JP2672408B2 - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JP2672408B2
JP2672408B2 JP3054941A JP5494191A JP2672408B2 JP 2672408 B2 JP2672408 B2 JP 2672408B2 JP 3054941 A JP3054941 A JP 3054941A JP 5494191 A JP5494191 A JP 5494191A JP 2672408 B2 JP2672408 B2 JP 2672408B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、マイクロプロセッサ、
周辺回路などそれぞれ独立した機能を持つ複数の回路ブ
ロックを1つの半導体チップ上に形成した半導体集積回
路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a microprocessor,
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit in which a plurality of circuit blocks each having an independent function such as a peripheral circuit are formed on one semiconductor chip.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体集積回路の製造技術向上に
伴い、マイクロプロセッサ、周辺回路などそれぞれ独立
した論理機能を持つ回路ブロックを1つの半導体チップ
上に形成した特定用途向け集積回路(以下、ASICと
呼ぶ)などの複合集積回路が開発されている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the improvement of manufacturing technology of semiconductor integrated circuits, application-specific integrated circuits (hereinafter referred to as ASICs) in which circuit blocks having independent logical functions such as microprocessors and peripheral circuits are formed on one semiconductor chip. Called)) is being developed.

【0003】上述したASICの設計には、たとえばメ
ガセル方式と呼ばれる手法が用いられる。ここでいうメ
ガセルとは、基本の回路ブロックつまり基本セルを多数
組み合わせて所定の機能を持つ1個の回路ブロックに構
成したものである。このメガセル方式では、上記メガセ
ルを1個または複数個用いて所望の機能を持つLSI
(Large Scale Integrated circuit;大規模集積回路)
が設計される。
A method called a mega cell method is used for designing the above-mentioned ASIC. The mega cell referred to here is one in which a plurality of basic circuit blocks, that is, basic cells, are combined into one circuit block having a predetermined function. In this mega cell system, an LSI having a desired function by using one or more of the above mega cells
(Large Scale Integrated circuit)
Is designed.

【0004】図4は、上記メガセル方式で設計されたL
SIの半導体チップ1上での構成を概略的に示すブロッ
ク図であり、ここでは3個のメガセル2a,2b,2c
でLSIが構成されている。
FIG. 4 shows an L designed by the above megacell system.
FIG. 2 is a block diagram schematically showing the configuration of SI on a semiconductor chip 1, in which three mega cells 2a, 2b, 2c are shown.
The LSI is composed of.

【0005】このようなメガセル方式で設計されたLS
Iの場合、各メガセルの機能自体が複雑であるばかりで
なく、個々のメガセル間も互いに信号線で接続されてい
るために、そのテストをチップ全体で一度に行おうとす
ると、テストが非常に困難になってくる。
LS designed by such a megacell system
In the case of I, not only is the function of each megacell complicated, but the connection between individual megacells is also connected to each other by a signal line, which makes the test extremely difficult when the entire chip is tested at once. Is becoming.

【0006】そこで、従来、このようなLSIのテスト
では、個々のメガセル別にテストを行う手法が採用され
ている。そのテスト方法の1つとして、メガセルを制御
する命令を持つプログラムを用いて、テスト対象の1個
のメガセルだけを動作状態にし、他の全てのメガセルを
非動作状態にして、テストを行う方法が知られている。
Therefore, conventionally, in such an LSI test, a method of performing a test for each individual megacell has been adopted. As one of the test methods, there is a method in which a program having an instruction to control a megacell is used to set only one megacell to be tested in an operating state and all other megacells are in a non-operating state to perform a test. Are known.

【0007】図5は、そのテスト方法の説明に用いるL
SIの概略的な構成を示すブロック図であり、図6は、
そのテスト方法の手順を示すタイミングチャートであ
る。図5では、マイクロプロセッサのCPU部分のみを
メガセルにしたCPUコア3と、直接メモリアクセス機
能を持つメガセルであるDMAセル4とでLSIが構成
されている。
FIG. 5 shows L used to explain the test method.
FIG. 6 is a block diagram showing a schematic configuration of SI, and FIG.
It is a timing chart which shows the procedure of the test method. In FIG. 5, an LSI is composed of a CPU core 3 in which only the CPU portion of the microprocessor is a mega cell and a DMA cell 4 which is a mega cell having a direct memory access function.

【0008】次に、図5および図6を参照して、上記テ
スト方法の概要を説明する。ここでは、先にCPUコア
3のテストを行い、次にDMAセル4のテストを行うも
のとする。
Next, the outline of the test method will be described with reference to FIGS. 5 and 6. Here, the CPU core 3 is tested first, and then the DMA cell 4 is tested.

【0009】まず、テスト期間(t0〜t1)において、
DMAセル4を非動作状態にする。この手順は次の通り
である。テスト用アドレスバスA0〜A15から各メガ
セル3,4に命令を与えるテストプログラム中に、最初
の命令として、CPUコア3からデータバスD0〜D7
を通じてDMAセル4に対して、DMAセル4を非動作
状態にするデータを送らせる命令を用意する。この命令
をCPUコア3が実行することによって、DMAセル4
は非動作状態となる。
First, in the test period (t0 to t1),
The DMA cell 4 is put into a non-operating state. The procedure is as follows. In the test program which gives an instruction from the test address buses A0 to A15 to each of the megacells 3 and 4, the CPU core 3 sends the data bus D0 to D7 as the first instruction.
Through, prepares an instruction to send data to the DMA cell 4 to put the DMA cell 4 into an inactive state. When the CPU core 3 executes this instruction, the DMA cell 4
Becomes inactive.

