JP2731307B2 - Wavelength selection element - Google Patents

Wavelength selection element

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JP2731307B2
JP2731307B2 JP3288246A JP28824691A JP2731307B2 JP 2731307 B2 JP2731307 B2 JP 2731307B2 JP 3288246 A JP3288246 A JP 3288246A JP 28824691 A JP28824691 A JP 28824691A JP 2731307 B2 JP2731307 B2 JP 2731307B2
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秀彰 岡山
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、例えば光を波長に応
じて選択的に分離する光波長フィルタ素子、或は光を波
長に応じて選択的に増幅する光増幅器、或は光を波長に
応じて選択的に発振する光発振器を構成するのに適した
波長選択素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical wavelength filter element for selectively separating light according to a wavelength, an optical amplifier for selectively amplifying light according to a wavelength, or a light to a wavelength. The present invention relates to a wavelength selection element suitable for forming an optical oscillator that selectively oscillates according to the wavelength.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、波長多重された光信号のなか
から特定波長λ0 の光信号を分離するためのフィルタ素
子として、例えば文献I:IEEE Communic
ation Magazine(アイイーイーイー コ
ミュニケーション マガジン)1989年10月 p5
3〜63に開示されているものがある。文献Iに開示の
フィルタ素子は、a:ファブリペロ型、b:マッハツェ
ンダ型、c:モード変換型及びd:ブラッグ反射型の4
種に分類される。フィルタの透過波長λ0 を設計基準波
長λからλ+Δλまで変化させることを考えれば、a、
b及びdの型では波長変化量Δλに関し表1の(1)式
が成立し、またcの型では波長変化量Δλに関し表1の
(2)式が成立する。尚、λ0 =λ+Δλと表せる。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a filter element for separating an optical signal of a specific wavelength λ 0 from wavelength-multiplexed optical signals, for example, reference I: IEEE Common
ation Magazine, October 1989 p5
3 to 63 are disclosed. The filter elements disclosed in Document I are a: Fabry-Perot type, b: Mach-Zehnder type, c: mode conversion type, and d: Bragg reflection type.
Classified into species. Considering changing the transmission wavelength λ 0 of the filter from the design reference wavelength λ to λ + Δλ, a,
For the types b and d, the equation (1) in Table 1 holds for the wavelength change Δλ, and for the type c, the equation (2) for Table 1 holds for the wavelength change Δλ. Note that λ 0 = λ + Δλ can be expressed.

【0003】式中のΔnはフィルタ素子が備える導波路
に関し電気的に変化させることのできる屈折率の量、n
はフィルタ素子が備える導波路の屈折率、δnはモード
間屈折率差例えばTM及びTEモード間の屈折率差を表
す。
In the equation, Δn is the amount of refractive index that can be electrically changed with respect to the waveguide provided in the filter element, n
Represents a refractive index of a waveguide provided in the filter element, and δn represents a refractive index difference between modes, for example, a refractive index difference between TM and TE modes.

【0004】一般的には、設計基準波長λはフィルタ素
子構成要素の形状、寸法、形成材料等から一義的に決定
され定数となる。しかしc型のなかでも音響光学効果
(AO効果)を利用したものは、光のモードを変換する
ためのグレーティングの周期を電気的に変化させること
ができるので、設計基準波長λを可変制御することがで
きる。従って、電気的に可変制御される屈折率変化量Δ
nに上限はあるものの、透過波長λ0 の可変範囲(チュ
ーニング幅)はcの型において最も広くなる。
Generally, the design reference wavelength λ is uniquely determined from the shape, dimensions, forming material and the like of the filter element components, and is a constant. However, among the c-types that use the acousto-optic effect (AO effect), the period of the grating for converting the light mode can be electrically changed, so that the design reference wavelength λ is variably controlled. Can be. Therefore, the refractive index change Δ that is electrically variably controlled.
Although there is an upper limit for n, the variable range (tuning width) of the transmission wavelength λ 0 is the largest for the type of c.

【0005】また、上記a、b、c及びd型の各フィル
タにおける光透過率ピークの半値幅ΔλFWHMは、それぞ
れ表1の(3)式、(4)式、(5)式及び(6)式で
表せる。式中のLはフィルタ素子の素子長(電極長)、
Rはフィルタ素子の入出射端面の反射率を表す。
The half-width Δλ FWHM of the light transmittance peak in each of the filters a, b, c and d is calculated by the equations (3), (4), (5) and (6) in Table 1, respectively. ) Expression. L in the formula is the element length (electrode length) of the filter element,
R represents the reflectance of the input / output end face of the filter element.

【0006】通常δn<<nであるので、(3)式〜
(6)式からも理解できるようにa、b及びdの型での
半値幅ΔλFWHMは非常に狭くなるが、cの型での半値幅
ΔλFWHMは非常に広くなる。
[0006] Since normally δn << n, the expression (3)
As can be understood from the equation (6), the half width Δλ FWHM in the types a, b and d is very narrow, but the half width Δλ FWHM in the type c is very wide.

【0007】ここでフィルタ素子の1チャネル当たりの
透過帯域幅(半値幅)がΔλFWHMであるとすれば、チャ
ネル数CHはaの型では表1の(7)式、b及びcの型
では表1の(8)式、またdの型では表1の(9)式の
ように表せる。式中のΔnmax は変化可能な範囲で最大
のΔnを表す。ただしaの型の場合FSR(FreeS
pectral Range)の制限を受けるので、素
子単独では、CH=π・R1/2 /(1−R)となる。
Here, assuming that the transmission bandwidth (half width) per channel of the filter element is Δλ FWHM , the number of channels CH is given by equation (7) in Table 1 for the type a, and the number of channels CH in the types b and c. Equation (8) in Table 1 and the type of d can be expressed as in Equation (9) in Table 1. Δn max in the equation represents the maximum Δn in a changeable range. However, in the case of type a, FSR (FreeS
Therefore, CH = π · R 1/2 / (1−R) when the element is used alone because of the limitation of the spectral range.

【0008】従ってΔnmax ≒0.01とすると、aの
型ではR≒0.9としてFSRの制限により数10チャ
ネル(FSRを無視すれば潜在的には80チャネル)と
なり、bの型ではL≒1cmとして80チャネル、cの
型ではL≒1mmとして8チャネル及びdの型ではL=
500μmとして8チャネルとなる。
[0008] Therefore, if Δn max ≒ 0.01, Ra0.9 in the case of type a becomes several tens of channels (potentially 80 channels if FSR is ignored) due to the restriction of FSR, and L ≒ 0.9 in the case of type b. 80 channels for ≒ 1 cm, 8 channels for c ≒ 1 mm and L =
Eight channels are set at 500 μm.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のa、
b、dの型のフィルタ素子では、1チャネル当たりの透
過帯域幅ΔλFWHMを狭くできてもチューニング幅(透過
波長λ0 の可変範囲)を広くできないためチャネル数
(=チューニング幅/1チャネル当たりの透過帯域幅)
を大きくできない。またcの型のフィルタ素子では、チ
ューニング幅を広くできるが透過帯域幅ΔλFWHMを狭く
できないためチャネル数を増やせない。
The above-mentioned conventional a,
In filter elements of types b and d, even if the transmission bandwidth Δλ FWHM per channel can be reduced, the tuning width (variable range of the transmission wavelength λ 0 ) cannot be increased, so the number of channels (= tuning width / per channel) Transmission bandwidth)
Cannot be increased. In the case of the c-type filter element, the tuning width can be widened, but the transmission bandwidth Δλ FWHM cannot be narrowed, so that the number of channels cannot be increased.

【0010】チャネル数を増やすことを考えた場合、
a、b、dの型では素子長Lを長くすれば透過帯域幅Δ
λFWHMを狭くでき従ってチャネル数を増やせるが、透過
帯域幅ΔλFWHMが狭くなりすぎるとフィルタ素子が扱い
にくくなり実用的でなくなる。またcの型では素子長L
を極端に長くしないと(例えばL=1m)チャネル数を
増やせない。
When considering the number of channels,
In the types a, b, and d, if the element length L is increased, the transmission bandwidth Δ
Although λ FWHM can be narrowed and thus the number of channels can be increased, if the transmission bandwidth Δλ FWHM is too narrow, the filter element becomes difficult to handle and becomes impractical. In the case of type c, the element length L
Is extremely long (for example, L = 1 m), the number of channels cannot be increased.

【0011】この発明の目的は、上述した従来の問題点
を解決するため、1チャネル当たりの透過帯域幅を実用
的な範囲で狭くできかつチューニング幅を広くできるフ
ィルタ素子を構成するのに適した波長選択素子を提供す
ることにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and to provide a filter element capable of narrowing a transmission bandwidth per channel within a practical range and widening a tuning width. It is to provide a wavelength selection element.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明の波長選択素子は、方向性結合器を構成す
る複数の導波路と、光共振器を構成するため導波路に設
けられた光反射部と、導波路上に設けられ導波路の等価
屈折率を可変制御する電極とを備え、複数の導波路の等
価屈折率が、電気的に変化させられていない状態で、異
なっている構成を備えている。
In order to achieve this object, a wavelength selecting element according to the present invention is provided on a plurality of waveguides forming a directional coupler and on a waveguide forming an optical resonator. A light reflecting portion, and an electrode provided on the waveguide for variably controlling the equivalent refractive index of the waveguide, wherein the equivalent refractive indices of the plurality of waveguides are different without being electrically changed. It has a configuration.

【0013】この発明の実施に当っては、導波路を活性
層とした半導体レーザ構造を設けるようにしてもよい。
この場合には、この発明の波長選択素子により、光を波
長に応じて選択的に発振する光発振器を構成し或は光を
波長に応じて増幅する増幅器を構成することができる。
In practicing the present invention, a semiconductor laser structure having a waveguide as an active layer may be provided.
In this case, the wavelength selecting element of the present invention can constitute an optical oscillator that selectively oscillates light according to the wavelength or an amplifier that amplifies light according to the wavelength.

【0014】また、この発明の実施にあたり、導波路を
活性層とした半導体レーザ構造を設けないようにしても
よい。この場合には、この発明の波長選択素子により、
光を波長に応じて分離する光波長フィルタを構成するこ
とができる。
In practicing the present invention, a semiconductor laser structure using a waveguide as an active layer may not be provided. In this case, with the wavelength selection element of the present invention,
An optical wavelength filter that separates light according to wavelength can be configured.

【0015】[0015]

【作用】この出願の発明者がこの発明の波長選択素子を
透過する光の透過帯域Iを数値解析により調べたとこ
ろ、性質の異なる2種類の透過帯域a及びbを重ね合せ
たものを透過帯域Iと考えればよいことがわかった。
When the inventor of the present application examined the transmission band I of light passing through the wavelength selection element of the present invention by numerical analysis, it was found that two transmission bands a and b having different properties were superimposed on each other. It turns out that I should consider it.

【0016】透過帯域aのピーク位置は導波路間の等価
屈折率差を電気的に変化させると移動する性質を有す
る。透過帯域aのピーク位置を移動させることが可能な
波長範囲は広いが、透過帯域aの半値幅は広くなる。一
方、透過帯域bのピーク位置は導波路の等価屈折率を電
気的に変化させると移動する性質を有する。透過帯域b
の半値幅は狭いが、透過帯域bを移動させることが可能
な波長範囲は狭くなる。例えば、方向性結合器を2つの
導波路c、dで構成した場合、これら導波路c、d間の
等価屈折率差を変化させると透過帯域aのピーク位置が
移動し、また導波路cの等価屈折率を変化させると透過
帯域bのピーク位置が移動する。透過帯域Iはこれら透
過帯域a及びbが一致する波長域であり、透過帯域a及
び又はbのピーク位置を移動させると透過帯域Iのピー
ク位置が移動する。
The peak position of the transmission band a has the property of moving when the equivalent refractive index difference between the waveguides is electrically changed. The wavelength range in which the peak position of the transmission band a can be moved is wide, but the half width of the transmission band a is wide. On the other hand, the peak position of the transmission band b has the property of moving when the equivalent refractive index of the waveguide is electrically changed. Transmission band b
Is narrow, but the wavelength range in which the transmission band b can be moved is narrow. For example, when the directional coupler is composed of two waveguides c and d, when the equivalent refractive index difference between these waveguides c and d is changed, the peak position of the transmission band a moves, and When the equivalent refractive index is changed, the peak position of the transmission band b moves. The transmission band I is a wavelength region where the transmission bands a and b coincide with each other. When the peak position of the transmission bands a and / or b is moved, the peak position of the transmission band I moves.

【0017】これら透過帯域a及びbは、導波路を活性
層とする半導体レーザ構造を設けても設けなくとも現れ
る。半導体レーザ構造を設けない場合には、透過帯域I
の光を選択的に分離することができる。また半導体レー
ザ構造を設けた場合には、透過帯域Iの光を選択的に増
幅して出力し、或は透過帯域Iの光を選択的に発振する
ことができる。
These transmission bands a and b appear with or without a semiconductor laser structure having a waveguide as an active layer. When the semiconductor laser structure is not provided, the transmission band I
Of light can be selectively separated. When a semiconductor laser structure is provided, light in the transmission band I can be selectively amplified and output, or light in the transmission band I can be selectively oscillated.

【0018】[0018]

【実施例】以下、図面を参照しこの発明の実施例につき
説明する。尚、図面はこの発明が理解できる程度に概略
的に示してあるに過ぎず、従ってこの発明を図示例に限
定するものではない。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that the drawings are only schematically shown to the extent that the present invention can be understood, and thus the present invention is not limited to the illustrated examples.

【0019】図1はこの発明の第一実施例の構成を概略
的に示す平面図である。第一実施例の波長選択素子は光
波長フィルタである。この実施例の波長選択素子は、方
向性結合器を構成する複数例えば2つの導波路10、1
6と光共振器を構成するため導波路に設けた光反射部1
2、14と導波路の等価屈折率を可変制御するための電
極18、20とを備えて成る。導波路(第一導波路)1
0及び導波路(第二導波路)16の等価屈折率は、これ
らの等価屈折率を電気的に変化させていない状態で、異
なる。
FIG. 1 is a plan view schematically showing the structure of the first embodiment of the present invention. The wavelength selection element of the first embodiment is an optical wavelength filter. The wavelength selection element of this embodiment includes a plurality of, for example, two waveguides 10, 1 constituting a directional coupler.
6 and a light reflecting portion 1 provided in a waveguide to constitute an optical resonator
2 and 14 and electrodes 18 and 20 for variably controlling the equivalent refractive index of the waveguide. Waveguide (first waveguide) 1
The equivalent refractive indices of 0 and the waveguide (second waveguide) 16 are different when these equivalent refractive indices are not electrically changed.

【0020】この実施例では、例えば第一導波路10及
び第二導波路16の導波路幅を異ならせることによっ
て、或は第一導波路10及び第二導波路16の形成材料
を異ならせることによって、或は第一導波路10及び第
二導波路16に屈折率制御物質を添加することによっ
て、第一導波路10及び第二導波路16の等価屈折率を
電気的に変化させていない状態でこれら導波路10及び
16の等価屈折率が異なるようにする。
In this embodiment, for example, the widths of the first waveguide 10 and the second waveguide 16 are made different, or the materials of the first waveguide 10 and the second waveguide 16 are made different. Or the state where the equivalent refractive index of the first waveguide 10 and the second waveguide 16 is not electrically changed by adding a refractive index control substance to the first waveguide 10 and the second waveguide 16. The waveguides 10 and 16 have different equivalent refractive indices.

【0021】そしてこれら導波路10及び16を光の相
互作用を生じるように近接させて、基板22に設け、こ
れら導波路10及び16により方向性結合器を構成す
る。第一導波路10を一方の基板端面22aから他方の
基板端面22bまで設け、第二導波路16を一方の基板
端面22aから他方の基板端面22bに至らない位置X
まで延在させて設ける。
The waveguides 10 and 16 are arranged close to each other so as to cause light interaction, and are provided on the substrate 22. The waveguides 10 and 16 form a directional coupler. The first waveguide 10 is provided from one substrate end surface 22a to the other substrate end surface 22b, and the second waveguide 16 is located at a position X not extending from one substrate end surface 22a to the other substrate end surface 22b.
It is provided so as to extend to

【0022】光反射部12及び14は基板端面22a及
び22bに設けた高反射膜であり、従って第一導波路1
0の一方及び他方の端面にそれぞれ光反射部12及び1
4を設け第二導波路16の一方の端面に光反射部12を
設ける。これら第一導波路10、第二導波路16、及び
光反射部12、14により光共振器を構成する。第一導
波路10の光反射部14を設けた側の端部に入力ポート
24を設け、第二導波路16の光反射部12を設けた側
の端部に出力ポート26を設ける。
The light reflecting portions 12 and 14 are high reflection films provided on the substrate end faces 22a and 22b.
The light reflecting portions 12 and 1 are provided on one end surface of the
4 is provided, and the light reflecting portion 12 is provided on one end face of the second waveguide 16. The first waveguide 10, the second waveguide 16, and the light reflectors 12 and 14 form an optical resonator. An input port 24 is provided at an end of the first waveguide 10 on the side where the light reflecting section 14 is provided, and an output port 26 is provided at an end of the second waveguide 16 on the side where the light reflecting section 12 is provided.

【0023】第一導波路10に設けた入力ポート24に
光を入射すると、後述する透過帯域Iの波長の光が第二
導波路10に設けた出力ポート26から出射し、それ以
外の波長の光は位置Xの第二導波路16端部から基板2
0中に放射され或は吸収される。
When light enters the input port 24 provided in the first waveguide 10, light having a wavelength in a transmission band I, which will be described later, exits from the output port 26 provided in the second waveguide 10, and light having a wavelength other than that. Light is applied to the substrate 2 from the end of the second waveguide 16 at the position X.
Emitted or absorbed during zero.

【0024】基板22は強誘電体結晶基板或は化合物半
導体基板である。導波路構造及び電極構造を基板材料に
応じた任意好適な構造とすることができる。図示例で
は、電極18及び20を第一導波路10上及び第二導波
路16上に設ける。
The substrate 22 is a ferroelectric crystal substrate or a compound semiconductor substrate. The waveguide structure and the electrode structure can have any suitable structures according to the substrate material. In the illustrated example, the electrodes 18 and 20 are provided on the first waveguide 10 and the second waveguide 16.

【0025】次に第一実施例の波長選択素子の動作特性
につき説明する。出力ポート26から出力される波長λ
の光の強度(|出力|)は、方向性結合器の光透過特性
に関する行列表現を用いて、表2(10)式のように表
せる。ただしrは光反射部12、14の反射率、L1
第一導波路10及び第二導波路16が光の相互作用を生
じるように結合する部分の長さ(図1参照)、L2 は共
振器長(図1参照)、nは基板22の屈折率、Δnは第
一導波路10及び第二導波路16の等価屈折率を電気的
に変化させていない状態のときの導波路10及び16の
等価屈折率差、及びKは第一導波路10及び第二導波路
16の間の結合係数を表す。
Next, the operation characteristics of the wavelength selection element of the first embodiment will be described. Wavelength λ output from output port 26
The light intensity (| output |) can be expressed as in Table 2 (10) using a matrix expression relating to the light transmission characteristics of the directional coupler. Where r is the reflectance of the light reflecting portion 12, 14, L 1 is the length of the portion first waveguide 10 and second waveguide 16 for coupling to produce the interaction of light (see FIG. 1), L 2 Is the resonator length (see FIG. 1), n is the refractive index of the substrate 22, and Δn is the waveguide 10 when the equivalent refractive index of the first waveguide 10 and the second waveguide 16 is not electrically changed. , And K represent the coupling coefficient between the first waveguide 10 and the second waveguide 16.

【0026】(10)式に基づいた解析により、この実
施例の波長選択素子を透過する光の波長域(透過帯域
I)は性質の異なる2つの透過帯域a及びbを重ね合わ
せて考えればよいことがわかる。
From the analysis based on the equation (10), the wavelength band (transmission band I) of the light passing through the wavelength selection element of this embodiment may be considered by superimposing two transmission bands a and b having different properties. You can see that.

【0027】図2(A)〜(C)は第一実施例の波長選
択素子の光透過特性の説明に供する図である。図2
(A)、(B)及び(C)はそれぞれ波長選択素子の透
過帯域a、透過帯域b及び透過帯域Iの分布の様子を示
し、これら図の縦軸は光強度及び横軸は波長を表す。
FIGS. 2A to 2C are views for explaining the light transmission characteristics of the wavelength selection element of the first embodiment. FIG.
(A), (B) and (C) show the distribution of the transmission band a, transmission band b and transmission band I of the wavelength selection element, respectively. In these figures, the vertical axis represents the light intensity and the horizontal axis represents the wavelength. .

【0028】(10)式において式の簡単化のためδ1
<<Kと考える。この実施例ではδ1が大きいと後述す
る透過帯域Iの波長以外の波長の光が第一導波路10か
ら第二導波路16へ移行しにくくなる。そこでδ1 <<
Kとすることによって透過帯域I以外の波長の光が第一
導波路10から第二導波路16へ移行し易くなるように
する。表7(29)式が成立するとき(10)式の分母
は2・k・Lに対して極小となり、このとき透過帯域b
のピークが現れる。(29)式を(10)式に代入し変
形すると表7(30)式の|出力|が得られる。(3
0)式より、図2(A)に示すような透過帯域aが得ら
れる。透過帯域aのピーク位置は第一導波路10及び第
二導波路16の等価屈折率差を電気的に変化させると移
動する性質を有する。
In equation (10), δ 1 is used to simplify the equation.
Consider << K. In this embodiment, if δ 1 is large, it becomes difficult for light having a wavelength other than the wavelength of the transmission band I described later to migrate from the first waveguide 10 to the second waveguide 16. Then δ 1 <<
By setting K, light having a wavelength other than the transmission band I is easily transferred from the first waveguide 10 to the second waveguide 16. When the expression (29) in Table 7 is satisfied, the denominator in the expression (10) becomes a minimum with respect to 2 · k · L.
Appears. By substituting equation (29) into equation (10) and transforming, | output | of equation (30) in Table 7 is obtained. (3
From equation (0), a transmission band a as shown in FIG. 2A is obtained. The peak position of the transmission band a has the property of moving when the equivalent refractive index difference between the first waveguide 10 and the second waveguide 16 is electrically changed.

【0029】またδ1 <<Kでは(10)式においてr
の値を1に近づけると、Cos(2・k・L2 )≠1で
は|出力|は零に近づきCos(2・k・L2 )=1で
は透過帯域bで大きな出力が得られる。透過帯域bのピ
ーク位置は第一導波路10の等価屈折率を電気的に変化
させると移動する性質を有し、このような性質の透過帯
域bのピーク位置は複数個現れる。透過帯域bのピーク
はCos(2・k・L2)=1より2・k・L2 =2・
m・πを満足する波長λで生じる(ただし、mは正の整
数を表す)。複数個の透過帯域bは一定の波長間隔Δλ
FSR で現れる。第一実施例の透過帯域Iは図2(C)に
も示すように透過帯域a及びbが一致する波長域であ
る。尚、この実施例では透過帯域aもまた複数個存在
し、複数個の透過帯域aが一定の波長間隔で離間する。
この透過帯域aの離間間隔は透過帯域bの離間間隔Δλ
FSR よりも広い。
When δ 1 << K, r in equation (10)
Is closer to 1, | output | approaches 0 when Cos (2 · k · L 2 ) ≠ 1, and a large output is obtained in the transmission band b when Cos (2 · k · L 2 ) = 1. The peak position of the transmission band b has the property of moving when the equivalent refractive index of the first waveguide 10 is electrically changed, and a plurality of peak positions of the transmission band b having such properties appear. The peak of the transmission band b is 2 · k · L 2 = 2 · from Cos (2 · k · L 2 ) = 1.
It occurs at a wavelength λ that satisfies m · π (where m represents a positive integer). The plurality of transmission bands b have a constant wavelength interval Δλ.
Appears in FSR . The transmission band I of the first embodiment is a wavelength region where the transmission bands a and b coincide as shown in FIG. In this embodiment, there are a plurality of transmission bands a, and the plurality of transmission bands a are separated at a constant wavelength interval.
The separation interval of the transmission band a is the separation interval Δλ of the transmission band b.
Wider than FSR .

【0030】第一導波路10及び第二導波路16の等価
屈折率を電気的に変化させていない状態では、透過帯域
aのピークはC2 =1を満足する波長λO で生じる。C
2 =1のとき表3(11)式が成立し、従って波長λO
は(11)式より表3(12)式のように表せる。
When the equivalent refractive indices of the first waveguide 10 and the second waveguide 16 are not electrically changed, the peak of the transmission band a occurs at a wavelength λ O satisfying C 2 = 1. C
When 2 = 1, Table 3 (11) holds, and therefore the wavelength λ O
Can be expressed as in Table 3 (12) from Equation (11).

【0031】第一導波路10及び第二導波路16の等価
屈折率差を電気的に変化させてΔnからΔn+δΔnに
変化させたとき、透過帯域aのピークが生じる波長はλ
O からλO +ΔλOTに変化し、透過帯域aのピーク位置
がΔλOTだけ移動する。透過帯域aのピーク位置の移動
量ΔλOTは表3(13)式のように表せる。(13)式
より(14)式が得られる。
When the equivalent refractive index difference between the first waveguide 10 and the second waveguide 16 is electrically changed from Δn to Δn + δΔn, the wavelength at which the peak of the transmission band a occurs is λ.
O changes to λ O + Δλ OT, and the peak position of the transmission band a moves by Δλ OT . The shift amount Δλ OT of the peak position of the transmission band a can be expressed as in Table 3 (13). The expression (14) is obtained from the expression (13).

