JP2742362B2 - Glass press mold - Google Patents

Glass press mold

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JP2742362B2
JP2742362B2 JP4348729A JP34872992A JP2742362B2 JP 2742362 B2 JP2742362 B2 JP 2742362B2 JP 4348729 A JP4348729 A JP 4348729A JP 34872992 A JP34872992 A JP 34872992A JP 2742362 B2 JP2742362 B2 JP 2742362B2
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glass
carbon film
film
mold
press mold
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賢 宇野
慎一郎 広田
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    • C03B2215/02Press-mould materials
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    • C03B2215/34Intermediate layers, e.g. graded zone of base/top material of ceramic or cermet material, e.g. diamond-like carbon

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ガラスプレス成形型に
係り、詳しくはガラスレンズ等のガラス成形体の製造に
用いられるガラスプレス成形型に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a glass press mold, and more particularly to a glass press mold used for manufacturing a glass molded article such as a glass lens.

【0002】[0002]

【従来の技術】プレス成形によるガラスレンズの製造に
おいては、特にプレス成形後の冷間研磨を不要にしよう
とする場合には、ガラスレンズ面は高温下において成形
型の表面形状をそのまま転写している必要があり、更に
成形型表面はガラスレンズ面に必要な面精度ならびに面
粗度が確保されていなければならない。このためガラス
プレス成形型は高温下においてガラスと化学的な反応を
起こさないこと、耐酸化性及び耐熱性に優れているこ
と、硬度が高くプレス成形時に組織変化又は塑性変形し
ないこと、更には型形状の加工性が良く型表面の摩擦抵
抗が極力小さいことなどが必要とされる。
2. Description of the Related Art In the production of glass lenses by press molding, especially when it is desired to eliminate the need for cold polishing after press molding, the surface shape of the glass lens is transferred as it is at high temperatures. In addition, the surface of the mold must have sufficient surface accuracy and surface roughness required for the glass lens surface. For this reason, glass press molds do not cause chemical reaction with glass at high temperatures, have excellent oxidation resistance and heat resistance, have high hardness and do not undergo structural change or plastic deformation during press molding, and furthermore, molds It is required that the shape has good workability and the frictional resistance of the mold surface is as small as possible.

【0003】従来、ガラスプレス成形型としてはタング
ステンカーバイト(WC)、シリコンナイトライド(S
3 4 )、シリコンカーバイト(SiC)等が用いら
れているが、これらはいずれも400℃以上の高温プレ
スでは数回〜数十回のプレスで型表面にガラスの融着が
起こるため、これを防止するために型表面にカーボンか
らなる離型膜を設けることが知られている。カーボン離
型膜の生成手段としては、スパッター法によりスパッタ
ーガスをアルゴン、スパッターターゲットをグラファイ
トとして型表面に硬質炭素膜を形成してガラスプレス成
形型とする方法(特開平1−83529号公報)や、イ
オンプレーティング法によりアノード電極とカソード電
極から成るイオン化源にて炭化水素イオンを生成して型
表面にi−カーボン膜を形成してガラスプレス成形型と
する方法(特開平2−199036号公報)がある。
Conventionally, as a glass press mold, tungsten carbide (WC), silicon nitride (S)
i 3 N 4 ), silicon carbide (SiC) and the like are used. However, in any of these, high-temperature press of 400 ° C. or more causes fusion of glass to the mold surface by several to several tens of presses. In order to prevent this, it is known to provide a mold release film made of carbon on a mold surface. Examples of a means for forming a carbon release film include a method of forming a hard carbon film on a mold surface using a sputtering gas of argon and a sputter target of graphite by a sputtering method to form a glass press mold (Japanese Patent Laid-Open No. 1-83529), Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-199036 discloses a method in which hydrocarbon ions are generated by an ionization source consisting of an anode electrode and a cathode electrode by an ion plating method to form an i-carbon film on the surface of a mold to form a glass press mold. ).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来のスパッター法に
より得られる硬質炭素膜は、耐熱性及び離型性に優れる
が、非晶質のグラファイトを含んでいるために、特にプ
レス成形温度が600℃以上の高温で多数回のプレス操
作を繰り返すと、膜の一部に剥離が生じることがある。
The hard carbon film obtained by the conventional sputtering method is excellent in heat resistance and releasability, but since it contains amorphous graphite, the press molding temperature is particularly 600 ° C. When the pressing operation is repeated a number of times at the above high temperature, a part of the film may be peeled off.

【0005】またイオンプレーティング法により得られ
たi−カーボン膜は、耐熱性、耐酸化性及び基盤との密
着性に優れ、かつ成形時のガラスの融着も起りにくい
が、膜構造が緻密でありガラスと接する膜表面が高平滑
性を有するために、プレス成形時にガラス表面と膜表面
との間にガラス表面から放出されるガスが閉じこめられ
て被成形ガラス表面に微小な凹部が生じることがある。
[0005] The i-carbon film obtained by the ion plating method has excellent heat resistance, oxidation resistance and adhesion to the substrate, and does not easily fuse glass at the time of molding. In addition, since the film surface in contact with the glass has high smoothness, gas released from the glass surface is trapped between the glass surface and the film surface during press molding, and minute recesses are generated on the surface of the formed glass. There is.

