JP2766930B2 - 画素密度変換方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、画素密度変換方法に関する。

［従来の技術］ プリンターやディスプレィ等に於いては、画像は画素
の集合として表される。画素は本来、画像を縦横に分割
して得られる微小な画像要素であるが、分割の間隔に応
じて画素の大きさと密度とが定まる。

上記プリンター等の装置では、一般に１インチ当たり
の画素密度は数10〜数100ドット／インチ程度の範囲で
種々の値が採用されており、例えばドットインパクトプ
リンターの80ドット／インチ、120ドット／インチやノ
ンインパクトプリンターの300ドット／インチ、400ドッ
ト／インチ等が良く知られている。

これらプリンターやディスプレイのような装置間で画
像に関する情報を授受する方式としては、文字情報の場
合の様に文字毎に定められたコードを伝達し、各装置毎
に装置内部に蓄えられたコードと文字画像データとの対
応（フォント）により文字画像のプリントやディスプレ
ィを行うコード伝達方式と、所謂ビットイメージの伝達
のように画素化された画像の画素毎の情報がそのまま伝
達される画素情報伝達方式とがある。

［発明が解決しようとする課題］ 上記伝達方式のうち、後者の画素情報伝達方式の場
合、伝達が行われる装置間で、採用されている画素密度
が異なると、伝達される画像情報は画素毎に行われるた
め、プリントされたりディスプレイされたりする画像の
大きさが伝送側装置の画素密度と、受信側装置の画素密
度との比によって拡大されたり縮小されたりして変化し
てしまうという問題がある。このような不具合を解消す
る方法としてコンピューターによる処理により伝送側と
受信側の画素密度差を補正処理する方法があるが、伝送
側の画素密度と受信側の画素密度とを比が簡単な整数比
となっている場合を除いては補正処理が緒しく複雑であ
り、未だ、実用性に問題がある。

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであっ
て、その目的とするところは、画素密度の変換を容易に
行いうる新規な画素密度変換方法の提供にある。

［課題を解決するための手段］ 以下、本発明を説明する。

請求項１乃至３の発明は、何れも一定の画素密度で構
成された画素の集合からなる画像情報を別の画素密度の
画像情報に変換する方法であって、「情報記憶素子」を
用いる。

請求項１及び２の方法の実施に用いられる「情報記憶
素子」は、「光入力を光電変換する光電変換層と、この
光電変換層に接して設けられ上記光電変換層に於ける光
電変換状態を電気的状態として記憶する記憶保持層と、
これら光電変換層と記憶保持層に設けられた１対の電極
と」を有する。

請求項２に於いて用いられる情報記憶素子では上記１
対の電極は光電変換層と記憶保持層とを挟持するように
設けられ、少なくとも一方の電極は透光性である。

請求項1,2の方法に於いて用いられる上記情報記憶素
子の具体例は、発明者らが先に特開昭63−34797号公報
に於いて提案した物であり、特に請求項２の方法では、
この特開昭63−34797号公報に開示されたのと同じ情報
記憶素子が用いられる。

請求項３の方法に用いられる「情報記憶素子」は、
「光入力を光電変換する第１の光電変換層と、この光電
変換層に接して設けられ走査ビームにより光電変換され
る第２の光電変換層と、これら第１及び第２の光電変換
層のそれぞれに設けられた１対の電極と」を有する。

この、請求項３の方法に於いて用いられる情報記憶素
子の具体例としては、発明者らが先に特開昭62−139481
号公報に於いて提案した「光学像情報対電気信号変換素
子」を挙げることができる。

この光学像情報対電気信号変換素子は、同号公報の記
載からも明らかなように、情報の記憶を目的とするもの
でなく、従って通常の時間長を考えるとこの素子には情
報記憶の機能は無いが、光電変換層は一般に光が照射さ
れたのち数msecの間は、光電変換の効果が残留してお
り、このような極めて短い時間を考えれば上記光学像情
報対電気信号変換素子にも記憶機能があると考えること
ができる。従って、本明細書中に於いては請求項３の方
法に於いて用いられる上記光学像情報対電気信号変換素
子のようなものをも情報記憶素子と称するのである。

請求項１の方法では、画素密度変換の対象となる画像
情報は、上記情報記憶素子に、光ビーム走査と電圧印加
の組合せにより、所定の画素密度で記録される。この所
定の画素密度は、上記画像情報に固有のものである。情
報記憶素子への記憶は１ライン分ずつ繰り返して行って
も良いし、あるいは複数ライン分を２次元的に記録して
も良い。

このように記録の行われた情報記録素子に対し、上記
光ビームによる走査を行いつつ情報記憶素子の１対の電
極間に現れる電気的変化を取り出す。その際、取り出さ
れた電気的変化を、所望の画素密度となるような時間間
隔で標本化するか、もしくは取り出された電気的変化が
所望の画素密度の情報となるように上記光ビームを点滅
させるのである。

請求項２の方法では、情報記憶素子に、光ビーム走査
と電圧印加の組合せにより、画像情報を所定の画素密度
で２次元的に記録する。

次いで、上記光ビームにより上記情報記憶素子を走査
しつつ上記１対の電極間に現れる電気的変化を取り出す
取り出しを行いつつ、光ビームの１走査毎に、情報記憶
素子に対する光ビームの走査位置を走査直交方向へ相対
的に変位させ、取り出された電気的変化を、所望の画素
密度となるような時間間隔で標本化するか、もしくは取
り出された電気的変化が所望の画素密度の情報となるよ
うに上記光ビームを点滅させる。

上記光ビームの走査位置の変位量は所望の画素密度に
応じて定められる。

情報記憶素子への記録は、上記の如く光ビーム走査と
電圧印加の組合せにより行われるが、「光ビーム走査と
電圧印加の組合せにより」とは、具体的には次のことを
意味する。

即ち、光ビームを画像情報に従う画像信号（画素毎の
情報を時系列に配列した信号）により強度もしくは波長
変調しつつ、この光ビームで情報記憶素子を走査し、同
時に情報記憶素子の１対の電極間に一定の電圧を印加す
る。あるいは、逆に、光ビームの方は、これを一定の強
度として走査を行い、この光走査に同期して、１対の電
極間に印加される電圧の方を画像信号で変調する。

このようにすると、画像情報は、画像信号に従う電気
的状態の空間的分布として記憶保持層に記憶保存され
る。

次ぎに請求項３の方法であるが、この請求項３の方法
では、「情報記憶素子」に、光ビーム走査による光入力
により、画像情報を所定の画素密度で入力し、この入力
と同時もしくは入力の直後に走査ビームにより上記情報
記憶素子を走査しつつ１対の電極間に現れる電気的変化
を取り出し、取り出された電気的変化を、所望の画素密
度となるような時間間隔で標本化するか、もしくは取り
出された電気的変化が所望の画素密度の情報となるよう
に上記走査ビームを点滅させる。

このように請求項３の方法では、光入力は光ビーム走
査により行なわれ、このため光ビームは画像情報に応じ
て強度もしくは波長変調される。また、画素密度変換の
ための情報読み出しは走査ビームにより光入力と同時も
しくは光入力の直後に行なう。

［作用］ 以下、第１図を参照して本発明の作用を説明する。第
１図（IV）は、請求項１もしくは２の方法に於いて情報
記憶素子への画像情報の記録を説明するための図であ
る。

この図において符号10はガラス板による透明な基板、
符号20はSnO₂あるいはITO等により透明電極膜、符号21
は引き出し用の金属電極、符号30はアモルファスシリコ
ンによる光電変換層、符号40は記憶保持層、符号50は電
極を示している。

記憶保持層40は、２層の絶縁膜41,42を積層した構成
となっている。絶縁膜41はトンネル効果による電流が流
れる程度の薄さのSiO₂層であり、絶縁膜42は数百オング
ストロームの厚さの窒化シリコン層である。なお記憶保
持層40は強誘電体層であっても良い。このように光電変
換層、記憶保持層は、それぞれ多層構造となっていても
良い。

金属電極21と電極50とを電源100に接続し透明電極膜2
0と電極50との間に20〜30Vの電圧を、電極50の側をプラ
スとなるように印加する。

この状態で、画像情報に応じて強度変調された光ビー
ムSLで透明基板10の側から走査を行う。光ビームSLに託
された光信号Ｌで照射された部分を考えて見ると、この
光信号Ｌは基板10と透明電極膜20とを透過して光電変換
層30に入射し、符号Ｐで示す部分を導電体化する。これ
によって光電変換層30における部分Ｐはロウインピーダ
ンス状態となり、電源100による印加電圧は、その殆ど
が記憶保持層40にかかることになる。このため電子が絶
縁膜41中をトンネル効果により通過して、窒化シリコン
による絶縁膜42中に注入蓄積される。電子の蓄積量は光
信号Ｌに於ける光強度に対応するので、光ビームSLによ
り入力された光情報、即ち画像情報は電子の蓄積状態と
して記憶保持層40に記憶される。記憶させたのちは、電
極間に印加されている電圧を解除する。すると、記憶さ
れた情報は極めて安定的に保存される。光ビームを強度
変調する代わりに、一定強度の光ビームで走査を行いつ
つ、電圧の方を画像信号に従って変調しても同様な結果
が得られる。

記憶させた情報を読みだすには、第１図（Ｖ）に示す
様に、読みだし用の光ビームLAにより基板10の側から走
査する。光ビームLAは一定の強度を有しており、光電変
換層30を走査すると照射部分をロウインピーダンス状態
にする。このとき符号ｑで示す部分に電子が蓄積されて
いるものとすると、部分ｑ以外では蓄積電荷がないので
上記インピーダンス変化は大きな電気的変化を生じな
い。しかし部分ｑでは、これに接した部分でインピーダ
ンス変化が生ずると、蓄積電子の電荷により光電変換層
30内に電荷の移動が生じ、これが電流変化等の電気的変
化として検出される。このようにして検出される電気的
変化は記憶保持層40に蓄積されている電荷量に応じて変
化するので、読み出し用の光ビームの走査に応じて記憶
された画像情報を時系列的に読み出すことができる。

なお、情報記憶素子に記憶された内容を消去するには
電極間に、金属電極21の方がプラスとなるように20〜30
Vの電圧を印加し、基板10の側から均一な光照射もしく
は光ビームによる走査を行えば良い。

次ぎに、第１図（VI）を参照すると、この図は請求項
３の発明による光入力と読み出しとを説明するための図
である。この図に描かれた情報記憶素子は、透明基板10
の上に、透明電極層20A、第２の光電変換層30A、第１の
光電変換層40A、透明電極層50Aを図の如く積層した構成
となっている。

この情報記憶素子は特開昭62−139481号公報に開示さ
れた光学像情報対電気信号変換素子として提案されたも
のの一つで、特に同号公報の第３図に開示されているも
のと同一である。光電変換層30Aは、透明基板10の側か
ら側にＰ型、Ｉ型、Ｎ型のアモルファスシリコンの層を
積層してなり、光電変換層40は、光電変換層30Aの側か
ら順にＰ型、Ｉ型、Ｎ型のアモルファスシリコンの層を
積層してなっている。

図の如く、光ビームSLを強度もしくは波長変調しつつ
透明電極50Aの側から光入力を行ない、光入力と同時、
もしくは光入力直後の、光電変換層40Aに未だ光電変換
の効果が残留している間に、一定の強度をもった読み出
し用のビームLAを走査ビームとして透明基板10の側から
走査すると、光ビームSLの空間的な変調状態を電極20A,
50A間の電気的変化として読み出すことができる。

さて、第１図（Ｉ）は情報記憶素子に画像情報が記憶
された状態（部分）を説明図的に示している。画像情報
は、縦横両方向とも300ドット／インチで記憶されてい
るものとする。ハッチを施された部分が画像に対応し、
ハッチの施されていない部分は地肌に対応する。そこで
便宜上、画像に対応する画素部分を画像画素と呼ぶ。１
画素は升目一つである。

さて、第１図（II）は、請求項１または３の方法で画
素密度を横方向にのみ、240ドット／インチに変換した
例を示している。以下、この変換を例に採って請求項１
の方法の作用を説明する。

先ず、縦横とも300ドット／インチの画素密度の画像
情報を情報記憶素子に記憶させる（第１図（Ｉ））。こ
の記憶は、第１図（Ｉ）の様に２次元的に行われる。図
で符号ｄで示す長さは、光ビームのビーム幅を示す。以
下、説明の簡単のために第１図（Ｉ）で左右方向を主走
査方向、上下方向を副走査方向と呼ぶことにする。主走
査方向は光ビームによる情報記憶素子の走査が行われる
方向であり、第１図（Ｉ）に示す様に画像情報を２次元
的に記憶させるには、光ビームによる１ライン分の記憶
を１回の主走査により行い、主走査１回毎に情報記憶素
子を副走査方向へ距離ｄずつ移動させて主走査による記
憶を繰り返せば良い。

このように画像情報の記憶がすんだら、次には光ビー
ムもしくは走査ビームによる情報記憶素子の走査を行
い、電極間に現れる電気的変換を取り出す。光ビームは
記憶の際に用いたのと同じく副走査方向にビーム幅ｄを
持つものを用いる。光ビームは記憶の際に用いたのと同
じビーム用い得るが、走査ビームの場合は情報記憶素子
を介して記憶時とは逆の方向から走査を行なう。この光
走査も主走査方向を１回行う毎に情報記憶素子を副走査
方向へｄずつ変位させて１ライン分ずつ行う。勿論、請
求項３の発明の場合には、光入力による記憶と同時もし
くはその直後に走査ビームによる走査が行なわれること
は言うまでもない。

