JP2681651B2 - Alignment method - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、アライメント方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Object of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention relates to an alignment method.
（従来の技術） 半導体製造において、被アライメント板例えば半導体
ウエハに不純物を注入した後の再拡散工程、上記半導体
ウエハの結晶損傷などによる不良箇所の修理工程および
注入された上記不純物の活性化工程等のために、たとえ
ばレーザ光をレンズ等の光学手段により収束しビーム状
にして上記半導体ウエハ表面に照射し加熱するレーザ熱
処理装置が使用されている。(Prior Art) In semiconductor manufacturing, a re-diffusion process after injecting impurities into a plate to be aligned, for example, a semiconductor wafer, a process of repairing a defective portion due to crystal damage of the semiconductor wafer, and a process of activating the injected impurities, etc. For this purpose, for example, a laser heat treatment apparatus is used in which laser light is converged by an optical means such as a lens to be made into a beam shape, which is irradiated onto the surface of the semiconductor wafer and heated.
そして、このレーザ熱処理に際し、レーザビームが半
導体ウエハ表面を定められた通り正確に走査照射するよ
うに、上記半導体ウエハを所定の位置に予めアライメン
トして配置しておく必要がある。Then, during this laser heat treatment, it is necessary to align the semiconductor wafer in advance at a predetermined position so that the laser beam accurately scans and irradiates the surface of the semiconductor wafer in a predetermined manner.
このアライメントの方法の一つとして、第５図に示す
ような方法がある。As one of the alignment methods, there is a method shown in FIG.
ステージ（１）上に半導体ウエハ（２）を載置し、こ
のステージ（１）を例えば横（Ｘ）方向（３）に移動さ
せ光センサ（４）で上記半導体ウエハ（２）のエッジ
（周縁）（５）の有無を検出する。そして、この時のス
テージ（１）の移動量により、このステージ（１）の中
心（６）から上記エッジ（５）までの距離r1（７）を求
め、次にステージ（１）を所定の一定角度θ（８）だけ
回転させ、再びステージ（１）を横方向（３）に移動さ
せ光センサ（４）で半導体ウエハ（２）のエッジ（９）
を検出し、上記同様に距離r2（10）を求める。The semiconductor wafer (2) is placed on the stage (1), and the stage (1) is moved in, for example, the lateral (X) direction (3) and the optical sensor (4) is used to move the edge (periphery) of the semiconductor wafer (2). ) The presence or absence of (5) is detected. Then, the distance r 1 (7) from the center (6) of the stage (1) to the edge (5) is obtained by the movement amount of the stage (1) at this time, and then the stage (1) is moved to a predetermined position. The stage (1) is moved in the lateral direction (3) again by rotating it by a certain angle θ (8), and the optical sensor (4) is used to move the edge (9) of the semiconductor wafer (2).
Is detected and the distance r 2 (10) is obtained in the same manner as above.
以上の動作を半導体ウエハ（２）の全周に渡りくり返
して、求めた距離r1（７）〜rn（11）のデータを情報処
理して半導体ウエハ（２）の中心位置（12）およびオリ
フラ（13）を探し出し、上記半導体ウエハ（２）を所定
の位置に配置する位置決め法がある。The above operation is repeated over the entire circumference of the semiconductor wafer (2), and the data of the obtained distances r 1 (7) to r n (11) is processed to process the center position (12) of the semiconductor wafer (2) and There is a positioning method in which the orientation flat (13) is searched for and the semiconductor wafer (2) is placed at a predetermined position.
また、上記のほかに、例えば特開昭61−85650号公報
にて開示された位置決め方法もある。In addition to the above, there is also a positioning method disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 61-85650.
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記従来方法には次に述べるような課
題がある。(Problems to be Solved by the Invention) However, the above conventional method has the following problems.
前者において、一般に、ステージ（１）上に載置され
た半導体ウエハ（２）のオリフラ（13）部分以外の部分
においては、ステージ（１）の中心（６）からエッジま
での距離、特に角度θ（８）だけずれた隣り合せの部分
の距離例えばrn（11）とr1（７）、r1（７）とr2（10）
はほぼ等しい。しかし、光センサ（４）の機能は半導体
ウエハ（２）のエッジの有無を検出するだけであるた
め、上記各距離r1（５）〜rn（11）を求めるごとに、ス
テージ（１）を移動させなければならず、半導体ウエハ
（２）の全周に渡ってデータを求めるには非常に時間が
かかり、アライメントに要する時間が長くなる。In the former, generally, in a portion other than the orientation flat (13) portion of the semiconductor wafer (2) mounted on the stage (1), the distance from the center (6) of the stage (1) to the edge, particularly the angle θ. Distances of adjacent parts that are offset by (8), for example r n (11) and r 1 (7), r 1 (7) and r 2 (10)
Are almost equal. However, since the function of the optical sensor (4) is only to detect the presence or absence of the edge of the semiconductor wafer (2), every time the above distances r 1 (5) to r n (11) are obtained, the stage (1) is Must be moved, and it takes a very long time to obtain data over the entire circumference of the semiconductor wafer (2), and the time required for alignment becomes long.
また後者では、所定の素子間隔のラインセンサの黒レ
ベルとなったセンサの長さを距離データとしているの
で、素子間隔以下には距離検出の精度が上げられない。Further, in the latter case, since the length of the sensor at the black level of the line sensor having a predetermined element interval is used as the distance data, the accuracy of distance detection cannot be increased below the element interval.
本発明は、上述の従来事情に対処してなされたもの
で、ステージの中心から半導体ウエハ（２）のエッジま
での距離を求める時間が短く、短時間で終了する精度の
高いアライメント方法を提供しようとするものである。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional circumstances, and provides an alignment method with high accuracy, which takes a short time to obtain the distance from the center of the stage to the edge of the semiconductor wafer (2) and is completed in a short time. It is what
（課題を解決するための手段） 本発明は、遮光部分の距離に比例したアナログの電気
信号が出力される光センサよりなるラインセンサを、載
置台の回転中心からＸ方向に離れて位置するように設
け、 前記載置台の回転中心に半導体ウエハの中心が概ね一
致するように載置する工程と、 前記載置台を載置面に沿って回転させ、所定の回転角
度ごとに前記ラインセンサにより半導体ウエハの周縁を
検出し、前記ラインセンサからのアナログの電気信号を
ディジタル信号に変換した出力を記憶する工程と、 前記ディジタル信号が予め定めた上限値と下限値との
間に収まっているか否かを判断し、収まっていなければ
半導体ウエハの周縁がラインセンサの中央部側に寄るよ
うに載置台をＸ方向または−Ｘ方向に予め定めた量だけ
移動させる工程と、 前記所定の回転角度ごとに載置台の少なくともＸ方向
位置を記憶する工程と、 記憶したラインセンサの出力に相当するディジタル信
号に基づいて得た、ラインセンサの遮光部分の距離と、
記憶した載置台の位置に基づいて得た、載置台の中心か
らラインセンサの検出可能な領域の内端までの距離と、
を加算して距離データを得る工程と、 この工程で得られた回転角度ごとの距離データを演算
処理して半導体ウエハをアライメントする工程と、を行
うことを特徴とするアライメント方法である。(Means for Solving the Problem) According to the present invention, a line sensor including an optical sensor that outputs an analog electric signal proportional to the distance of a light-shielding portion is located in the X direction from the rotation center of the mounting table. And the step of placing the semiconductor wafer so that the center of the semiconductor wafer substantially coincides with the center of rotation of the mounting table, and rotating the mounting table along the mounting surface by the line sensor for each predetermined rotation angle. A step of detecting a peripheral edge of the wafer and storing an output obtained by converting an analog electric signal from the line sensor into a digital signal; and whether or not the digital signal falls within a predetermined upper limit value and a lower limit value. And a step of moving the mounting table in the X direction or the −X direction by a predetermined amount so that the peripheral edge of the semiconductor wafer is closer to the central portion side of the line sensor, if not. Storing at least the X-direction position of the mounting table for each of the predetermined rotation angles, and the distance of the light-shielding portion of the line sensor obtained based on the stored digital signal corresponding to the output of the line sensor,
Obtained based on the stored position of the mounting table, the distance from the center of the mounting table to the inner end of the detectable area of the line sensor,
Is added to obtain distance data, and a step of performing arithmetic processing on the distance data for each rotation angle obtained in this step to align the semiconductor wafer is performed.
（作用） 本発明アライメント方法によれば、被アライメント板
の周縁を検出するセンサを固定し上記被アライメント板
を回転させることにより上記被アライメント板の周縁情
報を得ることができるので、上記被アライメント板を周
縁検出ごとに直線移動する必要はなく、短時間で高精度
の距離データが得られる。(Operation) According to the alignment method of the present invention, the peripheral edge information of the aligned plate can be obtained by fixing the sensor for detecting the peripheral edge of the aligned plate and rotating the aligned plate. It is not necessary to linearly move each edge detection, and highly accurate distance data can be obtained in a short time.
（実施例） 以下、本発明アライメント方法の一実施例を図面を参
照して説明する。(Example) Hereinafter, one example of the alignment method of the present invention will be described with reference to the drawings.
基台（101）には、被アライメント板例えば半導体ウ
エハ（102）を吸着保持する載置台であるチャック（10
3）を備え、このチャック（103）はθ回転可能で、かつ
横（Ｘ）方向、縦（Ｙ）方向に移動可能に構成されたXY
θステージ（104）が取着されている。The base (101) has a chuck (10) which is a mounting table for sucking and holding a plate to be aligned, for example, a semiconductor wafer (102).
This chuck (103) is equipped with 3), and the chuck (103) is rotatable by θ and is movable in the horizontal (X) direction and the vertical (Y) direction.
The θ stage (104) is attached.
また、このXYθステージ（104）の上方付近には、チ
ャック（103）に吸着保持された半導体ウエハ（102）の
周縁を検出可能な位置に、センサ例えば投光器（10
5）、受光器（106）からなる透過型のラインセンサ（10
7）が配置されている。そして、このラインセンサ（10
7）からの出力電気信号はアライメント制御部（108）に
入力され、所定の手順に従って情報処理し、上記アライ
メント制御装置（108）によりXYθステージ（104）を駆
動制御可能に構成されている。A sensor such as a projector (10) is provided near the XYθ stage (104) at a position where the peripheral edge of the semiconductor wafer (102) sucked and held by the chuck (103) can be detected.
5), a transmission type line sensor (10
7) is located. And this line sensor (10
The electric signal output from 7) is input to the alignment control unit (108), information is processed according to a predetermined procedure, and the XYθ stage (104) can be drive-controlled by the alignment control device (108).
さらに、基台（101）上には半導体ウエハ（102）を熱
処理するレーザ熱処理部（109）が設けられている。Further, a laser heat treatment section ( 109 ) for heat treating the semiconductor wafer (102) is provided on the base (101).
このレーザ熱処理部（109）の処理室（110）は、例え
ばステンレスやアルミニウム等からなる円筒状の上蓋
（111）と下蓋（112）とから構成され、例えばエアーシ
リンダー等を使用した開閉機構（図示せず）により例え
ば20mm程度相対的に開閉自在に構成されている。The processing chamber (110) of the laser heat treatment section ( 109 ) is composed of a cylindrical upper lid (111) and a lower lid (112) made of, for example, stainless steel or aluminum. For example, an opening / closing mechanism (such as an air cylinder) is used. (Not shown), for example, is configured to be relatively openable and closable by about 20 mm.
次に、上蓋（111）の上壁部および下蓋（112）の下壁
部には、おのおの開口部（113）、（114）が設けられて
おり、この開口部（113）、（114）には透明部材例えば
石英ガラス（115）、（116）が取着されている。Next, the upper wall portion of the upper lid (111) and the lower wall portion of the lower lid (112) are provided with opening portions (113) and (114), respectively, and these opening portions (113) and (114) are provided. A transparent member such as quartz glass (115) or (116) is attached to this.
処理室（110）内部の中央部付近には、半導体ウエハ
（102）を下面において吸着保持し上記半導体ウエハ（1
02）を予備加熱するための例えばカーボングラファイト
からなる円板状に形成されたサセプタ（117）が配設さ
れている。そして、このサセプタ（117）の外周面に
は、これと所定の間隔を保持して例えばステンレスから
なり円環状に形成され、サセプタ（117）等からの放射
熱を内側方向に反射する反射体（118）が設けられてい
る。The semiconductor wafer (102) is adsorbed and held on the lower surface near the center of the inside of the processing chamber (110) by the semiconductor wafer (1).
A disk-shaped susceptor (117) made of, for example, carbon graphite for preheating 02) is provided. Then, on the outer peripheral surface of the susceptor (117), a reflector is formed which is made of, for example, stainless steel and is formed in an annular shape with a predetermined distance from the outer peripheral surface of the susceptor (117) to reflect the radiant heat from the susceptor (117) inward. 118) is provided.
上記サセプタ（117）と反射体（118）は、複数の断熱
性支持部材例えばセラミック製の支持部材（119）によ
り同心状に上蓋（111）に取着されている。The susceptor (117) and the reflector (118) are concentrically attached to the upper lid (111) by a plurality of heat insulating support members such as ceramic support members (119).
一方、処理室（110）の上方には、サセプタ（117）を
加熱するための手段として、光熱源例えば反射板（12
0）を備えたIRランプ（Infrared Ray Lamp）（121）が
配設されており、このIRランプ（121）からの赤外線が
石英ガラス（115）を透過してサセプタ（117）を加熱す
るように構成されている。On the other hand, above the processing chamber (110), as a means for heating the susceptor (117), a photothermal source such as a reflector (12) is provided.
An IR lamp (Infrared Ray Lamp) (121) equipped with (0) is arranged, and infrared rays from this IR lamp (121) are transmitted through the quartz glass (115) to heat the susceptor (117). It is configured.
また、処理室（110）下方には、レーザ光照射機構
（図示せず）が配置されており、このレーザ光照射機構
（図示せず）によりレーザビーム（122）を石英ガラス
（116）を通して下方から半導体ウエハ（102）表面に走
査照射してレーザ熱処理例えばレーザアニール処理を行
うように構成されている。A laser light irradiation mechanism (not shown) is arranged below the processing chamber (110), and the laser beam (122) is moved downward through the quartz glass (116) by this laser light irradiation mechanism (not shown). Is configured so that the surface of the semiconductor wafer (102) is scanned and irradiated to perform laser heat treatment, for example, laser annealing treatment.
さらに、XYθステージ（104）と処理室（110）の中間
付近には、XYθステージ（104）のチャック（103）に保
持された半導体ウエハ（102）を吸着アーム（図示せ
ず）等により吸着保持し、上記半導体ウエハ（102）を
反転してサセプタ（117）下面に搬送する搬送部（123）
が基台（101）に取着されている。Further, the semiconductor wafer (102) held by the chuck (103) of the XYθ stage (104) is sucked and held by a suction arm (not shown) or the like near the middle of the XYθ stage (104) and the processing chamber (110). Then, the transfer section (123) for reversing the semiconductor wafer (102) and transferring it to the lower surface of the susceptor (117).
Is attached to the base (101).
次に、上記構成のレーザ熱処理装置のアライメント方
法について説明する。先ず、吸着アーム（図示せず）等
により半導体ウエハ（102）を搬送しXYθステージ（10
4）のチャック（103）上に概半導体ウエハ（102）の中
心とチャック（103）の中心とが一致する如く載置して
吸着保持する。Next, an alignment method of the laser heat treatment apparatus having the above structure will be described. First, the semiconductor wafer (102) is conveyed by a suction arm (not shown) or the like, and the XYθ stage (10
The semiconductor wafer (102) is mounted on the chuck (103) of (4) so that the center of the semiconductor wafer (102) and the center of the chuck (103) substantially coincide with each other and suction-held.
この時、第２図に示すように半導体ウエハ（102）の
中心（124）とチャック（103）の中心（125）とがずれ
ている場合には、このずれを補正し、搬送部（123）で
上記半導体ウエハ（102）を搬送してサセプタ（117）に
吸着保持したとき、半導体ウエハ（102）が所定の位置
にあるようにしておく必要がある。At this time, as shown in FIG. 2, when the center (124) of the semiconductor wafer (102) and the center (125) of the chuck (103) are deviated from each other, this deviation is corrected and the transfer section (123) is corrected. It is necessary to keep the semiconductor wafer (102) in a predetermined position when the semiconductor wafer (102) is transferred and held by suction on the susceptor (117).
そこで、半導体ウエハ（102）の周縁（126）部分をラ
インセンサ（107）で検出し、このラインセンサ（107）
のアナログ出力信号をアライメント制御部（108）で次
に説明するように演算処理してデジタル距離データに変
換する。Therefore, the peripheral portion (126) of the semiconductor wafer (102) is detected by the line sensor (107), and the line sensor (107) is detected.
The analog control signal of (1) is processed by the alignment control section (108) as described below and converted into digital distance data.
第３図に示すように、ラインセンサ（107）として例
えば、検出可能な幅が1mmで、出力が遮光部分に比例し
て出力信号が０〜５（Ｖ）と連続して変化するラインセ
ンサを使用する。そして上記０〜５（Ｖ）のアナログ出
力電気信号を例えば８ビットのアナログ／デジタル（A/
D）変換を行い、０〜255段階のレベルのデジタル距離デ
ータにデジタル変換する。したがって、このデジタル変
換後の１レベルの距離は１（mm）/255＝0.003921…（m
m）≒3.9（μｍ）に対応する。As shown in FIG. 3, as the line sensor (107), for example, a line sensor having a detectable width of 1 mm and whose output signal continuously changes from 0 to 5 (V) in proportion to the light-shielding portion. use. The 0 to 5 (V) analog output electric signal is converted into, for example, an 8-bit analog / digital (A /
D) Convert and digitally convert to 0 to 255 levels of digital distance data. Therefore, the distance of one level after this digital conversion is 1 (mm) /255=0.003921 ... (m
It corresponds to m) 3.9 (μm).
すなわち、第２図において、今測定しようとするチャ
ック（103）の中心（125）から半導体ウエハ（102）の
周縁（126）までの距離r1（127）は次式で表わされる。That is, in FIG. 2, the distance r 1 (127) from the center (125) of the chuck (103) to be measured to the peripheral edge (126) of the semiconductor wafer (102) is represented by the following equation.
r1（127）＝ro＋rs…（128）、 但し、roはチャック（103）の原点位置における中心
（124）からラインセンサ（107）の検出可能な幅の左端
までの距離。rsは半導体ウエハ（102）によるラインセ
ンサ（107）の遮光部分の距離。r 1 (127) = r o + r s (128), where r o is the distance from the center (124) at the origin position of the chuck (103) to the left end of the detectable width of the line sensor (107). r s is the distance of the light shielding part of the line sensor (107) by the semiconductor wafer (102).
ここで、式（128）のrsは、デジタル変換後のレベル
をＳとすれば、rs＝3.9・Ｓに対応するので、r1（127）
の距離を算出できる。Here, r s of the equation (128) corresponds to r s = 3.9 · S, where S is the level after digital conversion, so r 1 (127)
The distance can be calculated.
次に、アライメント制御部（108）によりXYθステー
ジ（104）を駆動して、所定の角度θだけチャック（10
3）を回転させて、上記同様の手順にて距離rz（129）を
算出する。Next, the alignment control section (108) drives the XYθ stage (104) to move the chuck (10
Rotate 3) and calculate the distance r z (129) by the same procedure as above.
以後、チャック（103）を角度θだけ回転させてその
都度上記距離を算出し、角度と距離をアライメント制御
部（108）で記憶する。After that, the chuck (103) is rotated by the angle θ and the distance is calculated each time, and the angle and the distance are stored in the alignment control unit (108).
上記距離を測定する際、チャック（103）の中心（12
5）と半導体ウエハ（102）の中心（124）のずれによ
り、周縁（126）部分がラインセンサ（107）の検出可能
な幅の両端部に近くなり、そのまま測定動作を続けると
全部遮光したり全然遮光せずに測定不能になる可能性が
ある。When measuring the above distance, the center of the chuck (103) (12
5) and the center (124) of the semiconductor wafer (102) are shifted so that the peripheral edge (126) is close to both ends of the detectable width of the line sensor (107), and if the measurement operation is continued as it is, all the light may be blocked. There is a possibility that measurement will become impossible without shading at all.
そこで、遮光の度合に関して、例えばラインセンサ
（107）の出力信号レベルが240のときをONレベル、15を
OFFレベルに設定し、測定中にこのレベルになると、チ
ャック（103）を移動させる。Therefore, regarding the degree of light shielding, for example, when the output signal level of the line sensor (107) is 240, it is an ON level, and 15 is set.
Set it to the OFF level and move the chuck (103) when this level is reached during measurement.
すなわち第４図に示すように、距離の１データを取り
込む場合に、ラインセンサ（107）で読み取ったデータ
がONを越えたときは例えばXYθステージ（104）を−Ｘ
方向に400パルスに相当する距離0.4mmだけ移動し、ライ
ンセンサ（107）の遮光部が検査可能な幅の概中央付近
になるように設定する。なお、XYθステージ（104）
は、パルスモータ等を使用し、例えば1000パルス入力で
1mm移動つまり１パルスで0.001mm移動するように構成し
ておく。That is, as shown in FIG. 4, when the data read by the line sensor (107) exceeds ON when 1 data of the distance is taken, for example, the XYθ stage (104) is moved to -X.
It is set so that the light-shielding portion of the line sensor (107) is near the center of the inspectable width by moving 0.4 mm in the direction corresponding to 400 pulses. The XYθ stage (104)
Uses a pulse motor etc., for example, with 1000 pulse input
It is configured to move by 1 mm, that is, 0.001 mm by one pulse.
一方、ラインセンサ（107）で読み取ったデータがOFF
レベル未満になったときにはXYθステージ（104）を＋
方向に400パルスに相当する距離0.4mmだけ移動する。On the other hand, the data read by the line sensor (107) is OFF
When the level falls below the level, move the XYθ stage (104) to +
In the direction of 0.4 mm.
そして、上記XYθステージ（104）の現在位置とライ
ンセンサ（107）からのデジタル距離データから距離を
算出しデータ出力する。Then, the distance is calculated from the current position of the XYθ stage (104) and the digital distance data from the line sensor (107), and the data is output.
上記説明から理解されるように、ラインセンサ（10
7）の検出可能な幅の範囲内に遮光部分がある間はXYθ
ステージ（104）を測定するごとに移動させる必要はな
く、回転動作だけで距離データを取り込むことができ
る。As can be understood from the above description, the line sensor (10
XYθ while the light-shielding part is within the detectable width of 7)
It is not necessary to move the stage (104) each time it is measured, and the distance data can be captured only by the rotation operation.
以上の動作を半導体ウエハ（102）の全周に渡ってく
り返し、記憶した角度と距離データを演算処理してXYθ
ステージ（104）を駆動制御して、半導体ウエハ（102）
を所定の位置にアライメントする。The above operation is repeated over the entire circumference of the semiconductor wafer (102), and the stored angle and distance data are processed to obtain XYθ.
The semiconductor wafer (102) is controlled by driving and controlling the stage (104).
Align with the desired position.
次に、開閉機構（図示せず）により上蓋（111）と下
蓋（112）を開いて20mm程度の間隔を設け、搬送部（12
3）により半導体ウエハ（102）をチャック（103）から
搬出して処理室（110）内に搬入し、上記半導体ウエハ
（102）の処理面を下向にした状態でサセプタ（117）に
吸着保持する。Next, the upper lid (111) and the lower lid (112) are opened by an opening / closing mechanism (not shown) to provide a space of about 20 mm, and the transport section (12
The semiconductor wafer (102) is unloaded from the chuck (103) by the step 3) and loaded into the processing chamber (110), and is held by suction on the susceptor (117) with the processing surface of the semiconductor wafer (102) facing downward. To do.
そして、上蓋（111）と下蓋（112）を密着させ、IRラ
ンプ（121）でサセプタ（117）を所定の温度となるよう
に加熱することにより、このサセプタ（117）の下面に
吸着保持している半導体ウエハ（102）を加熱し、下方
からレーザビーム（122）を半導体ウエハ（102）の表面
に走査照射しアニール処理を行う。Then, the upper lid (111) and the lower lid (112) are brought into close contact with each other, and the IR lamp (121) heats the susceptor (117) to a predetermined temperature so that the lower surface of the susceptor (117) is adsorbed and held. The semiconductor wafer (102) being heated is heated, and a laser beam (122) is applied to the surface of the semiconductor wafer (102) by scanning from below to perform annealing treatment.
なお上記実施例では、ラインセンサ（107）として透
過型を使用したものについて説明したが、本発明は上記
実施例に限定されるものではなくラインセンサ（107）
は例えば反射型のもの等遮光の距離に比例した出力信号
を発生するものであれば使用できる。In addition, in the above-described embodiment, the transmission type is used as the line sensor (107), but the present invention is not limited to the above-described embodiment, and the line sensor (107) is not limited thereto.
Can be used as long as it generates an output signal proportional to the distance of light shielding such as a reflection type.
また、A/D変換についても上記説明の８ビットに限ら
ず、例えば16ビットにてA/D変換してもよいのは言うま
でもなく、併せてA/D変換のビット数を変更することに
より距離検出の精度を容易に変更できる。さらに被アラ
イメント板は、上記説明の半導体ウエハのような円板状
のものに限らず、他の形状例えば方形状のものも本発明
が適用できる。Further, the A / D conversion is not limited to the 8 bits described above, and needless to say, for example, 16 bits may be used for the A / D conversion. The accuracy of detection can be changed easily. Further, the plate to be aligned is not limited to the disk-shaped one such as the semiconductor wafer described above, but the present invention can be applied to other shapes such as a rectangular one.
上述したように、本発明アライメント方法によれば、
短時間で被アライメント板のアライメントを行うことが
できる。As described above, according to the alignment method of the present invention,
Alignment of the plate to be aligned can be performed in a short time.
第１図は本発明アライメント方法を説明するための構成
図、第２図，第３図および第４図は第１図の主要部の動
作説明図、第５図は従来例を示す図である。 102……半導体ウエハ、103……チャック 104……XYθステージ、107……ラインセンサ 108……アライメント制御部109 ……レーザ熱処理部、110……処理室 117……サセプタ、123……搬送部FIG. 1 is a block diagram for explaining the alignment method of the present invention, FIGS. 2, 3, and 4 are operation explanatory views of the main part of FIG. 1, and FIG. 5 is a view showing a conventional example. . 102 …… Semiconductor wafer, 103 …… Chuck 104 …… XYθ stage, 107 …… Line sensor 108 …… Alignment control section 109 …… Laser heat treatment section, 110 …… Processing chamber 117 …… Susceptor, 123 …… Transport section
Claims (1)
信号が出力される光センサよりなるラインセンサを、載
置台の回転中心からＸ方向に離れて位置するように設
け、 前記載置台の回転中心に半導体ウエハの中心が概ね一致
するように載置する工程と、 前記載置台を載置面に沿って回転させ、所定の回転角度
ごとに前記ラインセンサにより半導体ウエハの周縁を検
出し、前記ラインセンサからのアナログの電気信号をデ
ィジタル信号に変換した出力を記憶する工程と、 前記ディジタル信号が予め定めた上限値と下限値との間
に収まっているか否かを判断し、収まっていなければ半
導体ウエハの周縁がラインセンサの中央部側に寄るよう
に載置台をＸ方向または−Ｘ方向に予め定めた量だけ移
動させる工程と、 前記所定の回転角度ごとに載置台の少なくともＸ方向位
置を記憶する工程と、 記憶したラインセンサの出力に相当するディジタル信号
に基づいて得た、ラインセンサの遮光部分の距離と、記
憶した載置台の位置に基づいて得た、載置台の中心から
ラインセンサの検出可能な領域の内端までの距離と、を
加算して距離データを得る工程と、 この工程で得られた回転角度ごとの距離データを演算処
理して半導体ウエハをアライメントする工程と、を行う
ことを特徴とするアライメント方法。1. A line sensor comprising an optical sensor for outputting an analog electric signal proportional to the distance of a light-shielding portion is provided so as to be positioned away from the rotation center of the mounting table in the X direction, and the rotation of the mounting table is described. The step of placing the semiconductor wafer so that the center of the semiconductor wafer substantially coincides with the center, and rotating the placing table along the placing surface, and detecting the peripheral edge of the semiconductor wafer by the line sensor for each predetermined rotation angle, A step of storing an output obtained by converting an analog electric signal from the line sensor into a digital signal, and determining whether or not the digital signal falls between a predetermined upper limit value and a lower limit value, and if not, A step of moving the mounting table in the X direction or the −X direction by a predetermined amount so that the peripheral edge of the semiconductor wafer is closer to the central portion side of the line sensor; A step of storing at least the X-direction position of the mounting table, and a distance of the light-shielding portion of the line sensor obtained based on the stored digital signal corresponding to the output of the line sensor and the stored position of the mounting table. The step of obtaining the distance data by adding the distance from the center of the mounting table to the inner end of the detectable area of the line sensor, and the distance data for each rotation angle obtained in this step are arithmetically processed to obtain the semiconductor wafer. And an alignment method comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63101050A JP2681651B2 (en) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | Alignment method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63101050A JP2681651B2 (en) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | Alignment method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01272128A JPH01272128A (en) | 1989-10-31 |
| JP2681651B2 true JP2681651B2 (en) | 1997-11-26 |
Family
ID=14290293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63101050A Expired - Fee Related JP2681651B2 (en) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | Alignment method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2681651B2 (en) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6185650A (en) * | 1984-10-01 | 1986-05-01 | Hitachi Denshi Syst Service Kk | Automatic positioning device of ic wafer |
| JPS62211934A (en) * | 1986-03-13 | 1987-09-17 | Canon Inc | Apparatus for positioning wafer |
-
1988
- 1988-04-22 JP JP63101050A patent/JP2681651B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01272128A (en) | 1989-10-31 |
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