【0032】透過帯域bのピーク位置を移動させるに
は、第一導波路10の等価屈折率を電気的に変化させれ
ばよいが、透過帯域aのピーク位置を移動させずに透過
帯域bのピーク位置のみを移動させるためには、第一導
波路10の等価屈折率の変化量と第二導波路16の等価
屈折率の変化量とを等しくするようにしながら第一導波
路10の等価屈折率を電気的に変化させる。透過帯域b
のピーク位置の移動はファブリペロ共振器型の光波長フ
ィルタの透過帯域の移動の場合と同様に考えることがで
き、第一導波路10及び第二導波路16の等価屈折率を
共にδnだけ変化させると透過帯域bのピーク位置はΔ
λFTだけ移動する。透過帯域bのピーク位置の移動量Δ
λFTは表3(15)式のように表せる。通常、δn≒δ
Δn及びn>Δnであるので、ΔλOT>ΔλFTとなり従
って透過帯域aのピーク位置を移動させることが可能な
波長範囲は透過帯域bのピーク位置を移動させることが
可能な波長範囲よりも広い。
The peak position of the transmission band b can be moved by electrically changing the equivalent refractive index of the first waveguide 10. However, the peak position of the transmission band b can be moved without moving the peak position of the transmission band a. In order to move only the peak position, the equivalent refractive index of the first waveguide 10 and the equivalent refractive index of the second waveguide 16 are made equal while the equivalent refractive index of the second waveguide 16 is made equal. The rate is changed electrically. Transmission band b
Can be considered in the same manner as in the case of moving the transmission band of the Fabry-Perot resonator type optical wavelength filter, and both the equivalent refractive indices of the first waveguide 10 and the second waveguide 16 are changed by δn. And the peak position of the transmission band b is Δ
Move by λ FT . Movement amount Δ of peak position of transmission band b
λ FT can be expressed as shown in Table 3 (15). Usually, δn ≒ δ
Since Δn and n> Δn, Δλ OT > Δλ FT , and therefore the wavelength range in which the peak position of the transmission band a can be shifted is wider than the wavelength range in which the peak position of the transmission band b can be shifted. .

【0033】必ずしもこれに限定するものではないが、
第一導波路10及び第二導波路16の等価屈折率を電気
的に変化させていない状態で、透過帯域bのピーク位置
及び透過帯域aのピーク位置が等しい波長λO で生じる
のが好ましい。
Although not necessarily limited to this,
It is preferable that the peak position of the transmission band b and the peak position of the transmission band a occur at the same wavelength λ O in a state where the equivalent refractive index of the first waveguide 10 and the second waveguide 16 is not electrically changed.

【0034】透過帯域a及び又はbのピーク位置を移動
させると透過帯域Iのピーク位置が移動し従って波長選
択素子を透過する光の波長(透過波長)が変化する。光
の透過波長の可変範囲(チューニング幅)を広くするた
めには、δnを最大に変化させたときの透過帯域bのピ
ーク位置の移動量ΔλFTがΔλFSR 以上となるようにし
移動量ΔλFTを零から少なくともΔλFSR まで変化させ
ることができるようにするのが好ましい。表3(16)
式を満足させるように波長選択素子を構成することによ
り、δnを最大に変化させたときの移動量ΔλFTをΔλ
FSR に等しくすることができる。ただし、δnmax は最
大変化させたときのδnを表す。
When the peak positions of the transmission bands a and / or b are moved, the peak position of the transmission band I is moved, so that the wavelength (transmission wavelength) of the light transmitted through the wavelength selection element changes. In order to widen the variable range (tuning width) of the light transmission wavelength, the shift amount Δλ FT of the peak position of the transmission band b when Δn is changed to the maximum is equal to or larger than Δλ FSR so that the shift amount Δλ FT Can be varied from zero to at least Δλ FSR . Table 3 (16)
By configuring the wavelength selection element so as to satisfy the expression, the moving amount Δλ FT when δn is changed to the maximum is Δλ
Can be equal to FSR . Here, δn max represents δn when the maximum change is made.

【0035】移動量ΔλFTを零から少なくともΔλFSR
まで変化させることができるようにすることによって、
透過帯域aのピーク位置の可変範囲ΔλOTmax の全範囲
にわたり透過帯域a及びbのピーク位置を一致させるこ
とができるようになり従って光の透過波長の可変範囲を
δΔnmax /Δn(=ΔλOTmax )とすることができ
る。ここでδΔnmax は最大変化させたときのΔnを表
す。
Move the moving amount Δλ FT from zero to at least Δλ FSR
By being able to change
The peak positions of the transmission bands a and b can be matched over the entire range of the variable range Δλ OTmax of the peak position of the transmission band a, so that the variable range of the transmission wavelength of light is δΔn max / Δn (= Δλ OTmax ). It can be. Here, δΔn max represents Δn when the maximum change is made.

【0036】また透過帯域bの半値幅は透過帯域aの半
値幅よりも狭いので、透過帯域Iの半値幅ΔλW は透過
帯域bの半値幅と等しい。半値幅ΔλW は表3(17)
式のように表せる。従ってこの実施例のチャネル数(=
ΔλOTmax /ΔλW )は表3(18)式のように表せ、
この実施例のチャネル数は通常のファブリペロ型の光波
長フィルタのチャネル数のn/Δn倍になることがわか
る。
Since the half width of the transmission band b is smaller than the half width of the transmission band a, the half width Δλ W of the transmission band I is equal to the half width of the transmission band b. Table 3 (17) shows the half width Δλ W
It can be expressed like an expression. Therefore, the number of channels (=
Δλ OTmax / Δλ W ) can be expressed as shown in Table 3 (18).
It can be seen that the number of channels in this embodiment is n / Δn times the number of channels of a normal Fabry-Perot optical wavelength filter.

【0037】また透過帯域a及びbのピークを一致させ
た状態のとき、図2(C)にも示すように、透過帯域a
は複数個の透過帯域bを含み従って透過帯域Iには透過
帯域Iのピーク(メインピークMP)とそれ以外のピー
ク(サブピークSP)とが現れる。メインピークMPを
分離したい光の波長と考えれば、メインピークMP及び
サブピークSPの光強度の比を十分に大きくするのが好
ましい。そこでメインピークMPからΔλFSR 離間した
サブピークSPの光強度Xを考える。光強度Xを考える
ためS2 =0の近傍で微小なδ1 の変化分Δδ1 によっ
て(10)式を展開し、さらに展開した(10)式にお
いてδ1 <<Kかつr≒1と近似する。すると表4(1
9)式が得られる。ここで表4(20)式を用いて(1
9)式を変形すると、表4(21)式及び(22)式が
得られる。従って例えば、X=0.032(−15d
B)及びΔn/n=0.01とすれば(21)式よりr
=0.999となり、またr=0.99及びΔn/n=
0.02とすれば(22)式よりX=0.025とな
る。このようにr及びΔn/nの大きさを任意好適な値
とすることによって、サブピークSPを実用上充分に小
さくすることができる。
When the peaks of the transmission bands a and b coincide with each other, as shown in FIG.
Contains a plurality of transmission bands b, and therefore, in transmission band I, a peak of transmission band I (main peak MP) and other peaks (sub-peaks SP) appear. Considering the main peak MP as the wavelength of the light to be separated, it is preferable to make the ratio of the light intensity of the main peak MP and the light intensity of the sub-peak SP sufficiently large. Therefore, the light intensity X of the sub-peak SP separated from the main peak MP by Δλ FSR is considered. By variation .DELTA..delta 1 minute [delta] 1 in the vicinity of S 2 = 0 for considering the light intensity X a (10) to expand, further developed (10) [delta] 1 << K and r ≒ 1 and approximation in equation I do. Then, Table 4 (1
9) is obtained. Here, using the expression (20) in Table 4, (1
By transforming equation (9), equations (21) and (22) in Table 4 are obtained. Therefore, for example, X = 0.032 (−15d)
B) and Δn / n = 0.01, from equation (21), r
= 0.999, and r = 0.99 and Δn / n =
If 0.02, then X = 0.025 from equation (22). By setting the magnitudes of r and Δn / n to any suitable values, the sub-peak SP can be sufficiently reduced for practical use.

【0038】次に結合係数Kにつき考える。δ1 <<K
とするには表4(23)式を満足させればよい(ただし
αはα>>1となる定数である)。従って(16)式及
び(23)式より(24)式が得られる。M=(素子
長)/(結合長)とすれば、(24)式よりM=α・
(λO /ΔλOTmax )が成立するように結合係数Kを定
めることによりδ1 <<Kを成立させることができる。
Next, the coupling coefficient K will be considered. δ 1 << K
In this case, it is sufficient to satisfy the expression (23) in Table 4 (where α is a constant satisfying α >> 1). Therefore, equation (24) is obtained from equations (16) and (23). If M = (element length) / (coupling length), then from equation (24), M = α ·
By determining the coupling coefficient K such that (λ O / Δλ OTmax ) is satisfied, δ 1 << K can be satisfied.

