JP2714149B2 - デイスク装置 - Google Patents
デイスク装置Info
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- JP2714149B2 JP2714149B2 JP1164048A JP16404889A JP2714149B2 JP 2714149 B2 JP2714149 B2 JP 2714149B2 JP 1164048 A JP1164048 A JP 1164048A JP 16404889 A JP16404889 A JP 16404889A JP 2714149 B2 JP2714149 B2 JP 2714149B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光や磁気デイスク装置のヘツド位置決め方
式に関し、特に装置外力のばらつきをキヤンセルするた
めの方式を実現し、ヘツド位置決め精度の向上とアクセ
ス時間の短縮とを図ることができるデイスク装置に関す
るものである。
式に関し、特に装置外力のばらつきをキヤンセルするた
めの方式を実現し、ヘツド位置決め精度の向上とアクセ
ス時間の短縮とを図ることができるデイスク装置に関す
るものである。
従来のデイスク装置例えば磁気デイスク装置は、円板
の回転数の上昇に伴い、磁気ヘツドが浮上する方式が一
般的であり、データ記憶エリアの保護のために、起動お
よび停止時には、ヘツドをデータエリアの外に位置付け
する必要がある。一般には、リトラクトバネと呼ばれる
バネでアクチユエータを一方向に引つ張ることにより、
可動部の最内側にヘツドを位置付けしておくが、トラツ
ク密度の狭小化とアクチユエータの軽量化により外力が
位置決め制御系に与える影響は大きく、それを補償する
ことが一般的に行われている。
の回転数の上昇に伴い、磁気ヘツドが浮上する方式が一
般的であり、データ記憶エリアの保護のために、起動お
よび停止時には、ヘツドをデータエリアの外に位置付け
する必要がある。一般には、リトラクトバネと呼ばれる
バネでアクチユエータを一方向に引つ張ることにより、
可動部の最内側にヘツドを位置付けしておくが、トラツ
ク密度の狭小化とアクチユエータの軽量化により外力が
位置決め制御系に与える影響は大きく、それを補償する
ことが一般的に行われている。
従来の外力補償方法としては、最初、前トラツク範囲
において一定の値で補正を行つていた。次に内周トラツ
クと外周トラツクの間で補正値をトラツク対応に出力す
る方法が提案された。しかし、このような一様な外力補
正テーブルにより補償する方法では、装置のばらつきや
実装方向が変化した場合の重力の影響等を補正できなか
つた。そこで、例えば、特開昭59-146485号公報や特開
昭59-146486号公報の記載のように推定速度信号と速度
信号の誤差信号、あるいは、推定電流信号と電流信号の
誤差信号を、アナログ的手法によりフイードバツクし
て、電力増幅器の入力に外乱打ち消し信号として加算す
ることにより、補償する方法や、特開昭58-29180号公報
に記載されているように、変位量をA/Dコンバータによ
り測定し、補正値の更新を行う方法が提案されている。
において一定の値で補正を行つていた。次に内周トラツ
クと外周トラツクの間で補正値をトラツク対応に出力す
る方法が提案された。しかし、このような一様な外力補
正テーブルにより補償する方法では、装置のばらつきや
実装方向が変化した場合の重力の影響等を補正できなか
つた。そこで、例えば、特開昭59-146485号公報や特開
昭59-146486号公報の記載のように推定速度信号と速度
信号の誤差信号、あるいは、推定電流信号と電流信号の
誤差信号を、アナログ的手法によりフイードバツクし
て、電力増幅器の入力に外乱打ち消し信号として加算す
ることにより、補償する方法や、特開昭58-29180号公報
に記載されているように、変位量をA/Dコンバータによ
り測定し、補正値の更新を行う方法が提案されている。
デイスク装置の大容量化と高速化に伴つて、トラツク
幅の狭小化、アクチユエータの軽量化が著しいが、この
結果、アクチユエータに加わる外力の影響は益々無視で
きなくなつてきた。
幅の狭小化、アクチユエータの軽量化が著しいが、この
結果、アクチユエータに加わる外力の影響は益々無視で
きなくなつてきた。
従来の外力測定方法としては、電流あるいは速度を推
定し、この推定信号と検出信号の誤差信号をアナログ的
手法を用いてフイードバツクするか、あるいは、変位信
号を見て、外力補正値を修正していく方法か、のいずれ
かであつた。
定し、この推定信号と検出信号の誤差信号をアナログ的
手法を用いてフイードバツクするか、あるいは、変位信
号を見て、外力補正値を修正していく方法か、のいずれ
かであつた。
しかし、推定誤差信号をアナログ的手法を用いてフイ
ードバツクし、実時間で外力補正を行う方法では、外力
の周波数成分が低いため、磁気ヘツドを位置決めし保持
する制御系に切り換えたときに過渡応答時間が長くなつ
てしまうという問題がある。
ードバツクし、実時間で外力補正を行う方法では、外力
の周波数成分が低いため、磁気ヘツドを位置決めし保持
する制御系に切り換えたときに過渡応答時間が長くなつ
てしまうという問題がある。
また、変位信号から外力補正値を設定する方法では、
測定した外力補正値に精度上の問題がある。
測定した外力補正値に精度上の問題がある。
本発明の目的は、これら従来の問題を改善し、実装方
向や装置のバラツキに影響されることなく、高精度の外
力補正を行つて、ヘツド位置決め精度の向上とアクセス
時間の短縮を図ることが可能なデイスク装置を提供する
ことにある。
向や装置のバラツキに影響されることなく、高精度の外
力補正を行つて、ヘツド位置決め精度の向上とアクセス
時間の短縮を図ることが可能なデイスク装置を提供する
ことにある。
上記目的を達成するために、本発明によるデイスク装
置のサーボ制御システムは、マイクロプロセツサシステ
ムにより実現される従来のデイジタルサーボ制御システ
ムにおいては、位置検出器の出力をAD変換したサンプル
位置信号と、DA変換器を介し駆動回路へ出力されるサン
プル制御信号とを、マイクロプロセツサシステム上に実
現される外力推定手段に入力し、外力推定手段は推定結
果である外力補正値を、デイジタルサーボ補償結果に加
算することで、外力を補償できるものであり、さらに、
コントローラの電源投入後の正常動作ごとに、円板を代
表する複数のトラツクにおける外力補正値を上記外力推
定器の出力から測定し、外力補正テーブルとして、マイ
クロプロセツサシステム内のメモリに記憶しておき、以
後の外力補正を上記外力補正テーブルを用いるようにし
たものである。
置のサーボ制御システムは、マイクロプロセツサシステ
ムにより実現される従来のデイジタルサーボ制御システ
ムにおいては、位置検出器の出力をAD変換したサンプル
位置信号と、DA変換器を介し駆動回路へ出力されるサン
