JP2738607B2 - Light emitting element drive circuit - Google Patents

Light emitting element drive circuit

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は発光素子駆動回路に関
し、特に発光素子光出力の安定化を図ったものに関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device driving circuit, and more particularly to a circuit for stabilizing the light output of a light emitting device.

【0002】[0002]

【従来の技術】図2はシャープ株式会社のカタログシャ
ープ電子部品半導体レーザ編(昭和63年2月作成)2
7ページ 図27−2に記載されている従来の半導体発
光素子の駆動回路を示す図である。図において、10
1,102はそれぞれ低電位電源及び高電位電源であ
る。104はレーザ・ダイオード駆動用PNPトランジ
スタで、ベースがPNダイオード106及び抵抗109
を介して演算増幅器103の出力に接続されている。P
Nダイオード105及び抵抗107で形成される定電圧
は上記演算増幅器の非反転入力に印加され、フォトダイ
オード111及び抵抗108,可変抵抗112により形
成されるフォトダイオード出力電圧は演算増幅器103
の反転入力に印加されている。また113は高電位電源
102とPNPトランジスタ104のベースの間に接続
された容量、114及び116は演算増幅器103の出
力と反転入力の間に並列に接続された容量及び抵抗であ
る。
2. Description of the Related Art FIG. 2 is a catalog of Sharp Corporation's catalog of semiconductor lasers for electronic components (created in February 1988).
FIG. 7 is a diagram showing a drive circuit of the conventional semiconductor light emitting device shown in FIG. 27-2. In the figure, 10
Reference numerals 1 and 102 denote a low-potential power supply and a high-potential power supply, respectively. Reference numeral 104 denotes a laser diode driving PNP transistor whose base is a PN diode 106 and a resistor 109.
It is connected to the output of the operational amplifier 103 via a. P
The constant voltage formed by the N diode 105 and the resistor 107 is applied to the non-inverting input of the operational amplifier. The output voltage of the photodiode formed by the photodiode 111, the resistor 108, and the variable resistor 112 is calculated by the operational amplifier 103.
Is applied to the inverting input. Reference numeral 113 denotes a capacitor connected between the high-potential power supply 102 and the base of the PNP transistor 104, and reference numerals 114 and 116 denote a capacitor and a resistor connected in parallel between the output and the inverting input of the operational amplifier 103.

【0003】次いで動作について説明する。演算増幅器
103の非反転入力は、高電位電圧−VF (PNダイオ
ード105)で表わされる一定電位に接続されており、
その反転入力はフォトダイオード111のカソードが接
続され、抵抗108及び可変抵抗112を介して高電位
電源に接続されている。このため、レーザダイオード1
10の光出力が増加するにともない、フォトダイオード
111に発生する光起電流が増加し、上記演算増幅器1
03の反転入力電圧が低下するため、演算増幅器103
の出力電圧は上昇する。その結果、レーザダイオード駆
動用PNPトランジスタ104のベース電位及びエミッ
タ電位が上昇し、レーザダイオード駆動電流は減少し、
光出力は低下する。
Next, the operation will be described. The non-inverting input of the operational amplifier 103 is connected to a constant potential represented by a high potential voltage −V F (PN diode 105).
The inverting input is connected to the cathode of a photodiode 111, and is connected to a high potential power supply via a resistor 108 and a variable resistor 112. Therefore, the laser diode 1
As the optical output of the optical amplifier 10 increases, the photovoltaic current generated in the photodiode 111 increases, and
03 decreases, the operational amplifier 103
Output voltage rises. As a result, the base potential and the emitter potential of the laser diode driving PNP transistor 104 increase, the laser diode driving current decreases,
The light output drops.

