JP2699821B2 - Level conversion circuit - Google Patents

Level conversion circuit

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JP2699821B2
JP2699821B2 JP5221573A JP22157393A JP2699821B2 JP 2699821 B2 JP2699821 B2 JP 2699821B2 JP 5221573 A JP5221573 A JP 5221573A JP 22157393 A JP22157393 A JP 22157393A JP 2699821 B2 JP2699821 B2 JP 2699821B2
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circuit
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日出行 近藤
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はレベル変換回路に関し、
特にLSI内部の論理振幅をTTLレベルに変換するレ
ベル変換回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a level conversion circuit,
In particular, the present invention relates to a level conversion circuit for converting a logic amplitude inside an LSI to a TTL level.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、LSI内部の論理振幅をトランジ
スタ・トランジスタ論理レベル(以下TTLレベルとい
う)に変換するレベル変換回路は、図3に示すように、
トランジスタのスイッチング動作速度を低下させないた
めに、順方向電位が0.2〜0.4Vのショットキーダ
イオード20〜23をトランジスタ6,7,9,10の
ベースとコレクタ間に接続して、トランジスタを飽和さ
せない回路としている。図において、1〜10はトラン
ジスタ、26〜33は抵抗、18,19はダイオード接
続したトランジスタ、20〜23はショットキーバリア
ダイオード、40は定電流回路を示す。
2. Description of the Related Art Conventionally, a level conversion circuit for converting a logic amplitude inside an LSI into a transistor / transistor logic level (hereinafter, referred to as a TTL level), as shown in FIG.
In order not to lower the switching operation speed of the transistors, Schottky diodes 20 to 23 having a forward potential of 0.2 to 0.4 V are connected between the bases and collectors of the transistors 6 , 7, 9, and 10, and the transistors are connected. The circuit is not saturated. In the figure, 1 to 10 are transistors, 26 to 33 are resistors, 18 and 19 are diode-connected transistors, 20 to 23 are Schottky barrier diodes, and 40 is a constant current circuit.

【0003】次に回路動作を説明すると、入力端子Q及
び反転QにはLSI内部の論理振幅が入力され、入力端
子Qが高レベルの時は入力端子反転Qには低レベルが入
力される。トランジスタ1,2で差動増幅器を構成して
いるので、この入力条件ではトランジスタ1の出力は低
レベル、トランジスタ2の出力は高レベルとなる。次に
トランジスタ3,4によるレベルシフト回路を介して差
動増幅器の出力はトランジスタ5のコレクタより出力さ
れる。
Next, the circuit operation will be described. The logic amplitude inside the LSI is input to the input terminal Q and the inverted Q. When the input terminal Q is at a high level, a low level is input to the input terminal Q. Since the transistors 1 and 2 constitute a differential amplifier, the output of the transistor 1 is low and the output of the transistor 2 is high under this input condition. Next, the output of the differential amplifier is output from the collector of the transistor 5 through the level shift circuit including the transistors 3 and 4.

