JP2696415B2 - Film production method - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は有機溶媒に可溶であり、導電性、光透過性を
有し、かつ吸湿性が無いフィルムの製造法に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing a film that is soluble in an organic solvent, has electrical conductivity, optical transparency, and has no hygroscopicity.
(従来技術および発明が解決しようとする課題) 近年、電気、電子部品に種々のプラスチックが多用さ
れており、それらの帯電を防止することが要求されてき
ている。(Prior Art and Problems to be Solved by the Invention) In recent years, various plastics have been widely used for electric and electronic components, and there has been a demand for preventing their charging.
従来より、高分子物質に帯電防止性を付与する手段と
して、ポリエチレングリコール、アルコールエトキシレ
ート、のような非イオン性界面活性剤、スルホン酸化ア
ルキルフェノール縮合体のナトリウム塩のようなアニオ
ン性界面活性剤、あるいは導電性炭素材、金属フレー
ク、金属ファイパー、焼結金属酸化物などの無機導電性
物質を添加する方法などが開発されている。Conventionally, as means for imparting antistatic properties to polymer substances, polyethylene glycol, non-ionic surfactants such as alcohol ethoxylates, anionic surfactants such as sodium salts of sulfonated alkylphenol condensates, Alternatively, a method of adding an inorganic conductive substance such as a conductive carbon material, a metal flake, a metal fiber, and a sintered metal oxide has been developed.
しかしながら、上記の界面活性剤類を添加する方法で
は、該界面活性剤が高分子物質内部から表面に移動し、
空気中の水分を吸着することにより高分子物質表面のイ
オン伝導性を増大させて帯電防止効果を発現するもので
あるため、該界面活性剤が洗浄によって脱落し易く、し
かも物質全体が吸湿性をもち、また低湿度下の環境にお
いては帯電防止効果が低下するという欠点があった。However, in the method of adding the surfactants, the surfactant moves from the inside of the polymer substance to the surface,
By absorbing the moisture in the air, it increases the ionic conductivity of the surface of the polymer substance and exerts an antistatic effect, so that the surfactant is easily dropped off by washing, and the whole substance has a hygroscopic property. In addition, there is a disadvantage that the antistatic effect is reduced in an environment under low humidity.
また、上記無機導電性物質を高分子物質に添加する方
法では、該無機導電性物質が欠落し易く、さらに全体の
光透過性やくもり特性に悪影響を及ぼすという欠点があ
る。In addition, the method of adding the inorganic conductive substance to the polymer substance has a drawback that the inorganic conductive substance is liable to be removed, and further has an adverse effect on the entire light transmittance and clouding characteristics.
以上のことにより、本技術分野では、光透過性に優
れ、吸湿性がなく、低湿度下の環境においても良好な帯
電防止効果を維持し、洗浄によっても帯電防止効果を失
わない帯電防止剤が求められていた。As described above, in this technical field, an antistatic agent that has excellent light transmittance, has no hygroscopicity, maintains a good antistatic effect even in a low humidity environment, and does not lose its antistatic effect even by washing. Was sought.
一方、本発明者らは、さきに有機溶媒に可溶な電気活
性ボリマーとして種々の提案を行ってきた(特開昭63−
308019、特願平1−222839等)。On the other hand, the present inventors have previously made various proposals as an electroactive polymer soluble in an organic solvent (Japanese Patent Application Laid-Open No.
308019, Japanese Patent Application No. 1-222839).
本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、上記のポリマー
に、ある特定濃度範囲で電子受容体をドープした化合物
が高い導電性をもち、かつ光透過性に優れており、また
ドープの前後どちらの時点においても有機溶媒でフィル
ム状に成形することが容易であり、該化合物のフィルム
状成形物を帯電防止剤として使用すると上記欠点を克服
できることを見いだし、本発明に至った。The present inventors have conducted intensive studies, and as a result, it has been found that a compound obtained by doping the above polymer with an electron acceptor in a specific concentration range has high conductivity and excellent light transmittance. Even at the point of the above, it was found that it was easy to form a film with an organic solvent, and it was found that the above-mentioned disadvantages could be overcome by using a film-like molded product of the compound as an antistatic agent, leading to the present invention.