【0004】また、レーザダイオード110の光出力が
低下した場合、上述と逆の動作を行い、レーザダイオー
ド駆動電流は増大し、光出力を増加させる。半導体レー
ザダイオードは周囲温度の変化にともない光出力が変化
するが、上述の回路動作により、周囲温度の変化に対
し、常に一定した光出力が得られる。可変抵抗112は
初期設定において光出力を希望する値に調整するために
用いられる。
When the light output of the laser diode 110 decreases, the operation reverse to the above is performed, and the laser diode drive current increases, thereby increasing the light output. Although the light output of the semiconductor laser diode changes with a change in the ambient temperature, the circuit operation described above always provides a constant light output with respect to the change in the ambient temperature. The variable resistor 112 is used for adjusting the light output to a desired value in the initial setting.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体発光素子
駆動回路は以上のように構成されているので、演算増幅
器を必要とし、またレーザダイオード駆動用に大電流出
力PNPトランジスタを必要とするため、素子数が多
く、また集積回路化に適さないという問題点があった。
その理由は、大電流出力PNPトランジスタは、通常の
集積回路に用いられるウエハプロセスでは大面積を要
し、かつNPNトランジスタに比べ特性的にも劣るから
である。
Since the conventional semiconductor light emitting element driving circuit is constructed as described above, it requires an operational amplifier and a large current output PNP transistor for driving a laser diode. There is a problem that the number of elements is large and that it is not suitable for integration into an integrated circuit.
The reason is that a large current output PNP transistor requires a large area in a wafer process used for a normal integrated circuit, and is inferior in characteristics to an NPN transistor.

【0006】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、少ない素子数で回路を構成でき
るとともに、集積回路化にも適した発光素子駆動回路を
得ることを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and has as its object to provide a light emitting element drive circuit which can be configured with a small number of elements and is suitable for integration into an integrated circuit. .

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明に係る発光素子
駆動回路は、発光素子と、電流源と発光素子駆動用NP
Nトランジスタとから構成され発光素子を電流駆動する
電流駆動回路と、発光素子の光出力の強度に比例して発
生する電流量の大きさが変化するフォトダイオードと、
フォトダイオードに流れ電流に応じた電流を出力す
る、PNPトランジスタからなる第1のカレントミラー
回路と、第1のカレントミラー回路の出力電流に応じた
電流を発生する、NPNトランジスタからなる第2のカ
レントミラー回路とを備え、第2のカレントミラー回路
の出力を前記電流源の出力に接続することによって負帰
還回路を構成したものである。
Means for Solving the Problems A light emitting element driving circuit according to the present invention comprises a light emission element, the current source and the light-emitting element driving NP
And <br/> current drive circuit is a light - emitting element for current drive composed of a N-transistor, originating in proportion to the intensity of the light output of the light emitting element
A photodiode in which the amount of generated current changes,
To output the current corresponding to the current flowing in the photodiode
A first current mirror circuit composed of a PNP transistor and an output current corresponding to the output current of the first current mirror circuit.
A second current generating NPN transistor;
And a rent mirror circuit, in which the output of the second current mirror circuit constitutes a negative feedback circuit I by the be connected to the output of the current source.

【0008】[0008]

【0009】[0009]

【作用】この発明におけるカレントミラー回路は、上述
のように構成したことにより、フォトダイオードの光起
電流の増減により出力電流が増減したとしても、電流源
出力電流が減増するような負帰還動作を行なうため、レ
ーザダイオードの光出力に変動が生じたとしても、これ
を打ち消すような動作を、大電流出力PNPトランジス
タや演算増幅器を使用せずに行なう。
The current mirror circuit according to the present invention is constructed as described above.
With this configuration , even if the output current increases or decreases due to the increase or decrease in the photoelectromotive current of the photodiode, a negative feedback operation is performed so that the current source output current decreases. even occurs, the operation to cancel this, row without a large current output PNP transistor and the operational amplifier.

【0010】[0010]

【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1(a) はこの発明の一実施例による発光素子駆
動回路を示す。図において、1及び2はそれぞれ低電位
電源及び高電位電源である。定電流源3及びNPNトラ
ンジスタ4はレーザダイオード10の電流駆動回路20
を構成する。フォトダイオード11のカソードはPNP
トランジスタ7及び8から構成されるPNPカレントミ
ラー回路30に入力され、PNPカレントミラー回路3
0の出力はNPNトランジスタ5及び6から構成される
NPNカレントミラー回路40の入力となる。NPNカ
レントミラー回路40の出力は電流源3の出力に接続さ
れている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1A shows a light emitting element driving circuit according to one embodiment of the present invention. In the figure, 1 and 2 are a low-potential power supply and a high-potential power supply, respectively. The constant current source 3 and the NPN transistor 4 serve as a current driving circuit 20 for the laser diode 10.
Is configured. The cathode of the photodiode 11 is PNP
The PNP current mirror circuit 3 is inputted to a PNP current mirror circuit 30 composed of transistors 7 and 8,
An output of 0 is an input of an NPN current mirror circuit 40 composed of NPN transistors 5 and 6. The output of the NPN current mirror circuit 40 is connected to the output of the current source 3.

【0011】次に動作について説明する。電流源3及び
NPNトランジスタ4はレーザダイオード10の駆動回
路20を構成する。周囲温度の上昇等により、レーザダ
イオード10の光出力が増加した場合、フォトダイオー
ド11に発生する光起電流もそれに比例して増加する。
フォトダイオード11の出力電流はPNPトランジスタ
7,8から構成されるPNPトランジスタカレントミラ
ー回路30と、NPNトランジスタ5,6から構成され
るNPNトランジスタカレントミラー回路40を介して
電流源3に接続されているため、レーザダイオードの光
出力に増加があると、フォトダイオードに発生する光起
電流は増加し、PNPトランジスタカレントミラー回路
30およびNPNトランジスタカレントミラー回路40
を流れる電流は増加するので、これに伴って電流源3の
出力電流は低下し、NPNトランジスタ4はよりオフ状
態に近いオンとなり、レーザダイオードの駆動電流を減
少させ、その光出力を低下させる。
Next, the operation will be described. The current source 3 and the NPN transistor 4 constitute a drive circuit 20 for the laser diode 10. When the light output of the laser diode 10 increases due to an increase in ambient temperature or the like, the photovoltaic current generated in the photodiode 11 also increases in proportion thereto.
The output current of the photodiode 11 is connected to the current source 3 via a PNP transistor current mirror circuit 30 including PNP transistors 7 and 8 and an NPN transistor current mirror circuit 40 including NPN transistors 5 and 6. Therefore, if the light output of the laser diode increases, the photovoltaic current generated in the photodiode increases, and the PNP transistor current mirror circuit 30 and the NPN transistor current mirror circuit 40
Since the current flowing increases, decreases the output current of the current source 3 along with this, NPN transistor 4 is turned on closer to the off state, to reduce the driving current of the laser diode, reduce the light output.

【0012】また、レーザダイオードの光出力が減少し
た場合、フォトダイオードの光起電流は減少し、電流源
3の出力電流は増加し、レーザダイオード駆動電流を増
大させ、光出力は上昇する。上述の動作によりレーザダ
イオードの光出力は一定となる。なお、可変抵抗9によ
り、NPNトランジスタカレントミラー回路の入力電流
と出力電流の関係を可変とすることができ、初期設定に
おいてレーザダイオードの光出力を希望する値に設定す
ることができる。
When the light output of the laser diode decreases, the photocurrent of the photodiode decreases, the output current of the current source 3 increases, the laser diode drive current increases, and the light output increases. The above operation makes the light output of the laser diode constant. Note that the relationship between the input current and the output current of the NPN transistor current mirror circuit can be made variable by the variable resistor 9, and the optical output of the laser diode can be set to a desired value in the initial setting.

【0013】このように、上記実施例では、フォトダイ
オードに発生する光起電流をPNPカレントミラー回路
の入力とし、PNPカレントミラー回路の出力をNPN
カレントミラー回路に入力し、このNPNカレントミラ
ー回路の出力を前記電流源の出力に接続することによ
り、負帰還回路を構成するようにしたので、レーザダイ
オードの光出力に変動が生じたとしても、これを打ち消
すような動作を、集積化に適した少数の素子のみで実現
できる。
As described above, in the above embodiment, the photovoltaic current generated in the photodiode is input to the PNP current mirror circuit, and the output of the PNP current mirror circuit is set to NPN.
A negative feedback circuit is configured by inputting the current to the current mirror circuit and connecting the output of the NPN current mirror circuit to the output of the current source. Therefore, even if the optical output of the laser diode fluctuates, An operation for canceling this can be realized with only a small number of elements suitable for integration.

【0014】なお、上記実施例では、レーザダイオード
のカソードと光出力を検出するフォトダイオードのアノ
ードが共通接続された発光素子に対し、光出力を一定化
させる回路構成を示したが、図1(b) にはレーザダイオ
ードのアノードとフォトダイオードのカソードが共通接
続された場合に、その光出力を一定化させるようにした
本発明の他の実施例を示す。
In the above-described embodiment, a circuit configuration for stabilizing the light output is shown for the light-emitting element in which the cathode of the laser diode and the anode of the photodiode for detecting the light output are connected in common. b) shows another embodiment of the present invention in which the light output is made constant when the anode of the laser diode and the cathode of the photodiode are commonly connected.

【0015】図1(b) において、電流源53及びNPN
トランジスタ54はレーザダイオード58の電流駆動回
路60を構成する。光出力を検出するフォトダイオード
59の発生する光起電流はNPNトランジスタ55,5
6によって構成されるNPNトランジスタカレントミラ
ー回路70の入力に接続され、カレントミラー回路70
の出力は前記電流源53の出力に接続される。
In FIG. 1B, a current source 53 and an NPN
The transistor 54 forms a current driving circuit 60 for the laser diode 58. The photovoltaic current generated by the photodiode 59 for detecting the light output is equal to the NPN transistors 55 and 5.
6 is connected to the input of an NPN transistor current mirror circuit 70 composed of
Is connected to the output of the current source 53.

【0016】次に動作について説明する。レーザダイオ
ード58の光出力に比例したフォトダイオードの光起電
流はNPNカレントミラー回路70に入力され、出力は
電流源53の出力に接続されているため、レーザダイオ
ードの光出力とレーザダイオードの駆動電流は負帰還回
路を構成する。従って、光出力は常に一定出力が得られ
る。なお、可変抵抗57はNPNトランジスタカレント
ミラー回路70の入力電流と出力電流の大きさの関係を
調整するため、初期設定においてレーザダイオードの光
出力を希望する値に設定することが可能である。
Next, the operation will be described. The photovoltaic current of the photodiode, which is proportional to the optical output of the laser diode 58, is input to the NPN current mirror circuit 70, and the output is connected to the output of the current source 53, so that the optical output of the laser diode and the drive current of the laser diode Constitutes a negative feedback circuit. Therefore, a constant light output is always obtained. The variable resistor 57 adjusts the relationship between the magnitude of the input current and the magnitude of the output current of the NPN transistor current mirror circuit 70, so that the optical output of the laser diode can be set to a desired value in the initial setting.

【0017】このように、上記実施例では、フォトダイ
オードに発生する光起電流をNPNカレントミラー回路
の入力とし、このNPNカレントミラー回路の出力を前
記電流源の出力に接続することにより、負帰還回路を構
成するようにしたので、レーザダイオードの光出力に変
動が生じたとしても、これを打ち消すような動作を、集
積化に適した、より少数の素子のみで実現できる。
As described above, in the above embodiment, the negative feedback is obtained by connecting the output of the NPN current mirror circuit to the output of the current source by using the photovoltaic current generated in the photodiode as the input to the NPN current mirror circuit. Since the circuit is configured, even if the optical output of the laser diode fluctuates, an operation for canceling the fluctuation can be realized with only a smaller number of elements suitable for integration.

【0018】また、上記各実施例では、発光素子がレー
ザダイオードである場合についてのみ示したが、通常の
発光ダイオードであってもよく、上記各実施例と同様の
効果を奏する。
In each of the above embodiments, only the case where the light emitting element is a laser diode has been described. However, a normal light emitting diode may be used, and the same effects as those of the above embodiments can be obtained.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上のように、この発明に係る発光素子
駆動回路によれば、発光素子と、電流源と発光素子駆動
用NPNトランジスタとから構成され発光素子を電流駆
動する電流駆動回路と、発光素子の光出力の強度に比例
して発生する電流量の大きさが変化するフォトダイオー
ドと、フォトダイオードに流れ電流に応じた電流を
力する、PNPトランジスタからなる第1のカレントミ
ラー回路と、第1のカレントミラー回路の出力電流に応
じた電流を発生する、NPNトランジスタからなる第2
のカレントミラー回路とを備え、第2のカレントミラー
回路の出力を前記電流源の出力に接続することによって
負帰還回路を構成するようにしたので、回路を少ない素
子数で、かつ集積回路に適した回路素子及び回路で構成
でき、回路が安価にでき、また集積回路化を実現できる
効果がある。
As it is evident from the foregoing description, according to the light emitting element driving circuit according to the present invention, a light - emitting element, light emitting element driving current source
The light-emitting element is composed of an NPN transistor for
Operating current drive circuit and proportional to the light output intensity of the light emitting element
Photodiode that changes the amount of current generated
Out and soil, a current corresponding to the current flowing in the photo diode
A first current mirror circuit composed of a PNP transistor and an output current of the first current mirror circuit.
The second current of the NPN transistor
Of a current mirror circuit, since the output of the second current mirror circuit was Unishi by that make up the <br/> negative feedback circuit I by the be connected to the output of the current source, less element circuit Consist of numbers and circuit elements and circuits suitable for integrated circuits
Thus , there is an effect that a circuit can be manufactured at a low cost and an integrated circuit can be realized .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施例による発光素子駆動回路を示
す回路図であり、(a) はその一実施例を示す回路図、
(b) はこの発明の他の実施例を示す発光素子駆動回路を
示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a light emitting element driving circuit according to an embodiment of the present invention, (a) is a circuit diagram showing one embodiment thereof,
(b) is a circuit diagram showing a light emitting element drive circuit according to another embodiment of the present invention.

【図2】従来の発光素子駆動回路を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional light emitting element drive circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,51 低電位電源 2,52 高電位電源 3,53 電流源 4,54 NPNトランジスタ 5,55 NPNトランジスタ 6,56 NPNトランジスタ 7 PNPトランジスタ 8 PNPトランジスタ 9,57 可変抵抗 10,58 レーザダイオード 11,59 フォトダイオード 12 可変抵抗 13 容量 14 容量 20,60 電流駆動回路 30 PNPカレントミラー回路 40,70 NPNカレントミラー回路 Reference Signs List 1,51 Low-potential power supply 2,52 High-potential power supply 3,53 Current source 4,54 NPN transistor 5,55 NPN transistor 6,56 NPN transistor 7 PNP transistor 8 PNP transistor 9,57 Variable resistor 10,58 Laser diode 11, 59 photodiode 12 variable resistor 13 capacitance 14 capacitance 20, 60 current drive circuit 30 PNP current mirror circuit 40, 70 NPN current mirror circuit

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 発光素子と、 電流源と発光素子駆動用NPNトランジスタとから構成
され発光素子を電流駆動する電流駆動回路と、 発光素子の光出力の強度に比例して発生する電流量の大
きさが変化するフォトダイオードと、 フォトダイオードに流れる電流に応じた電流を出力す
る、PNPトランジスタからなる第1のカレントミラー
回路と、 第1のカレントミラー回路の出力電流に応じた電流を発
生する、NPNトランジスタからなる第2のカレントミ
ラー回路とを備え、 第2のカレントミラー回路の出力を前記電流源の出力に
接続することによって負帰還回路を構成したことを特徴
とする発光素子駆動回路
A light emitting element; a current driving circuit comprising a current source and a light emitting element driving NPN transistor for driving the light emitting element with a current; and a large amount of current generated in proportion to the intensity of the light output of the light emitting element. A first current mirror circuit composed of a PNP transistor for outputting a current corresponding to a current flowing through the photodiode, a current corresponding to an output current of the first current mirror circuit, And a second current mirror circuit comprising an NPN transistor, wherein a negative feedback circuit is formed by connecting an output of the second current mirror circuit to an output of the current source .
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