JP2738759B2 - Light head - Google Patents

Light head

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JP2738759B2
JP2738759B2 JP2010634A JP1063490A JP2738759B2 JP 2738759 B2 JP2738759 B2 JP 2738759B2 JP 2010634 A JP2010634 A JP 2010634A JP 1063490 A JP1063490 A JP 1063490A JP 2738759 B2 JP2738759 B2 JP 2738759B2
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optical
line
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守 貝沼
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光デイスク装置等に用いられる光ヘツドに
関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an optical head used for an optical disk device or the like.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の光情報媒体から情報を読み出したり、情報を読
み書きするための集積化光学系については、ANRITSU NE
WS,Vol.7,No.36,1988年において論じられている。
For information on integrated optical systems for reading information from and reading and writing information from conventional optical information media, see ANRITSU NE
WS, Vol. 7, No. 36, 1988.

〔従来が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the past]

前記従来例(ANRITSU NEWS,Vol.7,No.36,1988年)で
は、光源として半導体レーザを用いており、かつ、光情
報媒体(ここでは光磁気デイスク)からの反射光を、三
つのフオーカシンググレーテイングカプラ(以下GC)を
用いて導波路を伝播する光としていた。
In the conventional example (ANRITSU NEWS, Vol. 7, No. 36, 1988), a semiconductor laser is used as a light source, and reflected light from an optical information medium (here, a magneto-optical disk) is converted into three light beams. The light was propagated through the waveguide using a caching grating coupler (hereinafter GC).

この構成において、半導体レーザーが環境温度変化、
戻り光等の影響で波長が変動した場合、フオーカシング
GCで光を導波光を伝播する光に変換することができなく
なり、素子の光学的特性が低下するという問題が残る。
In this configuration, the semiconductor laser changes in environmental temperature,
Focusing when wavelength fluctuates due to return light
The GC cannot convert light into light that propagates guided light, leaving a problem that the optical characteristics of the element deteriorate.

本発明の目的は、半導体レーザーの波長が変動して
も、常に安定して所定の光学性能を維持する光学的構成
を、単純な製造プロセスをもつて実現し、かつ、光利用
効率を最適化する手法を提供することにある。
An object of the present invention is to realize, with a simple manufacturing process, an optical configuration that always maintains a predetermined optical performance stably even when the wavelength of a semiconductor laser fluctuates, and optimizes light use efficiency. It is an object of the present invention to provide a method for performing the above.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

上記目的を達成するため、前記回折格子(以下CCG)
を導波路に接して設けた。
In order to achieve the above object, the diffraction grating (hereinafter referred to as CCG)
Was provided in contact with the waveguide.

また、前記GCの厚みと、前記CCGの厚みとを、一致さ
せたものである。
Further, the thickness of the GC and the thickness of the CCG are matched.

また、前記GCのライン対スペース比を1:1以外にとつ
たものである。
Further, the line-to-space ratio of the GC is set to a value other than 1: 1.

また、前記GCに於いて、スペースの幅をラインの二倍
以上(ライン対スペース比を1:2以上)にしたものであ
る。
In the above-mentioned GC, the width of the space is twice or more the width of the line (the line-to-space ratio is 1: 2 or more).

あるいは、ライン幅をスペースの二倍以上(ライン対
スペース比を2以上:1)にしたものである。
Alternatively, the line width is twice or more the space (the line-to-space ratio is 2 or more: 1).

〔作用〕[Action]

GCは導波路に接して設けられている。ここでCCGを導
波路に接して設けることにより、GCおよびCCGのパター
ン面を同じ面にすることができる。これにより、パター
ニングプロセスに於いて、GCとCCGとの位置決め精度が
向上し、かつ、簡単な操作により位置決めできることか
ら、製造プロセスを簡略化することができる。
The GC is provided in contact with the waveguide. Here, by providing the CCG in contact with the waveguide, the pattern surfaces of the GC and the CCG can be made the same. Thereby, in the patterning process, the positioning accuracy between the GC and the CCG is improved, and the positioning can be performed by a simple operation, so that the manufacturing process can be simplified.

また、GCとCCGの厚みを同一とすることで、GCとCCGを
同一の行程で装荷することが可能となる。これにより、
製造プロセスを簡略化するとともに、製造工程で発生す
る素子へのダメージを低減して、信頼性の高い素子を得
ることができる。
Further, by making the thicknesses of the GC and the CCG the same, the GC and the CCG can be loaded in the same process. This allows
This simplifies the manufacturing process and reduces damage to the device caused in the manufacturing process, so that a highly reliable device can be obtained.

また、GCのライン対スペースの比を1:1以外にとるこ
とにより、GCとCCGの厚みを同一としたことによる、GC
の過剰な放射損失係数(光集積回路:西原,春名,栖原
共著:コロナ社:1985年、第93項で定義されている。)
を低減して、高い光利用効率を得るものである。
In addition, by setting the GC line-to-space ratio to other than 1: 1, the GC
Excess radiation loss coefficient (Optical integrated circuit: Nishihara, Haruna, Suhara: Corona: 1985, defined in Section 93.)
And a high light use efficiency is obtained.

また、スペースの幅をライン幅の二倍以上(ライン対
スペース比を1:2以上)にした事により、特に、光利用
効率の高い領域を利用する。
In addition, by setting the width of the space to be twice or more the line width (the line-to-space ratio is 1: 2 or more), a region having high light use efficiency is used.

同様に、ライン幅をスペース幅の二倍以上(ライン対
スペース比を2以上:1)にした事により、特に光利用効
率の高い領域を利用するものである。
Similarly, by setting the line width to be at least twice the space width (the line-to-space ratio is at least 2: 1), a region having particularly high light use efficiency is used.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例を、第1図,第2図、及び第3
図を用いて説明する。第1図は、本実施例の俯瞰図、第
2図は第1図の断面図、第3図は第2図の部分拡大図と
なつている。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to the drawings. 1 is an overhead view of the present embodiment, FIG. 2 is a sectional view of FIG. 1, and FIG. 3 is a partially enlarged view of FIG.

まず、第1図及び第2図を用いて、本実施例の光学的
な基本的動作状況につき説明する。
First, an optical basic operation state of the present embodiment will be described with reference to FIG. 1 and FIG.

半導体レーザ5から射出した光は、レンズ3aにより平
行光とされる。この光の一部は基板1を通過し、レンズ
3bにより集光され、光情報媒体20に焦点を形成する。こ
の光情報媒体20には、情報ビツト21が形成されている。
このビツトにより、光情報媒体20で反射した反射光の偏
光面が変化する。
Light emitted from the semiconductor laser 5 is converted into parallel light by the lens 3a. Part of this light passes through the substrate 1 and the lens
The light is condensed by 3b and forms a focal point on the optical information medium 20. An information bit 21 is formed on the optical information medium 20.
With this bit, the plane of polarization of the light reflected by the optical information medium 20 changes.

反射光はレンズ3bにより平行光とされ、平行光のうち
一部はCCG12a,12b,12cにより回折される。回折された光
は誘電体多層反射膜7aで反射し、基板底面で全反射す
る。CCG12aで回折された光は、GC11aに入射し、また、C
CG12bで回折された光は、GC11bに入射し、CCG12cで回折
された光は、GC11cに入射する。おのおののGCに入射す
る光は、GCの回折の作用で、導波路2を伝搬する光へと
結合される。(ここでは、導波路内部の光を導波路外部
の光に変換したり、その逆の変換をすることを、結合す
る、と称することにする。) レンズ10aおよび10bは、GC11aで結合した光を、隣接
して設置された光検出器6aと6bの境界近傍に焦点を形成
させながら、双方の光検出器に光を入射させる。また、
レンズ10cおよび10dは、GC11bで結合した光を光検出器6
cに入射させる。また、レンズ10eおよび10fは、GC11cで
結合した光を、隣接して設置された光検出器6dと6eの境
界近傍に焦点を形成させながら、双方の光検出器に光を
入射させる。光検出器で検出された光は信号処理装置に
送られ、光情報媒体20上の情報ビツト21を読み出し、フ
オーカスエラー量を検出し、トラツクエラー量を検出す
る。
The reflected light is converted into parallel light by the lens 3b, and part of the parallel light is diffracted by the CCGs 12a, 12b, and 12c. The diffracted light is reflected by the dielectric multilayer reflective film 7a and totally reflected at the bottom surface of the substrate. The light diffracted by the CCG 12a enters the GC 11a, and
Light diffracted by the CG 12b enters the GC 11b, and light diffracted by the CCG 12c enters the GC 11c. Light incident on each GC is coupled to light propagating through the waveguide 2 by the action of diffraction of the GC. (Here, converting light inside the waveguide to light outside the waveguide and vice versa will be referred to as coupling.) The lenses 10a and 10b combine the light coupled by the GC 11a. The light is incident on both photodetectors while forming a focal point near the boundary between the photodetectors 6a and 6b installed adjacent to each other. Also,
The lenses 10c and 10d pass the light combined by the GC 11b to the photodetector 6
Inject into c. The lenses 10e and 10f allow the light combined by the GC 11c to be incident on both photodetectors while forming a focal point near the boundary between the photodetectors 6d and 6e provided adjacent to each other. The light detected by the photodetector is sent to a signal processing device, which reads out information bits 21 on the optical information medium 20, detects a focus error amount, and detects a track error amount.

ここで、GC11a,11b,11cのおのおので結合した光を光
検出器6a〜6eに集光させる際に、レンズ10aと10b,10cと
10d,10eと10fというように、集光機能を二つの凸レンズ
の組み合わせで実現しているものとして、実施例の図面
が描かれている。このように二つ以上の導波路型凸レン
ズに組み合わせることで、合成した焦点距離が短い導波
路用の組み合わせレンズを得ることができ、基板1の大
きさを小さくすることが可能となる。それに伴い全体を
小型化できるという効果が得られる。
Here, when condensing the light combined by each of the GCs 11a, 11b, and 11c to the photodetectors 6a to 6e, the lenses 10a, 10b, and 10c
The drawings of the embodiments are illustrated as realizing the light collecting function by combining two convex lenses, such as 10d, 10e and 10f. By combining two or more waveguide-type convex lenses in this manner, a combined lens for a waveguide having a short combined focal length can be obtained, and the size of the substrate 1 can be reduced. As a result, the effect that the whole can be downsized can be obtained.

このような小型化が必ずしも必要でない時は、ここで
示したレンズ10a,10bの機能を単独の導波路レンズで構
成する。この際、導波路上の光学構成がよりシンプルと
なり、導波路上の光学系を製造する際の行程が簡略化で
きる。
When such miniaturization is not always necessary, the functions of the lenses 10a and 10b shown here are constituted by a single waveguide lens. At this time, the optical configuration on the waveguide becomes simpler, and the process of manufacturing the optical system on the waveguide can be simplified.

ここで、おのおのの導波路レンズについては、光集積
回路,西原浩等著、オーム社、1985年、及び、光集積回
路(基礎と応用)、応用物理学会、光学懇話会編、朝倉
書店1988年、に記載されている。
Here, for each waveguide lens, Optical Integrated Circuit, Hiroshi Nishihara et al., Ohmsha, 1985, and Optical Integrated Circuit (Basic and Application), Japan Society of Applied Physics, Optical Society, Ed., Asakura Shoten 1988 ,It is described in.

光情報媒体20で反射レンズ3bで平行光とされた光が、
CCG12a〜12cで回折され、GC11a〜11cで導波光に結合さ
れる状況をより詳細に第3図に示す。第3図は第1図の
基板1の横断面図の一部であり、CCG12b及びGC11bが含
まれた断面での断面図である。
The light collimated by the reflective lens 3b in the optical information medium 20 is
The situation of being diffracted by the CCGs 12a-12c and being coupled to the guided light by the GCs 11a-11c is shown in more detail in FIG. FIG. 3 is a part of a cross-sectional view of the substrate 1 of FIG. 1, and is a cross-sectional view including a CCG 12b and a GC 11b.

本実施例では、光源として第1図に示したように半導
体レーザ5を用いているので、環境温度、半導体レーザ
に注入する電流の強度、もどり光、その他の影響で半導
体レーザの発振波長は実動作中に変化してしまうことが
ある。このような場合、GCでの光の結合条件が変動する
ことにより、GCにおいて効率よく光を結合することがで
きなくなるという問題点がある。しかし、GCに光が入射
する以前に、CCGで光を回折しておくことにより、常に
高い効率で、GCにおいて光を結合できる。このことは、
特願平1−66196号明細書に記載されたと同様である。
In this embodiment, since the semiconductor laser 5 is used as a light source as shown in FIG. 1, the oscillation wavelength of the semiconductor laser is actually affected by the ambient temperature, the intensity of the current injected into the semiconductor laser, return light, and other effects. It may change during operation. In such a case, there is a problem that the light cannot be efficiently coupled in the GC due to a change in the light coupling condition in the GC. However, by diffracting the light by the CCG before the light is incident on the GC, the light can always be coupled in the GC with high efficiency. This means
This is the same as described in Japanese Patent Application No. 1-66196.

この様なGC及びCCGを用いた波長変動対策は、効果的
である。が、CCGを別途設ける必要がある、という煩雑
さがあることは否めない。そこで、CCGをいかに簡便に
作製するか、ということが、一つの技術課題となる。
Such a wavelength variation countermeasure using GC and CCG is effective. However, it cannot be denied that there is a complication that a CCG needs to be separately provided. Therefore, one technical issue is how to easily produce CCG.

GCとCCGを、簡便に作製する方法として、第1図及び
第2図に見るように、両者を同じ面上に形成することが
考えられる。GCやCCGの作製は、西原浩等著作・光集積
回路・オーム社・1985年に記載のように、半導体製造行
程などと同様な手法が用いられる。GCとCCGが同一の面
上にある場合、両者を同時に作製することが可能にな
る。それ故、グレーテイング及びCCGの作製が容易にな
る。
As a simple method for producing GC and CCG, as shown in FIGS. 1 and 2, it is conceivable to form both on the same surface. As described in Hiroshi Nishihara et al., Optical Integrated Circuits, Ohmsha, Ltd., 1985, GC and CCG are manufactured using the same method as in the semiconductor manufacturing process. When GC and CCG are on the same surface, both can be produced simultaneously. Therefore, the production of the grating and the CCG becomes easy.

さらに、レンズ10a〜10c,11a〜11cをGCと回折格子と
同一平面上に設けることが出来る。この様にすること
で、レンズを含め、多くの部分を同時に作製することが
可能となり、素子の作製が容易になる。
Further, the lenses 10a to 10c and 11a to 11c can be provided on the same plane as the GC and the diffraction grating. By doing so, many parts including the lens can be manufactured at the same time, and the manufacture of the element becomes easy.

グレーテイング及びCCGを同時に作製するプロセスの
例として、第4図に示した行程が考えられる。すなわ
ち、第4図a)の露光行程においては、基板1の上に導
波路2があり、さらに装荷層900,金属やITOなどの導電
層901,レジスト層902がある。但し、装荷層900は最終的
に加工されてCCGやグレーテイングとなる。また、導電
層901は、特に縮小露光投影法、密着露光法などの、チ
ヤージアツプ(基板が帯電すること。)が発生しない際
には、必ずしも必要でない。電子ビームでレンズ層902
に描画パターンを直接描画する際には必要なことがあ
り、チヤージアツプ防止を行なう。
As an example of a process for simultaneously producing the grating and the CCG, the process shown in FIG. 4 can be considered. That is, in the exposure step shown in FIG. 4A), the waveguide 2 is provided on the substrate 1, and further, the loading layer 900, the conductive layer 901 such as metal or ITO, and the resist layer 902 are provided. However, the loading layer 900 is finally processed to become CCG or grating. In addition, the conductive layer 901 is not always necessary especially when a charge gap (charge of the substrate) does not occur, such as a reduction exposure projection method and a contact exposure method. Lens layer 902 with electron beam
In some cases, it is necessary to directly draw a drawing pattern on the substrate, and the prevention of charge gap is performed.

第4図b)の現像行程においては、レジスト層902に
書かれたパターンを現像する。必要部分のレジストは除
かれる。
In the development step of FIG. 4B), the pattern written on the resist layer 902 is developed. A necessary portion of the resist is removed.

第4図c)のエツチング行程では、レジスト902をマ
スクにして、エツチングを行い、導電層901及び装荷層9
00をエツチングする。
In the etching step of FIG. 4C), etching is performed using the resist 902 as a mask, and the conductive layer 901 and the loading layer 9 are etched.
Etch 00.

第4図d)の不必要部分除去行程においては、レジス
ト層902及び導電層901を除去する。
In the unnecessary part removing step of FIG. 4D), the resist layer 902 and the conductive layer 901 are removed.

以上のような行程により、CCGとGCを同時に作製する
ことができ、製造行程を簡略化することが出来る。
Through the above steps, CCG and GC can be simultaneously manufactured, and the manufacturing steps can be simplified.

第4図に一例を示した、CCGとGCの同時作製は、行程
の簡略化の特徴と同時に、CCGとGCの厚みが同一に成る
という特徴を持つ。
Simultaneous production of CCG and GC, an example of which is shown in FIG. 4, has the feature that the thickness of CCG and GC is the same, as well as the simplification of the process.

GCの厚みは、適切な結合効率を得られるような放射損
失係数(光集積回路、西原浩等著、オーム社、1985年、
第93頁)から決定される。また、CCGの厚みは、適切な
回折効率を得られるように決定される。各々最適にされ
た厚みは、必ずしも一致しないことがある。逆に、両者
の厚みを一致させると、光利用効率が必ずしも最適とな
らない場合がある。
The thickness of the GC is determined by the radiation loss coefficient (Optical Integrated Circuit, written by Hiroshi Nishihara, Ohmsha, 1985,
93). The thickness of the CCG is determined so that an appropriate diffraction efficiency can be obtained. Each optimized thickness may not necessarily match. Conversely, if the thicknesses of the two are matched, the light use efficiency may not always be optimal.

結合効率の良好なGCの厚みは、回折効率の良好なCCG
の厚みに比べ、厚い場合が多い。両者の厚みを同じとす
ることで、GCは最適な厚みより厚くなることがある。ま
た、CCGは最適な厚みより薄くなることがある。GCで
は、放射損失係数(西原浩等著作・光集積回路・オーム
社・1985年・第93頁に定義される。)が大きくなりすぎ
ることがある。その結果、GCにおける結合効率が低下す
る。GCにおいては、十分な厚みが無いため、回折効率が
十分でないことがある。
The thickness of the GC with good coupling efficiency is the same as that of CCG with good diffraction efficiency.
Is often thicker than the thickness of By making the thickness of both the same, the GC may be thicker than the optimum thickness. Also, the CCG may be thinner than optimal. In GC, the radiation loss coefficient (defined by Hiroshi Nishihara et al., Optical Integrated Circuits, Ohmsha, 1985, p. 93) may be too large. As a result, the binding efficiency in GC decreases. In GC, the diffraction efficiency may not be sufficient because there is not enough thickness.

この様な矛盾を解消する一つの手段を、以降開示す
る。従来のGCにおいては、第5図(a)のように、格子
のライン(装荷されている部分)とスペース(装荷され
ていない部分)の比が1:1、あるいはそれに近い値であ
つた。これに対し、第5図(b)の様に、ラインとスペ
ースの比を1:1でなくすることを考える。第6図に、ラ
インとピツチ(ラインとスペースの和)の比をパラメー
ターにし、GCにおける結合効率の計算結果の一例を示
す。但し、計算条件として、GCの厚みが最適値より厚い
場合で、放射損失係数が大きすぎた場合を選択してい
る。
One means for resolving such a contradiction will be disclosed hereinafter. In the conventional GC, as shown in FIG. 5 (a), the ratio of the grid line (the loaded portion) to the space (the unloaded portion) was 1: 1 or a value close thereto. On the other hand, as shown in FIG. 5B, consider that the ratio of line to space is not 1: 1. FIG. 6 shows an example of the calculation results of the coupling efficiency in GC using the ratio of line and pitch (sum of line and space) as a parameter. However, as the calculation conditions, the case where the thickness of the GC is thicker than the optimum value and the case where the radiation loss coefficient is too large is selected.