【0010】次のテスト期間(t1〜t2)において、C
PUコア3のテストを実施する。
During the next test period (t1 to t2), C
The PU core 3 is tested.

【0011】テストが終了すると、次のテスト期間
(t2〜t3)において、CPUコア3を非動作状態にし、
かつDMAセル4を動作状態にする。この手順は次の通
りである。テスト用アドレスバスA0〜A15からの命
令で、CPUコア3をBUSRQイネーブル状態に設定
する。ついで、CPUコア3からデータバスD0〜D7
を通じてDMAセル4に対して、DMAセル4からバス
リクエスト通信線BUSRQを通じてBUSRQ要求を
出力させるデータを送らせる。これによって、DMAセ
ル4からのBUSRQをCPUコア3が受け付け、CP
Uコア3は非動作状態となる。
When the test is completed, the CPU core 3 is deactivated in the next test period (t2 to t3),
In addition, the DMA cell 4 is put into operation. The procedure is as follows. The CPU core 3 is set to the BUSRQ enabled state by an instruction from the test address buses A0 to A15. Then, from the CPU core 3 to the data buses D0 to D7
Via the bus request communication line BUSRQ to the DMA cell 4 via the bus request communication line BUSRQ. As a result, the CPU core 3 receives the BUSRQ from the DMA cell 4, and the CP
The U core 3 is in a non-operating state.

【0012】次のテスト期間(t3〜t4)において、D
MAセル4のテストを実施する。このようにして、各メ
ガセル3,4を個別にテストできる。
During the next test period (t3 to t4), D
The MA cell 4 is tested. In this way, each megacell 3, 4 can be tested individually.

【0013】上記テスト方法では、テスト対象外のメガ
セルを非動作状態に設定する処理のために、テスト対象
メガセルおよびテスト対象外のメガセルのレジスタやフ
リップフロップの状態が変化してしまう。これを避ける
のに、以下に示す別のテスト方法も従来から行われてい
る。
In the above-mentioned test method, the state of the registers and flip-flops of the test-target megacell and the non-test-target megacell changes due to the processing for setting the non-test-target megacell to the non-operating state. In order to avoid this, another test method shown below has been conventionally used.

【0014】図7は、その別のテスト方法が採用される
LSIの構成を概略的に示すブロック図である。各メガ
セル5a,5bには、それぞれテスト用信号線6ai ,
6ao ,6bi ,6bo が接続されていて、これらのテ
スト用信号線はそれぞれ接続回路7ai,7ao ,7b
i,7bo を介してテスト共通信号線8i,8oに接続
され、そのテスト共通信号線8i,8oはそれぞれ対応
するテスト用入力端子9i,9oに接続されている。
FIG. 7 is a block diagram schematically showing the structure of an LSI to which the other test method is adopted. Each of the megacells 5a and 5b has a test signal line 6ai,
6ao, 6bi and 6bo are connected, and these test signal lines are connected to connection circuits 7ai, 7ao and 7b, respectively.
The test common signal lines 8i and 8o are connected via i and 7bo, and the test common signal lines 8i and 8o are connected to the corresponding test input terminals 9i and 9o, respectively.

【0015】また、上記テスト用信号線のうちメガセル
5aのテスト用信号線6ai ,6ao に対応する接続回
路7ai ,7ao にはテスト設定信号線10aを介して
テスト設定用端子11aが接続され、上記テスト用信号
線のうちメガセル5bのテスト用信号線6bi ,6bo
に対応する接続回路7bi ,7bo にはテスト設定信号
線10bを介してテスト設定用端子11bが接続されて
いる。
Among the test signal lines, the test setting terminals 11a are connected to the connecting circuits 7ai and 7ao corresponding to the test signal lines 6ai and 6ao of the megacell 5a through the test setting signal line 10a. Of the test signal lines, test signal lines 6bi and 6bo of the megacell 5b
A test setting terminal 11b is connected to the connecting circuits 7bi and 7bo corresponding to the above-mentioned circuit via a test setting signal line 10b.

【0016】図7を参照して、この場合のテスト方法を
以下に説明する。ここでは、メガセル5aをテスト対象
とし、メガセル5bをテスト対象から除外する場合を示
す。各接続回路7ai ,7ao ,7bi ,7bo は、対
応するテスト設定用端子11a,11bから入力される
テスト設定信号TA,TBがハイレベルのとき対応する
テスト用信号線を対応するテスト共通信号線に接続し、
テスト設定信号TA,TBがローレベルのときテスト共
通信号線から切離す。
The test method in this case will be described below with reference to FIG. Here, the case where the mega cell 5a is the test target and the mega cell 5b is excluded from the test target is shown. Each of the connection circuits 7ai, 7ao, 7bi, 7bo makes the corresponding test signal line a corresponding test common signal line when the test setting signals TA, TB input from the corresponding test setting terminals 11a, 11b are at a high level. connection,
When the test setting signals TA and TB are at a low level, the test common signal line is disconnected.

【0017】いま、テスト設定信号TAをハイレベルに
すると、メガセル5aに対応する接続回路7ai ,7a
o はテスト用信号線6ai ,6ao を、それぞれ対応す
るテスト共通信号線8i,8oに接続する。
Now, when the test setting signal TA is set to the high level, the connection circuits 7ai and 7a corresponding to the mega cell 5a are formed.
o connects the test signal lines 6ai and 6ao to the corresponding test common signal lines 8i and 8o, respectively.

【0018】このとき、テスト用入力端子9iから入力
されるテストデータは、テスト共通通信線8i、接続回
路7ai 、テスト用信号線6ai を介してメガセル5a
に入力され、またメガセル5aから出力される信号は、
テスト用信号線6ao 、接続回路7ao 、テスト共通信
号線8oを介してテスト用出力端子9oに導出される。
したがって、テストデータに応じたメガセル5aの動作
を半導体チップ外部で評価できる。
At this time, the test data input from the test input terminal 9i is the mega cell 5a via the test common communication line 8i, the connection circuit 7ai, and the test signal line 6ai.
The signal input to and output from the megacell 5a is
It is led to the test output terminal 9o through the test signal line 6ao, the connection circuit 7ao, and the test common signal line 8o.
Therefore, the operation of the mega cell 5a according to the test data can be evaluated outside the semiconductor chip.

【0019】他のメガセル5bについても、同様の手順
によって単独にテストを行うことができる。
The other mega cells 5b can be independently tested by the same procedure.

【0020】[0020]

【発明が解決しようとする課題】図7に示した従来の半
導体集積回路においては、各メガセルの内部状態を変え
ることなく、個別にメガセルのテストを行うことはでき
るものの、メガセル5a,5bの数に応じたテスト設定
端子11a,11bが必要になるので、メガセルが増大
するにつれてパッケージのピン数が増加するという問題
点を有する。
In the conventional semiconductor integrated circuit shown in FIG. 7, the megacells can be individually tested without changing the internal state of each megacell, but the number of megacells 5a and 5b is increased. Since the test setting terminals 11a and 11b corresponding to the above are required, the number of pins of the package increases as the number of mega cells increases.

【0021】したがって、本発明の目的は、内部状態を
変えることなく、かつパッケージのピン数を増加させる
ことなく、回路ブロック別にテストすることのできる半
導体集積回路を提供することである。
Therefore, an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit which can be tested for each circuit block without changing the internal state and without increasing the number of pins of the package.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】本発明は、それぞれ独立
した機能を持つ複数の回路ブロックを1つの半導体チッ
プ上に形成した半導体集積回路において、前記各回路ブ
ロックと半導体チップ外部との間でテスト信号の入出力
を行う各回路ブロックに共通のテスト用信号線と、実動
作時に前記各回路ブロックの信号の入出力に使用される
通常信号線に対応付けて設けられ、通常信号線および前
記テスト用信号線を選択的に回路ブロックに接続する接
続切換え回路と、前記各回路ブロックに対応付けて設け
られ、前記テスト用信号線を介して半導体チップ外部か
ら入力される回路ブロック指定用テスト信号を受けて、
そのテスト信号が対応する回路ブロックを指定している
とき、当該回路ブロックに対応する前記接続切換え回路
を、回路ブロックに通常信号線を接続させる状態からテ
スト用信号線を接続させる状態に切換え制御し、かつ前
記回路ブロック指定用テスト信号が対応する回路ブロッ
クを指定していないとき、当該回路ブロックに対応する
前記接続切換え回路を、通常信号線およびテスト用信号
線のいずれもが回路ブロックから切離された状態に切換
え制御するテスト検出回路とを含むことを特徴とする半
導体集積回路である。
According to the present invention, in a semiconductor integrated circuit in which a plurality of circuit blocks each having an independent function are formed on one semiconductor chip, a test is performed between each of the circuit blocks and the outside of the semiconductor chip. A test signal line common to each circuit block that inputs and outputs signals and a normal signal line used for inputting and outputting signals of each circuit block during actual operation are provided in association with each other. Connection switching circuit for selectively connecting a signal line for a circuit to a circuit block, and a circuit block designating test signal which is provided in association with each of the circuit blocks and is input from outside the semiconductor chip through the test signal line. receive,
When the test signal designates the corresponding circuit block, the connection switching circuit corresponding to the circuit block is switched from the state in which the normal signal line is connected to the circuit block to the state in which the test signal line is connected. When the circuit block designating test signal does not designate the corresponding circuit block, the connection switching circuit corresponding to the circuit block is disconnected from the circuit block by both the normal signal line and the test signal line. And a test detection circuit for controlling switching to a selected state.

【0023】[0023]

【作用】本発明に従えば、テスト用信号線を通じて半導
体チップ外部から1つの回路ブロックを指定するテスト
信号が入力されると、指定対象の回路ブロックに対応す
るテスト検出回路はその回路ブロックに対応する接続切
換え回路を、通常信号線を回路ブロックに接続させる状
態からテスト用信号線を回路ブロックに接続させる状態
に切換えさせると共に、指定対象外の他の回路ブロック
に対応するテスト検出回路はそれらの回路ブロックに対
応する接続切換え回路を、通常信号線およびテスト用信
号線のいずれも回路ブロックから切離した状態に切換え
させる。その結果、指定された回路ブロックだけにテス
ト用信号線が接続された状態となり、そのテスト用信号
線を通じて指定された回路ブロックの単独テストを行う
ことができる。
According to the present invention, when a test signal designating one circuit block is input from outside the semiconductor chip through the test signal line, the test detection circuit corresponding to the designated circuit block corresponds to that circuit block. The connection switching circuit is switched from the state in which the normal signal line is connected to the circuit block to the state in which the test signal line is connected to the circuit block, and the test detection circuits corresponding to other circuit blocks that are not designated are The connection switching circuit corresponding to the circuit block is switched to a state in which both the normal signal line and the test signal line are disconnected from the circuit block. As a result, the test signal line is connected only to the designated circuit block, and the individual test of the designated circuit block can be performed through the test signal line.

【0024】[0024]

【実施例】図1は、本発明の一実施例である半導体集積
回路の要部の概略的な構成を示すブロック図である。こ
の半導体集積回路は、複数のメガセルを1つの半導体チ
ップ12上に形成して構成したLSIであって、図1で
はそのうちの1つのメガセル13だけが示されている。
1 is a block diagram showing a schematic structure of a main portion of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention. This semiconductor integrated circuit is an LSI configured by forming a plurality of mega cells on one semiconductor chip 12, and only one mega cell 13 among them is shown in FIG.

【0025】メガセルテスト用回路30は、任意の1つ
のメガセル13だけをテスト可能な接続状態に設定する
ための回路であり、各メガセル13に1対1に対応付け
て設けられている。
The megacell test circuit 30 is a circuit for setting only one arbitrary megacell 13 into a testable connection state, and is provided in a one-to-one correspondence with each megacell 13.

【0026】上記メガセルテスト用回路30は、メガセ
ル13の各入出力部I/O−1,I/O−2,…,I/
O−Nを、実動作時に使用される通常ライン14および
テスト用データバスライン15D0,15D1,…,15D7
(以下、テスト用データバスライン一般を表すときには
符号15で示す)のいずれかに択一的に接続する接続切
換え回路16−1,16−2,…16−N(以下、接続
切換え回路一般を表すときには符号16で示す)と、上
記テスト用データバス15を通じて半導体チップ12外
部から与えられるメガセル指定用テスト信号に基づき、
接続切換え回路16の切換え状態を制御するテスト検出
回路17とで構成されている。
The megacell test circuit 30 includes the input / output units I / O-1, I / O-2, ..., I / O of the megacell 13.
ON to N are used as a normal line 14 and a test data bus line 15D0, 15D1, ..., 15D7 used in actual operation.
16-N (hereinafter, referred to as a general connection switching circuit in general). When indicated, it is indicated by reference numeral 16) and a test signal for mega cell designation given from the outside of the semiconductor chip 12 through the test data bus 15
It is composed of a test detection circuit 17 for controlling the switching state of the connection switching circuit 16.

【0027】上記テスト検出回路17には、テストモー
ド信号線18が接続されている。このテストモード信号
線18および上記テスト用データバス15は、それぞれ
半導体チップ12外部の端子19,20に接続されてい
る。
A test mode signal line 18 is connected to the test detection circuit 17. The test mode signal line 18 and the test data bus 15 are connected to terminals 19 and 20 outside the semiconductor chip 12, respectively.

【0028】図2は、上記接続切換え回路16およびテ
スト検出回路17の具体的な構成を示す回路図である。
テスト検出回路17は、メガセル番号一致判断回路21
と、NORゲート22と、ANDゲート23とで構成さ
れている。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a specific configuration of the connection switching circuit 16 and the test detection circuit 17.
The test detection circuit 17 includes a megacell number match determination circuit 21.
, A NOR gate 22 and an AND gate 23.

【0029】メガセル番号一致判断回路21は、上記テ
スト用データバスライン15を通じて半導体チップ12
外部から与えられるメガセル指定用テスト信号に含まれ
るメガセル番号が、対応するメガセル13に予め割付け
られているメガセル番号と一致するか否かを判断するた
めの回路である。
The megacell number coincidence determination circuit 21 receives the semiconductor chip 12 through the test data bus line 15.
This is a circuit for determining whether or not the mega cell number included in the mega cell designating test signal given from the outside matches the mega cell number previously assigned to the corresponding mega cell 13.

【0030】このメガセル番号一致判断回路21の出力
と、上記テストモード信号線18を通じて半導体チップ
12外部からテスト検出回路17に入力されてくるモー
ド指定信号とがNORゲート22の2入力として与えら
れ、その出力は第1の接続切換え信号S1として接続切
換え回路16に送られる。
The output of the mega cell number coincidence judging circuit 21 and the mode designating signal inputted from the outside of the semiconductor chip 12 to the test detecting circuit 17 through the test mode signal line 18 are given as two inputs of the NOR gate 22, The output is sent to the connection switching circuit 16 as the first connection switching signal S1.

【0031】また、ANDゲート23にも、メガセル番
号一致判断回路21の出力とモード指定信号とが2入力
として与えられ、そのANDゲート23の出力は第2の
接続切換え信号S2として接続切換え回路16に送られ
る。
The AND gate 23 is also supplied with the output of the megacell number coincidence judging circuit 21 and the mode designating signal as two inputs, and the output of the AND gate 23 is the second connection switching signal S2 as the connection switching circuit 16 Sent to.

【0032】各接続切換え回路16は、2つの入力用3
ステートゲート24a,24bと、2つの出力用3ステ
ートゲート25a,25bとで構成されている。1つの
入力用3ステートゲート24aはメガセル13の1つの
入力部と通常ライン14の1本との間に介挿され、他の
1つの入力用3ステートゲート24bはメガセル13の
同じ入力部とテスト用データバスライン19の1本との
間に介挿されている。
Each connection switching circuit 16 has two inputs 3
It is composed of state gates 24a and 24b and two output 3-state gates 25a and 25b. One input 3-state gate 24a is interposed between one input of the megacell 13 and one of the normal lines 14, and the other one input 3-state gate 24b is tested with the same input of the megacell 13. It is inserted between one of the data bus lines 19 for use.

【0033】また、1つの出力用3ステートゲート25
aはメガセル13の1つの出力部と通常ライン14の1
本との間に介挿され、他の1つの出力用3ステートゲー
ト25bはメガセル13の同じ出力部とテスト用データ
バスライン19の1本との間に介挿されている。
Further, one output 3-state gate 25
a is one output of the mega cell 13 and one of the normal lines 14.
The other output 3-state gate 25b is inserted between the same output section of the mega cell 13 and one of the test data bus lines 19.

【0034】テスト検出回路17におけるNORゲート
22からの接続切換え信号S1は、上記入力用3ステー
トゲート24aおよび出力用3ステートゲート25aの
制御信号として与えられる。また、テスト検出回路17
におけるANDゲート23からの接続切換え信号S2
は、上記入力用3ステートゲート24bおよび出力用3
ステートゲート25bの制御信号として与えられる。
The connection switching signal S1 from the NOR gate 22 in the test detection circuit 17 is given as a control signal for the input 3-state gate 24a and the output 3-state gate 25a. In addition, the test detection circuit 17
Connection switching signal S2 from the AND gate 23 in
Is the input 3-state gate 24b and the output 3-state gate 24b.
It is given as a control signal for the state gate 25b.

【0035】図3は、上記メガセル番号一致判断回路2
1の具体的な構成を示す回路図である。ここでは、テス
ト用データバス15の本数に対応させた個数のEX−N
ORゲート260〜267(以下、EX−NORゲート一
般を表すときには符号26で示す)と、ANDゲート2
7と、フリップフロップ28とで構成されている。
FIG. 3 shows the megacell number matching judgment circuit 2 described above.
It is a circuit diagram which shows the specific structure of 1. Here, EX-N of the number corresponding to the number of test data buses 15 is used.
OR gates 26 0 to 26 7 (hereinafter denoted by reference numeral 26 when representing an EX-NOR gate in general) and an AND gate 2
7 and a flip-flop 28.

【0036】各EX−NORゲート26は、テスト用デ
ータバスライン15の1本からのテスト信号と、ハイレ
ベル(2値のうちの「1」に相当。以下、同じ)または
ローレベル(2値のうちの「0」に相当。以下、同じ)
に予め設定されるメガセル番号参照用の信号とをそれぞ
れ2入力として与えられる。各EX−NORゲート26
に対応する上記メガセル番号参照用信号は、対応する回
路ブロック13に割付けられたメガセル番号を示す2値
データとなるように設定される。すなわち、メガセル番
号一致判断回路21には、対応する回路ブロック13に
割付けられたメガセル番号が、EX−NORゲート26
の各1入力として予め設定されている。
Each EX-NOR gate 26 receives a test signal from one of the test data bus lines 15 and a high level (corresponding to "1" of the two values. The same applies hereinafter) or a low level (two values). Equivalent to "0" of the above.
And a signal for referring to the mega cell number which is set in advance to each of the two. Each EX-NOR gate 26
The mega cell number reference signal corresponding to is set to be binary data indicating the mega cell number assigned to the corresponding circuit block 13. That is, in the megacell number coincidence determination circuit 21, the megacell number assigned to the corresponding circuit block 13 is the EX-NOR gate 26.
Is set in advance as one input for each.

【0037】各EX−NORゲート26の出力は、次段
のANDゲート27の入力として与えられ、ANDゲー
ト27の出力は次段のフリップフロップ28のデータ入
力として与えられる。また、テストモード信号線18を
介して入力されるテスト信号は、フリップフロップ28
のクロック信号およびリセット信号として与えられ、フ
リップフロップ28のデータ出力がメガセル一致判断回
路21の出力とされる。
The output of each EX-NOR gate 26 is given as an input of the AND gate 27 of the next stage, and the output of the AND gate 27 is given as a data input of the flip-flop 28 of the next stage. Further, the test signal input through the test mode signal line 18 is the flip-flop 28.
, And the data output of the flip-flop 28 becomes the output of the megacell coincidence determination circuit 21.

【0038】次に、上記LSIの各メガセル13を単独
テストする場合の動作について説明する。テスト時に
は、まず半導体チップ12外部の端子20からテストモ
ードを指定するハイレベルのテスト信号が入力されると
共に、端子19からはテスト対象の回路ブロック13を
指定するメガセル指定用テスト信号つまり1つのメガセ
ル番号を表す2値データが入力される。
Next, the operation of individually testing each megacell 13 of the above LSI will be described. At the time of a test, first, a high-level test signal designating a test mode is input from a terminal 20 outside the semiconductor chip 12, and a megacell designating test signal designating a circuit block 13 to be tested, that is, one megacell, from a terminal 19. Binary data representing a number is input.

【0039】これらのテスト信号は、テスト用データバ
スライン15およびテストモード信号線18を通じて各
回路ブロック13に対応付けられているメガセルテスト
用回路14のテスト検出回路17にそれぞれ与えられ
る。
These test signals are applied to the test detection circuit 17 of the megacell test circuit 14 associated with each circuit block 13 through the test data bus line 15 and the test mode signal line 18.

【0040】すなわち、テスト検出回路17のメガセル
番号一致判断回路21では、上記メガセル指定用テスト
信号が各EX−NORゲート26の1入力として与えら
れる。そのメガセル指定用テスト信号つまりメガセル番
号が、EX−NORゲート26の他の1入力として設定
されているメガセル番号と一致する場合には、そのメガ
セル番号一致判断回路21における全EX−NORゲー
ト26の出力はハイレベルとなり、これらの出力を入力
とするANDゲート27の出力はローレベルからハイレ
ベルに反転する。この出力は、フリップフロップ28に
与えられる。
That is, in the mega cell number coincidence judging circuit 21 of the test detecting circuit 17, the mega cell designating test signal is applied as one input to each EX-NOR gate 26. When the megacell designating test signal, that is, the megacell number, coincides with the megacell number set as the other one input of the EX-NOR gate 26, all the EX-NOR gates 26 in the megacell number coincidence determination circuit 21. The output becomes high level, and the output of the AND gate 27 which receives these outputs is inverted from low level to high level. This output is given to the flip-flop 28.

【0041】また、テストモードを指定するテストモー
ド信号線18へのテスト信号はフリップフロップ28に
クロック信号として入力され、そのテスト信号の立ち上
がりによって、ANDゲート27からのハイレベルの出
力がフリップフロップ28にラッチされ、フリップフロ
ップ28からはメガセル番号一致判断回路21の出力と
してハイレベルの出力が取り出される。
Further, the test signal to the test mode signal line 18 designating the test mode is input to the flip-flop 28 as a clock signal, and the high level output from the AND gate 27 is output by the rising of the test signal. And the high-level output is taken out from the flip-flop 28 as the output of the megacell number coincidence determination circuit 21.

【0042】このとき、テスト検出回路17におけるN
ORゲート22およびANDゲート23の2入力は共に
ハイレベルとなるので、NORゲート22の出力つまり
接続切換え信号S1はローレベル、ANDゲート23の
出力つまり接続切換え信号S2はローレベルとなる。
At this time, N in the test detection circuit 17
Since the two inputs of the OR gate 22 and the AND gate 23 both become high level, the output of the NOR gate 22, that is, the connection switching signal S1 becomes low level, and the output of the AND gate 23, that is, the connection switching signal S2 becomes low level.

【0043】したがって、メガセル番号が一致した回路
ブロック13に対応付けられる接続切換え回路16で
は、入力用3ステートゲート24aおよび出力用3ステ
ートゲート25aに対して、これらをオフにするローレ
ベルの接続切換え信号S1が与えられ、また入力用3ス
テートゲート24bおよび出力用3ステートゲート25
bに対して、これらをオンにするハイレベルの接続切換
え信号S2が与えられる。
Therefore, in the connection switching circuit 16 associated with the circuit block 13 having the same megacell number, the input 3-state gate 24a and the output 3-state gate 25a are switched off at a low level. The signal S1 is applied to the input 3-state gate 24b and the output 3-state gate 25.
A high level connection switching signal S2 for turning them on is applied to b.

【0044】その結果、その回路ブロック13では、入
出力部I/O−1,I/O−2,…,I/O−Nが対応
する通常ライン14から切離され、テスト用データバス
ライン15D0,15D1,…,15D7に接続される。
As a result, in the circuit block 13, the input / output sections I / O-1, I / O-2, ..., I / O-N are separated from the corresponding normal line 14, and the test data bus line is provided. 15D0, 15D1, ..., 15D7 are connected.

【0045】一方、メガセル番号が一致しない場合に
は、メガセル番号一致判断回路21におけるANDゲー
ト27の出力がローレベルとなるので、メガセル番号一
致判断回路21の出力もローレベルとなる。また、テス
トモード信号線18に導入されるテスト信号がテストモ
ードを指定するハイレベルであるから、テスト検出回路
17におけるNORゲート22の出力である接続切換え
信号S1がローレベル、ANDゲート23の出力である
接続切換え信号S2もローレベルとなる。
On the other hand, when the mega cell number coincidence determination does not match, the output of the AND gate 27 in the mega cell number coincidence determination circuit 21 becomes low level, so that the output of the mega cell number coincidence determination circuit 21 also becomes low level. Further, since the test signal introduced to the test mode signal line 18 is at the high level designating the test mode, the connection switching signal S1 which is the output of the NOR gate 22 in the test detection circuit 17 is at the low level and the output of the AND gate 23. Also, the connection switching signal S2, which is, becomes low level.

【0046】すなわち、メガセル番号が一致しない残り
の全回路ブロック13では、その入出力部I/O−1,
I/O−2,…,I/O−Nは対応する通常ライン14
からも、テスト用データバスライン15D0,15D1,
…,15D7からも切離された状態に保たれる。
That is, in all the remaining circuit blocks 13 whose mega cell numbers do not match, the input / output units I / O-1,
I / O-2, ..., I / O-N are the corresponding normal lines 14
From the test data bus lines 15D0, 15D1,
…, 15D7 is also kept separated.

【0047】メガセル一致判断回路21の出力はテスト
モード信号線18から導入するテスト信号をローレベル
に復帰させない限り、フリップフロップ28でラッチさ
れ続けるので、上記状態はメガセル指定用テスト信号の
入力を止めても維持される。
The output of the mega cell coincidence judging circuit 21 continues to be latched by the flip-flop 28 unless the test signal introduced from the test mode signal line 18 is returned to the low level. Therefore, in this state, the input of the mega cell designating test signal is stopped. Will be maintained.

【0048】この状態のもとで、半導体チップ12外部
の端子19のいずれかからテストデータを入力し、他の
端子19からテスト応答データを取出すことによって、
回路ブロック13の単独テストが行われる。
Under this condition, by inputting test data from any one of the terminals 19 outside the semiconductor chip 12 and taking out test response data from the other terminals 19,
The individual test of the circuit block 13 is performed.

【0049】すなわち、入力されたテストデータは、テ
スト用データバスライン15および接続切換え回路16
を介して、メガセル番号の一致によって指定された1つ
の回路ブロック13にのみ入力され、それに応答する回
路ブロック13からの出力データが接続切換え回路16
およびテスト用データバスライン15を介して半導体チ
ップ12外部に取り出される。
That is, the input test data is the test data bus line 15 and the connection switching circuit 16.
Via the connection, the output data from the circuit block 13 which is input to only one circuit block 13 designated by the matching of the megacell numbers and which responds to it is connected to the connection switching circuit 16
And it is taken out of the semiconductor chip 12 through the test data bus line 15.

【0050】上記状態のもとで、テストモード信号線1
8へのテスト信号の導入を停止すると、つまりテスト信
号をハイレベルからローレベルに切換えると、その信号
がメガセル番号一致判断回路21におけるフリップフロ
ップ28にリセット信号として入力され、メガセル番号
一致判断回路21の出力は元のローレベルに復帰する。
Under the above conditions, the test mode signal line 1
When the introduction of the test signal to 8 is stopped, that is, when the test signal is switched from the high level to the low level, the signal is input as a reset signal to the flip-flop 28 in the mega cell number coincidence determination circuit 21, and the mega cell number coincidence determination circuit 21. The output of returns to the original low level.

【0051】したがって、すべての回路ブロック13に
対応付けられるテスト検出回路17では、NORゲート
22の出力である接続切換え信号S1がハイレベル、ま
たANDゲート23の出力である接続切換え信号S2が
ローレベルとなる。
Therefore, in the test detection circuit 17 associated with all the circuit blocks 13, the connection switching signal S1 output from the NOR gate 22 is at a high level and the connection switching signal S2 output from the AND gate 23 is at a low level. Becomes

【0052】その結果、すべての回路ブロック13で
は、入出力部I/O−1,I/O−2,…,I/O−N
がテスト用データバスライン15D0,15D1,…,15
D7から切離され、対応する通常ライン14に接続された
通常の接続状態に復帰する。
As a result, in all the circuit blocks 13, the input / output units I / O-1, I / O-2, ..., I / O-N.
Are test data bus lines 15D0, 15D1, ..., 15
It disconnects from D7 and returns to the normal connection state in which it is connected to the corresponding normal line 14.

【0053】上記動作におけるメガセル番号一致判断回
路21の判断出力とテストモード設定用テスト信号と組
み合わせと、接続切換え信号S1,S2との対応関係を
表1に示す。
Table 1 shows the correspondence between the combination of the judgment output of the megacell number coincidence judgment circuit 21 and the test mode setting test signal and the connection switching signals S1 and S2 in the above operation.

【0054】[0054]

【表1】 [Table 1]

【0055】[0055]

【発明の効果】以上のように本発明の半導体集積回路に
よれば、テスト用信号線を通じて半導体チップ外部から
1つの回路ブロックを指定するテスト信号を入力し、指
定対象の回路ブロックに対応する接続切換え回路を、同
じ回路ブロックに対応するテスト検出回路によって、回
路ブロックに通常信号線を接続させる状態からテスト用
信号線を接続させる状態に切換えるとともに、指定対象
外の他の回路ブロックに対応するテスト検出回路によっ
て、それらの回路ブロックに対応する接続切換え回路
を、通常信号線およびテスト用信号線のいずれも回路ブ
ロックから切離した状態に切換えるようにしているの
で、回路ブロック数の増加に応じて半導体チップ外部の
ピン数を増加させることなく、指定された回路ブロック
だけにテスト用信号線を接続した状態のもとで、回路ブ
ロックの単独テストを行うことができる。
As described above, according to the semiconductor integrated circuit of the present invention, a test signal for designating one circuit block is inputted from the outside of the semiconductor chip through the test signal line, and the connection corresponding to the designated circuit block is made. The test circuit corresponding to the same circuit block switches the switching circuit from the state where the normal signal line is connected to the circuit block to the state where the test signal line is connected, and the test corresponding to other circuit blocks not specified Since the detection switching circuit switches the connection switching circuits corresponding to those circuit blocks to the state in which both the normal signal line and the test signal line are disconnected from the circuit blocks, the semiconductor switching circuit is used in accordance with the increase in the number of circuit blocks. Test signal lines only for designated circuit blocks without increasing the number of pins outside the chip Under the state where the connection can be performed alone test circuit block.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例である半導体集積回路の概略
的な構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a semiconductor integrated circuit that is an embodiment of the present invention.

【図2】実施例におけるテスト検出回路および接続切換
え回路の具体的な構成を示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a specific configuration of a test detection circuit and a connection switching circuit in the embodiment.

【図3】実施例におけるメガセル番号一致判断回路の具
体的な構成を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a specific configuration of a megacell number matching determination circuit according to an embodiment.

【図4】メガセル方式によるASICの一例を示すブロ
ック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing an example of an ASIC based on a mega cell system.

【図5】従来のテスト方法が適用される半導体集積回路
の一例を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing an example of a semiconductor integrated circuit to which a conventional test method is applied.

【図6】テスト方法の手順を示すタイミングチャートで
ある。
FIG. 6 is a timing chart showing the procedure of a test method.

【図7】従来の別のテスト方法が適用される半導体集積
回路の一例を示すブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram showing an example of a semiconductor integrated circuit to which another conventional test method is applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

12 半導体チップ 13 回路ブロック 14 通常ライン 15 テスト用データバスライン 16 接続切換え回路 17 テスト検出回路 18 テストモード信号線 12 semiconductor chip 13 circuit block 14 normal line 15 test data bus line 16 connection switching circuit 17 test detection circuit 18 test mode signal line

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 それぞれ独立した機能を持つ複数の回路
ブロックを1つの半導体チップ上に形成した半導体集積
回路において、前記各回路ブロックと半導体チップ外部
との間でテスト信号の入出力を行う各回路ブロックに共
通のテスト用信号線と、実動作時に前記各回路ブロック
の信号の入出力に使用される通常信号線に対応付けて設
けられ、通常信号線および前記テスト用信号線を選択的
に回路ブロックに接続する接続切換え回路と、前記各回
路ブロックに対応付けて設けられ、前記テスト用信号線
を介して半導体チップ外部から入力される回路ブロック
指定用テスト信号を受けて、そのテスト信号が対応する
回路ブロックを指定しているとき、当該回路ブロックに
対応する前記接続切換え回路を、回路ブロックに通常信
号線を接続させる状態からテスト用信号線を接続させる
状態に切換え制御し、かつ前記回路ブロック指定用テス
ト信号が対応する回路ブロックを指定していないとき、
当該回路ブロックに対応する前記接続切換え回路を、通
常信号線およびテスト用信号線のいずれもが回路ブロッ
クから切離された状態に切換え制御するテスト検出回路
とを含むことを特徴とする半導体集積回路。
1. In a semiconductor integrated circuit in which a plurality of circuit blocks each having an independent function are formed on one semiconductor chip, each circuit for inputting / outputting a test signal between each of the circuit blocks and the outside of the semiconductor chip. A test signal line common to blocks and a normal signal line used for inputting / outputting signals of each circuit block during actual operation are provided in association with each other, and the normal signal line and the test signal line are selectively circuited. A connection switching circuit connected to a block and a circuit block designating test signal provided from the outside of the semiconductor chip via the test signal line provided in association with each circuit block, and the test signal corresponds. When the circuit block to be specified is specified, the connection switching circuit corresponding to the circuit block is connected to the normal signal line. When the switching control is performed from the state to the state in which the test signal line is connected, and the circuit block designating test signal does not designate the corresponding circuit block,
A semiconductor integrated circuit, comprising: a connection detecting circuit corresponding to the circuit block; and a test detecting circuit for controlling switching of the normal signal line and the test signal line so as to be separated from the circuit block. .
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