JP2709510B2 - Tin, lead, tin-lead alloy electroplating bath and electroplating method - Google Patents
Tin, lead, tin-lead alloy electroplating bath and electroplating methodInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な錫−鉛合金電気めっき浴及び該浴を用
いた電気めっき方法に関する。The present invention relates to a novel tin-lead alloy electroplating bath and an electroplating method using the bath.
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕 錫，錫−鉛合金電気めっきは、従来より主としてはん
だ付け性を目的として弱電及び電子工業分野に広く用い
られている。[Prior Art and Problems to be Solved by the Invention] Tin, tin-lead alloy electroplating has been widely used in the field of light electric and electronics industries mainly for solderability.
従来、かかる錫，錫−鉛合金電気めっきに使用される
電気めっき浴は、主に硫酸浴、有機スルホン酸浴或いは
ホウフッ酸浴であり、pH1以下の強酸性浴であった。Conventionally, an electroplating bath used for such tin, tin-lead alloy electroplating is mainly a sulfuric acid bath, an organic sulfonic acid bath or a borofluoric acid bath, and is a strongly acidic bath having a pH of 1 or less.
これらの強酸性浴は、被めっき物が銅やスチール等で
あれば使用上特に問題は生じない。しかし、最近は被め
っき物として金属とセラミック，ガラス，プラスチック
等とを素材とした複合材料からなる電子部品が多くなっ
ており、例えば、鉛ガラスを用いて封着したサーディッ
プ型のICパッケージやチップコンデンサーが使用される
ようになっている。更には、セラミック上へアルミニウ
ム蒸着を行ない、エッチングして回路形成を行なった電
子部品も多くなっている。これらの部品に上記強酸性浴
から錫，錫−鉛合金めっきを行なうと、部品中のセラミ
ック，ガラス或いは蒸着アルミニウム等が侵食され、更
には絶縁体上めっきが付くというブリッジの問題が生じ
る欠点があった。There is no particular problem in using these strongly acidic baths when the object to be plated is copper, steel, or the like. Recently, however, there have been many electronic components made of composite materials using metals and ceramics, glass, plastics, and the like as materials to be plated. For example, cerdip type IC packages sealed with lead glass, Chip capacitors are being used. Further, an increasing number of electronic components have been formed by depositing aluminum on ceramic and etching to form a circuit. When these parts are plated with tin or tin-lead alloy from the above-mentioned strong acid bath, the ceramic, glass or vapor-deposited aluminum in the parts is eroded, and furthermore, there is a problem that a bridge problem that plating is applied on an insulator occurs. there were.
かかる問題点は、めっき浴のpHを２〜９にすることに
より解消され得る。しかし、単にめっき浴のpHを２〜９
にすると、錫イオン、鉛イオンが水酸化物となって沈殿
し、めっきが実施不可能になる。Such a problem can be solved by adjusting the pH of the plating bath to 2 to 9. However, simply increasing the pH of the plating bath to 2-9
In this case, tin ions and lead ions precipitate as hydroxides, making plating impossible.
一方、従来より錫，錫−鉛合金電気めっき浴として、
クエン酸，グルコン酸，ピロリン酸，有機ホスホン酸や
これらの塩等を使用した上記pH範囲で使用可能な浴も種
々提案されている（特開昭49−93236号，同53−5034
号，同54−60230号，同54−69533号，同54−69534号，
同57−63689号，同61−194194号公報等）が、更にpH2〜
９の領域で良好には錫−鉛合金めっきを行なうことがで
きるめっき浴が望まれている。On the other hand, conventionally, as a tin, tin-lead alloy electroplating bath,
Various baths using citric acid, gluconic acid, pyrophosphoric acid, organic phosphonic acid, salts thereof and the like which can be used in the above pH range have been proposed (JP-A-49-93236, JP-A-53-5034).
Nos. 54-60230, 54-69533, 54-69534,
Nos. 57-63689, 61-194194, etc.), and a pH of 2 to
A plating bath capable of satisfactorily performing tin-lead alloy plating in region 9 is desired.
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、pH2〜９
の領域で安定であり、電流効率が高く、広い電流密度範
囲で使用可能な錫−鉛合金めっき浴及び該めっき浴を用
いる電気めっき方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and has a pH of 2 to 9.
It is an object of the present invention to provide a tin-lead alloy plating bath which is stable in the above-mentioned region, has high current efficiency, and can be used in a wide current density range, and an electroplating method using the plating bath.
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行な
った結果、錫イオンと鉛イオンとを１〜100g/含むめ
っき浴の錯化剤としてアスコルビン酸，イソアスコルビ
ン酸，デヒドロアスコルビン酸及びこれらの塩から選ば
れる１種又は２種以上を40〜400g/使用することによ
り、pH2〜９の領域で安定であり、錫や鉛の水酸化物が
生じることがなく、セラミック，鉛ガラス，蒸着アルミ
等を用いた金属との複合素材からなる電子部品の侵食等
もなくめっきし得、しかもこれら錯化剤を含む浴は電流
効率が高く、広い電流密度範囲で使用できる上、良好な
めっき皮膜を得ることができることを知見し、本発明を
なすに至った。The present inventors have conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, ascorbic acid, isoascorbic acid, dehydroascorbic acid, and ascorbic acid as complexing agents for a plating bath containing 1 to 100 g / tin ion and lead ion. By using one or more of the salts selected from the group consisting of 40 to 400 g / stable, it is stable in the pH range of 2 to 9 and does not generate hydroxides of tin or lead. Baths containing these complexing agents have high current efficiency, can be used in a wide range of current densities, and provide good plating films. The inventors have found that they can be obtained, and have accomplished the present invention.
従って、本発明は、錫イオンと鉛イオンとを１〜100g
/含有する錫−鉛合金めっき浴に錯化剤としてアスコ
ルビン酸，イソアスコルビン酸，デヒドロアスコルビン
酸及びこれらの塩から選ばれる１種又は２種以上を40〜
400g/配合してなると共に、pH2〜９であることを特徴
とする錫−鉛合金電気めっき浴、及び上記めっき浴を用
いて被めっき物を電気めっきすることを特徴とする錫，
鉛又は錫−鉛合金電気めっき方法を提供する。Therefore, the present invention, 1 to 100 g of tin ions and lead ions
/ One or more selected from ascorbic acid, isoascorbic acid, dehydroascorbic acid and salts thereof as a complexing agent in a tin-lead alloy plating bath containing
A tin-lead alloy electroplating bath characterized by being mixed at 400 g / pH and having a pH of 2 to 9, and a tin characterized by electroplating an object to be plated using the plating bath.
A lead or tin-lead alloy electroplating method is provided.
以下、本発明につき更に詳しく説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
本発明のめっき浴において、錫イオン或いは鉛イオン
を与える金属塩は特に制限されないが、錫塩としては、
硫酸錫，塩化錫，硝酸錫，メタンスルホン酸錫，アルカ
ノールスルホン酸錫，フェノールスルホン酸錫，ホウフ
ッ化錫，酢酸錫，酸化錫などが挙げられる。この場合、
錫塩は２価の錫塩でも４価の錫塩でもよい。一方、鉛塩
としては、硝酸鉛，酢酸鉛，ホウフッ化鉛、メタンスル
ホン酸鉛，塩化鉛，硫酸鉛，酸化鉛等が挙げられる。In the plating bath of the present invention, the metal salt that gives tin ions or lead ions is not particularly limited.
Examples include tin sulfate, tin chloride, tin nitrate, tin methanesulfonate, tin alkanolsulfonate, tin phenolsulfonate, tin borofluoride, tin acetate, and tin oxide. in this case,
The tin salt may be a divalent tin salt or a tetravalent tin salt. On the other hand, examples of the lead salt include lead nitrate, lead acetate, lead borofluoride, lead methanesulfonate, lead chloride, lead sulfate, and lead oxide.
上記錫イオン，鉛イオンのめっき浴中の濃度は１〜10
0g/である。The concentration of the above tin ions and lead ions in the plating bath is 1 to 10
0 g /.
本発明は、かかる錫イオンと鉛イオンを含むめっき浴
に錯化剤としてアスコルビン酸，イソアスコルビン酸，
デヒドロアスコルビン酸，及びこれらの塩から選ばれる
１種又は２種以上を配合する。なお、塩としてはアルカ
リ金属塩，アンモニウム塩，錫塩，鉛塩などが挙げられ
る。The present invention provides ascorbic acid, isoascorbic acid,
One or more selected from dehydroascorbic acid and salts thereof are blended. In addition, examples of the salt include an alkali metal salt, an ammonium salt, a tin salt, and a lead salt.
これら錯化剤の添加量は40〜400g/である。 The addition amount of these complexing agents is 40 to 400 g /.
なお、本発明のめっき浴には、上記錯化剤に加えて他
の錯化剤、例えばクエン酸，ピロリン酸，グルコン酸や
それらの塩等を添加することは差し支えない。In the plating bath of the present invention, other complexing agents such as citric acid, pyrophosphoric acid, gluconic acid and salts thereof may be added in addition to the above complexing agents.
本発明のめっき浴には必要により更に導電性塩,pH緩
衝剤，界面活性剤，光沢剤などを添加することができ
る。If necessary, a conductive salt, a pH buffer, a surfactant, a brightener and the like can be further added to the plating bath of the present invention.
ここで、導電性塩としては、メタンスルホン酸アンモ
ニウム，硫酸アンモニウム，塩化アンモニウム，硫酸ナ
トリウム，塩化カリウム，酢酸アンモニウム，アスコル
ビン酸アンモニウム，アルカノールスルホン酸ナトリウ
ム，フェノールスルホン酸ナトリウム等が使用でき、導
電性塩の添加によりめっき電圧を低下させることがで
き、均一電着性を向上させることができる。その配合量
は０〜800g/とすることができ、好ましくは10〜800g/
、より好ましくは50〜300g/である。Here, as the conductive salt, ammonium methanesulfonate, ammonium sulfate, ammonium chloride, sodium sulfate, potassium chloride, ammonium acetate, ammonium ascorbate, sodium alkanolsulfonate, sodium phenolsulfonate and the like can be used. The addition can lower the plating voltage and improve the throwing power. The blending amount can be 0 to 800 g /, preferably 10 to 800 g /
, More preferably 50 to 300 g /.
また、pH緩衝剤としては、ホウ酸，塩化アンモニウ
ム，硫酸アンモニウム，酢酸アンモニウム，リン酸ナト
リウム，リン酸カリウム，ホウ酸ナトリウム，ホウ酸カ
リウム，ギ酸ナトリウム，ギ酸カリウム，クエン酸アン
モニウム，クエン酸ナトリウム等が挙げられる。その添
加量は、０〜100g/、特に10〜50g/とすることが好
ましい。Examples of the pH buffer include boric acid, ammonium chloride, ammonium sulfate, ammonium acetate, sodium phosphate, potassium phosphate, sodium borate, potassium borate, sodium formate, potassium formate, ammonium citrate, sodium citrate and the like. No. The addition amount is preferably 0 to 100 g /, particularly preferably 10 to 50 g /.
更に、界面活性剤としてはノニオン系，カチオン系，
両性イオン系，アニオン系の界面活性剤が使用し得る。
この場合、これら界面活性剤としては、特に制限され
ず、種々選択されるが、塩析の点から曇点の高いもの或
いは曇点のないものが好ましい。Furthermore, nonionic, cationic, and
Zwitterionic or anionic surfactants can be used.
In this case, these surfactants are not particularly limited and variously selected, but those having a high cloud point or those having no cloud point are preferable from the viewpoint of salting out.
より好適には、ノニオン系界面活性剤として、ノニル
フェノールにエチレンオキサイドを15モル付加したも
の、アルキルβ−ナフトール（アルキル基の炭素数１〜
25）にエチレンオキサイドを25モル付加したもの、多核
フェノールエトキシレート（例えば旭電化工業（株）製
アデカトールPC−10,PC−13）等が挙げられる。また、
カチオン系界面活性剤としては、ラウリルアミンにエチ
レンオキサイドを10モル付加したもの、牛脂アルキルア
ミンにエチレンオキサイドを15モル付加したもの等が好
適に用いられる。更に、両性イオン系界面活性剤として
は、イミダゾリン系のもの、特に下記式 （但し、R1は炭素数３〜25のアルキル基、R2は炭素数１
〜18のアルキル基を示す） で示されるもの（例えば第一工業製薬（株）製アモーゲ
ンNo.8）が好適である。More preferably, nonionic surfactants obtained by adding 15 mol of ethylene oxide to nonylphenol, alkyl β-naphthol (alkyl group having 1 to 1 carbon atoms)
25) to which 25 mol of ethylene oxide is added, and polynuclear phenol ethoxylates (for example, Adecitol PC-10 and PC-13 manufactured by Asahi Denka Kogyo KK) and the like. Also,
As the cationic surfactant, those obtained by adding 10 mol of ethylene oxide to laurylamine, those obtained by adding 15 mol of ethylene oxide to tallow alkylamine, and the like are suitably used. Further, as the zwitterionic surfactant, imidazoline-based surfactants, in particular, the following formula (However, R 1 is an alkyl group having 3 to 25 carbon atoms, and R 2 is an alkyl group having 1 carbon atom.
(For example, Amogen No. 8 manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) is preferable.
上記ノニオン系，カチオン系，両性イオン系界面活性
剤の添加はめっき皮膜を平滑化し、緻密化するという効
果があるが、これら界面活性剤の添加量は0.01〜30g/
とすることができる。The addition of the above-mentioned nonionic, cationic and amphoteric surfactants has the effect of smoothing and densifying the plating film, but the addition amount of these surfactants is 0.01 to 30 g /
It can be.
一方、アニオン系界面活性剤は、特にめっきのガスピ
ットをなくし、ノニオン系界面活性剤の曇点を上げると
いう効果があるが、アニオン系界面活性剤としては、ラ
ウリル硫酸ナトリウム，アルキルベンゼンスルホン酸ナ
トリウム，スルホコハク酸アルキルエステルや下記式 （但し、ｎ＝２〜5,m＝１〜４） で示されるもの、例えばカテコールジスルホン酸ナトリ
ウムが好適に用いられる。なお、アニオン系界面活性剤
の添加量は0.1〜50g/とすることができる。On the other hand, anionic surfactants have the effect of particularly eliminating gas pits in plating and increasing the cloud point of nonionic surfactants. Examples of anionic surfactants include sodium lauryl sulfate, sodium alkylbenzenesulfonate, and sulfosiloxane. Acid alkyl ester or the following formula (However, n = 2 to 5, m = 1 to 4), for example, sodium catechol disulfonate is preferably used. In addition, the addition amount of the anionic surfactant can be 0.1 to 50 g /.
光沢めっきを必要とする場合は、光沢剤を添加する
が、光沢剤としては、ホルムアルデヒド，アセトアルデ
ヒド，プロピオンアルデヒド，グリオキサール，スクシ
ンアルデヒド，カプロンアルデヒド，アルドール等の脂
肪族アルデヒド，ベンズアルデヒド，サリチルアルデヒ
ドアリールエーテル,p−トルアルデヒド,1−ナフトアル
デヒド，サリチルアルデヒド，ベラトルアルデヒド，ア
ニスアルデヒド，ピペロナール，バニリン等の芳香族ア
ルデヒドが使用できる。更に、スルファニル酸誘導体、
トリアジン誘導体やアクリル酸，メタアクリル酸，クロ
トン酸，その他のα−不飽和カルボン酸などを用いるこ
ともできる。これら光沢剤の添加量は、0.01〜30g/、
特には0.03〜5g/とすることができる。When bright plating is required, a brightening agent is added. Examples of brightening agents include aliphatic aldehydes such as formaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, glyoxal, succinaldehyde, caproaldehyde, and aldol, benzaldehyde, and salicylaldehyde aryl ether. , p-Tolualdehyde, 1-naphthaldehyde, salicylaldehyde, veratraldehyde, anisaldehyde, piperonal, vanillin and other aromatic aldehydes can be used. Further, sulfanilic acid derivatives,
Triazine derivatives, acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, and other α-unsaturated carboxylic acids can also be used. The addition amount of these brighteners is 0.01 to 30 g /,
In particular, it can be 0.03 to 5 g /.
本発明のめっき浴のpHは２〜９であり、より好適には
３〜8.5、更に好適には５〜８とすることが好ましい。
この場合、pHを調整するため、アンモニア水、苛性アル
カリなどを用いることができる。The plating bath of the present invention has a pH of 2 to 9, preferably 3 to 8.5, and more preferably 5 to 8.
In this case, ammonia water, caustic, or the like can be used to adjust the pH.
上記めっき浴を用いて電気めっきを行なう場合、その
電源としては、無光沢乃至半光沢めっき皮膜を得る際は
めっき皮膜の外観（めっき結晶が大きくなる部分が生
じ、その部分が黒くなる）点から完全直流や３相全波、
３相半波整流よりも単相全波、単相半波整流を用いるこ
とが推奨され、またパルス電源等も使用される。一方、
光沢めっき皮膜を得る際は逆に光沢の点から単相全波、
単相半波整流よりも完全直流、３相全波、３相半波整流
を用いることが推奨される。When performing electroplating using the above-mentioned plating bath, the power source is such that when a matte or semi-glossy plating film is obtained, the appearance of the plating film (parts where plating crystals become large and the parts become black) is considered. Full DC, three-phase full wave,
It is recommended to use single-phase full-wave or single-phase half-wave rectification rather than three-phase half-wave rectification, and a pulse power supply or the like is also used. on the other hand,
When obtaining a bright plating film, conversely, a single-phase full-wave
It is recommended to use full DC, three-phase full-wave, three-phase half-wave rectification rather than single-phase half-wave rectification.
本発明のめっき浴は、通常のラックめっきのほか、バ
レルめっきにも使用でき、また高速めっき、スルホール
めっきなどにも適用することができるが、めっき条件は
これらめっきの種類等に応じて選択することができ、本
発明のめっき浴によれば広範囲の電流密度において均質
で緻密なめっき皮膜を得ることができる。具体的には、
めっき温度は５〜90℃、より好ましくは10〜60℃とする
ことができ、陰極電流密度は0.001〜30A/dm2、より好ま
しくは0.1〜10A/dm2とすることができる。また、撹拌
は、バレルの回転、カソードロッキング、ポンプ流、
過機による液流、空気撹拌等によって行なうことがで
き、場合によっては無撹拌でもよい。陽極としては、め
っき浴の種類に応じ金属錫、金属鉛、或いは錫−鉛合金
めっきの場合はそのめっき皮膜の組成に応じて金属錫と
金属鉛とを併用したり錫−鉛合金を用いることができる
が、不溶性陽極を使用してもよい。The plating bath of the present invention can be used not only for ordinary rack plating, but also for barrel plating, and can also be applied to high-speed plating, through-hole plating, and the like. Plating conditions are selected according to the type of plating and the like. According to the plating bath of the present invention, a uniform and dense plating film can be obtained over a wide range of current densities. In particular,
The plating temperature can be 5 to 90 ° C., more preferably 10 to 60 ° C., and the cathode current density can be 0.001 to 30 A / dm 2 , more preferably 0.1 to 10 A / dm 2 . In addition, agitation, barrel rotation, cathode locking, pump flow,
It can be performed by liquid flow, air agitation or the like by supercooling, and in some cases, no agitation may be used. Depending on the type of plating bath, metallic tin, metallic lead, or, in the case of tin-lead alloy plating, a combination of metallic tin and metallic lead or a tin-lead alloy depending on the composition of the plating film However, an insoluble anode may be used.
本発明において、被めっき物は制限されず、電気めっ
き可能なものであればいずれのものでもよいが、特に本
発明では金属とセラミック、ガラス等との複合材料から
なる電子部品などのめっきに好適である。In the present invention, the object to be plated is not limited and may be any as long as it can be electroplated. In particular, the present invention is suitable for plating of electronic components made of a composite material of metal and ceramic, glass, and the like. It is.
以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、
本発明は下記の実施例に制限されるものではない。Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples,
The present invention is not limited to the following examples.
〔実施例１〕 メタンスルホン酸第１錫（Snとして） 10g/ メタンスルホン酸鉛（Pbとして） １ 〃 アスコルビン酸 200 〃 ホウ酸 30 〃 牛脂アミンのエチレンオキサイド 15モル付加物 １ 〃 メタンスルホン酸 100 〃 pH（アンモニア水で調整） ７ 上記組成のめっき浴を用い、単相全波整流により銅板
上に40℃,DK1A/dm2の条件で10分間めっきした。[Example 1] Stannous methanesulfonate (as Sn) 10 g / lead methanesulfonate (as Pb) 1 ア ス ascorbic acid 200 〃 boric acid 30 エ チ レ ン ethylene oxide 15 mol adduct of tallowamine 1 〃 methanesulfonic acid 100 〃 pH using a plating bath 7 above composition (adjusted with aqueous ammonia), 40 ° C. on a copper plate by single-phase full-wave rectification, and plated for 10 minutes under the conditions of D K 1A / dm 2.
その結果、平滑緻密な白色半光沢の錫−鉛合金めっき
皮膜が得られた。皮膜中のPb含有量は10％であり、また
電流効率は99％であった。As a result, a smooth dense white semi-gloss tin-lead alloy plating film was obtained. The Pb content in the film was 10%, and the current efficiency was 99%.
なお、上記めっき浴により鉛ガラス付IC部品にDK1A/d
m2で約７μｍのめっきを行なったが、鉛ガラスを侵すこ
となく、良好な白色半光沢の錫−鉛合金めっき皮膜が得
られた。Note that D K 1A / d
Although plating of about 7 μm was performed at m 2 , a tin-lead alloy plating film having a good white semi-gloss was obtained without attacking the lead glass.
また、アルミ蒸着膜を有するセラミック板に対し、常
法により亜鉛置換処理を行なった後、上記めっき浴を用
いて10μｍの錫−鉛合金めっきを行なったが、蒸着アル
ミを溶解侵食することもなく、蒸着アルミ上に錫−鉛合
金めっき皮膜が密着性よく形成された。In addition, after performing a zinc substitution treatment on a ceramic plate having an aluminum vapor-deposited film by a conventional method, a 10 μm tin-lead alloy plating was performed using the above plating bath, but without dissolving and eroding the vapor-deposited aluminum. Then, a tin-lead alloy plating film was formed on the evaporated aluminum with good adhesion.
〔実施例２〕 硫酸第１錫（Snとして） 10g/ メタンスルホン酸鉛（Pbとして） １ 〃 デヒドロアスコルビン酸 200 〃 ホウ酸 30 〃 牛脂アミンのエチレンオキサイド 15モル付加物 1g/ 硫酸アンモニウム 50 〃 pH（アンモニア水で調整） ７ 上記組成のめっき浴を用いて実施例１と同様にめっき
を行なったところ、実施例１と同様の結果が得られた。[Example 2] Stannous sulfate (as Sn) 10 g / lead methanesulfonate (as Pb) 1 〃 dehydroascorbic acid 200 〃 boric acid 30 エ チ レ ン ethylene oxide 15 mol adduct of tallowamine 1 g / ammonium sulfate 50 〃 pH ( (Adjusted with ammonia water) 7 Plating was performed in the same manner as in Example 1 using the plating bath having the above composition, and the same result as in Example 1 was obtained.
〔実施例３〕 実施例１のめっき浴において、アスコルビン酸の代り
にイソアスコルビン酸，を用いてめっきを行なったとこ
ろ、実施例１と同様の結果が得られた。Example 3 In the plating bath of Example 1, plating was performed using isoascorbic acid instead of ascorbic acid, and the same results as in Example 1 were obtained.
本発明によれば、pH2〜９の領域で良好な錫，鉛，又
は錫−鉛合金めっき皮膜を与えると共に、電流効率が高
く、広い電流密度範囲で使用でき、このため電子部品の
めっき等に好適に用いられる。According to the present invention, a good tin, lead, or tin-lead alloy plating film is provided in the pH range of 2 to 9, and the current efficiency is high, and it can be used in a wide current density range. It is preferably used.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅川 清 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村 工業株式会社中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭49−29240（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−270793（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−27091（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−128194（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−96392（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−118943（ＪＰ，Ａ) 特開 昭47−33732（ＪＰ，Ａ) 特公 昭55−29159（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭40−25483（ＪＰ，Ｂ１) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Kiyoshi Asakawa 1-5-1, Hirakata-shi, Osaka Pref. Uemura Kogyo Co., Ltd., Central Research Laboratory (56) References JP-A-62-270793 (JP, A) JP-A-62-27091 (JP, A) JP-A-63-128194 (JP, A) JP-A-1-96392 (JP, A) JP-A-50-118943 (JP) JP-A-47-33732 (JP, A) JP-B-55-29159 (JP, B2) JP-B--40-25483 (JP, B1)
Claims (2)
する錫−鉛合金めっき浴に錯化剤としてアスコルビン
酸，イソアスコルビン酸，デヒドロアスコルビン酸及び
これらの塩から選ばれる１種又は２種以上を40〜400g/
配合してなると共に、pH2〜９であることを特徴とす
る錫−鉛合金電気めっき浴。1. One or two selected from ascorbic acid, isoascorbic acid, dehydroascorbic acid and salts thereof as a complexing agent in a tin-lead alloy plating bath containing 1 to 100 g / tin ions and lead ions. More than seeds 40-400g /
A tin-lead alloy electroplating bath characterized by being blended and having a pH of 2 to 9.
物を電気めっきすることを特徴とする錫−鉛合金電気め
っき方法。2. A method for electroplating a tin-lead alloy, comprising electroplating an object to be plated using the plating bath according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1121344A JP2709510B2 (en) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | Tin, lead, tin-lead alloy electroplating bath and electroplating method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1121344A JP2709510B2 (en) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | Tin, lead, tin-lead alloy electroplating bath and electroplating method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02301588A JPH02301588A (en) | 1990-12-13 |
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