JP2714583B2 - Semiconductor manufacturing equipment with multiple reaction chambers - Google Patents

Semiconductor manufacturing equipment with multiple reaction chambers

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JP2714583B2
JP2714583B2 JP63230500A JP23050088A JP2714583B2 JP 2714583 B2 JP2714583 B2 JP 2714583B2 JP 63230500 A JP63230500 A JP 63230500A JP 23050088 A JP23050088 A JP 23050088A JP 2714583 B2 JP2714583 B2 JP 2714583B2
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station
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opening
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利明 立田
英明 嶋
理 辻
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株式会社サムコインターナショナル研究所
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、複数の反応室を備えた半導体製造装置、特
に反応室間の自動転送機構を備えた半導体製造装置に関
するものである。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus having a plurality of reaction chambers, and more particularly to a semiconductor manufacturing apparatus having an automatic transfer mechanism between reaction chambers.

従来の技術 種々の半導体デバイスの作成において、半導体の材料
ウエハーには複数の半導体処理工程が順次施される。た
とえば、pin構造の太陽電池を製造する場合、初期の方
法ではp、i及びnの各層を同一の反応室で形成してい
たが、各層の膜圧の違いや相互汚染の影響を回避するた
め、各専用のプラズマ反応室を用いる方式が普通になっ
てきた。また、半導体デバイスの種類によってはプラズ
マ反応、蒸着、及びエッチング等異なった種類の表面処
理を実施しなければならず、この場合においても、当然
複数の反応チャンバを必要とすることなる。
2. Description of the Related Art In the production of various semiconductor devices, a plurality of semiconductor processing steps are sequentially performed on a semiconductor material wafer. For example, when manufacturing a solar cell having a pin structure, the p, i, and n layers were formed in the same reaction chamber in the initial method, but in order to avoid the influence of the difference in the film pressure of each layer and the effect of mutual contamination. A system using a dedicated plasma reaction chamber has become common. Further, depending on the type of the semiconductor device, different types of surface treatment such as plasma reaction, vapor deposition, and etching must be performed. In this case, a plurality of reaction chambers are naturally required.

そこで、同種もしくは異種の反応室を複数個用いる場
合、単純にはそれらを直線的に配列した装置構成となる
が、そのような直線配列では装置の大型化や処理材料の
移送機構等の複雑化を避けることができず、最近では複
数の反応室を円周状に配列したものが用いられるように
なってきた。
Therefore, when a plurality of reaction chambers of the same type or different types are used, the apparatus configuration is simply arranged linearly. However, such a linear arrangement increases the size of the apparatus and complicates the transfer mechanism of the processing material. Inevitably, the use of a plurality of reaction chambers arranged circumferentially has recently been used.

