JP2739843B2 - Automatic layout method for semiconductor device - Google Patents
Automatic layout method for semiconductor deviceInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の自動レイア
ウト方法に関し、特に機能セル間に存在するクリティカ
ルネットの遅延特性を改善する際に、当該クリティカル
ネットの最適挿入位置にバッファを配置する半導体装置
の自動レイアウト方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an automatic layout method for a semiconductor device, and more particularly to a semiconductor device in which a buffer is arranged at an optimum insertion position of a critical net when improving the delay characteristics of a critical net existing between functional cells. Automatic layout method.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、半導体装置における自動レイアウ
ト方法としては、配線上のクリティカルネットにおける
遅延量を低減するために、当該クリティカルネットにバ
ッファを挿入し、そのバッファの挿入位置を最適化する
配線方法が提案されている。例えば、特開平4−233
47号公報または特開平4−282772号等におい
て、その配線方法が開示されている。以下、図3を参照
して、前記特開平4−23347号公報の内容の要点に
ついて説明する。2. Description of the Related Art Conventionally, as an automatic layout method in a semiconductor device, in order to reduce a delay amount in a critical net on a wiring, a wiring method for inserting a buffer into the critical net and optimizing an insertion position of the buffer is adopted. Has been proposed. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-233
No. 47, Japanese Unexamined Patent Publication No. 4-282772, etc. disclose the wiring method. Hereinafter, with reference to FIG. 3, the gist of the contents of the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 4-23347 will be described.
【0003】図4(a)および(b)において、半導体
装置のレイアウトにおける自動配置または配線後におい
て、機能セル1と機能セル2の間がクリティカルネット
であるものとして、その間にバッファ3を挿入するもの
とする。この場合における配線に起因する遅延量は配線
長の2乗に比例して増大するが、前記特開平4−233
47号公報による提案によれば、機能セル1と機能セル
2との間の配線長Lが一定であるものと仮定した場合
に、機能セル1とバッファ3の間のクリティカルネット
の配線長L1 が、或る長さの範囲内にある場合には、バ
ッファ3を機能セル1と機能セル2との間に挿入するこ
とにより、結果的に機能セル1と機能セル2との間のク
リティカルネットにおける総遅延量が低減される場合が
あるものとしている。即ち、図4(a)おける機能セル
1とバッファ3との間の配線長L10と、図4(b)にお
ける機能セル1とバッファ3との間の配線長L11とを適
当に選択し、バッファ3を、これらの配線長L10とL11
の範囲内にある配線長に対応する位置に挿入することに
より、クリティカルネットの遅延量を低減する際に、バ
ッファ3の最適挿入位置が得られるものとしている。In FIGS. 4 (a) and 4 (b), after automatic placement or wiring in the layout of a semiconductor device, a buffer 3 is inserted between the functional cells 1 and 2 assuming that it is a critical net. Shall be. In this case, the delay caused by the wiring increases in proportion to the square of the wiring length.
According to the proposal of JP-A-47-47, assuming that the wiring length L between the functional cell 1 and the functional cell 2 is constant, the wiring length L 1 of the critical net between the functional cell 1 and the buffer 3 is assumed. Is within a certain length range, the buffer 3 is inserted between the functional cells 1 and 2 so that the critical net between the functional cells 1 and 2 Is sometimes reduced. In other words, the wiring length L 10 between FIGS. 4 (a) definitive functional cell 1 and the buffer 3, appropriately selecting the wiring length L 11 between the functional cell 1 and the buffer 3 shown in FIG. 4 (b) , The buffer 3 and the wiring lengths L 10 and L 11
When the delay amount of the critical net is reduced, the optimum insertion position of the buffer 3 can be obtained by inserting the buffer 3 at a position corresponding to the wiring length within the range.
【0004】なお、図3には、クリティカルネット間に
バッファを挿入しない場合の遅延特性4と、バッファを
挿入した場合の遅延特性5が示されている。図3におい
て、横軸は配線長を示し縦軸は遅延量を示しており、バ
ッファを挿入した場合の遅延特性5における点Aと点B
との間の遅延量の差はバッファ3の内部遅延量によるも
のである。FIG. 3 shows a delay characteristic 4 when a buffer is not inserted between critical nets, and a delay characteristic 5 when a buffer is inserted. In FIG. 3, the horizontal axis represents the wiring length and the vertical axis represents the delay amount, and points A and B in the delay characteristic 5 when a buffer is inserted.
The difference between the delay amounts is due to the internal delay amount of the buffer 3.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置のレイアウト方法においては、クリティカルネット
間における或る範囲内の位置にバッファを挿入すること
により、当該クリティカルネット間の遅延量を低減する
ことができるものとしているが、この配線方法による場
合には、バッファの挿入位置には或る幅があり、機能セ
ルおよびバッファにおける出力抵抗および入力容量、バ
ッファの内部遅延量、配線における単位長当りの抵抗お
よび容量等の影響を受けて、必らずしも、バッファがク
リティカルネット間における最適挿入位置に配置される
ものとは限らないという欠点がある。このバッファの最
適挿入位置が必らずしも得られないという欠点は、前記
特開平4−282772号公報による提案の場合におい
ても同様である。In the above-described conventional layout method for a semiconductor device, a buffer is inserted at a position within a certain range between critical nets to reduce the amount of delay between the critical nets. According to this wiring method, the buffer insertion position has a certain width, and the output resistance and input capacitance of the functional cell and the buffer, the internal delay amount of the buffer, and the wiring per unit length Due to the influence of the resistance and the capacitance, there is a disadvantage that the buffer is not always arranged at the optimum insertion position between the critical nets. The disadvantage that the optimum insertion position of the buffer cannot always be obtained is the same as in the case of the proposal of Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-282772.
【0006】本発明の目的は、半導体装置における配置
配線後において、クリティカルネットにバッファを挿入
する場合に、当該クリティカルネットの遅延量を低減す
ることを目的として、機能セル、バッファおよび配線等
に起因するリアルな回路諸要因を配慮した上で、前記バ
ッファの最適挿入位置を明確に設定して、配置配線を行
うことのできる半導体装置の自動レイアウト方法を実現
することにある。An object of the present invention is to reduce the amount of delay in a critical net when a buffer is inserted into a critical net after placement and routing in a semiconductor device. It is an object of the present invention to realize an automatic layout method of a semiconductor device which can set and optimally insert the buffer and take place and wire in consideration of real circuit factors.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の自
動レイアウト方法は、半導体装置に対して機能セルを自
動的に配置・配線する自動レイアウト方法において、前
記機能セルの配置または配線後に、機能セル間のクリテ
ィカルネットに少なくとも1個以上のバッファを挿入す
る際に、前記機能セル、クリティカルネットおよびバッ
ファに起因する遅延回路要素をパラメータとして、前記
バッファの最適挿入位置を次記の手順により数理解析的
に算出することを特徴としている。An automatic layout method for a semiconductor device according to the present invention is an automatic layout method for automatically arranging and wiring functional cells in a semiconductor device. when inserting at least one or more buffers critical nets between cells, the functional cell, the delay circuit elements due to the critical nets and buffer as a parameter, the
Mathematical analysis of the optimal buffer insertion position using the following procedure
Is calculated .
【0008】(1)前記 クリティカルネットの配線抵抗値および配線
容量値、前記機能セルならびに前記バッファの出力抵抗
値、前記機能セルならびに前記バッファの入力容量値、
および前記バッファ固有の内部遅延量を含む実回路変動
定数値をパラメータとして、当該クリティカルネットの
遅延量Tを算出する。 (2)前記遅延量Tの機能セルからの配線長Li(i
は、挿入バッファの数)による微分係数を0に等値し
て、当該遅延量Tの最低値に対応するバッファの挿入位
置を機能セルからの配線長Liとして求める。 (3)前記配線長Liに対応する前記クリティカルネッ
トの遅延量Tminを求めて、当該Tminの値をバッファを
挿入しない場合の当該クリティカルネットの遅延量Ta
の値と比較照合し、Ta−Tmin>0の時に、前記Liの
位置にバッファを配置する。 (1) a wiring resistance value and a wiring capacitance value of the critical net, an output resistance value of the functional cell and the buffer, an input capacitance value of the functional cell and the buffer,
The delay amount T of the critical net is calculated using the actual circuit variation constant value including the internal delay amount inherent to the buffer as a parameter. (2) The wiring length L i (i
Is to equality a differential coefficient by inserting the number of buffers) to 0, determining the insertion position of the buffer corresponding to the minimum value of the delay amount T as the wiring length L i from the functional cells. (3) seek delay amount T min of the critical nets corresponding to the line length L i, the delay amount of the critical nets when no values for the T min Insert the buffer T a
Against values and comparison, when T a -T min> 0, placing a buffer at the position of the L i.
