JP2663901B2 - Semiconductor wafer processing method and semiconductor wafer carrier changing machine - Google Patents

Semiconductor wafer processing method and semiconductor wafer carrier changing machine

Info

Publication number
JP2663901B2
JP2663901B2 JP5546895A JP5546895A JP2663901B2 JP 2663901 B2 JP2663901 B2 JP 2663901B2 JP 5546895 A JP5546895 A JP 5546895A JP 5546895 A JP5546895 A JP 5546895A JP 2663901 B2 JP2663901 B2 JP 2663901B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
carrier
wafer
semiconductor
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP5546895A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH08250458A (en
Inventor
修一 増田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=12999444&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2663901(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP5546895A priority Critical patent/JP2663901B2/en
Publication of JPH08250458A publication Critical patent/JPH08250458A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2663901B2 publication Critical patent/JP2663901B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハの処理方
法及び半導体ウェハ・キャリアの立替え機に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer processing method and a semiconductor wafer carrier changing machine.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造工程中にある半導体ウェハ
は、所定枚数一括してキャリアに収納されて、移送,ウ
ェット処理,一時保管等の目的で広く使用されている。
この種のキャリアには、例えば24枚あるいはそれ以上
の枚数の半導体ウェハが所定の間隙をおいて内部に配列
される構造となっている。このようなキャリア内の半導
体ウェハの収納,キャリア自体の移送,キャリア自体の
ウェット処理糟への出入れ,キャリア内からの半導体ウ
ェハの取り出し等は、全自動又は半自動半手動的に、行
われている。
2. Description of the Related Art A predetermined number of semiconductor wafers in a semiconductor manufacturing process are collectively stored in a carrier, and are widely used for purposes such as transfer, wet processing, and temporary storage.
This type of carrier has a structure in which, for example, 24 or more semiconductor wafers are arranged inside with a predetermined gap. Such storage of the semiconductor wafer in the carrier, transfer of the carrier itself, transfer of the carrier into and out of the wet processing tank, removal of the semiconductor wafer from the carrier, and the like are performed automatically or semi-automatically semi-manually. I have.

【0003】ウェット処理糟内には、半導体ウェハを収
納した状態のキャリアが導入されるが、半導体製造工程
で必要な酸化膜エッチング液や酸洗浄液等がこのウェッ
ト処理糟内に満たされている。
[0003] A carrier containing a semiconductor wafer is introduced into the wet processing chamber, and the wet processing chamber is filled with an oxide film etching solution, an acid cleaning solution and the like required in a semiconductor manufacturing process.

【0004】半導体ウェハの主表面上に所定の回路機能
を形成する場合、例えばゲート酸化膜を主表面に形成す
る時に、この主表面に不純物や、混入した異物等のパー
ティクルが残存すると、所望の特性が得られないことが
あり、洗浄等のウェット処理を行うことは、製造歩留り
を向上させる上で、不可欠な工程となっている。
When a predetermined circuit function is formed on the main surface of a semiconductor wafer, for example, when a gate oxide film is formed on the main surface, if particles such as impurities and contaminants are left on the main surface, a desired circuit function is formed. In some cases, characteristics cannot be obtained, and performing a wet treatment such as washing is an essential step in improving the production yield.

【0005】ここで、半導体ウェハを収納したキャリア
としては、処理液に対する耐蝕性が要求されるので、洗
浄用キャリアと、移送及び一時保管用キャリア(以下搬
送用キャリアと称する)とを区別して、それぞれに専用
のキャリアを用意する場合が多い。この場合には、半導
体ウェハを搬送用キャリアから洗浄用キャリアに、ある
いはこの逆に移し替える立替え機が必要となる。
Here, the carrier accommodating the semiconductor wafer is required to have corrosion resistance to the processing solution. Therefore, the carrier for cleaning and the carrier for transfer and temporary storage (hereinafter referred to as a carrier for transport) are distinguished from each other. In many cases, a dedicated carrier is prepared for each. In this case, a change machine for transferring the semiconductor wafer from the carrier for transport to the carrier for cleaning or vice versa is required.

【0006】このような立替え機における半導体ウェハ
の立替え状態を順に示す図5(A)乃至(E)の側面図
を参照すると、まず(A)において洗浄用キャリア3
1,搬送用キャリア34が、ウェット処理用キャリアス
テージ36,搬送用キャリアステージ35上に、それぞ
れ載置される。この場合には、キャリア34かキャリア
31に、半導体ウェハ38を一度に一括して移し替える
バッチ処理を行う。ステージ35及びキャリア34に開
口する図示していない開口部を貫ぬき、押上げ機33が
サーボモータ等により駆動されて、静かに上方へ摺動す
る。この際、押上げ機33の上面に形成した溝(図示せ
ず)に、半導体ウェハ38が挿入され、この状態で
(B)に示すように、把持装置37に一括して半導体ウ
ェハ38が把持される。この把持装置37にも、半導体
ウェハ38の一枚一枚を挿入する溝が形成されており、
押上げ機3が下方に退避しても、半導体ウェハ38が落
下しないようになっている。
Referring to the side views of FIGS. 5A to 5E which sequentially show the state of semiconductor wafer replacement in such a changer, first, in FIG.
1. The transport carrier 34 is placed on the carrier stage 36 for wet processing and the carrier stage 35 for transport, respectively. In this case, a batch process is performed to transfer the semiconductor wafer 38 to the carrier 34 or the carrier 31 at once. The push-up device 33 is driven by a servomotor or the like, and gently slides upward through the openings (not shown) that are opened in the stage 35 and the carrier 34. At this time, the semiconductor wafer 38 is inserted into a groove (not shown) formed on the upper surface of the push-up device 33, and in this state, as shown in FIG. Is done. The holding device 37 is also formed with a groove for inserting each semiconductor wafer 38,
Even if the lifting device 3 is retracted downward, the semiconductor wafer 38 does not fall.