プル制御信号とを、マイクロプロセツサシステム上に実
現される外力推定手段に入力し、外力推定手段は推定結
果である外力補正値を、デイジタルサーボ補償結果に加
算することで、外力を補償できるものであり、さらに、
コントローラの電源投入後の正常動作ごとに、円板を代
表する複数のトラツクにおける外力補正値を上記外力推
定器の出力から測定し、外力補正テーブルとして、マイ
クロプロセツサシステム内のメモリに記憶しておき、以
後の外力補正を上記外力補正テーブルを用いるようにし
たものである。
また、アナログ回路により実現されるアナログサーボ
制御システムにおいては、位置検出器の出力である位置
信号をサンプル位置信号に変換するためのAD変換器と、
駆動回路へ入力される制御信号をサンプル制御信号に変
換するAD変換器と、これらサンプル位置信号とサンプル
制御信号から外力補正値を推定演算する外力推定手段を
実現するマイクロプロセツサシステムと、外力推定器の
出力である外力補正値をアナログ信号に変換するDA変換
器と、該外力補正値をアナログ補償演算結果に加算する
ための加算手段とを設け、さらに、デイスク装置の電源
投入後の正常動作ごとに、円板上を代表する複数のトラ
ツクにおける外力補正値を上記外力推定値の出力から測
定し、外力補正テーブルとして、マイクロプロセツサシ
ステム内のメモリに記憶しておき、以後の外力補正を上
記外力補正テーブルを用いるようにしたものである。
制御システムにおいては、位置検出器の出力である位置
信号をサンプル位置信号に変換するためのAD変換器と、
駆動回路へ入力される制御信号をサンプル制御信号に変
換するAD変換器と、これらサンプル位置信号とサンプル
制御信号から外力補正値を推定演算する外力推定手段を
実現するマイクロプロセツサシステムと、外力推定器の
出力である外力補正値をアナログ信号に変換するDA変換
器と、該外力補正値をアナログ補償演算結果に加算する
ための加算手段とを設け、さらに、デイスク装置の電源
投入後の正常動作ごとに、円板上を代表する複数のトラ
ツクにおける外力補正値を上記外力推定値の出力から測
定し、外力補正テーブルとして、マイクロプロセツサシ
ステム内のメモリに記憶しておき、以後の外力補正を上
記外力補正テーブルを用いるようにしたものである。
本発明によるデイスク装置の外力推定手段は、位置及
び速度を推定するオブザーバより成る。外力がアクチユ
エータに作用していない時、推定位置信号とサンプル位
置信号は一致するはずである。一致しないのは、外乱す
なわち外力が存在するためであり、推定位置信号とサン
プル位置信号との誤差を増幅し制御信号の一部として出
力すると外力を補償できる。また、ここで得られる外力
推定値が整定した段階で、外力補正値としてマイクロプ
ロセツサシステム内のメモリに記憶しておく。ところ
で、アクチユエータに加わる外力としては、前述したよ
うに、リトラクトバネによるものの他に、アクチユエー
タの可動部に対して信号のやり取りを行うFPC(Flexibl
e Printed Circuit)と呼ばれる屈折性のある高分子材
料による影響や、円板の回転による風圧によるもの等あ
るため、内周のトラツクで作用する外力と外周のトラツ
クで作用する外力は異なる。このため、本発明では、上
記外力推定手段を用いて、円板を代表する複数のトラツ
ク上での外力補正値を求め、これら複数の外力補正値を
補間することによりトラツク全域での外力補正値を求め
ることが可能である。もちろん、前トラツクでの外力補
正値を求めることも可能である。
び速度を推定するオブザーバより成る。外力がアクチユ
エータに作用していない時、推定位置信号とサンプル位
置信号は一致するはずである。一致しないのは、外乱す
なわち外力が存在するためであり、推定位置信号とサン
プル位置信号との誤差を増幅し制御信号の一部として出
力すると外力を補償できる。また、ここで得られる外力
推定値が整定した段階で、外力補正値としてマイクロプ
ロセツサシステム内のメモリに記憶しておく。ところ
で、アクチユエータに加わる外力としては、前述したよ
うに、リトラクトバネによるものの他に、アクチユエー
タの可動部に対して信号のやり取りを行うFPC(Flexibl
e Printed Circuit)と呼ばれる屈折性のある高分子材
料による影響や、円板の回転による風圧によるもの等あ
るため、内周のトラツクで作用する外力と外周のトラツ
クで作用する外力は異なる。このため、本発明では、上
記外力推定手段を用いて、円板を代表する複数のトラツ
ク上での外力補正値を求め、これら複数の外力補正値を
補間することによりトラツク全域での外力補正値を求め
ることが可能である。もちろん、前トラツクでの外力補
正値を求めることも可能である。
以上のようにして得られた外力補正値を外力補正テー
ブルに記憶しておき、以後の外力補正を前記外力補正テ
ーブルにより行う。これにより、外力推定の時間がかか
らないため、位置決め整定時間が短いということに本発
明の特徴がある。
ブルに記憶しておき、以後の外力補正を前記外力補正テ
ーブルにより行う。これにより、外力推定の時間がかか
らないため、位置決め整定時間が短いということに本発
明の特徴がある。
[第1実施例] 本発明の一実施例を、図面により詳細に説明する。
第1図は、本発明の一実施例を示す磁気デイスク装置
の単純化されたブロツク線図である。
の単純化されたブロツク線図である。
第1図のマイクロプロセツサシステム10においては、
マイクロプロセツサ11がデータ・バス1を介して、ラン
ダム・アクセス・メモリ(RAM)12および読み出し専用
メモリ(ROM)13に接続されている。コントローラ15
は、マイクロプロセツサ11に対し任意のトラツクへ移動
するようにというコマンドを発生する。また、駆動スピ
ンドル1上には円板2が装着されており、この円板2上
に磁気ヘツド3が設けられている。この磁気ヘツド3
は、アクチユエータ4に固定されており、一群となり任
意のトラツクに移動することができる。アクチユエータ
4は駆動回路6で発生される電流によつて、磁気ヘツド
に対して電流に比例した直線運動を行わせる。
マイクロプロセツサ11がデータ・バス1を介して、ラン
ダム・アクセス・メモリ(RAM)12および読み出し専用
メモリ(ROM)13に接続されている。コントローラ15
は、マイクロプロセツサ11に対し任意のトラツクへ移動
するようにというコマンドを発生する。また、駆動スピ
ンドル1上には円板2が装着されており、この円板2上
に磁気ヘツド3が設けられている。この磁気ヘツド3
は、アクチユエータ4に固定されており、一群となり任
意のトラツクに移動することができる。アクチユエータ
4は駆動回路6で発生される電流によつて、磁気ヘツド
に対して電流に比例した直線運動を行わせる。
一方、アクチユエータ4は、リトラクトバネ5等によ
る外力の影響を受けている。位置検出器8は、磁気ヘツ
ド3より読み出されたサーボ情報を用いて、トラツク中
心において零となるような位置信号を発生する。外力に
より引張られると、ヘツドがオフセツトした分だけ位置
信号も零からずれるので、コントローラ10内で実行され
るデイジタル補償器は、前記位置信号をAD変換器9でサ
ンプル位置信号として取り込み、これが零になるように
補償する。すなわち、デイジタル補償器は、サンプル位
置信号に対し、位相遅れ・進み補償等の位相補償演算あ
るいは状態推定器を含む状態フイードバツク補償演算を
行い、この演算結果と外力補正値とを加算したサンプル
制御信号をDA変換器7を介して駆動回路6に入力し、磁
気ヘツド3をトラツク中心に追従させる。
る外力の影響を受けている。位置検出器8は、磁気ヘツ
ド3より読み出されたサーボ情報を用いて、トラツク中
心において零となるような位置信号を発生する。外力に
より引張られると、ヘツドがオフセツトした分だけ位置
信号も零からずれるので、コントローラ10内で実行され
るデイジタル補償器は、前記位置信号をAD変換器9でサ
ンプル位置信号として取り込み、これが零になるように
補償する。すなわち、デイジタル補償器は、サンプル位
置信号に対し、位相遅れ・進み補償等の位相補償演算あ
るいは状態推定器を含む状態フイードバツク補償演算を
行い、この演算結果と外力補正値とを加算したサンプル
制御信号をDA変換器7を介して駆動回路6に入力し、磁
気ヘツド3をトラツク中心に追従させる。
次に、イニシヤルシーケンスの一部として、最適な外
力補正値を求め、外力補正テーブルに記憶しておく本発
明について説明する。第1図の単純化されたブロツク線
図は、デイジタル・サーボ制御システムを実現するため
に必要なハードウエアを示すことを目的としたものであ
る。そこで、イニシヤルシーケンスの動作を第2図を併
用して説明する。第1図において、駆動回路6及びアク
チユエータ4の部分を、第2図では入力ゲインK1[N/
V]23と表わした。また、磁気ヘツド3を質量M[kg]
の純慣性マス24とした。これを伝達関数表示すると、1/
(MS2)をなる。また、ただし、Sはラプラス演算子を
表わす。また、位置検出器8を、出力ゲインK2[V/m]
25で表わせるとした。また、マイクロプロセツサシステ
ム10内に実現されるデイジタル補償器18や外力推定器19
は、マイクロプロセツサ11,RAM12,ROM13を用いて、ソフ
トウエアにより実現されるため、第2図では、それぞれ
を1つのブロツクとして記述した。
力補正値を求め、外力補正テーブルに記憶しておく本発
明について説明する。第1図の単純化されたブロツク線
図は、デイジタル・サーボ制御システムを実現するため
に必要なハードウエアを示すことを目的としたものであ
る。そこで、イニシヤルシーケンスの動作を第2図を併
用して説明する。第1図において、駆動回路6及びアク
チユエータ4の部分を、第2図では入力ゲインK1[N/
V]23と表わした。また、磁気ヘツド3を質量M[kg]
の純慣性マス24とした。これを伝達関数表示すると、1/
(MS2)をなる。また、ただし、Sはラプラス演算子を
表わす。また、位置検出器8を、出力ゲインK2[V/m]
25で表わせるとした。また、マイクロプロセツサシステ
ム10内に実現されるデイジタル補償器18や外力推定器19
は、マイクロプロセツサ11,RAM12,ROM13を用いて、ソフ
トウエアにより実現されるため、第2図では、それぞれ
を1つのブロツクとして記述した。
次に、外力補正値測定のためのイニシヤル・シーケン
スを第1図及び第2図と、第3図及び第4図のフローチ
ヤートを用いて説明する。ただし、簡単のため、外力補
正値の測定箇所が3箇所の場合について説明する。
スを第1図及び第2図と、第3図及び第4図のフローチ
ヤートを用いて説明する。ただし、簡単のため、外力補
正値の測定箇所が3箇所の場合について説明する。
電源投入後、駆動スピンドル1が、一定回転速度に達
し、正常動作開始状態まで待つ(第3図フローチヤート
・100)、次にマイクロプロセツサシステム10内では、
目標トラツクに内周トラツクをセツトし(第3図フロー
チヤート・101)、目標トラツクまで移動(シーク)
し、移動完了の後外力推定器19を働かせ、外力補正値の
最適化(第3図フローチヤート・102)を行う。この外
力補正値の最適化の動作を第4図のフローチヤートを用
いて説明する。まず、マイクロプロセツサシステム10
は、ソフトウエアスイツチ22を速度制御器17側へ、ソフ
トウエアスイツチ20を外力補正テーブル16側にして、磁
気ヘツド3を目標トラツクへ移動(シーク)させる(第
4図フローチヤート・200)。ただし、外力補正テーブ
ル16は、RAM12内に存在するが、外力測定前の動作であ
るため、ROM13にあらかじめ用意された標準値が、RAM12
内の外力補正テーブル16に書き込まれている。次に、目
標トラツク近傍になると、ソフトウエアスイツチ22をデ
イジタル補償器18側へ、ソフトウエアスイツチ20を外力
推定器19側にして、外力推定器19を動作させ、トラツク
中心に磁気ヘツド3を追従させる(第4図フローチヤー
ト・201)。デイジタル補償器18及び外力推定器19の動
作については後述する。次に、外力推定器19の出力であ
る外力推定値が整定するまで待つ。たとえば、円板2が
1回転する時間(3600rpmで回転している時は、16.7mse
cの間)、外力推定値の整定を待つ。整定した段階で、
外力推定値を外力補正テーブル16にストアする(第4図
フローチヤート・202)。同じような動作を中周トラツ
ク及び外周トラツクでも行う(第3図フローチヤート・
103,104,105,106)。次に、内周,中周,外周の外力補
正値を補間して、トラツク全域の外力補正値を求め、外
力補正テーブル16に書き込む(第3図フローチヤート・
107)。最後にマイクロプロツサ11は、コントローラ15
に対し、動作完了を報告し、コマンド入力待ち状態にな
る。
し、正常動作開始状態まで待つ(第3図フローチヤート
・100)、次にマイクロプロセツサシステム10内では、
目標トラツクに内周トラツクをセツトし(第3図フロー
チヤート・101)、目標トラツクまで移動(シーク)
し、移動完了の後外力推定器19を働かせ、外力補正値の
最適化(第3図フローチヤート・102)を行う。この外
力補正値の最適化の動作を第4図のフローチヤートを用
いて説明する。まず、マイクロプロセツサシステム10
は、ソフトウエアスイツチ22を速度制御器17側へ、ソフ
トウエアスイツチ20を外力補正テーブル16側にして、磁
気ヘツド3を目標トラツクへ移動(シーク)させる(第
4図フローチヤート・200)。ただし、外力補正テーブ
ル16は、RAM12内に存在するが、外力測定前の動作であ
るため、ROM13にあらかじめ用意された標準値が、RAM12
内の外力補正テーブル16に書き込まれている。次に、目
標トラツク近傍になると、ソフトウエアスイツチ22をデ
イジタル補償器18側へ、ソフトウエアスイツチ20を外力
推定器19側にして、外力推定器19を動作させ、トラツク
中心に磁気ヘツド3を追従させる(第4図フローチヤー
ト・201)。デイジタル補償器18及び外力推定器19の動
作については後述する。次に、外力推定器19の出力であ
る外力推定値が整定するまで待つ。たとえば、円板2が
1回転する時間(3600rpmで回転している時は、16.7mse
cの間)、外力推定値の整定を待つ。整定した段階で、
外力推定値を外力補正テーブル16にストアする(第4図
フローチヤート・202)。同じような動作を中周トラツ
ク及び外周トラツクでも行う(第3図フローチヤート・
103,104,105,106)。次に、内周,中周,外周の外力補
正値を補間して、トラツク全域の外力補正値を求め、外
力補正テーブル16に書き込む(第3図フローチヤート・
107)。最後にマイクロプロツサ11は、コントローラ15
に対し、動作完了を報告し、コマンド入力待ち状態にな
る。
以後の動作における外力補正は、最適な外力補正値が
記憶されている外力補正テーブルをもつて行なわれるた
め、装置ごとの外力のバラツキや実装方向に影響されな
い最適な外力補正を行うことが可能となる。
記憶されている外力補正テーブルをもつて行なわれるた
め、装置ごとの外力のバラツキや実装方向に影響されな
い最適な外力補正を行うことが可能となる。
次にデイジタル補償器18について説明する。デイジタ
ル補償器18は、状態推定器を含む状態フイードバツク補
償でも実現できるが、本実施例では、位相遅れ、進み補
償とした。このときのデイジタル補償器18の離散伝達関
数は、 で表わされる。ただし、Z-1は1サンプル遅延を示し、
a2,a3,b1,b2,b3は、デイジタル補償器18の周波数特性
を表す定数を示し、KDデイジタル補償器18のループゲ
インである。
ル補償器18は、状態推定器を含む状態フイードバツク補
償でも実現できるが、本実施例では、位相遅れ、進み補
償とした。このときのデイジタル補償器18の離散伝達関
数は、 で表わされる。ただし、Z-1は1サンプル遅延を示し、
a2,a3,b1,b2,b3は、デイジタル補償器18の周波数特性
を表す定数を示し、KDデイジタル補償器18のループゲ
インである。
デイジタル補償器18へは、目標値r(k)からサンプ
ル位置信号y(k)を差し引いた偏差信号e(k)が入
力され、デイジタル補償演算結果v(k)を出力する。
ただし、kは各デイジタル・サンプルの時間インデツク
スを表す。偏差信号e(k)からデイジタル補償演算結
果v(k)を得るまでの出力方程式を次に示す。
ル位置信号y(k)を差し引いた偏差信号e(k)が入
力され、デイジタル補償演算結果v(k)を出力する。
ただし、kは各デイジタル・サンプルの時間インデツク
スを表す。偏差信号e(k)からデイジタル補償演算結
果v(k)を得るまでの出力方程式を次に示す。
W3(k)=b1・e(k)+W1(k) …(2) v(k)=Kc・W3(k) …(3) (3)式によりデイジタル補償演算結果v(k)が得
られるが、次サンプルにおいてもv(k)を得るため
に、サンプル制御信号u(k)の出力後次のW1,W2とい
つた状態変数を計算する。W1,W2は次のようになる。
られるが、次サンプルにおいてもv(k)を得るため
に、サンプル制御信号u(k)の出力後次のW1,W2とい
つた状態変数を計算する。W1,W2は次のようになる。
W1(k+1)=W2(k)+b2・e(k)−a2・W3
(k) …(4) W2(k+1)=b3・e(k)−a3・W3(k) …(5) 外力推定器18は、制御対象(第2図23,24,25)の位置
及び速度を推定する離散時間オブザーバから構成され
る。外力推定器19へは、サンプル制御信号u(k)とサ
ンプル位置信号y(k)が入力され、外力推定値W
(k)を出力する。ただし、サンプル制御信号u(k)
は、位置及び速度に相当する推定器状態変数1,2を
計算するために入力される。外力推定器19は、まず、サ
ンプル位置信号y(k)から外力推定値W(k)を次式
により求める。
(k) …(4) W2(k+1)=b3・e(k)−a3・W3(k) …(5) 外力推定器18は、制御対象(第2図23,24,25)の位置
及び速度を推定する離散時間オブザーバから構成され
る。外力推定器19へは、サンプル制御信号u(k)とサ
ンプル位置信号y(k)が入力され、外力推定値W
(k)を出力する。ただし、サンプル制御信号u(k)
は、位置及び速度に相当する推定器状態変数1,2を
計算するために入力される。外力推定器19は、まず、サ
ンプル位置信号y(k)から外力推定値W(k)を次式
により求める。
(k)=K2・1(k) …(6) (k)=y(k)−(k) …(7) W(k)=−H・(k) …(8) ただし、 H=(M・l2)/K1・Ts) …(9) であり、定常状態において外力をキヤンセルするための
ゲインであり、l2は後述する外力推定器19のフイード
バツクゲイン、Tsはサンプリング間隔である。また、次
のサンプルのために、サンプル制御信号u(k)を出力
した後に、次の状態方程時を計算する。
ゲインであり、l2は後述する外力推定器19のフイード
バツクゲイン、Tsはサンプリング間隔である。また、次
のサンプルのために、サンプル制御信号u(k)を出力
した後に、次の状態方程時を計算する。
ただし、l1,l2は、外力推定器の収束の速さを決定す
るフイードバツクゲインである。
るフイードバツクゲインである。
一方、サンプル制御信号u(k)は、(3)式と
(8)式から u(k)=v(k)+W(k) …(12) と計算される。
(8)式から u(k)=v(k)+W(k) …(12) と計算される。
次に、以上述べた計算手順を第5図のフローチヤート
を用いて説明する。まず、AD変換器9からサンプル位置
信号を取り込みy(k)に入力する(第5図フローチヤ
ート・300)。次に、出力方程式群(2),(3),
(6),(7),(8),(12)式を計算し(第5図フ
ローチヤート・301)、(12)式の結果であるサンプル
制御信号u(k)をDA変換器7へ出力する(第5図フロ
ーチヤート・302)。最後に、次サンプルのために、状
態方程式群(4),(5),(10),(11)式を計算す
る。
を用いて説明する。まず、AD変換器9からサンプル位置
信号を取り込みy(k)に入力する(第5図フローチヤ
ート・300)。次に、出力方程式群(2),(3),
(6),(7),(8),(12)式を計算し(第5図フ
ローチヤート・301)、(12)式の結果であるサンプル
制御信号u(k)をDA変換器7へ出力する(第5図フロ
ーチヤート・302)。最後に、次サンプルのために、状
態方程式群(4),(5),(10),(11)式を計算す
る。
[第2実施例] 本発明の他の実施例を図面により詳細に説明する。
第6図は、本発明の一実施例を示す磁気デイスク装置
の単純化されたブロツク線図である。第6図において、
第1図と同一番号は同一内容を示す。本実施例は、アナ
ログサーボ制御システムとデイジタルサーボ制御システ
ムとが混在したサーボシステムである。補償器30はアナ
ログ補償要素であり、状態推定器を含む状態フイードバ
ツク補償要素もしくは位相補償要素等の補償要素が考え
られる。本実施例では位相補償の立場をとり、位相進み
・遅れ補償要素を用いて説明する。
の単純化されたブロツク線図である。第6図において、
第1図と同一番号は同一内容を示す。本実施例は、アナ
ログサーボ制御システムとデイジタルサーボ制御システ
ムとが混在したサーボシステムである。補償器30はアナ
ログ補償要素であり、状態推定器を含む状態フイードバ
ツク補償要素もしくは位相補償要素等の補償要素が考え
られる。本実施例では位相補償の立場をとり、位相進み
・遅れ補償要素を用いて説明する。
位相進み・遅れ補償を行う補償器30の伝達関数は、 で表わされる。ただし、Sはラプラス演算子を示し、a
2,a3,b1,b2,b3は、補償器30の周波数特性を表す定数で
あり、Kcは補償器30のループゲインを表す。補償器30で
は、目標値rから位置検出器8の出力である位置信号y
を差し引いた偏差信号e(=r−y)が入力され、(1
3)式の補償演算を行い、補償演算結果vを出力する。
加算器34は、補償演算結果vと外力補正用DA変換器の出
力である外力補正値Wを加算し、加算結果である制御信
号uを駆動回路6に出力する。駆動回路6は、制御信号
uに比例した電流をアクチユエータ4に供給し、磁気ヘ
ツド4を外力の影響なしにトラツク中心に追従するよう
に制御する。
2,a3,b1,b2,b3は、補償器30の周波数特性を表す定数で
あり、Kcは補償器30のループゲインを表す。補償器30で
は、目標値rから位置検出器8の出力である位置信号y
を差し引いた偏差信号e(=r−y)が入力され、(1
3)式の補償演算を行い、補償演算結果vを出力する。
加算器34は、補償演算結果vと外力補正用DA変換器の出
力である外力補正値Wを加算し、加算結果である制御信
号uを駆動回路6に出力する。駆動回路6は、制御信号
uに比例した電流をアクチユエータ4に供給し、磁気ヘ
ツド4を外力の影響なしにトラツク中心に追従するよう
に制御する。
マイクロプロセツサシステム10は、マイクロプロセツ
サ11、RAM12,ROM13、データバス14から構成され、制御
信号uをAD変換器32でサンプルしたサンプル制御信号u
(k)と位置信号yをAD変換器9でサンプルしたサンプ
ル位置信号y(k)を取り込んで、外力補正値W(k)
をマイクロプロセツサシステム10内の外力推定器により
求め、RAM12内の外力補正テーブルに記憶し、さらに、
外力補正用DA変換器31に外力補正値W(k)を出力す
る。
サ11、RAM12,ROM13、データバス14から構成され、制御
信号uをAD変換器32でサンプルしたサンプル制御信号u
(k)と位置信号yをAD変換器9でサンプルしたサンプ
ル位置信号y(k)を取り込んで、外力補正値W(k)
をマイクロプロセツサシステム10内の外力推定器により
求め、RAM12内の外力補正テーブルに記憶し、さらに、
外力補正用DA変換器31に外力補正値W(k)を出力す
る。
次に、イニシヤルシーケンスの一部として、最適な外
力推定値を求め、外力補正テーブルに記憶しておくこと
について説明する。第6図中のマイクロプロセツサシス
テム10は、デイジタルサーボ制御システムを実現するの
に必要なハードウエアを示したものである。そこで、イ
ニシヤルシーケンスの動作を第6図と、第7図と、第1
実施例で用いたフロートヤートである第3図と、第8図
及び第9図を用いて説明する。ただし、第7図におい
て、第2図と同一の番号は同一内容を示す。ただし、簡
単のため、外力補正値の測定箇所が3箇所の場合につい
て説明している。
力推定値を求め、外力補正テーブルに記憶しておくこと
について説明する。第6図中のマイクロプロセツサシス
テム10は、デイジタルサーボ制御システムを実現するの
に必要なハードウエアを示したものである。そこで、イ
ニシヤルシーケンスの動作を第6図と、第7図と、第1
実施例で用いたフロートヤートである第3図と、第8図
及び第9図を用いて説明する。ただし、第7図におい
て、第2図と同一の番号は同一内容を示す。ただし、簡
単のため、外力補正値の測定箇所が3箇所の場合につい
て説明している。
電源投入後、駆動スピンドル1が、一定回転速度に達
し、正常動作開始状態まで待つ(第3図フローチヤート
・100)、次に、マイクロプロセツサシステム10内で
は、目標トラツクに内周トラツクをセツトし(第3図フ
ローチヤート・101)、目標トラツクまで移動(シー
ク)し、移動完了の後、外力推定器19を働かせ、外力補
正値の最適化(第3図フローチヤート・102)を行う。
この外力補正値の最適化の動作を第8図のフローチヤー
トを用いて説明する。まず、マイクロプロセツサシステ
ム10は、アナログスイツチ35を速度制御器33側へ、ソフ
トウエアスイツチ20を外力補正テーブル16側にして、目
標トラツクへ移動させる(第8図フローチヤート・40
0)。ただし、外力補正テーブル16は、RAM12内に存在す
るが、外力測定前の動作であるため、ROM13にあらかじ
め用意された標準値が、RAM12内の外力補正テーブル16
に書き込まれている。次に、目標トラツク近傍になる
と、アナログスイツチ35を補償器30側へ、ソフトウエア
スイツチ20を外力推定器19側にして、外力推定器19を動
作させ、磁気ヘツド3をトラツク中心に追従させる(第
8図フローチヤート・401)。外力推定器19の動作を第
9図フローチヤートに示す。外力推定器19は、AD変換器
32よりサンプル制御信号u(k)を入力し、さらに、AD
変換器9よりサンプル位置信号y(k)を入力し(第9
図フローチヤート・501)、出力方程式群(6),
(7),(8)式の計算を行い(第9図フローチヤート
・502)、(8)式の結果である外力推定値W(k)を
外力補正値DA変換器31に出力する(第9図フローチヤー
ト・503)、続いて、外力推定器19は、次のサンプルに
備えて、状態方程式(10),(11)式の計算を行う(第
9図フローチヤート・504)。次に、外力推定器19の出
力である外力推定値W(k)が整定するまで待つ。たと
えば、円板2が1回転する期間(3600rpmで回転してい
る時は、16.67msecの間)、外力推定値の整定を待つ。
整定した段階で外力補正テーブル16にストアする(第8
図フローチヤート・402)。同じような動作を中周トラ
ツク及び外周トラツクでも行う(第3図フローチヤート
・103,104,105,106)。次に、内周,中周,外周の外力
補正値を補間して、トラツク全域の外力補正値を求め、
外力補正テーブル16に記憶する(第3図フローチヤート
・107)。最後に、マイクロプロセツサ11は、コントロ
ーラ15に動作完了を報告し、コマンド入力待ち状態にな
る(第3図フローチヤート・108)。
し、正常動作開始状態まで待つ(第3図フローチヤート
・100)、次に、マイクロプロセツサシステム10内で
は、目標トラツクに内周トラツクをセツトし(第3図フ
ローチヤート・101)、目標トラツクまで移動(シー
ク)し、移動完了の後、外力推定器19を働かせ、外力補
正値の最適化(第3図フローチヤート・102)を行う。
この外力補正値の最適化の動作を第8図のフローチヤー
トを用いて説明する。まず、マイクロプロセツサシステ
ム10は、アナログスイツチ35を速度制御器33側へ、ソフ
トウエアスイツチ20を外力補正テーブル16側にして、目
標トラツクへ移動させる(第8図フローチヤート・40
0)。ただし、外力補正テーブル16は、RAM12内に存在す
るが、外力測定前の動作であるため、ROM13にあらかじ
め用意された標準値が、RAM12内の外力補正テーブル16
に書き込まれている。次に、目標トラツク近傍になる
と、アナログスイツチ35を補償器30側へ、ソフトウエア
スイツチ20を外力推定器19側にして、外力推定器19を動
作させ、磁気ヘツド3をトラツク中心に追従させる(第
8図フローチヤート・401)。外力推定器19の動作を第
9図フローチヤートに示す。外力推定器19は、AD変換器
32よりサンプル制御信号u(k)を入力し、さらに、AD
変換器9よりサンプル位置信号y(k)を入力し(第9
図フローチヤート・501)、出力方程式群(6),
(7),(8)式の計算を行い(第9図フローチヤート
・502)、(8)式の結果である外力推定値W(k)を
外力補正値DA変換器31に出力する(第9図フローチヤー
ト・503)、続いて、外力推定器19は、次のサンプルに
備えて、状態方程式(10),(11)式の計算を行う(第
9図フローチヤート・504)。次に、外力推定器19の出
力である外力推定値W(k)が整定するまで待つ。たと
えば、円板2が1回転する期間(3600rpmで回転してい
る時は、16.67msecの間)、外力推定値の整定を待つ。
整定した段階で外力補正テーブル16にストアする(第8
図フローチヤート・402)。同じような動作を中周トラ
ツク及び外周トラツクでも行う(第3図フローチヤート
・103,104,105,106)。次に、内周,中周,外周の外力
補正値を補間して、トラツク全域の外力補正値を求め、
外力補正テーブル16に記憶する(第3図フローチヤート
・107)。最後に、マイクロプロセツサ11は、コントロ
ーラ15に動作完了を報告し、コマンド入力待ち状態にな
る(第3図フローチヤート・108)。
以後の動作における外力補正は、最適な外力補正値が
記憶されている外力補正テーブルをもって行なわれるた
め、装置ごとの外力のバラツキや実装方向に影響されな
い最適な外力補正を行うことが可能となる。
記憶されている外力補正テーブルをもって行なわれるた
め、装置ごとの外力のバラツキや実装方向に影響されな
い最適な外力補正を行うことが可能となる。
[第3実施例] 本発明の他の実施例を、第10図と第11図により詳細に
説明する。
説明する。
磁気デイスク装置においては、第1実施例及び第2実
施例で述べたように、電源投入後に、外力補正値を測定
することによつて、装置の外力のバラツキや実装方向の
変化による外力値の変化を吸収できるが、電源投入後の
時間経過に伴う外力の経時変化、たとえば、装置の温度
上昇に伴う、リトラクトばねやFPC(Flexible Printed
Circuit)のばね力の変化や電気回路系のオフセツトの
変化による外力の変化を、第1実施例及び第2実施例の
場合、吸収できない。
施例で述べたように、電源投入後に、外力補正値を測定
することによつて、装置の外力のバラツキや実装方向の
変化による外力値の変化を吸収できるが、電源投入後の
時間経過に伴う外力の経時変化、たとえば、装置の温度
上昇に伴う、リトラクトばねやFPC(Flexible Printed
Circuit)のばね力の変化や電気回路系のオフセツトの
変化による外力の変化を、第1実施例及び第2実施例の
場合、吸収できない。
そこで、本実施例では、第1図及び第6図で示される
磁気デイスク装置において、第10図のフローチヤートで
示すように、一定時間間隔毎に、第1実施例及び第2実
施例で述べたイニシヤルシーケンスで行つている外力補
正値の測定を繰り返し、外力の経時変化を吸収しようと
するものである。以下、第10図及び第11図を用いて説明
する。まず最初に、一定時間間隔を管理するために、時
間の経過とともに、一定の割合で増加する変数TIMEをコ
ントローラ15に持たせ、電源投入後、この変数TIMEをゼ
ロクリアする(第10図フローチヤート・600)、次に、
マイクロプロセツサ11に対し、コントローラ15が、イニ
シヤルシーケンスのコマンドを発行し、トラツク全域に
おける外力補正値を測定する(第10図フローチヤート・
601)。次に、コントローラ15は、変数TIMEの変化を監
視し、一定値PERIODになるまで待つ(第10図フローチヤ
ート・602)。変数TIMEが、一定値PERIOD以上になると
(第10図フローチヤート・602のYESの場合)、コントロ
ーラ15は、マイクロプロセツサ11に対し、外力補正値再
測定のコマンドを発行する(第10図フローチヤート・60
3)。次に、次回の再測定に備え、コントローラ15は、
変数TIMEをゼロクリアし(第10図フローチヤート・60
4)、マイクロプロセツサ11の外力補正値の再測定の実
行完了報告を待つ(第10図フローチヤート・605)。
磁気デイスク装置において、第10図のフローチヤートで
示すように、一定時間間隔毎に、第1実施例及び第2実
施例で述べたイニシヤルシーケンスで行つている外力補
正値の測定を繰り返し、外力の経時変化を吸収しようと
するものである。以下、第10図及び第11図を用いて説明
する。まず最初に、一定時間間隔を管理するために、時
間の経過とともに、一定の割合で増加する変数TIMEをコ
ントローラ15に持たせ、電源投入後、この変数TIMEをゼ
ロクリアする(第10図フローチヤート・600)、次に、
マイクロプロセツサ11に対し、コントローラ15が、イニ
シヤルシーケンスのコマンドを発行し、トラツク全域に
おける外力補正値を測定する(第10図フローチヤート・
601)。次に、コントローラ15は、変数TIMEの変化を監
視し、一定値PERIODになるまで待つ(第10図フローチヤ
ート・602)。変数TIMEが、一定値PERIOD以上になると
(第10図フローチヤート・602のYESの場合)、コントロ
ーラ15は、マイクロプロセツサ11に対し、外力補正値再
測定のコマンドを発行する(第10図フローチヤート・60
3)。次に、次回の再測定に備え、コントローラ15は、
変数TIMEをゼロクリアし(第10図フローチヤート・60
4)、マイクロプロセツサ11の外力補正値の再測定の実
行完了報告を待つ(第10図フローチヤート・605)。
一方、マイクロプロセツサ11では、再測定のコマンド
を受けて、第11図のフローチヤートに示すように、外力
補正値の再測定を開始する。手順は、イニシヤルシーケ
ンスと同様に、内周トラツクに目標値をセツトし、外力
補正値の最適化を行う(第11図フローチヤート・700,70
1)。外力補正値の最適化の動作は、第1図の磁気デイ
スク装置の場合、第4図のフローチヤートに従い、第6
図の磁気デイスク装置の場合は、第8図のフローチヤー
トに従い実行される。同様の動作を、円板2の中周及び
外周でも行い(第11図フローチヤート・702,703,704,70
5)、得られた外力補正値を元に、外力補正値を補間す
ることで、トラツク全域における外力補正値を求め、外
力補正テールに記憶する(第11図フローチヤート・70
6)。最後に、マイクロプロセツサ11は、コントローラ1
5に対し、再測定コマンドの終了を報告する。
を受けて、第11図のフローチヤートに示すように、外力
補正値の再測定を開始する。手順は、イニシヤルシーケ
ンスと同様に、内周トラツクに目標値をセツトし、外力
補正値の最適化を行う(第11図フローチヤート・700,70
1)。外力補正値の最適化の動作は、第1図の磁気デイ
スク装置の場合、第4図のフローチヤートに従い、第6
図の磁気デイスク装置の場合は、第8図のフローチヤー
トに従い実行される。同様の動作を、円板2の中周及び
外周でも行い(第11図フローチヤート・702,703,704,70
5)、得られた外力補正値を元に、外力補正値を補間す
ることで、トラツク全域における外力補正値を求め、外
力補正テールに記憶する(第11図フローチヤート・70
6)。最後に、マイクロプロセツサ11は、コントローラ1
5に対し、再測定コマンドの終了を報告する。
以上、本実施例で示した様に、一定時間間隔毎に外力
補正テーブルを修正していくことで、外力の経時変化に
強い磁気デイスク装置を得ることができる。
補正テーブルを修正していくことで、外力の経時変化に
強い磁気デイスク装置を得ることができる。
[第4実施例] 本発明の他の実施例を第10図及び第12図により詳細に
説明する。
説明する。
磁気デイスク装置における外力の経時変化に伴う外力
補正値の修正方法のより簡便な手段として、外力のオフ
セツトのみを修正していく方法が考えられる。一定時間
間隔で、外力補正値を、円板上の数箇所から測定する方
法から較べると、一箇所の外力補正値のズレから、外力
補正テーブルを修正する方がより簡便であり、磁気デイ
スク装置全体からみて、スループツトの向上が図れる。
補正値の修正方法のより簡便な手段として、外力のオフ
セツトのみを修正していく方法が考えられる。一定時間
間隔で、外力補正値を、円板上の数箇所から測定する方
法から較べると、一箇所の外力補正値のズレから、外力
補正テーブルを修正する方がより簡便であり、磁気デイ
スク装置全体からみて、スループツトの向上が図れる。
第3実施例で示した様に、イニシヤルシーケンスによ
り、トラツク全域の外力補正値を測定し、外力補正テー
ブルを作成(第10図フローチヤート・601)した後、一
定値PERIODだけ経過した後(第10図フローチヤート・60
2)、第12図で示すような外力補正値再測定ルーチンを
本実施例でも同様に行う。イニシヤルシーケンスにおい
て、外力補正値の測定を行つたあるトラツクXにおける
現在の外力補正値すなわち、外力補正テーブルの値をWO
LDというメモリに退避しておく(第12図フローチヤート
・800)。次に、目標トラツクとしてXをセツトし、X
トラツクにおける外力補正値Wを、外力補正値の最適化
ルーチンにより求める(第12図フローチヤート・801,80
2)。こうして、新しい外力補正値Wと、時間PERIOD前
の外力補正値WOLDから、外力の経時変化DELT(=W−WO
LD)が測定される(第12図フローチヤート・8036)。最
後に、外力の経時変化量DELTを、他のトラツクにおける
外力補正値にも加算することで、トラツク全域における
外力補正値を得、外力補正テーブルに記憶しておき、時
間PERIODが経過すると、再度、外力補正テーブルの修正
を行うことを繰り返す。本実施例によれば、非常に短い
時間で外力補正値の修正が可能であり、磁気デイズク装
置のシステム運営上、非常に有効となる。
り、トラツク全域の外力補正値を測定し、外力補正テー
ブルを作成(第10図フローチヤート・601)した後、一
定値PERIODだけ経過した後(第10図フローチヤート・60
2)、第12図で示すような外力補正値再測定ルーチンを
本実施例でも同様に行う。イニシヤルシーケンスにおい
て、外力補正値の測定を行つたあるトラツクXにおける
現在の外力補正値すなわち、外力補正テーブルの値をWO
LDというメモリに退避しておく(第12図フローチヤート
・800)。次に、目標トラツクとしてXをセツトし、X
トラツクにおける外力補正値Wを、外力補正値の最適化
ルーチンにより求める(第12図フローチヤート・801,80
2)。こうして、新しい外力補正値Wと、時間PERIOD前
の外力補正値WOLDから、外力の経時変化DELT(=W−WO
LD)が測定される(第12図フローチヤート・8036)。最
後に、外力の経時変化量DELTを、他のトラツクにおける
外力補正値にも加算することで、トラツク全域における
外力補正値を得、外力補正テーブルに記憶しておき、時
間PERIODが経過すると、再度、外力補正テーブルの修正
を行うことを繰り返す。本実施例によれば、非常に短い
時間で外力補正値の修正が可能であり、磁気デイズク装
置のシステム運営上、非常に有効となる。
なお、上述した実施例では、磁気デイスク装置を取上
げたが、本発明は他の記録媒体、例えば光デイスクを用
いる場合にも同様に実現することができることは言うま
でもない。
げたが、本発明は他の記録媒体、例えば光デイスクを用
いる場合にも同様に実現することができることは言うま
でもない。
以上説明したように、本発明によれば、外力を高精度
に測定して、これを最適に補償することができるので、
位置決め精度の向上とアクセス時間の短縮を図ることが
可能となる。
に測定して、これを最適に補償することができるので、
位置決め精度の向上とアクセス時間の短縮を図ることが
可能となる。
第1図は本発明の一実施例を示す磁気デイスク装置のハ
ードウエアのブロツク線図、第2図は本発明を示すため
の制御系構成図、第3図から第5図は、本発明の一実施
例を説明するためのフローチヤートである。第6図およ
び第7図は、本発明の第2の実施例を示す磁気デイスク
装置のブロツク線図である。第8図から第12図は、本発
明の動作を説明するためのフローチャートである。 1……駆動スピンドル、2……円板、3……磁気ヘツ
ド、4……アクチユエータ、5……リトラクトバネ、6
……駆動回路、7……DA変換器、8……位置検出器、9
……AD変換器、10……マイクロプロセツサシステム、11
……マイクロプロセツサ、12……RAM、13……ROM、14…
…データバス、15……コントローラ、16……外力補正テ
ーブル、17……速度制御器、18……デイジタル補償器、
19……外力推定器、20……ソフトウエアスイツチ、22…
…ソフトウエアスイツチ、23……入力ゲイン、24……純
慣性マス、25……出力ゲイン、30……補償器、31……外
力補正用DA変換器、32……ADE変換器、33……速度制御
器、35……アナログスイツチ。
ードウエアのブロツク線図、第2図は本発明を示すため
の制御系構成図、第3図から第5図は、本発明の一実施
例を説明するためのフローチヤートである。第6図およ
び第7図は、本発明の第2の実施例を示す磁気デイスク
装置のブロツク線図である。第8図から第12図は、本発
明の動作を説明するためのフローチャートである。 1……駆動スピンドル、2……円板、3……磁気ヘツ
ド、4……アクチユエータ、5……リトラクトバネ、6
……駆動回路、7……DA変換器、8……位置検出器、9
……AD変換器、10……マイクロプロセツサシステム、11
……マイクロプロセツサ、12……RAM、13……ROM、14…
…データバス、15……コントローラ、16……外力補正テ
ーブル、17……速度制御器、18……デイジタル補償器、
19……外力推定器、20……ソフトウエアスイツチ、22…
…ソフトウエアスイツチ、23……入力ゲイン、24……純
慣性マス、25……出力ゲイン、30……補償器、31……外
力補正用DA変換器、32……ADE変換器、33……速度制御
器、35……アナログスイツチ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 常田 勝啓 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式 会社日立製作所小田原工場内 (72)発明者 小野山 勝元 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式 会社日立製作所小田原工場内 (56)参考文献 特開 平2−118979(JP,A)
Claims (2)
- 【請求項1】サーボ情報を有するディスクと、前記ディ
スクから前記サーボ情報を読み取るヘッドと、該読み取
られたサーボ情報からトラック中心からの位置信号を求
めるための位置検知手段と、目標位置と該求められた位
置信号との差を減ずるための位置制御信号を演算し出力
する演算部と、該位置制御信号によりヘッドの位置を調
整する調整手段とを含むディスク装置において、 電源投入直後の前記ディスク装置の電源投入時毎に、電
源投入後の一定時間毎に前記位置信号を用いた外力推定
値を推定するオブザーバからなる外力推定手段と、前記
外力推定手段が外力推定値を推定する毎に新しい外力推
定値に書き換え記憶しておく記憶手段と、前記記憶され
た外力推定値により前記位置制御信号を補正する補正手
段とを設けたことを特徴とするディスク装置。 - 【請求項2】請求項1において、前記演算部、前記外力
推定手段、前記記憶手段および前記補正手段を1台のマ
イクロプロセッサシステムで構成したことを特徴とする
ディスク装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1164048A JP2714149B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | デイスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1164048A JP2714149B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | デイスク装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0330156A JPH0330156A (ja) | 1991-02-08 |
JP2714149B2 true JP2714149B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=15785806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1164048A Expired - Fee Related JP2714149B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | デイスク装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2714149B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6950274B2 (en) | 2001-11-28 | 2005-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Disk storage apparatus and disk storage apparatus control method |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3198490B2 (ja) * | 1993-03-02 | 2001-08-13 | ソニー株式会社 | 偏心量測定装置 |
US6982848B2 (en) | 2003-05-30 | 2006-01-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Disk apparatus and head positioning method |
JP5360153B2 (ja) * | 2011-07-29 | 2013-12-04 | 富士通セミコンダクター株式会社 | センサ用サージ検出回路 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02118979A (ja) * | 1988-10-26 | 1990-05-07 | Sony Corp | ディスクドライブのヘッド位置決め制御装置 |
-
1989
- 1989-06-28 JP JP1164048A patent/JP2714149B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6950274B2 (en) | 2001-11-28 | 2005-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Disk storage apparatus and disk storage apparatus control method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0330156A (ja) | 1991-02-08 |
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