JP2683192B2 - 像増強装置 - Google Patents
像増強装置Info
- Publication number
- JP2683192B2 JP2683192B2 JP32947992A JP32947992A JP2683192B2 JP 2683192 B2 JP2683192 B2 JP 2683192B2 JP 32947992 A JP32947992 A JP 32947992A JP 32947992 A JP32947992 A JP 32947992A JP 2683192 B2 JP2683192 B2 JP 2683192B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photocathode
- mcp
- mesh electrode
- photoelectrons
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波変調が可能な像
増強装置に関するものである。
増強装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高速動作が可能な像増強装置として、近
接型のイメージインテンシファイア（ＩＩ）では、入射
面板の内面側に透明導電膜と透明誘電体板と光電面とを
順次形成し、入射面板に接して形成された透明導電膜と
光電面の引出し電極とを同電位に保つことにより、光電
面からの光電子を均一に加速して高周波特性を改善する
ものが存在する（特開昭６１−２３９５５０）。
接型のイメージインテンシファイア（ＩＩ）では、入射
面板の内面側に透明導電膜と透明誘電体板と光電面とを
順次形成し、入射面板に接して形成された透明導電膜と
光電面の引出し電極とを同電位に保つことにより、光電
面からの光電子を均一に加速して高周波特性を改善する
ものが存在する（特開昭６１−２３９５５０）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
近接型のイメージインテンシファイアＩＩでは、透過率
の関係上透明導電膜を厚くすることができず、透明導電
膜が比較的高い抵抗値を有することになるので、光電面
に印加される電圧をその面内で十分均質にできないとい
った問題や、透明導電膜、光電面等に多くのジュール熱
が発生して長時間の使用に耐えないという問題があっ
た。また、光電面と光電子を増倍するマイクロチャンネ
ルプレート（ＭＣＰ）との間隔が比較的狭いので、印加
される周波数の増加にともなって光電面とＭＣＰとの間
のインピーダンスが減少し、駆動アンプに大出力を必要
とするという問題もあった。
近接型のイメージインテンシファイアＩＩでは、透過率
の関係上透明導電膜を厚くすることができず、透明導電
膜が比較的高い抵抗値を有することになるので、光電面
に印加される電圧をその面内で十分均質にできないとい
った問題や、透明導電膜、光電面等に多くのジュール熱
が発生して長時間の使用に耐えないという問題があっ
た。また、光電面と光電子を増倍するマイクロチャンネ
ルプレート（ＭＣＰ）との間隔が比較的狭いので、印加
される周波数の増加にともなって光電面とＭＣＰとの間
のインピーダンスが減少し、駆動アンプに大出力を必要
とするという問題もあった。
【０００４】そこで、本発明は、効率的な高周波変調動
作が可能で、かつ、長時間の使用が可能な像増強装置を
提供することを目的とする。
作が可能で、かつ、長時間の使用が可能な像増強装置を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る像増強装置は、（ａ）透明平行平板の
一方の表面側に形成された光電面と、（ｂ）透明平行平
板の他方の表面側に形成された金属製メッシュ電極と、
（ｃ）光電面から発生した光電子を光電面に垂直な方向
の電界によって加速するとともに、加速された光電子を
２次元的に増倍する光電子増倍手段と、（ｄ）光電面と
光電子増倍手段との間に光電面に垂直な方向の磁界を形
成する磁界形成手段とを備えることとしている。
め、本発明に係る像増強装置は、（ａ）透明平行平板の
一方の表面側に形成された光電面と、（ｂ）透明平行平
板の他方の表面側に形成された金属製メッシュ電極と、
（ｃ）光電面から発生した光電子を光電面に垂直な方向
の電界によって加速するとともに、加速された光電子を
２次元的に増倍する光電子増倍手段と、（ｄ）光電面と
光電子増倍手段との間に光電面に垂直な方向の磁界を形
成する磁界形成手段とを備えることとしている。
【０００６】
【作用】上記像増強装置においては、透明平行平板の他
方の表面側に金属製メッシュ電極を形成しているので、
金属製メッシュ電極の高い導電性によって光電面の電位
を均一なものとすることができ、ジュール熱の発生を十
分抑制することができる。この場合、金属製メッシュ電
極の影の影響を防止するため透明平行平板を所定以上に
厚くし、さらに光電面から光電子増倍手段までの間隔を
十分に広げる必要が生じるが、これにより、光電面と光
電子増倍手段との間の静電容量が減少し、光電面の高周
波駆動に大出力を必要としなくなる。なお、光電面と光
電子増倍手段とを離すことによって解像度が劣化するこ
とは、磁界形成手段によって防止することができる。
方の表面側に金属製メッシュ電極を形成しているので、
金属製メッシュ電極の高い導電性によって光電面の電位
を均一なものとすることができ、ジュール熱の発生を十
分抑制することができる。この場合、金属製メッシュ電
極の影の影響を防止するため透明平行平板を所定以上に
厚くし、さらに光電面から光電子増倍手段までの間隔を
十分に広げる必要が生じるが、これにより、光電面と光
電子増倍手段との間の静電容量が減少し、光電面の高周
波駆動に大出力を必要としなくなる。なお、光電面と光
電子増倍手段とを離すことによって解像度が劣化するこ
とは、磁界形成手段によって防止することができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例について説明す
る。
る。
【０００８】図１に、実施例の近接型イメージインテン
シファイア（ＩＩ）の断面構造を示す。ガラス製の面板
２の外側には、金属製のメッシュ電極３が形成され、面
板２の内側には、光電面４が形成されている。メッシュ
電極３の太さｄ3 は１〜１０μｍで、そのメッシュピッ
チは１００μｍであった。誘電体としての面板２の比誘
電率は約５で、その厚さｄ1 は２．５ｍｍであった。こ
のようにｄ1 ＞＞ｄ3 であるので、メッシュ電極３の影
のパターンは光電面４上に形成されない。これらメッシ
ュ電極３および光電面４は、光電面電極５にそれぞれ接
続されている。この光電面４の下側には、これに対向し
かつ近接してＭＣＰ６が配置されている。光電面４とＭ
ＣＰ６の入力面との間隔ｄ2 は、２．０ｍｍで、通常の
近接型ＩＩよりも十分に広く（１０倍以上に）なってい
る。この結果、メッシュ電極３および光電面４間の容量
Ｃ1 は、光電面４およびＭＣＰ６間の容量Ｃ2 よりも十
分大きなものとなり、光電面４の実効的な高周波インピ
ーダンスを小さくできる。ＭＣＰ６は、セラミック製の
側管８によって固定され、その入出力面は、ＭＣＰ入出
力電極１０、１１にそれぞれ接続されている。ＭＣＰ６
の下側には、これに対向して蛍光面１２が配置されてい
る。この蛍光面１２は出力用のファイバープレート１４
の入力端面に形成されている。
シファイア（ＩＩ）の断面構造を示す。ガラス製の面板
２の外側には、金属製のメッシュ電極３が形成され、面
板２の内側には、光電面４が形成されている。メッシュ
電極３の太さｄ3 は１〜１０μｍで、そのメッシュピッ
チは１００μｍであった。誘電体としての面板２の比誘
電率は約５で、その厚さｄ1 は２．５ｍｍであった。こ
のようにｄ1 ＞＞ｄ3 であるので、メッシュ電極３の影
のパターンは光電面４上に形成されない。これらメッシ
ュ電極３および光電面４は、光電面電極５にそれぞれ接
続されている。この光電面４の下側には、これに対向し
かつ近接してＭＣＰ６が配置されている。光電面４とＭ
ＣＰ６の入力面との間隔ｄ2 は、２．０ｍｍで、通常の
近接型ＩＩよりも十分に広く（１０倍以上に）なってい
る。この結果、メッシュ電極３および光電面４間の容量
Ｃ1 は、光電面４およびＭＣＰ６間の容量Ｃ2 よりも十
分大きなものとなり、光電面４の実効的な高周波インピ
ーダンスを小さくできる。ＭＣＰ６は、セラミック製の
側管８によって固定され、その入出力面は、ＭＣＰ入出
力電極１０、１１にそれぞれ接続されている。ＭＣＰ６
の下側には、これに対向して蛍光面１２が配置されてい
る。この蛍光面１２は出力用のファイバープレート１４
の入力端面に形成されている。
【０００９】図示のように、光電面４（およびメッシュ
電極３）とＭＣＰ６の入力面との間には、変調電圧ＶM
を発生する変調電圧源とバイアス電圧ＶB を発生するバ
イアス電圧源とが直列に接続されている。また、ＭＣＰ
６の入力面と出力面との間には、ＭＣＰ電圧ＶCPを発生
するＭＣＰ用電源が接続されている。さらに、ＭＣＰ６
の出力面と蛍光面１２との間には、蛍光面電圧ＶS を発
生する蛍光面用電源が接続されている。
電極３）とＭＣＰ６の入力面との間には、変調電圧ＶM
を発生する変調電圧源とバイアス電圧ＶB を発生するバ
イアス電圧源とが直列に接続されている。また、ＭＣＰ
６の入力面と出力面との間には、ＭＣＰ電圧ＶCPを発生
するＭＣＰ用電源が接続されている。さらに、ＭＣＰ６
の出力面と蛍光面１２との間には、蛍光面電圧ＶS を発
生する蛍光面用電源が接続されている。
【００１０】既に述べたように、光電面４とＭＣＰ６と
の間隔ｄ2 は２ｍｍである。このように間隔ｄ2 を２ｍ
ｍ以上とすることにより、面板２を厚くしてメッシュ電
極３の影を防止した場合にも光電面４のインピーダンス
を低下させてこの光電面４に効率よく高周波電圧を印加
することができるという利点がある。また、光電面４と
ＭＣＰ６の入力面との間の静電容量が減少し、光電面４
の高周波駆動に大出力を必要としなくなるという利点も
ある。しかしながら、光電面４とＭＣＰ６との間隔ｄ2
を単に２ｍｍ以上とした場合、光電面４から出射した光
電子のＭＣＰ６への入射領域が広がってしまい近接型Ｉ
Ｉの解像度が劣化するという問題が生じる。この様な問
題を、本体周囲に設けた磁界発生用のコイル１６によっ
て防止している。このコイル１６は、光電面４とＭＣＰ
６との間の空間に１００ガウス以上の平行磁界を形成す
る。
の間隔ｄ2 は２ｍｍである。このように間隔ｄ2 を２ｍ
ｍ以上とすることにより、面板２を厚くしてメッシュ電
極３の影を防止した場合にも光電面４のインピーダンス
を低下させてこの光電面４に効率よく高周波電圧を印加
することができるという利点がある。また、光電面４と
ＭＣＰ６の入力面との間の静電容量が減少し、光電面４
の高周波駆動に大出力を必要としなくなるという利点も
ある。しかしながら、光電面４とＭＣＰ６との間隔ｄ2
を単に２ｍｍ以上とした場合、光電面４から出射した光
電子のＭＣＰ６への入射領域が広がってしまい近接型Ｉ
Ｉの解像度が劣化するという問題が生じる。この様な問
題を、本体周囲に設けた磁界発生用のコイル１６によっ
て防止している。このコイル１６は、光電面４とＭＣＰ
６との間の空間に１００ガウス以上の平行磁界を形成す
る。
【００１１】図２に、光電面４とＭＣＰ６との間の空間
を拡大した断面を示す。図２（ａ）に示すようにコイル
１６からの平行磁界が形成されていない場合、光電面４
の一点から出射した光電子がＭＣＰ６の入力面６ａへ入
射する可能性のある領域が広がってしまい、ＭＣＰ６か
ら出力される電子像はぼやけたものとなる。このため、
ＩＩの解像度が劣化してしまう。一方、図２（ｂ）に示
すようにコイル１６からの平行磁界が形成されている場
合、光電面４から出射した光電子は、サイクロトロン半
径よりも広がることがない。よって、ＭＣＰ６の入力面
６ａへの光電子の入射領域を極めて狭くすることがで
き、ＩＩの解像度を十分に維持することができる。
を拡大した断面を示す。図２（ａ）に示すようにコイル
１６からの平行磁界が形成されていない場合、光電面４
の一点から出射した光電子がＭＣＰ６の入力面６ａへ入
射する可能性のある領域が広がってしまい、ＭＣＰ６か
ら出力される電子像はぼやけたものとなる。このため、
ＩＩの解像度が劣化してしまう。一方、図２（ｂ）に示
すようにコイル１６からの平行磁界が形成されている場
合、光電面４から出射した光電子は、サイクロトロン半
径よりも広がることがない。よって、ＭＣＰ６の入力面
６ａへの光電子の入射領域を極めて狭くすることがで
き、ＩＩの解像度を十分に維持することができる。
【００１２】以下、図１の近接型ＩＩの具体的動作につ
いて説明する。面板２の外側から画像光が入射すると、
光電面４からこの強度に対応した光電子が放出される。
この光電子は、対向して配置されたＭＣＰ６で増倍され
て、その下の蛍光面１２に入射する。これにより、光電
子の量の分布に対応した蛍光像が発生し、この蛍光像は
ファイバープレート１４を介して外部に出力される。こ
の際、光電面４に印加される変調電圧ＶM を制御すれ
ば、画像光の増強度を任意に調節することができ、ゲー
ト動作その他を含む各種の高周波変調動作（１０ＭＨｚ
〜１ＧＨｚ）が可能になる。しかも、面板２の外側に設
けられたメッシュ電極３の存在によって、光電面４の高
周波インピーダンスを下げることができ、光電面４に印
加される変調電圧ＶM の低下や不均一を防止することが
でき、ジュール熱による発熱を低くすることができる。
さらに、光電面４とＭＣＰ６の入力面との間隔を広げた
ことにより、変調電圧ＶM に対する静電容量が減少する
ので光電面４の高周波駆動に大電力を必要としなくな
り、この観点からも発熱を防止できる。
いて説明する。面板２の外側から画像光が入射すると、
光電面４からこの強度に対応した光電子が放出される。
この光電子は、対向して配置されたＭＣＰ６で増倍され
て、その下の蛍光面１２に入射する。これにより、光電
子の量の分布に対応した蛍光像が発生し、この蛍光像は
ファイバープレート１４を介して外部に出力される。こ
の際、光電面４に印加される変調電圧ＶM を制御すれ
ば、画像光の増強度を任意に調節することができ、ゲー
ト動作その他を含む各種の高周波変調動作（１０ＭＨｚ
〜１ＧＨｚ）が可能になる。しかも、面板２の外側に設
けられたメッシュ電極３の存在によって、光電面４の高
周波インピーダンスを下げることができ、光電面４に印
加される変調電圧ＶM の低下や不均一を防止することが
でき、ジュール熱による発熱を低くすることができる。
さらに、光電面４とＭＣＰ６の入力面との間隔を広げた
ことにより、変調電圧ＶM に対する静電容量が減少する
ので光電面４の高周波駆動に大電力を必要としなくな
り、この観点からも発熱を防止できる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る像増
強装置によれば、透明平行平板の他方の表面側に金属製
メッシュ電極を形成しているので、金属製メッシュ電極
の高い導電性によって光電面の電位を均一なものとする
ことができ、ジュール熱の発生を十分抑制することがで
きる。よって、像増強装置の寿命を大幅に延ばすことが
できる。この場合、金属製メッシュ電極の影の影響を防
止するため透明平行平板を所定以上に厚くし、さらに光
電面から光電子増倍手段までの間隔を十分に広げる必要
が生じるが、これにより、光電面と光電子増倍手段との
間の静電容量が減少し、光電面の高周波駆動に大出力を
必要としなくなる。なお、光電面と光電子増倍手段とを
離すことによって解像度が劣化することは、磁界形成手
段によって防止できる。
強装置によれば、透明平行平板の他方の表面側に金属製
メッシュ電極を形成しているので、金属製メッシュ電極
の高い導電性によって光電面の電位を均一なものとする
ことができ、ジュール熱の発生を十分抑制することがで
きる。よって、像増強装置の寿命を大幅に延ばすことが
できる。この場合、金属製メッシュ電極の影の影響を防
止するため透明平行平板を所定以上に厚くし、さらに光
電面から光電子増倍手段までの間隔を十分に広げる必要
が生じるが、これにより、光電面と光電子増倍手段との
間の静電容量が減少し、光電面の高周波駆動に大出力を
必要としなくなる。なお、光電面と光電子増倍手段とを
離すことによって解像度が劣化することは、磁界形成手
段によって防止できる。
【図１】実施例の像増強装置の構造を示した断面図。
【図２】光電面とＭＣＰの間の空間の部分拡大図。
２…透明平行平板（面板）、３…金属製メッシュ電極、
４…光電面、６…ＭＣＰ、１６…磁界形成手段。
４…光電面、６…ＭＣＰ、１６…磁界形成手段。
Claims (1)
- 【請求項１】 透明平行平板の一方の表面側に形成され
た光電面と、 前記透明平行平板の他方の表面側に形成された金属製メ
ッシュ電極と、 前記光電面から発生した光電子を該光電面に垂直な方向
の電界によって加速するとともに、該加速された光電子
を２次元的に増倍する光電子増倍手段と、 前記光電面と前記光電子増倍手段との間に前記光電面に
垂直な方向の磁界を形成する磁界形成手段と、を備える
像増強装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32947992A JP2683192B2 (ja) | 1992-12-09 | 1992-12-09 | 像増強装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32947992A JP2683192B2 (ja) | 1992-12-09 | 1992-12-09 | 像増強装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06176719A JPH06176719A (ja) | 1994-06-24 |
| JP2683192B2 true JP2683192B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=18221842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32947992A Expired - Fee Related JP2683192B2 (ja) | 1992-12-09 | 1992-12-09 | 像増強装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2683192B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3729998A1 (de) * | 1987-09-08 | 1989-03-23 | Gerhard Werner Kappelmeier | Ladungswechselsteuerung fuer eine verbrennungskraftmaschine |
| DE4217630C1 (ja) * | 1992-05-28 | 1993-09-23 | Mercedes-Benz Aktiengesellschaft, 70327 Stuttgart, De | |
| JP4975400B2 (ja) * | 2006-09-01 | 2012-07-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 撮像管 |
-
1992
- 1992-12-09 JP JP32947992A patent/JP2683192B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06176719A (ja) | 1994-06-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5982082A (en) | Field emission display devices | |
| US3128408A (en) | Electron multiplier | |
| US5150067A (en) | Electromagnetic pulse generator using an electron beam produced with an electron multiplier | |
| US3673457A (en) | High gain storage target | |
| US4140941A (en) | Cathode-ray display panel | |
| US5955833A (en) | Field emission display devices | |
| US3114044A (en) | Electron multiplier isolating electrode structure | |
| US3936697A (en) | Charged particle beam scanning device | |
| JP2683192B2 (ja) | 像増強装置 | |
| US5045754A (en) | Planar light source | |
| US7728520B2 (en) | Optical modulator of electron beam | |
| US3675028A (en) | Image intensifier with electroluminescent phosphor | |
| WO2003085692A1 (fr) | Dispositif d'affichage a cathode froide et procede de production dudit dispositif d'affichage a cathode froide | |
| US6225761B1 (en) | Field emission display having an offset phosphor and method for the operation thereof | |
| US3310678A (en) | Method of producing electron multiplication utilizing an amplification cycle | |
| US4041342A (en) | Electron multiplier with beam confinement structure | |
| US2851625A (en) | Image tube | |
| US4115719A (en) | Electron multiplier with high energy electron filter | |
| JP5159011B2 (ja) | 変調電界を生成する装置とその電界放射フラット画面への適用 | |
| JP2748984B2 (ja) | チャネルプレートを備えたイメージ増強管の操作方法およびチャネルプレートを備えたイメージ増強管装置 | |
| US4164681A (en) | Image display device with ion feedback control and method of operating the same | |
| RU2051439C1 (ru) | Магнетрон | |
| US2338036A (en) | Cathode ray device | |
| US4199702A (en) | Electron multiplier input electron optics | |
| KR100846706B1 (ko) | 전계 방출 표시 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |