrode curved surface projection
KR102037745B1 (en) * 2017-12-14 2019-10-29 에스케이실트론 주식회사 Ingot clamping device and wire sawing apparatus for cutting Ingot having the same

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