【0009】[0009]
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
【0010】図2は本発明の1実施例が適用される半導
体装置において、機能セル1と機能セル2との間のクリ
ティカルネットにバッブァ3を配置する状態を示すブロ
ック図である。以下、図2を参照して、バッファ3の最
適挿入位置を求める方法について説明する。FIG. 2 is a block diagram showing a state in which a buffer 3 is arranged in a critical net between a functional cell 1 and a functional cell 2 in a semiconductor device to which one embodiment of the present invention is applied. Hereinafter, a method of obtaining the optimum insertion position of the buffer 3 will be described with reference to FIG.
【0011】図2においては、半導体装置における初期
配置が終了した状態において、機能セル1と機能セル2
との間の配線がクリティカルネットである場合に、当該
クリティカルネットにバッファ3を1個挿入する状態が
示される。ここにおいて、機能セル1の出力から、バッ
ファ3を経由して機能セル2の入力に到達するまでの遅
延量をTとして、クリティカルネットの配線長LをL1
とL−L1 とに分割した場合には、遅延量Tは次式によ
り与えられる。In FIG. 2, the functional cell 1 and the functional cell 2
In the case where the wiring between these is a critical net, a state where one buffer 3 is inserted into the critical net is shown. Here, assuming that the delay from the output of the functional cell 1 to the input of the functional cell 2 via the buffer 3 is T, the wiring length L of the critical net is L 1.
And L−L 1 , the delay amount T is given by the following equation.
【0012】 T=R1・(C0・L1/2+C3)+R0・C0・L1 2/2+T3 +R2・{C0・(L−L1)/2+C2}+R0・C0・(L−L1)2 ……………… (1) 上式において、R1およびR2は、それぞれ機能セル1お
よびバッファ3の出力抵抗、C2およびC3は、それぞれ
機能セル2およびバッファ3の入力容量、T3はバッフ
ァ3の内部遅延量、C0およびR0は、それぞれ配線の単
位長当りの容量および抵抗である。上式による遅延量T
を配線長L1により微分して0に等値すると、遅延量T
を最小値とする配線長L1は次式により求められる。[0012] T = R 1 · (C 0 · L 1/2 + C 3) + R 0 · C 0 · L 1 2/2 + T 3 + R 2 · {C 0 · (L-L 1) / 2 + C 2} + R 0 · C 0 · (L−L 1 ) 2 (1) In the above equation, R 1 and R 2 are the output resistances of the function cell 1 and the buffer 3, respectively, and C 2 and C 3 are the functions The input capacitance of the cell 2 and the buffer 3, T 3 is the internal delay amount of the buffer 3, and C 0 and R 0 are the capacitance and resistance per unit length of the wiring, respectively. Delay amount T according to the above equation
Is differentiated by the wiring length L 1 and is equal to 0, the delay amount T
Wiring length L 1 to a minimum value is obtained by the following equation.
【0013】 L1 =L/2−(R1 −R2 )/4R0 ………………(2) 従って、クリティカルネットにバッファ3を挿入するこ
とを前提にして考えると、上記(2)式によって得られ
る配線長L1 の位置またはその近傍の位置にバッファ3
を挿入することにより、クリティカルネットにおける遅
延量Tの最小値を求めることができる。ここにおいて、
バッファ3を挿入しない場合の遅延量をT’とすると、
遅延量T’は次式により与えられる。L 1 = L / 2− (R 1 −R 2 ) / 4R 0 (2) Therefore, assuming that the buffer 3 is inserted into the critical net, (2) ) buffer position or its vicinity of the wiring length L 1 obtained by expression 3
Is inserted, the minimum value of the delay amount T in the critical net can be obtained. put it here,
Assuming that the delay amount when the buffer 3 is not inserted is T ′,
The delay amount T 'is given by the following equation.
【0014】 T’=R1(C0L/2+C2)+C0・R0・L 2 /2 ……………(3) 上記の(1)式、(2)式および(3)式より、バッフ
ァ3を挿入した場合の遅延量Tと、挿入しない場合の遅
延量T’の差、△T=T’−Tの値が0よりも大きい場
合、即ち、下記の(4)式が成立つ場合には、バッファ
3を挿入することにより、クリティカルネットにおける
遅延時間を改善することができる。[0014] T '= R 1 (C 0 L / 2 + C 2) + C 0 · R 0 · L 2/2 ............... (3) above (1), (2) and (3) Therefore, the difference between the delay amount T when the buffer 3 is inserted and the delay amount T 'when the buffer 3 is not inserted, when the value of ΔT = T′−T is larger than 0, that is, the following equation (4) is obtained. In the case where it is satisfied, the delay time in the critical net can be improved by inserting the buffer 3.
【0015】 △T=T’−T>0 ………………………………………(4) なお、その際には、バッファ3の出力抵抗R3 の値をよ
り小さくすることにより、クリティカルネットにおける
遅延量を更に改善することができる。また、機能セル間
の配線長が長く、これに対応して2個以上のバッファを
挿入することにより、より一層の遅延時間が改善される
場合においても、上記の手法により、クリティカルネッ
トにおける遅延量Tを最小とする位置に、バッファを挿
入することが可能である。ΔT = T′−T> 0 (4) In this case, the value of the output resistance R 3 of the buffer 3 is made smaller. Thus, the delay amount in the critical net can be further improved. Further, even when the wiring length between the functional cells is long and the delay time is further improved by inserting two or more buffers corresponding to this, even if the delay time is further improved, It is possible to insert a buffer at a position where T is minimized.
【0016】次に、本発明による半導体装置の自動レイ
アウト方法について説明する。図1は、半導体装置の初
期配置または配線後における、本発明の自動レイアウト
方法の1実施例の配置・配線手順を示すフローチャート
である。半導体装置の初期配置または配線を行った後
に、まず、機能セル間におけるクリティカルネットを抽
出する(ステップ11)。抽出されたクリティカルネッ
トに対して、バッファを挿入した際の、そのサイズ、段
数および駆動能力(出力抵抗)等を含めて、当該バッフ
ァの最適挿入位置の計算(前記(1)〜(3)式を参
照)を行う(ステップ12)。次いで、クリティカルネ
ットにバッファを挿入することが、当該クリティカルネ
ットの遅延時間の改善に有効であるか否かが判定されて
(前記(4)式を参照)、有効であると判定される場合
にはステップ14に移行し、有効でないと判定される場
合には、ステップ16に移行する(ステップ13)。ス
テップ13において、バッファの挿入が、クリティカル
ネットの遅延時間の改善に有効であると判定される場合
には、ステップ12において計算されたクリティカルネ
ットにおける最適挿入位置にバッファが挿入配置され
(ステップ14)、対応する機能セル間の配線が行われ
る(ステップ15)。次いで、当該半導体装置におい
て、他のクリティカルネットに相当するパスが存在する
か否かがチェックされるが(ステップ16)、このステ
ップ16による手順は、ステップ13において、バッフ
ァを挿入することがクリティカルネットの遅延時間の改
善に有効でないと判定される場合においても同様であ
る。ステップ16において、他にもクリティカルネット
が存在し抽出される場合には、ステップ12に戻り、当
該クリティカルネットについて、ステップ12以降のバ
ッファの追加配置および配線手順が繰返して実行され
る。また、ステップ16において、他にクリティカルネ
ットが存在しない場合には、クリティカルネット以外の
残部の配線が行われて(ステップ17)、半導体装置の
レイアウト処理が全て終了する。Next, an automatic layout method for a semiconductor device according to the present invention will be described. FIG. 1 is a flowchart showing an arrangement / wiring procedure of an embodiment of an automatic layout method according to the present invention after initial arrangement or wiring of a semiconductor device. After the initial arrangement or wiring of the semiconductor device is performed, first, a critical net between functional cells is extracted (step 11). Calculation of the optimal insertion position of the buffer, including the size, the number of stages, the driving capacity (output resistance), etc., when the buffer is inserted into the extracted critical net (Eqs. (1) to (3)) (Step 12). Next, it is determined whether or not inserting a buffer into the critical net is effective for improving the delay time of the critical net (see the above equation (4)). Proceeds to step 14, and if it is determined that the data is not valid, proceeds to step 16 (step 13). If it is determined in step 13 that the buffer insertion is effective for improving the delay time of