JP2675179B2 - Polarizer - Google Patents
PolarizerInfo
- Publication number
- JP2675179B2 JP2675179B2 JP2171582A JP17158290A JP2675179B2 JP 2675179 B2 JP2675179 B2 JP 2675179B2 JP 2171582 A JP2171582 A JP 2171582A JP 17158290 A JP17158290 A JP 17158290A JP 2675179 B2 JP2675179 B2 JP 2675179B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor optical
- optical amplifier
- polarizer
- mode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
この発明は、光増幅可能な偏光子に関する。 The present invention relates to a light-amplifiable polarizer.
従来の偏光子としては、シート状偏光板あるいはグラ
ンティラープリズムをはじめとするカルサイトを用いた
偏光子がある。As a conventional polarizer, there is a polarizer using calcite such as a sheet-like polarizing plate or a Glan-Tiler prism.
【発明が解決しようとする課題】 上記のような従来の偏光子は、入射光の一部を抜出す
ことにより、所望の直線偏光を得るものであるので、当
然、光の損失が発生するという問題点がある。 又、その結果得られた直線偏光の光を光検出器で検出
し、その検出器出力を取り扱う場合、ノイズの主要因が
光検出器のショットノイズである場合には、光量の減少
により検出器出力のS/Nが劣化するため、偏光子から出
射した光の取扱いが容易でないという問題点がある。 この発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたもの
であって、光が増幅されて損失がなく、且つ取り扱いが
容易な直線偏光光を得ることができるようにした偏光子
を提供することを目的とする。The conventional polarizer as described above obtains a desired linearly polarized light by extracting a part of incident light, and therefore, naturally, light loss occurs. There is a problem. In addition, when the linearly polarized light obtained as a result is detected by a photodetector and the detector output is handled, if the main cause of noise is shot noise of the photodetector, the detector will decrease due to a decrease in the amount of light. Since the output S / N is deteriorated, there is a problem that the light emitted from the polarizer is not easy to handle. The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and provides a polarizer capable of obtaining linearly polarized light that is amplified and has no loss and is easy to handle. With the goal.
この発明は、半導体光増幅器の増幅率が、TEモードと
TMモードに差があることに着目し、その増幅率の差を積
極的に増大、利用して、光増幅をしつつ直線偏光を得る
と共に半導体光増幅器の活性層の厚さを0.05μｍ以下と
することにより上記目的を達成するものである。 又、半導体光増幅器の光入出射端面の少なくとも一方
を、10゜＜θ＜16゜の角度に切出すことにより上記目的
を達成するものである。 更に、半導体光増幅器に、金属膜を施した光導波部分
を備えることにより上記目的を達するものである。 更に、前記半導体光増幅器の光入出射端面に反射防止
膜を施すことにより上記目的を達成するものである。 又、前記半導体光増幅器を、前記活性層の端面が窓領
域に臨み、該端面から窓領域に光を出射する端面窓構造
とすることにより上記目的を達成するものである。In this invention, the amplification factor of the semiconductor optical amplifier is TE mode.
Paying attention to the difference in TM mode, positively increasing and utilizing the difference in amplification factor to obtain linearly polarized light while performing optical amplification, and the thickness of the active layer of the semiconductor optical amplifier is set to 0.05 μm or less. By doing so, the above object is achieved. Further, the above object is achieved by cutting out at least one of the light input / output end faces of the semiconductor optical amplifier at an angle of 10 ° <θ <16 °. Further, the above-mentioned object is achieved by providing the semiconductor optical amplifier with an optical waveguide portion provided with a metal film. Further, the above object is achieved by providing an antireflection film on the light input / output end face of the semiconductor optical amplifier. Further, the above-mentioned object is achieved by providing the semiconductor optical amplifier with an end face window structure in which an end face of the active layer faces a window region and light is emitted from the end face to the window region.