【0007】次の(C)に示すように、把持装置37は
左方から右方へ水平移動し、洗浄用キャリア1上の所定
位置で止まる。次に、下方の押上げ機33′が上昇し
て、この押上げ機33′の上面に形成された溝に各半導
体ウェハ38を一度に解放する(D)。次に、押上げ機
33′が静かに上方に摺動して、キャリア1内の溝に半
導体ウェハ38が一度に挿入され、さらに押上げ機33
は下方に移動して、把持装置37はこの半導体ウェハ3
8を解放する(E)。こうして、搬送用キャリア34か
ら洗浄用キャリア41へ一括してすべて移し替えが終了
する。半導体ウェハ8が収納された洗浄用キャリア1
は、ステージ36に載置されて、図示していない洗浄糟
等に移送され、各種のウェット処理が施される。処理の
終了した後は、再び(E)に示すステージ6上から逆の
経路で、同一又は別に用意された搬送用キャリア34に
もどる。次の工程に移行するため、ステージ35上のキ
ャリア34は、図示していない別の立替え機に移送さ
れ、処理に応じたキャリアが適宜用意される。
As shown in (C), the gripping device 37 horizontally moves from left to right, and stops at a predetermined position on the cleaning carrier 1. Next, the lower pusher 33 'ascends and releases each semiconductor wafer 38 into the groove formed on the upper surface of the pusher 33' at a time (D). Next, the push-up device 33 'slides gently upward to insert the semiconductor wafer 38 into the groove in the carrier 1 at a time.
Moves downward, and the gripping device 37 moves the semiconductor wafer 3
8 is released (E). Thus, the transfer from the transport carrier 34 to the cleaning carrier 41 is completed. Cleaning carrier 1 containing semiconductor wafer 8
Is mounted on a stage 36 and transferred to a washing tank (not shown) or the like, where various wet treatments are performed. After the processing is completed, the processing returns to the same or different prepared carrier 34 again from the stage 6 shown in FIG. In order to proceed to the next step, the carrier 34 on the stage 35 is transferred to another changer (not shown), and a carrier according to the process is prepared as appropriate.

【0008】また、半導体ウェハの立替え機の公知例と
して、特開平4−332129号公報に記載されている
図6の説明図を参照すると、搬送用キャリア48専用の
第1の移動ステージ45と、洗浄用キャリア49専用の
第2の移動ステージ46とを順次移動させて、半導体ウ
ェハ47の移し替えを行っており、第1の突き上げ手段
41,第1の把持部43が洗浄のウェハ専用のものにな
ると共に、第2の突き上げ手段42,第2の把持部44
が洗浄済みのウェハ専用のものになり、もってキャリア
48に付着したダストなどを洗浄工程に持ち込んだり、
洗浄時の不純物がキャリア48を介して、次工程に持ち
込まれることもなくなるという効果が記載されている。
As a known example of a semiconductor wafer refilling machine, referring to FIG. 6 described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-332129, a first moving stage 45 dedicated to a carrier 48 for transport is provided. The semiconductor wafer 47 is transferred by sequentially moving the second moving stage 46 dedicated to the cleaning carrier 49, and the first push-up means 41 and the first holding unit 43 are dedicated to the cleaning wafer 49. And the second push-up means 42, the second gripper 44
Will be dedicated to the cleaned wafer, bringing dust and the like that have adhered to the carrier 48 into the cleaning process,
There is described an effect that impurities at the time of cleaning are not carried into the next step via the carrier 48.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな立替え機では、以下に説明する通り、半導体ウェハ
の主表面に付着したパーティクルを一様に低減できない
ことが判明した。
However, as described below, it has been found that particles attached to the main surface of the semiconductor wafer cannot be reduced uniformly in such a changer.

【0010】洗浄処理を終了した直後の洗浄キャリア内
の半導体ウェハを取り出し、この面のパーティクル付着
数を調べた図7を参照すると、所定の回路機能が形成さ
れるがわの各ウェハの主表面上のパーティクル付着総数
を示す数値(ウェハの主表面の反対主面即ち裏面上に付
着したものではない)が縦軸として示され、横軸には配
列された半導体ウェハの存在するスロット番号(SLO
T.No.)が第1番目から第25番目まで順に示され
ている。スロット番号の第1番目に位置する半導体ウェ
ハの主表面は、洗浄用キャリアの一側壁の内面に略平行
に対向しており、この一側壁の反対の側壁と第1番目の
半導体ウェハとの間には、第2番目から第25番目まで
に位置する半導体ウェハが所定ピッチで介在しており、
しかも各半導体ウェハの主表面は共通して、上記一側壁
と略平行して対向するように配列されている。
[0010] The semiconductor wafer in the cleaning carrier immediately after the completion of the cleaning process is taken out, and the number of particles attached to this surface is checked. Referring to FIG. 7, a predetermined circuit function is formed. The numerical value indicating the total number of attached particles (not the main surface opposite to the main surface of the wafer, that is, the one attached to the back surface) is shown as the vertical axis, and the horizontal axis represents the slot number (SLO) where the arranged semiconductor wafers exist.
T. No. ) Are shown in order from the first to the 25th. The main surface of the semiconductor wafer located at the first slot number faces substantially parallel to the inner surface of one side wall of the cleaning carrier, and the main surface of the semiconductor wafer is located between the side wall opposite to the one side wall and the first semiconductor wafer. , The semiconductor wafers located from the second to the 25th are interposed at a predetermined pitch,
Moreover, the main surfaces of the respective semiconductor wafers are commonly arranged so as to be substantially parallel to and opposed to the one side wall.

