JP2735010B2 - Semiconductor device and test method thereof - Google Patents

Semiconductor device and test method thereof

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JP2735010B2
JP2735010B2 JP6294411A JP29441194A JP2735010B2 JP 2735010 B2 JP2735010 B2 JP 2735010B2 JP 6294411 A JP6294411 A JP 6294411A JP 29441194 A JP29441194 A JP 29441194A JP 2735010 B2 JP2735010 B2 JP 2735010B2
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circuit
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敏夫 大城戸
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及びその試験
方法に係り、特にテスト用データをROMで内蔵した半
導体装置とその検査方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device and a test method therefor, and more particularly to a semiconductor device having test data stored in a ROM and a test method therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】単一の半導体基板上に集積されたメモリ
やデジタル論理回路等の各種機能を備えた半導体装置
が、所望の機能を有しているか否かを試験するため、こ
の半導体装置にテスタを接続して、所定のデータを入力
し、出力されたデータをテスタ内に容易された期待値デ
ータと比較して、一致していれば良品と判定する方法が
ある。
2. Description of the Related Art In order to test whether or not a semiconductor device having various functions such as a memory and a digital logic circuit integrated on a single semiconductor substrate has a desired function, the semiconductor device has to be tested. There is a method of connecting a tester, inputting predetermined data, comparing the output data with expected value data facilitated in the tester, and determining that the data is good if they match.

【0003】この方法とは別に、同一の半導体基板内に
テストデータやテスト制御機能、期待値データ等を内蔵
して、これにより試験を行い、外部のテスタを用意せず
に済ませるか、またはテスタの機能を大幅に軽減するこ
とにより、試験を行う方法がある。
[0003] Apart from this method, test data, a test control function, expected value data, and the like are built in the same semiconductor substrate, and a test is performed using the test data and an external tester. There is a method of performing tests by greatly reducing the function of.

【0004】後者の試験方法の例として、図4に示すよ
うな特開昭58−5545号公報に記載されているも
のがある。図4の半導体装置は、半導体集積回路基板3
の上に、外部からのテストデータを入力する入力端子
47と、前記テストデータを受けて所定の信号処理を実
行して出力端子53に処理結果を出力する半導体装置本
41と、前記半導体装置本体部41をテストするた
めのテストデータ格納した第1のメモリ42と、前記
テストデータ入力に対応して前記半導体装置本体
から出力されると期待される期待値データとを格納し
第2のメモリ57と、前記半導体装置本体41のテ
ストを実行するとき、前記第1のメモリ42に格納され
たテストデータを前記半導体装置本体41に与えるテ
スト制御回路43と、前記第1のメモリに格納された
ストデータを前記半導体装置本体部41に入力したとき
前記半導体装置本体41から出力される出力データ
と前記第2のメモリ57に格納された期待値データとを
比較する比較回路52とを備えている
FIG. 4 shows an example of the latter test method .
It has also been described in una JP 58- 8 5545 JP
There is The semiconductor device of FIG.
On 0, an input terminal 47 for inputting the test data from the outside, and the semiconductor device main body 41 for outputting the processing result to the output terminal 53 by executing a predetermined signal processing by receiving the test data, the semiconductor To test the device body 41
A first memory 42 for storing the order of test data, the
Wherein in response to the test data input semiconductor device main body 4
And the expected value data expected to be output from
A second memory 57, when performing a test of the semiconductor device main body 41, a test control circuit 43 to provide a test data stored in the first memory 42 in the semiconductor device main body 41, the first When the test data stored in the memory 1 is input to the semiconductor device main body 41
The semiconductor device Bei Eteiru a comparing circuit 52 for outputting data <br/> and output from the main body portion 41 for comparing the expected value stored in the second memory 57 data.

【0005】ここで、第1,第2のメモリ42,57
は、クロック信号を受けて作動するアドレスカウンタ5
8によって、アドレス制御されて、メモリ内のデータが
読み出される。読み出されたテストパターンは、マルチ
プレクサ(MPX)56を介して、本体41に入力され
る。第2のメモリ57から読み出された出力パターン
は、比較回路52に与えられ、フリップフロップ(F
F)55を介して与えられた本体41の応答パターンと
比較される。この構成では、クロック信号は端子49か
ら与えられ、制御信号は端子48から与えられて、テス
ト制御回路43は所定の制御信号を各部に供給する。こ
のため、入力端子48,49に与える信号をテスタに用
意すればよく、テスタ内の機能は簡素化される。
Here, the first and second memories 42, 57
Is an address counter 5 that operates in response to a clock signal.
8, the data in the memory is read out under the address control. The read test pattern is input to the main body 41 via the multiplexer (MPX) 56. The output pattern read from the second memory 57 is given to the comparison circuit 52, and the flip-flop (F
F) Compared with the response pattern of the main body 41 given via 55. In this configuration, a clock signal is supplied from a terminal 49, a control signal is supplied from a terminal 48, and the test control circuit 43 supplies a predetermined control signal to each unit. For this reason, it is only necessary to prepare signals to be supplied to the input terminals 48 and 49 in the tester, and functions in the tester are simplified.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな半導体装置の構成は、半導体装置本体41自体の欠
陥を発見しようとするものであるが、判定の信頼性は乏
しい。これは、検査をするための第1,第2のメモリ4
2,57内の記憶データの信頼性が、本体1と同等程度
のものであることに起因する。例えば、第1のメモリ4
2内のデータに欠陥があると、本体41の出力データは
当然第2のメモリ57内のデータと一致せず、不良品と
判定されるが、この場合半導体装置本体41にはなんら
欠陥がないこともあり、良品と判定されるべきところで
ある。また、第2のメモリ57に欠陥がある場合も、良
品と判定されるべきところを、不良品と判定されてしま
う。
However, such a structure of the semiconductor device seeks to find a defect in the semiconductor device body 41 itself, but the reliability of the determination is poor. This is the first and second memories 4 for performing inspection.
This is because the reliability of the stored data in the storage devices 2 and 57 is almost the same as that of the main body 1. For example, the first memory 4
2 has a defect, the output data of the main body 41 does not naturally match the data in the second memory 57 and is determined to be defective. In this case, the semiconductor device main body 41 has no defect. In some cases, it should be judged good. Further, also in the case where the second memory 57 has a defect, a part which should be determined as a non-defective product is determined as a defective product.