この発明においては、半導体光増幅器の活性層の厚さ
を0.05μｍ以下として、TMモードの光が活性層を伝播し
難くし、TMモードの光増幅率を低下させると共に、相対
的に、TMモードの光増幅率を増大させて、所望の、増幅
した直線偏光を得るものである。 又、半導体光増幅器の光入出射端面の少なくとも一方
を10゜＜θ＜16゜の角度に切出すことによって、TMモー
ドの光に対する反射率と比較して、TMモードの光に対す
る反射率を大きくし、これにより、TMモードの光だけを
選択的に増幅されるようにして所望の直線偏光を得るこ
とができる。 又、金属膜を施した光導波部分を備えた半導体光増幅
器により、該金属膜に対して垂直な電界成分を持つTMモ
ードの光の損失を大きくし、TEモードの光だけが選択的
に増幅されるようにして所望の直線偏光を得ることがで
きる。In the present invention, the thickness of the active layer of the semiconductor optical amplifier is set to 0.05 μm or less to make it difficult for TM mode light to propagate through the active layer, lower the TM mode optical amplification factor, and relatively reduce the TM mode light. The optical amplification factor of is increased to obtain the desired amplified linearly polarized light. Further, by cutting at least one of the light input / output end faces of the semiconductor optical amplifier at an angle of 10 ° <θ <16 °, the reflectance for TM mode light is increased as compared with the reflectance for TM mode light. However, as a result, only the TM mode light can be selectively amplified to obtain the desired linearly polarized light. In addition, a semiconductor optical amplifier equipped with an optical waveguide part coated with a metal film increases the loss of TM mode light having an electric field component perpendicular to the metal film and selectively amplifies only TE mode light. Thus, desired linearly polarized light can be obtained.
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。 本発明の第１実施例は、第１図に示されるように、偏
光子10を、半導体光増幅器12と、この半導体光増幅器12
を駆動するための駆動装置14とから構成すると共に、半
導体光増幅器12の活性層を0.05μｍ、望ましくは0.02μ
ｍ程度と薄く構成したものである。 即ち、第２図に示されるように、例えば、SADH構造
（Self−Aligned Double Hetero structure）の半導
体光増幅器12は、アノード16側から、カソード18側に向
かって、Ａ層〜Ｉ層12A〜12Iを積層してなり、Ｆ層即ち
活性層12Fの厚さを、通常0.1μｍ程度であるものを、0.
05μｍ以下、望ましくは0.02μｍ程度と薄く構成されて
いる。 前記Ａ層12Aは、Au/Cr端子、Ｂ層は斜線部分にZnが拡
散されたP+−GaAs層、Ｃ層、Ｅ層及びＧ層12C、12E、12
Gは、組成を、Ga1−×Al×Asにおいて、ｘ＝0.37の比率
としたものであり、活性層12Fは、斜線部が実効的な活
性領域であり、幅約３μｍ、長さ200μｍであって、組
成はGa1−×Al×Asにおいて、ｘ＝0.28の比率とされて
いる。 上記のように、活性層12Fの厚さを通常と比較して薄
く構成した場合、TMモードの光は、該活性層12Fを伝播
し難くなり、その光増幅率が低下する。従って、相対的
にTEモードの光の増幅率が増大し、半導体光増幅器12を
