JP2723797B2 - 波長変換素子およびそれを用いたレーザー装置 - Google Patents
波長変換素子およびそれを用いたレーザー装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非線形光学材料を用い
た波長変換素子およびそれを用いたレーザー装置に関す
る。
た波長変換素子およびそれを用いたレーザー装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】レーザー技術を柱としたオプトエレクト
ロニクス技術の急激な発展の中、特に、小型・高効率
で、注入電流による直接変調が可能であるという他のレ
ーザーにない際立った特徴を有する半導体レーザーは、
光通信，光メモリ，レーザープリンタなどに大量に利用
されされるようになってきた。しかし、半導体レーザー
の発振波長は赤外，近赤外から赤色領域までに限られて
おり、より短波長の緑色，青色の半導体レーザーは未だ
実用の域に達していない。一方、高密度光メモリや各種
の計測，分光などの分野では、コンパクトな短波長レー
ザーの実現が待望されており、これが最近の非線形光学
材料に対する関心の高まりの大きな要因となっている。
ロニクス技術の急激な発展の中、特に、小型・高効率
で、注入電流による直接変調が可能であるという他のレ
ーザーにない際立った特徴を有する半導体レーザーは、
光通信，光メモリ，レーザープリンタなどに大量に利用
されされるようになってきた。しかし、半導体レーザー
の発振波長は赤外，近赤外から赤色領域までに限られて
おり、より短波長の緑色，青色の半導体レーザーは未だ
実用の域に達していない。一方、高密度光メモリや各種
の計測，分光などの分野では、コンパクトな短波長レー
ザーの実現が待望されており、これが最近の非線形光学
材料に対する関心の高まりの大きな要因となっている。
【０００３】非線形光学効果とは、非常に強い光が物体
を透過するとき、光の電場によって物質が分極し、この
誘起分極による光高調波の発生や、入射した光自身が変
化する現象をいう。かかる現象はレーザーの発明以前か
ら知られていたものであるが、多くはレーザー光の出現
によって注目されるようになった。特に最近、光機能素
子への応用が注目されている光高調波発生，光パラメト
リック発振・増幅，光位相共役，光双安定などの現象解
明はレーザーの発明に負うところが大きい。これらの非
線形光学効果は、赤外光の可視光，紫外光への波長変
換，光増幅，光スイッチ，光変調，光信号などの無歪伝
送などへの応用が可能である。そのため非線形光学素子
は、今後ますます需要が増大する光情報処理，光通信の
分野で鍵を握る機能材料として位置づけされている。
を透過するとき、光の電場によって物質が分極し、この
誘起分極による光高調波の発生や、入射した光自身が変
化する現象をいう。かかる現象はレーザーの発明以前か
ら知られていたものであるが、多くはレーザー光の出現
によって注目されるようになった。特に最近、光機能素
子への応用が注目されている光高調波発生，光パラメト
リック発振・増幅，光位相共役，光双安定などの現象解
明はレーザーの発明に負うところが大きい。これらの非
線形光学効果は、赤外光の可視光，紫外光への波長変
換，光増幅，光スイッチ，光変調，光信号などの無歪伝
送などへの応用が可能である。そのため非線形光学素子
は、今後ますます需要が増大する光情報処理，光通信の
分野で鍵を握る機能材料として位置づけされている。
【０００４】従来、リン酸２水素カリウム（ＫＤＰ），
ニオブ酸リチウム（ＬＮＢ），３−メチル−４−ニトロ
ピリジンＮ−オキシド（ＰＯＭ），２−メチル−４−ニ
トリアニリン（ＭＮＡ）などの非線形光学結晶を用いた
波長変換素子およびそれを用いたレーザー装置が知られ
ている。
ニオブ酸リチウム（ＬＮＢ），３−メチル−４−ニトロ
ピリジンＮ−オキシド（ＰＯＭ），２−メチル−４−ニ
トリアニリン（ＭＮＡ）などの非線形光学結晶を用いた