第6図にみるように、放射損失係数が大きすぎるた
め、従来のGCにおけるライン/ピツチ比が0.5の近傍に
おいては、結合効率が低い。しかし、ライン/ピツチ比
が0.5を離れ、0.33以下、あるいは0.66以上となると、
放射損失係数が低下し、結合効率が向上してくる。特
に、この効果が大きい範囲は、上記のように、ライン/
ピツチ比が0.33以下、あるいは0.66以上の場合である。
これは、ライン幅がスペース幅の1/2以下、あるいは、
ライン幅がスペース幅の二倍以上に相当する。
As shown in FIG. 6, since the radiation loss coefficient is too large, the coupling efficiency is low when the line / pitch ratio in the conventional GC is around 0.5. However, when the line / pitch ratio leaves 0.5 and becomes 0.33 or less, or 0.66 or more,
The radiation loss coefficient decreases and the coupling efficiency increases. In particular, the range where this effect is large is, as described above, the line /
This is the case when the pitch ratio is 0.33 or less, or 0.66 or more.
This is because the line width is less than half the space width, or
The line width is equal to or more than twice the space width.

以上のようにライン/スペース比を調整することで、
プロセスを簡略化しつつ、GCにおける結合効率を改善し
て、光利用効率を向上させることが出来る。
By adjusting the line / space ratio as described above,
While simplifying the process, the coupling efficiency in GC can be improved, and the light use efficiency can be improved.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明に依れば、GCおよびCCGのパターン面を同じ導
波路面に配置できることから、パターニングプロセスに
於いて、GCとCCGとの位置決め精度が向上し、かつ簡単
な操作により位置決めでき、製造プロセスを簡略化する
ことができる。
According to the present invention, since the pattern surfaces of the GC and the CCG can be arranged on the same waveguide surface, in the patterning process, the positioning accuracy between the GC and the CCG is improved, and the positioning can be performed by a simple operation. Can be simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の実施例を示す斜視図、第2図は第1図
の縦断面図、第3図は第2図の部分拡大図、第4図はGC
とCCG、あるいはさらにレンズ作製のプロセス説明図、
第5図はGCの拡大断面図、第6図はライン/ピツチ比と
GCにおける結合効率の関係の説明図である。 1……基板、2……導波路、3a……レンズ、3b……レン
ズ、5……半導体レーザ、6a〜6e……光検出器、7a……
誘電体多層反射膜、10a〜10f……レンズ、11a,11b,11c
……グレーテイングカツプラ、12a,12b,12c……回折格
子、20……光情報媒体、21……情報ビツト、900……装
荷層、901……導電層、902……レジスト層。
1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a longitudinal sectional view of FIG. 1, FIG. 3 is a partially enlarged view of FIG. 2, and FIG.
And CCG, or even a process diagram of lens production,
FIG. 5 is an enlarged sectional view of the GC, and FIG.
FIG. 4 is an explanatory diagram of a relationship between coupling efficiencies in GC. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... board | substrate, 2 ... waveguide, 3a ... lens, 3b ... lens, 5 ... semiconductor laser, 6a-6e ... photodetector, 7a ...
Dielectric multilayer reflective film, 10a to 10f ... Lens, 11a, 11b, 11c
… Grating coupling, 12a, 12b, 12c… Diffraction grating, 20… Optical information medium, 21… Information bit, 900… Loading layer, 901… Conductive layer, 902… Resist layer

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】光源から射出し記録媒体から反射してきた
光を伝播する平面導波路と、前記反射してきた光を前記
平面導波路を伝播する光に変換するグレーティングカプ
ラと、 前記反射してきた光で、前記平面導波路の外部を伝播す
る光を回折する回折格子とを含む光ヘッドにおいて、 前記グレーティングカプラと前記回折格子が前記導波路
の上部の同一平面上に接して設けられ、前記回折格子及
び前記グレーティングカプラを前記平面導波路の上部に
略同じ厚みで設け、前記グレーティングカプラのスペー
スの幅をライン幅の2倍以上またはライン幅をスペース
の幅の2倍以上としたことを特徴とする光ヘッド。
1. A planar waveguide for transmitting light emitted from a light source and reflected from a recording medium, a grating coupler for converting the reflected light to light propagating through the planar waveguide, and the reflected light. An optical head comprising: a diffraction grating that diffracts light propagating outside the planar waveguide; wherein the grating coupler and the diffraction grating are provided in contact with a same plane above the waveguide, and the diffraction grating is provided. And the grating coupler is provided at substantially the same thickness above the planar waveguide, and the space width of the grating coupler is at least twice the line width or the line width is at least twice the space width. Light head.
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