【0007】従って、判定の信頼性は極めて乏しいもの
となり、しかも試験を行う側即ち第1,第2のメモリ4
2,57の記憶データの欠陥を発見する手段がなんらな
いことは特に問題であり、実施性に乏しい。
Therefore, the reliability of the judgment becomes extremely poor, and the test side, that is, the first and second memories 4
It is particularly problematic that there is no means for finding the defects of the 2,57 stored data, and the implementation is poor.

【0008】以上のような諸問題等に鑑み、本発明は次
の課題を掲げる。(1)同一の基板内に形成された試験
回路の信頼性を、本体の信頼性と比較して、かなり高い
ものとすること。(2)試験専用の外部端子(ピン)の
増加を少なくし、テスタの端子との整合性を高めるこ
と。(3)互いに相違する試験回路を使用して、少なく
とも二重の試験が行えるような回路構成とすること。
(4)判定信号が極めて単純な出力信号となるようにす
ること。(5)半導体装置の製造歩留りの無意味な低下
を防止するようにすること。(6)試験回路が不良であ
ることが分っても、半導体装置本体の試験が行えるよう
にすること。(7)試験時間が短縮されるようにするこ
と。(8)半導体装置本体の信頼性の高いものを供給で
きるようにすること。(9)テスタと接続する場合に、
複雑なインターフェイスを必要としないように、バラン
ス良く半導体装置側にテストの役割りを分担させるよう
にすること。(10)半導体装置を製造後にテスト項目
を変更したい場合には、直ちに外部から入力できるよう
に構成すること。
In view of the above problems, the present invention has the following problems. (1) The reliability of a test circuit formed on the same substrate is considerably higher than that of the main body. (2) To increase the number of external terminals (pins) dedicated to the test and improve the consistency with the terminals of the tester. (3) A circuit configuration that allows at least double testing using different test circuits.
(4) The determination signal should be an extremely simple output signal. (5) To prevent a meaningless decrease in the production yield of semiconductor devices. (6) To be able to test the semiconductor device body even if it is found that the test circuit is defective. (7) To shorten the test time. (8) To supply a highly reliable semiconductor device body. (9) When connecting to a tester,
The role of testing should be assigned to the semiconductor device in a well-balanced manner so that complicated interfaces are not required. (10) If it is desired to change a test item after manufacturing a semiconductor device, the test item should be configured to be input from the outside immediately.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
本発明は、試験対象となる半導体装置本体と、前記
導体装置本体に与えるテストデータ及び前記テストデ
ータの誤りを検査するためのデータ格納したメモリ
と、前記テストデータを読み出して前記半導体装置本体
に入力するように制御するテスト制御回路と前記メ
モリに記憶したテストデータが誤って記憶されているか
否かを検査するテストデータ検査回路、同じ半導体
集積回路基板上に形成されていることを特徴とする半導
体装置とした
Means for Solving the Problems] To solve the above problems <br/> present invention includes a semiconductor device body portion to be tested, the half
Test data and the Tesutode give to the conductor system body
A memory storing data for checking data errors, and reading the test data to read the semiconductor device body.
A test control circuit for controlling to input the part, and the test data check circuit for checking whether the test data stored in the memory is stored by mistake is, the same semiconductor
A semiconductor characterized by being formed on an integrated circuit substrate
Body device .