【0004】ここで、ダイオード19及びトランジスタ
5はカレントミラー回路5に流れる電流を可変して、入
力端子信号レベルの約2倍の振幅を出力するように抵抗
28,29を設定している。即ち、トランジスタ5の出
力ハイレベルは、トランジスタ6,10を動作させるに
必要なベース・エミッタ間電圧の和より高いレベルに設
定し、同じく出力ロウレベルは、トランジスタ6,10
をカットオフさせるレベルに設定している。この入力条
件では、トランジスタ5の出力は低レベルになり、トラ
ンジスタ6及び10はカットオフしており、これにより
トランジスタ7のベース電位は抵抗30を介して高電位
となるのでトランジスタ7及び8が動作し出力端子はV
ccよりBE下った電位、即ち高レベルとなる。次に、
この入力条件と逆の場合はトランジスタ1の出力が高レ
ベル、トランジスタ2の出力が低レベルとなり、トラン
ジスタ5の出力は高レベルとなり、トランジスタ6及び
トランジスタ10が動作し、これによりトランジスタ7
のベース電位が低電位となる為、トランジスタ7及び8
はカットオフし、出力端子は低レベルとなる。
Here, the diode 19 and the transistor 5 change the current flowing through the current mirror circuit 5 and set the resistors 28 and 29 so as to output an amplitude about twice the input terminal signal level. That is, the output high level of the transistor 5 is set to a level higher than the sum of the base-emitter voltages necessary for operating the transistors 6 and 10, and the output low level is set to the transistors 6 and 10
Is set to the level that cuts off. Under this input condition, the output of the transistor 5 becomes low level, and the transistors 6 and 10 are cut off, so that the base potential of the transistor 7 becomes high potential via the resistor 30, so that the transistors 7 and 8 operate. Output terminal is V
The potential is 2 V BE below cc , that is, a high level. next,
In the case opposite to the input condition, the output of the transistor 1 becomes high level, the output of the transistor 2 becomes low level, the output of the transistor 5 becomes high level, and the transistor 6 and the transistor 10 operate.
Since the base potential of the transistors 7 and 8 becomes low, the transistors 7 and 8
Is cut off, and the output terminal goes low.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述したようにこの従
来のレベル変換回路は、トランジスタのベース入力電位
が高くなった時に飽和領域に動作領域が入ることを防ぐ
為に、順方向電位の小さいショットキーダイオード20
〜23をトランジスタのベース・コレクタ間に接続して
ベース電流の一部をバイパスして高速動作を得ている。
このためショットキーバリアダイオードを形成する工程
が必要となり、LSI製造工程が増加し、レベル変換回
路素子数も増加するという欠点があった。
As described above, in this conventional level conversion circuit, the shot level of the forward potential is small to prevent the operation area from entering the saturation area when the base input potential of the transistor becomes high. Key diode 20
To 23 are connected between the base and collector of the transistor to bypass a part of the base current to obtain a high-speed operation.
For this reason, a step of forming a Schottky barrier diode is required, and there are disadvantages in that the number of LSI manufacturing steps increases and the number of level conversion circuit elements also increases.

【0006】この欠点を改善したレベル変換回路として
特開昭61−148919号公報に記載されたレベル変
換回路がある。図4はこの回路構成を示す回路図で、ト
ランジスタ13の飽和を防止する為にトランジスタ13
のベース・コレクタ間にダイオード接続したトランジス
タ14を設けたことを特徴としている。
[0006] As a level conversion circuit in which this disadvantage is improved, there is a level conversion circuit disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-148919. FIG. 4 is a circuit diagram showing this circuit configuration.
Is characterized in that a diode-connected transistor 14 is provided between the base and collector.

【0007】この回路では、トランジスタのダイオード
接続は約0.7Vの順方向電位を必要としており、トラ
ンジスタ13のベース・コレクタ間順方向電位も最大の
0.7Vまで印加されるので、ベースからコレクタへキ
ャリアが注入されショットキーダイオードを使用した場
合に比べスイッチングスピードが遅くなるという欠点が
あった。
In this circuit, the diode connection of the transistor requires a forward potential of about 0.7 V, and the forward potential between the base and the collector of the transistor 13 is also applied up to the maximum of 0.7 V. And the switching speed becomes slower than when a Schottky diode is used.

【0008】本発明の目的は、これらの問題を解決し、
簡単な回路構成で、高速動作が機能なレベル変換回路を
提供することにある。
[0008] The object of the present invention is to solve these problems,
It is an object of the present invention to provide a level conversion circuit having a simple circuit configuration and high-speed operation.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の構成は、トラン
ジスタ・トランジスタ論理レベルを出力するレベル変換
回路において、入力信号を増幅する第1の差動増幅器
と、この第1の差動増幅器の出力を入力するエミッタフ
ォロワと、このエミッタフォロワの出力を入力する第2
の差動増幅器と、この第2の差動増幅器の出力を入力す
る制御トランジスタと、この制御トランジスタの出力を
入力に接続し出力が前記エミッタフォロワに抵抗を介し
て接続したカレントミラー回路とからなり、前記第2の
差動増幅器の他方の入力に基準電圧を加え、前記カレン
トミラー回路の出力を出力とすることを特徴とする。
According to the present invention, a first differential amplifier for amplifying an input signal in a level conversion circuit for outputting a transistor / transistor logic level, and an output of the first differential amplifier are provided. And a second input for receiving the output of the emitter follower.
, A control transistor for inputting the output of the second differential amplifier, and a current mirror circuit having an output connected to the input and an output connected to the emitter follower via a resistor. A reference voltage is applied to the other input of the second differential amplifier, and an output of the current mirror circuit is output.

【0010】[0010]

【作用】本発明の構成によれば、差動増幅器の出力を入
力するエミッタフォロアーの出力とカレントミラー回路
の出力との間に設けた抵抗に、そのカレントミラー回路
を制御トランジスタでオン,オフするさせることによ
り、電圧降下を発生させてカレントミラー回路の出力に
TTLレベルを出力させるようにしている。
According to the structure of the present invention, the current mirror circuit is turned on / off by a control transistor in a resistor provided between the output of the emitter follower for inputting the output of the differential amplifier and the output of the current mirror circuit. As a result, a voltage drop is generated to output the TTL level to the output of the current mirror circuit.

【0011】[0011]

【実施例】図1は本発明の一実施例のレベル変換回路の
回路図である。図において1,2,5,8,10,1
1,12はトランジスタ、27,30,31,34,
5は抵抗、19,24はダイオード接続したトランジス
タ、40,41は定電流回路を示す。トランジスタ1,
2及び抵抗27及び定電流回路40で差動増幅器が構成
され、トランジスタ11,12,19と定電流回路41
で第2の差動増幅器が構成され、トランジスタ19,5
により第1のカレントミラー回路、トランジスタ24
10及び抵抗30,31,35により第2のカレントミ
ラー回路及びトランジスタ8によるエミッタフォロワ回
路及び抵抗34により出力部が構成される。トランジス
タ5は第2の差動増幅器の出力を入力として第2のカレ
ントミラー回路をオン,オフさせる制御トランジスタ
る。
FIG. 1 is a circuit diagram of a level conversion circuit according to an embodiment of the present invention. In the figure, 1, 2, 5, 8, 10, 1
1, 12 are transistors, 27 , 30, 31 , 34, 3
5 is a resistor, 19 and 24 are diode-connected transistors, and 40 and 41 are constant current circuits. Transistor 1,
2, a resistor 27 and a constant current circuit 40 constitute a differential amplifier, and transistors 11, 12, and 19 and a constant current circuit 41
Constitutes a second differential amplifier, and transistors 19 and 5
As a result, the first current mirror circuit, the transistors 24 ,
Output unit configured Ri by the 10 and the resistor 30,31,35 of the second current mirror circuit and the transistor 8 by the emitter follower circuit and a resistor 34. Transistor 5 turns on the second-Calais <br/> Ntomira circuit as inputs the output of the second differential amplifier, and a control transistor for turning off
That Do not.

【0012】この回路動作を説明すると、従来例と同様
に入力端子Q,反転QにはLSI内部の論理振幅が入力
される。入力端子Qが高レベルの時は、差動増幅器の出
力であるトランジスタ2の出力は高レベルとなり、トラ
ンジスタ8のエミッタ電圧はさらにベース・エミッタ間
順方向電位分下った電位となる。トランジスタ8のエミ
ッタは第2の差動増幅器の一方の入力に接続されてい
る。又、第2の差動増幅器の他方の入力は基準電圧V
REF が接続されており、基準電圧VREF はトランジスタ
8のエミッタ出力の振幅の中点電位に設定されている。
The operation of this circuit will be described. As in the prior art, the logic amplitude inside the LSI is input to the input terminal Q and the inverted Q. When the input terminal Q is at a high level, the output of the transistor 2, which is the output of the differential amplifier, is at a high level, and the emitter voltage of the transistor 8 is further reduced by the forward potential between the base and the emitter. The emitter of the transistor 8 is connected to one input of a second differential amplifier. The other input of the second differential amplifier is connected to a reference voltage V.
REF is connected, and the reference voltage V REF is set to the midpoint potential of the amplitude of the emitter output of the transistor 8.

【0013】従って、この入力条件では、トランジスタ
12はカットオフし、トランジスタ11が動作するの
で、トランジスタ19,5が動作する。トランジスタ1
9,5はカレントミラー回路を構成しているので、トラ
ンジスタ5には定電流回路41と同一の電流を抵抗30
を介してVccより供給する。抵抗30はトランジスタ5
がカットオフしている時には、トランジスタ24,10
及び抵抗31,35からなるカレントミラー回路が動作
し、トランジスタ5が動作した時は当該カレントミラー
回路が停止する条件に設定しているので、入力端子Qが
高レベルのときには、当該カレントミラー回路は停止
し、出力端子は高レベルとなり、次式で与えられる出力
電圧VOHが得られる。
Therefore, under this input condition, the transistor 12 is cut off and the transistor 11 operates, so that the transistors 19 and 5 operate. Transistor 1
Since transistors 9 and 5 constitute a current mirror circuit, the same current as that of the constant current circuit 41 is applied to the transistor 5 by the resistor 30.
Supplied from V cc through The resistor 30 is a transistor 5
Are cut off, the transistors 24, 10
And a current mirror circuit consisting of resistor 31 and 35 is operated, so when the transistor 5 is operated is set to the condition in which the current mirror circuit is stopped, the input terminal Q
When the level is high, the current mirror circuit stops, the output terminal goes high, and an output voltage V OH given by the following equation is obtained.

【0014】 VOH=Vcc−VBE−R34×IO ………(1) ここで、IO は出力電流、VBEはトランジスタ8のベー
ス・エミッタ間順方向電位、R34は抵抗34の絶対値で
あり、Vcc=5V,出力電流=0の時、出力電位は最大
値となり(1)式よりVOHmax =4.3となる。
V OH = V cc −V BE −R 34 × I O (1) where I O is an output current, V BE is a forward potential between the base and the emitter of the transistor 8, and R 34 is a resistor. 34, and when V cc = 5 V and output current = 0, the output potential becomes the maximum value and V OHmax = 4.3 V according to the equation (1).

【0015】次に、入力端子Qが低レベルの時は、トラ
ンジスタ2の出力は低レベルとなり、トランジスタ8の
エミッタも低レベルとなる。これにより第2の差動増幅
器はトランジスタ12が動作し、トランジスタ11がカ
ットオフするので、トランジスタ19,5もカットオフ
し、トランジスタ24,10及び抵抗31,35からな
るカレントミラーが動作し、抵抗34に出力電流が流
れ、出力端子の出力VOLは低レベルとなり次式で与えら
れる。ここでVL は差動増幅器の出力振幅電圧、 BE
トランジスタ8のベース・エミッタ間順方向電位とす
る。
Next, when the input terminal Q is at a low level, the output of the transistor 2 is at a low level, and the emitter of the transistor 8 is also at a low level. As a result, in the second differential amplifier, the transistor 12 operates and the transistor 11 is cut off, so that the transistors 19 and 5 are also cut off, and the current mirror including the transistors 24 and 10 and the resistors 31 and 35 operates and the resistor output current flows through the 34, the output V OL output terminals is given by the following equation becomes a low level. Where VL is the output amplitude voltage of the differential amplifier, and V BE is
The forward potential between the base and the emitter of the transistor 8 is used.

【0016】 VOL=Vcc−VBE−VL −R34×(I 0 +I 1 ………(2) この回路では、出力端子が高レベルの時にトランジスタ
5が飽和しない条件、及び出力端子が低レベルの時にト
ランジスタ10が飽和しない条件を満足する、抵抗3
0,32,34,35及び電流I1 ,I2 ,I3 を設定
する。即ち、出力端子が高レベルの時は、トランジスタ
19,5の電流比を1:1とした場合、定電流回路41
の電流I3 を次式で示す値とすればよい。ここでトラン
ジスタ10のベース電位をV1 とする。
V OL = V cc −V BE −V L −R 34 × (I 0 + I 1 ) (2) In this circuit, the condition that the transistor 5 is not saturated when the output terminal is at a high level, and the output The resistor 3 satisfies the condition that the transistor 10 does not saturate when the terminal is at a low level.
0, 32, 34, 35 and currents I 1 , I 2 , I 3 are set. That is, when the output terminal is at a high level, if the current ratio of the transistors 19 and 5 is 1: 1, the constant current circuit 41
The current I 3 may be a value shown by the following equation. Here, the base potential of the transistor 10 is V 1 .

【0017】 I3 =(Vcc-1 )/R30(0.7V>V1 >0.3V)…………(3) 次に、出力端子が低レベルの時は、VBE′をトランジス
タ24のベース・エミッタ電圧とすると、抵抗34,3
0を次式で示す値とすればよい。ただしI0 =0とす
る。
I 3 = ( Vcc− V 1 ) / R 30 ( 0.7 V> V 1 > 0.3 V) (3) Next, when the output terminal is at a low level, V BE ′ Is the base-emitter voltage of transistor 24, resistors 34, 3
0 may be set to a value represented by the following equation. Where I0 = 0
You.

【0018】 R34=(Vcc−VL −VBE−VOL)/I1 (VOL=0.4)…………(4) R30={Vcc−(VBE' +R31・I2 )}/I2 ………………………(5) 以下、具体的数値を用いて説明すると、出力端子が低レ
ベルの場合、Vcc=5V,VL =0.4V,VBE
BE′=0.7V,VOL=0.4Vで、トランジスタ2
4,10によるカレントミラー回路の電流値I 2 および
1 をI 2 :I 1 1:2とし、R31=132Ω,R35
=65Ω,I1 =4mAとすると、(4),(5)式よ
り、R34=875Ω,R30=2.02KΩとなる。
R 34 = (V cc −V L −V BE −V OL ) / I 1 (V OL = 0.4) (4) R 30 = {V cc − (V BE ′ + R 31) (I 2 )} / I 2 (5) In the following, using specific numerical values, when the output terminal is at a low level, V cc = 5 V and V L = 0.4 V , V BE =
When V BE '= 0.7 V and V OL = 0.4 V, the transistor 2
The current value I 2 of the current mirror circuit according to 4, 10 and
Let I 1 be I 2 : I 1 = 1: 2, R 31 = 132Ω, R 35
= 65Ω and I 1 = 4 mA, R 34 = 875 Ω and R 30 = 2.02 KΩ from the equations (4) and (5).

【0019】この時トランジスタ10のベース電位
1 =VBE′+ 31×I2 =0.96V又、コレクタ電位
OL=0.4V。従ってトランジスタ10のベース・
コレクタ順方向バイアスVB10 B10 =V1 −VOL
0.56Vでありトランジスタ10は飽和しない。抵抗
35を32.5ΩとすればVB10 =0.43Vとさらに
小さく出来る。
[0019] V of the base potential of this time, the transistor 10
1 = V BE '+ R 31 × I 2 = 0.96 V and collector potential
V OL = 0.4V of. Therefore, the base of transistor 10
The collector forward bias V B10 is V B10 = V 1 −V OL =
0.56 V, and the transistor 10 does not saturate. If the resistance 35 is 32.5Ω, it can be further reduced to V B10 = 0.43V.

【0020】次に、出力端子が高レベルの場合、Vcc=
5V,V1 =0.3Vでトランジスタ19,5によるカ
レントミラー回路の電流比を1:1とすると、(3)式
よりI3 =4.7V/2.02KΩ=2.3mAとなる
ように、定電流回路41を設定すればV1 =0.3Vと
なり、トランジスタ24,10によるカレントミラー回
路はカットオフする。この時トランジスタ5のベース・
コレクタ順方向バイアスVB5、ダイオード接続された
トランジスタ19の順方向電圧をV B とするとB5=V
B −0.3V=0.4Vでありトランジスタ5は飽和し
ない。
Next, when the output terminal is at a high level, Vcc =
Assuming that the current ratio of the current mirror circuit formed by the transistors 19 and 5 is 1: 1 at 5 V and V 1 = 0.3 V, from the equation (3), I 3 = 4.7 V / 2.02 KΩ = 2.3 mA. If the constant current circuit 41 is set, V 1 = 0.3 V, and the current mirror circuit formed by the transistors 24 and 10 is cut off. At this time, the base of transistor 5
The collector forward bias V B5 is diode-connected
Assuming that the forward voltage of the transistor 19 is V B , V B5 = V
B− 0.3V = 0.4V, and the transistor 5 does not saturate.

【0021】又、トランジスタ19,5のエミッタに抵
抗を挿入し電流比を得ることにより、電流I3 を減少さ
せることが出来る。この場合はトランジスタ5のエミッ
タ電位上昇分だけ B5が増加するが、(3)式の条件
(0.7>V1 >0.5V)の範囲内でV1 の上昇す
ればトランジスタ5が飽和することはない。
The current I 3 can be reduced by inserting a resistor into the emitters of the transistors 19 and 5 to obtain a current ratio. In this case, increased emitter potential rise only V B5 of the transistor 5 is, but the transistor 5 be elevated V 1 within the range of (3) the conditions (0.7 V> V 1> 0 . 5V) It does not saturate.

【0022】図2は本発明の第2の実施例のレベル変換
回路の回路図である。本実施例の第1実施例との相違点
は、差動増幅器を構成するトランジスタ1の出力に抵抗
26を設けたことと、トランジスタ4と定電流回路42
からなる第2のエミッタフォロワを設け、入力をトラン
ジスタ1の出力に接続し、出力を第2の差動増幅器を構
成するトランジスタ11の入力に接続したことである。
その他は第1実施例と同様である。
FIG. 2 is a circuit diagram of a level conversion circuit according to a second embodiment of the present invention. This embodiment differs from the first embodiment in that a resistor 26 is provided at the output of the transistor 1 constituting the differential amplifier, and that the transistor 4 and the constant current circuit 42
Is provided, the input is connected to the output of the transistor 1, and the output is connected to the input of the transistor 11 constituting the second differential amplifier.
Others are the same as the first embodiment.

【0023】本実施例では、第2の差動増幅器のトラン
ジスタ11の入力にトランジスタ4を介して差動増幅器
の反転出力が入力されるため、第1の実施例のように基
準電圧VREF を設ける必要がないという特徴がある。
又、第2の差動増幅器の差動入力電圧が第1の実施例の
2倍に増加されるため、第2の差動増幅器の速度が早く
なるという特徴もある。
In this embodiment, since the inverted output of the differential amplifier is input to the input of the transistor 11 of the second differential amplifier via the transistor 4, the reference voltage V REF is applied as in the first embodiment. There is a feature that there is no need to provide.
Further, since the differential input voltage of the second differential amplifier is doubled as compared with the first embodiment, there is a feature that the speed of the second differential amplifier is increased.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、エミッタ
フォロワの出力とカレントミラー回路の出力に設けた抵
抗に、カレントミラー回路をオン,オフすることにより
電位効果を生じさせて、カレントミラー回路の出力に出
力信号を出力させているので、ショットキーダイオード
を使用することなく、TTL出力レベルを有するレベル
変換回路を構成出来る。また、出力ハイレベルが従来よ
りも0.7V高いため、電源電圧が減電圧時にもTTL
レベルが出力されるという従来にはない特徴があり、さ
らに出力ハイレベル、出力低レベルを、回路定数を変え
ることにより変更出来るという従来にはない特徴もあ
る。
As described above, according to the present invention, a potential effect is produced by turning on and off a current mirror circuit on a resistor provided between an output of an emitter follower and an output of a current mirror circuit, thereby producing a current mirror circuit. Since the output signal is output to the output of the above, a level conversion circuit having a TTL output level can be configured without using a Schottky diode. Also, since the output high level is 0.7 V higher than the conventional one, the TTL level is maintained even when the power supply voltage is reduced.
There is an unprecedented feature that a level is output, and there is an unprecedented feature that an output high level and an output low level can be changed by changing circuit constants.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例のレベル変換回路の回路図。FIG. 1 is a circuit diagram of a level conversion circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2実施例のレベル変換回路の回路
図。
FIG. 2 is a circuit diagram of a level conversion circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図3】従来のレベル変換回路の一例の回路図。FIG. 3 is a circuit diagram of an example of a conventional level conversion circuit.

【図4】改良した従来のレベル変換回路の部分回路図。FIG. 4 is a partial circuit diagram of an improved conventional level conversion circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1〜14 トランジスタ 18,19,24 ダイオード接続したトランジスタ 20〜23 ショットキーダイオード 26〜36 抵抗 40〜42 定電流回路 1-14 Transistor 18, 19, 24 Diode-connected transistor 20-23 Schottky diode 26-36 Resistance 40-42 Constant current circuit

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 トランジスタ・トランジスタ論理レベル
を出力するレベル変換回路において、入力信号を増幅す
る第1の差動増幅器と、この第1の差動増幅器の出力を
入力するエミッタフォロワと、このエミッタフォロワの
出力を入力する第2の差動増幅器と、この第2の差動増
幅器の出力を入力する制御トランジスタと、この制御ト
ランジスタの出力を入力に接続し出力が前記エミッタフ
ォロワに抵抗を介して接続したカレントミラー回路とか
らなり、前記第2の差動増幅器の他方の入力に基準電圧
を加え、前記カレントミラー回路の出力を出力とするこ
とを特徴とするレベル変換回路。
In a level conversion circuit for outputting a transistor / transistor logic level, a first differential amplifier for amplifying an input signal, an emitter follower for inputting an output of the first differential amplifier, and an emitter follower for inputting an output of the first differential amplifier A second differential amplifier for receiving the output of the second differential amplifier, a control transistor for receiving the output of the second differential amplifier, an output of the control transistor connected to the input, and an output connected to the emitter follower via a resistor. A level conversion circuit comprising: a reference voltage applied to the other input of the second differential amplifier; and an output of the current mirror circuit as an output.
【請求項2】 第1の差動増幅器の他方の出力を入力と
する第2のエミッタフォロワを有し、この第2のエミッ
タフォロワの出力を第2の差動増幅器の他方の入力に接
続した請求項1記載のレベル変換回路。
2. A second emitter follower having the other output of the first differential amplifier as an input, the output of the second emitter follower being connected to the other input of the second differential amplifier. The level conversion circuit according to claim 1.
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