【0006】本発明の目的は、上述のようなスパッター
法により得られた硬質炭素膜からなる離型膜を有するガ
ラスプレス成形型およびイオンプレーティング法により
得られたi−カーボン膜からなる離型膜を有するガラス
プレス成形型において起る上記欠点を解消したガラスプ
レス成形型を提供することである。
An object of the present invention is to provide a glass press mold having a release film made of a hard carbon film obtained by the above-described sputtering method and a release mold made of an i-carbon film obtained by an ion plating method. An object of the present invention is to provide a glass press mold that eliminates the above-mentioned disadvantages that occur in a glass press mold having a film.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は上述の目的を達
成するためになされたものであり、ガラスをプレス成形
するための成形型において、成形して得ようとするガラ
ス成形体の形状に対応する形状に加工した成形型基盤上
の加工面に、i−カーボン膜と硬質炭素膜とを順次積層
してなる炭素質の2層構造膜を有することを特徴とする
ガラスプレス成形型を要旨とする。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made to achieve the above-mentioned object, and has been made in a molding die for press-molding glass. A glass press mold characterized by having a carbonaceous two-layer structure film formed by sequentially laminating an i-carbon film and a hard carbon film on a work surface on a mold base machined into a corresponding shape. And

【0008】以下本発明を詳細に説明する。本発明のガ
ラスプレス成形型において、基盤は成形して得ようとす
るガラス成形体の形状に対応する形状に加工されてい
る。基盤をこのような形状に加工するのは、この基盤上
に、基盤の形状にならうように薄い離型膜を設けてガラ
スプレス成形型を形成することから当然である。基盤材
料としては、シリコン(Si)、シリコンナイトライド
(Si3 4 )、タングステンカーバイド(WC)や、
アルミナ(Al2 3 )とチタンカーバイト(TiC)
のサーメット等も用いられるが、炭化珪素(SiC)焼
結体を用いるのが好ましい。この炭化珪素焼結体は、プ
レス成形の際、ガラスと接する面にCVD法による炭化
珪素膜を有するものが特に好ましい。
Hereinafter, the present invention will be described in detail. In the glass press mold of the present invention, the base is processed into a shape corresponding to the shape of the glass molded body to be obtained by molding. It is natural that the substrate is processed into such a shape because a thin release film is provided on the substrate to conform to the shape of the substrate to form a glass press mold. As the base material, silicon (Si), silicon nitride (Si 3 N 4 ), tungsten carbide (WC),
Alumina (Al 2 O 3 ) and titanium carbide (TiC)
Although a cermet or the like is also used, it is preferable to use a silicon carbide (SiC) sintered body. It is particularly preferable that the silicon carbide sintered body has a silicon carbide film formed by a CVD method on a surface in contact with glass during press molding.

【0009】本発明のガラスプレス成形型は、上記基盤
上の加工面に、i−カーボン膜と硬質炭素膜とを順次積
層してなる炭素質の2層構造膜を有する。そしてi−カ
ーボン膜はイオンプレーティング法により、硬質炭素膜
はスパッター法により成膜するのが好ましい。
The glass press mold of the present invention has a carbonaceous two-layer structure film in which an i-carbon film and a hard carbon film are sequentially laminated on the processed surface on the base. Preferably, the i-carbon film is formed by ion plating, and the hard carbon film is formed by sputtering.

【0010】先ずイオンプレーティング法によるi−カ
ーボン膜の成膜について説明する。イオンプレーティン
グ法は、アノード電極と第1のカソード電極とガラスプ
レス成形型の基盤を保持する基盤ホルダーとを有し、更
に前記第1のカソード電極及びアノード電極を取り囲む
形で配置したリフレクターを有するイオンプレーティン
グ装置を用いて実施される。このイオンプレーティング
装置において、前記アノード電極と第1のカソード電極
との間に50〜150Vの低電圧を印加して炭化水素イ
オンのプラズマを発生させる。この低電圧は、50V未
満ではイオン化効率が低く非能率的であり、150Vを
超えるとプラズマが不安定となるので、前記範囲(50
〜150V)が好ましい。
First, the formation of an i-carbon film by the ion plating method will be described. The ion plating method includes an anode electrode, a first cathode electrode, and a base holder for holding a base of a glass press mold, and further includes a reflector arranged so as to surround the first cathode electrode and the anode electrode. This is performed using an ion plating apparatus. In this ion plating apparatus, a low voltage of 50 to 150 V is applied between the anode electrode and the first cathode electrode to generate a plasma of hydrocarbon ions. When the low voltage is less than 50 V, the ionization efficiency is low and inefficient, and when the voltage exceeds 150 V, the plasma becomes unstable.
To 150 V) is preferred.

【0011】また用いられる炭化水素としては、炭素原
子数と水素原子数の比率(C/H)が1/3以上である
ものが好ましく、その例としては、ベンゼン(C/H=
6/6)、トルエン(C/H=7/8)、キシレン(C
/H=8/10)等の芳香族炭化水素、アセチレン(C
/H=2/2)、メチルアセチレン(C/H=3/
4)、ブチン(C/H=4/6)等の三重結合含有不飽
和炭化水素、エチレン(C/H=2/4)、プロピレン
(C/H=3/6)、ブテン(C/H=4/8)等の二
重結合含有不飽和炭化水素、エタン(C/H=2/
6)、プロパン(C/H=3/8)、ブタン(C/H=
4/10)、ペンタン(C/H=5/12)等の飽和炭
化水素が挙げられる。これらの炭化水素は、単独で用い
ても良く、2種以上を混合して用いても良い。
The hydrocarbon used preferably has a ratio of the number of carbon atoms to the number of hydrogen atoms (C / H) of 1/3 or more. As an example, benzene (C / H =
6/6), toluene (C / H = 7/8), xylene (C
/ H = 8/10), acetylene (C
/ H = 2/2), methylacetylene (C / H = 3 /
4), unsaturated hydrocarbons containing a triple bond such as butyne (C / H = 4/6), ethylene (C / H = 2/4), propylene (C / H = 3/6), butene (C / H = 4/8) and other double bond-containing unsaturated hydrocarbons, ethane (C / H = 2 /
6), propane (C / H = 3/8), butane (C / H =
4/10) and pentane (C / H = 5/12). These hydrocarbons may be used alone or as a mixture of two or more.