【0010】また、試験対象となる半導体装置本体
と、前記半導体装置本体に与えるテストデータ及び
記テストデータに対応して前記半導体装置本体から得
られると期待される期待値データを記憶したメモリと、
前記テストデータを読み出して前記半導体装置本体に入
力するように制御するテスト制御回路と、前記メモリに
記憶したテストデータを半導体装置本体部に与えたとき
に出力される出力データ前記メモリに記憶された期待
値データとを比較照合して検査する一致回路とが、同じ
半導体集積回路基板上に形成されていることを特徴とす
半導体装置とし、また、前記の半導体装置の各々につ
いて、外部から入力されるシリアル形式のテストデータ
シリアル形式から並列形式に変換する直並列変換回路
前記半導体集積回路基板上に形成し、前記直並列変換
回路からのテストデータ出力と前記テストデータを記憶
したメモリからのテストデータ出力を前記テスト制御回
路によりセレクタを制御して選択出力し、前記半導体装
置本体部に与えるようにようにした
[0010]Also,Semiconductor device body to be testedDepartment
And the saidSemiconductor deviceBodyDepartmentTest data andPrevious
Corresponding to the test dataSaidSemiconductor deviceBodyDepartmentFrom
BeExpectedA memory storing expected value data,
Read out the test data andSemiconductor deviceEnter the body
A test control circuit for controlling theIn the memory
Test data stored in semiconductor deviceBodyWhen given to the department
Output todataWhenExpectations stored in the memory
Value dataComparisonCollationThen inspectMatching circuitBut the same
Semiconductor integrated circuitCharacterized by being formed on a substrate
ToA semiconductor device, and each of the aforementioned semiconductor devices
AndFrom outsideThe input serial formattest data
ToFrom serial formatParallelFormatConvertSerial-parallel conversioncircuit
ToSaidSemiconductor integrated circuitForm on substrateAnd the serial-parallel conversion
Test data output from the circuit and storing the test data
The test data output from the memory
The selector controls and outputs the output by controlling the selector by the path.
To be given to the main body.

【0011】また、テストデータ検査回路により前記メ
モリに格納されているテストデータに検出された
ときには、前記直並列変換回路からのテストデータ出力
を選択して前記半導体装置本体与えて試験するよう
にしたことを特徴とする半導体装置の試験方法とした
Further, there is any error in the test data by the test data check circuit is stored in the memory is detected
When the test data output from the serial-parallel conversion circuit
To test given to the semiconductor device body portion by selecting
A method for testing a semiconductor device, characterized in that:

【0012】[0012]

【実施例】本発明の第1の実施例のブロック図を示す図
1を参照すると、この実施例の半導体装置は、演算処理
等を行うロジック回路や一時記憶メモリ,ROM等を含
み、装置本来の機能を有するように構成された半導体装
置本体1と、この本体1の試験に必要なテストデータを
記憶させたテスト専用ROM2と、このROM2内の記
憶データに欠陥があるか否かを検査する検査回路4と、
複数からなる入力端子8のうちの一端子から入力された
シリアルなテストデータをパラレルデータに変換する直
並列変換回路5と、この変換回路5の出力とテスト専用
ROM2の記憶データとのうちどちらかを選択して本体
1に出力するセレクタ6と、セレクタ6,直並列変換回
路5,テスト専用ROM2,本体1等に、一連の試験を
行うために必要とする制御信号を出力するテスト制御回
路3とを半導体基板31上に備える。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to FIG. 1 which shows a block diagram of a first embodiment of the present invention, a semiconductor device of this embodiment includes a logic circuit for performing arithmetic processing, a temporary storage memory, a ROM, and the like. A semiconductor device main body 1 configured to have the functions described above, a test-dedicated ROM 2 storing test data necessary for testing the main body 1, and an inspection as to whether the stored data in the ROM 2 is defective. An inspection circuit 4;
A serial-to-parallel conversion circuit 5 for converting serial test data input from one of the plurality of input terminals 8 into parallel data; and one of the output of the conversion circuit 5 and the data stored in the test ROM 2 And a test control circuit 3 for outputting a control signal necessary for performing a series of tests to the selector 6, a selector 6, a serial / parallel conversion circuit 5, a test ROM 2, a main body 1, etc. Are provided on the semiconductor substrate 31.