第4図及び第5図は本発明者等が先に開発した反応室
円周配列型プラズマ処理装置を示すものである。すなわ
ち、ドラム上の材料転送室(1)の天板上には材料ウエ
ハーの出入室(2)及びp、i及びnの各層を形成する
ための反応室(3)、(3′)及び(3″)が円周状に
等間隔で配列され、転送室(1)の天板には出入室
(2)及び反応室(3)、(3′)及び(3″)と転送
室(1)内とを連絡するための開口が形成されていると
ともに、これらの開口は転送室(1)内に装備された昇
降可能な回転ディスク(4)の上面に設けられた4個の
シールリング(5)により封閉されるようになってい
る。ディスク(4)にはさらに前記反応室等の中心軸に
整合した支柱(6)が立設され、各支柱(6)の上端に
は各室の封閉状態において各反応室(3)、(3′)、
(3″)及び材料出入室(2)内に位置する電極兼材料
支持板(7a)〜(7d)が固定され、これらの支持板上に
材料ウエハー(8)が支持される。回転ディスク(4)
は第5図において仮想線で示した転送室(1)内の最下
部まで降下するとき、電極兼支持板(7a)〜(7d)の各
々を各開口を通じて転送室(1)内に降下させ、この状
態で反応室ピッチ分だけ(この場合、90゜)回動した
後、再び上昇することにより各材料ウエハー(6)を次
の反応室にもたらすようになっている。なお、(9)は
反応室内の上部に位置する対極であり、プラズマ処理等
の場合、電極兼支持板(7a)〜(7d)と協同して働くも
のである。
4 and 5 show a reaction chamber circumferential arrangement type plasma processing apparatus developed earlier by the present inventors. That is, on the top plate of the material transfer chamber (1) on the drum, the chamber (2) for the material wafer and the reaction chambers (3), (3 ') and (3) for forming the p, i and n layers. 3 ″) are circumferentially arranged at equal intervals, and the top plate of the transfer chamber (1) has an access chamber (2) and reaction chambers (3), (3 ′) and (3 ″) and a transfer chamber (1). Openings for communicating with the inside are formed, and these openings are provided with four seal rings (4) provided on the upper surface of a rotatable rotating disk (4) provided in the transfer chamber (1). 5) is sealed. The disc (4) is further provided with a column (6) that is aligned with the central axis of the reaction chamber or the like. At the upper end of each column (6), each of the reaction chambers (3), (3) is closed in a sealed state. ′),
(3 ") and the electrode / material support plates (7a) to (7d) located in the material access chamber (2) are fixed, and the material wafer (8) is supported on these support plates. 4)
Lowers each of the electrode / supporting plates (7a) to (7d) into the transfer chamber (1) through each opening when it is lowered to the lowermost part of the transfer chamber (1) indicated by a virtual line in FIG. In this state, after rotating by the pitch of the reaction chamber (in this case, 90 °), it is raised again to bring each material wafer (6) to the next reaction chamber. Incidentally, (9) is a counter electrode located in the upper part of the reaction chamber, and works in cooperation with the electrodes and support plates (7a) to (7d) in the case of plasma treatment or the like.

発明が解決しようとする課題 このような回転ディスクを用いる円周配列状の半導体
製造装置は、従来の直線配列型に比して小型化及び転送
機構の単純化を図ったものであるが、全反応室が同一の
時間帯において転送室と連通及び閉鎖されることとなる
ため、処理態様が限定されるとともに、すべての反応室
および材料出入室のシールを1枚のディスク(4)上に
おけるシールリングで行うため、極めて精密な加工及び
機械的安定性が保証されなければならないという欠点を
有する。
Problems to be Solved by the Invention The circumferentially arrayed semiconductor manufacturing apparatus using such a rotating disk is designed to reduce the size and simplify the transfer mechanism as compared with the conventional linear array type. Since the reaction chamber communicates with the transfer chamber and is closed during the same time period, the processing mode is limited, and the seals of all the reaction chambers and the material access chambers are sealed on one disk (4). The disadvantage is that very precise machining and mechanical stability must be ensured because of the ring operation.

本発明は、上記のようなディスク型転送機構を用いた
円周配列状半導体製造装置の欠点を排除した新規の円周
配列状半導体製造装置を提供しようとするものである。
An object of the present invention is to provide a novel circumferentially arrayed semiconductor manufacturing apparatus which eliminates the disadvantages of the circumferentially arrayed semiconductor manufacturing apparatus using the disk-type transfer mechanism as described above.

課題を解決するための手段 本発明は、上記の目的を達するため、密閉された試料
転送室の天板上に、半導体ウエハー材料を準備し、かつ
回収するための材料入出ステーション、及び前記材料の
膜面気相成長又はエッチング等の処理を行うための気密
室からなる複数の反応ステーションを円周状に配設する
とともに、各ステーションの底部から転送室の前記天板
にかけてステーション−転送室連絡用の開口通路を形成
し、 前記転送室において各開口通路の下方には、その開口
径より小さい外径を有する材料載置台及びその開口径よ
り大きい外径を有するシール板を支持し、前記載置台を
その開口通路を通じてステーションと転送室との間に往
来させるとともに、前記材料載置台が当該ステーション
内の動作位置に達したとき、前記シール板により前記開
口通路を気密的に閉鎖するようにした各一つの載置台昇
降機構を設け、 前記転送室内には先端に材料ホルダを有し、そのホル
ダを各ステーションに至る開口通路の直下位置、及びそ
れらの通路直下位置から外れた各中間位置に位置させる
べく回動することができる材料転送アームを装備し、前
記転送アームの材料ホルダは各開口通路の直下に位置し
たとき、保持していた材料を下方から上昇して来る前記
載置台上に移換し、かつその載置台のさらなる上昇を許
容するものであり、逆に載置台が上方から下降して来る
とき、その載置台上の材料を受取るようにした半導体製
造装置を構成したものである。
Means for Solving the Problems To achieve the above object, the present invention provides a material input / output station for preparing and collecting semiconductor wafer material on a top plate of a closed sample transfer chamber, and a material input / output station for the material. A plurality of reaction stations consisting of airtight chambers for performing processes such as film surface vapor deposition or etching are arranged circumferentially, and a station-transfer chamber communication is performed from the bottom of each station to the top plate of the transfer chamber. Forming, under the opening passages in the transfer chamber, a material mounting table having an outer diameter smaller than the opening diameter and a sealing plate having an outer diameter larger than the opening diameter; Through the opening passage between the station and the transfer chamber, and when the material placing table reaches the operating position in the station, the seal plate is A mounting table elevating mechanism for airtightly closing the opening passage, a material holder is provided at the tip in the transfer chamber, and the holder is located immediately below the opening passage reaching each station; and A material transfer arm that can be rotated to be positioned at each intermediate position deviated from the position directly below the passages, and the material holder of the transfer arm is held when the material holder is located directly below each open passage. Is transferred from above to the mounting table ascending from below, and the mounting table is allowed to further rise, and conversely, when the mounting table comes down from above, the material on the mounting table is removed. This is a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus to be received.

作 用 上記の構成によれば、各反応室および試料出入室の閉
鎖及び気密シールは格別の昇降機構におけるシール板に
より行われるため、容易に、かつ厳密に維持することが
でき、しかも特定の反応室はシールしたままにしておい
て、他の反応室と試料出入室との間で試料を転送する等
簡単な転送機構において厳格な気密状態を維持しつつ種
々の半導体表面処理を行うことが可能となる。
According to the above configuration, since the closing and airtight sealing of each reaction chamber and the sample entrance / exit chamber are performed by the seal plate of the special lifting mechanism, it can be easily and strictly maintained, and the specific reaction can be maintained. The chamber is kept sealed, and various semiconductor surface treatments can be performed while maintaining a strict airtight condition by a simple transfer mechanism such as transferring samples between other reaction chambers and the sample entry / exit chamber. Becomes

実施例 第1図は本発明の実施例におけるドラム状の材料転送
室(10)の天板を除去して示した平面図であり、(11
a)〜(11d)は円板状の材料載置台であり、第2図にお
いて材料転送室(10)の上に形成される試料出入ステー
ション(12a)、及び反応ステーション(12b)〜(12
d)の各々に対応して設けられた昇降機構(13)の上端
に固定されている。(14a)〜(14d)はそれら載置台
(11a)〜(11d)の下方において昇降機構(13)に取付
けられたステーションシール板である。材料載置台(11
a)〜(11d)の外径は第2図に示した転送室(10)の天
板(15)に設けられた各ステーションへの連絡開口(1
6)の口径より十分に小さいものであり、シール板(14
a)〜(14d)の外径は前記連絡開口(16)の口径より十
分大きいものである。また、シール板(14a)〜(14d)
の上面には前記連絡開口(16)の外径より大きい半径位
置においてシールリング(17)を保持している。
Embodiment FIG. 1 is a plan view showing a drum-shaped material transfer chamber (10) according to an embodiment of the present invention with a top plate removed, and FIG.
Reference numerals a) to (11d) denote disc-shaped material mounting tables, and a sample loading / unloading station (12a) and a reaction station (12b) to (12) formed on the material transfer chamber (10) in FIG.
It is fixed to the upper end of the lifting mechanism (13) provided corresponding to each of (d). (14a) to (14d) are station seal plates attached to the lifting mechanism (13) below the mounting tables (11a) to (11d). Material mounting table (11
The outer diameters of a) to (11d) correspond to the communication openings (1) to the respective stations provided on the top plate (15) of the transfer chamber (10) shown in FIG.
6) sufficiently smaller than the diameter of the seal plate (14
The outer diameters of a) to (14d) are sufficiently larger than the diameter of the communication opening (16). Also, sealing plates (14a) to (14d)
The seal ring (17) is held on the upper surface at a radial position larger than the outer diameter of the communication opening (16).

第2図には下部のみ示してあるが、各ステーションは
密閉タンク状であり、適当な真空減圧ライン(図示せ
ず)等に接続されている。各ステーションに対応する昇
降機構(13)は転送室(10)の底板(18)を貫通した昇
降ロッド(19)の上端にスプリングシート板(20)を固
定し、このシート板(20)の上面において支持した複数
の直立スプリング(21)を介して前記シール板(14a)
〜(14d)及びこれらのシール板の上方に間隔を置いて
固定された材料載置台(11a)〜(11d)を支持したもの
である。
Although only the lower part is shown in FIG. 2, each station is in the form of a closed tank and is connected to an appropriate vacuum pressure reducing line (not shown). The lifting mechanism (13) corresponding to each station fixes a spring seat plate (20) to the upper end of a lifting rod (19) that penetrates the bottom plate (18) of the transfer chamber (10). The seal plate (14a) via a plurality of upright springs (21) supported at
To (14d) and material mounting tables (11a) to (11d) fixed above the seal plates at intervals.

したがって、いずれかのステーションに対応する昇降
機構(13)が第2図において第1反応ステーション(12
b)に対応して示した最下端位置から最終反応ステーシ
ョン(12d)に対応して示したその最上端位置まで上昇
するときは、対応する材料載置台(11)を、連絡開口
(16)を含む開口通路より対応する反応ステーションま
で上昇させるとともに、シール板(14)のシールリング
(17)をスプリング(21)を介して均一な圧力で天板
(15)の下面に圧接させ、その反応ステーション又は材
料出入ステーションを完全な気密状態に維持するもので
ある。(なお、試料載置台(11)及びシール板(14)と
は、各ステーションに対応した(11a)〜(11d)及び
(14a)〜(14d)のいずれでもよいという意味で、サフ
ィックス文字を省略してある。以下、同じ。) 半導体ウエハー材料(22)は載置台(11)より十分小
さい外径を有するものであり、実施例においては載置台
(11)の上面に嵌合する下縁付のトレー(23)を介して
各載置台(11)に支持されるものである。
Therefore, the lifting mechanism (13) corresponding to one of the stations is connected to the first reaction station (12) in FIG.
When ascending from the lowermost position shown corresponding to b) to its uppermost position shown corresponding to the final reaction station (12d), the corresponding material mounting table (11) is connected to the communication opening (16). From the opening passage to the corresponding reaction station, and the sealing ring (17) of the sealing plate (14) is pressed against the lower surface of the top plate (15) with a uniform pressure via a spring (21). Alternatively, the material entrance / exit station is kept completely airtight. (Note that the suffix characters are omitted in the sense that the sample mounting table (11) and the seal plate (14) may be any of (11a) to (11d) and (14a) to (14d) corresponding to each station. The same applies hereinafter.) The semiconductor wafer material (22) has an outer diameter sufficiently smaller than the mounting table (11), and in the embodiment, has a lower edge fitted to the upper surface of the mounting table (11). Supported by each mounting table (11) via the tray (23).

転送室(10)の中央に直立して設けられた転送シャフ
ト(24)の上端は最下端位置にある場合の材料載置台
(11)の上方を素通りすることができるアーム(25)を
軸支している。このアーム(25)の先端(26)は第1図
に示す通り、アーム(25)の延長軸に関し、その回動方
向の一方側に位置する実質上半円周の円弧状リムからな
り、その内周面がすり鉢型もしくは支持段差型をなす材
料ホルダとして形成されている。この材料ホルダ(26)
の最小曲率半径は材料載置台(11a)〜(11d)の外径よ
りわずかに大きいものであり、したがって、これらの載
置台(11a)〜(11d)はそれと同軸位置に達した材料ホ
ルダ(26)に嵌合しつつ上下動することができる。
The upper end of the transfer shaft (24) provided upright in the center of the transfer chamber (10) supports an arm (25) that can pass directly above the material placing table (11) when it is at the lowermost position. doing. As shown in FIG. 1, the tip (26) of the arm (25) is formed of a substantially semicircular arc-shaped rim located on one side in the rotation direction with respect to the extension axis of the arm (25). The inner peripheral surface is formed as a mortar-shaped or support step-shaped material holder. This material holder (26)
Is slightly larger than the outer diameter of the material mounting tables (11a) to (11d), and therefore, these mounting tables (11a) to (11d) have a material holder (26) that has reached a coaxial position therewith. ) And can move up and down.

装置への材料供給は、まず材料出入ステーション(12
a)のドーム状本体蓋を開け、そのステーション内に持
上げられた材料載置台(11a)に支持したトレー(23)
を載置することにより行われる。第3図はそのようにし
て材料を支持した載置台(11)のホルダ(26)に関する
上下動と、両者間におけるトレー(23)の移動動作を示
すものであり、同図aに示す通り、ホルダ(26)に支持
されたトレー(23)は下方より接近して来る材料載置台
(11)が同図bに示す通り、トレー(23)の下縁に嵌合
した時点で載置台(11)上に移換され、さらに上昇する
載置台(11)により転送室の天板(15)を越えて対応す
る反応ステーションもしくは材料出入ステーションに入
り、その反応ステーションでの反応終了後、又は材料出
入ステーションでの処理後材料の回収及び新規半導体材
料の装荷後において、材料載置台(11)の下降により開
口(16)を通り、転送室(10)に入り、その際、同軸位
置で待ち受けている転送アーム(25)のホルダ(26)上
に移換されるわけである。
To supply materials to the equipment, first use the material access station (12
The tray (23) supported by the material mounting table (11a) lifted in the station with the dome-shaped main body cover opened in a)
Is carried out. FIG. 3 shows the vertical movement of the mounting table (11) thus supporting the material with respect to the holder (26), and the movement of the tray (23) between the two, as shown in FIG. The tray (23) supported by the holder (26) is brought into contact with the lower side of the tray (23) as shown in FIG. ) Is transferred to the top, and the ascending platform (11) moves over the top plate (15) of the transfer room to the corresponding reaction station or material loading / unloading station. After the reaction at the reaction station is completed, or material loading / unloading After the post-processing material collection at the station and the loading of the new semiconductor material, the material mounting table (11) is lowered to enter the transfer chamber (10) through the opening (16) and wait at the coaxial position. Transfer onto transfer arm (25) holder (26) It is not be.

上記のようなホルダ(26)と載置台(11)との間の材
料授受に関連し、その載置台(11)に関連するシール板
(14)がアーム先端における材料ホルダ(26)のレベル
を通過して上昇または下降する期間において、転送アー
ム(25)はその先端ホルダ(26)を当該開口(16)の直
下位置から後方(第1図で時計方向)のステーション間
位置に退行させるように回動し、これによって前述した
ような材料の授受と対応する各ステーションのシールお
よび開放が支障なく行われる。
In connection with the transfer of material between the holder (26) and the mounting table (11) as described above, the seal plate (14) associated with the mounting table (11) sets the level of the material holder (26) at the tip of the arm. During the period of passing or ascending or descending, the transfer arm (25) moves the tip holder (26) backward from the position immediately below the opening (16) to the inter-station position (clockwise in FIG. 1). This allows the stations to be sealed and opened correspondingly to the transfer of materials and the corresponding operations as described above.

なお、半導体材料(22)がトレー(23)と同様な外径
を有するものであるときは、トレー(23)を用いること
なく、載置台(11)にこの半導体材料を直接載置するこ
とができる。
When the semiconductor material (22) has the same outer diameter as the tray (23), the semiconductor material can be directly mounted on the mounting table (11) without using the tray (23). it can.

また、図示を省略したが、材料載置台(11)が一方の
電極を兼ねるプラズマ反応ステーション(12)において
は、その室内上部に対向電極が配置されるものである。
Although not shown, in the plasma reaction station (12) in which the material mounting table (11) also serves as one electrode, a counter electrode is disposed in the upper part of the chamber.

発明の効果 本発明の半導体製造装置は以上述べた通り、各ステー
ションに対応して昇降およびステーションシール機構を
設け、1個のステーションにのみ関連する材料転送アー
ムを装備したものであるため、回転ディスクによる一括
転送方式に比して設備コストを低減し、かつ各ステーシ
ョンのシール及び半導体処理工程の設計の自由度を高め
ることができる。
Effect of the Invention As described above, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is provided with a lifting and lowering and station sealing mechanism corresponding to each station and equipped with a material transfer arm associated with only one station. , The equipment cost can be reduced, and the degree of freedom in designing the sealing of each station and the semiconductor processing process can be increased.

特に、本発明の装置においては、半導体プロセスにお
ける最大の障害である大気中での汚染の軽減及び異物粒
子の発生防止に寄与し、かつ手作業又は人手による調整
の度合いを著しく減少させ、いわゆる完全自動プロセス
化を可能とするものである。
In particular, the apparatus of the present invention contributes to the reduction of pollution in the atmosphere and the prevention of generation of foreign particles, which are the biggest obstacles in the semiconductor process, and significantly reduces the degree of manual or manual adjustment. This enables automatic processing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の実施例における転送室の内部平面図、 第2図は転送室及び各反応ステーションの部分断面を含
む側断面図、 第3図a〜cは実施例における半導体材料が各ステーシ
ョンと転送室との間において授受される態様を示す部分
断面図、 第4図は従来の円周配列型半導体製造装置の平面図、 第5図はその側断面図である。 (10)……材料転送室 (11)……材料載置台 (12)……反応ステーション (13)……昇降機構 (14)……シール板 (15)……天板 (16)……連絡開口 (17)……シールリング (18)……底板 (19)……昇降ロッド (20)……シート板 (21)……スプリング (22)……ウエハー材料 (23)……トレー (24)……転送シャフト (25)……アーム (26)……ホルダ
FIG. 1 is an internal plan view of a transfer chamber in an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a side sectional view including a partial cross section of the transfer chamber and each reaction station, and FIGS. FIG. 4 is a partial sectional view showing a mode of transmission and reception between a station and a transfer chamber. FIG. 4 is a plan view of a conventional circumferential array type semiconductor manufacturing apparatus, and FIG. 5 is a side sectional view thereof. (10) Material transfer room (11) Material mounting table (12) Reaction station (13) Lifting mechanism (14) Seal plate (15) Top plate (16) Contact Opening (17) Seal ring (18) Bottom plate (19) Lifting rod (20) Sheet plate (21) Spring (22) Wafer material (23) Tray (24) …… Transfer shaft (25) …… Arm (26) …… Holder

フロントページの続き (72)発明者 辻 理 京都府京都市伏見区竹田田中宮町33番地 株式会社サムコインターナショナル研 究所内 (56)参考文献 特開 昭60−249328(JP,A) 実開 平1−84428(JP,U)Continuation of the front page (72) Inventor Osamu Tsuji 33, Takeda Tanakamiyacho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Japan Inside Samco International Laboratories (56) References JP-A-60-249328 (JP, A) −84428 (JP, U)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】密閉された試料転送室の天板上に、半導体
ウエハー材料を準備し、かつ回収するための材料入出ス
テーション、及び前記材料の膜面気相成長又はエッチン
グ等の処理を行うための気密室からなる複数の反応ステ
ーションを円周状に配設するとともに、各ステーション
の底部から転送室の前記天板にかけてステーション−転
送室連絡用の開口通路を形成し、 前記転送室において各開口通路の下方には、その開口径
より小さい外径を有する材料載置台及びその開口径より
大きい外径を有するシール板を支持し、前記載置台をそ
の開口通路を通じてステーションと転送室との間に往来
させるとともに、前記材料載置台が当該ステーション内
の動作位置に達したとき、前記シール板により前記開口
通路を気密的に閉鎖するようにした各一つの載置台昇降
機構を設け、 前記転送室内には先端に材料ホルダを有し、そのホルダ
を各ステーションに至る開口通路の直下位置、及びそれ
らの通路直下位置から外れた各中間位置に位置させるべ
く回動することができる材料転送アームを装備し、前記
転送アームの材料ホルダは各開口通路の直下に位置した
とき、保持していた材料を下方から上昇して来る前記載
置台上に移換し、かつその載置台のさらなる上昇を許容
するものであり、逆に載置台が上方から下降して来ると
き、その載置台上の材料を受取るものであることを特徴
とする複数の反応室を備えた半導体製造装置。
1. A material input / output station for preparing and collecting a semiconductor wafer material on a top plate of a sealed sample transfer chamber, and for performing a process such as film surface vapor deposition or etching of the material. A plurality of reaction stations consisting of airtight chambers are arranged circumferentially, and an opening passage for station-transfer chamber communication is formed from the bottom of each station to the top plate of the transfer chamber. Below the passage, a material mounting table having an outer diameter smaller than the opening diameter and a seal plate having an outer diameter larger than the opening diameter are supported, and the mounting table is moved between the station and the transfer chamber through the opening path. In addition, when the material mounting table reaches the operating position in the station, the opening passage is hermetically closed by the seal plate. The transfer chamber is provided with a material holder at a tip thereof in the transfer chamber. It is equipped with a material transfer arm that can rotate, and when the material holder of the transfer arm is located directly below each opening passage, transfers the held material onto the mounting table ascending from below. And a plurality of reaction chambers, which allow the mounting table to be further raised, and on the contrary, when the mounting table comes down from above, receives the material on the mounting table. Semiconductor manufacturing equipment.
【請求項2】前記転送アームは、各材料載置台との間で
材料の授受を行うにあたり、その載置台に関連するシー
ル板が、アーム先端における材料ホルダのレベルを通過
して上昇する間、又はそのレベルを下回るまでの下降期
間において、その先端ホルダを当該開口通路の直下位置
から退行させるように回動するものであることを特徴と
する請求項1に記載の半導体製造装置。
2. The transfer arm according to claim 1, wherein said transfer arm is adapted to transfer a material to and from each of said material placing tables, while a sealing plate associated with said placing table rises through a level of a material holder at an end of said arm. 2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the tip holder rotates so as to retreat from a position immediately below the opening passage during a descending period until the level falls below the level. 3.
【請求項3】前記転送アームの先端における材料ホルダ
が、当該アームの延長軸上に中心を有し、同延長軸に関
してアーム回動方向の一方側に位置する実質上半円周の
円弧状リムからなり、その内周面がすり鉢型もしくは支
持段差型をなし、かつその最小曲率半径が前記材料載置
台の嵌合を許容すべくその外径よりわずかに大きいもの
であり、前記材料ウエハー又はこのウエハーを支持する
材料トレーは前記円弧状リムからなる材料ホルダに嵌合
支持される外周形状を有し、かつその最大直径が前記開
口通路の口径よりは小さいものであることを特徴とする
請求項1に記載の半導体製造装置。
3. A semi-circular arc-shaped rim having a center on an extension axis of the transfer arm and located on one side in the arm rotation direction with respect to the extension axis. Consisting of a mortar or support step, and having a minimum radius of curvature slightly larger than its outer diameter to allow fitting of the material mounting table, and the material wafer or the material wafer or the like. The material tray supporting a wafer has an outer peripheral shape fitted and supported by the material holder formed of the arc-shaped rim, and has a maximum diameter smaller than the diameter of the opening passage. 2. The semiconductor manufacturing apparatus according to 1.
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