JP2746271B2 - Inverter device - Google Patents

Inverter device

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JP2746271B2
JP2746271B2 JP63101551A JP10155188A JP2746271B2 JP 2746271 B2 JP2746271 B2 JP 2746271B2 JP 63101551 A JP63101551 A JP 63101551A JP 10155188 A JP10155188 A JP 10155188A JP 2746271 B2 JP2746271 B2 JP 2746271B2
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雅人 大西
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、直流電源から交流電源を得るためのインバ
ータ装置に関するものであり、さらに詳しくは、直流電
源に接続された2つのスイッチング素子の駆動用電源電
圧を直流電源から得るようにしたインバータ装置におけ
る始動時の特性改善に関するものである。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an inverter device for obtaining an AC power supply from a DC power supply, and more specifically, to driving two switching elements connected to a DC power supply. The present invention relates to improvement of characteristics at the time of starting in an inverter device which obtains a power supply voltage from a DC power supply.

[従来の技術] 第13図は従来のインバータ装置の回路図である。直流
電源Vの両端には、一対のスイッチング素子Q1,Q2の直
列回路が接続されている。スイッチング素子Q1,Q2は例
えば電力用のMOSトランジスタにて構成される。各スイ
ッチング素子Q1,Q2はドライブ回路1,2の出力V1,V2によ
りそれぞれオン/オフ駆動される。一方のスイッチング
素子Q2の両端には、負荷回路Zが接続されている。負荷
回路Zとしては、例えばインダクタンス素子L0とコンデ
ンサC0のLC共振回路を含む放電灯点灯装置が接続され
る。
[Prior Art] FIG. 13 is a circuit diagram of a conventional inverter device. A series circuit of a pair of switching elements Q 1 and Q 2 is connected to both ends of the DC power supply V. The switching elements Q 1 and Q 2 are composed of, for example, power MOS transistors. Each of the switching elements Q 1 and Q 2 is turned on / off by outputs V 1 and V 2 of the drive circuits 1 and 2 , respectively. The one ends of the switching element Q 2, the load circuit Z is connected. The load circuit Z, for example, a discharge lamp lighting apparatus including an LC resonance circuit of the inductance element L 0 and capacitor C 0 is connected.

スイッチング素子Q1の両端に接続された抵抗R1,コン
デンサC1の直列回路は上側回路の電源回路であり、直流
電源Vの両端に接続された抵抗R2,コンデンサC2の直列
回路は下側回路の電源回路である。各コンデンサC1,C2
は、電圧規制用のツェナダイオードZD1,ZD2がそれぞれ
並列接続されている。コンデンサC2にて給電される発振
回路3は、高レベルと低レベルとに交番する2つの信号
VA,VBを出力している。信号VBはドライブ回路2に入力
され、信号VAは信号伝達回路を介して、ドライブ回路1
に入力される。
The series circuit of the resistor R 1 and the capacitor C 1 connected to both ends of the switching element Q 1 is the power supply circuit of the upper circuit, and the series circuit of the resistor R 2 and the capacitor C 2 connected to both ends of the DC power supply V is the lower circuit. This is the power supply circuit of the side circuit. Each capacitor C 1 , C 2
, Zener diodes ZD 1 and ZD 2 for voltage regulation are respectively connected in parallel. The oscillation circuit 3 fed by the capacitor C 2 has two signals alternating between a high level and a low level.
V A and V B are output. Signal V B is input to the drive circuit 2, the signal V A via a signal transfer circuit, the drive circuit 1
Is input to

信号伝達回路は、トランジスタTr1〜Tr4及び抵抗R3,R
4よりなり、トランス等の絶縁素子を用いないで信号伝
達を行っている。信号伝達回路のトランジスタTr1は抵
抗R3と直列に接続されて、コンデンサC1の両端に接続さ
れている。トランジスタTr1のベース・エミッタ間に
は、カレントミラー回路4を構成するようにトランジス
タTr2が接続されている。トランジスタTr2のベースは、
トランジスタTr3のコレクタに接続されている。トラン
ジスタTr3にはカレントミラー回路5を構成するように
トランジスタTr4が接続されている。カレントミラー回
路4,5を構成するトランジスタTr1,Tr2及びTr3,Tr4とし
ては、通常同じ特性のトランジスタが用いられ、それら
の電流利得hfeが非常に高いとすると、カレントミラー
回路を構成する一方のトランジスタに流れる電流は他方
のトランジスタに流れる電流と同じになると考えること
ができる。つまり、カレントミラー回路5の出力電流IA
は、予め低められた定電流IA′と同じになり、スイッチ
ング素子Q2の両端電圧VQ2が時間的に大きく変化して
も、それに関係なく、一定の電流をトランジスタTr2
流すことができる。このとき、トランジスタTr2に流れ
る電流と同じ電流がトランジスタTr1にも流れて、抵抗R
3に電流I3(≒IA)が流れ、抵抗R3に電圧V3が生じて、
ドライブ回路1に高レベルの信号が入力される。信号VA
が低レベルのときには、ドライブ回路1に低レベルの信
号が入力される。
Signal transmission circuit, the transistors Tr 1 to Tr 4 and the resistor R 3, R
The signal transmission is performed without using an insulating element such as a transformer. Transistor Tr 1 in the signal transmission circuit is connected to the resistor R 3 in series, is connected across the capacitor C 1. Between the base and emitter of the transistor Tr 1, the transistor Tr 2 are connected to form a current mirror circuit 4. The base of the transistor Tr 2 is
It is connected to the collector of the transistor Tr 3. Transistor Tr 4 is connected to the transistor Tr 3 form a current mirror circuit 5. If transistors Tr 1 and Tr 2 and transistors Tr 3 and Tr 4 constituting the current mirror circuits 4 and 5 are usually transistors having the same characteristics and their current gains hfe are extremely high, the current mirror circuits are formed. It can be considered that the current flowing through one transistor becomes the same as the current flowing through the other transistor. That is, the output current I A of the current mirror circuit 5
Is the same as the constant current I A ′ that has been lowered in advance, and even if the voltage V Q2 across the switching element Q 2 changes greatly with time, a constant current can flow through the transistor Tr 2 irrespective of that. it can. In this case, the same current as the current flowing through the transistor Tr 2 is also flowing to the transistor Tr 1, the resistor R
3 , a current I 3 (≒ I A ) flows, and a voltage V 3 is generated in the resistor R 3 .
A high-level signal is input to the drive circuit 1. Signal V A
Is low, a low-level signal is input to the drive circuit 1.

第14図は第13図回路の動作波形図である。時刻t0で信
号VA(第14図(a))が高レべルになると、カレントミ
ラー回路5のトランジスタTr4に電流IA′が流れ、これ
と同じ電流IA(第14図(c))がトランジスタTr3に流
れる。この電流IAがカレントミラー回路4のトランジス
タTr2に流れて、これと同じ電流がトランジスタTr1に流
れる。これによって、抵抗R3に電圧が印加され、電圧V3
(第14図(d))が高レベルとなって、ドライブ回路1
の出力V1(第14図(g))により、スイッチング素子Q1
がオンする。時刻t1で信号VAが低レベルになると、電流
IAが停止し、ドライブ回路1の入出力電圧V3,V1が低レ
ベルとなるので、スイッチング素子Q1がオフする。
FIG. 14 is an operation waveform diagram of the circuit in FIG. When the time t 0 in the signal V A (FIG. 14 (a)) is Korebe Le, current I A 'flows through the transistor Tr 4 of the current mirror circuit 5, which the same current I A (Figure 14 ( c)) flows through the transistor Tr 3. The current I A flows through the transistor Tr 2 of the current mirror circuit 4, the same current as it flows through the transistor Tr 1. Thus, a voltage is applied to the resistor R 3, the voltage V 3
(FIG. 14 (d)) becomes high level and the drive circuit 1
Output V 1 (FIG. 14 (g)), the switching element Q 1
Turns on. When the signal V A becomes a low level at time t 1, current
I A is stopped, since the output voltage V 3, V 1 of the drive circuit 1 becomes the low level, the switching element Q 1 is turned off.

次に、時刻t2で信号VB(第14図(b))が高レベルに
なると、ドライブ回路2の出力V2(第14図(f))が高
レベルとなって、スイッチング素子Q2がオンする。この
とき、信号VAは低レベルであるので、トランジスタTr3,
Tr4よりなるカレントミラー回路5には電流IAが流れな
い。このため、カレントミラー回路4のトランジスタTr
1はオフし、電圧V3は低レベルとなって、ドライブ回路
1の出力V1が低レベルとなり、スイッチング素子Q1はオ
フとなる。時刻t3で信号VBが低レベルになると、ドライ
ブ回路2の出力V2が低レベルとなり、スイッチング素子
Q2はオフとなる。以下、同様の操作を繰り返し、負荷回
路Zには交番する電圧が供給される。
Then, when the time t 2 the signal V B (FIG. 14 (b)) goes high, the output V 2 (FIG. 14 (f)) of the drive circuit 2 becomes the high level, the switching element Q 2 Turns on. At this time, since the signal VA is at a low level, the transistors Tr 3 ,
It does not flow current I A to the current mirror circuit 5 made of tr 4. Therefore, the transistor Tr of the current mirror circuit 4
1 is turned off, the voltage V 3 becomes low level, the output V 1 of the drive circuit 1 goes low, the switching element Q 1 is turned off. When the signal V B goes low at time t 3, the output V 2 of the drive circuit 2 becomes low level, the switching element
Q 2 turns off. Hereinafter, the same operation is repeated, and an alternating voltage is supplied to the load circuit Z.

この従来例では、定電流信号IAをカレントミラー回路
4,5を介して伝達しているので、ベースドライブ用のト
ランスや、フォトカプラ等の絶縁素子を用いないで、下
側の発振回路3から、上側の電位の異なるドライブ回路
1へドライブ信号を伝達することができ、IC化に適した
方式と言える。
In this conventional example, a current mirror circuit a constant current signal I A
Since the drive signal is transmitted through 4 and 5, the drive signal is transmitted from the lower oscillation circuit 3 to the upper drive circuit 1 having a different potential without using a base drive transformer or an insulating element such as a photocoupler. It can be transmitted, and it can be said that it is a method suitable for IC.

[発明が解決しようとする課題] 上述の従来例において、下側回路の電源供給用のコン
デンサC2は直流電源Vから抵抗R2を通じて給電され、ツ
ェナーダイオードZD2よる常にほぼ一定電圧を保つが、
上側回路の電源供給用のコンデンサC1は下側スイッチン
グ素子Q2がオンしている期間t1〜t3に充電される。つま
り、コンデンサC1の電圧VC1はスイッチング素子Q2がオ
ンしている期間には上昇し、スイッチング素子Q1がオン
する期間には下降する。インバータ装置が動作し始める
ときには、コンデンサC2は抵抗R2を通じて常に電流が供
給されているから、その電圧VC2は速やかに上昇する
が、コンデンサC1はスイッチング素子Q2のオン・オフ動
作に伴って次第にその電圧VC1が上昇して行く。この始
動課程において、ドライブ回路1の出力V1が高レベルの
ときには、コンデンサC1はスイッチング素子Q1へエネル
ギーを供給しており、ドライブ回路1の出力V1は第14図
(g)のように低下して行くことになる。負荷回路Zが
共振回路を含む場合、駆動信号VA,VBの周波数を負荷回
路Zの固有振動周波数よりも高く設定して動作を安定さ
せているので、時刻t1でスイッチング素子Q1がオフした
ときには負荷回路Zが流れていた電流が流れ続けようと
し、スイッチング素子Q2の電圧VQ2が反転してスイッチ
ング素子Q2の逆方向へ電流が流れる。このため、時刻t1
からスイッチング素子Q2がオンしている時刻t3までコン
デンサC1の電圧VC1は上昇し、時刻t3でスイッチング素
子Q2がオフし、電圧VQ2が反転してスイッチング素子Q1
に逆電流が流れる。このとき、ドライブ回路1はスイッ
チング素子Q1へ駆動電圧を供給しないので、エネルギー
消費はほとんどなく、コンデンサC1の電圧VC1は余り低
下せず、時刻t4でドライブ回路1の出力V1は高レベルと
なるので、スイッチング素子Q1へエネルギーを供給し、
再び低下し始める。
[Problems to be Solved] In the conventional example described above, the capacitor C 2 for the power supply of the lower circuit is powered from a DC power supply V through a resistor R 2, but always maintained substantially constant voltage by the Zener diode ZD 2 ,
Capacitor C 1 for power supply of the upper circuit are charged in the period t 1 ~t 3 the lower switching element Q 2 is turned on. That is, the voltage V C1 of the capacitor C 1 is increased in the period of the switching element Q 2 is turned on, it lowers the period when the switching element Q 1 is turned on. When the inverter begins to operate, since the capacitor C 2 is always current is supplied through the resistor R 2, although the voltage V C2 is quickly increases, the capacitor C 1 to the switching operation of the switching element Q 2 Accordingly, the voltage V C1 gradually increases. In this startup program, when the output V 1 of the drive circuit 1 is high, the capacitor C 1 is to supply energy to the switching element Q 1, as in FIG. 14 is the output V 1 of the drive circuit 1 (g) Will go down. If the load circuit Z comprises a resonance circuit, the driving signal V A, since to stabilize the setting to work higher than the natural vibration frequency of the load circuit Z of V B, the switching element Q 1 at time t 1 is is tries to continue to flow a current load circuit Z was flowing when off, current flows voltage V Q2 of the switching element Q 2 is reversed in the opposite direction of the switching element Q 2. Therefore, time t 1
The switching element Q 2 is the voltage V C1 of the capacitor C 1 is increased until the time t 3 when turned on, the switching element Q 2 is turned off at time t 3 from the switching element Q 1 is a voltage V Q2 inverts
Reverse current flows through the At this time, since the drive circuit 1 does not supply the driving voltage to the switching element Q 1, the energy consumption is almost no voltage V C1 of the capacitor C 1 is not lowered so much, the output V 1 of the drive circuit 1 at time t 4 is because a high level, to supply energy to the switching element Q 1,
Start to fall again.