【0013】ここで、試験対象となる半導体装置本体1
の回路は、通常モードで動作するすべての回路が含まれ
ることが望ましいが、特に重点的に試験を行う必要のあ
る回路に限定されてもよい。入力端子7は、例えば12
ビットデータが入力される場合は12本からなり、出力
端子10も12本からなる。本体1を機能させる制御信
号発生回路は、通常モード動作の場合は図示されておら
ず、試験モード動作の場合はテスト制御回路3が利用さ
れる。このテスト制御回路3には、クロック信号が入力
される端子9と制御信号又はテストデータが入力される
複数の端子8とが接続される。制御信号を入力するかテ
ストデータを入力するかは、複数の端子8の入力信号の
組み合わせによって決定され、テストデータが入力され
る場合は、これを直並列変換回路5へ出力する。試験を
行う際に入力端子7からテストデータが入力される場合
(後述の第2のテストモード時)には、試験に必要なデ
ータをより迅速に確保するため、入力端子8からもテス
トデータがシリアル信号として入力され、並列に変換さ
れ、セレクタ6を介して本体1に入力される。通常モー
ド時には、上述した試験回路は必要でないため、本体1
に支障を与えないように、入力出力関係をカットすべ
く、インターフェイスが用意されるが、図示していな
い。逆に試験モードに設定された場合には、テスト制御
回路3からの制御信号、セレクタ6からのテストデータ
が本体1に印加さるように、選択される。
Here, the semiconductor device body 1 to be tested is
It is desirable that all the circuits operating in the normal mode are included, but the circuits may be limited to circuits that need to be tested particularly heavily. The input terminal 7 is, for example, 12
When bit data is input, it is composed of 12 lines, and the output terminal 10 is also composed of 12 lines. The control signal generating circuit that causes the main body 1 to function is not shown in the case of the normal mode operation, and the test control circuit 3 is used in the case of the test mode operation. The test control circuit 3 is connected to a terminal 9 to which a clock signal is input and a plurality of terminals 8 to which a control signal or test data is input. Whether to input a control signal or test data is determined by a combination of input signals of a plurality of terminals 8. When test data is input, the test data is output to the serial-parallel conversion circuit 5. When test data is input from the input terminal 7 when performing a test (in a second test mode described later), test data is also input from the input terminal 8 to secure data required for the test more quickly. It is input as a serial signal, converted in parallel, and input to the main unit 1 via the selector 6. In the normal mode, since the test circuit described above is not necessary,
An interface is provided to cut the input / output relationship so as not to affect the operation, but is not shown. Conversely, when the test mode is set, the control signal from the test control circuit 3 and the test data from the selector 6 are selected so as to be applied to the main body 1.

【0014】ここで、検査回路4の一例を示す図3を参
照すると、この検査回路は、例えば8ビットデータ20
と1ビットのパリティビット23とがテスト専用ROM
2から入力される9ビットのレジスタ24と、計8個か
らなる2入力の排他的論理和(Exclusive O
R)ゲート21と、唯一つの出力端子22とを有する。
例えば8ビットデータ20の論理1の合計が偶数の場合
には、パリティビット23を論理1に設定すると共に、
8ビットデータ20の論理1の合計が奇数の場合には、
パリティビット23を論理0に設定して、あらかじめテ
スト専用ROM2に記憶してある。従って、ROM2に
は、正常であれば論理1の合計が常に奇数となるように
記憶されている。2入力EX/OR21のゲートの出力
端子22には、正常であれば論理1レベルが出力され、
8ビットデータ中に1ビット等の誤記憶があれば、出力
端子22には論理0レベルが出力され、この信号は出力
端子11をモニターすれば直ちに判別できる。一連の8
ビットデータが連続的に検査回路4に入力されて判定結
果が出力されるので、出力端子11を検査するテスタで
は、一連の判定結果を記憶して、アドレスデータと比較
することにより、誤記憶されているメモリ・セルが特定
できるが、1ビットでも誤記憶されていれば、このテス
ト専用ROM2を不良と判断するのであれば、特定の必
要はない。
Here, referring to FIG. 3 showing an example of the inspection circuit 4, this inspection circuit is, for example, an 8-bit data 20.
And a 1-bit parity bit 23 are dedicated test ROM
The exclusive OR (Exclusive O) of a 9-bit register 24 input from 2 and a total of 8 inputs of 2 inputs
R) It has a gate 21 and only one output terminal 22.
For example, when the sum of logical 1 of the 8-bit data 20 is an even number, the parity bit 23 is set to logical 1 and
When the sum of logic 1 of the 8-bit data 20 is odd,
The parity bit 23 is set to logic 0 and is stored in the test-only ROM 2 in advance. Therefore, the ROM 2 stores the logic 1 so that the total is always odd if it is normal. A logic 1 level is output to the output terminal 22 of the gate of the two-input EX / OR 21 if normal,
If one bit or the like is erroneously stored in the 8-bit data, a logical 0 level is output to the output terminal 22. This signal can be immediately identified by monitoring the output terminal 11. A series of eight
Since the bit data is continuously input to the inspection circuit 4 and the judgment result is output, the tester for inspecting the output terminal 11 stores a series of judgment results and compares them with the address data, thereby causing an erroneous storage. The memory cell in question can be specified, but if even one bit is erroneously stored, there is no need to specify if the test-only ROM 2 is determined to be defective.

【0015】検査回路4としては、図3のような回路で
よいが、この他に、8ビット内の論理1を計数して、奇
数か偶数かを判別することにより、欠陥を判定するよう
にしてもよい。
The inspection circuit 4 may be a circuit as shown in FIG. 3. In addition, a defect is determined by counting logic 1 in 8 bits and determining whether the number is odd or even. You may.

