JP2684246B2 - Photosensitive composition - Google Patents

Photosensitive composition

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JP2684246B2
JP2684246B2 JP3012665A JP1266591A JP2684246B2 JP 2684246 B2 JP2684246 B2 JP 2684246B2 JP 3012665 A JP3012665 A JP 3012665A JP 1266591 A JP1266591 A JP 1266591A JP 2684246 B2 JP2684246 B2 JP 2684246B2
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利明 青合
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、平版印刷版、多色印刷
の校正刷、オーバーヘッドプロジェクター用図面、更に
は半導体素子の集積回路を製造する際に微細なレジスト
パターンを形成することが可能なポジ型感光性組成物に
関する。
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is capable of forming a fine resist pattern when manufacturing a lithographic printing plate, a proof for multicolor printing, a drawing for an overhead projector, and an integrated circuit of a semiconductor device. It relates to a positive photosensitive composition.

【0002】[0002]

【従来の技術】平版印刷版等の用途において活性光線に
より可溶化する、いわゆるポジチブに作用する感光性物
質としては、従来オルトキノンジアジド化合物が知られ
ており、実際平版印刷版等に広く利用されてきた。この
ようなオルトキノンジアジド化合物の例は、例えば米国
特許第2,766,118 号、同第2,767,092 号、同第2,772,97
2 号、同第2,859,112 号、同第2,907,665 号、同第3,04
6,110 号、同第3,046,111 号、同第3,046,115 号、同第
3,046,118 号、同第3,046,119 号、同第3,046,120 号,
同第3,046,121 号、同第3,046,122 号、同第3,046,123
号、同第3,061,430 号、同第3,102,809 号、同第3,106,
465 号、同第3,635,709 号、同第3,647,443 号の各明細
書をはじめ、多数の刊行物に記されている。
2. Description of the Related Art Orthoquinonediazide compounds are conventionally known as positive-acting photosensitive substances which are solubilized by actinic rays in applications such as lithographic printing plates, and have been widely used in lithographic printing plates. Was. Examples of such orthoquinonediazide compounds include, for example, U.S. Patent Nos. 2,766,118, 2,767,092, and 2,772,97.
No. 2, No. 2,859,112, No. 2,907,665, No. 3,04
No. 6,110, No. 3,046,111, No. 3,046,115, No.
3,046,118, 3,046,119, 3,046,120,
No. 3,046,121, No. 3,046,122, No. 3,046,123
No. 3, No. 3,061,430, No. 3,102,809, No. 3,106,
It is described in numerous publications, including the specifications of No. 465, No. 3,635,709, and No. 3,647,443.

【0003】これらのオルトキノンジアジド化合物は、
活性光線の照射により分解を起こして5員環のカルボン
酸を生じ、アルカリ可溶性となる性質が利用されるもの
であるが、いずれも感光性が不十分であるという欠点を
有する。これは、オルトキノンジアジド化合物の場合、
本質的に量子収率が1を越えないということに由来する
ものである。
[0003] These orthoquinonediazide compounds are:
Although the property of being alkali-soluble is obtained by decomposing upon irradiation with actinic rays to generate a 5-membered ring carboxylic acid, all of them have the drawback of insufficient photosensitivity. This is the case of orthoquinonediazide compounds,
This is essentially because the quantum yield does not exceed 1.

【0004】オルトキノンジアジド化合物を含む感光性
組成物の感光性を高める方法については、今までいろい
ろと試みられてきたが、現像時の現像許容性を保持した
まま感光性を高めることは非常に困難であった。例え
ば、このような試みの例は、特公昭48−12242
号、特開昭52−40125号、米国特許第4,307,173
号などの公報及び明細書に記載されている。
Various attempts have been made to increase the photosensitivity of a photosensitive composition containing an orthoquinonediazide compound, but it is very difficult to increase the photosensitivity while maintaining the development tolerance during development. Met. For example, an example of such an attempt is disclosed in Japanese Examined Patent Publication No. 48-12242.
No. 52-40125, U.S. Pat. No. 4,307,173.
No. and other publications and specifications.

【0005】また最近、オルトキノンジアジド化合物を
用いずにポジチブに作用させる感光性組成物に関して、
いくつかの提案がされている。その1つとして、例えば
特公昭56−2696号に記載されているオルトニトロ
カルビノールエステル基を有するポリマー化合物が挙げ
られる。しかし、この場合も、オルトキノンジアジドの
場合と同じ理由で感光性が十分とは言えない。また、こ
れとは別に接触作用により活性化される感光系を使用
し、感光性を高める方法として、光分解で生成する酸に
よって第2の反応を生起させ、それにより露光域を可溶
化する公知の原理が適用されている。
Recently, regarding a photosensitive composition which positively acts without using an orthoquinonediazide compound,
Some suggestions have been made. One of them is, for example, a polymer compound having an orthonitrocarbinol ester group described in JP-B-56-2696. However, also in this case, the photosensitivity is not sufficient for the same reason as in the case of orthoquinonediazide. In addition, as a method of increasing photosensitivity by using a photosensitive system activated by a contact action, a second reaction is caused by an acid generated by photolysis to thereby solubilize an exposed area. The principle has been applied.

【0006】このような例として、例えば光分解により
酸を発生する化合物と、アセタール又はO、N−アセタ
ール化合物との組合せ(特開昭48−89003 号)、オルト
エステル又はアミドアセタール化合物との組合せ(特開
昭51−120714号)、主鎖にアセタール又はケタール基を
有するポリマーとの組合せ(特開昭53−133429号)、エ
ノールエーテル化合物との組合せ(特開昭55−12995
号)、N−アシルイミノ炭酸化合物との組合せ(特開昭
55−126236号)、主鎖にオルトエステル基を有するポリ
マーとの組合せ(特開昭56−17345号)、シリル
エステル化合物との組合せ(特開昭60−10247
号)及びシリルエーテル化合物との組合せ(特開昭60
−37549号、特開昭60−121446号)などを
挙げることができる。これらは原理的に量子収率が1を
越える為、高い感光性を示すが、経時での保存安定性並
びに、露光後、現像までの経時による感度変動などの問
題点があった。また室温下経時では安定であるが、酸存
在下加熱することにより分解し、アルカリ可溶化する系
として、例えば、特開昭59−45439号、同60−
3625号、同62−229242号、同63−362
40号、Polym. Eng. Sci., 23巻、1012頁(19
83)、ACS. Sym. 242巻,11頁(1984)、Se
miconductor World 1987年、11月号、91頁、Ma
cromolecules、21巻、1475頁(1988)、SPI
E, 920巻,42頁(1988)、などに記載されて
いる露光により酸を発生する化合物と、第3級又は2級
炭素(例えばt−ブチル、2−シクロヘキセニルなど)
のエステル又は炭酸エステル化合物との組合せ系が挙げ
られる。これらの系は確かに経時での保存安定性、及び
露光後経時での感度変動は問題なく優れたものである
が、半導体用レジスト材料として使用した場合、後述す
る酸素プラズマ耐性がないという問題点があった。
As such an example, for example, a combination of a compound capable of generating an acid by photolysis with an acetal or an O, N-acetal compound (JP-A-48-89003), or a combination of an orthoester or amide acetal compound. (JP-A-51-120714), combination with a polymer having an acetal or ketal group in the main chain (JP-A-53-133429), combination with an enol ether compound (JP-A-55-12995).
No.), in combination with an N-acyliminocarbonic acid compound (JP-A Sho
55-126236), a combination with a polymer having an orthoester group in the main chain (JP-A-56-17345), and a combination with a silyl ester compound (JP-A-60-10247).
No.) and a silyl ether compound (JP-A-60)
No. 37549, JP-A-60-12146) and the like. Since they have a quantum yield of more than 1 in principle, they exhibit high photosensitivity, but there are problems such as storage stability with time and sensitivity fluctuation with time from exposure to development. Further, a system which is stable at room temperature with time but decomposes by heating in the presence of an acid to solubilize with an alkali is disclosed in, for example, JP-A-59-45439 and 60-59.
No. 3625, No. 62-229242, No. 63-362
40, Polym. Eng. Sci., 23, 1012 (19
83), ACS. Sym. 242, pp. 11 (1984), Se.
miconductor World 1987, November issue, page 91, Ma
cromolecules, vol.21, p.1475 (1988), SPI
E, 920, p. 42 (1988), and the like, which generate an acid upon exposure, and a tertiary or secondary carbon (for example, t-butyl, 2-cyclohexenyl, etc.).
And a combination system with an ester or carbonate compound. These systems are certainly excellent in storage stability over time and sensitivity variation over time after exposure, but when used as a resist material for semiconductors, there is a problem that they do not have oxygen plasma resistance described later. was there.

【0007】一方、半導体素子、磁気バブルメモリ、集
積回路等の電子部品を製造するためのパターン形成法と
しては、従来より、紫外線又は可視光線に感光するフォ
トレジストを利用する方法が幅広く実用に供されてい
る。フォトレジストには、光照射により被照射部が現像
液に不溶化するネガ型と、反対に可溶化するポジ型とが
あるが、ネガ型はポジ型に比べて感度が良く、湿式エッ
チングに必要な基板との接着性および耐薬品性にも優れ
ていることから、近年までフォトレジストの主流を占め
ていた。しかし、半導体素子等の高密度化、高集積化に
伴い、パターンの線幅や間隔が極めて小さくなり、ま
た、基板のエッチングにはドライエッチングが採用され
るようになったことから、フォトレジストには高解像度
および高ドライエッチング耐性が望まれるようになり、
現在ではポジ型フォトレジストが大部分を占めるように
なった。特に、ポジ型フォトレジストの中でも、感度、
解像度、ドライエッチング耐性に優れることから、例え
ばジェー・シー・ストリエータ著,コダック・マイクロ
エレクトロニクス・セミナー・プロシディングス,第1
16頁(1976年)(J.C. Strieter, Kodak Microel
ctronics Seminar Proceedings, 116(1976))
等に挙げられる、アルカリ可溶性のノボラック樹脂をベ
ースにしたアルカリ現像型のポジ型フォトレジストが現
行プロセスの主流となっている。
On the other hand, as a pattern forming method for manufacturing an electronic component such as a semiconductor element, a magnetic bubble memory and an integrated circuit, conventionally, a method using a photoresist sensitive to ultraviolet rays or visible rays has been widely put into practical use. Has been done. There are two types of photoresist: a negative type, in which the irradiated part is insoluble in the developer by light irradiation, and a positive type, in which the exposed part is solubilized.The negative type has higher sensitivity than the positive type and is necessary for wet etching. Until recently, photoresists occupied the mainstream because of their excellent adhesion to substrates and chemical resistance. However, with the increase in the density and integration of semiconductor devices, the line width and spacing of patterns have become extremely small, and dry etching has been adopted for substrate etching. Demanded high resolution and high dry etching resistance,
At present, positive photoresists occupy the majority. In particular, among positive photoresists, sensitivity,
Because of its excellent resolution and dry etching resistance, for example, JC Striator, Kodak Microelectronics Seminars, Proc. 1,
Page 16 (1976) (JC Strieter, Kodak Microel
ctronics Seminar Proceedings, 116 (1976))
Alkali-developable positive photoresists based on alkali-soluble novolac resins, such as those mentioned above, have become the mainstream of the current process.

【0008】しかしながら、近年電子機器の多機能化、
高度化に伴ない、更に高密度、ならびに高集積化を図る
べくパターンの微細化が強く要請されている。
However, in recent years, electronic devices have become multifunctional,
As the sophistication increases, there is a strong demand for finer patterns in order to achieve higher density and higher integration.

【0009】即ち、集積回路の横方向の寸法の縮小に比
べてその縦方向の寸法はあまり縮小されていかないため
に、レジストパターンの幅に対する高さの比は大きくな
らざるを得なかった。このため、複雑な段差構造を有す
るウエハー上でレジストパターンの寸法変化を押さえて
いくことは、パターンの微細化が進むにつれてより困難
になってきた。更に、各種の露光方式においても、最小
寸法の縮小に伴ない問題が生じてきている。例えば、光
による露光では、基板の段差に基づく反射光の干渉作用
が、寸法精度に大きな影響を与えるようになり、一方電
子ビーム露光においては、電子の後方散乱によって生ず
る近接効果により、微細なレジストパターンの高さと幅
の比を大きくすることができなくなった。
That is, since the vertical dimension of the integrated circuit is not so much reduced as compared with the lateral dimension reduction, the ratio of the height to the width of the resist pattern must be increased. For this reason, it has become more difficult to suppress the dimensional change of the resist pattern on a wafer having a complicated step structure as the pattern becomes finer. Further, in various exposure methods, a problem has arisen with the reduction of the minimum size. For example, in light exposure, the interference effect of reflected light due to the step of the substrate has a great effect on dimensional accuracy, whereas in electron beam exposure, the fine resist is exposed due to the proximity effect caused by backscattering of electrons. It is no longer possible to increase the height to width ratio of the pattern.

【0010】これらの多くの問題は多層レジストシステ
ムを用いることにより解消されることが見出された。多
層レジストシステムについては、ソリッドステート・テ
クノロジー,74(1981)[Solid State Technolo
gy ,74(1981)]に概説が掲載されているが、こ
の他にもこのシステムに関する多くの研究が発表されて
いる。一般的に多層レジスト法には3層レジスト法と2
層レジスト法がある。3層レジスト法は、段差基板上に
有機平坦化膜を塗布し、その上に、無機中間層、レジス
トを重ね、レジストをパターニングした後、これをマス
クとして無機中間層をドライエッチングし、さらに、無
機中間層をマスクとして有機平坦化膜をO2RIE(リアクテ
ィブイオンエッチング)によりパターニングする方法で
ある。この方法は、基本的には、従来からの技術が使用
できるために、早くから検討が開始されたが、工程が非
常に複雑である。あるいは有機膜、無機膜、有機膜と三
層物性の異なるものが重なるために中間層にクラックや
ピンホールが発生しやすいといったことが問題点になっ
ている。この3層レジスト法に対して、2層レジスト法
では、3層レジスト法でのレジストと無機中間層の両方
の性質を兼ね備えたレジスト、すなわち、酸素プラズマ
耐性のあるレジストを用いるために、クラックやピンホ
ールの発生が抑えられ、また、3層から2層になるので
工程が簡略化される。しかし、3層レジスト法では、上
層レジストに従来のレジストが使用できるのに対して、
2層レジスト法では、新たに酸素プラズマ耐性のあるレ
ジストを開発しなければならないという課題があった。
It has been found that many of these problems are overcome by using a multilayer resist system. For the multilayer resist system, see Solid State Technology, 74 (1981) [Solid State Technolo
gy, 74 (1981)], but many other studies on this system have been published. Generally, a multilayer resist method includes a three-layer resist method and a two-layer resist method.
There is a layer resist method. In the three-layer resist method, an organic flattening film is applied on a stepped substrate, an inorganic intermediate layer and a resist are stacked thereon, and the resist is patterned. Then, the inorganic intermediate layer is dry-etched using the resist as a mask. This is a method of patterning an organic planarization film by O 2 RIE (reactive ion etching) using the inorganic intermediate layer as a mask. Basically, this method has been studied from an early stage because a conventional technique can be used, but the process is very complicated. Another problem is that cracks and pinholes are liable to occur in the intermediate layer because the three layers having different physical properties overlap with the organic film, the inorganic film, and the organic film. In contrast to this three-layer resist method, in the two-layer resist method, a resist having both properties of the resist and the inorganic intermediate layer in the three-layer resist method, that is, a resist having oxygen plasma resistance is used. Since the generation of pinholes is suppressed, and the number of layers is reduced from three to two, the process is simplified. However, in the three-layer resist method, a conventional resist can be used as the upper resist,
The two-layer resist method has a problem that a new resist having oxygen plasma resistance has to be developed.

【0011】以上の背景から、2層レジスト法等の上層
レジストとして使用できる酸素プラズマ耐性に優れた、
高感度、高解像度のポジ型フォトレジスト、特に、現行
プロセスを変えることなく使用できるアルカリ現像方式
のレジストの開発が望まれていた。
From the above background, it has excellent oxygen plasma resistance and can be used as an upper layer resist such as a two-layer resist method.
There has been a demand for the development of a high-sensitivity, high-resolution positive photoresist, in particular, an alkali developing type resist that can be used without changing the current process.

【0012】これに対し、従来のオルトキノンジアジド
感光物に、アルカリ可溶性を付与したポリシロキサン又
は、ポリシルメチレン等のシリコンポリマーを組合せた
感光性組成物、例えば特開昭61−144639号、同
61−256347号、同62−159141号、同6
2−191849号、同62−220949号、同62
−229136号、同63−90534号、同63−9
1654号、並びに米国特許第4722881号記載の
感光性組成物が提示されている。
On the other hand, a conventional orthoquinonediazide photosensitive material is combined with a polysiloxane having alkali solubility, or a silicon polymer such as polysilmethylene, to obtain a photosensitive composition, for example, JP-A-61-144639 and JP-A-6144639. -256347, 62-159141, 6
2-191849, 62-220949, 62
-229136, 63-90534, 63-9
1654 and the photosensitive composition described in US Pat. No. 4,722,881 are proposed.

【0013】しかしながら、これらのシリコンポリマー
は何れもフェノール性OH基又はシラノール基(≡Si−O
H)導入により、アルカリ可溶性を付与するもので、フ
ェノール性OH基導入によりアルカリ可溶性を付与する場
合は、製造が著しく困難となり、またシラノール基によ
りアルカリ可溶性を付与する場合は経時安定性が必ずし
も良好ではない、という問題点があった。
However, all of these silicone polymers have a phenolic OH group or a silanol group (≡Si--O).
H) The alkali solubility is imparted by introduction. When the alkali solubility is imparted by introducing a phenolic OH group, the production becomes extremely difficult. When the alkali solubility is imparted by a silanol group, the stability over time is not necessarily good. There was a problem that it was not.

【0014】またオルトキノンジアジドを用いない系と
して、特開昭62−136638号記載のポリシロキサ
ン/カーボネートのブロック共重合体に有効量のオニウ
ム塩を組合せた感光性組成物、更には特開昭63−14
6038号記載のニトロベンジルフェニルエーテル基を
有するシリコンポリマーが挙げられるが、これらは同じ
く製造が著しく困難であり、露光部のアルカリ溶解性も
十分ではなかった。
Further, as a system which does not use orthoquinonediazide, a photosensitive composition obtained by combining an effective amount of onium salt with a block copolymer of polysiloxane / carbonate described in JP-A-62-136638, and further JP-A-63-63. -14
The silicone polymers having a nitrobenzyl phenyl ether group described in No. 6038 can be mentioned, but these are also extremely difficult to manufacture, and the alkali solubility of the exposed area is not sufficient.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点が解決された新規なポジ型感光性組成物を提供す
ることである。即ち、高感度で、経時安定性の優れた新
規なポジ型感光性組成物を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a novel positive photosensitive composition which solves the above problems. That is, it is an object of the present invention to provide a novel positive photosensitive composition having high sensitivity and excellent stability over time.

【0016】本発明の別の目的は、酸素プラズマ耐性に
優れた、アルカリ現像方式によるポジ型感光性組成物を
提供することである。
Another object of the present invention is to provide a positive photosensitive composition by an alkali developing method, which is excellent in oxygen plasma resistance.

【0017】更に本発明の別の目的は、製造が簡便で容
易に取得できる新規なポジ型感光性組成物を提供するこ
とである。
Still another object of the present invention is to provide a novel positive-working photosensitive composition which is easy to manufacture and can be easily obtained.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成すべく鋭意検討を加えた結果、新規なシロキサンポ
リマーと、酸により分解し得る基を有する化合物、及び
露光により酸を発生する化合物の組合せ系を用いること
で、上記目的が達成されることを見い出し、本発明に到
達した。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventor has developed a novel siloxane polymer, a compound having a group decomposable by an acid, and an acid generated by exposure. The inventors have found that the above objects can be achieved by using a combination system of compounds, and have reached the present invention.

【0019】即ち本発明は(a)一般式(I)、(I
I)、(III) または(IV)で表される化合物(以下〔A〕
という)と、一般式(V)、(VI)、(VII)または(VII
I)で表される化合物(以下〔B〕という)との環化熱付
加反応生成物から由来されるシロキサン単位を少なくと
も1モル%含有するポリシロキサン化合物と、(b)酸
により分解し得る基を少なくとも1個有し、アルカリ現
像液中での溶解度が酸の作用により増大する化合物(但
し、シロキサンポリマーである場合を除く)、及び
(c)活性光線、又は放射線の照射により酸を発生する
化合物を含有する感光性組成物を提供するものである。
That is, the present invention comprises (a) general formulas (I) and (I
Compounds represented by I), (III) or (IV) (hereinafter [A]
) And general formula (V), (VI), (VII) or (VII
A polysiloxane compound containing at least 1 mol% of a siloxane unit derived from a cycloaddition reaction product with a compound represented by I) (hereinafter referred to as [B]), and (b) a group decomposable by an acid At least one of them, the solubility of which in an alkali developing solution increases by the action of an acid (excluding the case of a siloxane polymer), and (c) an acid generated by irradiation with actinic rays or radiation. A photosensitive composition containing a compound is provided.

【0020】[0020]

【化4】 式中R1〜R5は同一でも相異していても良く、水素原子、
アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリー
ル基、シリル基、置換シリル基、シロキシ基または置換
シロキシ基を示す。具体的には、アルキル基としては直
鎖、分枝または環状のものであり、好ましくは炭素原子
数が約1ないし約10のものである。さらに具体的に
は、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、イソプロピル
基、イソブチル基、tert−ブチル基、2−エチルヘキシ
ル基、シクロヘキシル基などが含まれる。また、置換ア
ルキル基は、上記のようなアルキル基に例えば塩素原子
のようなハロゲン原子、例えばメトキシ基のような炭素
原子数1〜6個のアルコキシ基、例えばフェニル基のよ
うなアリール基、例えばフェノキシ基のようなアリール
オキシ基、ニトロ基、シアノ基などの置換したものが含
まれ、具体的にはモノクロロメチル基、ジクロロメチル
基、トリクロロメチル基、ブロモメチル基、2−クロロ
エチル基、2−ブロモエチル基、2−メトキシエチル
基、2−エトキシエチル基、フェニルメチル基、ナフチ
ルメチル基、フェノキシメチル基、2−ニトロエチル
基、2−シアノエチル基などが挙げられる。また、アリ
ール基は単環あるいは2環のものが好ましく、例えばフ
ェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基などが挙げ
られる。置換アリール基は上記のようなアリール基に、
例えばメチル基、エチル基などの炭素原子数1〜6個の
アルキル基、例えばメトキシ基、エトキシ基などの炭素
原子数1〜6個のアルコキシ基、例えば塩素原子などの
ハロゲン原子、ニトロ基、フェニル基、カルボキシ基、
ヒドロキシ基、アミド基、イミド基、シアノ基などが置
換したものが含まれ、具体的には4−クロロフェニル
基、2−クロロフェニル基、4−ブロモフェニル基、4
−ニトロフェニル基、4−ヒドロキシフェニル基、4−
フェニルフェニル基、4−メチルフェニル基、2−メチ
ルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−メトキシフ
ェニル基、2−メトキシフェニル基、4−エトキシフェ
ニル基、2−カルボキシフェニル基、4−シアノフェニ
ル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−クロロ−1−
ナフチル基、5−ニトロ−1−ナフチル基、5−ヒドロ
キシ−1−ナフチル基、6−クロロ−2−ナフチル基、
4−ブロモ−2−ナフチル基、5−ヒドロキシ−2−ナ
フチル基などがあげられる。シリル基、置換シリル基と
しては例えばトリアルキルシリル基、トリアリールシリ
ル基などのようなアルキル、アリール置換シリル基であ
り、このようなアルキル、アリール基としては上記に示
したものが挙げられる。また、シロキシ基もしくは置換
シロキシ基である場合には、下記に示すように、これら
の基が隣接する構造単位のシロキシ基もしくは置換シロ
キシ基と結合した構造、または、他の分子中のシロキシ
基もしくは置換シロキシ基と結合した構造などの二次元
もしくは三次元的構造のものであってもよい。
Embedded image In the formula, R 1 to R 5 may be the same or different, a hydrogen atom,
An alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, a substituted aryl group, a silyl group, a substituted silyl group, a siloxy group or a substituted siloxy group is shown. Specifically, the alkyl group is a straight chain, branched chain or cyclic group, preferably having about 1 to about 10 carbon atoms. More specifically, for example, methyl, ethyl, propyl, butyl, hexyl, octyl, decyl, isopropyl, isobutyl, tert-butyl, 2-ethylhexyl, cyclohexyl and the like are included. . Further, the substituted alkyl group is, for example, a halogen atom such as a chlorine atom, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxy group, an aryl group such as a phenyl group, for example, Substituted ones such as an aryloxy group such as a phenoxy group, a nitro group, and a cyano group are included, and specifically, a monochloromethyl group, a dichloromethyl group, a trichloromethyl group, a bromomethyl group, a 2-chloroethyl group, and a 2-bromoethyl group Group, 2-methoxyethyl group, 2-ethoxyethyl group, phenylmethyl group, naphthylmethyl group, phenoxymethyl group, 2-nitroethyl group, 2-cyanoethyl group and the like. The aryl group is preferably a monocyclic or bicyclic aryl group, and examples include a phenyl group, an α-naphthyl group, and a β-naphthyl group. A substituted aryl group is an aryl group as described above,
For example, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methyl group and an ethyl group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxy group and an ethoxy group, a halogen atom such as a chlorine atom, a nitro group, and phenyl Group, carboxy group,
Examples include those substituted with a hydroxy group, an amide group, an imide group, a cyano group, and the like. Specifically, 4-chlorophenyl group, 2-chlorophenyl group, 4-bromophenyl group,
-Nitrophenyl group, 4-hydroxyphenyl group, 4-
Phenylphenyl group, 4-methylphenyl group, 2-methylphenyl group, 4-ethylphenyl group, 4-methoxyphenyl group, 2-methoxyphenyl group, 4-ethoxyphenyl group, 2-carboxyphenyl group, 4-cyanophenyl Group, 4-methyl-1-naphthyl group, 4-chloro-1-
Naphthyl group, 5-nitro-1-naphthyl group, 5-hydroxy-1-naphthyl group, 6-chloro-2-naphthyl group,
Examples thereof include a 4-bromo-2-naphthyl group and a 5-hydroxy-2-naphthyl group. Examples of the silyl group and the substituted silyl group include alkyl and aryl-substituted silyl groups such as a trialkylsilyl group and a triarylsilyl group. Examples of such an alkyl and aryl group include those described above. In the case of a siloxy group or a substituted siloxy group, as shown below, these groups are bonded to a siloxy group or a substituted siloxy group of an adjacent structural unit, or a siloxy group or a siloxy group in another molecule. It may have a two-dimensional or three-dimensional structure such as a structure bonded to a substituted siloxy group.

【0021】[0021]

【化5】 Embedded image

【0022】[0022]

【化6】 このうちアルキル基、置換アルキル基で好ましいのは、
それぞれ炭素数が1〜10のものであり、アリール基、
置換アリール基についてはそれぞれ炭素数6〜14のも
ので、その具体例としてはそれぞれR1〜R5の具体例と同
様のものが挙げられる。
Embedded image Of these, an alkyl group and a substituted alkyl group are preferable,
Each having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group,
The substituted aryl groups each have 6 to 14 carbon atoms, and specific examples thereof include the same as the specific examples of R 1 to R 5 .

【0023】R10 は水素原子、アルキル基、置換アルキ
ル基、アリール基または置換アリール基を示し、好まし
くは水素原子、炭素数が1〜10のアルキル基、炭素数
が1〜10の置換アルキル基、炭素数が6〜14のアリ
ール基、炭素数が6〜14の置換アリール基であり、ア
ルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール
基の具体例としてはそれぞれR1〜R5の具体例と同様のも
のが挙げられる。
R 10 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group or a substituted aryl group, preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. , An aryl group having 6 to 14 carbon atoms and a substituted aryl group having 6 to 14 carbon atoms, and specific examples of the alkyl group, the substituted alkyl group, the aryl group, and the substituted aryl group are R 1 to R 5 respectively. The same as the example is given.

【0024】R7とR8またはR7とP1は結合して環を形成し
ていてもよい。
R 7 and R 8 or R 7 and P 1 may combine to form a ring.

【0025】X1〜X3はヒドロキシ基または加水分解可能
な基であり、好ましくは塩素原子、臭素原子などのハロ
ゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基など
のような炭素原子数1〜10個のアルコキシ基、フェノ
キシ基などのような炭素原子数6〜10個のアリーロキ
シ基、アセトキシ基などのような炭素原子数1〜10個
のアシルオキシ基、メチルアルドキシムなどのような炭
素原子数1〜6個のオキシム基、更には、アミド基、ウ
レイド基、アミノ基などが含まれる。
X 1 to X 3 are a hydroxy group or a hydrolyzable group, preferably a halogen atom such as a chlorine atom or a bromine atom, a C 1 to C 10 atom such as a methoxy group, an ethoxy group or a propoxy group. C6-10 aryloxy group such as alkoxy group, phenoxy group, etc., C1-10 acyloxy group such as acetoxy group, etc., C1 atom such as methylaldoxime, etc. To 6 oxime groups, as well as amide groups, ureido groups, amino groups and the like.

【0026】P1〜P3は単結合、アルキレン基、置換アル
キレン基、アリーレン基または置換アリーレン基を示
し、−O−、−CO−、−COO −、−OCO −、−CONR
10−、−NR10CO−、−SO2 −、または−SO3 −を含んで
いてもよい。
P 1 to P 3 represent a single bond, an alkylene group, a substituted alkylene group, an arylene group or a substituted arylene group, and are --O--, --CO--, --COO--, --OCO--, --CONR.
It may contain 10 −, —NR 10 CO—, —SO 2 —, or —SO 3 —.

【0027】具体的には、アルキレン基としては、直
鎖、分枝、環状のもの、より好ましくは直鎖のものであ
り、好ましくは炭素原子数が1〜10個のものであっ
て、例えばメチレン、エチレン、ブチレン、オクチレン
などの各基が含まれる。置換アルキレン基は、上記アル
キレン基に、例えば塩素原子のようなハロゲン原子、炭
素原子数1〜6個のアルコキシ基、炭素原子数6〜10
個のアリーロキシ基などが置換されたものである。アリ
ーレン基は、好ましくは単環および2環のものであっ
て、例えばフェニレン基、ナフチレン基などが含まれ
る。また置換アリーレン基は、上記のようなアリーレン
基に、例えばメチル基、エチル基などの炭素原子数1〜
6個のアルキル基、例えばメトキシ基、エトキシ基など
の炭素原子数1〜6個のアルコキシ基、例えば塩素原子
などのハロゲン原子などが置換したものが含まれる。具
体的にはクロロフェニレン基、ブロモフェニレン基、ニ
トロフェニレン基、フェニルフェニレン基、メチルフェ
ニレン基、エチルフェニレン基、メトキシフェニレン
基、エトキシフェニレン基、シアノフェニレン基、メチ
ルナフチレン基、クロロナフチレン基、ブロモナフチレ
ン基、ニトロナフチレン基などがあげられる。
Specifically, the alkylene group is a straight-chain, branched or cyclic alkylene group, more preferably a straight-chain one, preferably having 1 to 10 carbon atoms, for example, Included are methylene, ethylene, butylene, octylene and like groups. The substituted alkylene group is, for example, a halogen atom such as chlorine atom, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or a carbon atom having 6 to 10 carbon atoms in addition to the above alkylene group.
And aryloxy groups are substituted. The arylene group is preferably monocyclic or bicyclic, and includes, for example, a phenylene group and a naphthylene group. Further, the substituted arylene group is a group in which the above arylene group has, for example, a methyl group, an ethyl group or the like having 1 to 1 carbon atoms.
It includes those substituted with 6 alkyl groups, for example, alkoxy groups having 1 to 6 carbon atoms such as methoxy group and ethoxy group, and halogen atoms such as chlorine atom. Specifically, chlorophenylene group, bromophenylene group, nitrophenylene group, phenylphenylene group, methylphenylene group, ethylphenylene group, methoxyphenylene group, ethoxyphenylene group, cyanophenylene group, methylnaphthylene group, chloronaphthylene group, Examples thereof include a bromonaphthylene group and a nitronaphthylene group.

【0028】Yは3価の芳香環を示し、好ましくは炭素
数が6〜14の芳香環である。
Y represents a trivalent aromatic ring, preferably an aromatic ring having 6 to 14 carbon atoms.

【0029】QはpKa が12以下の酸基を示す。Q represents an acid group having a pKa of 12 or less.

【0030】具体的には、カルボン酸基、スルホン酸
基、フェノール性水酸基、イミド基、N−ヒドロキシイ
ミド基、N−スルホニルアミド基、スルホンアミド基、
N−スルホニルウレタン基、N−スルホニルウレイド基
あるいは活性メチレン基等を有する基であり、より具体
的には
Specifically, carboxylic acid group, sulfonic acid group, phenolic hydroxyl group, imide group, N-hydroxyimide group, N-sulfonylamide group, sulfonamide group,
A group having an N-sulfonylurethane group, an N-sulfonylureido group, an active methylene group or the like, and more specifically

【0031】[0031]

【化7】 Embedded image

【0032】[0032]

【化8】 以下に本発明の感光性組成物の成分について詳細に説明
する。
Embedded image Hereinafter, the components of the photosensitive composition of the present invention will be described in detail.

【0033】(ポリシロキサン化合物)本発明のポリシ
ロキサン化合物は〔A〕と〔B〕との熱付加反応、即ち
Diels−Alder 反応で得られる環状生成物(IX)〜
(XXIV)から由来されるシロキサン単位を少なくとも
1モル%、好ましくは3モル%以上さらに好ましくは5
モル%以上有するポリシロキサンである。
(Polysiloxane Compound) The polysiloxane compound of the present invention is a thermal addition reaction of [A] and [B], that is,
Cyclic Product (IX) Obtained by Diels-Alder Reaction
The siloxane unit derived from (XXIV) is at least 1 mol%, preferably 3 mol% or more, more preferably 5 mol% or more.
It is a polysiloxane having a mol% or more.

【0034】[0034]

【化9】 Embedded image

【0035】[0035]

【化10】 Embedded image

【0036】[0036]

【化11】 Embedded image

【0037】[0037]

【化12】 本発明のポリシロキサン化合物の製造法としては、単独
または複数の〔A〕を加水分解、またはアルコキシ化し
た後、縮合し、得られたポリシロキサンに単独または複
数の〔B〕を熱付加させる方法と、単独または複数の
〔A〕と単独または複数の〔B〕を熱付加して(IX)
〜(XXIV)を合成した後、加水分解、またはアルコキ
シ化の後、縮合する方法があり、いずれの方法も簡便で
ある。また、製造時に金属触媒を添加する必要がない。
Embedded image As the method for producing the polysiloxane compound of the present invention, a method of hydrolyzing or alkoxylating a single or a plurality of [A] and then condensing it and thermally adding a single or a plurality of [B] to the obtained polysiloxane And (A) by heat-adding one or more [A] and one or more [B].
There is a method of synthesizing (XIV) to (XXIV), followed by hydrolysis or alkoxylation and then condensation, and any method is convenient. Also, there is no need to add a metal catalyst during production.

【0038】本発明のポリシロキサンは(IX)〜(X
XIV) に下記(XXV)〜(XXIX)の単独または複数
を共存させ、縮合させることにより性能の改善をはかる
ことができる。
The polysiloxane of the present invention comprises (IX) to (X
The following (XXV) to (XXIX) may be used alone or in combination in (XIV) to condense and improve the performance.

【0039】この場合は〔A〕と〔B〕の環化熱付加反
応生成物から由来されるシロキサン単位が共縮合後のポ
リシロキサン中に少なくとも1モル%含まれていなけれ
ばならないが、アルカリ可溶性の観点から3モル%以上
が好ましく、さらに好ましくは5モル%以上である。
In this case, at least 1 mol% of the siloxane units derived from the cycloaddition reaction products of [A] and [B] must be contained in the polysiloxane after cocondensation, but it is alkali-soluble. From the viewpoint of, 3 mol% or more is preferable, and 5 mol% or more is more preferable.

【0040】[0040]

【化13】 11〜R14は水素原子、アルキル基、置換アルキル基、
アリール基、置換アリール基を示し具体的にはR6 と同
様な例が挙げられる。
Embedded image R 11 to R 14 are a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group,
Examples of the aryl group and the substituted aryl group include the same examples as R 6 .

【0041】X4 〜X7 はヒドロキシル基あるいは、加
水分解可能な基を示し、具体的にはX1 〜X3 と同様な
例が挙げられる。
X 4 to X 7 represent a hydroxyl group or a hydrolyzable group, and specific examples thereof are the same as those of X 1 to X 3 .

【0042】P4 は単結合、アルキレン基、置換アルキ
レン基、アリーレン基、置換アリーレン基であり、−O
−、−CO−、−COO−、−OCO−、−CONR10
−、−NR10CO−、−SO2 −または−SO3 −を含
んでいてもよい。具体的にはP1 〜P3 と同様な例が挙
げられる。
P 4 is a single bond, an alkylene group, a substituted alkylene group, an arylene group or a substituted arylene group, and --O
-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CONR 10
-, - NR 10 CO -, - SO 2 - or -SO 3 - may contain. Specifically, examples similar to P 1 to P 3 can be given.

【0043】そのほか本発明のポリシロキサン化合物は
〔A〕と〔B〕の熱付加の際に下記(XXX)あるいは
(XXXI)の化合物の単独または複数を共存させる事に
よっても性能改善を図ることができる。
In addition, the performance of the polysiloxane compound of the present invention can be improved by allowing the following (XXX) or (XXXI) compounds to coexist alone or in plural during the heat addition of [A] and [B]. it can.

【0044】[0044]

【化14】 1 、D2 は同一であっても異なっていてもよく、結合
して環を形成していてもよいが、いずれもpKa が12以
下の酸性基を有しない基で、好ましくは水素原子、アル
キル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール
基、アルコキシ基、置換アルコキシ基、シリル基、置換
シリル基、シロキシ基、置換シロキシ基、シアノ基、ニ
トロ基であり、さらに好ましくは水素原子、炭素数が1
〜10のアルキル基、炭素数が1〜10の置換アルキル
基、炭素数が6〜14のアリール基、炭素数が6〜14
の置換アリール基である。なお、これらは−O−、−C
O−、−COO−、−OCO−、−CONR10−、−N
10CO−、−SO2 −または−SO3 −を含んでいて
もよい。
Embedded image D 1 and D 2 may be the same or different and may be bonded to each other to form a ring, but each is a group having no pKa 12 or more acidic group, preferably a hydrogen atom, An alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, a substituted aryl group, an alkoxy group, a substituted alkoxy group, a silyl group, a substituted silyl group, a siloxy group, a substituted siloxy group, a cyano group, a nitro group, and more preferably a hydrogen atom or carbon. The number is 1
-10 alkyl group, C1-C10 substituted alkyl group, C6-C14 aryl group, C6-C14
Is a substituted aryl group of. In addition, these are -O-, -C
O -, - COO -, - OCO -, - CONR 10 -, - N
R 10 CO -, - SO 2 - or -SO 3 - may contain.

【0045】この場合も〔A〕と〔B〕の熱付加反応生
成物に由来するシロキサン単位がポリシロキサン化合物
中に少なくとも1モル%以上含まれており好ましくは3
モル%以上さらに好ましくは5モル%以上である。
Also in this case, at least 1 mol% or more of siloxane units derived from the thermal addition reaction products of [A] and [B] are contained in the polysiloxane compound, preferably 3
It is at least mol%, more preferably at least 5 mol%.

【0046】本発明のポリシロキサン化合物の分子量は
好ましくは重量平均で500以上、さらに好ましくは1,
000〜500,000である。
The weight average molecular weight of the polysiloxane compound of the present invention is preferably 500 or more, more preferably 1,
000 to 500,000.

【0047】本発明のポリシロキサン化合物を合成する
際に溶媒を用いてもよい。溶媒としては例えばシクロヘ
キサノン、メチルエチルケトン、アセトン、メタノー
ル、エタノール、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メト
キシエチルアセテート、1−メトキシ−2−プロパノー
ル、1−メトキシ−2−プロピルアセテート、N,N−
ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、トルエン、酢酸エチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。これらの溶媒
は単独あるいは2種以上混合して用いられる。
A solvent may be used when synthesizing the polysiloxane compound of the present invention. Examples of the solvent include cyclohexanone, methyl ethyl ketone, acetone, methanol, ethanol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, 1-methoxy-2-propanol, 1-methoxy-2-propyl acetate, N, N-
Examples include dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, γ-butyrolactone, dioxane, tetrahydrofuran and the like. These solvents are used alone or in combination of two or more.

【0048】本発明のポリシロキサン化合物は単独で用
いても混合して用いてもよい。感光性組成物中に含まれ
るこれらのポリシロキサン化合物の含有量は約5〜95
重量%であり、好ましくは20〜80重量%である。
The polysiloxane compound of the present invention may be used alone or in combination. The content of these polysiloxane compounds contained in the photosensitive composition is about 5 to 95.
%, Preferably 20 to 80% by weight.

【0049】以下本発明のポリシロキサン化合物の代表
的な例を示す。
Typical examples of the polysiloxane compound of the present invention are shown below.

【0050】[0050]

【化15】 Embedded image

【0051】[0051]

【化16】 Embedded image

【0052】[0052]

【化17】 Embedded image

【0053】[0053]

【化18】 Embedded image

【0054】[0054]

【化19】 Embedded image

【0055】[0055]

【化20】 Embedded image

【0056】[0056]

【化21】 Embedded image

【0057】[0057]

【化22】 Embedded image

【0058】[0058]

【化23】 Embedded image

【0059】[0059]

【化24】 Embedded image

【0060】[0060]

【化25】 Embedded image

【0061】[0061]

【化26】 Embedded image

【0062】[0062]

【化27】 Embedded image

【0063】[0063]

【化28】 Embedded image

【0064】[0064]

【化29】 Embedded image

【0065】[0065]

【化30】 Embedded image

【0066】[0066]

【化31】 Embedded image

【0067】[0067]

【化32】 Embedded image

【0068】[0068]

【化33】 Embedded image

【0069】[0069]

【化34】 Embedded image

【0070】[0070]

【化35】 Embedded image

【0071】[0071]

【化36】 Embedded image

【0072】[0072]

【化37】 Embedded image

【0073】[0073]

【化38】 Embedded image

【0074】[0074]

【化39】 Embedded image

【0075】[0075]

【化40】 Embedded image

【0076】[0076]

【化41】 Embedded image

【0077】[0077]

【化42】 (酸により分解し得る化合物)本発明の成分(b)は、
酸により分解し得る基を少なくとも1個有し、アルカリ
現像液中での溶解度が酸の作用により増大する化合物で
ある。
Embedded image (Compound decomposable by acid) The component (b) of the present invention is
It is a compound having at least one group capable of being decomposed by an acid and having a solubility in an alkali developing solution increased by the action of the acid.

【0078】本発明の好ましい実施態様においては、酸
により分解し得る本発明の成分(b)は下記一般式(X
XXII)〜(XXXVI)の構造単位を有するポリマー、
又は一般式(XXXVII)、(XXXVIII)で表わされる
化合物である。
In a preferred embodiment of the present invention, the component (b) of the present invention capable of being decomposed by an acid is represented by the following general formula (X
A polymer having structural units of XXII) to (XXXVI),
Alternatively, it is a compound represented by the general formula (XXXVII) or (XXXVIII).

【0079】[0079]

【化43】 式中R15は水素原子又はアルキル基を示し、好ましくは
15は水素原子又は炭素数1〜4個のアルキル基であ
り、更に好ましくは水素原子又はメチル基である。
Embedded image In the formula, R 15 represents a hydrogen atom or an alkyl group, preferably R 15 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and more preferably a hydrogen atom or a methyl group.

【0080】Bは−CR16R17R18、−SiR16R17R18 又は−
CR19R20 −O−R21 基を示し、AはB又は−CO−O−B
基を示す。
B is --CR 16 R 17 R 18 , --SiR 16 R 17 R 18 or-
CR 19 R 20 —O—R 21 group, A is B or —CO—O—B
Represents a group.

【0081】Eは単結合又は二価の芳香族基を示し、好
ましくは単結合、又は、炭素数6〜15基であり、又
は、炭素数6〜15個のアリーレン基であり、具体的に
はフェニレン、ナフチレン基などが挙げられる。R16
17、R18、R19及びR20は、それぞれ同一でも相異し
ていてもよく、水素原子、アルキル、シクロアルキル、
アルケニル、又はアリール基を示し、アルキル基として
は直鎖、分枝または環状のものであり、好ましくは炭素
原子数1〜8個のものである。具体的には、例えはメチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基、
イソプロピル基、イソブチル基、2−エチルヘキシル基
などが含まれる。また、上記のようなハロゲン原子、例
えばメトキシ基のような炭素原子数1〜6個のアルコキ
シ基、例えばフェニル基のようなアリール基、例えばフ
ェノキシ基などの置換したものが含まれ、具体的にはモ
ノクロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチ
ル基、ブロモメチル基、2−クロロエチル基、2−ブロ
モエチル基、2−メトキシエチル基、フェノキシメチル
基などが挙げられる。
E represents a single bond or a divalent aromatic group, preferably a single bond or a group having 6 to 15 carbon atoms, or an arylene group having 6 to 15 carbon atoms. Include phenylene and naphthylene groups. R 16 ,
R 17 , R 18 , R 19 and R 20, which may be the same or different, each represent a hydrogen atom, alkyl, cycloalkyl,
It represents an alkenyl or aryl group, and the alkyl group is a straight chain, branched chain or cyclic group, preferably having 1 to 8 carbon atoms. Specifically, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, octyl group,
An isopropyl group, an isobutyl group, a 2-ethylhexyl group and the like are included. Further, a halogen atom as described above, for example, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxy group, an aryl group such as a phenyl group, a substituted one such as a phenoxy group, and the like are specifically included. Are monochloromethyl group, dichloromethyl group, trichloromethyl group, bromomethyl group, 2-chloroethyl group, 2-bromoethyl group, 2-methoxyethyl group, phenoxymethyl group and the like.

【0082】シクロアルキル基としては、好ましくは炭
素原子数が3〜8個のものであり、具体的には、シクロ
プロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、
シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基などが挙げら
れる。
The cycloalkyl group preferably has 3 to 8 carbon atoms, specifically, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group,
Examples thereof include a cyclopentenyl group and a cyclohexenyl group.

【0083】アルケニル基は例えばビニル基であり、置
換アルケニル基は、ビニル基に例えばメチル基のような
アルキル基、例えばフェニル基のようなアリール基など
の置換したものが含まれ、具体的には1−メチルビニル
基、2−メチルビニル基、1,2−ジメチルビニル基、
2−フェニルビニル基、2−(p−メチルフェニル)ビ
ニル基、2−(p−メトキシフェニル)ビニル基、2−
(p−クロロフェニル)ビニル基、2−(o−クロロフ
ェニル)ビニル基などが挙げられる。
The alkenyl group is, for example, a vinyl group, and the substituted alkenyl group includes a vinyl group substituted with an alkyl group such as a methyl group, an aryl group such as a phenyl group, and the like. 1-methyl vinyl group, 2-methyl vinyl group, 1,2-dimethyl vinyl group,
2-phenylvinyl group, 2- (p-methylphenyl) vinyl group, 2- (p-methoxyphenyl) vinyl group, 2-
(P-chlorophenyl) vinyl group, 2- (o-chlorophenyl) vinyl group and the like.

【0084】また、アリール基は単環あるいは2環のも
のが好ましく、例えばフェニル基、α−ナフチル基、β
−ナフチル基などが挙げられる。更に上記のようなアリ
ール基に、例えばメチル基、エチル基などの炭素原子数
1〜6個のアルキル基、例えばメトキシ基、エトキシ基
などの炭素原子数1〜6個のアルコキシ基、例えば塩素
原子などのハロゲン原子、ニトロ基、フェニル基、シア
ノ基などが置換したものが含まれ、具体的には4−クロ
ロフェニル基、2−クロロフェニル基、4−ブロモフェ
ニル基、4−ニトロフェニル基、4−フェニルフェニル
基、4−メチルフェニル基、2−メチルフェニル基、4
−エチルフェニル基、4−メトキシフェニル基、2−メ
トキシフェニル基、4−エトキシフェニル基、4−シア
ノフェニル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−クロ
ロ−1−ナフチル基、5−ニトロ−1−ナフチル基、5
−ニトロ−1−ナフチル基、6−クロロ−2−ナフチル
基、4−ブロモ−2−ナフチル基などが挙げられる。
The aryl group is preferably monocyclic or bicyclic, and examples thereof include a phenyl group, an α-naphthyl group and a β group.
A naphthyl group and the like. Further, the above aryl group includes, for example, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as methyl group and ethyl group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as methoxy group and ethoxy group, such as chlorine atom. Such as those substituted with halogen atoms, nitro groups, phenyl groups, cyano groups, and the like, specifically, 4-chlorophenyl group, 2-chlorophenyl group, 4-bromophenyl group, 4-nitrophenyl group, 4- Phenylphenyl group, 4-methylphenyl group, 2-methylphenyl group, 4
-Ethylphenyl group, 4-methoxyphenyl group, 2-methoxyphenyl group, 4-ethoxyphenyl group, 4-cyanophenyl group, 4-methyl-1-naphthyl group, 4-chloro-1-naphthyl group, 5-nitro -1-naphthyl group, 5
A -nitro-1-naphthyl group, a 6-chloro-2-naphthyl group, a 4-bromo-2-naphthyl group and the like can be mentioned.

【0085】R21はアルキル、又はアリール基を示し、
好ましくは、炭素原子数1〜20個のアルキル、又は炭
素原子数6〜15個のアリール基を示す。更に好ましく
は、炭素原子数1〜8個のアルキル、又は炭素原子数6
〜10個のアリール基を示す。またこれらの基に、ハロ
ゲン原子、アルコキシ、ニトロ、シアノ基などの置換し
たものも含まれる。但し、R16〜R18のうち、少なくと
も2つは水素原子以外の基であり、またR16〜R18、及
びR19〜R21のうちの2つの基が結合して環を形成しも
よい。
R 21 represents an alkyl or aryl group,
Preferably, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 15 carbon atoms is shown. More preferably, alkyl having 1 to 8 carbon atoms, or 6 carbon atoms
10 to 10 aryl groups are shown. Further, these groups include those having a halogen atom, an alkoxy group, a nitro group or a cyano group substituted. However, at least two of R 16 to R 18 are groups other than hydrogen atoms, and two groups of R 16 to R 18 and R 19 to R 21 may combine to form a ring. Good.

【0086】Fはp価の脂肪族、又は芳香族炭化水素基
を示し、好ましくは置換基を有してもよい炭素原子数1
〜30個のp価の脂肪族基、又は置換基を有してもよい
炭素原子数6〜24個のp価の芳香族を示す。mは1〜
5の整数を示す。pは1以上の整数を示し、好ましくは
1〜10の整数を示す。
F represents a p-valent aliphatic or aromatic hydrocarbon group, preferably having 1 carbon atom which may have a substituent.
~ 30 p-valent aliphatic groups, or a p-valent aromatic group having 6 to 24 carbon atoms which may have a substituent. m is 1
Indicates an integer of 5. p represents an integer of 1 or more, preferably an integer of 1 to 10.

【0087】本発明に用いられる酸により分解し得る基
を少なくとも1個有する化合物としては、具体的には、
特開昭59−45439号記載のポリ(P−t−ブチル
カルボニルオキシスチレン)に代表されるポリマー、特
開昭62−229242号、並びにSPIE,631巻、6
8頁(1986年)記載のポリ〔N−(t−ブトキシカ
ルボニル)マレイミド−CO−スチレンに代表されるポ
リマー、特開昭63−36240号、並びにACS Symp.,
346巻、200頁(1987年)記載のポリ〔N−
(P−t−ブトキシカルボニルオキシフェニル)マレイ
ミド−CO−スチレン〕に代表されるポリマー、SPIE,
771巻、24頁(1987年)記載のポリ(t−ブチ
ル P−ビニルベンゾエート)に代表されるポリマー、
Macromolecules, 21巻、14755頁(1988年)
記載のポリ(t−ブチル メタクリレート)、ポリ(2
−シクロヘキセニルメタクリレート)、ポリ(2−シク
ロプロピル−プロピルメタクリレート)、ポリ(2−フ
ェニル−プロピルメタクリレート)に代表されるポリマ
ー、特開昭60−52845号、並びにSPIE,926
巻、162頁(1988年)記載のポリ(P−トリメチ
ルシロキシスチレン)に代表されるポリマー、特開昭6
3−250642号記載のポリ(P−t−ブトキシスチ
レン)に代表されるポリマー、Polymer Bull.,20巻、
427頁(1988年)記載のポリ(P−2−シクロヘ
キセニルオキシスチレン)に代表されるポリマー、ACS
Polym. Mater. Sci. Tech., 61、417(1988
年)記載のポリ(P−2−ピラニルオキシスチレン)に
代表されるポリマー、特開昭62−40450号記載の
ポリ(シリルメタクリレート)に代表されるポリマーな
どが挙げられる。
Specific examples of the compound having at least one group capable of being decomposed by an acid used in the present invention include:
Polymers represented by poly (Pt-butylcarbonyloxystyrene) described in JP-A-59-45439, JP-A-62-229242, and SPIE, 631, vol.
Polymers represented by poly [N- (t-butoxycarbonyl) maleimide-CO-styrene described in page 8 (1986), JP-A-63-36240, and ACS Symp.,
346, 200 (1987), poly [N-
(Pt-butoxycarbonyloxyphenyl) maleimide-CO-styrene], a polymer represented by SPIE,
771, p. 24 (1987), represented by poly (t-butyl P-vinylbenzoate).
Macromolecules, 21: 14755 (1988)
Poly (t-butyl methacrylate) described, poly (2
-Cyclohexenyl methacrylate), poly (2-cyclopropyl-propyl methacrylate), poly (2-phenyl-propyl methacrylate), and the like, JP-A-60-52845, and SPIE, 926.
Vol., Page 162 (1988), typified by poly (P-trimethylsiloxystyrene).
Polymers typified by poly (Pt-butoxystyrene) described in 3-250642, Polymer Bull., 20 volumes,
Polymer represented by poly (P-2-cyclohexenyloxystyrene) described on page 427 (1988), ACS
Polym. Mater. Sci. Tech., 61 , 417 (1988)
The polymer represented by poly (P-2-pyranyloxystyrene) described in (Year), the polymer represented by poly (silyl methacrylate) described in JP-A-62-40450, and the like.

【0088】またこの他、ACS Symp.,242巻、11頁
(1984年)記載のポリフタルアルデヒドや、特開昭
62−136638号、J. Imaging Sci.,30巻、59
頁(1986年)、並びにMakromol. Chem., Rapid Com
mun,7巻、121頁(1986年)記載のポリカーボネ
ートも使用することができる。更に前記特開昭60−3
625号、Polym. Eng. Sci., 23巻、1012頁(1
983)Semiconductor World 1987年、11月号、
91頁、SPIE、920巻、42頁(1988)、並びに
特開平2−6958号、同2−245756号などに記
載の化合物も本発明に使用することができる。
In addition, polyphthalaldehyde described in ACS Symp., Vol. 242, page 11 (1984), JP-A-62-136638, J. Imaging Sci., Vol. 30, 59.
Page (1986), and Makromol. Chem., Rapid Com
The polycarbonate described in Mun, Vol. 7, p. 121 (1986) can also be used. Further, the above-mentioned JP-A-60-3
625, Polym. Eng. Sci., 23, 1012 (1
983) Semiconductor World, November 1987,
The compounds described on page 91, SPIE, vol. 920, page 42 (1988), and JP-A-2-6958 and JP-A-2-245756 can also be used in the present invention.

【0089】これらのポリマーの好ましい分子量は、重
量平均で500以上、更に好ましくは1,000〜500,
000である。
The weight average molecular weight of these polymers is preferably 500 or more, more preferably 1,000 to 500,
000.

【0090】また、本発明の感光性組成物における成分
(b)の含有量は、固型分で5〜95重量%、好ましく
は20〜70重量%、更に好ましくは25〜50重量%
である。
The content of the component (b) in the photosensitive composition of the present invention is 5 to 95% by weight, preferably 20 to 70% by weight, more preferably 25 to 50% by weight in terms of solid content.
It is.

【0091】(活性光線又は放射線の照射により酸を発
生する化合物)本発明の(c)成分である活性光線又は
放射線の照射により酸を発生し得る化合物としては、多
くの公知化合物及び混合物、例えば、ジアゾニウム、ホ
スホニウム、スルホニウム、及びヨードニウムのBF4-、
AsF6 - 、PF6 - 、SbF6 - 、SiF6 --、ClO4 - などの塩、有
機ハロゲン化合物、及び有機金属/有機ハロゲン化合物
組合せ物が適当である。もちろん、米国特許第3,779,77
8 号、西ドイツ国特許第2,610,842 号及び欧州特許第1
26712号の明細書中に記載された光分解により酸を
発生する化合物も本発明の組成物として適する。更に適
当な染料と組合せて露光の際、未露光部と露光部の間に
可視的コントラストを与えることを目的とした化合物、
例えば特開昭55−77742号、同57−16323
4号の公報に記載された化合物も本発明の(c)成分と
して使用することができる。
(The acid is emitted by irradiation with actinic rays or radiation.
As the compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, which is the component (c ) of the present invention, many known compounds and mixtures, for example, BF 4 -of diazonium, phosphonium, sulfonium, and iodonium ,
Salts such as AsF 6 , PF 6 , SbF 6 , SiF 6 , ClO 4 , organohalogen compounds, and organometallic / organohalogen compound combinations are suitable. Of course, U.S. Patent No. 3,779,77
No. 8, West German Patent No. 2,610,842 and European Patent No. 1
The compounds which generate an acid by photolysis as described in the specification of No. 26712 are also suitable as the composition of the present invention. Further, in combination with a suitable dye, upon exposure, a compound intended to give a visible contrast between the unexposed area and the exposed area,
For example, JP-A-55-77742 and JP-A-57-16323.
The compounds described in the publication No. 4 can also be used as the component (c) of the present invention.

【0092】上記活性光線又は放射線照射により酸を発
生し得る化合物の中で、代表的なものについて以下に説
明する。
Typical compounds among the compounds capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation are described below.

【0093】(1)トリハロメチル基が置換した下記の
一般式(XXXIX)で表わされるオキサジアゾール誘導
体又は一般式(XXXX)で表わされるS−トリアジン
誘導体
(1) Oxadiazole derivative represented by the following general formula (XXXIX) or S-triazine derivative represented by the general formula (XXXX) substituted with a trihalomethyl group

【0094】[0094]

【化44】 ここで式中,R22は置換もしくは無置換のアリール、ア
ルケニル基、R23はR22、−CG3 又は、置換もしくは
無置換のアルキル基を示す。Gは塩素原子又は臭素原子
を示す。
Embedded image In the formula, R 22 represents a substituted or unsubstituted aryl or alkenyl group, and R 23 represents R 22 , —CG 3 or a substituted or unsubstituted alkyl group. G represents a chlorine atom or a bromine atom.

【0095】具体的には以下に示すものが挙げられる。Specific examples include the following.

【化45】 Embedded image

【0096】[0096]

【化46】 Embedded image

【0097】[0097]

【化47】 Embedded image

【0098】[0098]

【化48】 Embedded image

【0099】[0099]

【化49】 Embedded image

【0100】[0100]

【化50】 (2)下記の一般式(XXXXI)で表わされるヨード
ニウム塩又は一般式(XXXXII)で表わされるスルホ
ニウム塩
Embedded image (2) Iodonium salt represented by the following general formula (XXXXI) or sulfonium salt represented by the general formula (XXXXII)

【0101】[0101]

【化51】 ここで式中Ar1 、Ar2 は同一でも相異していてもよく、
置換又は無置換の芳香族基を示す。好ましい置換基とし
ては、アルキル、ハロアルキル、シクロアルキル、アリ
ール、アルコキシ、ニトロ、カルボニル、アルコキシカ
ルボニル、ヒドロキシ、メルカプト基及びハロゲン原子
であり、更に好ましくは炭素数1〜8個のアルキル、炭
素原子数1〜8個のアルコキシ、ニトロ基及び塩素原子
である。R24、R25、R26は同一でも相異していてもよ
く、置換又は無置換のアルキル基、芳香族基を示す。好
ましくは炭素数6〜14個のアリール基、炭素数1〜8
個のアルキル基及びそれらの置換誘導体である。好まし
い置換基としては、アリール基に対しては炭素数1〜8
個のアルコキシ、炭素数1〜8個のアルキル、ニトロ、
カルボニル、ヒドロキシ基及びハロゲン原子であり、ア
ルキル基に対しては炭素数1〜8個のアルコキシ、カル
ボニル、アルコキシカルボニル基である。Z1-はB
F4 - 、PF6 - 、AsF6 - 、SbF6 - 、ClO4 - 、CF3SO3 -
示す。またR24、R25、R26のうちの2つ及びAr1 、Ar
2 はそれぞれ単結合又は置換基を介して結合してもよ
い。
Embedded image Here, Ar 1 and Ar 2 in the formula may be the same or different,
It represents a substituted or unsubstituted aromatic group. Preferred substituents are alkyl, haloalkyl, cycloalkyl, aryl, alkoxy, nitro, carbonyl, alkoxycarbonyl, hydroxy, mercapto group and halogen atom, more preferably alkyl having 1 to 8 carbon atoms and 1 carbon atom. ~ 8 alkoxy, nitro and chlorine atoms. R 24 , R 25 and R 26 may be the same or different and each represents a substituted or unsubstituted alkyl group or aromatic group. Preferably, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, and 1 to 8 carbon atoms
Alkyl groups and substituted derivatives thereof. Preferred substituents are those having 1 to 8 carbon atoms for the aryl group.
Alkoxy, alkyl having 1 to 8 carbons, nitro,
A carbonyl group, a hydroxy group and a halogen atom, and an alkyl group is an alkoxy, carbonyl or alkoxycarbonyl group having 1 to 8 carbon atoms. Z 1- is B
F 4 , PF 6 , AsF 6 , SbF 6 , ClO 4 , and CF 3 SO 3 are shown. Also, two of R 24 , R 25 , and R 26 and Ar 1 , Ar
Each 2 may be bonded via a single bond or a substituent.

【0102】一般式(XXXXI)で示される化合物と
しては、例えば特開昭50−158680号公報、特開
昭51−100716号公報、及び特公昭52−142
77号公報記載の化合物が挙げられる。具体的には次に
示す化合物が含まれる。
Examples of the compound represented by the general formula (XXXXI) include JP-A-50-158680, JP-A-51-110016, and JP-B-52-142.
The compounds described in Japanese Patent No. 77 are mentioned. Specifically, the following compounds are included.

【0103】[0103]

【化52】 Embedded image

【0104】[0104]

【化53】 Embedded image

【0105】[0105]

【化54】 Embedded image

【0106】[0106]

【化55】 Embedded image

【0107】[0107]

【化56】 一般式(XXXXII)で示される化合物としては、例え
ば特開昭51−56885号公報、特公昭52−142
78号公報、米国特許第4,442,197 号、西独特許第2,90
4,626 号の各明細書中に記載の化合物が挙げられる。具
体的には次に示す化合物が含まれる。
Embedded image Examples of the compound represented by the general formula (XXXXII) include JP-A-51-56885 and JP-B-52-142.
78, U.S. Pat. No. 4,442,197, West German Patent No. 2,90.
The compounds described in each specification of 4,626 may be mentioned. Specifically, the following compounds are included.

【0108】[0108]

【化57】 Embedded image

【0109】[0109]

【化58】 Embedded image

【0110】[0110]

【化59】 Embedded image

【0111】[0111]

【化60】 Embedded image

【0112】[0112]

【化61】 Embedded image

【0113】[0113]

【化62】 Embedded image

【0114】[0114]

【化63】 Embedded image

【0115】[0115]

【化64】 一般式(XXXXI)、(XXXXII)で示される上記
化合物は公知であり、例えばJ.W.Knapczk ら著、J.Am.
Chem. Soc., 第91巻、第145頁(1969年)、A.
L.Maycock ら著、J.Org.Chem.,第35巻、第2532頁
(1070年)、E.Goethalsら著、Bull. Soc. Chem. B
elg., 第73巻、第546頁(1964年)、H.M.Leic
ester 著、J.Am. Chem. Soc., 第51巻、第3587頁
(1929年)、J.V.Crivelloら著、J.Polym. Sci. Po
lym.Chem. Ed.,第18巻、第2677頁(1980
年)、米国特許第2,807,648 号及び同第4,247,473 号明
細書、F.M.Beringerら著、J.Am. Chem. Soc., 第75
巻、第2705頁(1953年)、特開昭53−101,
331号公報などに示された手順により製造することが
できる。
Embedded image The above-mentioned compounds represented by the general formulas (XXXXI) and (XXXXII) are known, for example, JW Knapczk et al., J. Am.
Chem. Soc., 91, 145 (1969), A.
L. Maycock et al., J. Org. Chem., Vol. 35, page 2532 (1070), E. Goethals et al., Bull. Soc. Chem. B.
elg., 73, 546 (1964), HM Leic
Ester, J. Am. Chem. Soc., 51, 3587 (1929), JV Crivello et al., J. Polym. Sci. Po.
Lym. Chem. Ed., Vol. 18, p. 2677 (1980).
), U.S. Pat. Nos. 2,807,648 and 4,247,473, FM Beringer et al., J. Am. Chem. Soc., 75.
Volume, 2705 (1953), JP-A-53-101,
It can be manufactured by the procedure shown in Japanese Patent No.

【0116】(3)下記の一般式(XXXXIII)で表わ
されるジスルホン誘導体又は一般式(XXXXIV)で表
わされるイミドスルホネート誘導体
(3) Disulfone derivative represented by the following general formula (XXXXIII) or imidosulfonate derivative represented by the following general formula (XXXXIV)

【0117】[0117]

【化65】 ここで式中、Ar3 、Ar4 は同一でも相異していてもよ
く、置換又は無置換のアリール基を示す。R27は置換又
は無置換のアルキル、アリール基を示す。Kは置換又は
無置換のアルキレン、アルケニレン、アリーレン基を示
す。
Embedded image Here, in the formula, Ar 3 and Ar 4 may be the same or different and represent a substituted or unsubstituted aryl group. R 27 represents a substituted or unsubstituted alkyl or aryl group. K represents a substituted or unsubstituted alkylene, alkenylene or arylene group.

【0118】具体的には以下に示す化合物が挙げられ
る。
Specific examples include the compounds shown below.

【0119】[0119]

【化66】 Embedded image

【0120】[0120]

【化67】 Embedded image

【0121】[0121]

【化68】 Embedded image

【0122】[0122]

【化69】 Embedded image

【0123】[0123]

【化70】 Embedded image

【0124】[0124]

【化71】 Embedded image

【0125】[0125]

【化72】 (4)下記の一般式(XXXXV)で表わされるジアゾ
ニウム塩 Ar5 −N2 + Z2- (XXXXV) ここで式中Ar5 は置換又は無置換の芳香族基を示す。Z
2- は有機スルホン酸アニオン、有機硫酸アニオン、有
機カルボン酸アニオン、又はBF4 - 、PF6 - 、AsF6 -
SbF6 - 、ClO4 - を示す。
Embedded image (4) Diazonium salt represented by the following general formula (XXXXV) Ar 5 —N 2 + Z 2 — (XXXXV) wherein Ar 5 represents a substituted or unsubstituted aromatic group. Z
2 is an organic sulfonic acid anion, organic acid anion, organic carboxylic acid anion, or BF 4 -, PF 6 -, AsF 6 -,
SbF 6 - and ClO 4 - are shown.

【0126】具体的には次に示すものが挙げられる。Specific examples include the following.

【0127】[0127]

【化73】 Embedded image

【0128】[0128]

【化74】 Embedded image

【0129】[0129]

【化75】 Embedded image

【0130】[0130]

【化76】 Embedded image

【0131】[0131]

【化77】 Embedded image

【0132】[0132]

【化78】 Embedded image

【0133】[0133]

【化79】 Embedded image

【0134】[0134]

【化80】 Embedded image

【0135】[0135]

【化81】 これらの活性光線又は放射線照射により酸を発生し得る
化合物の添加量は、全組成物の固形分に対し、0.001
〜40重量%、好ましくは0.1〜20重量%、更に好ま
しくは1〜15重量%の範囲が適当である。
Embedded image The amount of the compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation is 0.001 based on the total solid content of the composition.
The range of -40% by weight, preferably 0.1-20% by weight, more preferably 1-15% by weight is suitable.

【0136】(アルカリ可溶性ポリマー)本発明のポジ
型感光性組成物は、本質的に本発明の(a)、(b)及
び(c)の成分の化合物の組合せのみで使用できるが、
更にアルカリ可溶性ポリマーを添加して使用してもよ
い。
(Alkali-Soluble Polymer) The positive-working photosensitive composition of the present invention can be essentially used only by the combination of the compounds of the components (a), (b) and (c) of the present invention.
Further, an alkali-soluble polymer may be added and used.

【0137】このようなアルカリ可溶性ポリマーは、好
ましくはフェノール性水酸基、カルボン酸基、スルホン
酸基、イミド基、スルホンアミド基、N−スルホニルア
ミド基、N−スルホニルウレタン基、活性メチレン基等
の pKall以下の酸性水素原子を有するポリマーである。
好適なアルカリ可溶性ポリマーとしては、ノボラック型
フェノール樹脂、具体的にはフェノールホルムアルデヒ
ド樹脂、o−クレゾール−ホルムアルデヒド樹脂、m−
クレゾール−ホルムアルデヒド樹脂、p−クレゾールホ
ルムアルデヒド樹脂、キシレノール−ホルムアルデヒド
樹脂、またこれらの共縮合物などがある。更に特開昭5
0−125806号公報に記載されている様に上記のよ
うなフェノール樹脂と共に、t−ブチルフェノールホル
ムアルデヒド樹脂のような炭素数3〜8のアルキル基で
置換されたフェノールまたはクレゾールとホルムアルデ
ヒドとの縮合物とを併用してもよい。またN−(4−ヒ
ドロキシフェニル)メタクリルアミドのようなフェノー
ル性ヒドロキシ基含有モノマーを共重合成分とするポリ
マー、p−ヒドロキシスチレン、o−ヒドロキシスチレ
ン、m−イソプロペニルフェノール、p−イソプロペニ
ルフェノール等の単独又は共重合のポリマー、更にまた
これらのポリマーを部分エーテル化、部分エステル化し
たポリマーも使用できる。
Such an alkali-soluble polymer is preferably a pKall such as a phenolic hydroxyl group, a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, an imide group, a sulfonamide group, an N-sulfonylamide group, an N-sulfonylurethane group and an active methylene group. It is a polymer having the following acidic hydrogen atoms.
Suitable alkali-soluble polymers include novolak-type phenol resins, specifically, phenol-formaldehyde resin, o-cresol-formaldehyde resin, m-
There are cresol-formaldehyde resin, p-cresol-formaldehyde resin, xylenol-formaldehyde resin, and co-condensates thereof. Furthermore, JP-A-5
As described in JP-A 0-125806, a condensate of formaldehyde with phenol or cresol substituted with an alkyl group having 3 to 8 carbon atoms, such as t-butylphenol formaldehyde resin, together with the above-mentioned phenol resin. You may use together. Also, a polymer having a phenolic hydroxy group-containing monomer such as N- (4-hydroxyphenyl) methacrylamide as a copolymer component, p-hydroxystyrene, o-hydroxystyrene, m-isopropenylphenol, p-isopropenylphenol, etc. Homogenized or copolymerized polymers, and furthermore, polymers obtained by partially etherifying or partially esterifying these polymers can be used.

【0138】更に、アクリル酸、メタクリル酸等のカル
ボキシル基含有モノマーを共重合成分とするポリマー、
特開昭61−267042号公報記載のカルボキシル基
含有ポリビニルアセタール樹脂、特開昭63−1240
47号公報記載のカルボキシル基含有ポリウレタン樹脂
も好適に使用される。
Further, a polymer having a carboxyl group-containing monomer such as acrylic acid or methacrylic acid as a copolymerization component,
JP-A-61-224042 discloses a carboxyl group-containing polyvinyl acetal resin.
The carboxyl group-containing polyurethane resin described in JP-A-47-47 is also preferably used.

【0139】更にまた、N−(4−スルファモイルフェ
ニル)メタクリルアミド、N−フェニルスルホニルメタ
クリルアミド、マレイミドを共重合成分とするポリマ
ー、特開昭63−127237号公報記載の活性メチレ
ン基含有ポリマーも使用できる。
Furthermore, N- (4-sulfamoylphenyl) methacrylamide, N-phenylsulfonylmethacrylamide, a polymer containing maleimide as a copolymerization component, an active methylene group-containing polymer described in JP-A-63-127237. Can also be used.

【0140】これらのアルカリ可溶性ポリマーは単独で
使用できるが、数種の混合物として使用してもよい。感
光性組成物中の好ましい添加量は、感光性組成物全固形
分に対し、10〜90重量%、更に好ましくは30〜8
0重量%の範囲である。
These alkali-soluble polymers can be used alone, but may be used as a mixture of several kinds. A preferable addition amount in the photosensitive composition is 10 to 90% by weight, more preferably 30 to 8% by weight based on the total solid content of the photosensitive composition.
The range is 0% by weight.

【0141】(その他の好ましい成分)本発明のポジ型
感光性組成物には必要に応じて、更に染料、顔料、可塑
剤及び前記酸を発生し得る化合物の酸発生効率を増大さ
せる化合物(所謂増感剤)などを含有させることができ
る。
(Other Preferred Components) In the positive photosensitive composition of the present invention, a compound that increases the acid generation efficiency of a dye, a pigment, a plasticizer and a compound capable of generating the acid (so-called, if necessary). A sensitizer) and the like can be included.

【0142】このような増感剤としては、例えば一般式
(XXXXI)、(XXXXII)で示される酸発生剤に
対しては米国特許第4,250,053 号、同第4,442,197 号の
明細書中に記載された化合物を挙げることができる。具
体的にはアントラセン、フェナンスレン、ペリレン、ピ
レン、クリセン、1,2−ベンゾアントラセン、コロネ
ン、1,6−ジフェニル−1,3,5−ヘキサトリエ
ン、1,1,4,4−テトラフェニル−1,3−ブタジ
エン、2,3,4,5−テトラフェニルベンゼン、2,
5−ジフェニルチオフェン、チオキサントン、2−クロ
ロチオキサントン、フェノチアジン、1,3−ジフェニ
ルピラゾリン、1,3−ジフェニルイソベンゾフラン、
キサントン、ベンゾフェノン、4−ヒドロキシベンゾフ
ェノン、アンスロン、ニンヒドリン、9−フルオレノ
ン、2,4,7−トリニトロフルオレノン、インダノ
ン、フェナンスラキノン、テトラロン、7−メトキシ−
4−メチルクマリン、3−ケト−ビス(7−ジエチルア
ミノクマリン)、ミヒラーケトン、エチルミヒラーケト
ンなどが含まれる。これらの増感剤と活性光線又は放射
線照射により酸を発生し得る化合物との割合は、モル比
で0.01/1〜20/1であり、好ましくは0.1/1〜
5/1の範囲が適当である。
Examples of such sensitizers are described in the specifications of US Pat. Nos. 4,250,053 and 4,442,197 for the acid generators represented by the general formulas (XXXXI) and (XXXXII). A compound can be mentioned. Specifically, anthracene, phenanthrene, perylene, pyrene, chrysene, 1,2-benzanthracene, coronene, 1,6-diphenyl-1,3,5-hexatriene, 1,1,4,4-tetraphenyl-1. , 3-butadiene, 2,3,4,5-tetraphenylbenzene, 2,
5-diphenylthiophene, thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, phenothiazine, 1,3-diphenylpyrazoline, 1,3-diphenylisobenzofuran,
Xanthone, benzophenone, 4-hydroxybenzophenone, anthrone, ninhydrin, 9-fluorenone, 2,4,7-trinitrofluorenone, indanone, phenanthraquinone, tetralone, 7-methoxy-
4-methylcoumarin, 3-keto-bis (7-diethylaminocoumarin), Michler's ketone, ethyl Michler's ketone and the like are included. The ratio of these sensitizers to the compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation is 0.01 / 1 to 20/1 in terms of molar ratio, preferably 0.1 / 1 to
A range of 5/1 is appropriate.

【0143】また着色剤として染料を用いることができ
るが、適当な染料としては油溶性染料及び塩基性染料が
ある。具体的には、オイルイエロー#101、オイルイ
エロー#130、オイルピンク#312、オイルグリー
ンBG、オイルブルーBOS、オイルブルー#603、
オイルブラックBY、オイルブラックBS、オイルブラ
ックT−505(以上、オリエント化学工業株式会社
製)クリスタルバイオレット(CI42555)、メチ
ルバイオレット(CI42535)、ローダミンB(C
I145170B)、マラカイトグリーン(CI420
00)、メチレンブルー(CI52015)などをあげ
ることができる。
Dyes can be used as colorants, and suitable dyes include oil-soluble dyes and basic dyes. Specifically, Oil Yellow # 101, Oil Yellow # 130, Oil Pink # 312, Oil Green BG, Oil Blue BOS, Oil Blue # 603,
Oil Black BY, Oil Black BS, Oil Black T-505 (above, manufactured by Orient Chemical Industry Co., Ltd.) Crystal Violet (CI42555), Methyl Violet (CI42535), Rhodamine B (C
I145170B), Malachite Green (CI420
00), methylene blue (CI52015) and the like.

【0144】本発明の組成物中には、更に感度を高める
ために環状酸無水物、露光後直ちに可視像を得るための
焼出し剤、その他のフィラーなどを加えることができ
る。環状酸無水物としては米国特許第4,115,128 号明細
書に記載されているように無水フタル酸、テトラヒドロ
無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、3,6−エ
ンドオキシ−Δ4 −テトラヒドロ無水フタル酸、テトラ
クロル無水フタル酸、無水マレイン酸、クロル無水マレ
イン酸、α−フェニル無水マレイン酸、無水コハク酸、
ピロメリット酸等がある。これらの環状酸無水物を全組
成物中の固形分に対して1から15重量%含有させるこ
とによって感度を最大3倍程度に高めることができる。
露光後直ちに可視像を得るための焼出し剤としては露光
によって酸を放出する感光性化合物と塩を形成し得る有
機染料の組合せを代表として挙げることができる。具体
的には特開昭50−36209号公報、特開昭53−8
128号公報に記載されているo−ナフトキノンジアジ
ド−4−スルホン酸ハロゲニドと塩形成性有機染料の組
合せや特開昭53−36223号公報、特開昭54−7
4728号公報に記載されているトリハロメチル化合物
と塩形成性有機染料の組合せを挙げることができる。
In the composition of the present invention, a cyclic acid anhydride, a printout agent for obtaining a visible image immediately after exposure, other fillers and the like can be added to further enhance the sensitivity. Cyclic acid anhydride include U.S. Pat phthalic anhydride as described in No. 4,115,128 specification, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, 3,6-oxy - [delta 4 - tetrahydrophthalic anhydride, tetrachlorophthalic Phthalic anhydride, maleic anhydride, chloromaleic anhydride, α-phenylmaleic anhydride, succinic anhydride,
Pyromellitic acid and the like. By containing these cyclic anhydrides in an amount of 1 to 15% by weight based on the solid content in the whole composition, the sensitivity can be increased up to about three times.
As a printing-out agent for obtaining a visible image immediately after exposure, a combination of a photosensitive compound that releases an acid upon exposure and an organic dye capable of forming a salt can be exemplified. Specifically, JP-A-50-36209 and JP-A-53-8
Combinations of o-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid halogenide and salt-forming organic dyes described in JP-A-128, JP-A-53-36223 and JP-A-54-7
There can be mentioned a combination of a trihalomethyl compound and a salt-forming organic dye described in JP-A-4728.

【0145】(溶媒)本発明のポジ型感光性組成物を、
平版印刷版用の材料として使用する場合は上記各成分を
溶解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。また半導
体等のレジスト材料用としては、溶媒に溶解したままで
使用する。ここで使用する溶媒としては、エチレンジク
ロライド、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、メ
タノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコ
ールモノメチルエーテル、1−メトキシ−2−プロパノ
ール、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メ
トキシエチルアセテート、2−エトキシエチルアセテー
ト、1−メトキシ−2−プロピルアセテート、ジメトキ
シエタン、乳酸メチル、乳酸エチル、N,N−ジメチル
アセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、テトラ
メチルウレア、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホ
キシド、スルホラン、γ−ブチロラクトン、トルエン、
酢酸エチルなどがあり、これらの溶媒を単独あるいは混
合して使用する。そして上記成分中の濃度(添加物を含
む全固形分)は、2〜50重量%である。また、塗布し
て使用する場合塗布量は用途により異なるが、例えば感
光性平版印刷版についていえば一般的に固形分として0.
5〜3.0g/m2 が好ましい。塗布量が少くなるにつれ
て感光性は大になるが、感光膜の物性は低下する。
(Solvent) The positive photosensitive composition of the present invention is
When it is used as a material for a lithographic printing plate, it is dissolved in a solvent that dissolves each of the above components and applied onto a support. For resist materials such as semiconductors, they are used as dissolved in a solvent. As the solvent used herein, ethylene dichloride, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, methanol, ethanol, propanol, ethylene glycol monomethyl ether, 1-methoxy-2-propanol, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, 2-ethoxyethyl Acetate, 1-methoxy-2-propyl acetate, dimethoxyethane, methyl lactate, ethyl lactate, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, tetramethylurea, N-methylpyrrolidone, dimethylsulfoxide, sulfolane, γ- Butyrolactone, toluene,
There are ethyl acetate and the like, and these solvents are used alone or as a mixture. The concentration (total solid content including additives) in the above components is 2 to 50% by weight. Further, when used by coating, the coating amount varies depending on the application, but for example, in the case of a photosensitive lithographic printing plate, it is generally 0 as a solid content.
5 to 3.0 g / m 2 is preferable. As the coating amount decreases, the photosensitivity increases, but the physical properties of the photosensitive film decrease.

【0146】(平版印刷版等の製造)本発明のポジ型感
光性組成物を用いて平版印刷版を製造する場合、その支
持体としては、例えば、紙、プラスチックス(例えばポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレンなど)がラ
ミネートされた紙、例えばアルミニウム(アルミニウム
合金も含む。)、亜鉛、銅などのような金属の板、例え
ば二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、プロピオン酸
セルロース、酪酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、硝
酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチ
レン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネー
ト、ポリビニルアセタールなどのようなプラスチックの
フィルム、上記の如き金属がラミネート、もしくは蒸着
された紙もしくはプラスチックフィルムなどが含まれ
る。これらの支持体のうち、アルミニウム板は寸度的に
著しく安定であり、しかも安価であるので特に好まし
い。更に、特公昭48−18327号公報に記されてい
るようなポリエチレンテレフタレートフィルム上にアル
ミニウムシートが結合された複合体シートが好ましい。
アルミニウム板の表面はワイヤブラシグレイニング、研
磨粒子のスラリーを注ぎながらナイロンブラシで粗面化
するブラシグレイニング、ボールグレイニング、溶体ホ
ーニングによるグレイニング、バフグレイニング等の機
械的方法、HFやAlCl3、HCl をエッチャントとするケ
ミカルグレイニング、硝酸又は塩酸を電解液とする電解
グレイニングやこれらの粗面化法を複合させて行なった
複合グレイニングによって表面を砂目立てした後、必要
に応じて酸又はアルカリによりエッチング処理され、引
続き硫酸、リン酸、蓚酸、ホウ酸、クロム酸、スルフア
ミン酸またはこれらの混酸中で直流又は交流電源にて陽
極酸化を行いアルミニウム表面に強固な不動態皮膜を設
けたものが好ましい。この様な不動態皮膜自体でアルミ
ニウム表面は親水化されてしまうが、更に必要に応じて
米国特許第 2,714,066号明細書や米国特許第 3,181,461
号明細書に記載されている珪酸塩処理(ケイ酸ナトリウ
ム、ケイ酸カリウム)、米国特許第 2,946,638号明細書
に記載されている弗化ジルコニウム酸カリウム処理、米
国特許第 3,201,247号明細書に記載されているホスホモ
リブデート処理、英国特許第 1,108,559号明細書に記載
されているアルキルチタネート処理、独国特許第 1,09
1,433号明細書に記載されているポリアクリル酸処理、
独国特許第 1,134,093号明細書や英国特許第 1,230,447
号明細書に記載されているポリビニルホスホン酸処理、
特公昭44−6409号公報に記載されているホスホン酸
処理、米国特許第 3,307,951号明細書に記載されている
フイチン酸処理、特開昭58−16893号や特開昭5
8−18291号の各公報に記載されている水溶性有機
重合体と2価の金属イオンとの錯体による下塗処理、特
開昭59−101651号公報に記載されているスルホ
ン酸基を有する水溶性重合体の下塗によって親水化処理
を行ったものは特に好ましい。その他の親水化処理方法
としては米国特許第 3,658,662号明細書に記載されてい
るシリケート電着をもあげることが出来る。
(Manufacturing of planographic printing plate etc.) When a planographic printing plate is manufactured using the positive photosensitive composition of the present invention, the support thereof is, for example, paper, plastics (eg polyethylene, polypropylene, polystyrene). Etc.) laminated paper such as aluminum (including aluminum alloys), zinc, copper and other metal plates such as cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose propionate, cellulose butyrate, cellulose acetate butyrate, nitric acid. Films of plastics such as cellulose, polyethylene terephthalate, polyethylene, polystyrene, polypropylene, polycarbonate, polyvinyl acetal and the like, papers or plastic films laminated with the above metals, or vapor-deposited are included. Among these supports, the aluminum plate is particularly preferable because it is extremely dimensionally stable and inexpensive. Further, a composite sheet in which an aluminum sheet is bonded on a polyethylene terephthalate film as described in JP-B-48-18327 is preferred.
The surface of the aluminum plate is a wire brush graining, a mechanical method such as brush graining in which a slurry of abrasive particles is poured and roughening with a nylon brush, ball graining, graining by solution honing, buff graining, HF and AlCl. 3, HCl chemical graining to etchant, after the surface was grained by electrolytic graining and composite graining was conducted by combining these surface roughening method using nitric acid or hydrochloric acid and the electrolyte solution, if necessary Etched with acid or alkali, and subsequently anodize in sulfuric acid, phosphoric acid, oxalic acid, boric acid, chromic acid, sulfamic acid or mixed acid of these with direct current or AC power source to provide a strong passivation film on the aluminum surface. Those that are preferred are. The aluminum surface is hydrophilized by such a passivation film itself, but if necessary, it is further described in US Pat. No. 2,714,066 and US Pat. No. 3,181,461.
Silicate treatment (sodium silicate, potassium silicate) described in US Pat. No. 2,946,638, potassium fluorozirconate treatment described in US Pat. No. 2,946,638, US Pat. Phosphomolybdate Treatment, Alkyl Titanate Treatment Described in British Patent No. 1,108,559, German Patent No. 1,09
Polyacrylic acid treatment described in 1,433 specification,
German Patent No. 1,134,093 and British Patent No. 1,230,447
Treatment with polyvinyl phosphonic acid,
Phosphonic acid treatment described in JP-B-44-6409, phytic acid treatment described in US Pat. No. 3,307,951, JP-A-58-16893 and JP-A-5-16893.
Undercoating treatment with a complex of a water-soluble organic polymer and a divalent metal ion described in JP-A-8-18291, and water-soluble having a sulfonic acid group described in JP-A-59-101651. Those which have been hydrophilized by a polymer undercoat are particularly preferable. As another hydrophilic treatment method, silicate electrodeposition described in US Pat. No. 3,658,662 can also be mentioned.

【0147】また砂目立て処理、陽極酸化後、封孔処理
を施したものも好ましい。かかる封孔処理は熱水及び無
機塩又は有機塩を含む熱水溶液への浸漬並びに水蒸気浴
などによって行われる。
It is also preferable that after the graining treatment and the anodic oxidation, the sealing treatment is performed. Such a sealing treatment is performed by immersion in hot water and a hot aqueous solution containing an inorganic salt or an organic salt, a steam bath, or the like.

【0148】(活性光線又は放射線)本発明の感光性組
成物の露光に用いられる活性光線の光源としては例え
ば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、
ケミカルランプ、カーボンアーク灯などがある。放射線
としては電子線、X線、イオンビーム、遠紫外線などが
ある。好ましくはフォトレジスト用の光源として、g
線、i線、Deep−UV光が使用される。また高密度エネ
ルギービーム(レーザービーム又は電子線)による走査
露光も本発明に使用することができる。このようなレー
ザービームとしてはヘリウム・ネオンレーザー、アルゴ
ンレーザー、クリプトンイオンレーザー、ヘリウム・カ
ドミウムレーザー、KrF エキシマ−レーザーなどが挙げ
られる。
(Actinic Rays or Radiation) Examples of the light source of actinic rays used for exposing the photosensitive composition of the present invention include a mercury lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp,
There are chemical lamps and carbon arc lamps. Examples of the radiation include an electron beam, an X-ray, an ion beam, and far ultraviolet rays. Preferably as a light source for photoresist, g
Lines, i-lines, Deep-UV light are used. Scanning exposure using a high-density energy beam (laser beam or electron beam) can also be used in the present invention. Examples of such a laser beam include a helium-neon laser, an argon laser, a krypton ion laser, a helium-cadmium laser, a KrF excimer laser, and the like.

【0149】(現像液)本発明のポジ型感光性組成物に
対する現像液としては、珪酸ナトリウム、珪酸カリウ
ム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウ
ム、第三リン酸ナトリウム、第二リン酸ナトリウム、第
三リン酸アンモニウム、第二リン酸アンモニウム、メタ
珪酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム、アンモニア水など
のような無機アルカリ剤及びテトラアルキルアンモニウ
ムOH塩などのような有機アルカリ剤の水溶液が適当で
あり、それらの濃度が0.1〜10重量%、好ましくは0.
5〜5重量%になるように添加される。
(Developer) As a developer for the positive photosensitive composition of the present invention, sodium silicate, potassium silicate, sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, sodium triphosphate, and diphosphoric acid can be used. Aqueous solutions of inorganic alkaline agents such as sodium, ammonium tertiary phosphate, dibasic ammonium phosphate, sodium metasilicate, sodium bicarbonate, aqueous ammonia, etc. and organic alkaline agents such as tetraalkylammonium OH salts are suitable. , Their concentration is 0.1 to 10% by weight, preferably 0.1.
It is added so as to be 5 to 5% by weight.

【0150】また、該アルカリ性水溶液には、必要に応
じ界面活性剤やアルコールなどのような有機溶媒を加え
ることもできる。
If necessary, an organic solvent such as a surfactant or alcohol may be added to the alkaline aqueous solution.

【0151】[0151]

【発明の効果】本発明のポジ型感光性組成物は高感度で
あり、経時安定性ならびに酸素プラズマ耐性に優れてお
り、またアルカリ現像が可能である。また製造が簡便
で、容易に取得できる。
The positive photosensitive composition of the present invention has high sensitivity, excellent stability over time and oxygen plasma resistance, and is capable of alkali development. The production is simple and easy to obtain.

【0152】[0152]

【実施例】以下、本発明を合成例、実施例により更に詳
細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定される
ものではない。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to Synthesis Examples and Examples, which should not be construed as limiting the scope of the present invention.

【0153】合成例1. (本発明のポリシロキサン(化合物例50))マレイミ
ド7.3g、2−トリメトキシシリル−1,3−ブタジエ
ン13.1gをジオキサン500ミリリットルに溶解し、
100℃で1時間反応させた。反応液にフェニルトリエ
トキシシラン102gを加えた後、蒸留水10ミリリッ
トルと塩酸0.2ミリリットルを加えて30分加熱濃縮し
た。
Synthesis Example 1. (Polysiloxane of the present invention (Compound Example 50)) 7.3 g of maleimide and 13.1 g of 2-trimethoxysilyl-1,3-butadiene were dissolved in 500 ml of dioxane,
The reaction was carried out at 100 ° C for 1 hour. After adding 102 g of phenyltriethoxysilane to the reaction solution, 10 ml of distilled water and 0.2 ml of hydrochloric acid were added and the mixture was heated and concentrated for 30 minutes.

【0154】濃縮液を蒸留水2000ミリリットルに撹
拌しながら投入し、析出した固体を減圧下乾燥すること
により目的のポリシロキサン51gを得た。
The concentrated solution was poured into 2000 ml of distilled water with stirring, and the precipitated solid was dried under reduced pressure to obtain 51 g of the desired polysiloxane.

【0155】ゲルパーミエーションクロマトグラフィー
により、このポリシロキサンの重量平均分子量を測定し
たところ1200であった。
The weight average molecular weight of this polysiloxane measured by gel permeation chromatography was 1200.

【0156】合成例2. (本発明のポリシロキサン(化合物例39))アセチレ
ンジカルボン酸11.4g、2−トリメトキシシリル−
1,3−ブタジエン17.4g、トリルトリメトシキシラ
ン122.6gをジオキサンを溶媒として合成例1と同様
な方法で反応させ、目的のポリシロキサン43gを得
た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより、
このポリシロキサンの重量平均分子量を測定したところ
8600であった。
Synthesis Example 2. (Polysiloxane of the present invention (Compound Example 39)) Acetylenedicarboxylic acid 11.4 g, 2-trimethoxysilyl-
17.4 g of 1,3-butadiene and 122.6 g of tolyltrimethoxysilane were reacted in the same manner as in Synthesis Example 1 using dioxane as a solvent to obtain 43 g of the target polysiloxane. By gel permeation chromatography,
The weight average molecular weight of this polysiloxane was 8600.

【0157】合成例3. (本発明のポリシロキサン(化合物例25)) N−
(p−ヒドロキシフェニル)マレイミド 18.9g、
1−トリメトキシシリル−1,3−ブタジエン 17.
4gをエチレングリコールモノメチルエーテル500ミ
リリットルを溶媒として合成例1と同様な方法で反応さ
せて褐色の目的物18gを得た。
Synthesis Example 3. (Polysiloxane of the present invention (Compound Example 25)) N-
(P-hydroxyphenyl) maleimide 18.9 g,
1-trimethoxysilyl-1,3-butadiene 17.
4 g was reacted in the same manner as in Synthesis Example 1 using 500 ml of ethylene glycol monomethyl ether as a solvent to obtain 18 g of a brown target product.

【0158】ゲルパーミエーションクロマトグラフィー
により、このポリシロキサンの重量平均分子量を測定し
たところ3300であった。
The weight average molecular weight of this polysiloxane was 3300 as measured by gel permeation chromatography.

【0159】合成例4. (本発明のポリシロキサン(化合物例27))N−(p
−スルファモイル)マレイミド25.2g、2−トリメト
キシシリル1,3−ブタジエン17.4gをN,N−ジメ
チルアセトアミド500ミリリットルを溶媒として合成
例1と同様な方法で反応させ、褐色の目的物36gを得
た。
Synthesis Example 4. (Polysiloxane of the present invention (Compound Example 27)) N- (p
-Sulfamoyl) maleimide 25.2 g and 2-trimethoxysilyl 1,3-butadiene 17.4 g were reacted in the same manner as in Synthesis Example 1 using 500 ml of N, N-dimethylacetamide as a solvent to obtain 36 g of a brown target product. Obtained.

【0160】ゲルパーミエーションクロマトグラフィー
により、このポリシロキサンの重量平均分子量を測定し
たところ2300であった。
The weight average molecular weight of this polysiloxane measured by gel permeation chromatography was 2,300.

【0161】合成例5. (本発明のポリシロキサン(化合物例44))N−(p
−トルエンスルホニル)アクリルアミド22.5g、2−
トリメトキシシリル−1,3−ブタジエン17.4g、4
−クロロフェニルトリメトキシシラン64gをエチレン
グリコールモノメチルエーテル500ミリリットルを溶
媒として合成例1と同様な方法で反応させて目的物40
gを得た。
Synthesis Example 5. (Polysiloxane of the present invention (Compound Example 44)) N- (p
-Toluenesulfonyl) acrylamide 22.5 g, 2-
Trimethoxysilyl-1,3-butadiene 17.4 g, 4
40 g of -chlorophenyltrimethoxysilane was reacted in the same manner as in Synthesis Example 1 with 500 ml of ethylene glycol monomethyl ether as a solvent to give the desired product 40.
g was obtained.

【0162】ゲルパーミエーションクロマトグラフィー
により、このポリシロキサンの重量平均分子量を測定し
たところ4700であった。
The weight average molecular weight of this polysiloxane measured by gel permeation chromatography was 4,700.

【0163】合成例6. (本発明のポリシロキサン(化合物例57))アセトア
セトキシエチルアクリレート10.0g、1−トリメトキ
シシリル−1,3−ブタジエン 17.4g、N−フェニ
ルアクリルアミド8.4gをジオキサンを溶媒として合成
例1と同様な方法で反応させ、目的のポリシロキサン2
5.1gを得た。
Synthesis Example 6. (Polysiloxane of the present invention (Compound Example 57)) Acetoacetoxyethyl acrylate (10.0 g), 1-trimethoxysilyl-1,3-butadiene (17.4 g) and N-phenylacrylamide (8.4 g) were added. The reaction was carried out in the same manner as in Synthesis Example 1 using dioxane as a solvent to obtain the desired polysiloxane 2
Obtained 5.1 g.

【0164】ゲルパーミエーションクロマトグラフィー
により、このポリシロキサンの重量平均分子量を測定し
たところ1700であった。
The weight average molecular weight of this polysiloxane was measured by gel permeation chromatography and found to be 1700.

【0165】実施例1〜6 厚さ0.24mmの2Sアルミニウム板を80℃に保った第
3燐酸ナトリウムの10%水溶液に3分間浸漬して脱脂
し、ナイロンブラシで砂目立てした後アルミン酸ナトリ
ウムで約10分間エッチングして、硫酸水素ナトリウム
3%水溶液でデスマット処理を行った。このアルミニウ
ム板を20%硫酸中で電流密度2A/dm2 において2分
間陽極酸化を行いアルミニウム板を作成した。
Examples 1 to 6 A 2S aluminum plate having a thickness of 0.24 mm was immersed in a 10% aqueous solution of sodium tertiary phosphate kept at 80 ° C. for 3 minutes for degreasing, and was sanded with a nylon brush to give sodium aluminate. Etching was performed for about 10 minutes, and desmut treatment was performed with a 3% aqueous sodium hydrogen sulfate solution. This aluminum plate was anodized in a 20% sulfuric acid at a current density of 2 A / dm 2 for 2 minutes to prepare an aluminum plate.

【0166】次に下記感光液〔A〕の本発明のポリシロ
キサン化合物の種類を変えて、6種類の感光液〔A〕−
1〜〔A〕−6を調製し、この感光液を陽極酸化させた
アルミニウム板の上に塗布し、100℃で2分間乾燥し
て、それぞれの感光性平版印刷版〔A〕−1〜〔A〕−
6を作成した。このときの塗布量は全て乾燥重量で1.5
g/m2 であった。
Next, by changing the kind of the polysiloxane compound of the present invention in the following photosensitive solution [A], six kinds of photosensitive solution [A]-
1 to [A] -6 were prepared, and this photosensitive solution was applied onto an anodized aluminum plate and dried at 100 ° C. for 2 minutes to prepare each photosensitive lithographic printing plate [A] -1 to [A] -1. A]-
No. 6 was created. The coating amount at this time is 1.5 on a dry weight basis
g / m 2 .

【0167】また感光液〔A〕−1〜〔A〕−6に用い
た本発明のポリシロキサン化合物は第1表に示す。
Table 1 shows the polysiloxane compounds of the present invention used in the photosensitive solutions [A] -1 to [A] -6.

【0168】 [0168]

【化82】 次に比較例として下記の感光液〔B〕を感光液〔A〕と
同様に塗布し、感光性平版印刷版〔B〕を作製した。
Embedded image Next, as a comparative example, the following photosensitive solution [B] was applied in the same manner as the photosensitive solution [A] to prepare a photosensitive lithographic printing plate [B].

【0169】 乾燥後の塗布重量は1.5g/m2であった。感光性平版印
刷版〔A〕−1〜〔A〕−6、及び〔B〕の感光層上に
濃度差0.15のグレースケールを密着させ、2kwの高圧
水銀灯で50cmの距離から露光を行った。露光後、
〔A〕−1〜〔A〕−6については90℃で1分間加熱
した。その後、感光性平版印刷版〔A〕−1〜〔A〕−
6及び〔B〕をDP−4(商品名:富士写真フィルム
(株)製)の8倍希釈水溶液で25℃において60秒間
浸漬現像し、濃度差0.15のグレースケール(富士写真
フイルム(株)製ステップタブレット)で5段目が完全
にクリアーとなる露光時間を求めたところ第1表に示す
とおりとなった。
[0169] The coating weight after drying was 1.5 g / m 2 . A gray scale with a density difference of 0.15 was adhered on the photosensitive layers of the photosensitive lithographic printing plates [A] -1 to [A] -6 and [B], and exposure was performed from a distance of 50 cm with a 2 kw high pressure mercury lamp. It was After exposure,
[A] -1 to [A] -6 were heated at 90 ° C for 1 minute. Then, the photosensitive lithographic printing plate [A] -1 to [A]-
6 and [B] were subjected to immersion development for 60 seconds at 25 ° C. in an 8 times diluted aqueous solution of DP-4 (trade name: manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd.) to obtain a gray scale (Fuji Photo Film Co. The exposure time required for the fifth step to be completely cleared was obtained as shown in Table 1.

【0170】 第1表からわかるように本発明のシロキサンポリマー系
を用いた感光性平版印刷版〔A〕−1 〜〔A〕−6はい
ずれも〔B〕より露光時間が少く、感度が高い。
[0170] As can be seen from Table 1, each of the photosensitive lithographic printing plates [A] -1 to [A] -6 using the siloxane polymer system of the present invention has a shorter exposure time and a higher sensitivity than [B].

【0171】実施例7〜12 シリコンウエハー上に、ノボラック系市販レジストHP
R−204(富士ハントケミカル(株)製)をスピナー
で塗布し、220℃で1時間乾燥させて下層を形成し
た。下層の膜厚は2.0μmであった。
Examples 7 to 12 On a silicon wafer, a novolac-based commercial resist HP is used.
R-204 (manufactured by Fuji Hunt Chemical Co., Ltd.) was applied with a spinner and dried at 220 ° C. for 1 hour to form a lower layer. The thickness of the lower layer was 2.0 μm.

【0172】その上に下記感光液〔C〕の本発明の化合
物(c)の種類を変えた6種類の感光液(C〕−1〜
〔C〕−6をスピナーで塗布し、ホットプレート上で9
0℃において2分間乾燥させ、厚さ0.5μmの塗膜を形
成させた。
In addition, six kinds of photosensitive solutions (C) -1 to (C) -1 to (C) in which the kind of the compound (c) of the present invention in the following photosensitive solution [C] is changed.
Apply [C] -6 with a spinner, and 9 on a hot plate.
It was dried at 0 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 0.5 μm.

【0173】 [0173]

【化83】 なお使用した本発明の(c)の化合物は第2表に示す。Embedded image The compounds (c) of the present invention used are shown in Table 2.

【0174】次に波長365nmの単色光の縮小投影露光
装置(ステッパー)により露光し、90℃で1分間、後
加熱した。その後、テトラメチルアンモニウムハイドロ
オキシドの2.4%水溶液で60秒間現像することにより
レジストパターンを形成させた。その結果、0.7μmの
ライン&スペースの良好なパターンが得られた。
Next, exposure was carried out by a reduction projection exposure device (stepper) for monochromatic light having a wavelength of 365 nm, and post-heating was carried out at 90 ° C. for 1 minute. Then, a resist pattern was formed by developing with a 2.4% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide for 60 seconds. As a result, a good pattern with a line and space of 0.7 μm was obtained.

【0175】次いで平行平板型リアクティブイオンエッ
チング装置を用いてO2 ガス圧20ミリTorr、RFパワ
ー200mW/cm2 の条件下で20分間エッチングすると
上層のレジストパターンは完全に下層のHPR−204
に転写され、上下2層から成る高いアスペクト比のレジ
ストパターンを得ることができた。
Next, using a parallel plate type reactive ion etching apparatus, etching was carried out for 20 minutes under the conditions of O 2 gas pressure of 20 mmTorr and RF power of 200 mW / cm 2 , and the upper resist pattern was completely HPR-204 of the lower layer.
And a resist pattern having a high aspect ratio consisting of two layers, upper and lower, was obtained.

【0176】即ち本レジストが2層レジスト法の上層レ
ジストとして使用できることが確認された。
That is, it was confirmed that this resist can be used as the upper layer resist of the two-layer resist method.

【0177】 [0177]

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】(a)一般式(I)、(II)、(III)また
は(IV)で表される化合物と、一般式(V)、(VI)、(VII)
または(VIII)で表される化合物との環化熱付加反応生成
物から由来されるシロキサン単位を少なくとも1モル%
含有するポリシロキサン化合物と、 (b)酸により分解し得る基を少なくとも1個有し、ア
ルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大する化
合物(但し、シロキサンポリマーである場合を除く)、
及び (c)活性光線、又は放射線の照射により酸を発生する
化合物、 を含有する感光性組成物。 【化1】 【化2】 【化3】
1. A compound represented by the general formula (I), (II), (III) or (IV) and (a) a general formula (V), (VI) or (VII).
Alternatively, at least 1 mol% of a siloxane unit derived from the reaction product of the cycloaddition reaction with the compound represented by (VIII) is used.
A polysiloxane compound contained therein, and (b) a compound having at least one group capable of decomposing by an acid, the solubility of which in an alkali developing solution is increased by the action of an acid (provided that the compound is not a siloxane polymer),
And (c) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, a photosensitive composition. Embedded image Embedded image Embedded image
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