【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、たとえばモールドパッケージ型パワート
ランジスタなどのトランジスタの基板実装に際し、電気
的性能の向上と作業性の向上を期するようにしたトラン
ジスタ取付け方法に関するものである。
〔発明の技術的背景〕
従来の基板裏面からモールドパッケージ型パワートラ
ンジスタを実装する方法としては、第７図および第８図
（第７図の円Ａの部分の拡大図）に示すものがある。
この第７図，第８図において、モールド型パワートラ
ンジスタ（以下、トランジスタという）１は放熱器２な
どにネジ３で固定されており、そのリード線1aは基板４
の表面側の導体4aにハンダ５で半田付けを行うが、この
場合、基板４の導体4a上に、トランジスタ１のリード線
1aを単に置き、そこでハンダ付けするだけであった。な
お、Ｉは電流の流れである。
つまり、トランジスタ１のリード線1aをハンダ５の上
に乗せるのではなく、通常のハンダ付けをしても、リー
ド線1aと導体4a間に第８図のようにハンダ層5aができて
しまう。
〔背景技術の問題点〕
上記のことから、導体4aとリード線1a間に、電気的特
性にあまり優れていないハンダ層5aができてしまい、接
触抵抗が増えるとか、異種金属のコンタクトによる非線
形性を生じ、歪みが増えるなどの問題点があった。
また、実際の取付けの際、基板４とトランジスタ１の
位置出しができず、作業性も悪いという問題点もあっ
た。
〔発明の目的〕
この発明は、上記従来の欠点を除去するためになされ
たもので、トランジスタの基板実装の際の電気的性能の
向上と、作業性の向上を期することができるトランジス
タ取付け方法を提供することを目的としている。
〔発明の概要〕
この発明のトランジスタ取付け方法は、トランジスタ
のリード線先端部を基板の穴に挿入し、リード線の上方
部を折り曲げることによりこのリード線を基板の穴周囲
に設けられた導体に接触させ、トランジスタを固定し、
リード線を導体にハンダ付けするようにしたものであ
る。
〔発明の実施例〕
以下、この発明のトランジスタ取付け方法の実施例に
ついて図面に基づき説明する。
第１図はその一実施例の断面図、第２図はその平面
図、第３図は第１図の円Ｂの部分の拡大断面図である。
この第１図〜第３図において、第７図，第８図と同一
部分には同一符号を付して説明する。
このトランジスタ１のリード線1aを基板４の導体4aに
ハンダ付けするために、導体4aおよび基板４には、リー
ド線1aの形状に対して最も接触面積の大きい形状の穴4b
が形成されている。すなわち第６図に図示する如く、こ
の穴4bは、リード線1aが丸線であれば、楕円形の穴が形
成され、また、リード線1aの断面形状が方形であれば、
角穴が形成されている。
このように形成された穴4aにリード線1aを差し込んだ
後折り曲げ、トランジスタ１を放熱器２などにネジ３で
取り付ける。そして、リード線1aと導体4aを、第４図の
ハンダ付け前の状態から第５図に示すように、ハンダ付
けする。このため、リード線1aと導体4aが導体4aの断面
部分にて直接接触し、有害な、ハンダ層Ｃを通って流れ
る電流Ｉが減少し、そのため、接触抵抗が減少し、異種
金属の接触点も減少する。
したがって、非線形性も減少し、歪も減少し、電気的
性能を向上させることができる。
また、基板４にリード線1aの取付け用の穴4bが設けら
れるため、基板４とトランジスタ１の位置出しが容易に
なり作業性も向上する。
なお、前記実施例では、モールド型パワートランジス
タについて述べたが、もちろん、それ以外の素子であっ
ても、同様な取付方法を用いているものに対して、同様
の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明のトランジスタ取付け方法に
よれば、トランジスタのリード線と基板導体間の接触抵
抗の減少、歪の減少による電気的性能の向上および、実
装時の作業性の向上を得ることができる。Description: TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a transistor mounting method for improving electrical performance and workability when mounting a transistor such as a mold package type power transistor on a substrate. It is about. [Technical Background of the Invention] As a conventional method for mounting a mold package type power transistor from the back surface of a substrate, there are methods shown in FIGS. 7 and 8 (enlarged view of a portion indicated by a circle A in FIG. 7). In FIGS. 7 and 8, a mold type power transistor (hereinafter referred to as a transistor) 1 is fixed to a radiator 2 or the like with a screw 3, and its lead wire 1a has a substrate 4
Solder the conductor 4a on the front side of the substrate with the solder 5. In this case, the lead wire of the transistor 1 is mounted on the conductor 4a of the substrate 4.
I simply placed 1a and soldered there. It should be noted that I is the flow of current. That is, even if the lead wire 1a of the transistor 1 is not placed on the solder 5 but ordinary soldering is performed, a solder layer 5a is formed between the lead wire 1a and the conductor 4a as shown in FIG. [Problems of the background art] From the above, a solder layer 5a having poor electrical characteristics is formed between the conductor 4a and the lead wire 1a, which increases contact resistance or causes non-linearity due to contact of dissimilar metals. However, there was a problem that distortion was increased. In addition, there is a problem in that the substrate 4 and the transistor 1 cannot be positioned during actual mounting, resulting in poor workability. [Object of the Invention] The present invention has been made in order to eliminate the above-mentioned conventional drawbacks, and a transistor mounting method capable of improving electrical performance and workability when mounting a transistor on a substrate. Is intended to provide. [Summary of the Invention] A method for mounting a transistor according to the present invention is designed such that a tip of a lead wire of a transistor is inserted into a hole of a substrate, and an upper portion of the lead wire is bent to form a conductor provided around the hole of the substrate. Make contact, fix the transistor,
The lead wire is soldered to the conductor. [Embodiment of the Invention] An embodiment of the transistor mounting method of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view of one embodiment thereof, FIG. 2 is a plan view thereof, and FIG. 3 is an enlarged sectional view of a portion of a circle B in FIG. In FIGS. 1 to 3, the same parts as those in FIGS. 7 and 8 are designated by the same reference numerals for description. In order to solder the lead wire 1a of the transistor 1 to the conductor 4a of the board 4, the conductor 4a and the board 4 have a hole 4b having the largest contact area with respect to the shape of the lead wire 1a.
Are formed. That is, as shown in FIG. 6, the hole 4b is an elliptical hole if the lead wire 1a is a round wire, and if the lead wire 1a has a rectangular cross section,
Square holes are formed. The lead wire 1a is inserted into the hole 4a thus formed and then bent, and the transistor 1 is attached to the radiator 2 or the like with the screw 3. Then, the lead wire 1a and the conductor 4a are soldered from the state before soldering in FIG. 4 as shown in FIG. Therefore, the lead wire 1a and the conductor 4a directly contact with each other in the cross-section of the conductor 4a, and the harmful current I flowing through the solder layer C is reduced, so that the contact resistance is reduced and the contact point of different metals is reduced. Also decreases. Therefore, non-linearity is reduced, distortion is reduced, and electrical performance can be improved. Further, since the substrate 4 is provided with the hole 4b for mounting the lead wire 1a, the substrate 4 and the transistor 1 can be easily positioned and the workability is improved. In addition, although the mold type power transistor is described in the above-mentioned embodiment, of course, the same effect can be obtained even for other elements using the same mounting method. [Effects of the Invention] As described above, according to the transistor mounting method of the present invention, the contact resistance between the lead wire of the transistor and the substrate conductor is reduced, the electrical performance is improved by the reduction of distortion, and the workability at the time of mounting is improved. Can be improved.
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明のトランジスタ取付け方法の一実施例
の断面図、第２図は同上トランジスタ取付け方法の平面
図、第３図は第１図の円Ｂの部分の拡大断面図、第４図
は同上トランジスタ取付け方法におけるトランジスタの
リード線のハンダ付け前の状態を示す断面図、第５図は
同上トランジスタ取付け方法におけるトランジスタのリ
ード線を導体にハンダ付けした状態を示す断面図、第６
図（ａ），（ｂ）は夫々本発明の一実施例を示す斜視
図、第７図は従来のトランジスタ取付け方法の断面図、
第８図は第７図の円Ａの部分の拡大断面図である。
１……トランジスタ
1a……リード線
２……放熱器
４……基板
4a……導体
4b……穴
５……ハンダBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a sectional view of an embodiment of a transistor mounting method of the present invention, FIG. 2 is a plan view of the same transistor mounting method as above, and FIG. 3 is a circle B portion of FIG. FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing a state before soldering of a lead wire of a transistor in the same transistor mounting method, and FIG. 5 shows a state in which a lead wire of a transistor is soldered to a conductor in the same transistor mounting method. Sectional view, 6th
7A and 7B are perspective views showing an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a sectional view of a conventional transistor mounting method.
FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view of the portion of circle A in FIG. 1 ... Transistor 1a ... Lead wire 2 ... Radiator 4 ... Board 4a ... Conductor 4b ... Hole 5 ... Solder