すなわち、本発明は一般式(I) (式中、R1はHまたは炭素数1〜20の炭化水素残基、
R2はH、炭素数1〜20の炭化水素残基、フリル基、ピリ
ジル基、ニトロフェニル基、クロロフェニル基、または
メトキシフェニル基を示し、lは2以上の整数、mは1
以上の整数およびnは2以上の整数をそれぞれ示す)で
表わされる共重合体を、溶媒に溶解したのちフィルムに
成形し、かかる成形の前および/または成形したのちに
電子受容体をドープし、かつ該ドープ濃度がドープサイ
トに対し0.1〜5モル%の範囲内にあることを特徴とす
るフィルムの製造法に関する。That is, the present invention provides a compound represented by the general formula (I) (Wherein, R 1 is H or a hydrocarbon residue having 1 to 20 carbon atoms,
R 2 represents H, a hydrocarbon residue having 1 to 20 carbon atoms, a furyl group, a pyridyl group, a nitrophenyl group, a chlorophenyl group, or a methoxyphenyl group; l is an integer of 2 or more;
The above integer and n each represent an integer of 2 or more) are formed into a film after being dissolved in a solvent, and then doped with an electron acceptor before and / or after the formation, The present invention also relates to a method for producing a film, wherein the doping concentration is in the range of 0.1 to 5 mol% with respect to the doping site.
以下、本発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
本発明の製造法によるフィルムは一般式(I)で表わ
される共重合体に電子受容体をドープしてなる化合物を
必須成分とする。The film produced by the production method of the present invention contains, as an essential component, a compound obtained by doping the copolymer represented by the general formula (I) with an electron acceptor.
本発明に用いられる一般式(I)で表わされる共重合
体は、下記一般式(II)で表わされる化合物と下記一般
式(III)で表わされるアルデヒドまたはその重合体と
を重縮合することによって製造することができる。The copolymer represented by the general formula (I) used in the present invention is obtained by polycondensing a compound represented by the following general formula (II) with an aldehyde represented by the following general formula (III) or a polymer thereof. Can be manufactured.
R2CHO (III) 一般的(II)で表わされる化合物において、R1は水素
または炭素数通常1〜20、好ましくは1〜8の炭化水素
残基を示し、炭化水素残基としては例えば、メチル基、
エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチ
ル基、i−ブチル基、n−ヘキシル基等のアルキル基ま
たはアリル基を、またフェニル基、トリル基、エチルフ
ェニル基などの各種アリール基、アラルキル基およびそ
の誘導体が挙げられる。 R 2 CHO (III) In the compound represented by the general formula (II), R 1 represents hydrogen or a hydrocarbon residue having usually 1 to 20, preferably 1 to 8 carbon atoms. Methyl group,
An alkyl group such as an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, an n-hexyl group or an allyl group, and various aryl groups such as a phenyl group, a tolyl group, and an ethylphenyl group. Groups, aralkyl groups and derivatives thereof.
lは2以上であり、通常2〜50好ましくは2〜10さら
に好ましくは2〜5である。mは1以上であり、通常1
〜50、好ましくは1〜30、さらに好ましくは1〜10であ
る。式両末端は特に特定されないが通常、該置換水素で
ある。l is 2 or more, usually 2 to 50, preferably 2 to 10, and more preferably 2 to 5. m is 1 or more, usually 1
To 50, preferably 1 to 30, and more preferably 1 to 10. Although both ends of the formula are not particularly specified, they are usually the substituted hydrogens.
一般式(II)で表わされる化合物としては具体的には
N,N′−ジフェニル−p−フェニレンジアミン系化合
物、N−フェニル−N′−(4−フェニルアミノ)フェ
ニル−p−フェニレンジアミン系化合物などが例示され
る。As the compound represented by the general formula (II), specifically,
N, N'-diphenyl-p-phenylenediamine compounds, N-phenyl-N '-(4-phenylamino) phenyl-p-phenylenediamine compounds and the like are exemplified.
また、一般式(II)で表わされる化合物のうち、mが
2以上のものは通常、一般式(II)で表わされるm=1
の場合の化合物をマンガン化合物、第2鉄塩等の酸化剤
を用いた酸化カップリング反応または電解酸化重合等の
方法を用いることにより製造される。例えば、一般式
(II)で表わされる化合物がN,N′−ジフェニル−p−
フェニレンジアミン系化合物の場合、N,N′−ジフェニ
ル−p−フェニレンジアミンを、エタノール、アセト
ン、アセトニトリル、エーテル、ベンゼンなどの溶媒中
で、塩化第2鉄を触媒として酸化カップリング反応によ
り製造することができる。In addition, among the compounds represented by the general formula (II), those in which m is 2 or more usually have m = 1 represented by the general formula (II).
Is produced by using a method such as an oxidative coupling reaction using an oxidizing agent such as a manganese compound or a ferric salt or electrolytic oxidation polymerization. For example, when the compound represented by the general formula (II) is N, N'-diphenyl-p-
In the case of a phenylenediamine compound, N, N'-diphenyl-p-phenylenediamine is produced by an oxidative coupling reaction in a solvent such as ethanol, acetone, acetonitrile, ether, or benzene using ferric chloride as a catalyst. Can be.
このときの反応温度は通常−50℃から100℃、好まし
くは−20℃から使用した溶媒の沸点、反応時間は通常10
分から100時間、好ましくは1時間から50時間で反応を
行うことができる。The reaction temperature at this time is usually from -50 ° C to 100 ° C, preferably from -20 ° C to the boiling point of the solvent used, and the reaction time is usually 10 ° C.
The reaction can be carried out in minutes to 100 hours, preferably 1 hour to 50 hours.
なお、これらのN,N′−ジフェニル−p−フェニレン
ジアミンのうち代表的なものとしては、例えばN,N′−
ジメチル−N,N′−ジフェニル−p−フェニレンジアミ
ン、N,N′−ジエチル−N,N′−ジフェニル−p−フェニ
レンジアミン、N,N′−ジプロピル−N,N′−ジフェニル
−p−フェニレンジアミンなどを挙げることができる。Representative of these N, N'-diphenyl-p-phenylenediamines include, for example, N, N'-
Dimethyl-N, N'-diphenyl-p-phenylenediamine, N, N'-diethyl-N, N'-diphenyl-p-phenylenediamine, N, N'-dipropyl-N, N'-diphenyl-p-phenylene Diamines and the like can be mentioned.
また、N,N′−ジフェニル−p−フェニレンジアミン
系化合物以外の一般式(II)で表わされる化合物も常法
により製造されるものであり、例えば遷移金属触媒の存
在下、芳香族アミン類と芳香族ヒドロキシ化合物を有機
溶媒中で反応させる方法、フタール酸エステルを原料と
して用いる方法などが挙げられ、これらの具体的方法と
しては、特開昭55−38311号、Journal of Polymer Scie
nce Part C22,p.451(1968)等に記載されている。Compounds represented by the general formula (II) other than the N, N'-diphenyl-p-phenylenediamine compound are also produced by a conventional method. For example, in the presence of a transition metal catalyst, an aromatic amine is used. A method in which an aromatic hydroxy compound is reacted in an organic solvent, a method in which a phthalic acid ester is used as a raw material, and the like. Specific examples of these methods include JP-A-55-38311, Journal of Polymer Scie
nce Part C22, p.451 (1968).
一般式(III)で表わされるアルデヒドとしては、式
中R2が水素または炭素数1〜20、好ましくは1〜8の炭
化水素残基、またはフリル基、ピリジル基、ニトロフェ
ニル基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基の化合
物が用いられ、炭化水素残基としては、例えばメチル
基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−
ブチル基、i−ブチル基、n−ヘキシル基等のアルキル
基またはアリル基を、またフェニル基、トリル基、エチ
ルフェニル基などの各種アリール基、アラルキル基およ
びその誘導体などを用いることができる。これらのアル
デヒドのうち代表的なものとしては、例えばホルムアル
デヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブ
チルアルデヒド、ベンズアルデヒド、アクリルアルデヒ
ド、シンナムアルデヒド、アニスアルデヒド、ニコチン
アルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、クロロベンズア
ルデヒド、フルフラールなどを挙げることができる。As the aldehyde represented by the general formula (III), R 2 is hydrogen or a hydrocarbon residue having 1 to 20, preferably 1 to 8 carbon atoms, or a furyl group, a pyridyl group, a nitrophenyl group, a chlorophenyl group, A compound of a methoxyphenyl group is used, and examples of the hydrocarbon residue include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, and an n-
An alkyl group or an allyl group such as a butyl group, an i-butyl group, and an n-hexyl group, various aryl groups such as a phenyl group, a tolyl group, and an ethylphenyl group, an aralkyl group, and derivatives thereof can be used. Representative examples of these aldehydes include, for example, formaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, butyraldehyde, benzaldehyde, acrylaldehyde, cinnamaldehyde, anisaldehyde, nicotinaldehyde, nitrobenzaldehyde, chlorobenzaldehyde, furfural and the like. .
また、アルデヒドの重合体とは、一般式(III)で表
わされるアルデヒドを濃厚溶液にして自己縮合させた
り、酸触媒の存在下で縮合させて得られる重合体を表わ
し、該重合体は本発明の共重合体を合成する際の反応条
件下で容易に加水分解してアルデヒド単量体を生成する
ものを表わす。代表的なものとしては、例えばホルムア
ルデヒドの重合体であるパラホルムアルデヒド、アセト
アルデヒドの三量体であるパラアルデヒドなどが挙げら
れる。The aldehyde polymer refers to a polymer obtained by subjecting the aldehyde represented by the general formula (III) to a concentrated solution and self-condensing, or condensing in the presence of an acid catalyst. Represents an aldehyde monomer which is easily hydrolyzed under the reaction conditions for the synthesis of the copolymer of Representative examples include paraformaldehyde, which is a polymer of formaldehyde, and paraaldehyde, which is a trimer of acetaldehyde.
一般式(II)で表わされる化合物と一般式(III)で
表わされるアルデヒドまたはその重合体との重縮合は、
両者が可溶な有機溶媒中で通常0〜200℃の温度で酸ま
たはアルカル触媒を用いて行うことができる。該酸触媒
としては例えば硫酸、塩酸、リン酸、過塩素酸、五酸化
二リン等の無機酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、メタン
スルホン酸、p−トルエンスルホン酸等の有機酸などを
挙げることができる。これらの酸触媒は単独で用いても
また二種類以上を併用しても良い。また、上記有機溶媒
としては、例えばエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン等のエーテル類、クロロホルム、ジクロ
ロメタン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、
ニトロベンゼン等のニトロ化合物、アセトニトリル、プ
ロピレンカーボネイト、ジメチルホルムアミド、N−メ
チルピロリドンなどが挙げられる。反応時間は通常1分
ないし500時間、好ましくは5分ないし200時間の範囲で
適宜選ぶことができる。The polycondensation of the compound represented by the general formula (II) with the aldehyde represented by the general formula (III) or a polymer thereof is as follows:
The reaction can be carried out in an organic solvent in which both are soluble, usually at a temperature of 0 to 200 ° C. using an acid or an alkali catalyst. Examples of the acid catalyst include inorganic acids such as sulfuric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, perchloric acid, and diphosphorus pentoxide, and organic acids such as formic acid, acetic acid, propionic acid, methanesulfonic acid, and p-toluenesulfonic acid. Can be. These acid catalysts may be used alone or in combination of two or more. Further, as the organic solvent, for example, ethers such as ethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, chloroform, dichloromethane, halogenated hydrocarbons such as chlorobenzene,
Examples include nitro compounds such as nitrobenzene, acetonitrile, propylene carbonate, dimethylformamide, and N-methylpyrrolidone. The reaction time can be appropriately selected in the range of usually 1 minute to 500 hours, preferably 5 minutes to 200 hours.
かくして得られる一般式(I)で表わされる共重合体
のnは2以上、通常2〜1000、好ましくは5〜200が望
ましく、実質的に線状構造を有する。N of the copolymer represented by the general formula (I) thus obtained is desirably 2 or more, usually 2 to 1000, preferably 5 to 200, and has a substantially linear structure.
また、一般式(I)で表わされる共重合体は、通常ク
ロロホルム、ベンゼン、テトラヒドロフラン(THF)、C
H2Cl2、N−メチルピロリドン、ニトロベンゼン等の有
機溶媒に可溶であるため、任意の形状の各種の成形体に
することができる。The copolymer represented by the general formula (I) is usually chloroform, benzene, tetrahydrofuran (THF), C
Since it is soluble in organic solvents such as H 2 Cl 2 , N-methylpyrrolidone, nitrobenzene, etc., it can be made into various shaped articles of any shape.
さらに、一般式(I)で表わされる共重合体は、前記
のように可溶性をもつため、性能等をさらに高める目的
で、通常、精製等により不純物を除去することができ
る。Further, since the copolymer represented by the general formula (I) is soluble as described above, impurities can be usually removed by purification or the like for the purpose of further improving performance and the like.
例えばGPC(Gel Permeation Chromatography)、イオ
ン交換樹脂などのクロマトグラフィー、エタノールやヘ
キサンなどの不溶性溶媒を用いた再沈法や洗浄法、前記
の可溶性溶媒を用いた抽出法等が挙げられる。For example, GPC (Gel Permeation Chromatography), chromatography using an ion exchange resin, etc., reprecipitation method and washing method using an insoluble solvent such as ethanol and hexane, extraction method using the above-mentioned soluble solvent and the like can be mentioned.
次に、一般式(I)で表わされる共重合体に電子受容
体をドープする。Next, the copolymer represented by the general formula (I) is doped with an electron acceptor.
該ドープは、(a)一般式(I)で表わされる共重合
体を製造した後で、かつ溶媒に溶解する前、(b)溶媒
に溶解しているとき、(c)フィルム形成後、のいずれ
の場合においても行うことができる。The dope comprises (a) after producing the copolymer represented by the general formula (I) and before dissolving in a solvent, (b) when dissolving in a solvent, and (c) after forming a film. This can be performed in any case.
また、該ドープの方法は、公知の方法を用いることが
でき、例えば共重合体を溶媒に溶解した際に直接混合す
る方法、共重合体を製造した後または成形した後に気相
から電子受容体を侵入させる方法、電子受容体となる陰
イオンを含む溶媒中で電解酸化を行う電気化学的方法、
電子受容体となるイオンを加速して物質に打ち込むイオ
ン注入法など、いずれの方法を用いることもできる。The doping method can be a known method, for example, a method of directly mixing when the copolymer is dissolved in a solvent, an electron acceptor from the gas phase after producing or molding the copolymer. Method of infiltrating, an electrochemical method of performing electrolytic oxidation in a solvent containing an anion serving as an electron acceptor,
Any method such as an ion implantation method in which ions serving as electron acceptors are accelerated and implanted into a substance can be used.