通過した光は、所望の直線偏光であり、且つ大幅に増幅
されたものとなる。 次に、このTEモードとTMモードの増幅率の差について
詳細に説明する。 第３図に示されるように、マスタレーザ20からの光出
力を、端面反射率Ｒ、共振器長Ｌの半導体光増幅器22に
注入した際の増幅率Ｇ＝Pout/Pin（Pin、Poutは半導体
光増幅器22への入力信号及び出力信号パワー）は、光学
利得のあるファブリーペロ共振器内での多重反射の効果
として次の（１）式で与えられる。 第３図の符号24はアイソレータを示す。 Ｇ（φ）＝｛（１−Ｒ）2Gs｝ ／｛（１−RGs）２ ＋4GsRsin2（φ/2）｝ ……（１） ここに、Gsは共振器片道の利得であり、光閉込め関数
Γ、活性層光学利得ｇ、吸収係数αｉとにより、次の
（２）式が成立する。 Gs＝exp（Γｇ−αｉ）Ｌ ……（２） ここで、Gsは両端面の反射率を無視した場合（進行波
型増幅器）の増幅率を与える。 活性層12Fを薄くすると、TMモードの光に対する光閉
込め率ΓTMを小さくすることができ、従って、TMモード
のGsを小さくし、結果としてTMモードの増幅率Ｇを小さ
くすることができ、TMモード及びTEモードの増幅率をそ
れぞれGM、GEとすると、GE/GM＞10とすることができ
る。 なお、半導体光増幅器12の光入出射端面13A、13Bに、
反射防止膜15をコーティングするとよい。 次に、第４図〜第８図を参照して、第２実施例につい
て説明する。 この実施例は、第４図（第１図のトップビューに対応
している）に示されるように、光入出射端面26A、26B
を、10゜＜θ＜16゜の角度で切出した半導体光増幅器26
を含んで、偏光子28を構成したものである。図の符号26
Fは活性層を示す。 このように、光入出射端面26A、26Bに角度を与える
と、TEモードの光のみが効率良く増幅され、且つ選択さ
れることになる。 その理由を次に述べる。 まず、前述の（１）式において、φは共振器往復の位
相シフトであり、入力信号周波数νin（波長νin）、共
振周波数ν０（波長λ０）、共振器モードの実効屈折率
ng、光速ｃにより、 φ＝４π（νin−ν０）Lng/c ＝４πLng（1/λin−1/λ０） ……（３） で与えられる。 ここで、単純化して考えるために、νin＝ν０とする
と、φ＝０となり、 （１）式は、 Ｇ＝Pout/Pin ＝（１−Ｒ）2Gs/（１−RGs）２ ……（１′） となる。第１図の半導体光増幅器12において、Ｒ＝１％
の時Ｇ＝200が得られており、これらの値を（１′）の
式に代入してＧ＞Gsなる条件を考慮するとGs＝50である
ことがわかる。 ここで、Gs＝50を（１′）式に代入すると、ＲとＧの
関係は、第５図に示されるようになる。 第５図においては、利得ｇの飽和に関して考慮してい
ないので、Ｇの値は実際より大きくなっているが、Ｒ＝
0.01〜0.03が良好な反射率であることがわかる。 一方、第６図に示されるように、半導体光増幅器26
（屈折率n1＝3.5）において、入出射端面26A、26Bの角
度θに対して、TMモードの光とTMモードの光では、活性
層内の光が端面に到達したときの反射率が大きく異なる
角度がある。 この第６図から明らかなように、例えばθ＝15゜とす
れば、TEモードの光に対する反射率は0.02程度となり、
これに対してTMモードの光に対する反射率は0.6とな
る。 従って、第５図から、TMモードの光の増幅率Ｇに対し
て、TMモードの光の増幅率は無視できるほど小さくな
り、この結果、TEモードの光のみが効率良く増幅可能と
なる。 ここで、前述の（１）、（１′）式は、活性層内で反
射した光が活性層を戻って初めて成立するが、半導体光
増幅器の入出射端面に角度を持たせたとき、該端面から
の反射光が活性層へ再結合する割合は通常より小さくな
り、（１）式とのずれが生じる。そこで、第６図に示さ
れる反射特性を利用し、θ＝16゜とすれば、TEモードの
光に対するロスが零となり、そのままTEモードの光が出
射し、TMモードの光は70％程度反射して、活性層外にし
み出し、これがロスとなって、結果そしてTEモードの光
が効率良く選択して出射されることになる。 なお、光の入射方法については、θ＝16゜のとき、ス
ネルの法則1.sinψ＝3.5sin16゜より、ψ＝75゜とな
り、光入射端面26Aに対してψ＝75゜の入射角度で、光
を半導体光増幅器26に入射させればよいことになる。 ここで、3.5は、活性層の屈折率である。 なお、上記実施例において、光入出射端面26A、26B
に、反射防止膜をコーティングしてもよい。 この場合、反射防止膜の屈折率に対応した切出し角度
で、前記切出し角度θを決定し、TEモードの光のみが選
択的に増幅されるように構成する。 上記実施例は、半導体光増幅器26を、上方から見て平