【0016】テスト専用ROM2は、半導体装置本体
1のテストに用いられるテストデータと、検査回路4が
テストデータの誤りを検査するための検査データとが
納されており、テスト制御回路3から与えられるアドレ
ス信号に応じて、テストデータをセレクタ6に供給し
また、テストデータとテストデータの誤りを検査するた
めの検査データを検査回路4に供給する。テスト制御回
路3は、外部端子8から入力される制御信号と外部端子
9から入力されるクロック信号とによって、テスト専用
ROM2のアドレス信号、直並列変換回路5のシリアル
信号、セレクタ6の制御信号、及び半導体装置本体1の
動作モードを制御する。検査回路4は、テスト専用RO
M2に格納されている検査データを利用して、テスト専
用ROM2に記憶されているテストデータに誤りがない
どうかを検査して、検査結果を外部端子11に出力す
る。外部端子8から入力されるシリアル形式のテストデ
ータは、テスト制御回路3を経由して直並列変換回路5
に入力され、パラレル形式の信号に変換してセレクタ6
に入力される。セレクタ6は、テスト制御回路3からの
制御信号によ、テスト専用ROM2からのテストデー
タと直並列変換回路5からのテストデータとを切り換え
て、半導体装置本体1に供給する。
[0016] The test-only ROM 2, the test data used for testing the semiconductor device main body 1, and test data for testing circuit 4 to check an error in test data rating
And supplies test data to the selector 6 in accordance with an address signal given from the test control circuit 3,
Also, supplying the check data for checking an error of the test data and test data to the test circuit 4. The test control circuit 3 receives an address signal of the test dedicated ROM 2, a serial signal of the serial-parallel conversion circuit 5, a control signal of the selector 6, a control signal input from the external terminal 8 and a clock signal input from the external terminal 9. And an operation mode of the semiconductor device body 1. Inspection circuit 4 is a dedicated test RO
Using the test data stored in M2, it examines the test data stored in the testing only ROM2 whether there is no error, and outputs the test result to the external terminal 11. Serial format test data input from external terminal 8
The data is transmitted to the serial / parallel conversion circuit 5 via the test control circuit 3.
Is converted to a signal in a parallel format,
It is entered into. The selector 6 is Ri by the control signal from the test control circuit 3, switching between the test data from the test data and serial-parallel conversion circuit 5 from the test dedicated ROM 2, are supplied to the semiconductor device main body 1.

【0017】半導体装置本体1のテストモードの動作
は、外部端子8・外部端子9を操作して、テスト制御回
路3を動作させ、半導体装置本体1の制御信号をテスト
モードに設定することにより、半導体装置本体1をテス
トモードに設定し、セレクタ6からのテストデータによ
って信号処理を行い、その結果を外部端子10に出力す
る。
The operation of the semiconductor device body 1 in the test mode is performed by operating the external terminal 8 and the external terminal 9 to operate the test control circuit 3 and setting the control signal of the semiconductor device body 1 to the test mode. The semiconductor device main body 1 is set to a test mode, signal processing is performed based on test data from the selector 6, and the result is output to the external terminal 10.

【0018】通常のテストモードでは、セレクタ6はテ
スト専用ROM2からのテストデータを半導体装置本体
1に入力するように、テスト制御回路3によって設定さ
れている。
In the normal test mode, the selector 6 is set by the test control circuit 3 so that the test data from the test ROM 2 is input to the semiconductor device body 1.

【0019】本実施例の半導体装置の試験方法として、
第1のテストモードと第2のテストモードとが用意され
ている。まず、第1のテストモードについて説明する。
外部端子9から入力されるクロック信号により、テスト
制御回路3は、テスト専用ROM2のアドレス信号を設
定し、半導体装置本体1にテストデータを入力し、テス
ト専用ROM2に書き込まれているテストデータによっ
て信号処理を行い、その結果を外部端子10に出力す
る。このとき、外部端子10から出力される信号が、テ
スト専用ROM2から与えられるテストデータによる信
号処理の期待値と一致しているか否かにより、半導体装
置本体1のテストの判定を行う。この隙外部端子10と
ともに、検査回路4の検査結果が出力される外部端子1
1も監視し、テスト専用ROM2に書き込まれているテ
ストデータに誤りが無いかを判定する。外部端子9から
入力されるクロック信号により、テスト制御回路3はテ
スト専用ROM2のアドレス信号を更新し、テストデー
タを半導体装置本体1に与えることによって、順次半導
体装置本体1のテストを行う。
As a test method of the semiconductor device of this embodiment,
A first test mode and a second test mode are provided. First, the first test mode will be described.
The test control circuit 3 sets an address signal of the dedicated test ROM 2 according to a clock signal input from the external terminal 9, inputs test data to the semiconductor device body 1, and outputs a signal based on the test data written in the dedicated test ROM 2. Processing is performed, and the result is output to the external terminal 10. At this time, the test of the semiconductor device main body 1 is determined based on whether or not the signal output from the external terminal 10 matches the expected value of the signal processing based on the test data given from the test ROM 2. The external terminal 1 to which the inspection result of the inspection circuit 4 is output together with the gap external terminal 10.
1 is also monitored to determine whether there is any error in the test data written in the test ROM 2. The test control circuit 3 updates the address signal of the test ROM 2 in response to the clock signal input from the external terminal 9 and supplies the test data to the semiconductor device body 1 to sequentially test the semiconductor device body 1.

【0020】外部端子11に出力される検査回路4の検
査結果により、テスト専用ROM2に書き込まれている
テストデータに誤りが発見されない場合には、出力端子
10から得られた本体1の処理後のデータと、テスタ内
に用意された期待値データとが照合され、双方のデータ
が一致していれば、この半導体装置31は、良品と判定
され、出荷対象となるが、双方のデータが不一致であれ
ば、半導体装置本体1を不良回路とみなし、この半導体
装置31は廃棄される。以上で、第1のテストモードに
おける試験が終了する。
If no error is found in the test data written in the dedicated test ROM 2 based on the test result of the test circuit 4 output to the external terminal 11, the main unit 1 obtained from the output terminal 10 after processing is processed. The data and the expected value data prepared in the tester are collated, and if both data match, the semiconductor device 31 is determined to be a non-defective product and is to be shipped. If there is, the semiconductor device main body 1 is regarded as a defective circuit, and the semiconductor device 31 is discarded. Thus, the test in the first test mode is completed.

【0021】次に、テスト専用ROM2に欠陥が発見さ
れた場合を第2のテストモードとして、以下の試験を行
う。外部端子11に出力される検査回路4の検査結果に
より、テスト専用ROM2に書き込まれているテストデ
ータに誤りが発見された場合には、その項目のテスト結
果を無効とし、複数の外部端子8の特定の論理組み合わ
せにより、テスト制御回路3を第2のテストモードに設
定する。この場合は、直並列変換回路5の出力が、半導
体装置本体1に入力されるように、セレクタ6が設定さ
れ、半導体装置外部からテストデータを入力する第2の
テストモードに設定される。次に、外部端子8からテス
ト制御回路3を通して正常なテストデータをシリアル信
号で直並列変換回路5に転送し、半導体装置本体1に入
力することにより、正常なテストデータでのテストを行
う。出力端子10から得られたデータが、テスタ内の期
待値データと一致していれば、本体1を良品とみなし、
この半導体装置を良品と判定する。不一致であれば、不
良品と判定する。
Next, the following test is performed by setting a case where a defect is found in the test ROM 2 as a second test mode. If an error is found in the test data written in the dedicated test ROM 2 based on the inspection result of the inspection circuit 4 output to the external terminal 11, the test result of that item is invalidated, and a plurality of external terminals 8 The test control circuit 3 is set to the second test mode by a specific logical combination. In this case, the selector 6 is set so that the output of the serial-parallel conversion circuit 5 is input to the semiconductor device main body 1, and the second test mode for inputting test data from outside the semiconductor device is set. Next, normal test data is transferred from the external terminal 8 through the test control circuit 3 to the serial-parallel conversion circuit 5 as a serial signal, and is input to the semiconductor device main body 1 to perform a test using normal test data. If the data obtained from the output terminal 10 matches the expected value data in the tester, the main body 1 is regarded as a non-defective product,
This semiconductor device is determined to be good. If they do not match, it is determined to be defective.

【0022】尚、第2のテストモードにおいては、テス
トに必要なデータが入力端子7からも入力され、端子8
からのシリアルデータがこれに加わるので、試験時間が
短縮される。
In the second test mode, data necessary for the test is also inputted from the input terminal 7 and the terminal 8
The test time is shortened because the serial data from this is added to this.

【0023】検査回路4があるので、テスト専用ROM
2内のデータの信頼性が高まり、これにより行われる第
1のテストモードの試験の信頼性が向上する。
Since there is an inspection circuit 4, a ROM dedicated for testing
2, the reliability of the data in the first test mode is improved.

【0024】また、第1のテストモードで救済されなか
った場合には、第2のテストモードで試験できるよう
に、直並列変換回路5を使用できるので、誤って本体1
を不良と判定する危険性が極めて小さくなり、製造歩留
りを低下させることがない。
If the repair is not performed in the first test mode, the serial-parallel conversion circuit 5 can be used so that the test can be performed in the second test mode.
Is extremely small, and the manufacturing yield is not reduced.

【0025】また、不足するデータは、シリアル信号と
して入力した後にパラレル信に変換するようにしてい
るので、この部分の端子数は一本で済む。
Further, data to be insufficient, have to be converted to parallel signals after the input as serial signals
Runode, the number of terminals of this portion requires only one.

【0026】テスト制御機能及びテスト専用データの記
憶機能を半導体装置側に分担させているので、テスタと
のマッチングが良好で、複雑なインターフェイスを必要
としない。
Since the test control function and the storage function of test-specific data are assigned to the semiconductor device, the matching with the tester is good, and a complicated interface is not required.

【0027】尚、第1のテストモードで良品と判定され
た半導体装置を、さらに第2のテストモードで試験する
ことができるから、この場合は極めて信頼性の高い半導
体装置本体が供給できる。
It should be noted that a semiconductor device determined to be non-defective in the first test mode can be further tested in the second test mode. In this case, an extremely reliable semiconductor device body can be supplied.

【0028】また、半導体装置外部よりテストデータを
与えることが可能なため、半導体装置製造後にテスト項
目の追加を行うことができるという利点もある。
Further, since test data can be given from outside the semiconductor device, there is an advantage that test items can be added after the semiconductor device is manufactured.

【0029】本発明の第2の実施例のブロック図を示す
図2を参照すると、この実施例の半導体集積回路基板3
2は、一致回路12を設けたこととテスト専用ROM2
に期待値データも記憶させたこと以外、上記第1の実施
例と共通するため、共通した構成・効果の説明を省く。
Referring to FIG. 2 which shows a block diagram of a second embodiment of the present invention, a semiconductor integrated circuit board 3 of this embodiment is shown.
2 is a ROM 2 dedicated to the provision of the matching circuit 12
Since the third embodiment is common to the first embodiment except that expected value data is also stored in the first embodiment, description of common configurations and effects will be omitted.

【0030】検査回路4は、テスト専用ROM2内のテ
ストデータだけでなく、期待値データの検査も行う。
The inspection circuit 4 inspects not only test data in the test ROM 2 but also expected value data.

【0031】一致回路12は、テスト専用ROM2内の
期待値データと本体1から出力されたデータとの比較を
行い、一致していれば出力端子10に論理1又は0を出
力する。この一致回路2は、例えば一方のデータの補数
をとり、これと他方のデータとを加算することにより、
加算値が論理0以外を不一致とする回路で達成させる。
The coincidence circuit 12 compares the expected value data in the test ROM 2 with the data output from the main unit 1, and outputs a logical 1 or 0 to the output terminal 10 if they match. The matching circuit 2 takes, for example, the complement of one data and adds this to the other data,
This is achieved by a circuit in which the added value does not match a value other than logic 0.

【0032】この実施例によれば、期待値データをテス
タ側に用意する必要がなく、また一致・不一致を検査す
る回路もテスタ側に用意する必要がないため、テスタと
のマッチング性がより良好となる。
According to this embodiment, there is no need to prepare expected value data on the tester side, and it is not necessary to provide a circuit for checking for coincidence / mismatch on the tester side, so that the matching property with the tester is better. Becomes

【0033】尚、テスト専用ROM2に書き込まれてい
るテストデータの検査手段は、図3に示したパリティチ
ェックの他に、チェックサム等の各種手段がある。
The means for checking the test data written in the dedicated test ROM 2 includes various means such as a checksum in addition to the parity check shown in FIG.

【0034】図1,図2中の矢印は、データの流れを太
線で、制御信号の流れを細線で示している。
The arrows in FIGS. 1 and 2 indicate the flow of data by thick lines and the flow of control signals by thin lines.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、テ
スト専用ROMのデータを検査する検査回路や、テスト
制御回路から与えられたシリアル信号をパラレル信号に
変換する直並列変換回路等を内蔵した事により、外部端
子の増加やテスト時間の増加を防ぐ事ができるととも
に、半導体装置に内蔵されたテスト専用ROMに欠陥が
あった場合には、半導体装置外部よりテストデータを与
えることにより半導体装置本体のテストを行い、テスト
専用ROMの欠陥による半導体装置の歩留まり低下を防
ぐことが可能になる等の効果が得られ、上記課題がこと
ごとく達成される。
As described above, according to the present invention, a test circuit for testing data in a test ROM, a serial / parallel conversion circuit for converting a serial signal provided from a test control circuit into a parallel signal, and the like are incorporated. By doing so, it is possible to prevent an increase in the number of external terminals and an increase in test time, and in the case where a test-dedicated ROM built in the semiconductor device has a defect, by supplying test data from outside the semiconductor device to the semiconductor device. The main body is tested, and effects such as a decrease in the yield of the semiconductor device due to a defect in the test ROM are obtained, and the above-mentioned problems are all achieved.

【0036】[0036]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示すブロック図であ
る。
FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例を示すブロック図であ
る。
FIG. 2 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図3】図1又は図2で用いられる検査回路のブロック
図である。
FIG. 3 is a block diagram of a test circuit used in FIG. 1 or FIG. 2;

【図4】従来の半導体装置のブロック図である。FIG. 4 is a block diagram of a conventional semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,41 半導体装置本体 2 テスト専用ROM 3,43 テスト制御回路 4 検査回路 5 直並列変換回路 6 セレクタ 7,8,9,10,11,13,22,47,48,4
9,53,50 端子 12 一致回路 20 8ビットデータ 21 2入力EX/ORゲート 23 パリティビット 24 レジスタ 30,31,32 半導体集積回路基板 42,57 メモリ 52 比較回路 55 フリップフロップ 56 マルチプレクサ(MPX) 58 アドレスカウンタ
1,41 Semiconductor device main body 2 Test-only ROM 3,43 Test control circuit 4 Inspection circuit 5 Serial-parallel conversion circuit 6 Selector 7,8,9,10,11,13,22,47,48,4
9, 53, 50 Terminal 12 Matching circuit 20 8-bit data 21 2-input EX / OR gate 23 Parity bit 24 Register 30, 31, 32 Semiconductor integrated circuit board 42, 57 Memory 52 Comparison circuit 55 Flip-flop 56 Multiplexer (MPX) 58 Address counter

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 試験対象となる半導体装置本体と、前
半導体装置本体に与えるテストデータを格納したメ
モリと、前記テストデータを読み出して前記半導体装置
本体に入力するように制御するテスト制御回路と
記メモリに記憶したテストデータが誤って記憶されてい
るか否かを検査する検査回路、同じ半導体集積回路
基板上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
And 1. A be tested semiconductor device body portion, and a memory storing the test data to be supplied to the semiconductor device body portion so as to enter by reading the test data in the semiconductor device <br/> body portion wherein a test control circuit for controlling, that the test circuit to check whether the test data stored in the memory is stored by mistake, are formed on the same semiconductor integrated circuit <br/> board Semiconductor device.
【請求項2】 外部から入力されるシリアル形式のテス
トデータをシリアル形式から並列形式に変換する直並列
変換回路と、前記直並列変換回路からのテストデータ出
力と前記テストデータを記憶したメモリからのテストデ
ータ出力を選択出力するセレクタとを前記半導体集積回
基板上に形成し、前記直並列変換回路手段からのテス
トデータ出力と前記テストデータを記憶したメモリから
のテストデータ出力を、前記テスト制御回路により前記
セレクタを制御して選択出力し、前記半導体装置本体部
に与えるようにしたことを特徴とする請求項1記載の半
導体装置。
2. A serial-parallel converting the test data of a serial format input from the outside from the serial form to parallel form
A conversion circuit, and test data output from the serial / parallel conversion circuit.
Test data from the memory that stores the force and the test data.
A selector for selecting and outputting the data output from the semiconductor integrated circuit.
Test circuit formed on a circuit board and from the serial-parallel conversion circuit means.
From the memory that stores the test data output and the test data.
Is output by the test control circuit
Controlling the selector to selectively output the semiconductor device main body;
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein said semiconductor device is provided.
【請求項3】 前記テストデータを記憶した前記メモ
リに前記テストデータの誤りを検査するためのデータ
格納したことを特徴とする請求項1または請求項2記載
の半導体装置。
Wherein the data for checking an error of the test data to the memo <br/> re storing the test data
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is stored .
【請求項4】 試験対象となる半導体装置本体と、前
半導体装置本体に与えるテストデータ及び前記テス
トデータに対応して前記半導体装置本体から得られる
と期待される期待値データを記憶したメモリと、前記
テストデータを読み出して前記半導体装置本体に入力
するように制御するテスト制御回路と、前記メモリに記
憶した前記テストデータを前記半導体装置本体部に与え
たときに出力されるデータ前記メモリに記憶された期
待値データとを比較照合して検査する一致回路と、前記
メモリに記憶したテストデータ及び期待値データが誤っ
て記憶されているか否かを検査する検査回路、同じ
半導体集積回路基板上に形成されていることを特徴とす
る半導体装置。
4. A semiconductor device main body to be tested, the test data and the test applied to the semiconductor device body portion
Obtained from the semiconductor device main body so as to correspond to Todeta
Expectations and memory storing an expected value data, a test control circuit for controlling to read out the test data inputted to the semiconductor device main body and, serial to the memory
Give the test data憶 to the semiconductor device body portion
A coincidence circuit for comparing match to examine the data with the expected value data stored in the memory to be output, the test data and the expected value data stored in the memory is erroneous when the
The same test circuit is used to check whether the
A semiconductor device formed on a semiconductor integrated circuit substrate.
【請求項5】 外部から入力されるシリアル形式のテス
トデータをシリアル形式から並列形式に変換する直並列
変換回路と、前記直並列変換回路からのテストデータ出
力と前記テストデータを記憶したメモリからのテストデ
ータ出力を選 択出力するセレクタとを前記半導体集積回
基板上に形成し、前記直並列変換回路手段からのテス
トデータ出力と前記テストデータを記憶した前記メモリ
からのテストデータ出力を前記テスト制御回路により前
記セレクタを制御して選択出力し、前記半導体装置本体
部に与えるようにしたことを特徴とする請求項4記載の
半導体装置。
5. The serial-parallel converting the test <br/> Todeta serial format input from the outside from the serial form to parallel form
A conversion circuit, and test data output from the serial / parallel conversion circuit.
Test data from the memory that stores the force and the test data.
It said semiconductor integrated times and a selector to select the output of the over data output
Test circuit formed on a circuit board and from the serial-parallel conversion circuit means.
Memory storing the test data output and the test data
Test data output from the test control circuit.
Controlling the selector to selectively output the semiconductor device main body.
5. The semiconductor device according to claim 4, wherein the semiconductor device is provided to a part.
【請求項6】 請求項2または請求項5記載の半導体装
置において、前記検査回路により前記メモリに格納され
ているテストデータりが検出されたときには、前記
直並列変換回路からのテストデータ出力前記セレクタ
により選択して、前記半導体装置本体与えて試験す
るようにしたことを特徴とする半導体装置の試験方法。
6. The semiconductor device according to claim 2 or 5.
Stored in the memory by the inspection circuit.
When any error in it has the test data have been detected, the
The test data output from the serial-parallel conversion circuit is output to the selector
Select by, be tested applied to said semiconductor device body portion
A method for testing a semiconductor device, comprising:
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