【0011】第25番目の半導体ウェハの裏面は、前記
一側壁の反対がわの側壁に対向することになる。
The back surface of the twenty-fifth semiconductor wafer faces the side wall opposite to the one side wall.

【0012】主として直径0.2μm以上のパーティク
ルを対象として、主表面にレーザ光を照射し、その散乱
光を検出して計数する方法により、得られたパーティク
ル総数が、各半導体ウェハ毎に示されている。各ウェハ
毎に三個の黒丸が図示されているが、これはパーティク
ルの付着数の特に多い三個のキャリア内の各半導体ウェ
ハについて、カウントしたデータである。同図から明白
なように、スロット番号の第1番目に位置する半導体ウ
ェハの主表面のパーティクル総数は、第2番目移行の半
導体ウェハに比較して、4倍乃至5倍に達していること
が判明した。即ち、キャリアの内面の一側壁に直接対向
した主表面を持つスロット番号の第1番目に位置する半
導体ウェハのパーティクル総数が圧倒的に多く、これが
製造歩留りを低下させている主要な原因の一つであるこ
とが判明した。しかも、このようなパーティクルが、第
1番目の半導体ウェハの主表面に一様に散在しているこ
とも判明した。
A method of irradiating a laser beam to the main surface of a particle mainly having a diameter of 0.2 μm or more and detecting and counting the scattered light, the total number of particles obtained is shown for each semiconductor wafer. ing. Three black circles are shown for each wafer, and this is data counted for each semiconductor wafer in the three carriers where the number of attached particles is particularly large. As is apparent from the figure, the total number of particles on the main surface of the semiconductor wafer located at the first slot number has reached 4 to 5 times as compared with the semiconductor wafer at the second transition. found. That is, the number of particles in the semiconductor wafer located at the first slot number having the main surface directly opposed to one side wall of the inner surface of the carrier is overwhelmingly large, and this is one of the main causes for lowering the manufacturing yield. Turned out to be. Moreover, it has been found that such particles are uniformly scattered on the main surface of the first semiconductor wafer.

【0013】このような状態のパーティクルの第1の付
着原因として、キャリアの特に内壁面には付着していた
パーティクルが、スロット番号の第1番目に位置する半
導体ウェハの主表面に向って流れるウェット処理液によ
って遊離して、そのままこの主表面に大部分付着してし
まうということが考えられる。また第2の付着原因とし
て、パーティクルを含むウェット処理液の循環経路中
で、比較的流速の早い処理液がまず上記第1番目の半導
体ウェハに衝突し、この際に他部分のパーティクルがこ
のウェハの主表面には付着してしまうということが考え
られる。さらに第3の付着原因として、比較的流速の早
い処理液がまず上記第1番目の半導体ウェハに衝突した
際に局所的に渦流が発生し、この渦流中に巻き込まれた
パーティクルは排出されず、上記反対ウェハの主表面に
残り易くなることに起因することが考えられる。
As a first cause of the adhesion of the particles in such a state, the particles adhering particularly to the inner wall surface of the carrier are wetted toward the main surface of the semiconductor wafer located at the first slot number. It is conceivable that most of them are released by the treatment liquid and adhere to the main surface as they are. As a second cause of adhesion, a processing liquid having a relatively high flow velocity first collides with the first semiconductor wafer in the circulation path of the wet processing liquid containing particles, and at this time, particles of other parts are removed from the wafer. May adhere to the main surface. Further, as a third cause of adhesion, a vortex is locally generated when the processing liquid having a relatively high flow velocity first collides with the first semiconductor wafer, and the particles caught in the vortex are not discharged. It is conceivable that this is caused by the fact that it tends to remain on the main surface of the opposite wafer.

【0014】上記第1の付着原因を解消するためには、
キャリアを使用するたびにこのキャリア自体を事前洗浄
する工程を通すことが必要となり、このため作業能率が
向上しないという欠点がある。また、第2の付着原因を
解消するために、たとえ循環経路中にフィルタを設けて
も、フィルタ通過直後の処理液にパーティクルが混入す
ることがあり、このためフィルタだけでは解決し得な
い。さらに、第3の付着原因を解消するために、渦流が
生じないように、処理液の流路や流れる方向等を変える
と、各半導体ウェハの主表面に均一に処理液が回らず、
不均一処理という新たな問題が生じる。
In order to eliminate the first cause of adhesion,
Each time a carrier is used, it is necessary to pass through a step of pre-cleaning the carrier itself, and thus there is a disadvantage that work efficiency is not improved. Further, even if a filter is provided in the circulation path in order to eliminate the second cause of adhesion, particles may be mixed in the processing liquid immediately after passing through the filter, and therefore, the filter alone cannot solve the problem. Further, when the flow path and the flowing direction of the processing liquid are changed so as to prevent the eddy current from occurring in order to eliminate the third cause of adhesion, the processing liquid does not uniformly rotate on the main surface of each semiconductor wafer.
A new problem of non-uniform processing arises.

【0015】以上のような知見及び問題に鑑み、本発明
では、次を課題を掲げる。
In view of the above findings and problems, the present invention has the following problems.

【0016】(1)半導体ウェハの主表面に付着するパ
ーティクル数を許容値以下に留めるようにすること。
(1) The number of particles adhering to the main surface of the semiconductor wafer should be kept below an allowable value.

【0017】(2)制御を複雑なものとせず、簡単な一
軸方向の制御装置を追加するだけで済むようにするこ
と。
(2) The control is not complicated, and only a simple uniaxial control device needs to be added.

【0018】(3)搬送用キャリア,洗浄用キャリア
を、大幅に構造変更せずとも済むようにすること。
(3) The carrier for transport and the carrier for cleaning need not be changed significantly.

【0019】(4)第1番目に位置する溝に、半導体ウ
ェハが挿入されないように、各半導体ウェハを移す際
に、これら半導体ウェハを吸着器で触れないようにし、
もってパーティクルの新たな付着を防止すること。
(4) When each semiconductor wafer is moved so as not to be inserted into the groove located at the first position, the semiconductor wafer is not touched by the suction device,
Prevent new adhesion of particles.

【0020】(5)キャリアを使用するたびに、キャリ
ア自体を洗浄する工程を通すことのないようにするこ
と。
(5) Each time the carrier is used, the carrier is not subjected to a washing step.

【0021】(6)各半導体ウェハの主表面に、不均一
な処理液が回ることのないように配慮すること。
(6) Care must be taken to prevent a non-uniform processing solution from flowing around the main surface of each semiconductor wafer.

【0022】(7)半導体ウェハを高信頼性,高歩留り
で製造できるようにすること。
(7) To be able to manufacture semiconductor wafers with high reliability and high yield.

【0023】(8)各半導体ウェハの主表面に損傷を与
えるような物理的化学的ストレスを加えないようにする
こと。
(8) Physical and chemical stresses that damage the main surface of each semiconductor wafer should not be applied.

【0024】(9)パーティクルの増加原因となるよう
な工程を追加しないで済むようにすること。
(9) It is not necessary to add a step which causes an increase in particles.

【0025】[0025]

【課題を解決するための手段】本発明の第1の構成は、
所定のピッチで配列された溝に半導体ウェハを収納した
キャリアをウェット処理液中に浸す工程を備えた半導体
ウェハの処理方法において、前記半導体ウェハの主表面
と対向した前記キャリアの内側壁から最も近い位置にあ
る溝に、ダミーウェハを挿入した状態で前記工程が施さ
れることを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided:
A method of processing a semiconductor wafer, comprising a step of immersing a carrier containing semiconductor wafers in grooves arranged at a predetermined pitch in a wet processing liquid, wherein the carrier is closest to an inner side wall of the carrier facing a main surface of the semiconductor wafer. The above process is performed in a state where the dummy wafer is inserted into the groove at the position.

【0026】本発明の第2の構成は、所定のピッチで配
列された溝に半導体ウェハを挿入して収納するキャリア
を載置するステージと、前記溝に収納された半導体ウェ
ハを押し上げて、前記所定のピッチを維持しつつ前記溝
から前記半導体ウェハを解放する押上げ機とを備えた半
導体ウェハ・キャリアの立替え機において、前記半導体
ウェハの主表面が前記キャリアの内側壁から離れるよう
に、少なくともピッチ移動した状態に前記半導体ウェハ
を設定する制御手段と、前記制御手段により移動した前
記半導体ウェハを前記キャリアに再収納する手段とを設
けたことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a stage for mounting a carrier for inserting and storing semiconductor wafers in grooves arranged at a predetermined pitch, and for pushing up the semiconductor wafer stored in the grooves, A pusher for releasing the semiconductor wafer from the groove while maintaining a predetermined pitch, in a semiconductor wafer carrier changer, so that the main surface of the semiconductor wafer is separated from the inner side wall of the carrier, Control means for setting the semiconductor wafer at least at a pitch-moved state, and means for re-accommodating the semiconductor wafer moved by the control means in the carrier are provided.

【0027】本発明の第3の構成は、前記第2の構成の
前記制御手段による前記半導体ウェハの移動により生じ
た空溝にダミーウェハを挿入する手段を設けたことを特
徴とする。
A third structure of the present invention is characterized in that there is provided means for inserting a dummy wafer into a vacant groove created by the movement of the semiconductor wafer by the control means of the second structure.

【0028】前記第2,第3の構成において、特に前記
制御手段が、前記ステージ又は前記押上げ機に備えられ
ていることを特徴とする。
In the second and third configurations, the control means is particularly provided in the stage or the push-up machine.

【0029】本発明の第4の構成は、所定のピッチで配
列された溝に半導体ウェハを収納する第1,第3のキャ
リアと、前記第1のキャリアから前記第2のキャリア内
に前記半導体ウェハを立替える押上げ手段及び把持手段
を備えた半導体ウェハ・キャリアの立替え機において、
前記半導体ウェハの主表面が前記第2のキャリアの内側
壁から離れる方向に、少なくとも1ピッチ移動した状態
に前記半導体ウェハを設定する制御手段が、前記第1,
第2のキャリアを各々載置するステージ、前記押上げ手
段,前記把持手段のうちのいずれかに設けられているこ
とを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device, comprising: first and third carriers for accommodating semiconductor wafers in grooves arranged at a predetermined pitch; In a semiconductor wafer carrier changing machine equipped with a push-up means and a gripping means for changing the wafer,
Control means for setting the semiconductor wafer so that the main surface of the semiconductor wafer moves at least one pitch in a direction away from the inner wall of the second carrier;
The second carrier is provided on any one of the stage on which the second carrier is placed, the push-up unit, and the holding unit.

【0030】[0030]

【実施例】本発明の第1の実施例の立替え機を順を追っ
て示す図1乃至図4を参照すると、図1は立替え前の状
態を示す洗浄用キャリアを、半導体ウェハの配列方向に
沿った中心部分で切断して見た側断面図、図2は図1の
A−A′矢視断面図、図3は立替え中の状態を示す洗浄
用キャリアの断面図、図4は立替え終了直前の状態を示
す洗浄用キャリアの断面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to FIG. 1 to FIG. 4 which sequentially show a change machine according to a first embodiment of the present invention, FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 1, FIG. 3 is a cross-sectional view of the cleaning carrier showing a state of being refilled, FIG. It is sectional drawing of the washing | cleaning carrier which shows the state just before completion of refilling.

【0031】まず図1,図2において、この実施例の立
替え機は、洗浄用キャリア1を載置する移動ステージ2
と、このステージ2の移動範囲を規定する一対のストッ
パ5,6と、これらストッパ5,6が固定された固定ス
テージ4と押上げ機3とを備える。
First, referring to FIG. 1 and FIG. 2, a change machine according to this embodiment includes a moving stage 2 on which a cleaning carrier 1 is mounted.
And a pair of stoppers 5 and 6 for defining a moving range of the stage 2, a fixed stage 4 to which the stoppers 5 and 6 are fixed, and a lifting machine 3.

【0032】ここで、洗浄用キャリア1の底部には、開
口部12が設けられ、この開口部12に対応して、移動
ステージ2,固定ステージ4にも、開口部を備える。こ
れら開口部を貫通して、押上げ機3が自由に上下動でき
る。図1で共通した構造が左右に繰り返して存在する部
分は、上下を貫ぬく二本の破断線を用いて、図示を省略
している。即ち、収納される半導体ウェハ9は10枚以
上24枚程度が普通であるが、10枚のみが図示され、
これに対応して、押上げ機3の溝7が図示されている。
Here, an opening 12 is provided at the bottom of the cleaning carrier 1, and the moving stage 2 and the fixed stage 4 also have openings corresponding to the opening 12. The pusher 3 can freely move up and down through these openings. In FIG. 1, the portions where the common structure is repeatedly provided on the left and right are omitted from illustration by using two break lines penetrating vertically. That is, the number of semiconductor wafers 9 to be housed is usually 10 or more and about 24, but only 10 are shown.
Correspondingly, the groove 7 of the lifting machine 3 is shown.

【0033】キャリア1内には、0.6mm乃至0.8
mm厚で直径6インチ乃至8インチ程度の半導体ウェハ
9の端部が、4.76mmピッチで形成された溝8内に
それぞれ挿入されているが、右側の内側壁25に一番近
い溝8は、半導体ウェハ9が挿入されない空溝となって
いる。このような空溝は一条に限定されるものではな
く、二条以上存在してもよい。即ち、一括して挿入され
る半導体ウェハ9の枚数を1枚以上うわまわる溝8を備
えた洗浄中キャリア1が、あらかじめ用意される。所定
のピッチで配置された半導体ウェハ9は、主表面即ち回
路機能が形成される側の鏡面がすべて左側を向いてい
る。従って、内側壁25のがわには、主表面が対向して
いる。
The carrier 1 contains 0.6 mm to 0.8 mm.
The ends of the semiconductor wafer 9 having a thickness of about 6 inches to about 8 inches are inserted into the grooves 8 formed at a pitch of 4.76 mm. , Are empty grooves into which the semiconductor wafer 9 is not inserted. Such a groove is not limited to a single groove, and two or more grooves may be present. In other words, the cleaning carrier 1 provided with the groove 8 in which one or more semiconductor wafers 9 are inserted at once is prepared in advance. In the semiconductor wafers 9 arranged at a predetermined pitch, the main surface, that is, the mirror surface on the side on which the circuit function is formed is all facing the left side. Therefore, the main surfaces of the inner wall 25 face each other.

【0034】側壁24と、これに一番近い位置即ちスロ
ット番号の第1番目の位置にある半導体ウェハの溝8の
中心との離間寸法23は14.53mm程度であり、最
終番目の溝の中心と側壁25との離間寸法20もこれと
共通している。移動ステージ2とストッパ6との間の隙
間寸法26は、溝8のピッチに等しい。
The distance 23 between the side wall 24 and the center of the groove 8 of the semiconductor wafer at the closest position, that is, the first position of the slot number is about 14.53 mm, and the center of the last groove is about 14.53 mm. The distance 20 between the side walls 25 is also common to this. The gap 26 between the moving stage 2 and the stopper 6 is equal to the pitch of the groove 8.

【0035】押上げ機3に所定ピッチで形成された各溝
7には、半導体ウェハ9が挿入され易くなるように、テ
ーパ28がそれぞれ形成されている。尚、図2に示す移
動ステージ2は、左右方向に移動せず、しかも直交する
方向には移動するように、ステージ2の下面には断面が
V字型の突起部が形成され、これに応じてV溝が固定ス
テージ4に形成されている。また、図2においては、中
心線11を対象軸として、線対象関係となっているの
で、左半分を省略している。
Each of the grooves 7 formed at a predetermined pitch in the lifting machine 3 is formed with a taper 28 so that the semiconductor wafer 9 can be easily inserted. The moving stage 2 shown in FIG. 2 has a V-shaped cross section formed on the lower surface of the stage 2 so that the moving stage 2 does not move in the left-right direction and moves in the orthogonal direction. A V-shaped groove is formed in the fixed stage 4. Further, in FIG. 2, the left half is omitted since the center line 11 is set as a target axis and a line symmetry is established.

【0036】次に、図3に示すように、押上げ機3は静
かに上方に移動し、これにともない半導体ウェハ9は溝
7の中にそれぞれ挿入され、さらに溝に挿入された半導
体ウェハ9はそのまま上方に移動し、この半導体ウェハ
9が溝8から離脱するまで上昇する。半導体ウェハ9が
解放されたキャリア1は、図示していない駆動手段によ
って矢印27の左方へ移動し、左側のストッパ6で止ま
る。この移動距離は溝8の1ピッチ分に相当する。次
に、押上げ機3は、半導体ウェハ9を載置したまま静か
に下方(矢印15の方向)に移動し、図4に示すよう
に、半導体ウェハ9が溝8内に収納されるが、最も右側
の溝8内には、キャリア1の1ピッチ分の移動により、
半導体ウェハ9が収納される。従って、左側の溝8即ち
第1番目の溝8は空溝となる。この空溝には図4に示す
ようにピンセットや吸着器等を用いた手段又はハンドリ
ーグ手段により、矢印13方向から、半導体ウェハ14
が挿入される。この半導体ウェハ14は、後に半導体装
置に組み込まれるウェハではなく、いわゆるダミーウェ
ハであり、略同一寸法の試作用あるいは不良の半導体ウ
ェハでもよいが、このダミーウェハの主表面には、ウェ
ハの種類やロット番号等を示す記号・番号が視認できる
ように、形成されていてもよい。このダミーウェハ14
が収納された状態で、ウェット処理液中に浸される。こ
れにより、半導体ウェハ9の主表面を流れる処理液の流
路が、一様に整えられ、図7の第2番目以降のパーティ
クルの付着数以下に低く抑えられる。
Next, as shown in FIG. 3, the push-up device 3 is gently moved upward, whereby the semiconductor wafers 9 are respectively inserted into the grooves 7, and the semiconductor wafers 9 inserted into the grooves are further inserted. Moves upward as it is, and rises until the semiconductor wafer 9 is separated from the groove 8. The carrier 1 from which the semiconductor wafer 9 has been released is moved leftward by an arrow 27 by a driving unit (not shown) and stopped by the stopper 6 on the left side. This moving distance corresponds to one pitch of the groove 8. Next, the pusher 3 is gently moved downward (in the direction of arrow 15) with the semiconductor wafer 9 placed thereon, and the semiconductor wafer 9 is stored in the groove 8 as shown in FIG. In the rightmost groove 8, the movement of the carrier 1 for one pitch causes
The semiconductor wafer 9 is stored. Therefore, the left groove 8, that is, the first groove 8 is an empty groove. As shown in FIG. 4, the semiconductor wafer 14 is inserted into the vacant groove from the direction of arrow 13 by means using tweezers, a suction device, or the like, or by hand league means.
Is inserted. The semiconductor wafer 14 is not a wafer to be incorporated into a semiconductor device later, but a so-called dummy wafer, and may be a trial or defective semiconductor wafer having substantially the same dimensions. May be formed so that symbols and numbers indicating the like can be visually recognized. This dummy wafer 14
Is stored in the wet processing liquid. Thereby, the flow path of the processing liquid flowing on the main surface of the semiconductor wafer 9 is uniformly adjusted, and is suppressed to be less than or equal to the number of adhered particles after the second in FIG.

【0037】このように、第1番目の溝にダミーウェハ
を置いて、従来と共通したウェット処理を行うだけで、
パーティクルの付着数の多いものはなくなり、上記
(1)乃至(9)の各課題がことごとく達成される。
As described above, the dummy wafer is placed in the first groove, and the wet processing common to the conventional one is performed.
There are no particles with a large number of particles attached, and all of the above-mentioned problems (1) to (9) are achieved.

【0038】第1番目のダミーウェハ14の主表面に
は、図7に示すように、多くのパーティクルが付着して
いるが、製造対象となるウェハではなく、破棄してもよ
いが別途洗浄してパーティクルを除去した後再度使用さ
れることが望ましい。
As shown in FIG. 7, many particles adhere to the main surface of the first dummy wafer 14, but it is not a wafer to be manufactured and may be discarded. It is desirable to use the particles again after removing the particles.

【0039】尚、ウェット処理後のキャリアを、図1の
半導体ウェハの配列にもどす必要がある場合には、以上
の駆動順序と逆の経路をたどるように制御される。
When it is necessary to return the carrier after the wet processing to the arrangement of the semiconductor wafers shown in FIG. 1, the carrier is controlled to follow a path reverse to the above-described driving order.

【0040】上述した第1の実施例では、洗浄用キャリ
ア1を1ピッチ分移動させるだけでよいので、簡単な駆
動手段の追加により、従来の駆動方法を基本的に変更す
る必要がないという利点があるが、この他にキャリアの
載置位置を移動させず、押上げ機3を1ピッチ分だけ右
方に移動させた後、キャリア1の溝8に再収納するよう
に構成すれば、第1番目の溝は空溝となり、この場合も
ここにダミーウェハを挿入することにより、上記各課題
が達成される。
In the above-described first embodiment, since the cleaning carrier 1 only needs to be moved by one pitch, there is no need to basically change the conventional driving method by adding a simple driving means. However, in addition to this, if the pusher 3 is moved rightward by one pitch without moving the mounting position of the carrier, and then the pusher 3 is stored again in the groove 8 of the carrier 1, The first groove is a vacant groove, and in this case, the above-described objects are achieved by inserting a dummy wafer into the groove.

【0041】またこの実施例で示した半導体ウェハや離
間寸法,ピッチ寸法等の各寸法は、一例を示しただけで
あってこれに限定されるものではなく、色々なバリエー
ションがあることは言うまでもない。
The dimensions of the semiconductor wafer, the separation dimension, the pitch dimension, and the like shown in this embodiment are merely examples, and are not limited thereto. Needless to say, there are various variations. .

【0042】以上の実施例は、スロット番号の第1番目
の溝にダミーウェハを収納するように、同一キャリア1
内で配列換えを行った上で、ウェット処理工程へ送る実
施例であるが、この外に別のキャリアへ収納する実施例
もある。
In the above embodiment, the same carrier 1 is placed so that a dummy wafer is stored in the first groove of the slot number.
In this embodiment, the sequence is rearranged and then sent to the wet processing step, but there is also an embodiment in which it is housed in another carrier.

【0043】この実施例を第2の実施例として、図5を
引用して説明する。この第2の実施例では図5の洗浄用
キャリア31が設定されるステージ36が、搬送用キャ
リア34を設定するステージ35と、1ピッチだけずら
して配置される。このため、把持装置31がキャリア3
1内にウェハを収納した際(E)には、第1番目の溝が
空溝となる。この空溝にダミーウェハが挿入される。従
って、洗浄用キャリア31は、搬送用キャリア34内の
溝数を1以上うわまる溝数を備えたものが容易される。
その他の駆動順序は、上述した図5の説明と共通するの
で、省略する。
This embodiment will be described as a second embodiment with reference to FIG. In the second embodiment, the stage 36 on which the cleaning carrier 31 shown in FIG. 5 is set is displaced from the stage 35 on which the transport carrier 34 is set by one pitch. For this reason, the holding device 31
When the wafer is accommodated in 1 (E), the first groove becomes an empty groove. A dummy wafer is inserted into this empty groove. Therefore, the cleaning carrier 31 having a number of grooves that is one or more than the number of grooves in the transport carrier 34 is easily provided.
Other driving orders are the same as those described with reference to FIG.

【0044】以上説明した第2の実施例の駆動手段とし
て、押上げ機33を1ピッチずらして把持装置37に把
持させてもよく、また把持装置37自体を1ピッチずら
して、他の押上げ機33′に挿入するようにしてもよ
く、あるいは半導体ウェハ38が挿入された押上げ機3
3′だけを1ピッチずらした後に洗浄用キャリア31に
収入させるようにしてもよい。要するに、1ピッチの移
動手段は、相対的距離の移動手段であればよい。
As the driving means of the second embodiment described above, the lifting device 33 may be shifted by one pitch so as to be gripped by the gripping device 37, or the gripping device 37 itself may be shifted by one pitch to perform another lifting. Or a pusher 3 into which a semiconductor wafer 38 has been inserted.
After shifting only 3 'by one pitch, the cleaning carrier 31 may be made to generate revenue. In short, the moving means of one pitch may be a moving means of a relative distance.

【0045】この第2の実施例も、上記(1)乃至
(9)の各課題が達成される。尚この実施例は、図6に
示した公知例の立替え機にも、適宜組み込むことができ
ることは明らかである。
The second embodiment also achieves the above-mentioned objects (1) to (9). It is apparent that this embodiment can be appropriately incorporated in the known changer shown in FIG.

【0046】[0046]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
スロット番号の第1番目の溝にダミーウェハを挿入する
ことにより、製品となる半導体ウェハのパーティクル付
着数を低減させ、かつピンセット使用等が原因のキズや
汚染等を防止することができ、上記(1)乃至(9)の
課題がことごとく達成される。
As described above, according to the present invention,
By inserting the dummy wafer into the first groove of the slot number, it is possible to reduce the number of particles attached to the semiconductor wafer as a product, and to prevent scratches and contamination due to the use of tweezers and the like. ) To (9) are all achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例の立替え機の立替え直前
の状態を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a state immediately before a change of a change machine of a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のA−A′矢視断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA 'of FIG.

【図3】第1の実施例の立替え中の状態を示す断面図で
ある。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a state of the first embodiment during replacement.

【図4】第1の実施例の立替え終了直前の状態を示す断
面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state immediately before the end of the replacement according to the first embodiment.

【図5】(A)乃至(E)は従来の立替え機の立替え順
序を示す側面図である。
5 (A) to 5 (E) are side views showing a sequence of changing a conventional changing machine.

【図6】公知例の立替え機の説明図である。FIG. 6 is an explanatory view of a known changer.

【図7】従来の立替え機を使用した後に、ウェット処理
した時の半導体ウェハのパーティクル付着状態を示す特
性図である。
FIG. 7 is a characteristic diagram showing a state of particles adhering to a semiconductor wafer when wet processing is performed after using a conventional refilling machine.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,31 洗浄用キャリア 2,45,46 移動ステージ 3,33,33′ 押上げ機 4 固定ステージ 5,6 ストッパ 7,8 溝 9,14,38,47 半導体ウェハ 10,13,15,27 矢印 11 中心線 12 開口部 21 ウェハ厚 22 ピッチ寸法 20,23 離間寸法 24,25 側壁 26 隙間寸法 28 テーパ 34 搬送用キャリア 35,36 ステージ 37 把持装置 41,42 突き上げ手段 43,44 把持部 48,49 キャリア 1,31 Cleaning carrier 2,45,46 Moving stage 3,33,33 'Pusher 4 Fixed stage 5,6 Stopper 7,8 Groove 9,14,38,47 Semiconductor wafer 10,13,15,27 Arrow DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Center line 12 Opening 21 Wafer thickness 22 Pitch dimension 20, 23 Separation dimension 24, 25 Side wall 26 Gap dimension 28 Taper 34 Carrier 35, 36 Stage 37 Gripping device 41, 42 Pushing-up means 43, 44 Gripping portion 48, 49 Career

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 所定のピッチで配列された溝に半導体ウ
ェハを収納したキャリアをウェット処理液中に浸す工程
を備えた半導体ウェハの処理方法において、前記半導体
ウェハの主表面と対向した前記キャリアの内側壁から最
も近い位置にある溝に、ダミーウェハを挿入した状態で
前記工程が施されることを特徴とする半導体ウェハの処
理方法。
1. A method for processing a semiconductor wafer, comprising a step of immersing a carrier containing semiconductor wafers in grooves arranged at a predetermined pitch in a wet processing liquid, wherein the carrier is provided with a carrier facing a main surface of the semiconductor wafer. A method of processing a semiconductor wafer, wherein the step is performed in a state where a dummy wafer is inserted into a groove closest to an inner side wall.
【請求項2】 所定のピッチで配列された溝に半導体ウ
ェハを挿入して収納するキャリアを載置するステージ
と、前記溝に収納された半導体ウェハを押し上げて、前
記所定のピッチを維持しつつ前記溝から前記半導体ウェ
ハを解放する押上げ機とを備えた半導体ウェハ・キャリ
アの立替え機において、前記半導体ウェハの主表面が前
記キャリアの内側壁から離れるように、少なくとも1ピ
ッチ移動した状態に前記半導体ウェハを設定する制御手
段と、前記制御手段により移動した前記半導体ウェハを
前記キャリアに再収納する手段とを設けたことを特徴と
する半導体ウェハ・キャリアの立替え機。
2. A stage for mounting a carrier that inserts and stores semiconductor wafers in grooves arranged at a predetermined pitch, and pushes up the semiconductor wafer stored in the grooves to maintain the predetermined pitch. A semiconductor wafer carrier changer having a pusher for releasing the semiconductor wafer from the groove, wherein the semiconductor wafer is moved at least one pitch so that the main surface of the semiconductor wafer is separated from the inner side wall of the carrier. A semiconductor wafer carrier changer, comprising: a control unit for setting the semiconductor wafer; and a unit for re-storing the semiconductor wafer moved by the control unit in the carrier.
【請求項3】 前記制御手段による前記半導体ウェハの
移動により生じた空溝にダミーウェハを挿入する手段を
設けたことを特徴とする請求項2記載の半導体ウェハ・
キャリアの立替え機。
3. The semiconductor wafer according to claim 2, further comprising means for inserting a dummy wafer into a vacant space created by movement of said semiconductor wafer by said control means.
Carrier change machine.
【請求項4】 前記制御手段が、前記ステージ又は前記
押上げ機に備えられている請求項2記載の半導体ウェハ
・キャリアの立替え機。
4. The semiconductor wafer carrier changing machine according to claim 2, wherein said control means is provided on said stage or said push-up machine.
【請求項5】 所定のピッチで配列された溝に半導体ウ
ェハを収納する第1,第2のキャリアと、前記第1のキ
ャリアから前記第2のキャリア内に前記半導体ウェハを
立替える押上げ手段及び把持手段を備えた半導体ウェハ
・キャリアの立替え機において、前記半導体ウェハの主
表面が前記第2のキャリアの内側壁から離れる方向に、
少なくとも1ピッチ移動した状態に前記半導体ウェハを
設定する制御手段が、前記第1,第2のキャリアを各々
載置するステージ、前記押上げ手段、前記把持手段のう
ちのいずれかに設けられていることを特徴とする半導体
ウェハ・キャリアの立替え機。
5. A first and a second carrier for accommodating a semiconductor wafer in grooves arranged at a predetermined pitch, and a push-up means for switching the semiconductor wafer from the first carrier into the second carrier. And a semiconductor wafer carrier changer equipped with gripping means, wherein the main surface of the semiconductor wafer is separated from the inner side wall of the second carrier,
Control means for setting the semiconductor wafer to be moved by at least one pitch is provided on any one of the stage on which the first and second carriers are mounted, the push-up means, and the gripping means. A semiconductor wafer carrier change machine characterized by the above-mentioned.
JP5546895A 1995-03-15 1995-03-15 Semiconductor wafer processing method and semiconductor wafer carrier changing machine Expired - Lifetime JP2663901B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5546895A JP2663901B2 (en) 1995-03-15 1995-03-15 Semiconductor wafer processing method and semiconductor wafer carrier changing machine

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5546895A JP2663901B2 (en) 1995-03-15 1995-03-15 Semiconductor wafer processing method and semiconductor wafer carrier changing machine

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08250458A JPH08250458A (en) 1996-09-27
JP2663901B2 true JP2663901B2 (en) 1997-10-15

Family

ID=12999444

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5546895A Expired - Lifetime JP2663901B2 (en) 1995-03-15 1995-03-15 Semiconductor wafer processing method and semiconductor wafer carrier changing machine

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2663901B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6220935B1 (en) 1997-08-11 2001-04-24 Sprout Co., Ltd. Apparatus and method for cleaning substrate
JP4435610B2 (en) 2004-03-23 2010-03-24 パナソニック株式会社 Dummy board

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08250458A (en) 1996-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2539447B2 (en) Production method by single-wafer carrier
TWI441276B (en) Method of adjusting velocity of transfer member, method of transferring substrate using the method, and substrate-processing apparatus
US8496761B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
EP0768704A2 (en) A substrate cleaning method and a substrate cleaning apparatus
TWI462213B (en) Substrate processing apparatus
US20180012754A1 (en) Wet etching method, substrate liquid processing apparatus, and storage medium
US20090120472A1 (en) Substrate cleaning and processing apparatus with magnetically controlled spin chuck holding pins
US20060115599A1 (en) Method of lubricating multiple magnetic storage disks in close proximity
US7493904B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
JPH0719832B2 (en) Wafer carrier
KR20050044443A (en) Semiconductor wafer cleaning system and method
US20100132742A1 (en) Template cleaning method, system, and apparatus
US5853496A (en) Transfer machine, transfer method, cleaning machine, and cleaning method
JPH10284577A (en) Method for transferring substrate to be processed
JP2663901B2 (en) Semiconductor wafer processing method and semiconductor wafer carrier changing machine
JP2598359B2 (en) Substrate cleaning equipment
JP3202898B2 (en) Transfer device, transfer method, cleaning device and cleaning method
JP4128756B2 (en) Apparatus and method for removal and placement processing
JP2564303B2 (en) Wafer carrier jig
JP2015192019A (en) substrate processing apparatus
JPH06163501A (en) Method of and apparatus for cleaning substrate
JP2004079738A (en) Wafer carrier and transfer arm
JP2840799B2 (en) Single wafer cleaning method and apparatus
US11787089B2 (en) Method of producing an optical member including an alignment of canes into a jig
JP5875901B2 (en) Substrate processing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19970520