【0012】これに対して、C/Hが1/3未満のメタ
ン(C/H=1/4)や、アセトン、酢酸、アルコール
類(メタノール、エタノール、プロパノール等)、ジオ
キサン、アニリン、ピリジン等の酸素や窒素を含む炭化
水素化合物は、離型膜の成膜性及びプレス成形時のプレ
ス成形品離型性の少なくともいずれか一方が不十分であ
り、使用することが不適当であることが判明している。
On the other hand, methane having a C / H of less than 1/3 (C / H = 1/4), acetone, acetic acid, alcohols (methanol, ethanol, propanol, etc.), dioxane, aniline, pyridine, etc. Hydrocarbon compounds containing oxygen or nitrogen may not be suitable for use because at least one of the film formability of the release film and the release property of the press-formed product during press molding is insufficient. It is known.

【0013】また前記アノード電極に対して前記基盤ホ
ルダーが第2のカソード電極となるように0.5〜2.
5kVの電圧を印加して炭化水素イオンの加速を促進す
る。この電圧範囲外では、0.5kV未満では炭化水素
イオンの加速が不十分であり、ガラスプレス成形型基盤
とi−カーボン膜との密着性が弱くなり、2.5kVを
超えると異常放電が生じ易くなるためである。
Further, 0.5 to 2... So that the substrate holder becomes the second cathode electrode with respect to the anode electrode.
A voltage of 5 kV is applied to accelerate the acceleration of hydrocarbon ions. Outside this voltage range, acceleration of hydrocarbon ions is insufficient at less than 0.5 kV, the adhesion between the glass press mold base and the i-carbon film becomes weak, and abnormal discharge occurs at more than 2.5 kV. This is because it becomes easier.

【0014】イオンプレーティング処理時の基盤温度は
200〜400℃が好ましい。その理由は、200℃未
満で形成したi−カーボン膜は膜質が脆弱であり、窒素
雰囲気中における650℃の加熱保持テストがおいて昇
温直後にi−カーボン膜がフィルム状に基盤表面から浮
き上り耐熱性が劣るのに対し、200〜400℃では上
述と同様の加熱保持テストにおいて30時間保持後も何
ら変化を示さないからである。
The substrate temperature during the ion plating process is preferably from 200 to 400 ° C. The reason is that the film quality of the i-carbon film formed at a temperature lower than 200 ° C. is weak, and the i-carbon film floats in a film form from the surface of the substrate immediately after the temperature is raised in a heating and holding test at 650 ° C. in a nitrogen atmosphere. This is because, while the heat resistance in the upward direction is inferior, at 200 to 400 ° C., no change is exhibited even after holding for 30 hours in the same heat holding test as described above.

【0015】i−カーボン膜の厚さの実用範囲は50〜
5,000オングストロームであり、50オングストロ
ーム未満であると均一な膜の形成が困難であり、5,0
00オングストロームを超えると、膜中の歪のために離
型を生じる。更にこのi−カーボン膜形成が目的とする
ところの硬質炭素膜の密着性増加及び基盤材料表面の保
護という観点からすれば、i−カーボン膜の厚さは比較
的薄くて十分であり、したがって、好ましい範囲として
は100〜1,000オングストロームである。
The practical range of the thickness of the i-carbon film is 50 to
When the thickness is less than 50 Å, it is difficult to form a uniform film,
Above 00 Å, mold release occurs due to strain in the film. Further, from the viewpoint of increasing the adhesion of the hard carbon film and protecting the surface of the base material, which is the purpose of the i-carbon film formation, the thickness of the i-carbon film is relatively thin and sufficient, and therefore, A preferred range is 100 to 1,000 angstroms.

【0016】次にスパッター法による硬質炭素膜のi−
カーボン膜上への成膜について説明する。スパッター法
は上述のイオンプレーティング法によりi−カーボン膜
が形成されたプレス成形型基盤を保持する基盤ホルダー
と、これと対向するスパッターターゲットを収容するス
パッター装置を用いて実施される。このスパッター装置
において、前記基盤温度は250〜450℃が好まし
い。その理由は、450℃を超えると成膜された膜表面
の面粗度が急激に悪化し、また250℃未満では膜硬度
が低下するためにいずれも離型膜として不適当であるか
らである。このスパッタ法においては、スパッターガス
としてアルゴンガスを、スパッターターゲットとしてグ
ラファイトを用いて、高周波によってプラズマを発生さ
せて硬質炭素膜を形成するのが好ましい。
Next, the i-
The film formation on the carbon film will be described. The sputter method is carried out using a substrate holder for holding a press-molding die substrate on which an i-carbon film has been formed by the above-described ion plating method, and a sputter apparatus for accommodating a sputter target facing the substrate holder. In this sputtering apparatus, the substrate temperature is preferably from 250 to 450 ° C. The reason is that when the temperature exceeds 450 ° C., the surface roughness of the formed film surface rapidly deteriorates, and when the temperature is lower than 250 ° C., the film hardness decreases, so that any of them is unsuitable as a release film. . In this sputtering method, it is preferable to form a hard carbon film by generating plasma by high frequency using argon gas as a sputtering gas and graphite as a sputtering target.

【0017】硬質炭素膜の厚さの実用範囲は、上述のi
−カーボン膜と同様に50〜5,000オングストロー
ムであるが、i−カーボン膜が硬質炭素膜との中間媒体
となっているのに対し、硬質炭素膜形成の目的はガラス
との離型性及び被成形ガラス表面の品質確保である点か
ら、必要最小限の厚さが良いため好ましい範囲としては
100〜2,000オングストロームである。
The practical range of the thickness of the hard carbon film is determined by the aforementioned i.
-50 to 5,000 angstroms like the carbon film, but the i-carbon film is an intermediate medium with the hard carbon film, whereas the purpose of the hard carbon film formation is From the viewpoint of ensuring the quality of the surface of the glass to be formed, the necessary minimum thickness is good, so the preferable range is 100 to 2,000 angstroms.

【0018】なお、上述のi−カーボン膜及び硬質炭素
膜の成膜は、それぞれ独立したイオンプレーティング装
置及びスパッター装置にて行なっても良いが、処理時間
短縮の効率化を考えれば、イオンプレーティング法及び
スパッター法のいずれの機能をも満たした装置にて行な
うほうが好ましい。
The above-mentioned i-carbon film and hard carbon film may be formed by an independent ion plating apparatus and a sputter apparatus, respectively. It is preferable to use an apparatus that satisfies both the functions of the sputtering method and the sputtering method.

【0019】[0019]

【作用】本発明のガラスプレス成形型は、基盤上に、i
−カーボン膜および硬質炭素膜を順次設け、炭素質の2
層構造膜を構成してなるが、このような構成により、基
盤と硬質炭素膜との間に、基盤との密着性の良いi−カ
ーボン膜が介在することになり、基盤と硬質炭素膜とが
強固に結合し、基板に離型膜として硬質炭素膜を直接設
けたときに起る膜の剥離が防止される。またi−カーボ
ン膜はガラスに直接接触しないので、離型膜がi−カー
ボン膜のときに起るガラス成形体の凹部形成の問題も解
消される。そして硬質炭素膜の離型膜としての特性をい
かんなく発揮させることができる。
The glass press mold of the present invention has an i.
-A carbon film and a hard carbon film are sequentially provided,
Although a layer structure film is formed, an i-carbon film having good adhesion to the base is interposed between the base and the hard carbon film by such a structure. Are firmly bonded, and peeling of the film that occurs when a hard carbon film is directly provided as a release film on the substrate is prevented. Further, since the i-carbon film does not directly contact the glass, the problem of the formation of the concave portion of the glass molded body which occurs when the release film is the i-carbon film is also solved. In addition, the characteristics of the hard carbon film as a release film can be fully exhibited.

【0020】このように、本発明のガラスプレス成形型
は、i−カーボン膜及び硬質炭素膜のそれぞれの欠点を
相互に補い、i−カーボン膜の持つ基盤との高密着性、
高硬度、耐酸化性の利点と硬質炭素膜が持つ離型性の利
点を合せ持っており、ガラスプレス成形を多数回繰り返
しても硬質炭素膜が剥離しにくく、かつガラス離型性も
良好なため、高品質のガラス成形体を長期間にわたって
多数回繰り返し製造できる。
As described above, the glass press mold of the present invention compensates for the respective disadvantages of the i-carbon film and the hard carbon film, and provides high adhesion to the substrate of the i-carbon film.
Combines the advantages of high hardness, oxidation resistance and the releasability of the hard carbon film.The hard carbon film is hard to peel off even if glass press molding is repeated many times, and the glass releasability is good. Therefore, a high quality glass molded body can be repeatedly produced many times over a long period of time.

【0021】[0021]

【実施例】以下、実施例により本発明を更に説明する。 [実施例1]ガラスプレス成形型の基盤材料として炭化
珪素(SiC)焼結体を用い研削によりプレス成形型形
状に加工後、さらに加工面側にCVD法により炭化珪素
膜を形成し、更に研削及び研磨して製造されるべき成形
体に対応する形状に鏡面仕上げして成形型基盤を得た。
次に前記成形型基盤の炭化珪素膜上にi−カーボン膜を
イオンプレーティング法により成膜した。図1は、i−
カーボン膜を成膜するために用いられるイオンプレーテ
ィング装置の概略図であり、図1に示すイオンプレーテ
ィング装置において真空槽11の上部にヒーター19を
内蔵した基盤ホルダー12が設けられ、これに炭化珪素
膜を有する成形型基盤13が保持されている。基盤ホル
ダー12と対向した下部にはタンタル(Ta)フィラメ
ントから成る第1のカソード電極14とタングステン
(W)基盤から成るアノード電極15が設置され、この
両電極14、15を取り囲む形で円筒形のリフレクター
16が設けられており、これは生成されたイオンを基盤
13の方向へ集中することを目的としている。また、図
中17はアルゴン及びベンゼンガス導入口、18は真空
排気のための排気口である。
The present invention will be further described with reference to the following examples. [Example 1] A silicon carbide (SiC) sintered body was used as a base material of a glass press forming die, and after processing into a press forming die shape by grinding, a silicon carbide film was further formed on the processing surface side by a CVD method and further ground. And a mirror-finished shape corresponding to the molded body to be manufactured by polishing was obtained to obtain a molding die base.
Next, an i-carbon film was formed on the silicon carbide film on the mold base by an ion plating method. FIG. 1 shows i-
FIG. 2 is a schematic diagram of an ion plating apparatus used for forming a carbon film. In the ion plating apparatus shown in FIG. 1, a base holder 12 having a built-in heater 19 is provided above a vacuum chamber 11, A mold base 13 having a silicon film is held. A first cathode electrode 14 made of a tantalum (Ta) filament and an anode electrode 15 made of a tungsten (W) base are installed at a lower portion facing the base holder 12, and a cylindrical shape surrounding both the electrodes 14, 15 is provided. A reflector 16 is provided, which aims to concentrate the generated ions in the direction of the substrate 13. In the figure, reference numeral 17 denotes an inlet for introducing argon and benzene, and reference numeral 18 denotes an exhaust port for evacuation.

【0022】排気口18より真空槽11内の真空度を
5.0×10-6Torrに排気した後、ガス導入口17
よりアルゴンガスを導入することによって真空度を8.
0×10-4Torrに保持し、第1のカソード電極14
とアノード電極15間に80Vの電圧を印加し、この間
にプラズマを発生させ、第1のカソード電極14からの
熱電子によりアルゴンガスをイオン化した。更に第2の
カソード電極である基盤ホルダー12とアノード電極1
5間に1.5kVの電圧を印加するとともに、リフレク
ター16に80Vの電圧を印加して、アルゴンイオンを
基盤13へ集中的に加速させることで、基盤13の表面
をイオンボンバードし清浄化した。このイオンボンバー
ド工程において成形型基盤13の加熱は必ずしも必要で
はないが、型面の清浄効果の促進及び次に続く成膜工程
における加熱のことを考えればここで加熱しておくこと
が好ましい。
After the degree of vacuum in the vacuum chamber 11 is evacuated to 5.0 × 10 −6 Torr from the exhaust port 18,
7. The degree of vacuum is increased by introducing more argon gas.
0 × 10 −4 Torr and the first cathode electrode 14
A voltage of 80 V was applied between the cathode electrode and the anode electrode 15, plasma was generated during this time, and the argon gas was ionized by thermoelectrons from the first cathode electrode 14. Further, the second cathode electrode, ie, the base holder 12 and the anode electrode 1
A voltage of 1.5 kV was applied between 5 and a voltage of 80 V was applied to the reflector 16, and argon ions were intensively accelerated on the substrate 13, thereby ion bombarding and cleaning the surface of the substrate 13. Heating of the mold base 13 is not necessarily required in the ion bombardment step, but it is preferable to heat the mold base 13 in consideration of promoting the cleaning effect of the mold surface and heating in the subsequent film forming step.

【0023】次に再び真空槽11の真空排気を行いガス
導入口17によりベンゼンガスを導入することによって
真空度を2.0×10-3Torrに保持し、第1のカソ
ード電極14とアノード電極15間に80Vの電圧を印
加してベンゼンガスを炭化水素イオンとし、更に第2の
カソード電極である基盤ホルダー12とアノード電極1
5間に1.5kVの電圧を印加するとともにリフレクタ
ー16に80Vの電圧を印加して炭化水素イオンを成形
型基盤13の方向に集中的に加速し、あらかじめ300
℃に加熱しておいた成形型基盤13の表面に膜厚700
オングストロームのi−カーボン膜を形成した。
Next, the vacuum chamber 11 is evacuated again, and benzene gas is introduced through the gas inlet 17 to maintain the degree of vacuum at 2.0 × 10 −3 Torr. The benzene gas is converted into hydrocarbon ions by applying a voltage of 80 V between the substrate holder 12 and the base electrode 12 which is the second cathode electrode and the anode electrode 1.
A voltage of 1.5 kV is applied between 5 and a voltage of 80 V is applied to the reflector 16 to accelerate the hydrocarbon ions intensively in the direction of the mold base 13.
On the surface of the mold base 13 heated to 700 ° C.
An Angstrom i-carbon film was formed.

【0024】次にこのi−カーボン膜上にスパッター法
により硬質炭素膜を形成するために用いられるスパッタ
ー装置の概略図を図2に示す。図2に示すスパッタ装置
において、真空槽20の上部にはヒーターを内蔵した基
盤ホルダー22が設けられ、すでにi−カーボン膜が被
覆された成形型基盤21が保持されている。更に真空槽
20の下部にはグラファイトから成るターゲット23が
前記成形型基盤21と対向するように配置されている
る。図中、24はマグネット、25はRF電源で13.
56MHzの高周波であり、また26はアルゴンガスの
導入口、27は真空排気のための排気口である。
FIG. 2 is a schematic view of a sputtering apparatus used for forming a hard carbon film on the i-carbon film by a sputtering method. In the sputtering apparatus shown in FIG. 2, a substrate holder 22 having a built-in heater is provided above a vacuum chamber 20, and a mold substrate 21 already covered with an i-carbon film is held. Furthermore, a target 23 made of graphite is arranged below the vacuum chamber 20 so as to face the mold base 21. In the figure, 24 is a magnet, 25 is an RF power source, and 13.
It is a high frequency of 56 MHz, 26 is an inlet for argon gas, and 27 is an exhaust port for vacuum exhaust.

【0025】排気口27により真空槽20内の真空度を
5.0×10-5Torrに排気した後、ガス導入口26
よりアルゴンガスを導入することによって真空度を5.
0×10-3Torrに保持し、RF電源25により高周
波電力を印加して前記グラファイトターゲット23をス
パッターして、あらかじめ300℃に加熱しておいた成
形型基盤21のi−カーボン膜上に膜厚700オングス
トロームの硬質炭素膜を形成した。
After the degree of vacuum in the vacuum chamber 20 is evacuated to 5.0 × 10 −5 Torr by the exhaust port 27,
4. The degree of vacuum is increased by introducing more argon gas.
The graphite target 23 was sputtered by applying high-frequency power from the RF power supply 25 while maintaining the pressure to 0 × 10 −3 Torr, and the film was formed on the i-carbon film of the mold base 21 previously heated to 300 ° C. A hard carbon film having a thickness of 700 angstroms was formed.

【0026】このようにして、図3に示すように、所定
形状の炭化珪素焼結体1上のプレス成形面に、CVD法
により形成された炭化珪素膜2を有し、更にこの炭化珪
素膜2上に、イオンプレーティング法によりi−カーボ
ン膜3を形成し、更にこのi−カーボン膜3上に、スパ
ッター法により硬質炭素膜4を形成した本実施例のガラ
スプレス成形型5が得られた。
In this manner, as shown in FIG. 3, silicon carbide film 2 formed by the CVD method is formed on the press-formed surface of silicon carbide sintered body 1 having a predetermined shape. 2, an i-carbon film 3 is formed by an ion plating method, and a hard carbon film 4 is further formed on the i-carbon film 3 by a sputtering method. Was.

【0027】次に、本実施例で得られたガラスプレス成
形型を用いてプレス成形を行った結果を以下に示す。図
3の如く、一対のガラス成形型5、5と案内型6との間
にガラスA(ガラス転移点温度475℃)からなるガラ
ス7を配置した後、窒素雰囲気中でガラス7を温度54
5℃(ガラス粘度109 ポアズに相当)にて50kgf
/cm2 のプレス圧で60秒間の成形を行い、室温まで
急冷する操作を繰り返した結果、本実施例のプレス成形
型(同一方法で得られた5個の成形型試料を用いた。以
下同様)では1000回のプレス成形でもガラスの融着
は認められず、また硬質炭素膜の表面は何ら劣化を示さ
なかった(表1の実施例1におけるガラスAの結果参
照)。
Next, the results of press molding using the glass press mold obtained in this example are shown below. As shown in FIG. 3, a glass 7 made of glass A (glass transition point temperature: 475 ° C.) is placed between a pair of glass molds 5, 5 and a guide mold 6, and then the glass 7 is heated to a temperature of 54 in a nitrogen atmosphere.
5 ° C. at (corresponding to a glass viscosity of 10 9 poises) 50 kgf
The molding was carried out for 60 seconds at a press pressure of / cm 2 and the operation of rapidly cooling to room temperature was repeated. As a result, the press mold of this example (five mold samples obtained by the same method were used. The same applies hereinafter). ), No glass fusion was observed even after 1000 times of press molding, and the surface of the hard carbon film did not show any deterioration (see the results of glass A in Example 1 in Table 1).

【0028】また上記ガラスとは異なるガラスB(ガラ
ス転移点温度545℃)を温度650℃にて前記と同条
件でプレス成形を行ったところ、本実施例のプレス成形
型では、5個の成形型試料のうち2個は893回目と9
15回目に硬質炭素膜の局部的な剥離跡が被成形ガラス
の表面にて確認されたが、ガラスの融着は認められずプ
レス成形の続行が可能であった。また残りの3個の成形
型試料は1000回のプレス成形でも変化しなかった
(表1の実施例1におけるガラスBの結果参照)。これ
に対してi−カーボン膜ならびに硬質炭素膜を形成して
いない成形面が炭化珪素膜である、参考例の成形型では
ガラスAで5〜9回、ガラスBで2〜3回でガラスの融
着が発生し、この融着部分に相当する被成形ガラスの表
面は粗れとして確認された(表1の参考例におけガラス
A及びガラスBの結果参照)。
When a glass B (glass transition temperature 545 ° C.) different from the above glass was press-formed at a temperature of 650 ° C. under the same conditions as above, five press-molding dies of this embodiment were used. Two of the mold samples were 893 and 9
On the fifteenth time, traces of local peeling of the hard carbon film were confirmed on the surface of the glass to be molded, but no fusion of the glass was observed, and press molding could be continued. The remaining three mold samples did not change even after 1000 times of press molding (see the results of glass B in Example 1 in Table 1). On the other hand, the molding surface on which the i-carbon film and the hard carbon film are not formed is a silicon carbide film. In the mold of the reference example, the glass A is 5 to 9 times, and the glass B is 2 to 3 times. Fusing occurred, and the surface of the glass to be formed corresponding to the fused portion was confirmed to be rough (see the results of glass A and glass B in Reference Examples in Table 1).

【0029】[実施例2]実施例1におけるi−カーボ
ン膜及び硬質炭素膜の各膜厚のみを変えた以外は同様の
実験を行った。すなわち、ベンゼンガスにより真空度を
2.0×10-3Torrとし、基盤温度300℃、アノ
ード電極と第1のカソード電極間の電圧80V、基盤ホ
ルダー(第2のカソード電極)とアノード電極間の電圧
1.5kVとして成形型基盤表面に200オングストロ
ームのi−カーボン膜を形成した後、このi−カーボン
膜上にアルゴンガスにより真空度5.0×10-3Tor
rとし、基盤温度300℃でグラファイトターゲット
を、高周波電力を印加してスパッターし200オングス
トロームの硬質炭素膜を形成した。次に本実施例で得ら
れたガラスプレス成形型を用い実施例1におけると同様
にプレス成形を行った結果、ガラスAの場合834〜9
34回目に硬質炭素膜の局所的な剥離跡が被成形ガラス
の表面にて確認されたが、ガラスの融着は認められずプ
レス成形の続行が可能であった(表1の実施例2におけ
るガラスAの結果参照)。またガラスAとは別種のガラ
スBの場合、693〜785回目にガラスAと同様の結
果が確認された(表1の実施例2におけるガラスBの結
果参照)。
Example 2 The same experiment as in Example 1 was performed except that only the thicknesses of the i-carbon film and the hard carbon film were changed. That is, the degree of vacuum is set to 2.0 × 10 −3 Torr by benzene gas, the substrate temperature is 300 ° C., the voltage between the anode electrode and the first cathode electrode is 80 V, and the voltage between the substrate holder (second cathode electrode) and the anode electrode is After forming an i-carbon film of 200 angstroms on the surface of the mold base at a voltage of 1.5 kV, the degree of vacuum was 5.0 × 10 −3 Torr by argon gas on the i-carbon film.
r, a graphite target was sputtered at a substrate temperature of 300 ° C. while applying high-frequency power to form a 200 Å hard carbon film. Next, press molding was performed in the same manner as in Example 1 using the glass press molding die obtained in this example.
At the 34th time, traces of local exfoliation of the hard carbon film were confirmed on the surface of the glass to be molded, but fusion of the glass was not observed, and press molding could be continued (see Example 2 in Table 1). See results for glass A). In the case of glass B different from glass A, the same results as glass A were confirmed 693-785 times (see the results of glass B in Example 2 in Table 1).

【0030】[実施例3]実施例1と同様に、ベンゼン
ガスにより真空度を2.0×10-3Torrとし、基盤
温度300℃、アノード電極と第1のカソード電極間の
電圧90V、基盤ホルダー(第2カソード電極)とアノ
ード電極間の電圧1.5kVとして成形型基盤表面に1
000オングストロームのi−カーボン膜を形成した
後、このi−カーボン膜上に、アルゴンガスにより真空
度5.0×10-3Torrとし、基盤温度300℃でグ
ラファイトターゲットを、高周波電力を印加してスパッ
ターし2000オングストロームの硬質炭素膜を形成し
た。次に本実施例で得られたガラスプレス成形型を用い
実施例1におけると同様にプレス成形を行った結果、ガ
ラスAならびにガラスBにて1000回でもガラスの融
着は認められず、また硬質炭素膜の表面も何ら劣化を示
さなかった(表1の実施例3におけるガラスA及びガラ
スBの結果参照)。
Example 3 As in Example 1, the degree of vacuum was set to 2.0 × 10 −3 Torr by benzene gas, the substrate temperature was 300 ° C., the voltage between the anode electrode and the first cathode electrode was 90 V, and the substrate was A voltage of 1.5 kV between the holder (second cathode electrode) and the anode electrode is applied to the surface of the mold base as 1.5 kV.
After forming an i-carbon film of 2,000 Å, a vacuum degree of 5.0 × 10 −3 Torr was applied to the i-carbon film with argon gas, a graphite target was applied at a substrate temperature of 300 ° C., and high-frequency power was applied. Sputtering was performed to form a 2000 Å hard carbon film. Next, press molding was performed using the glass press mold obtained in this example in the same manner as in Example 1, and as a result, no fusion of glass was observed even with glass A and glass B even 1000 times. The surface of the carbon film did not show any deterioration (see the results of glass A and glass B in Example 3 in Table 1).

【0031】[実施例4]実施例1と同様に、ベンゼン
ガスにより真空度を2.0×10-3Torrとし、基盤
温度300℃、アノード電極と第1のカソード電極間の
電圧90V、基盤ホルダー(第2のカソード電極)とア
ノード電極間の電圧1.5kVとして成形型基盤表面に
100オングストロームのi−カーボン膜を成形した
後、このi−カーボン膜上に、アルゴンガスにより真空
度5.0×10-3Torrとし、基盤温度300℃でグ
ラファイトターゲットを、高周波電力を印加してスパッ
ターし100オングストロームの硬質炭素膜を形成し
た。次に本実施例で得られたガラスプレス成形型を用い
実施例1におけると同様にプレス成形を行った結果、ガ
ラスAの場合754〜815回目に、またガラスBの場
合543〜597回目に硬質炭素膜の局部的な剥離跡が
被成形ガラス表面にて確認されたが、ガラスの融着は認
められずプレス成形の続行が可能であった(表1の実施
例4におけるガラスA及びガラスBの結果参照)。
Example 4 As in Example 1, the degree of vacuum was set to 2.0 × 10 −3 Torr by benzene gas, the substrate temperature was 300 ° C., the voltage between the anode electrode and the first cathode electrode was 90 V, and the substrate was After forming an i-carbon film of 100 angstroms on the surface of the mold base at a voltage of 1.5 kV between the holder (second cathode electrode) and the anode electrode, the degree of vacuum was adjusted to 5.degree. A graphite target was sputtered at 0 × 10 −3 Torr at a substrate temperature of 300 ° C. while applying high-frequency power to form a hard carbon film of 100 Å. Next, as a result of performing press molding using the glass press mold obtained in this example in the same manner as in Example 1, the glass A was hardened 754 to 815 times, and the glass B was hardened 543 to 597 times. Although local traces of peeling of the carbon film were confirmed on the surface of the glass to be molded, fusion of the glass was not observed and press molding could be continued (glass A and glass B in Example 4 in Table 1). Results).

【0032】[比較例1]基盤上にi−カーボン膜を有
するが、硬質炭素膜を形成していない比較成形型を用い
て実施例1との比較実験を行った。すなわち、ベンゼン
ガスにより真空度を2.0×10-3Torrとし、基盤
温度は300℃、アノード電極と第1のカソード電極間
の電圧80V、基盤ホルダー(第2カソード電極)とア
ノード電極間の電圧1.5kVとして成形型基盤表面に
700オングストロームのi−カーボン膜を形成してガ
ラスプレス成形型を得た。次にこのガラスプレス成形型
を用い実施例1におけると同様にプレス成形を行った結
果、ガラスAの場合、43〜52回目より、融着はしな
いが、成形ガラスの表面に微細な凹部が発生しているこ
とが確認された(表1の比較例1におけるガラスAの結
果参照)。また上記ガラスとは別種のガラスBの場合、
19〜34回目よりガラスAと同様の結果が確認された
(表1の比較例1におけるガラスBの結果参照)。
Comparative Example 1 A comparative experiment with Example 1 was performed using a comparative mold having an i-carbon film on a substrate but not forming a hard carbon film. That is, the degree of vacuum is 2.0 × 10 −3 Torr by benzene gas, the substrate temperature is 300 ° C., the voltage between the anode electrode and the first cathode electrode is 80 V, and the voltage between the substrate holder (second cathode electrode) and the anode electrode is At a voltage of 1.5 kV, an i-carbon film of 700 Å was formed on the surface of the mold base to obtain a glass press mold. Next, as a result of performing press molding using this glass press mold in the same manner as in Example 1, in the case of glass A, no fusion was performed from the 43rd to 52nd times, but fine recesses were generated on the surface of the molded glass. (See the results of glass A in Comparative Example 1 in Table 1). In the case of glass B different from the above glass,
The same result as that of glass A was confirmed from the 19th to 34th times (see the results of glass B in Comparative Example 1 in Table 1).

【0033】[比較例2]基盤上に、i−カーボン膜を
形成することなく、硬質炭素膜を形成した比較成形型を
用いて実施例1との比較実験を行った。すなわち、アル
ゴンガスにより真空度5.0×10-3Torrとし、基
盤温度300℃で、グラファイトターゲットを、高周波
電力を印加してスパッターし700オングストロームの
硬質炭素膜を形成した。次にこのガラスプレス成形型を
用い実施例1におけると同様にプレス成形を行った結
果、ガラスAの場合203〜302回目に、ガラスBの
場合153〜252回目でガラスの融着が認められた
(表1の比較例2におけるガラスA及びガラスBの結果
参照)。
Comparative Example 2 A comparative experiment with Example 1 was performed using a comparative mold having a hard carbon film formed thereon without forming an i-carbon film on a substrate. That is, a graphite target was sputtered at a substrate temperature of 300 ° C. by applying high-frequency power at a substrate temperature of 300 ° C. to form a hard carbon film of 700 angstrom with an argon gas at 5.0 × 10 −3 Torr. Next, press molding was performed using this glass press mold in the same manner as in Example 1, and as a result, glass fusion was observed 203 to 302 times for glass A and 153 to 252 times for glass B. (See the results for glass A and glass B in Comparative Example 2 in Table 1).

【0034】[0034]

【表1】 [Table 1]

【0035】[0035]

【発明の効果】本発明によれば、基盤上にi−カーボン
膜および硬質炭素膜を順次設け、炭素質の2層構造膜を
構成したこと、即ち、基盤と硬質炭素膜との間に、基盤
との密着性の良いi−カーボン膜を介在させたことによ
り、基盤と硬質炭素膜とが強固に結合したガラスプレス
成形型が得られる。
According to the present invention, an i-carbon film and a hard carbon film are sequentially provided on a substrate to form a carbonaceous two-layer structure film, that is, between the substrate and the hard carbon film. By interposing the i-carbon film having good adhesion to the substrate, a glass press mold in which the substrate and the hard carbon film are firmly bonded can be obtained.

【0036】本発明のガラスプレス成形型は、i−カー
ボン膜及び硬質炭素膜のそれぞれの欠点を相互に補い、
i−カーボン膜の持つ基盤との高密着性、高硬度、耐酸
化性の利点と硬質炭素膜が持つ離型性の利点を合せ持っ
ており、ガラスプレス成形を多数回繰り返しても硬質炭
素膜が剥離しにくく、かつガラス離型性も良好なため、
高品質のガラス成形体を長期間にわたって多数回繰り返
し製造することができる。
The glass press mold of the present invention mutually compensates for the respective disadvantages of the i-carbon film and the hard carbon film,
It has the advantages of high adhesion to the substrate of the i-carbon film, high hardness, oxidation resistance and the releasability of the hard carbon film. Even if the glass press molding is repeated many times, the hard carbon film Is difficult to peel off and has good glass release properties.
High quality glass molded articles can be repeatedly produced many times over a long period of time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】i−カーボン膜を基盤に成膜するためのイオン
プレーティング装置の概略図。
FIG. 1 is a schematic view of an ion plating apparatus for forming a film based on an i-carbon film.

【図2】硬質炭素膜をi−カーボン膜上に成膜するため
のスパッタ装置の概略図。
FIG. 2 is a schematic view of a sputtering apparatus for forming a hard carbon film on an i-carbon film.

【図3】本発明のプレス成形型を用いてガラスプレス成
形例を示す図。
FIG. 3 is a view showing an example of glass press molding using the press mold of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…炭化珪素焼結体、2…炭化珪素膜、3…i−カーボ
ン膜、4…硬質炭素膜、5…ガラス成形型、6…案内
型、7…被成形ガラス、11…真空槽、12…基盤ホル
ダー、13…ガラス成形型基盤、14…カソード電極、
15…アノード電極、16…リフレクター、17…ガス
導入口、18…排気口、19…ヒーター、20…真空
槽、21…ガラス成形型基盤、22…基盤ホルダー、2
3…グラファイトターゲット、24…マグネット、25
…RF電源、26…ガス導入口、27…排気口。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Sintered silicon carbide, 2 ... Silicon carbide film, 3 ... I-carbon film, 4 ... Hard carbon film, 5 ... Glass forming die, 6 ... Guiding die, 7 ... Glass to be formed, 11 ... Vacuum tank, 12 ... Base holder, 13 ... Glass mold base, 14 ... Cathode electrode,
15 ... Anode electrode, 16 ... Reflector, 17 ... Gas inlet, 18 ... Exhaust port, 19 ... Heater, 20 ... Vacuum tank, 21 ... Glass mold base, 22 ... Base holder, 2
3 ... graphite target, 24 ... magnet, 25
... RF power supply, 26 ... Gas inlet, 27 ... Exhaust.

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ガラスをプレス成形するための成形型に
おいて、成形して得ようとするガラス成形体の形状に対
応する形状に加工した成形型基盤上の加工面に、i−カ
ーボン膜と硬質炭素膜とを順次積層してなる炭素質の2
層構造膜を有することを特徴とするガラスプレス成形
型。
1. A molding die for press-molding a glass, an i-carbon film and a hard film are formed on a processing surface on a molding die substrate processed into a shape corresponding to a shape of a glass molded product to be obtained by molding. A carbonaceous material obtained by sequentially laminating carbon films.
A glass press mold having a layered film.
【請求項2】 基盤が焼結炭化珪素母材上にCVD法に
よる炭化珪素膜を設けてなることを特徴とする請求項1
に記載のガラスプレス成形型。
2. The substrate according to claim 1, wherein a silicon carbide film is formed on the sintered silicon carbide base material by a CVD method.
2. The glass press mold according to 1.
【請求項3】 i−カーボン膜の膜厚が50〜5,00
0オングストロームであることを特徴とする請求項1に
記載のガラスプレス成形型。
3. An i-carbon film having a thickness of 50 to 5,000.
2. The glass press mold according to claim 1, wherein the glass press mold has a thickness of 0 Å.
【請求項4】 硬質炭素膜の膜厚が50〜5,000オ
ングストロームであることを特徴とする請求項1に記載
のガラスプレス成形型。
4. The glass press mold according to claim 1, wherein the hard carbon film has a thickness of 50 to 5,000 angstroms.
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