該電子受容体のうち、溶媒に溶解した際に混合する方
法や、気相より侵入させる方法に用いることができるも
のとしては、例えばヨウ素、臭素、ヨウ化水素のような
ハロゲン化合物、五フッ化ヒ素、五フッ化リン、五塩化
リン、五フッ化アンチモン、四フッ化ケイ素、塩化アル
ミニウム、臭化アルミニウム、フッ化アルミニウム、塩
化第2鉄のような金属ハロゲン化物、硫酸、硝酸、クロ
ロスルホン酸のようなプロトン酸、三酸化硫黄、ジフル
オロスルホニルパーオキサイドのような酸化剤、テトラ
シアノジメタンのような有機物などを挙げることができ
る。Among the electron acceptors, those which can be used in a method of mixing when dissolved in a solvent or a method of invading from a gas phase include, for example, halogen compounds such as iodine, bromine and hydrogen iodide, and pentafluoride. Metal halides such as arsenic, phosphorus pentafluoride, phosphorus pentachloride, antimony pentafluoride, silicon tetrafluoride, aluminum chloride, aluminum bromide, aluminum fluoride, ferric chloride, sulfuric acid, nitric acid, chlorosulfonic acid And oxidizing agents such as sulfur trioxide and difluorosulfonyl peroxide, and organic substances such as tetracyanodimethane.
電気化学的にドープできる電子受容体としては、例え
ばPF6 -、SbF6 -、AsF6 -、のようなVa属の元素のハロゲン
化物アニオン、BF4 -のようなIIIa属の元素のハロゲン化
物アニオン、I-(I8 -)、Br-、Cl-のようなハロゲンア
ニオン、ClO4 -のような過塩素酸アニオンなどの陰イオ
ンが挙げられる。Electron acceptors that can be electrochemically doped include, for example, halide anions of Va group elements such as PF 6 − , SbF 6 − , AsF 6 − , and halides of IIIa group elements such as BF 4 − Examples include anions, halogen anions such as I − (I 8 − ), Br − and Cl − , and perchlorate anions such as ClO 4 − .
さらに、イオン注入法でドープできる電子受容体とし
ては、例えばBr+、Cl+、I+などが挙げられる。Further, electron acceptors that can be doped by ion implantation include, for example, Br + , Cl + , and I + .
ドープ濃度は、上記共重合体のドープしうる部分即ち
ドープサイト即ち一般式(I)の の繰返し単位に対するモル%で表わすと通常0.1〜5
%、好ましくは0.3〜3%の範囲内で、使用する電子受
容体や共重合体の種類に応じて適宜選択できる。The doping concentration is determined based on the dopeable portion of the copolymer, that is, the doping site, that is, the formula (I) Of 0.1 to 5 when expressed as mol% based on the repeating unit
%, Preferably within a range of 0.3 to 3%, depending on the type of electron acceptor or copolymer used.
ドープ濃度が上記の範囲に満たないと、十分な導電性
が得られず、また上記の範囲を越えると溶媒に対する溶
解性、色調等に問題がでることがあるので好ましくな
い。If the doping concentration is less than the above range, sufficient conductivity cannot be obtained, and if the doping concentration exceeds the above range, problems such as solubility in a solvent and color tone may occur, which is not preferable.
上記の溶媒に溶解した際に混合するドープの方法とし
ては具体的には、通常クロロホルム、ベンゼン、テトラ
ヒドロフラン(THF)、CH2Cl2、N−メチルピロリド
ン、ニトロベンゼン等の有機溶媒に一般式(I)で表わ
される共重合体を溶解させた溶液中に、上記電子受容体
を混合する方法が用いられる。As a method of doping mixed when dissolved in the above-mentioned solvent, specifically, usually, an organic solvent such as chloroform, benzene, tetrahydrofuran (THF), CH 2 Cl 2 , N-methylpyrrolidone, nitrobenzene or the like is added to the general formula (I) A method of mixing the above-mentioned electron acceptor in a solution in which the copolymer represented by the formula (1) is dissolved is used.
また上記の気相から電子受容体を侵入させる方法とし
ては具体的には、一般式(I)で表わされる共重合体を
後述の方法で成形し、次いで上記電子受容体のうちの揮
発性をもつものと共に密封容器中に保持する方法が用い
られる。この際、温度は使用する電子受容体が揮発する
温度以上かつ通常400℃以下であれば適宜選択でき、保
持する時間は目的とするドープ濃度と上記温度に応じて
選択できる。As a method for allowing the electron acceptor to penetrate from the gas phase, specifically, a copolymer represented by the general formula (I) is molded by a method described later, and then the volatility of the electron acceptor is determined. The method of holding in a sealed container with the thing to be used is used. At this time, the temperature can be appropriately selected as long as it is higher than the temperature at which the electron acceptor to be used is volatilized and usually lower than 400 ° C., and the holding time can be selected according to the desired doping concentration and the above temperature.
本発明においては、一般式(I)で表わされる共重合
体または該共重合体にドープをしたものをフィルム状に
成形する。In the present invention, the copolymer represented by the general formula (I) or the copolymer doped with the copolymer is formed into a film.
なお、ここでいうフィルムとは、薄膜だけでなく、保
護膜状のものも含む。The film here includes not only a thin film but also a protective film.
該成形はまず、一般式(I)で表わされる共重合体ま
たは該共重合体にドープをしたものを、通常、クロロホ
ルム、ベンゼン、テトラヒドロフラン(THF)、CH2C
l2、N−メチルピロリドン、ニトロベンゼン等の有機溶
媒に溶解し、次いでスピンコート法、キャスト法、ディ
ッピング法などの方法を行うことによりフィルム状にす
ることができる。In the molding, first, a copolymer represented by the general formula (I) or a product obtained by doping the copolymer is usually subjected to chloroform, benzene, tetrahydrofuran (THF), CH 2 C
The film can be formed into a film by dissolving in an organic solvent such as l 2 , N-methylpyrrolidone, nitrobenzene, and the like, and then performing a method such as spin coating, casting, or dipping.
上記溶解、上記成形、および溶媒の除去時の温度は、
少なくとも使用する溶媒の融点以上、沸点未満、通常−
20〜80℃であるが、特に常温で行われることが望まし
い。The temperature during the dissolution, the shaping, and the removal of the solvent,
At least the melting point of the solvent used, less than the boiling point, usually-
The temperature is from 20 to 80 ° C., but it is particularly desirable to carry out at room temperature.
また、上記成形、および溶媒の除去は、空気中でも不
活性雰囲気下でも行うことができる。Further, the above-mentioned molding and the removal of the solvent can be carried out in the air or in an inert atmosphere.
上記製造方法で得られるフィルムには、本発明の目的
を損ねない範囲で、例えば酸化防止剤、紫外線防止剤等
の添加剤を含有させることもできる。The film obtained by the above-mentioned production method may contain additives such as an antioxidant and an ultraviolet inhibitor as long as the object of the present invention is not impaired.
以上の本発明の製造方法により、フィルムが製造され
る。A film is manufactured by the manufacturing method of the present invention described above.
(発明の効果) 本発明により製造されるフィルムは、導電性、光透過
性、溶媒に対する溶解性をもつ強靱なフィルムであり、
かつ吸湿性、水溶性をもたないため、保護膜として使用
すると、帯電防止効果に優れ、耐久性、耐洗浄性に優
れ、しかも低湿度状態においても効果を失わない。(Effect of the Invention) The film produced by the present invention is a tough film having conductivity, light transmission, and solubility in a solvent,
Further, since it does not have hygroscopicity or water solubility, when used as a protective film, it has excellent antistatic effects, excellent durability and washing resistance, and does not lose its effect even in low humidity conditions.
(実施例) 以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。(Examples) Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto.
実施例1 窒素置換された100ml三ツ口フラスコにN,N′−メチル
−N,N′−ジフェニル−p−フェニレンジアミン1.0gを
入れ、ニトロベンゼン15mlを加えて溶解させた後、イー
トン試薬80μl、アセトアルデヒド1.5mlを加えて80℃
で5時間反応させた。反応液を1N NaOH水溶液30mlを含
むエタノール300mlにあけ、灰白色の沈澱物を濾過し、
エタノール、蒸留水で洗浄した後、乾燥して0.95gの灰
白色粉末を得た。得られた粉末の1H−NMR、13C−NMR、I
R(第1図)を測定したところ下記の構造を有するN,N′
−ジメチル−N,N′−ジフェニル−p−フェニレンジア
ミン−パラアルデヒド共重合体(重合度約110)である
ことが判明した。Example 1 N, N'-methyl-N, N'-diphenyl-p-phenylenediamine (1.0 g) was placed in a 100 ml three-necked flask purged with nitrogen, and 15 ml of nitrobenzene was added to dissolve the mixture. Add 80 ml
For 5 hours. The reaction solution was poured into 300 ml of ethanol containing 30 ml of a 1N aqueous solution of NaOH, and an off-white precipitate was filtered.
After washing with ethanol and distilled water, it was dried to obtain 0.95 g of an off-white powder. 1 H-NMR, 13 C-NMR, I
When R (FIG. 1) was measured, N, N 'having the following structure was obtained.
-Dimethyl-N, N'-diphenyl-p-phenylenediamine-paraaldehyde copolymer (degree of polymerization: about 110).
上記操作で得られた共重合体2.0gをクロロホルム100ml
に溶解し、さらにI2を32mgを添加し、均一溶液とした。
この時のドープ濃度は約1%に相当した。該溶液をガラ
ス板上に流えんし、室温で乾燥させることにより厚さ2
μmの透明なフイルムを得た。 2.0 g of the copolymer obtained in the above operation was mixed with 100 ml of chloroform.
Dissolved in, further I 2 was added 32 mg, was a homogeneous solution.
The doping concentration at this time was equivalent to about 1%. The solution is poured on a glass plate and dried at room temperature to a thickness of 2
A μm transparent film was obtained.
上記フイルムの導電率を四端針法により測定したとこ
ろ、6×10-10S/cmであった。また本フイルムは吸湿性
はなく、空気中できわめて安定であった。The conductivity of the above film was measured by the four-point probe method and found to be 6 × 10 −10 S / cm. This film was not hygroscopic and was extremely stable in air.
実施例2 実施例1において、I2を60mg添加したことを除いては
実施例1と同様の操作を行い、ドープ濃度約2%、厚さ
1.7μmの透明なフィルムを得た。In Example 1, except that the I 2 was added 60mg Operations in the same manner as in Example 1, the doping concentration of about 2%, the thickness
A 1.7 μm transparent film was obtained.
上記フィルムの導伝率を四端針法により測定したとこ
ろ、3×10-8S/cmであった。また本フィルムは吸湿性は
なく、空気中できわめて安定であった。The conductivity of the film was measured by a four-point needle method and found to be 3 × 10 −8 S / cm. This film was not hygroscopic and was extremely stable in air.
実施例3 実施例1で得られたフィルムをI2雰囲気下で1時間保
持し、ついでエタノールで洗浄後乾燥し、ドープ濃度約
1.5%、厚さ1.5μmの透明なフィルムを得た。Example 3 The film obtained in Example 1 was kept under I 2 atmosphere for 1 hour, then washed with ethanol and dried, and the dope concentration was about
A 1.5%, 1.5 μm thick transparent film was obtained.
上記フィルムの導伝率を四端針法により測定したとこ
ろ、7×10-9S/cmであった。また本フィルムは吸湿性は
なく、空気中できわめて安定であった。The conductivity of the film was measured by a four-point needle method and found to be 7 × 10 −9 S / cm. This film was not hygroscopic and was extremely stable in air.
上記フィルムの導伝率を四端針法により測定したとこ
ろ、6×10-10S/cmであった。また本フィルムは吸湿性
はなく、空気中できわめて安定であった。The conductivity of the film was measured by a four-point needle method and found to be 6 × 10 −10 S / cm. This film was not hygroscopic and was extremely stable in air.
比較例1 実施例において、I2を添加しないことを除いては実施
例1と同様の操作を行い、厚さ1.5μmの透明なフィル
ムを得た。該フィルムの導伝率を測定したところ5×10
-15S/cmを示し、絶縁体であった。Comparative Example 1 In Example, except that no addition of I 2 The same procedure as in Example 1 to obtain a transparent film having a thickness of 1.5 [mu] m. When the conductivity of the film was measured, it was 5 × 10
It showed -15 S / cm and was an insulator.
実施例4 窒素置換された100ml三ツ口フラスコに、N,N′−ジメ
チル−N,N′−ジフェニル−p−フェニレンジアミン1.0
0gを入れ、ニトロベンゼン15ml、酢酸6ml、を加えて溶
解させた後、硫酸120μl、プロピオンアルデヒド250μ
lを加えて50℃で攪拌しながら140時間反応させた。反
応溶液を1N NaOH水溶液30ml水溶液を含むエタノール300
mlにあけ、灰白色の沈澱物を濾過し、エタノール、蒸留
水で洗浄した後、乾燥して0.85gの灰白色粉末を得た。
得られた粉末の1N−NMR、13C−NMR、を測定したことろ
下記の構造を有するN,N′−ジメチル−N,N′−ジフェニ
ル−p−フェニレンジアミン−プロピオンアルデヒド共
重合体(重合度約20)であることが判明した。Example 4 N, N'-dimethyl-N, N'-diphenyl-p-phenylenediamine 1.0 was placed in a 100 ml three-necked flask purged with nitrogen.
After adding 0 g and dissolving by adding 15 ml of nitrobenzene and 6 ml of acetic acid, sulfuric acid 120 μl, propionaldehyde 250 μl
1 was added and reacted at 50 ° C. with stirring for 140 hours. Ethanol containing 30 ml of 1N NaOH aqueous solution
The precipitate was filtered off, washed with ethanol and distilled water, and dried to obtain 0.85 g of an off-white powder.
When the 1 N-NMR and 13 C-NMR of the obtained powder were measured, an N, N′-dimethyl-N, N′-diphenyl-p-phenylenediamine-propionaldehyde copolymer having the following structure ( The degree of polymerization was found to be about 20).
1N−NMR(C6D6):(ppm) 6.82〜7.20(m),3.65(m),2.97(m),2.02
(m),0.92(t)13 C−NMR(CDCl3):(ppm) 147.4,143.7,137.4,128.4,122.6,118.6,51.8,40.4,2
8.9,12.9 上記操作で得られた共重合体2.0gをクロロホルム100m
lに溶解し、さらにI2を60mgを添加し、均一溶液とし
た。該溶液をガラス板上に流えんし、室温で乾燥させる
ことによりドープ濃度約2%、厚さ1.8μmの透明なフ
ィルムを得た。 1 N-NMR (C 6 D 6) :( ppm) 6.82~7.20 (m), 3.65 (m), 2.97 (m), 2.02
(M), 0.92 (t) 13 C-NMR (CDCl 3 ): (ppm) 147.4,143.7,137.4,128.4,122.6,118.6,51.8,40.4,2
8.9,12.9 2.0 g of the copolymer obtained in the above operation was chloroform 100m.
was dissolved in l, further I 2 was added 60mg, was a homogeneous solution. The solution was poured on a glass plate and dried at room temperature to obtain a transparent film having a dope concentration of about 2% and a thickness of 1.8 μm.
上記フィルムの導伝率を四端針法により測定したとこ
ろ、1.8×10-9S/cmであった。また本フィルムは吸湿性
はなく、空気中できわめて安定であった。The conductivity of the film was measured by a four-point needle method, and was 1.8 × 10 −9 S / cm. This film was not hygroscopic and was extremely stable in air.
第1図は本発明の実施例1で得た共重合体のIR(赤外線
吸収スペクトル)を示す。FIG. 1 shows the IR (infrared absorption spectrum) of the copolymer obtained in Example 1 of the present invention.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松浦 一雄 神奈川県横浜市中区千鳥町8番地 日本 石油株式会社中央技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭52−60613(JP,A) 特開 昭63−308019(JP,A) 特開 平2−167335(JP,A) 特開 昭52−108133(JP,A) 特開 昭51−135538(JP,A) 特開 昭50−1735(JP,A) 特開 平2−282263(JP,A) 特開 平3−240270(JP,A) 特開 平3−241322(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (72) Inventor Kazuo Matsuura 8 Chidori-cho, Naka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Pref. Japan Petroleum Co., Ltd. Central Technology Research Institute (56) Reference JP-A-52-60613 (JP, A) JP-A-63-308019 (JP, A) JP-A-2-167335 (JP, A) JP-A-52-108133 (JP, A) JP-A-51-135538 (JP, A) JP-A-50-1735 (JP, A) JP-A-2-282263 (JP, A) JP-A-3-240270 (JP, A) JP-A-3-241322 (JP, A)
Claims (1)
はH、炭素数1〜20の炭化水素残基、フリル基、ピリジ
ル基、ニトロフェニル基、クロロフェニル基、またはメ
トキシフェニル基を示し、lは2以上の整数、mは1以
上の整数およびnは2以上の整数をそれぞれ示す)で表
わされる共重合体を、溶媒に溶解したのちフィルムに成
形し、かかる成形の前および/または成形したのちに電
子受容体をドープし、かつ該ドープ濃度が一般式(I)
中の の繰り返し単位に対するモル%で0.1〜5%の範囲内に
あることを特徴とするフィルムの製造法。1. The compound of the general formula (I) (Wherein, R 1 is H or a hydrocarbon residue having 1 to 20 carbon atoms, R 2
Represents H, a hydrocarbon residue having 1 to 20 carbon atoms, a furyl group, a pyridyl group, a nitrophenyl group, a chlorophenyl group, or a methoxyphenyl group, l is an integer of 2 or more, m is an integer of 1 or more, and n is A copolymer represented by the following formula (2) is dissolved in a solvent and then molded into a film, and before and / or after the molding, the electron acceptor is doped. Formula (I)
In A method for producing a film, wherein the molar% is in the range of 0.1 to 5% with respect to the repeating unit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP4559190A JP2696415B2 (en) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | Film production method |
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-
1990
- 1990-02-28 JP JP4559190A patent/JP2696415B2/en not_active Expired - Lifetime
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