行四辺形に形成したものであるが、この形状に限定され
るものでなく、例えば第７図（Ａ）に示される半導体光
増幅器27Aのように、上方から見て、長方形の左右半分
ずつを、平行四辺形の活性層29Aで連結するような形状
としてもよく、又、第７図（Ｂ）に示される半導体光増
幅器27Bのように、台形状に形成された活性層29Bによ
り、大きさの異なる長方形の半分ずつを連結する形状、
更には、第７図（Ｃ）で示される半導体光増幅器27Cの
ように、上方から見て全体を略台形状とするようにして
もよい。符号29Cは活性層を示す。 次に、第８図を参照して、第３実施例について説明す
る。 この実施例の半導体増幅器30は、金属膜31を施した光
導波部分32を備えたものである。 第８図の符号33は半導体光増幅器30における光増幅部
分を示す。 この実施例において、金属膜31は光導波部分32の活性
層32Aの上側に隣接して前記金属膜31が設けられてい
る。 上記のような半導体光増幅器30に光を入射させると、
TMモードの光が、前記金属膜31に対して垂直な電界成分
を持つために損失を受け、その結果、TEモードの光のみ
が選択的に増幅されることになる。 このため、半導体光増幅器30を経た光は、そのほとん
どが、増幅されたTEモードの光のみとなり、結果として
所望の直線偏光を増幅して得られることになる。 この実施例においても、半導体光増幅器30の光入出射
端面に反射防止膜をコーティングするとよい。 次に、第９図に示される、本発明の第４実施例につい
て説明する。 この実施例は、半導体光増幅器38（全体図示省略）に
おける活性層38Fの端面に透明な窓領域42を形成し、出
力光を端面から窓領域42に出射する端面窓構造としたも
のである。 この実施例においては、導波モードが、窓領域内に自
由空間モードとして伝播される際のビームの拡がりの差
を利用して、活性領域内への戻り光の結合効率をTMモー
ド光とTEモード光の間で差をもたせるものである。 即ち、TMモードの光は、縦断面図である第10図（Ａ）
で示されるように、窓領域42へ広角で出射するために、
端面からの活性層38Fへの戻り光量が少なく、結合効率
が低減される。 これに対して、横断面図である第10図（Ｂ）に示され
るように、TEモードの光はより狭角で、窓領域42へ出射
するので、TEモード光と比較して、活性層38Fの戻り光
量が多く、従って、結合効率が相対的に高いことにな
る。 TEモード及びTMモードの実効的な反射率Ｒを、それぞ
れ0.02及び0.005とすると、第５図からも明らかなよう
に、TEモードの光のみが効率く増幅されることになる。 本発明による偏光子の応用としては、第11図に示され
るように、電気光学素子を利用したＥ−Ｏ電圧測定器に
おける偏光子として利用できる。 図の符号56は偏光子、58はこの偏光子56を通過したプ
ローブ光が入射され、且つ被測定電気信号によって変調
を受けるＥ−Ｏ変調器、60はＥ−Ｏ変調器58からの出力
光を増幅する、本発明に係る光増幅偏光子、62は光増幅
偏光子60からの出力光を電気信号に変換する光検出器を
それぞれ示す。 この実施例においては、従来、偏光子において大きな
光の損失があったが、光増幅偏光子60によって、Ｅ−Ｏ
変調器58の出力光が増幅されるので、光検出器62の信号
のS/Nが良く、光増幅偏光子60以後の光の取扱いが容易
になるという利点がある。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1, a polarizer 10, a semiconductor optical amplifier 12, and a semiconductor optical amplifier 12 are provided.
And an active layer of the semiconductor optical amplifier 12 having a thickness of 0.05 μm, preferably 0.02 μm.
It is a thin structure of about m. That is, as shown in FIG. 2, for example, a semiconductor optical amplifier 12 having a SADH structure (Self-Aligned Double Hetero structure) has layers A to I 12A to 12I from the anode 16 side toward the cathode 18 side. And a thickness of the F layer, that is, the active layer 12F is usually about 0.1 μm.
The thickness is less than 05 μm, preferably about 0.02 μm. The A layer 12A is an Au / Cr terminal, the B layer is a P + -GaAs layer in which Zn is diffused in a hatched portion, the C layer, the E layer and the G layer 12C, 12E, 12
G is the composition of Ga 1 − × Al × As in the ratio of x = 0.37, and the active layer 12F has an effective active region with a hatched portion and has a width of about 3 μm and a length of 200 μm. Therefore, the composition is Ga 1 − × Al × As, and the ratio is x = 0.28. As described above, when the active layer 12F is made thinner than usual, it becomes difficult for TM-mode light to propagate through the active layer 12F, and the optical amplification factor thereof decreases. Therefore, the amplification factor of the TE mode light is relatively increased, and the light that has passed through the semiconductor optical amplifier 12 is the desired linearly polarized light and is significantly amplified. Next, the difference in amplification factor between the TE mode and the TM mode will be described in detail. As shown in FIG. 3, when the optical output from the master laser 20 is injected into the semiconductor optical amplifier 22 having the end facet reflectivity R and the cavity length L, the amplification factor G = Pout / Pin (Pin and Pout are semiconductors. The input signal and output signal power to the optical amplifier 22) is given by the following equation (1) as an effect of multiple reflection in the Fabry-Perot resonator having optical gain. Reference numeral 24 in FIG. 3 indicates an isolator. G (φ) = {(1-R) 2 Gs} / {(1-RGs) 2 + 4GsRsin 2 (φ / 2)} (1) where Gs is the gain of the one-way resonator, and the optical closure The following expression (2) is established by the inclusion function Γ, the active layer optical gain g, and the absorption coefficient αi. Gs = exp (Γg−αi) L (2) Here, Gs gives the amplification factor when the reflectances of both end surfaces are ignored (traveling wave amplifier). When the active layer 12F is made thin, the light confinement ratio Γ TM for TM mode light can be reduced, and therefore the Gs of the TM mode can be reduced, and as a result, the amplification factor G of the TM mode can be reduced. When the amplification factors of the TM mode and the TE mode are G M and G E , respectively, G E / G M > 10. In addition, the light input and output end faces 13A and 13B of the semiconductor optical amplifier 12,
It is preferable to coat the antireflection film 15. Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS. In this embodiment, as shown in FIG. 4 (corresponding to the top view of FIG. 1), the light entrance / exit end faces 26A, 26B are provided.
The semiconductor optical amplifier 26 cut out at an angle of 10 ° <θ <16 °
Is included in the polarizer 28. Reference number 26 in the figure
F indicates an active layer. As described above, when the light incident / exiting end faces 26A and 26B are angled, only the TE mode light is efficiently amplified and selected. The reason will be described below. First, in the above formula (1), φ is the phase shift of the round trip of the resonator, the input signal frequency νin (wavelength νin), the resonance frequency ν 0 (wavelength λ 0 ), and the effective refractive index of the resonator mode.
It is given by φ = 4π (νin−ν 0 ) Lng / c = 4πLng (1 / λin−1 / λ 0 ) ... (3) according to ng and the speed of light c. Here, for simplification and consideration, if νin = ν 0 , φ = 0, and the equation (1) is: G = Pout / Pin = (1-R) 2 Gs / (1-RGs) 2 (1 '). In the semiconductor optical amplifier 12 shown in FIG. 1, R = 1%
Then, G = 200 is obtained, and it is understood that Gs = 50 when these values are substituted into the equation (1 ′) and the condition G> Gs is taken into consideration. Here, when Gs = 50 is substituted into the equation (1 '), the relationship between R and G is as shown in FIG. In FIG. 5, since the saturation of the gain g is not taken into consideration, the value of G is larger than the actual value, but R =
It can be seen that 0.01 to 0.03 is a good reflectance. On the other hand, as shown in FIG.
At (refractive index n 1 = 3.5), the TM-mode light and TM-mode light have a large reflectance when the light in the active layer reaches the end face with respect to the angle θ of the input / output end faces 26A and 26B. There are different angles. As is clear from FIG. 6, if θ = 15 °, the reflectance for the TE mode light is about 0.02,
On the other hand, the reflectance for TM mode light is 0.6. Therefore, from FIG. 5, the amplification factor of the TM mode light becomes negligibly smaller than the amplification factor G of the TM mode light, and as a result, only the TE mode light can be efficiently amplified. Here, the above expressions (1) and (1 ′) are not satisfied until the light reflected in the active layer returns to the active layer. However, when the input / output end surface of the semiconductor optical amplifier has an angle, The rate at which the light reflected from the end face recombines with the active layer becomes smaller than usual, and a deviation from the formula (1) occurs. Therefore, if the reflection characteristics shown in Fig. 6 are used and θ = 16 °, the loss for TE mode light becomes zero, TE mode light is emitted as it is, and TM mode light is reflected by about 70%. Then, the light leaks out of the active layer, which becomes a loss, and as a result, TE mode light is efficiently selected and emitted. Regarding the incident method of light, when θ = 16 °, ψ = 75 ° from Snell's law 1.sinψ = 3.5sin16 °, and at the incident angle of ψ = 75 ° to the light incident end face 26A, It suffices if the light is incident on the semiconductor optical amplifier 26. Here, 3.5 is the refractive index of the active layer. In the above embodiment, the light incident / exiting end faces 26A, 26B
Alternatively, an antireflection film may be coated. In this case, the cutting angle θ is determined by the cutting angle corresponding to the refractive index of the antireflection film, and only the TE mode light is selectively amplified. In the above-described embodiment, the semiconductor optical amplifier 26 is formed in a parallelogram when viewed from above, but the shape is not limited to this. For example, the semiconductor optical amplifier 27A shown in FIG. As shown in FIG. 7B, the right and left halves of the rectangle may be connected by parallelogrammic active layers 29A, as shown in FIG. 7A, or as in the semiconductor optical amplifier 27B shown in FIG. 7B. In addition, by the trapezoidal active layer 29B, the shape of connecting the rectangular halves of different sizes,
Furthermore, as in the semiconductor optical amplifier 27C shown in FIG. 7C, the entire structure may be substantially trapezoidal when viewed from above. Reference numeral 29C indicates an active layer. Next, a third embodiment will be described with reference to FIG. The semiconductor amplifier 30 of this embodiment is provided with an optical waveguide portion 32 provided with a metal film 31. Reference numeral 33 in FIG. 8 indicates an optical amplification portion in the semiconductor optical amplifier 30. In this embodiment, the metal film 31 is provided adjacent to the upper side of the active layer 32A of the optical waveguide portion 32. When light is incident on the semiconductor optical amplifier 30 as described above,
The TM mode light is lost because it has an electric field component perpendicular to the metal film 31, and as a result, only the TE mode light is selectively amplified. Therefore, most of the light that has passed through the semiconductor optical amplifier 30 is only the amplified TE mode light, and as a result, the desired linearly polarized light is amplified and obtained. Also in this embodiment, the light input / output end face of the semiconductor optical amplifier 30 may be coated with an antireflection film. Next, a fourth embodiment of the present invention shown in FIG. 9 will be described. In this embodiment, a transparent window region 42 is formed on the end face of an active layer 38F in a semiconductor optical amplifier 38 (the entire illustration is omitted), and an end face window structure is provided in which output light is emitted from the end face to the window region 42. In this embodiment, the guided mode is used as a free space mode to propagate as a free space mode, and the difference in beam divergence is used to determine the coupling efficiency of the returning light into the active region with the TE mode light. It makes a difference between the mode lights. That is, the TM mode light is a longitudinal sectional view of FIG. 10 (A).