したがって、スイッチング素子Q2へは安定した電圧が
供給されるが、スイッチング素子Q1については、その電
源供給用のコンデンサC1の電圧VC1がスイッチング素子Q
2のオン・オフ動作に伴って断続的に上昇することにな
るので、スイッチング素子Q1への電圧供給は安定しな
い。また、このコンデンサC1の電圧VC1が段階的に上昇
して行く場合に、ドライブ回路1の出力V1も第14図
(g)に示すように、段階的に上昇して行く。スイッチ
ング素子Q1,Q2のオン・オフ動作によって負荷回路Zに
エネルギーが供給されるのであるが、スイッチング素子
Q1,Q2の両方が動作しているときは、直流電源Vによっ
て負荷回路Zには定常電流が流れようとし、スイッチン
グ時のロスを除けば、スイッチング素子Q1,Q2のストレ
スは、オン電圧により発生することが多い。スイッチン
グ素子Q2については、最初から十分な駆動電圧を加える
ことができるので、オン電圧VQ2を低く抑えることがで
きるが、スイッチング素子Q1は駆動電圧が小さく且つ安
定していないため、オン電圧VQ1は同図(k)に示すよ
うに、時刻t0〜t1の間において、高くなってしまう。こ
のようなスイッチング素子Q1のオン電圧VQ1の上昇は、
スイッチング素子Q1の温度上昇の原因となり、負荷回路
Zに大電流を供給したい場合には特にストレスが大きく
なり、スイッチング素子Q1の劣化や破壊の原因となって
いた。
Therefore, although stable voltage is supplied to the switching element Q 2, the switching element Q 1, a capacitor C 1 of the voltage V C1 is the switching element Q for the power supply
It means that intermittently increased with second on-off operation, the voltage supply to the switching element Q 1 is not stable. When the voltage V C1 of the capacitor C 1 increases stepwise, the output V 1 of the drive circuit 1 also increases stepwise as shown in FIG. 14 (g). Energy is supplied to the load circuit Z by the on / off operation of the switching elements Q 1 and Q 2.
When both Q 1 and Q 2 are operating, a steady current tends to flow in the load circuit Z by the DC power supply V, and except for the loss at the time of switching, the stress of the switching elements Q 1 and Q 2 becomes Often caused by the ON voltage. The switching element Q 2, since from the beginning may be added a sufficient driving voltage, it is possible to suppress the on-voltage V Q2 low, the switching element Q 1 is not and stable low driving voltage, the ON voltage As shown in FIG. 7 (k), V Q1 becomes high between times t 0 and t 1 . Such an increase in the ON voltage V Q1 of the switching element Q 1
Cause temperature rise of the switching elements Q 1, particularly stress becomes large when it is desired to supply a large current to the load circuit Z, it has been a cause of the deterioration or destruction switching element Q 1.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、始動時においても安定した駆
動信号をスイッチング素子に供給し、スイッチング素子
の劣化の少ない信頼性の高いインバータ装置を提供する
ことにある。
The present invention has been made in view of such a point,
It is an object of the present invention to provide a highly reliable inverter device which supplies a stable drive signal to a switching element even at the time of starting and has little deterioration of the switching element.

[課題を解決するための手段] 本発明にあっては、上記の課題を解決するために、第
1図に示すように、第1及び第2のスイッチング素子
Q1,Q2の直列回路を直流電源Vに接続し、第1のスイッ
チング素子Q1の駆動用電源電圧VC1が第2のスイッチン
グ素子Q2のオン時に充電されるようにしたインバータ装
置において、第1のスイッチング素子Q1の駆動用電源電
圧VC1が所定の電圧に達するまでは、第1のスイッチン
グ素子Q1をオフ状態、第2のスイッチング素子Q2をオン
状態とし、前記駆動用電源電圧が所定の電圧に達する
と、第1のスイッチング素子Q1をオン状態、第2のスイ
ッチング素子Q2をオフ状態とする制御回路を設けたこと
を特徴とするものである。
[Means for Solving the Problems] In the present invention, in order to solve the above problems, as shown in FIG. 1, first and second switching elements
An inverter device in which a series circuit of Q 1 and Q 2 is connected to a DC power supply V so that a power supply voltage V C1 for driving the first switching element Q 1 is charged when the second switching element Q 2 is turned on. Until the power supply voltage V C1 for driving the first switching element Q 1 reaches a predetermined voltage, the first switching element Q 1 is turned off, and the second switching element Q 2 is turned on. When the power supply voltage reaches a predetermined voltage, the first on-state switching element Q 1, it is characterized in the provision of the control circuit for the second switching element Q 2 and the off-state.

[作用] 本発明にあっては、このように、第1のスイッチング
素子Q1の駆動用電源電圧VC1が所定の電圧に達するまで
は、第1のスイッチング素子Q1をオフ状態、第2のスイ
ッチング素子Q2をオン状態とし、前記駆動用電源電圧が
所定の電圧に達すると、第1のスイッチング素子Q1をオ
ン状態、第2のスイッチング素子Q2をオフ状態とする制
御回路を設けたので、インバータ装置を始動する際に、
第1及び第2のスイッチング素子Q1,Q2の駆動用電源電
圧を共に十分に高い電圧とすることができ、したがっ
て、各スイッチング素子Q1,Q2のオン電圧を低くして、
消失を低減することができるものである。
In the [Operation] The present invention, thus, up to a first driving power supply voltage V C1 of the switching element Q 1 is reached to a predetermined voltage, the first off-state switching element Q 1, a second the switching element Q 2 and the oN state, the when the drive power supply voltage reaches a predetermined voltage, the first on-state switching element Q 1, a control circuit for the second switching element Q 2 and the off-state is provided in Therefore, when starting the inverter device,
The drive power supply voltages of the first and second switching elements Q 1 , Q 2 can both be sufficiently high, and therefore, the on-voltage of each switching element Q 1 , Q 2 can be reduced,
The loss can be reduced.

[実施例1] 第1図は本発明の第1実施例の回路図である。以下、
その回路構成について説明する。コンデンサC2の両端に
は、抵抗R6とコンデンサC3の直列回路が接続されてい
る。抵抗R6とコンデンサC3との接続点は、AND回路G1
一方の入力に接続されると共に、NAND回路G2の一方の入
力に接続されている。AND回路G1の他方の入力には、発
振回路3の信号VAが入力されており、AND回路G1の出力V
G1が抵抗R4を介してカレントミラー回路5のトランジス
タTr3,Tr4に入力されている。NAND回路G2の他方の入力
には、発振回路3の信号VBがNOT回路G3を介して入力さ
れており、NAND回路G2の出力VG2が抵抗R5を介してドラ
イブ回路2に入力されている。その他の回路構成につい
ては、従来例と同様であるので、対応する部分には同一
の符号を付して重複する説明は省略する。
Embodiment 1 FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention. Less than,
The circuit configuration will be described. The both ends of the capacitor C 2, the series circuit of the resistor R 6 and the capacitor C 3 is connected. Connection point between the resistor R 6 and the capacitor C 3 is connected to one input of the AND circuit G 1, and is connected to one input of NAND circuit G 2. The other input of the AND circuit G 1, the signal V A of the oscillating circuit 3 are input, the output V of the AND circuit G 1
G1 is input to the transistor Tr 3, Tr 4 current mirror circuit 5 via a resistor R 4. To the other input of the NAND circuit G 2 is the signal V B of the oscillation circuit 3 is input via the NOT circuit G 3, the drive circuit 2 outputs V G2 of the NAND circuit G 2 via a resistor R 5 Has been entered. The other circuit configuration is the same as that of the conventional example, and the corresponding parts are denoted by the same reference numerals and overlapping description will be omitted.

第2図は本実施例の動作波形図である。以下、本実施
例の動作について説明する。本実施例の回路は、上側の
電源電圧VC1が十分な電圧に達するまでは、スイッチン
グ素子Q2をオン状態、スイッチング素子Q1をオフ状態に
保持するものである。抵抗R6とコンデンサC3よりなる時
定数の回路の電圧VC3がAND回路G1及びNAND回路G2のスレ
ショルド電圧Vthに達する時間は、コンデンサC1の電圧V
C1がスイッチング素子Q2のオンにより通常の電源電圧と
なる時間よりも長く設定されるか、或いは同じ程度に設
定されている。
FIG. 2 is an operation waveform diagram of the present embodiment. Hereinafter, the operation of the present embodiment will be described. Circuit of this embodiment, until the upper power supply voltage V C1 reaches a sufficient voltage is to hold the switching element Q 2 turned on, the switching element Q 1 in the OFF state. The time required for the voltage V C3 of the time constant circuit composed of the resistor R 6 and the capacitor C 3 to reach the threshold voltage Vth of the AND circuit G 1 and the NAND circuit G 2 is determined by the voltage V of the capacitor C 1 .
C1 is set to the degree or, or the same is set longer than the time a normal power supply voltage by turning on the switching element Q 2.

時刻t0で発振回路3の出力信号VAは高レベルとなる
が、時定数回路におけるコンデンサC3の電圧VC3は低レ
ベルであり、AND回路G1の出力VG1は低レベル、NAND回路
G2の出力VG2は高レベルとなり、ドライブ回路1の出力V
1が低レベル、ドライブ回路2の出力V2が高レベルとな
って、スイッチング素子Q1がオフ状態、スイッチング素
子Q2がオン状態となり、この状態を続ける。時刻t2で信
号VBが高レベルとなっても同じ状態を続ける。
The output signal V A of the oscillation circuit 3 at time t 0 becomes a high level, when the voltage V C3 of the capacitor C 3 in constant circuit is a low level, the output V G1 is low-level of the AND circuit G 1, NAND circuit
The output V G2 of G 2 becomes high level, and the output V
1 becomes low level, the output V 2 of the drive circuit 2 is a high level, the switching element Q 1 is turned off, the switching element Q 2 is turned on, continuing this state. Also at time t 2 the signal V B becomes high level continuing the same state.

次に、時刻t3でコンデンサC3の充電電圧VC3が高ま
り、AND回路G1及びNAND回路G2の一方の入力が高レベル
となり、信号VAがそのままAND回路G1の出力VG1となり、
信号VBがそのままNAND回路G2の出力VG2となる状態に変
化する。このとき、信号VBが高レベルのため、時刻t4
でスイッチング素子Q2はオンし続ける。そして、時刻t4
でスイッチング素子Q2がオフし、時刻t5でスイッチング
素子Q1がオンとなる。このとき、コンデンサC1の電圧V
C1は十分に上昇しているため、スイッチング素子Q1の両
端電圧VQ1は低いオン電圧となり、したがって、スイッ
チング素子Q1のストレスは低減されることになる。
Then, increasing the charging voltage V C3 of the capacitor C 3 at time t 3, one input of the AND circuit G 1 and NAND circuit G 2 becomes high level, the signal V A is directly next to the output V G1 of the AND circuit G 1 ,
Signal V B is changed to a state where it becomes the output V G2 of the NAND circuit G 2. At this time, since the signal V B is high, the switching element Q 2 to time t 4 will continue on. And time t 4
In the switching element Q 2 is turned off, the switching element Q 1 is turned on at time t 5. At this time, the voltage V of the capacitor C 1
Since C1 is sufficiently increased, the voltage across V Q1 of the switching element Q 1 is becomes low on-voltage, Therefore, the stress of the switching element Q 1 is being reduced.

[実施例2] 第3図は本発明の第2実施例の回路図であり、第4図
はその動作波形図である。本実施例では、コンデンサC1
の電圧VC1の上昇を実際に検出し、検出された電圧VC1
低い場合には、スイッチング素子Q1をオフ状態、スイッ
チング素子Q2をオン状態に維持するものである。このた
めに、コンデンサC1の両端には、抵抗R7を介してフォト
カプラPCの発光素子が接続されている。フォトカプラPC
の受光素子は抵抗R6を介してコンデンサC2の両端に接続
されている。フォトカプラPCの受光素子と抵抗R6との接
続点はNOT回路G4の入力に接続され、このNOT回路G4の出
力VG4がAND回路G1及びNAND回路G2の一方の入力とされて
いる。その他の構成については実施例1と同様である。
Embodiment 2 FIG. 3 is a circuit diagram of a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is an operation waveform diagram thereof. In this embodiment, the capacitor C 1
Actually detect the increase of the voltage V C1 of, if the lower detection voltage V C1 is to maintain the switching element Q 1 OFF state, the switching element Q 2 in the ON state. For this, both ends of the capacitor C 1, the light emitting element of the photocoupler PC via a resistor R 7 is connected. Photo coupler PC
The light receiving elements are connected to both ends of the capacitor C 2 through the resistor R 6. Connection point between the light receiving element and the resistor R 6 of the photocoupler PC is connected to the input of the NOT circuit G 4, the output V G4 of the NOT circuit G 4 is one input of the AND circuit G 1 and NAND circuit G 2 ing. Other configurations are the same as those of the first embodiment.

以下、本実施例の動作について説明する。第4図に示
すように、時刻t0で信号VAが高レベルとなるが、コンデ
ンサC1の電圧VC1が低いため、抵抗R7とフォトカプラPC
に流れる電流は少なく、フォトカプラPCの出力側の電圧
VR6は高いレベルにある。このため、NOT回路G4の出力V
G4が低レベルとなり、AND回路G1の出力VG1は低レベル、
NAND回路G2の出力VG2は高レベルとなっている。この状
態は、フォトカプラPCの出力側の電圧VR6がNOT回路G4
スレショルド電圧Vthよりも低くなるまで続くものであ
り、時刻t2で信号VBが高レベルとなっても、この状態を
続ける。
Hereinafter, the operation of the present embodiment will be described. As shown in FIG. 4, although the time t 0 in the signal V A is high, the voltage V C1 of the capacitor C 1 is low, the resistance R 7 and photo-coupler PC
Current flowing through the photocoupler PC is low.
VR6 is at a high level. Therefore, the output V of the NOT circuit G 4
G4 goes low, the output V G1 of the AND circuit G 1 is a low level,
The output V G2 of the NAND circuit G 2 is has a high level. This condition, photo voltage V R6 coupler PC on the output side is intended to continue until the lower threshold voltage Vth of the NOT circuit G 4, at time t 2 the signal V B becomes high level, the state Continue.

次に、時刻t3でフォトカプラPCの出力側の電圧VR6がN
OT回路G4のスレショルド電圧Vthを下回ったとすると、N
OT回路G4の出力VG4が高レベルに変化する。このときよ
り、AND回路G1の出力VG1、NAND回路G2の出力VG2はそれ
ぞれ信号VA、信号VBと同様の信号となり、スイッチング
素子Q1,Q2が発振回路3からの信号VA,VBにより駆動され
る。時刻t3より信号VBが高レベルであるので、スイッチ
ング素子Q2がオンし、スイッチング素子Q1がオフしてい
る。時刻t4で信号VBが低レベルとなり、スイッチング素
子Q2がオフして、スイッチング素子Q2の両端電圧VQ2
負荷回路Zの作用により高レベルとなる。時刻t5で信号
VAが高レベルとなり、ドライブ回路1の入出力電圧V3,V
1が高レベルとなるが、このときは、コンデンサC1の電
圧VC1が十分に高い電圧となっているため、スイッチン
グ素子Q1の両端電圧VQ1は低いオン電圧とすることがで
きるものである。
Then, at time t 3 the voltage V R6 of the output side of the photocoupler PC is N
When lower than the threshold voltage Vth of the OT circuit G 4, N
Output V G4 of OT circuit G 4 is changed to a high level. From this time, the output V G1 of the AND circuit G 1, NAND circuit G 2 of the output V G2 each signal V A, becomes the same signal as the signal V B, the signal from the switching element Q 1, Q 2 the oscillation circuit 3 Driven by V A and V B. Because from time t 3 signal V B is high level, the switching element Q 2 is turned on, the switching element Q 1 is turned off. Signal V B goes low at time t 4, the switching element Q 2 is turned off, the voltage across V Q2 of the switching element Q 2 is a high level by the action of the load circuit Z. Signal at a time t 5
V A becomes high level, and the input / output voltages V 3 , V
1 is at a high level.At this time, since the voltage V C1 of the capacitor C 1 is sufficiently high, the voltage V Q1 across the switching element Q 1 can be a low on-voltage. is there.

[実施例3] 第5図は本発明の第3実施例の回路図であり、第6図
はその動作波形図である。本実施例では、実施例2と同
様に、コンデンサC1の電圧VC1を実際に検出し、コンデ
ンサC1の電圧VC1が十分な電圧に上昇するまでは、スイ
ッチング素子Q1をオフ状態、スイッチング素子Q2をオン
状態とするものであるが、実施例2と異なるところは、
検出信号の伝達手段をフォトカプラPCによる絶縁タイプ
の信号伝達手段ではなく、抵抗R6〜R8とトランジスタTr
5〜Tr7による非絶縁タイプの信号伝達手段に変えたこと
である。
Third Embodiment FIG. 5 is a circuit diagram of a third embodiment of the present invention, and FIG. 6 is an operation waveform diagram thereof. In this embodiment, as in the second embodiment, the voltage V C1 of the capacitor C 1 is actually detected, and the switching element Q 1 is turned off until the voltage V C1 of the capacitor C 1 rises to a sufficient voltage. but in which the switching element Q 2 and the oN state, and it is different from example 2,
Rather than the signal transmitting means of the insulating type transmission means of the detection signal by the photo coupler PC, resistors R 6 to R 8 and the transistor Tr
5 to Tr 7 is a non-insulated signal transmission means.

以下、本実施例の動作について説明する。時刻t0で信
号VAが高レベルとなるが、コンデンサC1の電圧VC1が低
いため、トランジスタTr7に流れる電流I7及びトランジ
スタTr6に流れる電流I6が低い値となる。したがって、
抵抗R8の電圧V8がトランジスタTr5がオンさせるのに十
分な電圧に達していないため、トランジスタTr5がオフ
となり、トランジスタTr5のコレクタ電位が上昇し、NOT
回路G4の出力VG4は低レベルとなっている。このため、A
ND回路G1の出力VG1は低レベル、NAND回路G2の出力VG2
高レベルとなって、ドライブ回路1の入出力電圧V3,V1
が低レベル、ドライブ回路2の出力電圧V2が高レベルと
なって、スイッチング素子Q1がオフ状態、スイッチング
素子Q2がオン状態となる。故に、コンデンサC1の電圧V
C1は速やかに上昇して行く。時刻t2で信号VBが高レベル
となるが、この状態は変化しない。
Hereinafter, the operation of the present embodiment will be described. The signal V A at time t 0 becomes high level, the voltage V C1 of the capacitor C 1 is low, current I 6 flowing through the current I 7 and the transistor Tr 6 flows through the transistor Tr 7 becomes low. Therefore,
Since the voltage V 8 of the resistor R 8 has not reached a sufficient voltage to the transistor Tr 5 is turned on, the transistor Tr 5 is turned off, the collector potential of the transistor Tr 5 is increased, NOT
Output V G4 of circuit G 4 are has a low level. Therefore, A
The output V G1 of the ND circuit G 1 becomes low level, the output V G2 of the NAND circuit G 2 becomes high level, and the input / output voltages V 3 and V 1 of the drive circuit 1
But low level, the output voltage V 2 of the drive circuit 2 becomes the high level, the switching element Q 1 is turned off, the switching element Q 2 is turned on. Thus, the voltage V of the capacitor C 1
C1 rises quickly. The signal V B becomes high level at time t 2, the the state does not change.

次に、時刻t3でコンデンサC1の電圧VC1が十分に上昇
し、トランジスタTr7,Tr6に流れる電流I7,I6も大きくな
り、抵抗R8の電圧V8がトランジスタTr5をオンさせるの
に十分な電圧に達し、トランジスタTr5がオンする。こ
のため、トランジスタTr5のコレクタ電位が下がり、NOT
回路G4の出力VG4が高レベルとなるので、AND回路G1の出
力VG1、NAND回路G2の出力VG2はそれぞれ信号VA,VBと同
じになり、AND回路G1の出力VG1は低レベル、NAND回路G2
の出力VG2は高レベルの状態を続ける。時刻t4で信号VB
が低レベルになると、スイッチング素子Q2はオフし、負
荷回路Zの作用によりスイッチング素子Q2の両端電圧V
Q2は上昇する。時刻t5で信号VAが高レベルになると、AN
D回路G1の出力VG1、ドライブ回路1の入出力電圧V3,V1
が高レベルとなり、スイッチング素子Q1がオンする。こ
のときには、コンデンサC1の電圧VC1は十分に高い電圧
となっているため、スイッチング素子Q1の両端電圧VQ1
は十分に低いオン電圧となる。
Then, the voltage V C1 of the capacitor C 1 is sufficiently increased at the time t 3, the current I 7, I 6 flowing through the transistor Tr 7, Tr 6 becomes large, the voltage V 8 of the resistor R 8 is a transistor Tr 5 reached a sufficient voltage to turn on, the transistor Tr 5 is turned on. For this reason, the lower the collector potential of the transistor Tr 5, NOT
The output V G4 of circuit G 4 becomes high level, the output V G1, NAND circuit G 2 of the output V G2 each signal V A of the AND circuit G 1, the same as V B, the output of the AND circuit G 1 V G1 is low level, NAND circuit G 2
Output V G2 remains high. Signal V B at time t 4
If There goes low, the switching element Q 2 is turned off, the load circuit Z voltage V across the action by the switching element Q 2 of
Q2 rises. When the signal V A goes high at time t 5, AN
The output V G1 of the D circuit G 1 and the input / output voltages V 3 and V 1 of the drive circuit 1
There becomes a high level, the switching element Q 1 is turned on. At this time, since the voltage V C1 of the capacitor C 1 is sufficiently high, the voltage V Q1 across the switching element Q 1
Becomes a sufficiently low on-state voltage.

[実施例4] 第7図は本発明の第4実施例の回路図であり、第8図
はその動作波形図である。本実施例にあっては、コンデ
ンサC1の電圧VC1を上昇させるために、コンデンサC1
充電をスイッチング素子Q2のオンによることなく、他の
スイッチング素子により行うものである。このために、
スイッチング素子Q2の両端に、抵抗R9を介してトランジ
スタTr8を接続している。このトランジスタTr8のベース
には、抵抗R6とコンデンサC3よりなる時定数回路におけ
るコンデンサC3の電圧を電圧検出回路G6にて検出し、NO
T回路G7で反転した電圧VG7が抵抗R10を介して印加され
ている。電圧検出回路G6の出力VG6は、AND回路G1,G5
一方の入力に接続されており、AND回路G1,G5の他方の入
力には、発振回路3の信号VA,VBがそれぞれ入力されて
いる。AND回路G1,G5の出力VG1,VG5はそれぞれスイッチ
ング素子Q1,Q2の駆動信号となっている。
Embodiment 4 FIG. 7 is a circuit diagram of a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 8 is an operation waveform diagram thereof. In the present embodiment, in order to increase the voltage V C1 of the capacitor C 1, without the charging of the capacitor C 1 due to the turn-on of the switching element Q 2, it is performed by the other switching elements. For this,
At both ends of the switching element Q 2, connects the transistor Tr 8 via a resistor R 9. The base of the transistor Tr 8, the voltage of the capacitor C 3 in a time constant circuit consisting of resistor R 6 and the capacitor C 3 is detected by the voltage detection circuit G 6, NO
Voltage V G7 inverted by T circuit G 7 is applied through a resistor R 10. Output V G6 of the voltage detection circuit G 6 is connected to one input of the AND circuit G 1, G 5, to the other input of the AND circuit G 1, G 5, signal V A of the oscillation circuit 3, V B is input. Output V G1, V G5 of the AND circuit G 1, G 5 are respectively a drive signal of the switching elements Q 1, Q 2.

以下、本実施例の動作について説明する。時刻t0で信
号VAが高レベルとなるが、時定数回路のコンデンサC3
電圧VC3が低いため、電圧検出回路G6の出力VG6は低レベ
ルとなり、AND回路G1,G5の出力VG1,VG5が低レベルとな
って、スイッチング素子Q1,Q2は共にオフしている。こ
のとき、NOT回路G7の出力VG7は高レベルとなり、トラン
ジスタTr8はオン状態となっている。このため、抵抗R1
とR9を通じてコンデンサC1が充電され、その電圧VC1
速やかに上昇していく。時刻t2で信号VBが高レベルとな
るが、この状態は変化しない。
Hereinafter, the operation of the present embodiment will be described. The signal V A at time t 0 becomes high level, when the voltage V C3 of the capacitor C 3 of the time constant circuit is low, the output V G6 of the voltage detection circuit G 6 becomes low level, the AND circuit G 1, G 5 The outputs V G1 and V G5 are at a low level, and the switching elements Q 1 and Q 2 are both off. At this time, the output V G7 of the NOT circuit G 7 goes high, transistor Tr 8 is turned on. Therefore, the resistance R 1
The capacitor C 1 is charged through R 9, the voltage V C1 is gradually increased rapidly. The signal V B becomes high level at time t 2, the the state does not change.

次に、時刻t3でコンデンサC3の電圧VC3が電圧検出回
路G6のスレショルド電圧Vthよりも高くなり、電圧検出
回路G6の出力V6が高レベルとなる。このときまでにコン
デンサC1の電圧VC1が十分上昇できるように、抵抗R6
コンデンサC3の時定数を適当な値に選定しておく。電圧
検出回路G6の出力VG6が高レベルとなることにより、AND
回路G1の出力VG1とAND回路G5の出力VG5はそれぞれ信号V
A,VBと同様となり、スイッチング素子Q1,Q2が動作でき
るようになり、スイッチング素子Q1がオフ状態、スイッ
チング素子Q2がオン状態となる。同時に、NOT回路G7
出力VG7は低レベルとなり、トランジスタTr8がオフ状態
となる。この時刻t3までは、スイッチング素子Q1,Q2
オフ状態であるので、スイッチング素子Q2,Q2の両端電
圧VQ2,VQ1は、直流電源VからコンデンサC1の電圧VC1
減じた電圧を、抵抗R1とR9で分圧した電圧となり、第8
図(k),(l)に示すように変化する。時刻t4でスイ
ッチング素子Q2はオフ状態となり、その両端電圧VQ2
高レベルとなり、スイッチング素子Q1の両端電圧VQ1
低レベルとなる。このときには、負荷回路Zの作用によ
りスイッチング素子Q1に逆電流が流れるため、スイッチ
ング素子Q1の両端電圧VQ1はマイナスとなる。時刻t5
は信号VAが高レベルとなり、AND回路G1の出力VG1、ドラ
イブ回路1の入出力電圧V3,V1が高レベルとなって、ス
イッチング素子Q1がオンする。このときには、コンデン
サC1の電圧VC1が十分に高くなっているため、スイッチ
ング素子Q1の両端電圧VQ1は十分に低いオン電圧とな
り、電力損失が少なくなる。
Then, the voltage V C3 of the capacitor C 3 at time t 3 becomes higher than the threshold voltage Vth of the voltage detector circuit G 6, the output V 6 of the voltage detection circuit G 6 becomes high. As by this time the voltage V C1 of the capacitor C 1 can be increased sufficiently, previously selected time constant of the resistor R 6 and a capacitor C 3 to an appropriate value. When the output V G6 of the voltage detection circuit G 6 becomes high level, AND
The output V G1 of the circuit G 1 and the output V G5 of the AND circuit G 5 are each a signal V.
A, becomes the same as V B, become the switching elements Q 1, Q 2 can operate, the switching element Q 1 is turned off, the switching element Q 2 is turned on. At the same time, the output V G7 of the NOT circuit G 7 is goes low, the transistor Tr 8 is turned off. Until this time t 3, since the switching elements Q 1, Q 2 is in the off state, the voltage across V Q2 of the switching element Q 2, Q 2, V Q1 the voltage V C1 of the capacitor C 1 from the DC power supply V the voltage obtained by subtracting, dividing voltage becomes in resistors R 1 and R 9, 8
It changes as shown in FIGS. The switching element Q 2 at time t 4 is turned off, the voltage across V Q2 goes high, the voltage across V Q1 of the switching element Q 1 is a low level. At this time, since the reverse current flowing through the switching element Q 1 by the action of the load circuit Z, the voltage across V Q1 of the switching element Q 1 is a minus. Time t 5 the signal V A becomes high level, the output V G1 of the AND circuit G 1, output voltage V 3, V 1 of the drive circuit 1 becomes a high level, the switching element Q 1 is turned on. At this time, since the voltage V C1 of the capacitor C 1 is sufficiently high, the voltage V Q1 across the switching element Q 1 is a sufficiently low on-voltage, and the power loss is reduced.

なお、トランジスタTr8と抵抗R9によるコンデンサC1
の充電手段の代わりに、第9図に示すように、トランジ
スタTr8,Tr9よりなるカレントミラー回路7を用いるも
のとすれば、抵抗R10によって調整された一定の電流を
トランジスタTr8に流すことができるため、抵抗R9によ
る電圧分担の役割をトランジスタTr8に担わせることが
できる。また、トランジスタTr8、Tr9はバイポーラトラ
ンジスタに限らず、FET等であっても良い。
In addition, the capacitor C 1 by the transistor Tr 8 and the resistor R 9
If a current mirror circuit 7 composed of transistors Tr 8 and Tr 9 is used as shown in FIG. 9 instead of the charging means, a constant current adjusted by the resistor R 10 flows through the transistor Tr 8 . it is possible, the role of the voltage distribution by resistors R 9 can be borne to the transistor Tr 8. Further, the transistors Tr 8 and Tr 9 are not limited to bipolar transistors, but may be FETs or the like.

第10図はドライブ回路1,2の回路例を示す。図中、電
源端子Vccとアース端子GNDの間には、コンデンサC1又は
C2による電源電圧が供給される。このドライブ回路にお
いては、電源端子Vccとアース端子GNDの間に、抵抗R11
とトランジスタQ3の直列回路、抵抗R12とトランジスタQ
4の直列回路、及びトランジスタQ5,Q6よりなる相補動作
型エミッタフォロワ回路が接続されており、入力端子A
にベースを接続されたトランジスタQ3のコレクタ出力
は、トランジスタQ4のベースに接続され、トランジスタ
Q4のコレクタ出力は、トランジスタQ5,Q6よりなる相補
動作型エミッタフォロワにより低インピーダンス化され
て、出力端子Bに出力される。このドライブ回路は入力
端子Aが高レベルであるときに、トランジスタQ3がオ
ン、トランジスタQ4がオフ、トランジスタQ5がオン、ト
ランジスタQ6がオフとなって、出力端子Bが高レベルと
なるものであり、入力端子Aが低レベルであるときに
は、出力端子Bは低レベルとなる。
FIG. 10 shows a circuit example of the drive circuits 1 and 2. In the figure, between the power supply terminal Vcc and the ground terminal GND, and the capacitor C 1 or
Supply voltage by C 2 is supplied. In this drive circuit, a resistor R 11 is connected between the power supply terminal Vcc and the ground terminal GND.
The series circuit of the transistor Q 3, the resistor R 12 and transistor Q
4 and a complementary operation type emitter follower circuit comprising transistors Q 5 and Q 6 are connected.
The collector output of the transistor Q 3 which is connected to the base is connected to the base of the transistor Q 4, the transistor
Collector output Q 4 are, by complementary operation type emitter follower consisting of transistors Q 5, Q 6 is low impedance, and output to the output terminal B. When this drive circuit input terminal A is high, the transistor Q 3 is turned on, the transistor Q 4 is turned off, the transistor Q 5 is turned on, the transistor Q 6 is turned off, the output terminal B becomes high level When the input terminal A is at a low level, the output terminal B is at a low level.

第11図は発振回路3の回路例を示す。この回路は、タ
イマー回路8よりなる無安定マルチバイブレータとTフ
リップフロップFFよりなる分周回路とから成り立ってい
る。タイマー回路8は、汎用のタイマーIC(NEC製μPD1
5555)で構成されている。この汎用タイマーICは、周知
のように、トリガ端子(2番端子)が(1/3)Vcc以下に
なると、トリガされて出力端子(3番端子)が高レベル
となり、放電端子(7番端子)は高インピーダンスとな
る。また、スレショルド端子(6番端子)が(2/3)Vcc
になると出力端子(3番端子)が低レベルとなり、放電
端子(7番端子)も低レベルとなる。電源電圧Vccは、
抵抗R13及び可変抵抗VRとコンデンサC4の直列回路に印
加されており、抵抗R13と可変抵抗VRの接続点は放電端
子(7番端子)に接続され、可変抵抗VRとコンデンサC4
との接続点はトリガ端子(2番端子)とスレショルド端
子(6番端子)に接続されている。これによって、出力
端子(3番端子)からは、矩形波の発振出力が得られる
ものであり、その発振周波数は、抵抗R13及び可変抵抗V
RとコンデンサC4の時定数によって決まり、デューティ
ファクターは、抵抗R13と可変抵抗VRの比率で決まる。
第11図の回路では、可変抵抗VRの抵抗値を抵抗R13の抵
抗値よりもかなり小さく設定して、高レベルの期間が長
く、低レベルの期間が短い発振出力が得られるようにし
ている。
FIG. 11 shows a circuit example of the oscillation circuit 3. This circuit comprises an astable multivibrator comprising a timer circuit 8 and a frequency dividing circuit comprising a T flip-flop FF. The timer circuit 8 is a general-purpose timer IC (NEC μPD1
5555). As is well known, this general-purpose timer IC is triggered when the trigger terminal (terminal 2) falls below (1/3) Vcc, the output terminal (terminal 3) becomes high level, and the discharge terminal (terminal 7) ) Has high impedance. Also, the threshold terminal (6th terminal) is (2/3) Vcc
, The output terminal (terminal No. 3) becomes low level, and the discharge terminal (terminal No. 7) also becomes low level. The power supply voltage Vcc is
Resistor R 13 and a variable resistor VR and which is applied to the series circuit of the capacitor C 4, resistor R 13 and a connection point of the variable resistor VR is connected to the discharge terminal (pin 7), the variable resistor VR and a capacitor C 4
Is connected to the trigger terminal (terminal No. 2) and the threshold terminal (terminal No. 6). Thus, from the output terminal (pin 3), which oscillation output of the square wave is obtained, the oscillation frequency is resistor R 13 and a variable resistor V
Determined by the time constant of the R and the capacitor C 4, the duty factor is determined by the ratio of resistors R 13 and a variable resistor VR.
In the circuit of Figure 11, the resistance value of the variable resistor VR set considerably smaller than the resistance value of the resistor R 13, a period of high level is long, so that the oscillation output period of the low level is short is obtained .

この無安定マルチバイブレータの発振出力は、分周回
路により分周される。分周回路は、Tフリップフロップ
FFを備えており、その出力Q,はANDゲートG11,G12の一
方の入力にそれぞれ接続されている。また、トリガ入力
Tには、前述の無安定マルチバイブレータの発振出力が
接続されている。トリガ入力Tが低レベルから高レベル
に立ち上がる度に、TフリップフロップFFの出力は反転
し、出力Q,からは、無安定マルチバイブレータの発振
出力を2分の1に分周したデューティファクター50%の
矩形波が得られる。一方、無安定マルチバイブレータの
発振出力は、ANDゲートG11,G12の他方の入力に接続され
ている。各ANDゲートG11,G12の出力は、それぞれ、スイ
ッチング素子Q1,Q2の駆動信号VA,VBとなる。したがっ
て、この駆動信号は、一方が高レベルで他方が低レベル
である第1の期間と、一方が低レベルで他方が高レベル
である第2の期間とが交番する信号となり、第1の期間
と第2の期間との間に、両方の出力が共に低レベルであ
る第3の期間が存在する。この第3の期間は、スイッチ
ング素子Q1,Q2が共にオンにならないようにするための
デッドオフタイムであり、オン状態のトランジスタのキ
ャリア蓄積時間等を考慮した短い時間で良く、第11図の
回路では、無安定マルチバイブレータの発振出力が低レ
ベルである期間によって決定されている。
The oscillation output of the astable multivibrator is frequency-divided by a frequency dividing circuit. The divider circuit is a T flip-flop
An FF is provided, and its output Q, is connected to one input of AND gates G 11 , G 12 , respectively. The oscillation output of the above-mentioned astable multivibrator is connected to the trigger input T. Each time the trigger input T rises from a low level to a high level, the output of the T flip-flop FF is inverted, and the output Q, from which the oscillation output of the astable multivibrator is divided by a factor of 50%, is 50%. Is obtained. On the other hand, the oscillation output of the astable multivibrator is connected to the other inputs of the AND gates G 11 and G 12 . The output of each AND gate G 11, G 12, respectively, the driving signal V A of the switching element Q 1, Q 2, the V B. Therefore, this drive signal is a signal that alternates between a first period in which one is at a high level and the other is at a low level and a second period in which one is at a low level and the other is at a high level. There is a third period between and the second period in which both outputs are both low. This third period is a dead-off time for preventing both the switching elements Q 1 and Q 2 from being turned on, and may be a short time in consideration of the carrier accumulation time of the transistor in the on-state. Is determined by the period during which the oscillation output of the astable multivibrator is at a low level.

また、スイッチング素子Q1,Q2としては、例えば、第1
2図(a)に示すように、バイポーラトランジスタにダ
イオードを逆並列接続した回路や、第12図(b)に示す
ように、内部に寄生ダイオードを有するパワーMOSFET等
を用いることができる。
Further, as the switching elements Q 1 and Q 2 , for example, the first
2 A circuit in which a diode is connected in reverse parallel to a bipolar transistor as shown in FIG. 12A, a power MOSFET having a parasitic diode inside as shown in FIG. 12B, and the like can be used.

[発明の効果] 以上詳述したように、本発明にあっては、第1及び第
2のスイッチング素子の直列回路を直流電源に接続し、
第1のスイッチング素子の駆動用電源電圧が第2のスイ
ッチング素子のオン時に充電されるようにしたインバー
タ装置において、第1のスイッチング素子の駆動用電源
電圧が十分に上昇するまでは、第1のスイッチング素子
をオフ状態、第2のスイッチング素子をオン状態とする
ようにしたから、第1のスイッチング素子の駆動用電源
電圧が素早く上昇し、第1のスイッチング素子のスイッ
チング動作が完全に行われるため、電力損失の少ない信
頼性の高いインバータ装置を提供できるという効果があ
る。
[Effects of the Invention] As described above in detail, in the present invention, a series circuit of the first and second switching elements is connected to a DC power supply,
In the inverter device in which the driving power supply voltage for the first switching element is charged when the second switching element is turned on, the first power supply voltage for the first switching element is maintained until the driving power supply voltage for the first switching element is sufficiently increased. Since the switching element is turned off and the second switching element is turned on, the driving power supply voltage of the first switching element quickly rises, and the switching operation of the first switching element is completely performed. In addition, there is an effect that a highly reliable inverter device with low power loss can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の第1実施例の回路図、第2図は同上の
動作波形図、第3図は本発明の第2実施例の回路図、第
4図は同上の動作波形図、第5図は本発明の第3実施例
の回路図、第6図は同上の動作波形図、第7図は本発明
の第4実施例の回路図、第8図は同上の動作波形図、第
9図は同上の変形例の要部回路図、第10図は本発明の第
1乃至第4実施例に用いるドライブ回路の具体回路図、
第11図は本発明の第1乃至第4実施例に用いる発振回路
の具体回路図、第12図(a),(b)は本発明の第1乃
至第4実施例に用いるスイッチング素子の具体例を示す
回路図、第13図は従来例の回路図、第14図は同上の動作
波形図である。 Q1,Q2はスイッチング素子、Vは直流電源、C1はコンデ
ンサである。
FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is an operation waveform diagram of the above embodiment, FIG. 3 is a circuit diagram of a second embodiment of the invention, FIG. FIG. 5 is a circuit diagram of a third embodiment of the present invention, FIG. 6 is an operation waveform diagram of the above embodiment, FIG. 7 is a circuit diagram of a fourth embodiment of the invention, FIG. FIG. 9 is a main part circuit diagram of a modification of the above embodiment, FIG. 10 is a specific circuit diagram of a drive circuit used in the first to fourth embodiments of the present invention,
FIG. 11 is a specific circuit diagram of an oscillation circuit used in the first to fourth embodiments of the present invention, and FIGS. 12A and 12B are specific circuit diagrams of the switching elements used in the first to fourth embodiments of the present invention. 13 is a circuit diagram of a conventional example, and FIG. 14 is an operation waveform diagram of the same. Q 1 and Q 2 are switching elements, V is a DC power supply, and C 1 is a capacitor.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】第1及び第2のスイッチング素子の直列回
路を直流電源に接続し、第1のスイッチング素子の駆動
用電源電圧が第2のスイッチング素子のオン時に充電さ
れるようにしたインバータ装置において、第1のスイッ
チング素子の駆動用電源電圧が所定の電圧に達するまで
は、第1のスイッチング素子をオフ状態、第2のスイッ
チング素子をオン状態とし、前記駆動用電源電圧が所定
の電圧に達すると、第1のスイッチング素子をオン状
態、第2のスイッチング素子をオフ状態とする制御回路
を設けたことを特徴とするインバータ装置。
An inverter device in which a series circuit of first and second switching elements is connected to a DC power supply, and a driving power supply voltage for the first switching element is charged when the second switching element is turned on. In the method, the first switching element is turned off and the second switching element is turned on until the driving power supply voltage of the first switching element reaches a predetermined voltage, and the driving power supply voltage is reduced to a predetermined voltage. An inverter device provided with a control circuit that, when reached, turns on a first switching element and turns off a second switching element.
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