波長変換素子およびそれを用いたレーザー装置が知られ
ている。
【０００５】しかしながら、上記のような従来の非線形
光学結晶を用いた波長変換素子やそれを用いたレーザー
装置では、非線形光学結晶の効果が乏しい、結晶育成が
難しい、効果を十分に引き出すための加工が困難であ
る、ウォーク・オフが大きいため有効相互作用長が充分
にとれないなどの問題があるために、高効率の波長変換
が実現されていない。
光学結晶を用いた波長変換素子やそれを用いたレーザー
装置では、非線形光学結晶の効果が乏しい、結晶育成が
難しい、効果を十分に引き出すための加工が困難であ
る、ウォーク・オフが大きいため有効相互作用長が充分
にとれないなどの問題があるために、高効率の波長変換
が実現されていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】効率良く波長変換を行
なうためには、媒質中の各点に誘起された非線形分極波
から放射される第２高調波の位相を揃えて重ね合わせる
必要がある。これを位相整合といい、位相整合がとれて
いる場合の変換効率は、通常、材料の性能指数と基本波
のパワー密度、そして結晶相互作用長の２乗に比例して
大きくなる。したがって、高効率波長変換を達成するた
めには、性能指数の大きな材料を用い、結晶の入射表面
の面精度を高めて表面の散乱による光の損失を防ぐとと
もに、基本波パワー密度をできる限り高く保ったまま、
長い結晶相互作用長を確保できる位相整合をとることが
必要となる。
なうためには、媒質中の各点に誘起された非線形分極波
から放射される第２高調波の位相を揃えて重ね合わせる
必要がある。これを位相整合といい、位相整合がとれて
いる場合の変換効率は、通常、材料の性能指数と基本波
のパワー密度、そして結晶相互作用長の２乗に比例して
大きくなる。したがって、高効率波長変換を達成するた
めには、性能指数の大きな材料を用い、結晶の入射表面
の面精度を高めて表面の散乱による光の損失を防ぐとと
もに、基本波パワー密度をできる限り高く保ったまま、
長い結晶相互作用長を確保できる位相整合をとることが
必要となる。
【０００７】ところが、まず第一に、多くの非線形光学
材料の中で位相整合のとれる結晶は極めて少ない。第二
に、位相整合可能な結晶であるとしても一般には位相整
合許容角が小さく結晶の角度が僅かにずれるだけで位相
整合がとれなくなってしまうこと、また、異常光線のエ
ネルギー伝搬方向は法線屈折率面の法線方向を向いてお
り常光線のエネルギー伝搬方向と平行でないために、第
２高調波と基本波の間のエネルギー伝搬方向にずれ（ウ
ォーク・オフ）が生じ結晶相互作用長を長くとれないこ
となどの問題点がある。この問題を解決する手段として
ノンクリティカル位相整合法が知られている。この方法
を用いれば、２つの法線屈折率面が接するため許容角が
大きくなり、またウォーク・オフもなくなり、長い相互
作用長を確保でき、高効率で安定した波長変換素子が実
現できる。しかし、ノンクリティカル位相整合は、２つ
の法線屈折率面が接するという極めて特殊な条件を必要
とするために、限られた温度範囲でのみ実現され、特定
の方位でのみ成立する。従って、その場合の位相整合
面，波長は自動的に決まる。
材料の中で位相整合のとれる結晶は極めて少ない。第二
に、位相整合可能な結晶であるとしても一般には位相整
合許容角が小さく結晶の角度が僅かにずれるだけで位相
整合がとれなくなってしまうこと、また、異常光線のエ
ネルギー伝搬方向は法線屈折率面の法線方向を向いてお
り常光線のエネルギー伝搬方向と平行でないために、第
２高調波と基本波の間のエネルギー伝搬方向にずれ（ウ
ォーク・オフ）が生じ結晶相互作用長を長くとれないこ
となどの問題点がある。この問題を解決する手段として
ノンクリティカル位相整合法が知られている。この方法
を用いれば、２つの法線屈折率面が接するため許容角が
大きくなり、またウォーク・オフもなくなり、長い相互