In order to emit at a wide angle to the window area 42,
The amount of light returning from the end face to the active layer 38F is small, and the coupling efficiency is reduced. On the other hand, as shown in FIG. 10 (B) which is a cross-sectional view, the TE mode light has a narrower angle and is emitted to the window region 42. 38F has a large amount of returned light, and thus the coupling efficiency is relatively high. Assuming that the effective reflectances R of the TE mode and the TM mode are 0.02 and 0.005, respectively, as is apparent from FIG. 5, only the TE mode light is efficiently amplified. As an application of the polarizer according to the present invention, as shown in FIG. 11, it can be used as a polarizer in an EO voltage measuring device using an electro-optical element. In the figure, reference numeral 56 is a polarizer, 58 is an EO modulator to which the probe light passing through the polarizer 56 is incident, and is modulated by an electric signal to be measured, and 60 is an output light from the EO modulator 58. The reference numeral 62 designates a light amplifying polarizer according to the present invention for amplifying light, and 62 denotes a photodetector for converting the output light from the light amplifying polarizer 60 into an electric signal. In this embodiment, there was a large loss of light in the polarizer in the related art.
Since the output light of the modulator 58 is amplified, there is an advantage that the signal of the photodetector 62 has a good S / N and the light after the light amplifying polarizer 60 can be easily handled.
第１図は本発明に係る偏光子の実施例を示すブロック
図、第２図は、同実施例における半導体光増幅器を示す
断面図、第３図は半導体光増幅器の作用を示すブロック
図、第４図は本発明の第２実施例に係る偏光子の半導体
光増幅器を示す平面図、第５図は半導体光増幅器におけ
る増幅率と、光入出射端面の反射率との関係を示す線
図、第６図は半導体光増幅器の活性層の屈折率を3.5と
した場合の、光入出射端面における反射率及び光入出射
端面の切出し角度との関係を示す線図、第７図は第４図
の実施例の変形例を示す平面図、第８図は本発明の第３
実施例に係る半導体光増幅器を示す斜視図、第９図は本
発明の第４実施例に係る半導体光増幅器の要部を拡大し
て示す断面図、第10図は同要部における光の拡がり及び
反射の状態を示す断面図、第11図は本発明に係る偏光子
をＥ−Ｏ電圧測定器に用いた場合を示すブロック図であ
る。 10、28……偏光子、 12、26、27A〜27C、30、36、38……半導体光増幅器、 12F、26F、38F……活性層、 13A、26A、29A〜29C……光入射端面、 13B、26B……光出射端面、 14……駆動装置、 15……反射防止膜、 31……金属膜、 32……光導波部分、 33……光増幅部分、 40……へき開面、 42……窓領域、 58……Ｅ−Ｏ変調器、 60……光増幅偏光子。1 is a block diagram showing an embodiment of a polarizer according to the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing a semiconductor optical amplifier in the same embodiment, and FIG. 3 is a block diagram showing an operation of the semiconductor optical amplifier. FIG. 4 is a plan view showing a semiconductor optical amplifier of a polarizer according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the amplification factor of the semiconductor optical amplifier and the reflectance of the light input / output end face. FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the reflectance at the light incident / exiting end face and the cut-out angle of the light incident / emitting end face when the refractive index of the active layer of the semiconductor optical amplifier is 3.5, and FIG. 7 is FIG. FIG. 8 is a plan view showing a modification of the embodiment of FIG.
FIG. 9 is a perspective view showing a semiconductor optical amplifier according to an embodiment, FIG. 9 is an enlarged sectional view showing an essential part of a semiconductor optical amplifier according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a spread of light in the same part. FIG. 11 is a block diagram showing a case where the polarizer according to the present invention is used in an EO voltage measuring device, and FIG. 10, 28 ... Polarizer, 12, 26, 27A to 27C, 30, 36, 38 ... Semiconductor optical amplifier, 12F, 26F, 38F ... Active layer, 13A, 26A, 29A to 29C ... Light incident end face, 13B, 26B ... Light emitting end face, 14 ... Driving device, 15 ... Antireflection film, 31 ... Metal film, 32 ... Optical waveguide part, 33 ... Optical amplification part, 40 ... Cleaved surface, 42 ... … Window area, 58 …… EO modulator, 60 …… Light amplification polarizer.
Claims (6)
と、この半導体光増幅器の駆動装置と、を有してなり、
前記半導体光増幅器は、活性層の厚さが0.05μｍ以下と
されたことを特徴とする偏光子。1. A semiconductor optical amplifier for amplifying TE mode light, and a driving device for the semiconductor optical amplifier,
The semiconductor optical amplifier according to claim 1, wherein the active layer has a thickness of 0.05 μm or less.
光共振器構造であり、光入出射端面の少なくとも一方
が、10゜＜θ＜16゜の角度に切出されたことを特徴とす
る偏光子。2. The semiconductor optical amplifier according to claim 1, wherein the semiconductor optical amplifier has an optical resonator structure, and at least one of the light input / output end faces is cut out at an angle of 10 ° <θ <16 °. Polarizer.
幅器は、金属膜を施した光導波部分を備えたことを特徴
とする偏光子。3. The polarizer according to claim 1, wherein the semiconductor optical amplifier includes an optical waveguide portion provided with a metal film.
半導体光増幅器は、その光入出射端面に反射防止膜が施
されたことを特徴とする偏光子。4. The polarizer according to claim 1, wherein the semiconductor optical amplifier is provided with an antireflection film on its light input / output end face.
半導体光増幅器は前記活性層の端面が窓領域に臨み、該
端面から窓領域に光を出射する端面窓構造であることを
特徴とする偏光子。5. The semiconductor optical amplifier according to claim 1, wherein the semiconductor optical amplifier has an end face window structure in which an end face of the active layer faces a window region and light is emitted from the end face to the window region. Polarizer to do.
半導体光増幅器は、直列に複数個接続可能とされたこと
を特徴とする偏光子。6. The polarizer according to claim 1, wherein a plurality of the semiconductor optical amplifiers can be connected in series.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2171582A JP2675179B2 (en) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | Polarizer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2171582A JP2675179B2 (en) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | Polarizer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0460523A JPH0460523A (en) | 1992-02-26 |
| JP2675179B2 true JP2675179B2 (en) | 1997-11-12 |
Family
ID=15925829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2171582A Expired - Fee Related JP2675179B2 (en) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | Polarizer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2675179B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3640201B2 (en) * | 1997-12-26 | 2005-04-20 | 株式会社ミツトヨ | Surface texture measuring machine |
| JP2012026736A (en) | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Mitsutoyo Corp | Skid washing method of surface roughness testing machine |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58197930A (en) * | 1982-05-14 | 1983-11-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical demultiplexer |
| JPS59200486A (en) * | 1983-04-27 | 1984-11-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Light amplifying device by optical fiber |
-
1990
- 1990-06-29 JP JP2171582A patent/JP2675179B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0460523A (en) | 1992-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5198921A (en) | Light amplifying polarizer | |
| Simon | GaInAsP semiconductor laser amplifiers for single-mode fiber communications | |
| US4111521A (en) | Semiconductor light reflector/light transmitter | |
| JPH02146778A (en) | Light emitting diode | |
| US20140078580A1 (en) | Optical amplifier device | |
| US7693194B2 (en) | Fundamental-wave light source and wavelength converter | |
| JP2001189519A (en) | Semiconductor laser device | |
| JP2675179B2 (en) | Polarizer | |
| JPH01289287A (en) | Semiconductor optical amplification element | |
| JP4106210B2 (en) | Optical semiconductor device | |
| JPH11191656A (en) | Photosemiconductor device | |
| JP2004266095A (en) | Semiconductor optical amplifier | |
| JP2744455B2 (en) | Optical amplifier and optical device | |
| KR100754956B1 (en) | Semiconductor laser device and laser system | |
| JP2526934B2 (en) | Optical amplifier | |
| JP2002071386A (en) | Method and device for measuring strain or the like, and laser light source | |
| JPH10290052A (en) | Semiconductor laser | |
| JPH0511609B2 (en) | ||
| JP7309144B2 (en) | Semiconductor optical amplifier, optical output device, and distance measuring device | |
| Alphonse et al. | Low spectral modulation high‐power output from a new AlGaAs superluminescent diode/optical amplifier structure | |
| JP2546366B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JP2718995B2 (en) | Traveling-wave semiconductor laser amplifier | |
| JP2000252583A (en) | Semiconductor laser and light wavelength converter | |
| JP2827128B2 (en) | Optical amplifier and optical communication system using the same | |
| JPS63278290A (en) | Semiconductor laser and its use |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |