JP2765014B2 - Ion source device - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、マイクロ波放電にもとずくプラズマ生成で
電離された電子により、直流放電を持続してイオンビー
ムをプラズマ生成するイオン源装置に関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion source device for generating an ion beam in a plasma by sustaining a DC discharge by electrons ionized by plasma generation based on a microwave discharge. .
従来、イオンビームスパツタリング,インオビームミ
キシング,イオンアシスト等に用いられるバケツト型,
カウフマン型等のイオン源装置は、電子放出源としてマ
イクロ波放電にもとずくプラズマ生成で電子を電離形成
するマイクロ波プラズマカソード(以下MPカソードとい
う)室を備え、電子放出材の消耗を皆無にして長寿命化
等を図るようにしたものがある。Conventionally, bucket type used for ion beam sputtering, in-beam mixing, ion assist, etc.
The Kaufman-type ion source device has a microwave plasma cathode (hereinafter referred to as MP cathode) chamber that ionizes and forms electrons by plasma generation based on microwave discharge as an electron emission source. To extend the service life.
そして、同軸ケーブル,アンテナを用いてカソード室
にマイクロ波を導入し、大電流のイオンビームを生成す
る従来のバケツト型の装置は、第4図及び同図の一部の
拡大図を示した第5図に示すように構成されている。A conventional bucket-type device for introducing a microwave into a cathode chamber using a coaxial cable and an antenna to generate a high-current ion beam is shown in FIG. 4 and an enlarged view of a part of FIG. It is configured as shown in FIG.
それらの図面において、(1)はステンレス等の非磁
性体の金属製の主筐体、(2)は主筐体(1)により形
成された主プラズマ室、(3)は主プラズマ室(2)へ
のガスの導入口、(4)はイオンビーム引出電極群であ
り、第1電極(5),第2電極(6),第3電極(7)
から構成されている。(8),(9),(10)は主筐体
(1),各電極(5),(6),(7)間に設けられた
絶縁体、(11)は主筐体(1)の外側に設けられた複数
個の環状の永久磁石であり、主プラズマ室(2)にカプ
ス磁場を形成する。In these drawings, (1) is a main housing made of a nonmagnetic metal such as stainless steel, (2) is a main plasma chamber formed by the main housing (1), and (3) is a main plasma chamber (2). (4) is an ion beam extraction electrode group, and includes a first electrode (5), a second electrode (6), and a third electrode (7).
It is composed of (8), (9) and (10) are the main housing (1), insulators provided between the electrodes (5), (6) and (7), and (11) is the main housing (1) And a plurality of annular permanent magnets provided outside of the main plasma chamber to form a caps magnetic field in the main plasma chamber (2).
(12)はアーク電源であり、陽極が主筐体(1)に,
陰極が第1電極(5)に接続され、主筐体(1)をアノ
ード電位にする。(13)は加速電源であり、陽極がアノ
ード電源(12)の陰極に接続され、第1電極(5)にア
ノード電位より低い正の加速電圧を印加する。(14)は
第2電極(6)に負の電圧を印加する減速電源である。(12) is an arc power supply, the anode of which is in the main housing (1),
A cathode is connected to the first electrode (5) and brings the main housing (1) to an anode potential. Reference numeral (13) denotes an acceleration power supply, whose anode is connected to the cathode of the anode power supply (12), and applies a positive acceleration voltage lower than the anode potential to the first electrode (5). (14) is a deceleration power supply for applying a negative voltage to the second electrode (6).
(15)は非磁性体の副筐体(16)により形成されたMP
カソード室、(17),(18)は副筐体(16)の両側の磁
性体又は非磁性体からなる蓋板、(19)は主筐体(1)
と蓋板(17)間に設けられた絶縁体、(20)はカソード
室(15)へのガスの導入口、(21)は副筐体(16)の外
側に設けられた永久磁石又は電磁石であり、カソード室
(15)に電子サイクロトロン共鳴(ECR)条件以上の磁
場を発生する。(15) is the MP formed by the non-magnetic sub-housing (16)
Cathode chamber, (17) and (18) cover plates made of magnetic or non-magnetic material on both sides of sub-housing (16), (19) Main housing (1)
(20) is a gas inlet to the cathode chamber (15), (21) is a permanent magnet or electromagnet provided outside the sub-housing (16) And generates a magnetic field exceeding the electron cyclotron resonance (ECR) condition in the cathode chamber (15).
(22)は可変減衰器等のマイクロ波調整器を有する複
数個のマイクロ波電源、(23)はこの電源(22)に同軸
ケーブル(24)を介して接続されたマイクロ波電力モニ
タ装置、(25)はこのモニタ装置(23)に同軸ケーブル
(26)を介して接続されカソード室(15)に配設された
アンテナである。(22) a plurality of microwave power supplies having a microwave adjuster such as a variable attenuator, (23) a microwave power monitoring device connected to the power supply (22) via a coaxial cable (24), Reference numeral 25 denotes an antenna connected to the monitor device (23) via a coaxial cable (26) and disposed in the cathode chamber (15).
そして、副筐体(16)はアーク電源(12)の陰極のカ
ソード電位に保持され、各アンテナ(25)の先端部はマ
イクロ波放電を引き起し易いようにカソード室(15)の
壁面に近接して設けられている。The sub-housing (16) is held at the cathode potential of the cathode of the arc power supply (12), and the tip of each antenna (25) is placed on the wall of the cathode chamber (15) so as to easily cause microwave discharge. It is provided in close proximity.
つぎに、ガスが導入口(20)から供給され、各マイク
ロ波電源(22)からそれぞれモニタ装置(23),アンテ
ナ(25)を介してマイクロ波が導入されると、カソード
室(15)がマイクロ波空洞共振器条件で形成されていな
い場合でも、各アンテナ(25)の先端部とカソード室
(15)の壁面との間の高電界によりマイクロ波放電が容
易に発生し、導入口(20)からのガスが電離されてマイ
クロ波プラズマが生成される。Next, when gas is supplied from the inlet (20) and microwaves are introduced from the respective microwave power supplies (22) via the monitoring device (23) and the antenna (25), the cathode chamber (15) is opened. Even when the antenna is not formed under the condition of the microwave cavity, the microwave discharge is easily generated by the high electric field between the tip of each antenna (25) and the wall surface of the cathode chamber (15), and the inlet (20) is formed. ) Is ionized to generate microwave plasma.
さらに、アーク電源(12)の直流バイアスにもとず
き、マイクロ波プラズマの生成によつて電離形成された
電子eが、蓋板(17)の各開口を通つて主プラズマ室
(2)に放出される。Further, based on the DC bias of the arc power supply (12), the electrons e ionized by the generation of the microwave plasma pass through each opening of the cover plate (17) and enter the main plasma chamber (2). Released.
そして、主プラズマ室(2)では供給された電子eに
より直流放電が持続し、導入口(3)から導入された希
ガス等のイオン化ガスが電離されて主プラズマ(27)が
生成される。Then, in the main plasma chamber (2), DC discharge is continued by the supplied electrons e, and ionized gas such as a rare gas introduced from the inlet (3) is ionized to generate a main plasma (27).
つぎに、電極群(4)のビーム引出し作用により、生
成された主プラズマ(27)からイオンがイオンビームと
なつてスパツタ室等に導出される。Next, ions are extracted from the generated main plasma (27) as an ion beam to a sputter chamber or the like by the beam extracting action of the electrode group (4).
一方、各アンテナ(25)からのマイクロ波の入力量
(電力)が各モニタ装置(23)により測定,監視され、
その結果にもとずきマイクロ波プラズマの密度むらを防
止するように、自動又は手動により各マイクロ波電源
(22)のマイクロ波調整器が調整される。On the other hand, the input amount (power) of the microwave from each antenna (25) is measured and monitored by each monitor device (23),
Based on the result, the microwave regulator of each microwave power supply (22) is adjusted automatically or manually so as to prevent the unevenness of the density of the microwave plasma.
この調整により主プラズマ(27)の均一化を図り、大
電流の均一なイオンビームを得るようになつている。By this adjustment, the main plasma (27) is made uniform, and a large current uniform ion beam is obtained.
従来の前記装置の場合、一般的なマイクロ波電力測定
の場合と同様、整合条件等にもとずき各モニタ装置(2
3)の測定,監視を正確に行うことが困難である。In the case of the above-mentioned conventional device, as in the case of general microwave power measurement, each monitor device (2
It is difficult to accurately measure and monitor 3).
さらに、マイクロ波プラズマの密度分布がガス圧等に
よつても変化するため、各モニタ装置(23)の測定,監
視にもとずいてマイクロ波の入力量を調整しても、主プ
ラズマ室(2)に放出される電子eの密度にむらが生ず
る。Further, since the density distribution of the microwave plasma changes depending on the gas pressure and the like, even if the input amount of the microwave is adjusted based on the measurement and monitoring of each monitor device (23), the main plasma chamber ( The density of the electrons e emitted in 2) becomes uneven.
したがつて、主プラズマ(27)が均一な密度で生成さ
れず、均一なイオンビームが得られない問題点がある。Therefore, there is a problem that the main plasma (27) is not generated at a uniform density and a uniform ion beam cannot be obtained.
しかも、マイクロ波を扱う各モニタ装置(23)が極め
て複雑,高価であるため、装置の簡素化,低価格化を図
れない問題点がある。In addition, since each monitor device (23) handling microwaves is extremely complicated and expensive, there is a problem that the device cannot be simplified and the price cannot be reduced.
なお、カウフマン型の装置等の場合も、前記とほぼ同
様の問題点がある。It should be noted that a Kaufman-type device or the like also has substantially the same problems as described above.
本発明は、前記の点に留意し、直流のカソード電流を
検出し調整する簡単かつ安価な構成で主プラズマの密度
を均一化し、大電流の均一なイオンビームが得られるイ
オン源装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides an ion source device which takes the above points into consideration, and makes the density of a main plasma uniform with a simple and inexpensive configuration for detecting and adjusting a DC cathode current, thereby obtaining a uniform ion beam with a large current. The purpose is to:
前記課題を解決するために、本発明のイオン源装置
は、マイクロ波電源のマイクロ波が供給され,マイクロ
波放電で電子を生成する複数のマイクロ波プラズマカソ
ード室と、 前記各カソード室に対して正電位に直流バイアスさ
れ,前記各カソード室から放出された電子にもとずく直
流放電でイオンビームを生成する主プラズマ室と、 前記各カソード室の筐体と前記プラズマ室の筐体との
間のカソード電流路に設けられた複数の電流検出器と、 前記各電流検出器にそれぞれ直列に設けられた可変直
流電源又は可変抵抗器等の電流調整器とを備え、 前記各電流検出器の検出値にもとずき、前記各調整器
によつて前記各カソード室のカソード電流を調整し、前
記各カソード室から放出される電子量を調整するように
したものである。In order to solve the above problems, an ion source device according to the present invention includes a plurality of microwave plasma cathode chambers to which a microwave of a microwave power supply is supplied and generates electrons by microwave discharge, A main plasma chamber which is DC-biased to a positive potential and generates an ion beam by a DC discharge based on electrons emitted from each of the cathode chambers; and between a casing of each of the cathode chambers and a casing of the plasma chamber. A plurality of current detectors provided in the cathode current path, and a current regulator such as a variable DC power supply or a variable resistor provided in series with each of the current detectors. Based on the value, the controller adjusts the cathode current of each of the cathode chambers to adjust the amount of electrons emitted from each of the cathode chambers.
前記のように構成された本発明のイオン源装置は、独
立した複数のMPカソード室から主プラズマ室に放出され
る電子量により、主プラズマの密度分布が決まるととも
に、各カソード室の電子量にもとずくカソード電流が各
電検出器で検出され、各検出器の検出値にもとずく各調
整器の調整により各カソード室のカソード電流が調整さ
れるため、マイクロ波の入力量,ガス圧等に依存する各
カソード室の電子量が直接測定され、この測定結果にも
とずく各カソード室のカソード電流の調整により、各カ
ソード室の電子量が正確に調整され、主プラズマ室に放
出される電子の密度むらが防止されて主プラズマの密度
分布が均一化され、均一なイオンビームが得られる。In the ion source device of the present invention configured as described above, the density distribution of the main plasma is determined by the amount of electrons emitted from the plurality of independent MP cathode chambers to the main plasma chamber, and the amount of electrons in each cathode chamber is reduced. Since the cathode current is detected by each electric detector and the cathode current of each cathode chamber is adjusted by adjusting each regulator based on the detected value of each detector, the microwave input amount, gas pressure The amount of electrons in each cathode chamber is directly measured, and the amount of electrons in each cathode chamber is accurately adjusted by adjusting the cathode current in each cathode chamber based on the measurement results. The unevenness in the density of electrons is prevented, the density distribution of the main plasma is made uniform, and a uniform ion beam is obtained.
また、マイクロ波の測定,監視及び調整を行うことな
く、各カソード室の直流のカソード電流の検出及び調整
により行えるため、簡単かつ安価に装置が形成される。In addition, since the measurement, monitoring and adjustment of microwaves can be performed by detecting and adjusting the DC cathode current of each cathode chamber, the apparatus can be formed simply and inexpensively.
実施例について第1図ないし第3図を参照して説明す
る。An embodiment will be described with reference to FIG. 1 to FIG.
それらの図面において、第4図及び第5図と同一記号
は同一のものを示す。In these drawings, the same symbols as those in FIGS. 4 and 5 indicate the same components.
(実施例1) 実施例1を示した第1図及び第2図について説明す
る。Example 1 FIGS. 1 and 2 showing Example 1 will be described.
同図において、(28)はそれぞれアンテナ(25)を収
容した複数個のMPカソード室であり、第5図のカソード
室(15)と同様、副筐体の両側に蓋体を有し、外側に永
久磁石又は電磁石が設けられている。In the same figure, (28) is a plurality of MP cathode chambers each accommodating an antenna (25), like the cathode chamber (15) in FIG. Is provided with a permanent magnet or an electromagnet.
(29)はカソード室(28)にガスを供給する導入口、
(30)は主筐体(1)と各カソード室(28)の副筐体と
の間のカソード電流路に設けられた電流検出器、(31)
は各電流検出器(31)に直列接続された可変直流電源で
あり、第4図のアーク電源(12)に相当する。(32)は
各検出器(31)の検出値にもとずきそれぞれ可変直流電
源(31)を自動調整するマイクロコンピユータ構成の制
御装置である。(29) is an inlet for supplying gas to the cathode chamber (28),
(30) a current detector provided in the cathode current path between the main housing (1) and the sub-housing of each cathode chamber (28); (31)
Is a variable DC power supply connected in series to each current detector (31), and corresponds to the arc power supply (12) in FIG. (32) is a control device having a microcomputer configuration for automatically adjusting the variable DC power supply (31) based on the detection value of each detector (31).
(33)は主筐体(1)と第1電極(5)との間に設け
られた限流抵抗、(34)はマイクロ波電源、(35)はこ
の電源(34)のマイクロ波を分割した分岐回路、(36)
はマイクロ波電源(34)と分岐回路(35)間の同軸ケー
ブル又は導波管、(37)は分岐回路(35)と各アンテナ
(25)間の同軸ケーブルである。(33) is a current limiting resistor provided between the main housing (1) and the first electrode (5), (34) is a microwave power source, and (35) is a microwave power source (34) for dividing the microwave. Branch circuit, (36)
Is a coaxial cable or waveguide between the microwave power supply (34) and the branch circuit (35), and (37) is a coaxial cable between the branch circuit (35) and each antenna (25).
そして、マイクロ波電源(34)から分岐回路(35)を
介し、各アンテナ(25)からそれぞれのカソード室(2
8)に導入されたマイクロ波にもとずくマイクロ波放電
により、各カソード室(28)から主プラズマ室(2)に
個別に電子eが放出される。Then, from the microwave power supply (34) via the branch circuit (35), the respective cathode chambers (2
Electrons e are individually emitted from each cathode chamber (28) to the main plasma chamber (2) by the microwave discharge based on the microwave introduced into 8).
このとき、各可変直流電源(31)により主プラズマ室
(2)の電位(アノード電位)に対する各カソード室
(28)の電位(カソード電位)が別々に設定され、この
設定にもとずく主プラズマ室(2)と各カソード室(2
8)との間の直流バイアス電圧(放電電圧)により、第
2図に示すように各カソード室(28)から放出される電
子量が変化する。At this time, the potential (cathode potential) of each cathode chamber (28) with respect to the potential (anode potential) of the main plasma chamber (2) is separately set by each variable DC power supply (31). Chamber (2) and each cathode chamber (2
8), the amount of electrons emitted from each cathode chamber (28) changes as shown in FIG.
そして、各可変直流電源(31)の電圧により各可変直
流電源(31),各電流検出器(30)を流れる各カソード
室(28)のカソード電流が変化し、各電流検出器(30)
の直流検出により、マイクロ波の入力量,ガス圧等によ
つて変化する各カソード室(28)の電子の放出量が直接
測定され、正確に検出される。Then, the cathode current of each cathode chamber (28) flowing through each variable DC power supply (31) and each current detector (30) changes according to the voltage of each variable DC power supply (31), and each current detector (30)
The direct current detection directly measures the amount of electrons emitted from each cathode chamber (28), which varies depending on the amount of microwave input, gas pressure, etc., and is accurately detected.
さらに、各電流検出器(30)の検出値にもとずき、制
御装置(32)は例えば主プラズマ(27)の密度分布が均
一になるときの各カソード室(28)のカソード電流の設
定値を基準にして各可変直流電源(31)の電圧を調整
し、各カソード室(28)のカソード電流を自動調整す
る。Further, based on the detection value of each current detector (30), the control device (32) sets the cathode current of each cathode chamber (28) when the density distribution of the main plasma (27) becomes uniform, for example. The voltage of each variable DC power supply (31) is adjusted based on the value, and the cathode current of each cathode chamber (28) is automatically adjusted.
したがつて、各カソード室(28)から主プラズマ室
(2)に放出される電子eの密度むらが防止され、主プ
ラズマ(27)の密度分布が均一化され、大電流の均一な
イオンビームが得られる。Therefore, the density unevenness of the electrons e emitted from each cathode chamber (28) to the main plasma chamber (2) is prevented, the density distribution of the main plasma (27) is made uniform, and a large current uniform ion beam is provided. Is obtained.
さらに、各カソード室(28)のマイクロ波の入力量調
整を行わないため、マイクロ波電源(34)等に従来のよ
うなマイクロ波調整器を設ける必要がなく、しかも、マ
イクロ波電源(34)が各カソード室(28)へのマイクロ
波の供給に共用されるため、装置の小型化等が図られ
る。Furthermore, since the amount of microwave input to each cathode chamber (28) is not adjusted, it is not necessary to provide a microwave power supply (34) or the like with a conventional microwave regulator, and the microwave power supply (34) Are shared for supplying microwaves to each cathode chamber (28), so that the size of the apparatus can be reduced.
(実施例2) 実施例2を示した第3図について説明する。Second Embodiment FIG. 3 showing a second embodiment will be described.
同図において第1図と異なる点は、主筐体(1)と各
電流検出器(30)との間にアーク電源(38)を設け、第
1図の可変直流電源(31)の代りに電流調整器として可
変抵抗器(39)を設けた点である。1 differs from FIG. 1 in that an arc power supply (38) is provided between the main housing (1) and each of the current detectors (30), and instead of the variable DC power supply (31) in FIG. The difference is that a variable resistor (39) is provided as a current regulator.
そして、各電流検出器(30)の検出値にもとずく各可
変抵抗器(39)の調整により、第1図の場合と同様、各
カソード室(28)のカソード電流が自動調整され、主プ
ラズマ(27)の密度分布が均一化されて大電流の均一な
イオンビームが得られる。Then, by adjusting each variable resistor (39) based on the detection value of each current detector (30), the cathode current of each cathode chamber (28) is automatically adjusted as in the case of FIG. The density distribution of the plasma (27) is made uniform, and a large current uniform ion beam can be obtained.
また、第1図の装置に比し直流電源の数が少なく、極
めて安価かつ小型,軽量になる。Further, the number of DC power supplies is smaller than that of the apparatus shown in FIG.
なお、前記両実施例では、各カソード室(28)へのマ
イクロ波の供給に同軸ケーブル及びアンテナを用いた
が、導波管を用いてもよい。In each of the above embodiments, a coaxial cable and an antenna are used for supplying microwaves to each cathode chamber (28), but a waveguide may be used.
また、各カソード室(28)のアンテナ(25)は、1個
に限らず複数個であつてもい。Further, the number of antennas (25) in each cathode chamber (28) is not limited to one, but may be plural.
さらに、各電流検出器(30)の検出値にもとずき、各
可変直流電源(31)又は各可変抵抗器(39)を手動調整
してもよい。Furthermore, each variable DC power supply (31) or each variable resistor (39) may be manually adjusted based on the detection value of each current detector (30).
また、カウフマン型の装置等にも適用し得る。 Further, the present invention can be applied to a Kauffman-type device or the like.
本発明は、以上説明したように構成されているので、
以下に記載する効果を奏する。Since the present invention is configured as described above,
The following effects are obtained.
マイクロ波プラズマカソード室(28)が複数個に分割
され、それぞれの電流検出器(30)によるカソード電流
の検出により、各カソード室(28)から主プラズマ室
(2)への放出電子量が直接測定されて検出されるた
め、その検出が正確であり、各検出器(30)の検出値に
もとずき、各カソード電流路の各可変直流電源(31)又
は各可変抵抗器(39)等の電流調整器により、各カソー
ド室(28)のカソード電流が調整され、各カソード室
(28)から放出される電子量が調整されるため、直流の
カソード電流を検出,調整する簡単かつ安価な構成によ
り、主プラズマ室(2)に放出される電子の密度むらが
防止され、主プラズマ(27)を均一な密度で生成し、大
電流の均一なイオンビームを得ることができる。The microwave plasma cathode chamber (28) is divided into a plurality of parts, and the amount of electrons emitted from each cathode chamber (28) to the main plasma chamber (2) is directly determined by detecting the cathode current by each current detector (30). Since it is measured and detected, the detection is accurate, and based on the detection value of each detector (30), each variable DC power supply (31) or each variable resistor (39) of each cathode current path The current controller adjusts the cathode current of each cathode chamber (28) and adjusts the amount of electrons emitted from each cathode chamber (28). Therefore, it is simple and inexpensive to detect and adjust the DC cathode current. With such a configuration, the density unevenness of the electrons emitted to the main plasma chamber (2) can be prevented, the main plasma (27) can be generated at a uniform density, and a large current uniform ion beam can be obtained.
第1図及び第2図は本発明のイオン源装置の実施例1の
構成図及び放出電子量の特性図、第3図は本発明の実施
例2の構成図、第4図は従来例の構成図、第5図は第4
図の一部の拡大図である。 (2)……主プラズマ室、(28)……マイクロ波プラズ
マカソード室、(34)……マイクロ波電源、(30)……
電流検出器、(31)……可変直流電源、(39)……可変
抵抗器。1 and 2 are a configuration diagram and a characteristic diagram of the amount of emitted electrons of an ion source device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 3 is a configuration diagram of a second embodiment of the present invention, and FIG. Fig. 5 shows the structure
It is a partially enlarged view of a figure. (2) Main plasma chamber, (28) Microwave plasma cathode chamber, (34) Microwave power supply, (30)
Current detector, (31)… Variable DC power supply, (39)… Variable resistor.
Claims (1)
マイクロ波放電で電子を生成する複数のマイクロ波プラ
ズマカソード室と、 前記各カソード室に対して正電位に直流バイアスされ,
前記各カソード室から放出された電子にもとずく直流放
電でイオンビームを生成する主プラズマ室と、 前記各カソード室の筐体と前記プラズマ室の筐体との間
のカソード電流路に設けられた複数の電流検出器と、 前記各電流検出器にそれぞれ直列に設けられた可変直流
電源又は可変抵抗器等の電流調整器とを備え、 前記各電流検出器の検出値にもとずき、前記各調整器に
よつて前記各カソード室のカソード電流を調整し、前記
各カソード室から放出される電子量を調整するようにし
たことを特徴とするイオン源装置。1. A microwave power supply is provided,
A plurality of microwave plasma cathode chambers for generating electrons by microwave discharge, and a DC bias to a positive potential with respect to each of the cathode chambers;
A main plasma chamber that generates an ion beam by a DC discharge based on electrons emitted from each of the cathode chambers; and a cathode current path between a housing of each of the cathode chambers and a housing of the plasma chamber. A plurality of current detectors, comprising a current regulator such as a variable DC power supply or a variable resistor provided in series with each of the current detectors, based on a detection value of each of the current detectors, An ion source device, wherein a cathode current of each of the cathode chambers is adjusted by each of the adjusters, and an amount of electrons emitted from each of the cathode chambers is adjusted.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1059213A JP2765014B2 (en) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | Ion source device |
US07/422,724 US5107170A (en) | 1988-10-18 | 1989-10-17 | Ion source having auxillary ion chamber |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1059213A JP2765014B2 (en) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | Ion source device |
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JPH02239557A JPH02239557A (en) | 1990-09-21 |
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ID=13106890
Family Applications (1)
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JP1059213A Expired - Fee Related JP2765014B2 (en) | 1988-10-18 | 1989-03-10 | Ion source device |
Country Status (1)
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-
1989
- 1989-03-10 JP JP1059213A patent/JP2765014B2/en not_active Expired - Fee Related
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JPH02239557A (en) | 1990-09-21 |
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