さて、画像密度を横方向（主走査方向）にのみ変換す
るに当たり、変換前の画素密度は300ドット／インチ、
変換後の所望の画素密度は、今説明している場合240ド
ット／インチである。このことは、新たな画素密度では
１画素の横方向の長さは、第１図（Ｉ）に於ける１画素
の大きさの1.25倍の長さｅとすれば良いことを意味す
る。即ち、例えば、300ドット／インチで記憶された画
素の主走査方向の５画素分は、240ドット／インチの画
素密度では４画素分に当たる。そこで、情報記憶素子へ
の記憶を行う際に、主走査方向に付き、Ｔという時間で
１画素を走査したとするならば、電位的変化を取り出す
ときの光ビームもしくは走査ビーム（主走査の速度は記
憶時と同じとする）の走査で、時間1.25T間における電
気的変化を新しい１画素に対応させれば良いことにな
る。そして、この新１画素の電気的変化を標本化して新
しく密度変換された画像信号を得るのである。

この標本化は、例えば次のようにする。

新しい画素密度での新１画素に於いて、情報記憶素子
に記憶されている画像画素の占める面積的な割合を考
え、画像画素の新１画素に占める面積比で0.5以上のと
き、この新１画素を画象画素とするのである。具体的に
説明すると次のようになる。第１図（Ｉ）に於ける一番
上の１ライン５画素を画像画素を１、地肌画素を０とし
て符号化すると（1,0,0,0,0）と表されるが、この１ラ
インを新たな画素密度（240ドット／インチ）で画素長
ｅの４画素として読み取ると、最初の新１画素（左端の
画素）では、１画素に占める画像画素（ハッチを施した
部分）の割合が1/1.25（＞0.5）となりこの新１画素は
画像画素となり、他の３つの新画素では画像画素の割合
が０となるので、これら新画素３つは地肌画素となる。
従って1,0で符号化すれば、この１ラインは画素密度240
ドット／インチの新画素では（1,0,0,0）となる。これ
を図示したのが第１図（II）の一番上の１ラインであ
り、ハッチを施した部分が新しい画像画素である。

同様のことを第１図（Ｉ）の上から２番目のラインに
付いて行うと、新画素４つの内、左端のものでは、画像
画素の占める割合は１、次の新画素では0.75/1.25（＞
0.5）、後の二つでは０となるのでこの１ラインからの
電気的変化を標本化すれば（1,1,0,0）となり、図示す
ると第１図（II）の上から２番目のラインの様になる。
同様に、第１図（Ｉ）の上から３番目のラインを新画素
に変換すれば、４つの新画素において画像画素の占める
面積比は、左から順に、0.25/1.25（＜0.5）,1,0.5/1.2
5（＜0.5）,0となるの標本化すれば（0,1,0,0）となり
図示すれば第１図（II）の上から３番目のラインにな
る。同様のことを第１図（Ｉ）の残りの２ラインに付い
ても行って、その結果を図示すれば結局、第２図（II）
がえられ、これは、第１図（Ｉ）の画像情報を横方向の
み240ドット／インチに変換した画像となっている。

即ち、請求項1,3の方法では、所定の画素密度で情報
記憶素子に記憶させた画像情報を、所望の画素密度で読
み出し、標本化するのであるがその際、所望の画素密度
になるように標本化のための時間間隔を選択するのであ
る。上の例では時間間隔として前記1.25Tが選択されて
いる。このようにする以外に、読み出しの光ビームの走
査の際、光ビームを点滅させても同様の事が可能であ
る。即ち、上記例と場合に、光ビームを時間Ｔだけ点灯
し、時間0.25Tだけ消灯する点滅を周期1.25Tで繰り返し
ても良いのである。

次に、請求項２の方法に付いてその作用を説明する。
画像情報を、前述したのと同様にして所定の画素密度
（縦横とも300ドット／インチ）で第１図（Ｉ）の如く
記憶させる。

次に所望の画素密度への変換のために記憶情報を電気
的変化として取り出すのであるが、その為の光ビームの
走査は、以下の様に行う。

先ず、第１図（Ｉ）の一番上の１ラインを主走査し、
画素長ｅの新画素に変換する。この変換は上記請求項１
の方法と全く同じであり、標本化された結果は（1,0,0,
0）となり、図示すれば第１図（III）の一番上のライン
の様になる。

次に情報記憶素子を副走査方向に距離ｆだけ送り、第
１図（III）に符号h1で示す部分を主走査する。距離ｆ
は、記憶された１画素の副走査方向の幅ｄの1.25倍の距
離である。

このときの主走査における新画素４つにおける画像画
素の占める割合は、左側から順次、1/1.25（＞0.5）,0.
895/1.25（＞0.5）,0.125/1.25（＜0.5）,0となるので
標本化すると（1,1,0,0）となって、これを図示すると
第１図（III）の上から２番目のラインになる。

次には情報記憶素子を副走査方向に距離ｆだけ送り、
第１図（III）に符号h2で示す部分を主走査する。上記
と同様にして標本化した結果は（0,1,1,0）なり、図示
すると第１図（III）の上から３番目のラインになる。

さらに、情報記憶素子を副走査方向へｆだけ送り符号
h3で示す部分を新画素に変換すれば、標本化の結果は
（0,0,1,1）になり図示すると第１図（III）の最下ライ
ンになる。結局、この画素密度変換により、与えられた
画像情報（第１図（Ｉ））は、縦横方向とも240ドット
／インチの新しい画素密度の画像情報（第１図（II
I））に変換された訳である。副走査方向における情報
記憶素子の送り量ｆは、新たな縦方向の画素密度240ド
ット／インチに応じて定められているが、この送り量ｆ
を変えれば、縦方向の新しい画素密度を変えることがで
き、従って、請求項２の方法では、縦横両方向の画素密
度を独立に変換することもできる。

このような画素密度の変換が可能であるのは、情報記
憶素子における情報記憶の在り方に依っている。即ち、
所定の画素密度の画像情報を記憶させた情報記憶素子に
於いては、電荷蓄積のパターンとして記憶された画像情
報は、所定の画素密度に従っているが、情報記憶素子自
体には画素密度を規定するような構造が無く、従って記
憶された情報を記憶された画素密度とは異なる任意の画
素密度で読みだすことが可能なのである。

読み出す時の横方向の画素密度は、読み出しに用いる
光ビームの走査速度と、標本化を行う時間間隔により定
まり、上記速度と時間との積が新画素の大きさを与える
ことは上に説明した通りであり、縦方向のそれは副走査
方向への情報記憶素子の送り量により定まる。

上の説明では、新画素における画像画素の面積比によ
り２値化して標本化したが、多値化により階調性のある
画像の画素密度変換も可能である。

また、光ビームで走査しつつ光ビームを点滅させる場
合は、取り出される電気的変化を点滅に同期した画像情
報としてそのまま出力することもできる。この場合の画
素密度は光ビームの走査速度と点滅周期により定まる。

なお、請求項1,3の方法では、一方向（横方向）のみ
の画素密度が変換されるが、例えばこのように変換され
た画像信号をプリンターで出力する場合、プリント媒体
の副走査方向の送り速度を調整して、恰も縦横両方向の
画素密度を変換したかの如きプリント画像を得ることも
できる。

一方向のみの画素密度変換を行なう場合、情報記憶素
子としては、もっとも簡単な構成の場合、１ライン分の
画像情報のみを書き込み得るものを用いることができ
る。このような１ライン用の情報記憶素子としては、第
１図（IV），（VI）図のものを１ライン用に構成したも
ののほか、第１図（VII）に示すごときものが考えられ
る。この図で符号10は透光性の基板を示す。符号30B,40
Bで示す層は、この情報記憶素子が請求項１の方法に用
いられる場合は、それぞれ光電変換層および記憶保持層
であり、情報記憶素子が請求項３の方法に用いられる場
合は、第１及び第２の光電変換層である。符号20B,50B
は電極を示す。

この素子を請求項１の方法に使用する場合は、光ビー
ムLSとして、図のように、電極20B,50Bの部分を同時に
照射し得るように、図の左右方向にビーム断面形状を引
き伸ばされた光束を用いて図面に直交する方向へ走査し
つつ情報の記憶を行ない、画素変換用の読み出しも同様
にすれば良い。電極20B,50Bの間に電圧を印加しつつ情
報記憶用もしくは読み出し用の走査を行なえば、光の照
射により光電変換層30Bがロウインピーダンス状態とな
るので、記憶保持層40Bの厚さ方向の電界が変化し、こ
れを利用して情報の記憶もしくは読み出しが行なわれ
る。従って、この場合電極20B,50Bは必ずしも透光性で
ある必要はない。

この素子を請求項３の方法に利用する場合には、走査
ビームの走査を電極50Bを介して行なう場合には、電極5
0Bを透光性にする必要がある。しかし、第１及び第２の
光電変換層の感光波長領域を異ならせ、第２の光電変換
層への走査ビームの波長を選択して、走査ビームを第１
の光電変換層を介して行なうようにすることもでき（こ
の点は第１図（VI）の情報記憶素子の場合も同様であ
る）、このような場合には勿論電極50Bを透光性で無く
ても良い。

［実施例］ 第２図ないし第７図に、画素密度変換の具体例を６例
示す。各図に於いて（ａ）は、与えられた所定の画素密
度の画像情報、（ｂ）は請求項１もしくは３の方法で横
方向のみ画素密度を所望の画素密度に変換した場合、
（ｃ）は請求項２の方法で縦横両方向に画素密度を変換
した場合を示す。

第２図は、第１図（Ｉ）〜（III）に即して説明した
例である。

請求項２の方法で２次元的に画素密度を変換する場
合、第７図の例の様に、単に画素密度が変換されるのみ
でなく、元の大きな画素の間を滑らかに埋めるスムージ
ングの効果がある。これは情報記憶素子が画像情報の画
素密度を特定することなく、適宜の画素密度の画像情報
をアナログ的に記憶するとい特性によるものである。ま
た、記憶の際に生ずるキャリヤの拡散が２値画像のドッ
トの有無で形成される画像を適度に滑らかにしている。

以下、本発明を具体的に実施する場合の装置構成の例
を示す。

第８図の例は、請求項１の方法を実施するための装置
例の１例である。

光源としてのLD1からの光を集光レンズ４を介して回
転多面鏡に２に入射させ、回転多面鏡２による偏向光ビ
ームで情報記憶素子３をｆθレンズ５を介して走査する
ようになっている。

画素密度変換は以下のように行われる。先ず、所定の
画素密度の画像情報を１ライン分だけ情報記憶素子３に
記憶させる。これは、回転多面鏡２を回転させつつ、LD
1を上記画像情報で発振変調させて情報記憶素子３を走
査することにより行われる。続いての走査では、LDの発
光強度を一定に保ち、情報記憶素子３からの電気的変化
を、任意に設定された出力のための画素密度に応じて標
本化し、出力する。続いての走査では情報記憶素子の記
憶内容を消去する。そして次の走査で次の１ライン分の
情報の記憶が行われる。このプロセスを繰り返して、与
えられた画像情報の画素密度を１ライン分づつ順次変換
して行く。

第９図の実施例は請求項２の方法を実施するための装
置構成の１例である。

この例では情報記憶素子3Aは、平板状に形成されパル
スステージ６により上下方向へ移動できる様になってい
る。所定の画像情報は先ず、画面単位で情報記憶素子3A
に２次元的に記憶される。次いで、強度一定の光ビーム
の走査と、情報記憶素子3Aの上下方向への送りとによる
面走査により読み出しが行われる。このとき横方向の変
換画素密度は光ビームの走査速度と標本化の時間により
設定され、縦方向の変換画素密度はパルスステージによ
る情報記憶素子3Aの１回あたりの送り量により設定され
る。読み出しの後は、記憶内容の消去を行い、以下、記
憶、読み出し、消去のプロセスの繰り返しで１画面分ず
つ画素密度を変換する。

第10図の実施例も請求項２の方法を実施するための装
置構成の１例である。

この例では情報記憶素子3Bは、円筒状に形成されパル
スモーター７により回転する様になっている。所定の画
像情報は先ず、画面単位で情報記憶素子3Bに２次元的に
記憶される。次いで、強度一定の光ビームの走査と、情
報記憶素子3Bの矢印方向への送りとによる面走査により
読み出しが行われる。このとき横方向の変換画素密度は
光ビームの走査速度と標本化の時間により設定され、縦
方向の変換画素密度はパルスモーター７による情報記憶
素子3Bの１回あたりの送り量により設定される。読み出
しの後は、記憶内容の消去を行い、以下、記憶、読み出
し、消去のプロセスの繰り返しで１画面分ずつ画素密度
を変換する。

第11図に示す例では、円板状の情報記憶素子3Cをモー
ター7Aで回転させて光ビームによる走査（主走査）を行
い、ガルバノミラー2Aによる偏向により走査直交方向
（副走査方向）に、光ビームと情報記憶素子とを相対的
に変位させる様にしている。

第12図の例では、平板状の情報記憶素子3Dを２つのガ
ルバミラー2B,2Cで２次元的に走査する様にした。

第11図の例からも明らかな様に、光ビームによる主走
査は必ずしも直線でなくてもよく、光ビームが移動する
代わりに情報記憶素子が移動しても良い。また、画像情
報を情報記憶素子に２次元的に記憶させるのも、必ずし
も長方形形状に記憶させる必要は無いのである。第11図
の例ではガルバノミラー2Aによる偏向により主走査を行
い、モーター7Aの回転で副走査を行うことも可能であ
る。

第13図に示す例は、請求項１の方法を実施するための
装置の１例である。この例は、LD1A,1B,1C、集光レンズ
4A,4B,4C、情報記憶素子31,32,33と回転多面鏡２とを図
のように組合せて、第８図の装置例と類似のもの３組構
成している。

情報記憶素子31,32,33への画像情報の書き込み、読み
出し、消去の順序を、 素子31:書き込み→読み出し→消去 素子32:読み出し→消去→書き込み 素子33:消去→書き込み→読み出し の順に定め、画素密度変換すべき画像情報を１ラインず
つ、順次、情報記憶素子31,32,33に書き込むようにすれ
ば、最初の１ラインを除き、変換の遅れが除かれるの
で、略リアルタイムでの画素密度変換が可能となる。従
って、この装置の回転多面鏡をレーザープリンターの光
偏向装置として用いて、本装置とレーザープリンターと
を一体化してしまえば、レーザープリンター固有の画素
密度とは無関係の任意の画素密度で画像情報を入力して
必要な画素密度変換を行いプリントすることができる。

第14図の例は、LD1A,1B、集光レンズ4A,4B、情報記憶
素子3,34と回転多面鏡２とを図のように組合せ、画像情
報は１ライン分ずつ記憶情報素子3,34に書き込む様にし
た。符号60A,60Bは消去光学系で、情報記憶素子への均
一光照射を利用して、１ライン分を一度に短時間で消去
できる様になっている。情報記憶素子34は素子の裏側か
らの光照射でも消去できるように電極、情報記憶層とも
光透過性のものが用いられている。消去は、読み出しと
次の書き込みとの間の時間を利用して行う。この第14図
の例は消去手段を情報記憶素子のどちらの面の側へも設
け得ることを１例としてしめしたものであり、それらは
任意の組合せで使用可能であって、必ずしも第14図の配
置に限定されるものではない。

第15図の例は、第13図の例の変形例であり、３組のLD
を１列に配置してLDアレイ1Lとし、集光レンズも３個を
１列に配してレンズアレイ4Lとし、情報記憶素子35に、
回転多面鏡2Aによる偏向走査で３ライン分を書き込み得
る様にした。各ラインの書き込み、読み出し、消去を順
次ずらして行うことにより第12図の例と同じく、略リア
ルタイムの画素密度変換が可能となる。

上記の如く、光ビームによる情報記憶素子の走査は、
回転多面鏡やガルバノミラー或は固体偏向素子のような
偏向装置を用いて行っても良いし、第11図の例のよう
に、光ビームに対して情報記憶素子を移動させて行って
もよい。また、光ビーム様の光源としてはLDの他、ガス
レーザーと変調器を組合せたもの等でも良い。偏向器と
して回転多面鏡を用いる場合に、第８図の例の様にｆθ
レンズを用いても良いが、光ビームによる走査を書き込
み時と読み出し時に同等に行う場合（第８図乃至第15図
の例の場合）はｆθレンズは必ずしも必要ない。また、
情報記憶素子も第１図に即して説明したものに限らず、
前述の特開昭63−34797号公報により知られた種々の構
成のものが使用可能である。

請求項３の方法を具体適に実現するには、例えば、第
１図（VII）に即して説明したように情報記憶素子の第
２の光電変換層を第１の光電変換層を介して走査ビーム
で走査できるように、即ち、光入力と読み出しのための
走査とを、素子の同じ側から行ない得るようにし、この
素子を例えば第８図の情報記憶素子３として用いる。そ
して光入力用の光源の他に走査ビーム用の光源を用いて
走査ビームが光書き込みの直後に行なわれるようにすれ
ば良い。

なお請求項1,2の方法の実施に用いられる、特開昭63
−34797号公報開示の情報記憶素子に情報を記憶させる
ための「光ビーム走査と電圧印加の組合せ」の１態様と
して、「一定強度の光ビームを走査しつつ１対の電極間
に印加する電圧を画像信号で変調する方法」を先に述べ
た。

この「一定強度の光ビームを走査しつつ１対の電極間
に印加する電圧を画像信号で変調する方法」の一つの例
として、記憶させるべき画像信号が「１」「０」のよう
な２値情報である場合には、電極間に印加する電圧の極
性を画像信号に応じて極性変調する方法が可能である。
上記情報記憶素子の光電変換層の、光ビーム（強度一定
のもの）に照射されている部分はロウインピーダンス状
態となっており、この状態で電圧の極性が切り替えられ
ると、光電変換層の上記部分に接した記憶保持層には電
荷の注入が生じ、２値情報に応じた蓄積電荷の有無、も
しくは蓄積電荷の極性の正負の分布状態が生ずる。この
状態は、印加電圧の極性に応じて強制的に生ずるから、
それ以前における情報記憶素子の状態と無関係に実現で
きる。

従って、かかる記憶方法により情報記憶を行えば、画
素密度の変換の際、情報記憶素子に新たな画像情報を記
憶させるに際して、それ以前に記憶させた画像情報を消
去するための手続きが無用となり、所謂情報のオーバー
ライトが可能である。

［発明の効果］ 以上、本発明によれば新規な画素密度変換方法を提供
できる。請求項1,3の方法では、画像情報の画素密度を
１方向に任意に変換でき、請求項２の方法では画素密度
の２次元的な変換が可能であり、変換のために複雑な計
算機処理等を必要としない。これらの方法による画素密
度の変換は、元の画素密度と変換したい画素密度との何
れか一方もしくは双方を、ライン単位、行単位、または
データファイル単位に情報とし付加された画像情報の利
用も有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明を説明するための図、第２図乃至第７
図は、画素密度変換の具体例を示す図、第８図乃至第15
図は、本発明を実施するための具体的な装置構成の例を
８例示す図である。 １……LD、２……回転多面鏡、3,3A,3B,3C,3D……情報
記憶素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−154669（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−182951（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−134395（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−7630（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) B41J 2/44 H04N 1/387

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一定の画素密度で構成された画素の集合か
   らなる画像情報を、別の画素密度の画像情報に変換する
   方法であって、 光入力を光電変換する光電変換層と、この光電変換層に
   接して設けられ上記光電変換層に於ける光電変換状態を
   電気的状態として記憶する記憶保持層と、これら光電変
   換層と記憶保持層とに設けられた１対の電極とを有する
   情報記憶素子に、光ビーム走査と電圧印加の組合せによ
   り、画像情報を所定の画素密度で記録し、 上記光ビームにより上記情報記憶素子を走査しつつ上記
   １対の電極間に現れる電気的変化を取り出し、 取り出された電気的変化を、所望の画素密度となるよう
   な時間間隔で標本化するか、もしくは取り出された電気
   的変化が所望の画素密度の情報となるように上記光ビー
   ムを点滅させることを特徴とする画素密度変換方法。
2. 【請求項２】一定の画素密度で構成された画素の集合か
   らなる画像情報を、別の画素密度の画像情報に変換する
   方法であって、 光入力を光電変換する光電変換層と、この光電変換層に
   接して設けられ上記光電変換層に於ける光電変換状態を
   電気的状態として記憶する記憶保持層と、これら光電変
   換層と記憶保持層とを挟持するように設けられ、少なく
   とも一方は透光性である１対の電極とを有する情報記憶
   素子に、光ビーム走査と電圧印加の組合せにより、画像
   情報を所定の画像密度で２次元的に記録し、 上記光ビームにより上記情報記憶素子を走査しつつ上記
   １対の電極間に現れる電気的変化を取り出す取り出しを
   行いつつ、光ビームの１走査毎に、情報記憶素子に対す
   る光ビームの走査位置を走査直交方向へ相対的に変位さ
   せ、 取り出された電気的変化を、所望の画素密度となるよう
   な時間間隔で標本化するか、もしくは取り出された電気
   的変化が所望の画素密度の情報となるように上記光ビー
   ムを点滅させ、 且つ、上記光ビームの走査位置の変位量を所望の画素密
   度に応じて定めることを特徴とする画素密度変換方法。
3. 【請求項３】一定の画素密度で構成された画素の集合か
   らなる画素情報を、別の画素密度を画像情報に変換する
   方法であって、 光入力を光電変換する第１の光電変換層と、この光電変
   換層に接して設けられ走査ビームにより光電変換される
   第２の光電変換層と、これら第１及び第２の光電変換層
   のそれぞれに設けられた１対の電極とを有する情報記憶
   素子に、光ビーム走査による光入力により、画像情報を
   所定の画素密度で入力し、 この入力と同時もしくは入力の直後に上記走査ビームに
   より上記情報記憶素子を走査しつつ上記１対の電極間に
   現れる電気的変化を取り出し、 取り出された電気的変化を、所望の画素密度となるよう
   な時間間隔で標本化するか、もしくは取り出された電気
   的変化が所望の画素密度の情報となるように上記走査ビ
   ームを点滅させることを特徴とする画素密度変換方法。