【0039】この実施例では第一導波路10及び第二導
波路16に光の増幅作用を付与しなかったが、この実施
例において、第一導波路10を活性層としたファブリペ
ロ型半導体レーザ構造を設け、光の増幅作用を第一導波
路10に対し付与すれば、この実施例の波長選択素子を
光増幅器或は可変波長光発振器として用いることができ
る。光増幅器として用いる場合は、特定の波長の光を増
幅して選択的に出力することができ、また導波路中での
光の損失を補償し光の損失による特性劣化を防止するこ
とができる。可変波長光発振器として用いる場合は、特
定の波長の光を選択的に発振させることができる。
In this embodiment, the first waveguide 10 and the second waveguide 16 are not provided with the function of amplifying light. However, in this embodiment, a Fabry-Perot type semiconductor laser structure using the first waveguide 10 as an active layer is used. Is provided, and if the light amplifying action is given to the first waveguide 10, the wavelength selection element of this embodiment can be used as an optical amplifier or a variable wavelength optical oscillator. When used as an optical amplifier, light of a specific wavelength can be amplified and selectively output, and the loss of light in the waveguide can be compensated to prevent characteristic deterioration due to the loss of light. When used as a variable wavelength optical oscillator, light of a specific wavelength can be selectively oscillated.

【0040】さらに上述した実施例では、第一導波路1
0及び第二導波路16を平面的に並列させて設けるよう
にしたが、第一導波路10及び第二導波路16を立体的
に設けるようにしてもよい。立体的に設ける場合には、
第一導波路10、中間層及び第二導波路16を順次に積
層しこれら導波路10及び16を中間層を介し光の相互
作用を生じるように結合させればよい。
Further, in the above-described embodiment, the first waveguide 1
Although the 0 and second waveguides 16 are provided in parallel in a plane, the first waveguide 10 and the second waveguide 16 may be provided three-dimensionally. When setting up three-dimensionally,
The first waveguide 10, the intermediate layer, and the second waveguide 16 may be sequentially stacked, and these waveguides 10 and 16 may be coupled via the intermediate layer so as to cause light interaction.

【0041】図3はこの発明の第二実施例の構成を概略
的に示す平面図である。尚、第一実施例の構成成分に対
応する構成成分については同一の符号を付して示す。以
下の説明では、第一実施例と相違する点について説明し
第一実施例と同様の点についてはその詳細な説明を省略
する。
FIG. 3 is a plan view schematically showing the structure of the second embodiment of the present invention. The components corresponding to the components of the first embodiment are denoted by the same reference numerals. In the following description, points different from the first embodiment will be described, and detailed description of the same points as the first embodiment will be omitted.

【0042】第二実施例の波長選択素子は光反射部2
8、30、32を備える。これら光反射部28〜32は
ブラッグ反射器又は回折格子であり、光反射部28及び
30を第一導波路10の一方及び他方の端部に設け、光
反射部32を第二導波路16の一方の端部に設ける。図
示例では、光反射部28〜32を導波路の上面に設ける
ようにしたが、光反射部28〜32を導波路の底面或は
側面に設けるようにしてもよい。
The wavelength selecting element of the second embodiment is a light reflecting section 2
8, 30, 32 are provided. The light reflecting portions 28 to 32 are Bragg reflectors or diffraction gratings. The light reflecting portions 28 and 30 are provided at one and the other end of the first waveguide 10, and the light reflecting portion 32 is Provided at one end. Although the light reflecting portions 28 to 32 are provided on the upper surface of the waveguide in the illustrated example, the light reflecting portions 28 to 32 may be provided on the bottom surface or the side surface of the waveguide.

【0043】また第二実施例の波長選択素子において第
一導波路10全体を活性層とするブラッグ反射型の半導
体レーザ構造を設けるようにするか、或は光反射部2
8、30及び32を設けた各導波路部分にそれぞれ、こ
れら各導波路部分を活性層とする分布帰還型の半導体レ
ーザ構造を設けるようにすれば、この実施例の波長選択
素子を光共振器或は光増幅器として用いることができ
る。
In the wavelength selecting element of the second embodiment, a Bragg reflection type semiconductor laser structure having the entire first waveguide 10 as an active layer is provided, or
If a distributed feedback type semiconductor laser structure using these waveguide portions as active layers is provided in each of the waveguide portions provided with 8, 30, and 32, the wavelength selection element of this embodiment can be used as an optical resonator. Alternatively, it can be used as an optical amplifier.

【0044】図4はこの発明の第三実施例の構成を概略
的に示す平面図である。尚、第一実施例の構成成分に対
応する構成成分については同一の符号を付して示す。以
下の説明では、第一実施例と相違する点につき説明し第
一実施例と同様の点についてはその詳細な説明を省略す
る。
FIG. 4 is a plan view schematically showing the structure of the third embodiment of the present invention. The components corresponding to the components of the first embodiment are denoted by the same reference numerals. In the following description, points different from the first embodiment will be described, and detailed description of the same points as the first embodiment will be omitted.

【0045】第一実施例では図1にも示すように第二導
波路16を一方の基板端面22aから他方の基板端面2
2bに至らない位置Xまで設け第二導波路16の一端に
光反射部12を設けるようにしたが、第三実施例では図
4にも示すように第二導波路16の一方及び他方の端部
が一方及び他方の基板端面22a及び22bと接しない
ように第二導波路16を基板22中央部に設ける。従っ
て第三実施例では、第二導波路16の一方及び他方の端
面に光反射部12を設けておらず、透過帯域I以外の波
長の光は第二導波路16の一方及び他方の端部のそれぞ
れから基板中に放射或は吸収される。図3中の符号Y及
びXは、第二導波路16の一方及び他方の端面位置を表
す。
In the first embodiment, as shown in FIG. 1, the second waveguide 16 is moved from one substrate end face 22a to the other substrate end face 2a.
The light reflecting portion 12 is provided at one end of the second waveguide 16 provided up to the position X which does not reach 2b, but in the third embodiment, as shown in FIG. 4, one end and the other end of the second waveguide 16 are provided. The second waveguide 16 is provided at the center of the substrate 22 so that the portion does not contact the one and the other substrate end surfaces 22a and 22b. Therefore, in the third embodiment, the light reflection portion 12 is not provided on one and the other end surfaces of the second waveguide 16, and light having a wavelength other than the transmission band I is emitted from the one and the other end portions of the second waveguide 16. From each of them is radiated or absorbed into the substrate. Symbols Y and X in FIG. 3 indicate one and the other end face positions of the second waveguide 16.

【0046】入力ポート24を第一導波路10の光反射
部14を設けた側の端部に、及び出力ポート26を第一
導波路10の光反射部12を設けた側の端部に設ける。
第一導波路10及び光反射部12、14が光共振器を構
成する。
The input port 24 is provided at the end of the first waveguide 10 on the side where the light reflecting portion 14 is provided, and the output port 26 is provided at the end of the first waveguide 10 on the side where the light reflecting portion 12 is provided. .
The first waveguide 10 and the light reflecting portions 12 and 14 constitute an optical resonator.

【0047】第三実施例の波長選択素子の|出力|は表
5(25)式のように表せる。(25)式より得られる
第三実施例の動作特性も第一実施例の場合と同様になる
が、第三実施例において光強度Xに関し得られる関係式
は第一実施例の(19)式、(21)式及び(22)式
においてL1 →L1 /2としたものとなる。
The | output | of the wavelength selection element of the third embodiment can be expressed as shown in Table 5 (25). The operation characteristic of the third embodiment obtained from the equation (25) is the same as that of the first embodiment, but the relational expression obtained with respect to the light intensity X in the third embodiment is the equation (19) of the first embodiment. , (21) and (22), L 1 → L 1/2 .

【0048】図5はこの発明の第四実施例の構成を概略
的に示す平面図である。尚、第三実施例の構成成分に対
応する構成成分については同一の符号を付して示す。以
下の説明では、第三実施例と相違する点につき説明し第
三実施例と同様の点についてはその詳細な説明を省略す
る。
FIG. 5 is a plan view schematically showing the configuration of the fourth embodiment of the present invention. The components corresponding to the components of the third embodiment are denoted by the same reference numerals. In the following description, points different from the third embodiment will be described, and detailed description of the same points as the third embodiment will be omitted.

【0049】第四実施例の波長選択素子は光反射部34
及び36を備える。これら光反射部34及び36はブラ
ッグ反射器又は回折格子であり、光反射部34及び36
を第一導波路10の一方及び他方の端部に設ける。この
ほかは第三実施例と同様である。
The wavelength selecting element of the fourth embodiment is a light reflecting section 34.
And 36. The light reflecting portions 34 and 36 are Bragg reflectors or diffraction gratings, and the light reflecting portions 34 and 36
Are provided at one end and the other end of the first waveguide 10. The rest is the same as the third embodiment.

【0050】図6はこの発明の第五実施例の構成を概略
的に示す平面図である。尚、第三実施例の構成成分に対
応する構成成分については同一の符号を付して示す。以
下の説明では、第三実施例と相違する点につき説明し第
三実施例と同様の点についてはその詳細な説明を省略す
る。
FIG. 6 is a plan view schematically showing the configuration of the fifth embodiment of the present invention. The components corresponding to the components of the third embodiment are denoted by the same reference numerals. In the following description, points different from the third embodiment will be described, and detailed description of the same points as the third embodiment will be omitted.

【0051】第五実施例の波長選択素子は第二導波路1
6の一方及び他方の端部に設けた導波路38及び40を
備える。例えば導波路38及び40は第一導波路10の
導波路幅と等しい導波路幅を有する直線導波路である。
導波路38を第二導波路16の一方の端部に結合させ、
導波路38を第二導波路16の一方の端部から一方の基
板端面22aに至らない位置まで延在させて基板22に
設ける。同様に導波路40を第二導波路16の他方の端
部に結合させ、導波路40を第二導波路16の他方の端
部から他方の基板端面22bに至らない位置まで延在さ
せて基板22に設ける。導波路38及び40上にそれぞ
れ電極48及び50を設ける。第一導波路10の等価屈
折率を電気的に変化させたときも変化させなかったとき
も、第一導波路10の等価屈折率と導波路38、40の
等価屈折率とが等しくなるように、導波路38、40の
等価屈折率を電極48、50を介し電気的に制御する。
The wavelength selecting element of the fifth embodiment is the second waveguide 1
6 has waveguides 38 and 40 provided at one end and the other end. For example, the waveguides 38 and 40 are linear waveguides having a waveguide width equal to the waveguide width of the first waveguide 10.
A waveguide 38 coupled to one end of the second waveguide 16;
The waveguide 38 is provided on the substrate 22 so as to extend from one end of the second waveguide 16 to a position not reaching the one substrate end face 22a. Similarly, the waveguide 40 is coupled to the other end of the second waveguide 16, and the waveguide 40 is extended from the other end of the second waveguide 16 to a position not reaching the other substrate end face 22b. 22. Electrodes 48 and 50 are provided on the waveguides 38 and 40, respectively. Even when the equivalent refractive index of the first waveguide 10 is electrically changed or not changed, the equivalent refractive index of the first waveguide 10 is made equal to the equivalent refractive index of the waveguides 38 and 40. , Electrically control the equivalent refractive index of the waveguides 38 and 40 via the electrodes 48 and 50.

【0052】第一〜第四実施例ではδ1 <<Kとするこ
とによって透過帯域I以外の波長の光が第一導波路10
から第二導波路16へ移行し易くなるようにしていた。
しかし第五実施例では第一導波路10と等価屈折率の等
しい導波路38及び40を第二導波路16に設けるの
で、δ1 <<Kとしなくとも透過帯域I以外の波長の光
が第一導波路10から第二導波路16へ移行し易くな
る。
In the first to fourth embodiments, by setting δ 1 << K, light having a wavelength other than the transmission band I can be transmitted to the first waveguide 10.
From the first waveguide 16 to the second waveguide 16.
However, in the fifth embodiment, the waveguides 38 and 40 having the same equivalent refractive index as the first waveguide 10 are provided in the second waveguide 16, so that light having a wavelength other than the transmission band I is not transmitted even if δ 1 << K. The transition from one waveguide 10 to the second waveguide 16 is facilitated.

【0053】図7はこの発明の第六実施例の構成を概略
的に示す平面図である。尚、第一実施例の構成成分に対
応する構成成分については同一の符号を付して示す。以
下の説明では、第一実施例と相違する点につき説明し第
一実施例と同様の点についてはその詳細な説明を省略す
る。
FIG. 7 is a plan view schematically showing the structure of the sixth embodiment of the present invention. The components corresponding to the components of the first embodiment are denoted by the same reference numerals. In the following description, points different from the first embodiment will be described, and detailed description of the same points as the first embodiment will be omitted.

【0054】第六実施例の波長選択素子は第二導波路1
6の他方の端部に設けた導波路42を備える。例えば導
波路42は第一導波路10の導波路幅と等しい導波路幅
を有する直線導波路である。導波路42を第二導波路1
6の他方の端部に結合させ、そして導波路42を第二導
波路16の他方の端部から他方の基板端面22bに至ら
ない位置まで延在させて基板22に設ける。導波路42
上に電極52を設ける。第一導波路10の等価屈折率を
電気的に変化させたときも変化させなかったときも、第
一導波路10の等価屈折率と導波路42の等価屈折率と
が等しくなるように、導波路42の等価屈折率を電極5
2を介し電気的に制御する。
The wavelength selecting element of the sixth embodiment is the second waveguide 1
6 has a waveguide 42 provided at the other end. For example, the waveguide 42 is a straight waveguide having a waveguide width equal to the waveguide width of the first waveguide 10. The waveguide 42 is connected to the second waveguide 1
6, and the waveguide 42 is provided on the substrate 22 so as to extend from the other end of the second waveguide 16 to a position not reaching the other substrate end face 22b. Waveguide 42
An electrode 52 is provided thereon. Even when the equivalent refractive index of the first waveguide 10 is electrically changed or not changed, the guiding is performed so that the equivalent refractive index of the first waveguide 10 and the equivalent refractive index of the waveguide 42 become equal. The equivalent refractive index of the waveguide 42 is
2 is electrically controlled.

【0055】第六実施例では第一導波路10と等価屈折
率の等しい導波路42を第二導波路16に設けるので、
δ1 <<Kとしなくとも透過帯域I以外の波長の光が第
一導波路10から第二導波路16へ移行し易くなる。
In the sixth embodiment, the waveguide 42 having the same equivalent refractive index as the first waveguide 10 is provided in the second waveguide 16.
Even if δ 1 << K is not satisfied, light having a wavelength other than the transmission band I easily shifts from the first waveguide 10 to the second waveguide 16.

【0056】図8はこの発明の第七実施例の構成を概略
的に示す平面図である。尚、第五実施例の構成成分に対
応する構成成分については同一の符号を付して示す。以
下の説明では、第五実施例と相違する点につき説明し第
五実施例と同様の点についてはその詳細な説明を省略す
る。
FIG. 8 is a plan view schematically showing the structure of the seventh embodiment of the present invention. The components corresponding to the components of the fifth embodiment are denoted by the same reference numerals. In the following description, points different from the fifth embodiment will be described, and detailed description of the same points as the fifth embodiment will be omitted.

【0057】第七実施例の波長選択素子は低屈折率部4
4を備える。低屈折率部44は基板22よりも屈折率の
低い部分であり、例えば基板22に溝を設けこの溝内に
充満させた空気を低屈折率部44とし、或は基板22に
屈折率調整物質を添加した部分を低屈折率部44として
もよい。この低屈折率部44を第一導波路10及び第二
導波路16の間に位置Xから位置Yまで延在させて設け
る。
The wavelength selecting element of the seventh embodiment has a low refractive index portion 4.
4 is provided. The low-refractive-index portion 44 is a portion having a lower refractive index than the substrate 22. For example, a groove is formed in the substrate 22, and air filled in the groove is used as the low-refractive-index portion 44. May be used as the low refractive index portion 44. The low refractive index portion 44 is provided between the first waveguide 10 and the second waveguide 16 so as to extend from the position X to the position Y.

【0058】出力ポート26から出射される透過帯域I
以外の波長の光の量を充分に少なくするために要求され
る光反射部12、14の反射率rを低減できる。出力ポ
ート26から出射される透過帯域I以外の波長の光の量
を充分に少なくするため上述した第一〜第六実施例では
r≒1とするのが好ましかったが、第七実施例ではr≒
1としなくとも出力ポート26から出射される透過帯域
I以外の波長の光の量を少なくすることができる。
Transmission band I emitted from output port 26
The reflectance r of the light reflecting portions 12 and 14 required to sufficiently reduce the amount of light having wavelengths other than the above can be reduced. In order to sufficiently reduce the amount of light having a wavelength other than the transmission band I emitted from the output port 26, it is preferable that r 第一 1 in the above-described first to sixth embodiments, but the seventh embodiment Then r ≒
Even if it is not 1, the amount of light having a wavelength other than the transmission band I emitted from the output port 26 can be reduced.

【0059】第七実施例の波長選択素子の|出力|は表
6(26)式のように表せる。特にCos2 (Lc
K)=Sin2 (Lc ・K)=1/2の場合には|出力
|を表6(27)式のように表せる。ここでLc は導波
路38、40の長さを表す(図8参照)。
The | output | of the wavelength selection element of the seventh embodiment can be expressed as shown in Table 6 (26). In particular, Cos 2 (L c
When K) = Sin 2 (L c · K) = 1 /, | output | can be expressed as shown in Table 6 (27). Here L c represents the length of the waveguide 38, 40 (see FIG. 8).

【0060】(26)式においてCos(2・k・L1
+2・δ1 ・L1 )=−1としたとき透過帯域aが得ら
れる。透過帯域bのピークはSin(δ1 ・L1 )=1
すなわちδ1 ・L1 =(π/2)・mを満足する波長λ
で生じる。従って第七実施例でも第一実施例と同様にし
て(14)式が成立する。
In equation (26), Cos (2 · k · L 1
+ 2 · δ 1 · L 1 ) = − 1, the transmission band a is obtained. The peak of the transmission band b is Sin (δ 1 · L 1 ) = 1.
That is, a wavelength λ satisfying δ 1 · L 1 = (π / 2) · m
Occurs in Therefore, also in the seventh embodiment, equation (14) is established in the same manner as in the first embodiment.

【0061】図9はこの発明の第八実施例の構成を概略
的に示す平面図である。尚、第一実施例の構成成分に対
応する構成成分については同一の符号を付して示す。以
下の説明では、第一実施例と相違する点につき説明し第
一実施例と同様の点についてはその詳細な説明を省略す
る。
FIG. 9 is a plan view schematically showing the configuration of the eighth embodiment of the present invention. The components corresponding to the components of the first embodiment are denoted by the same reference numerals. In the following description, points different from the first embodiment will be described, and detailed description of the same points as the first embodiment will be omitted.

【0062】第八実施例では、第一導波路10を一方の
基板端面22aから他方の基板端面22bに至らない位
置Xまで延在させて基板端面22a及び22bの間に設
ける。また第二導波路16を他方の基板端面22bから
一方の基板端面22aに至らない位置Yまで延在させて
基板端面22a及び22bの間に設ける。入力ポート2
4を第二導波路16の他方の端部に及び出力ポート26
を第一導波路10の一方の端部に設ける。第一導波路1
0及び第二導波路16の等価屈折率を異ならせこれら導
波路10及び16間に伝搬定数差Δβを設ける。
In the eighth embodiment, the first waveguide 10 is provided between the substrate end faces 22a and 22b so as to extend from one substrate end face 22a to a position X which does not reach the other substrate end face 22b. Further, the second waveguide 16 is provided between the substrate end surfaces 22a and 22b so as to extend from the other substrate end surface 22b to a position Y not reaching the one substrate end surface 22a. Input port 2
4 to the other end of the second waveguide 16 and the output port 26
Is provided at one end of the first waveguide 10. First waveguide 1
The equivalent refractive indices of the zero and second waveguides 16 are made different to provide a propagation constant difference Δβ between the waveguides 10 and 16.

【0063】さらに第一導波路10の一方の端部に光反
射部12を設け、第二導波路16の他方の端部に光反射
部14を設ける。第一導波路10、第二導波路16及び
光反射部12、14が光共振器を構成する。第一導波路
10及び第二導波路16は位置XからYまでの間で光の
相互作用を生じるように近接し、位置XからYまでの間
の第一導波路部分及び又は第二導波路部分に位相整合用
のグレーティング46を設ける。そして電極18を第一
導波路10及びグレーティング46上に設ける。グレー
ティング46は、第一導波路10を導波する光の位相と
第二導波路16を導波する光の位相を整合させ、導波路
10及び16間の光の移行を達成するためのものであ
る。
Further, a light reflecting portion 12 is provided at one end of the first waveguide 10, and a light reflecting portion 14 is provided at the other end of the second waveguide 16. The first waveguide 10, the second waveguide 16, and the light reflecting portions 12, 14 constitute an optical resonator. The first waveguide 10 and the second waveguide 16 are so close as to cause light interaction between the positions X and Y, and the first waveguide portion and / or the second waveguide between the positions X and Y. A grating 46 for phase matching is provided in the portion. Then, the electrode 18 is provided on the first waveguide 10 and the grating 46. The grating 46 matches the phase of light guided through the first waveguide 10 with the phase of light guided through the second waveguide 16, and achieves light transfer between the waveguides 10 and 16. is there.

【0064】第八実施例の波長選択素子は波長λの光を
表6(28)式で表される透過率で透過する。(28)
式中、Δβは第一導波路10及び第二導波路16の間の
等価屈折率差に起因するこれら導波路間の伝搬定数差、
Λはグレーティング46の周期を表す。
The wavelength selecting element of the eighth embodiment transmits light having a wavelength λ at a transmittance represented by the following equation (28). (28)
Where Δβ is the propagation constant difference between the first waveguide 10 and the second waveguide 16 due to the equivalent refractive index difference between these waveguides,
Λ represents the period of the grating 46.

【0065】(28)式からも理解できるように、第八
実施例の波長選択素子はδ1 =0を満たす波長の光のみ
を透過する。図2(A)の透過帯域aを表す包絡線は、
(28)式の透過率を表す式の分母がk・Lの変化に対
して最小となる条件より得られ(1−r)2 ・B2
(1−r・B22 と表される。上述した他の実施例で
は複数個の透過帯域aが周期的に現れるが、この第八実
施例では透過帯域aはひとつであり周期的には現れな
い。
As can be understood from equation (28), the wavelength selection element of the eighth embodiment transmits only light having a wavelength satisfying δ 1 = 0. The envelope representing the transmission band a in FIG.
The denominator of the expression representing the transmittance of the expression (28) is obtained under the condition that the change in kL is minimized, and (1-r) 2 · B 2 /
(1−r · B 2 ) 2 . In the other embodiment described above, a plurality of transmission bands a appear periodically, but in the eighth embodiment, the number of transmission bands a is one and does not appear periodically.

【0066】図10はこの発明の第九実施例の構成を概
略的に示す平面図である。尚、第五実施例の構成成分に
対応する構成成分については同一の符号を付して示す。
以下の説明では、第五実施例と相違する点につき説明し
第五実施例と同様の点についてはその詳細な説明を省略
する。
FIG. 10 is a plan view schematically showing the configuration of the ninth embodiment of the present invention. The components corresponding to the components of the fifth embodiment are denoted by the same reference numerals.
In the following description, points different from the fifth embodiment will be described, and detailed description of the same points as the fifth embodiment will be omitted.

【0067】第九実施例では、第二導波路16に結合さ
せた導波路38を位置Yから一方の基板端面22aまで
設けると共に第一導波路10を基板端面22bから基板
端面22aに至らない位置Zまで設ける。そして光反射
部12を導波路38の基板端面22a側の端部に設ける
と共に光反射部14を第一導波路10の基板端面22b
側の端部に設ける。第一導波路10の基板端面22a側
の端部には光反射部12を設けない。第一導波路10、
第二導波路16、導波路38及び光反射部12、14が
光共振器を構成する。出力ポート26を導波路38の基
板端面22a側の端部に設ける。
In the ninth embodiment, the waveguide 38 coupled to the second waveguide 16 is provided from the position Y to one of the substrate end faces 22a, and the first waveguide 10 is located at a position not extending from the substrate end face 22b to the substrate end face 22a. Provide up to Z. The light reflecting portion 12 is provided at the end of the waveguide 38 on the substrate end surface 22a side, and the light reflecting portion 14 is provided at the substrate end surface 22b of the first waveguide 10.
On the side end. The light reflecting portion 12 is not provided at the end of the first waveguide 10 on the substrate end surface 22a side. First waveguide 10,
The second waveguide 16, the waveguide 38, and the light reflection parts 12, 14 constitute an optical resonator. The output port 26 is provided at the end of the waveguide 38 on the substrate end surface 22a side.

【0068】図11はこの発明の第十実施例の構成を概
略的に示す平面図である。尚、第七実施例の構成成分に
対応する構成成分については同一の符号を付して示す。
以下の説明では、第七実施例と相違する点につき説明し
第七実施例と同様の点についてはその詳細な説明を省略
する。
FIG. 11 is a plan view schematically showing the configuration of the tenth embodiment of the present invention. The components corresponding to the components of the seventh embodiment are denoted by the same reference numerals.
In the following description, points different from the seventh embodiment will be described, and detailed description of the same points as the seventh embodiment will be omitted.

【0069】第十実施例では、第二導波路16に結合さ
せた導波路38を位置Yから一方の基板端面22aまで
設けると共に第一導波路10を基板端面22bから基板
端面22aに至らない位置Zまで設ける。そして光反射
部12を導波路38の基板端面22a側の端部に設ける
と共に光反射部14を第一導波路10の基板端面22b
側の端部に設ける。第一導波路10の基板端面22a側
の端部には光反射部12を設けない。第一導波路10、
第二導波路16、導波路38及び光反射部12、14が
光共振器を構成する。出力ポート26を導波路38の基
板端面22a側の端部に設ける。
In the tenth embodiment, the waveguide 38 coupled to the second waveguide 16 is provided from the position Y to one of the substrate end faces 22a, and the first waveguide 10 is positioned not to reach the substrate end face 22b from the substrate end face 22b. Provide up to Z. The light reflecting portion 12 is provided at the end of the waveguide 38 on the substrate end surface 22a side, and the light reflecting portion 14 is provided at the substrate end surface 22b of the first waveguide 10.
On the side end. The light reflecting portion 12 is not provided at the end of the first waveguide 10 on the substrate end surface 22a side. First waveguide 10,
The second waveguide 16, the waveguide 38, and the light reflection parts 12, 14 constitute an optical resonator. The output port 26 is provided at the end of the waveguide 38 on the substrate end surface 22a side.

【0070】この発明は上述した実施例にのみ限定され
るものではなく、従って各構成成分の構成、形状、配設
位置、配設個数及びそのほかの条件を任意好適に変更す
ることができる。
The present invention is not limited only to the above-described embodiment, and accordingly, the configuration, shape, arrangement position, number of arrangements, and other conditions of each component can be arbitrarily and suitably changed.

【0071】例えば第一及び第二導波路が光の相互作用
を生じるように近接する領域の第一導波路部分及び第二
導波路部分を直線導波路或は曲線導波路としてよい。ま
た方向性結合器を構成する導波路の個数を2以上とする
ことができる。
For example, the first waveguide portion and the second waveguide portion in a region where the first and second waveguides are close to each other so as to cause light interaction may be a straight waveguide or a curved waveguide. Further, the number of waveguides constituting the directional coupler can be two or more.

【0072】[0072]

【表1】 [Table 1]

【0073】[0073]

【表2】 [Table 2]

【0074】[0074]

【表3】 [Table 3]

【0075】[0075]

【表4】 [Table 4]

【0076】[0076]

【表5】 [Table 5]

【0077】[0077]

【表6】 [Table 6]

【0078】[0078]

【表7】 [Table 7]

【0079】[0079]

【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の波長選択素子によれば、性質の異なる2種類の
透過帯域a及びbを重ね合せたものをこの発明の波長選
択素子の透過帯域Iと考えればよいことがわかった。
As is apparent from the above description, according to the wavelength selecting element of the present invention, the transmission type of the wavelength selecting element of the present invention is obtained by superposing two types of transmission bands a and b having different properties. It was found that the band I should be considered.

【0080】透過帯域aのピーク位置は第一及び第二導
波路の等価屈折率差を電気的に変化させると移動する性
質を有する。透過帯域aのピーク位置を移動させること
が可能な波長範囲は広いが、透過帯域aの半値幅は広く
なる。一方、透過帯域bのピーク位置は第一導波路の等
価屈折率を電気的に変化させると移動する性質を有す
る。透過帯域bの半値幅は狭いが、透過帯域bを移動さ
せることが可能な波長範囲は狭くなる。透過帯域Iはこ
れら透過帯域a及びbが一致する波長域であり、透過帯
域a及び又はbのピーク位置を移動させると透過帯域I
のピーク位置が移動する。透過帯域Iのピーク位置がこ
の発明の波長選択素子の透過波長となり、透過帯域aの
ピーク位置を可変できる範囲は広いので、この発明の波
長選択素子の透過波長を広い範囲にわたり変化させるこ
とができる。また透過帯域Iの半値幅は透過帯域bの半
値幅と等しく従って狭くなる。この発明の波長選択素子
の透過波長を広い範囲にわたり変化させることができ、
しかも透過帯域Iの半値幅は狭いので、チャネル数を大
きくすることができる。
The peak position of the transmission band a has the property of moving when the equivalent refractive index difference between the first and second waveguides is electrically changed. The wavelength range in which the peak position of the transmission band a can be moved is wide, but the half width of the transmission band a is wide. On the other hand, the peak position of the transmission band b has the property of moving when the equivalent refractive index of the first waveguide is electrically changed. Although the half width of the transmission band b is narrow, the wavelength range in which the transmission band b can be moved is narrow. The transmission band I is a wavelength region where these transmission bands a and b coincide with each other. When the peak position of the transmission bands a and / or b is moved, the transmission band I
The peak position moves. Since the peak position of the transmission band I becomes the transmission wavelength of the wavelength selection element of the present invention, and the range in which the peak position of the transmission band a can be varied is wide, the transmission wavelength of the wavelength selection element of the present invention can be changed over a wide range. . Further, the half width of the transmission band I is equal to the half width of the transmission band b and accordingly becomes narrow. The transmission wavelength of the wavelength selection element of the present invention can be changed over a wide range,
Moreover, since the half bandwidth of the transmission band I is narrow, the number of channels can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の第一実施例の構成を概略的に示す平
面図である。
FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of a first embodiment of the present invention.

【図2】(A)〜(C)は第一実施例の光透過特性の説
明に供する図である。
FIGS. 2A to 2C are diagrams for explaining the light transmission characteristics of the first embodiment.

【図3】この発明の第二実施例の構成を概略的に示す平
面図である。
FIG. 3 is a plan view schematically showing a configuration of a second embodiment of the present invention.

【図4】この発明の第三実施例の構成を概略的に示す平
面図である。
FIG. 4 is a plan view schematically showing a configuration of a third embodiment of the present invention.

【図5】この発明の第四実施例の構成を概略的に示す平
面図である。
FIG. 5 is a plan view schematically showing a configuration of a fourth embodiment of the present invention.

【図6】この発明の第五実施例の構成を概略的に示す平
面図である。
FIG. 6 is a plan view schematically showing a configuration of a fifth embodiment of the present invention.

【図7】この発明の第六実施例の構成を概略的に示す平
面図である。
FIG. 7 is a plan view schematically showing a configuration of a sixth embodiment of the present invention.

【図8】この発明の第七実施例の構成を概略的に示す平
面図である。
FIG. 8 is a plan view schematically showing a configuration of a seventh embodiment of the present invention.

【図9】この発明の第八実施例の構成を概略的に示す平
面図である。
FIG. 9 is a plan view schematically showing a configuration of an eighth embodiment of the present invention.

【図10】この発明の第九実施例の構成を概略的に示す
平面図である。
FIG. 10 is a plan view schematically showing a configuration of a ninth embodiment of the present invention.

【図11】この発明の第十実施例の構成を概略的に示す
平面図である。
FIG. 11 is a plan view schematically showing a configuration of a tenth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、16:導波路 12、14:光反射部 18、20:電極 10, 16: Waveguide 12, 14: Light reflecting portion 18, 20: Electrode

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−10228(JP,A) 特開 昭64−25587(JP,A) 特開 昭61−42189(JP,A) 特開 平6−130237(JP,A) APPL.PHYS.LETT.,V OL.49 NO.1 PP.10−12 (1986年7月)S.K.KOROTKY ET.AL.,“INTEGRATE D−OPTIC,NARROW−LIN EWIDTH LASER"Continuation of the front page (56) References JP-A-3-10228 (JP, A) JP-A-64-25587 (JP, A) JP-A-61-42189 (JP, A) JP-A-6-130237 (JP, A) , A) APPL. PHYS. LETT. , VOL. 49 NO. 1 PP. 10-12 (July 1986) K. KOROKY ET. AL. , "INTEGRATE D-OPTIC, NARROW-LIN EWIDTH LASER"

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 方向性結合器を構成する複数の導波路
と、 光共振器を構成するため前記導波路に設けられた光反射
部と、 前記導波路上に設けられ該導波路の等価屈折率を可変制
御する電極とを備え、 前記複数の導波路の等価屈折率が、電気的に変化させら
れていない状態で、異なっていることを特徴とする、波
長選択素子。
1. A plurality of waveguides forming a directional coupler, a light reflecting portion provided on the waveguide for forming an optical resonator, and an equivalent refraction of the waveguide provided on the waveguide. An electrode for variably controlling the indices, wherein the equivalent refractive indices of the plurality of waveguides are different without being electrically changed.
【請求項2】 前記導波路を活性層とした半導体レーザ
構造を備えていることを特徴とする請求項1に記載の波
長選択素子。
2. The wavelength selection device according to claim 1, further comprising a semiconductor laser structure using said waveguide as an active layer.
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