作用長を確保でき、高効率で安定した波長変換素子が実
現できる。しかし、ノンクリティカル位相整合は、２つ
の法線屈折率面が接するという極めて特殊な条件を必要
とするために、限られた温度範囲でのみ実現され、特定
の方位でのみ成立する。従って、その場合の位相整合
面，波長は自動的に決まる。
【０００８】また、有機非線形光学結晶では、性能指数
が無機非線形光学結晶を遥かに上回るものがいくつも存
在するが、有機結晶の結晶育成、結晶の切断・研磨、あ
るいは微細加工などの各技術が未熟であるために、未だ
に高効率の波長変換素子は実現されていない。
が無機非線形光学結晶を遥かに上回るものがいくつも存
在するが、有機結晶の結晶育成、結晶の切断・研磨、あ
るいは微細加工などの各技術が未熟であるために、未だ
に高効率の波長変換素子は実現されていない。
【０００９】本発明の目的は、以上のような問題点を解
決し、高効率で安定な波長変換素子およびそれを用いた
レーザー装置を提供することにある。
決し、高効率で安定な波長変換素子およびそれを用いた
レーザー装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による波長変換素子は、第一に結晶の劈開面
を、位相整合入射面、またはノンクリティカル位相整合
面として用いることを特徴とする。そして、半導体レー
ザーを入射光として、上記の劈開面を入射レーザー光に
垂直に配置したことを特徴とするレーザー装置である。
また、第二に４−ニトロフェニルカルバミン酸イソプロ
ピルエステル分子結晶の劈開面を用いノンクリティカル
位相整合を利用したことを特徴とする。さらに、上記の
４−ニトロフェニルカルバミン酸イソプロピルエステル
分子結晶の劈開面をノンクリティカル位相整合面とし
て、波長９２５〜９３５ｎｍの半導体レーザーを室温で
波長変換することを構成上の特徴とする。また、上記の
４−ニトロフェニルカルバミン酸イソプロピルエステル
分子結晶の劈開面に無反射コーティングを施すと透過光
強度を改善することができる。
めの本発明による波長変換素子は、第一に結晶の劈開面
を、位相整合入射面、またはノンクリティカル位相整合
面として用いることを特徴とする。そして、半導体レー
ザーを入射光として、上記の劈開面を入射レーザー光に
垂直に配置したことを特徴とするレーザー装置である。
また、第二に４−ニトロフェニルカルバミン酸イソプロ
ピルエステル分子結晶の劈開面を用いノンクリティカル
位相整合を利用したことを特徴とする。さらに、上記の
４−ニトロフェニルカルバミン酸イソプロピルエステル
分子結晶の劈開面をノンクリティカル位相整合面とし
て、波長９２５〜９３５ｎｍの半導体レーザーを室温で
波長変換することを構成上の特徴とする。また、上記の
４−ニトロフェニルカルバミン酸イソプロピルエステル
分子結晶の劈開面に無反射コーティングを施すと透過光
強度を改善することができる。
【００１１】４−ニトロフェニルカルバミン酸イソプロ
ピルエステルは、例えば４−ニトロアニリンを、イソプ
ロピルクロロフォルメイトと反応させることによって得
られる。この４−ニトロフェニルカルバミン酸イソプロ
ピルエステルを、溶解度の大きいメタノール，エタノー
ル等のアルコール類、アセトン，メチルエチルケトン，
メチルイソブチルケトン等のケトン類、テトラヒドロフ
ラン，クロロホルム，ジクロロメタン，ジメチルスルホ
キサイド，ジメチルホルムアミド，ジメチルアセトアミ
ド等に溶解し、溶媒蒸発法または溶媒冷却法により、４
日ないし５日で晶出させ、良質な大型板状結晶が得られ
る。この分子結晶は斜方晶系，空間群Ｐ２1 ｎｂに属
し、（０１０），（０２１），（１０１），（１１１）
面から構成される６〜１４面体となり、（０１０）面は
劈開面であった。
ピルエステルは、例えば４−ニトロアニリンを、イソプ
ロピルクロロフォルメイトと反応させることによって得
られる。この４−ニトロフェニルカルバミン酸イソプロ
ピルエステルを、溶解度の大きいメタノール，エタノー
ル等のアルコール類、アセトン，メチルエチルケトン，
メチルイソブチルケトン等のケトン類、テトラヒドロフ
ラン，クロロホルム，ジクロロメタン，ジメチルスルホ
キサイド，ジメチルホルムアミド，ジメチルアセトアミ
ド等に溶解し、溶媒蒸発法または溶媒冷却法により、４
日ないし５日で晶出させ、良質な大型板状結晶が得られ
る。この分子結晶は斜方晶系，空間群Ｐ２1 ｎｂに属
し、（０１０），（０２１），（１０１），（１１１）
面から構成される６〜１４面体となり、（０１０）面は
劈開面であった。
【００１２】得られた４−ニトロフェニルカルバミン酸
イソプロピルエステルは、粉末状態でＮｄ：ＹＡＧレー
ザー（λ＝１０６４ｎｍ）を照射すると、著しく強い緑
色の第２高調波を発生する。更に単結晶状態では、広い
波長に渡って位相整合可能であり、粉末を遥かに越える
強度の第２高調波を発生する。室温で入射基本波９３０
ｎｍ付近でノンクリティカル位相整合となり、その位相
整合面は劈開（０１０）面である。このことは加工研磨
という問題を避けることができ大きなメリットとなる。
イソプロピルエステルは、粉末状態でＮｄ：ＹＡＧレー
ザー（λ＝１０６４ｎｍ）を照射すると、著しく強い緑
色の第２高調波を発生する。更に単結晶状態では、広い
波長に渡って位相整合可能であり、粉末を遥かに越える
強度の第２高調波を発生する。室温で入射基本波９３０
ｎｍ付近でノンクリティカル位相整合となり、その位相
整合面は劈開（０１０）面である。このことは加工研磨
という問題を避けることができ大きなメリットとなる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
【００１４】（製造例 １）４−ニトロアニリン１３８
ｇ（１ｍｏｌ）をベンゼンに溶解し、油浴中５０℃に保
ち、イソプロピルクロロフォルメイト１３５ｇ（１．１
ｍｏｌ）を滴下後、約４時間攪拌反応させた。反応終了
後、反応溶液を水洗し、濃縮析出した反応物を減圧下５
０℃で乾燥して４−ニトロフェニルカルバミン酸イソプ
ロピルエステルを得た。
ｇ（１ｍｏｌ）をベンゼンに溶解し、油浴中５０℃に保
ち、イソプロピルクロロフォルメイト１３５ｇ（１．１
ｍｏｌ）を滴下後、約４時間攪拌反応させた。反応終了
後、反応溶液を水洗し、濃縮析出した反応物を減圧下５
０℃で乾燥して４−ニトロフェニルカルバミン酸イソプ
ロピルエステルを得た。
【００１５】減圧乾燥後、テトラヒドロフラン溶液で再
結晶することにより淡黄色透明棒状または板状結晶の４
−ニトロフェニルカルバミン酸イソプロピルエステルを
得た。収率８５％，純度９９．５％であった。熱分析に
より調べてみると、融点は１１７℃であり、また融液状
態で長時間安定であり、約２００℃以内で分解は起こら
なかった。
結晶することにより淡黄色透明棒状または板状結晶の４
−ニトロフェニルカルバミン酸イソプロピルエステルを
得た。収率８５％，純度９９．５％であった。熱分析に
より調べてみると、融点は１１７℃であり、また融液状
態で長時間安定であり、約２００℃以内で分解は起こら
なかった。
【００１６】（製造例 ２）４−ニトロフェニルカルバ
ミン酸イソプロピルエステル１００ｇをテトラヒドロフ
ラン飽和溶液とし、温度を２５℃一定に保ち溶媒蒸発法
にて１０日間結晶成長させ、６０×２５×８ｍｍの板状
結晶を得た。
ミン酸イソプロピルエステル１００ｇをテトラヒドロフ
ラン飽和溶液とし、温度を２５℃一定に保ち溶媒蒸発法
にて１０日間結晶成長させ、６０×２５×８ｍｍの板状
結晶を得た。
【００１７】同様にして得た０．５０×０．２０×０．
１０ｍｍの結晶をｘ線４軸自動回折装置を用い、結晶構
造解析を行った。その結果、結晶は斜方晶系，点群ｍｍ
２，空間群Ｐ２1 ｎｂ（結晶軸の取り方でＰｎａ２1 ）
に属し、格子定数はａ＝６．１１３，ｂ＝３２．７５
８，ｃ＝５．３５４（オングストローム）、単位格子内
に４個の分子が存在し、密度１．４であった。
１０ｍｍの結晶をｘ線４軸自動回折装置を用い、結晶構
造解析を行った。その結果、結晶は斜方晶系，点群ｍｍ
２，空間群Ｐ２1 ｎｂ（結晶軸の取り方でＰｎａ２1 ）
に属し、格子定数はａ＝６．１１３，ｂ＝３２．７５
８，ｃ＝５．３５４（オングストローム）、単位格子内
に４個の分子が存在し、密度１．４であった。
【００１８】（製造例 ３）４−ニトロフェニルカルバ
ミン酸イソプロピルエステル３０ｇを直径２０ｍｍの試
験管に入れ、管内を真空にした後、ヘリウムまたはアル
ゴンなどの不活性ガスを充満させて、管を封じた。この
試験管を、温度１２０℃に保たれた炉に入れたところ、
試験管内の４−ニトロフェニルカルバミン酸イソプロピ
ルエステルは全体に渡り融解した。約２０分試験管を炉
中に維持した後に、約５０℃に温度制御された大気中に
１時間に約０．６ｍｍの速度で移動させたところ容易に
大きな単結晶を得ることができた。
ミン酸イソプロピルエステル３０ｇを直径２０ｍｍの試
験管に入れ、管内を真空にした後、ヘリウムまたはアル
ゴンなどの不活性ガスを充満させて、管を封じた。この
試験管を、温度１２０℃に保たれた炉に入れたところ、
試験管内の４−ニトロフェニルカルバミン酸イソプロピ
ルエステルは全体に渡り融解した。約２０分試験管を炉
中に維持した後に、約５０℃に温度制御された大気中に
１時間に約０．６ｍｍの速度で移動させたところ容易に
大きな単結晶を得ることができた。
【００１９】製造例１〜製造例３で得られた単結晶は、
すべて（０１０）面を劈開面としてもった。劈開面は簡
単にナイフなどで切り出すことが可能であり、極めて清
浄かつ平滑な面を得ることができた。
すべて（０１０）面を劈開面としてもった。劈開面は簡
単にナイフなどで切り出すことが可能であり、極めて清
浄かつ平滑な面を得ることができた。
【００２０】（実施例１）製造例２の結晶および同様に
して得た結晶を用い、これにＱスイッチ付きＮｄ：ＹＡ
Ｇレーザー（λ＝１０６４ｎｍ）による１０ｎｓｅｃの
パルス光を照射した。その結果、結晶内で劈開面〔（０
１０）面〕内にあるｃ軸〔００１〕方向から約２８°の
方向に基本波を入射することによって位相整合可能であ
り、第２高調波発生効率は、ＫＤＰの２０００倍以上を
示し、第２高調波（λ＝５３２ｎｍ）が透過光として得
られた。
して得た結晶を用い、これにＱスイッチ付きＮｄ：ＹＡ
Ｇレーザー（λ＝１０６４ｎｍ）による１０ｎｓｅｃの
パルス光を照射した。その結果、結晶内で劈開面〔（０
１０）面〕内にあるｃ軸〔００１〕方向から約２８°の
方向に基本波を入射することによって位相整合可能であ
り、第２高調波発生効率は、ＫＤＰの２０００倍以上を
示し、第２高調波（λ＝５３２ｎｍ）が透過光として得
られた。
【００２１】（実施例２） 製造例２の結晶および同様にして得た結晶の（０１０）
劈開面を用い、これに波長可変Ｔｉ・サファイアレーザ
ー（λ＝１１００〜９３０ｎｍ）による１０ｎｓｅｃの
パルス光を照射した。その結果、測定全ての波長域で位
相整合可能であり、緑色から青色領域におよぶ第２高調
波が透過光として得られた。特に、波長９３０ｎｍに対
しては、劈開面に垂直な〔０１０〕方向でＴｙｐｅＩＩ
のノンクリティカルな位相整合がとれ、極めて安定な第
２高調波（４６５ｎｍ）を発生させることができた。厚
さ約３ｍｍの結晶で調べた結果、角度許容幅は、 Δθ・Ｌ＝７．０（ｄｅｇ・ｃｍ1/2 ） Δφ・Ｌ＝２．５（ｄｅｇ・ｃｍ） と非常に大きく、安定した素子を作成できた。同様に、
同じ結晶系に属する結晶においても、結晶軸方向でノン
クリティカル位相整合が成り立ち、劈開面を用いて、安
定した波長変換素子が作成できる。
劈開面を用い、これに波長可変Ｔｉ・サファイアレーザ
ー（λ＝１１００〜９３０ｎｍ）による１０ｎｓｅｃの
パルス光を照射した。その結果、測定全ての波長域で位
相整合可能であり、緑色から青色領域におよぶ第２高調
波が透過光として得られた。特に、波長９３０ｎｍに対
しては、劈開面に垂直な〔０１０〕方向でＴｙｐｅＩＩ
のノンクリティカルな位相整合がとれ、極めて安定な第
２高調波（４６５ｎｍ）を発生させることができた。厚
さ約３ｍｍの結晶で調べた結果、角度許容幅は、 Δθ・Ｌ＝７．０（ｄｅｇ・ｃｍ1/2 ） Δφ・Ｌ＝２．５（ｄｅｇ・ｃｍ） と非常に大きく、安定した素子を作成できた。同様に、
同じ結晶系に属する結晶においても、結晶軸方向でノン
クリティカル位相整合が成り立ち、劈開面を用いて、安
定した波長変換素子が作成できる。
【００２２】（実施例３）製造例２の結晶および同様に
して得た結晶を用い、これに出力１００ｍＷ，波長９３
０ｎｍの半導体レーザーを室温で（０１０）劈開面に垂
直入射するように配置してレーザー装置を試作した。結
晶の（０１０）劈開面は非常に平滑かつ清浄であり、基
本波の透過光強度は入射光強度の約８９％であり、屈折
率から計算される反射ロスと良い一致を示した。さら
に、劈開面にフッ素系樹脂をディップコートすることに
より無反射コーティングを施した結果、透過光強度は入
射光強度の約９９．７％にまで改善することができた。
その結果、相互作用長が６ｍｍの結晶において、出力約
１．５ｍＷの青色（４６５ｎｍ）の第２高調波を観測
し、極めて安定な青色のレーザー光を得ることができ
た。
して得た結晶を用い、これに出力１００ｍＷ，波長９３
０ｎｍの半導体レーザーを室温で（０１０）劈開面に垂
直入射するように配置してレーザー装置を試作した。結
晶の（０１０）劈開面は非常に平滑かつ清浄であり、基
本波の透過光強度は入射光強度の約８９％であり、屈折
率から計算される反射ロスと良い一致を示した。さら
に、劈開面にフッ素系樹脂をディップコートすることに
より無反射コーティングを施した結果、透過光強度は入
射光強度の約９９．７％にまで改善することができた。
その結果、相互作用長が６ｍｍの結晶において、出力約
１．５ｍＷの青色（４６５ｎｍ）の第２高調波を観測
し、極めて安定な青色のレーザー光を得ることができ
た。
【００２３】
【発明の効果】以上のように結晶の劈開面を、位相整合
入射面、またはノンクリティカル位相整合面として用い
ることを特徴とする波長変換素子では、表面の面精度が
高くほぼ理想的な波長変換を実現できた。また、４−ニ
トロフェニルカルバミン酸イソプロピルエステルのノン
クリティカル位相整合を利用した本発明の波長変換素子
は、波長９２５〜９３５ｎｍのレーザーを高効率で安定
に波長変換できる。また、ＭＮＡをはじめとする既存の
有機結晶は位相整合条件が厳しく、結晶の硬度も小さい
ため、結晶加工研磨が非常に難しいのに対し、本発明に
よる波長変換素子は結晶の劈開（０１０）面でノンクリ
ティカル位相整合とるため、光学的に良好な位相整合面
を素子作製工程で最も重要な結晶の研磨加工なくして得
られ、ビーム形状もよい。
入射面、またはノンクリティカル位相整合面として用い
ることを特徴とする波長変換素子では、表面の面精度が
高くほぼ理想的な波長変換を実現できた。また、４−ニ
トロフェニルカルバミン酸イソプロピルエステルのノン
クリティカル位相整合を利用した本発明の波長変換素子
は、波長９２５〜９３５ｎｍのレーザーを高効率で安定
に波長変換できる。また、ＭＮＡをはじめとする既存の
有機結晶は位相整合条件が厳しく、結晶の硬度も小さい
ため、結晶加工研磨が非常に難しいのに対し、本発明に
よる波長変換素子は結晶の劈開（０１０）面でノンクリ
ティカル位相整合とるため、光学的に良好な位相整合面
を素子作製工程で最も重要な結晶の研磨加工なくして得
られ、ビーム形状もよい。
【００２４】従って、本発明の波長変換素子はコンパク
トな短波長レーザーを実現でき、オプトエレクトロニク
スのあらゆる分野での用途が期待できる。
トな短波長レーザーを実現でき、オプトエレクトロニク
スのあらゆる分野での用途が期待できる。
Claims (5)
- 【請求項１】４−ニトロフェニルカルバミン酸イソプロ
ピルエステル分子結晶（空間群Ｐ２1 ｎｂ）の（０１
０）劈開面をノンクリティカルの位相整合面として用い
たことを特徴とする波長変換素子。 - 【請求項２】前記４−ニトロフェニルカルバミン酸イソ
プロピルエステル分子結晶は、４−ニトロアニリンを、
イソプロピルクロロフォルメイトと反応させることによ
って得られた４−ニトロフェニルカルバミン酸イソプロ
ピルエステルを、溶解度の大きい溶媒に溶解し、溶媒蒸
発法または溶媒冷却法により晶出させたことを特徴とす
る請求項１記載の波長変換素子。 - 【請求項３】請求項１または２記載の波長変換素子の４
−ニトロフェニルカルバミン酸イソプロピルエステル分
子結晶の（０１０）劈開面が、半導体レーザー光源から
のレーザー光に垂直に配置されたことを特徴とするレー
ザー装置。 - 【請求項４】請求項１または２記載の波長変換素子の４
−ニトロフェニルカルバミン酸イソプロピルエステル分
子結晶の（０１０）劈開面に無反射コーティングが施さ
れ、前記（０１０）劈開面が半導体レーザー光源からの
レーザー光に垂直に配置されたことを特徴とするレーザ
ー装置。 - 【請求項５】半導体レーザー光源からのレーザー光の波
長が９２５〜９３５ｎｍであり、室温で作動させること
を特徴とする請求項３または４記載のレーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6047618A JP2723797B2 (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 波長変換素子およびそれを用いたレーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6047618A JP2723797B2 (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 波長変換素子およびそれを用いたレーザー装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07261215A JPH07261215A (ja) | 1995-10-13 |
| JP2723797B2 true JP2723797B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=12780214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6047618A Expired - Fee Related JP2723797B2 (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 波長変換素子およびそれを用いたレーザー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2723797B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05127205A (ja) * | 1990-12-20 | 1993-05-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 分子結晶 |
-
1994
- 1994-03-18 JP JP6047618A patent/JP2723797B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05127205A (ja) * | 1990-12-20 | 1993-05-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 分子結晶 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07261215A (ja) | 1995-10-13 |
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