the critical net, the buffer is inserted and arranged at the optimum insertion position in the critical net calculated in step 12 (step 14). Then, wiring between the corresponding function cells is performed (step 15). Next, it is checked whether or not a path corresponding to another critical net exists in the semiconductor device (step 16). The procedure in step 16 is that in step 13, it is necessary to insert a buffer in the critical net. The same is true when it is determined that the delay time is not effective in improving the delay time. If another critical net exists and is extracted in step 16, the process returns to step 12, and the additional buffer placement and wiring procedure after step 12 is repeatedly performed on the critical net. If there is no other critical net in step 16, wiring of the remaining parts other than the critical net is performed (step 17), and the layout processing of the semiconductor device is completed.
【0017】このようにして、半導体装置における配置
および配線を含む自動レイアウト方法において、機能セ
ル間に存在するクリティカルネットを抽出し、当該クリ
ティカルネットにバッファを挿入する最適挿入位置を求
め、なお且つその挿入位置による有効性をチェックした
上で、当該バッファを挿入することにより、半導体装置
における全てのクリティカルネットの遅延特性が著しく
改善される。As described above, in the automatic layout method including placement and wiring in a semiconductor device, a critical net existing between functional cells is extracted, and an optimum insertion position for inserting a buffer into the critical net is determined. By checking the validity according to the insertion position and then inserting the buffer, the delay characteristics of all the critical nets in the semiconductor device are significantly improved.
【0018】[0018]
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、半導体
装置のレイアウト時の初期配置または配線後において、
機能セル間に存在するクリティカルネットを抽出し、当
該クリティカルネットに挿入するバッファの有効性を確
認した後に、クリティカルネットの最適挿入位置を求
め、且つその挿入位置の有効性を確認した上で当該挿入
位置にバッファを配置することにより、前記半導体装置
に存在する全てのクリティカルネットにおける遅延特性
を、従来の方法に対比して著しく改善することができる
という効果がある。As described above, according to the present invention, the initial placement or wiring after the layout of a semiconductor device is performed.
After extracting the critical net existing between the functional cells and confirming the validity of the buffer to be inserted into the critical net, determining the optimal insertion position of the critical net, and confirming the validity of the insertion position, By arranging the buffer at the position, there is an effect that the delay characteristics in all the critical nets existing in the semiconductor device can be remarkably improved as compared with the conventional method.
【図1】本発明の半導体装置の自動レイアウト方法の1
実施例におけるフローチャートを示す図である。FIG. 1 shows an automatic layout method for a semiconductor device according to the present invention.
FIG. 4 is a diagram illustrating a flowchart in the embodiment.
【図2】半導体装置のバッファ挿入位置を示す機能セル
間のブロック図である。FIG. 2 is a block diagram between functional cells showing a buffer insertion position of the semiconductor device;
【図3】半導体装置のクリティカルネットにおける、バ
ッファを挿入する場合および挿入しない場合の遅延特性
を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating delay characteristics when a buffer is inserted and when a buffer is not inserted in a critical net of a semiconductor device.
【図4】従来例による半導体装置のバッファ挿入位置を
示す機能セル間のブロック図である。FIG. 4 is a block diagram between functional cells showing a buffer insertion position of a conventional semiconductor device.
1、2 機能セル 3 バッファ 4 バッファを挿入しない場合の遅延特性 5 バッファを挿入する場合の遅延特性 11〜17 ステップ L、L1 、L10、L11 配線長1, 2 functional cell 3 buffer 4 delay characteristic when buffer is not inserted 5 delay characteristic when buffer is inserted 11 to 17 steps L, L 1 , L 10 , L 11 Wiring length
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−23347(JP,A) 特開 平1−292472(JP,A) 特開 平7−56976(JP,A) 特開 昭59−65995(JP,A) 特開 平4−111341(JP,A) 特開 平6−21221(JP,A) 特開 平2−259882(JP,A) 特開 平4−165647(JP,A) 特開 平4−184960(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-4-23347 (JP, A) JP-A-1-292472 (JP, A) JP-A-7-56976 (JP, A) JP-A-59-1979 JP-A-65995 (JP, A) JP-A-4-111341 (JP, A) JP-A-6-21221 (JP, A) JP-A-2-259882 (JP, A) JP-A-4-165647 (JP, A) JP-A-4-184960 (JP, A)
Claims (1)
置・配線する自動レイアウト方法において、 前記機能セルの配置または配線後に、機能セル間のクリ
ティカルネットに少なくとも1個以上のバッファを挿入
する際に、前記機能セル、クリティカルネットおよびバ
ッファに起因する遅延回路要素をパラメータとして、前
記バッファの最適挿入位置を次記の手順により数理解析
的に算出することを特徴とする半導体装置の自動レイア
ウト方法 。 (1)前記クリティカルネットの配線抵抗値および配線
容量値、前記機能セルならびに前記バッファの出力抵抗
値、前記機能セルならびに前記バッファの入力容量値、
および前記バッファ固有の内部遅延量を含む実回路変動
定数値をパラメータとして、当該クリティカルネットの
遅延量Tを算出する。 (2)前記遅延量Tの機能セルからの配線長Li(i
は、挿入バッファの数)による微分係数を0に等値し
て、当該遅延量Tの最低値に対応するバッファの挿入位
置を機能セルからの配線長Liとして求める。 (3)前記配線長Liに対応する前記クリティカルネッ
トの遅延量Tminを求めて、当該Tminの値をバッファを
挿入しない場合の当該クリティカルネットの遅延量Ta
の値と比較照合し、Ta−Tmin>0の時に、前記Liの
位置にバッファを配置する。A function cell is automatically arranged in a semiconductor device.
In the automatic layout method of placing and wiring, after the placement or wiring of the functional cells, the clearance between the functional cells is cleared.
Insert at least one buffer into tikal net
In doing so, the functional cells, critical nets and buses
The delay circuit element caused by the buffer
Mathematical analysis of the optimal insertion position of the buffer according to the following procedure
Automatic layer of semiconductor device characterized by dynamic calculation
Out method . (1) a wiring resistance value and a wiring capacitance value of the critical net, an output resistance value of the functional cell and the buffer, an input capacitance value of the functional cell and the buffer,
The delay amount T of the critical net is calculated using the actual circuit variation constant value including the internal delay amount inherent to the buffer as a parameter. (2) The wiring length L i (i
Is to equality a differential coefficient by inserting the number of buffers) to 0, determining the insertion position of the buffer corresponding to the minimum value of the delay amount T as the wiring length L i from the functional cells. (3) seek delay amount T min of the critical nets corresponding to the line length L i, the delay amount of the critical nets when no values for the T min Insert the buffer T a
Against values and comparison, when T a -T min> 0, placing a buffer at the position of the L i.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP7165534A JP2739843B2 (en) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | Automatic layout method for semiconductor device |
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JPH0917875A JPH0917875A (en) | 1997-01-17 |
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JP3070754B2 (en) * | 1990-05-14 | 2000-07-31 | 株式会社日立製作所 | Semiconductor integrated circuit and layout and wiring method thereof |
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1995
- 1995-06-30 JP JP7165534A patent/JP2739843B2/en not_active Expired - Fee Related
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JPH0917875A (en) | 1997-01-17 |
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