JP2650037B2 - 電気触媒による２，６−ジ第三ブチル−４−メルカプトフェノール及び４，４’−イソプロピリデンジチオ−ビス（２，６−ジ第三ブチルフェノール）の製法 - Google Patents
電気触媒による２，６−ジ第三ブチル−４−メルカプトフェノール及び４，４’−イソプロピリデンジチオ−ビス（２，６−ジ第三ブチルフェノール）の製法Info
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C323/00—Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups
- C07C323/10—Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups containing thio groups and singly-bound oxygen atoms bound to the same carbon skeleton
- C07C323/18—Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups containing thio groups and singly-bound oxygen atoms bound to the same carbon skeleton having the sulfur atom of at least one of the thio groups bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring of the carbon skeleton
- C07C323/20—Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups containing thio groups and singly-bound oxygen atoms bound to the same carbon skeleton having the sulfur atom of at least one of the thio groups bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring of the carbon skeleton with singly-bound oxygen atoms bound to carbon atoms of the same non-condensed six-membered aromatic ring
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、酸性電解質媒体中の鉛陰極でのビス（3,5
−ジ第三ブチル−４−ヒドロキシフェノール）ポリサル
ファイドの電気触媒的還元による2,6−ジ第三ブチル−
４−メルカプトフェノールの改良された新規な製法に関
する。
−ジ第三ブチル−４−ヒドロキシフェノール）ポリサル
ファイドの電気触媒的還元による2,6−ジ第三ブチル−
４−メルカプトフェノールの改良された新規な製法に関
する。
［先行技術及び問題点］ このメルカプトフェノールは、血清コレステロールを
低下させるのに有効な薬学製剤として合衆国特許第3,57
6,883号で明らかにされた4,4′−イソプロピリデンジチ
オ−ビス（2,6−ジ第三ブチルフェノール）の合成にお
ける中間体である。
低下させるのに有効な薬学製剤として合衆国特許第3,57
6,883号で明らかにされた4,4′−イソプロピリデンジチ
オ−ビス（2,6−ジ第三ブチルフェノール）の合成にお
ける中間体である。
更に、アセトンの存在下に行なわれる上記方法は、一
段階手順での4,4′−イソプロピリデンジチオ−ビス
（2,6−ジ第三ブチルフェノール）の改良された新規な
製法をもたらす。
段階手順での4,4′−イソプロピリデンジチオ−ビス
（2,6−ジ第三ブチルフェノール）の改良された新規な
製法をもたらす。
合衆国特許第3,479,407号は、ヨウ素触媒の存在下に
一塩化硫黄で2,6−ジ第三ブチルフェノール（DTBP）を
硫化する手順による、主にジサルファイドを含むビス
（3,5−ジ第三ブチル−４−ヒドロキシフェノール）ポ
リサルファイド類混合物の調製について教示している。
ポリサルファイド類は、合衆国特許第3,952,064号と第
3,479,407号、及び特願昭第48−28425号で明らかにされ
たとおり、Zn/HCl還元を含めてなる方法によって、2,6
−ジ第三ブチル−４−メルカプトフェノールに還元され
ることが示された。生ずるメルカプトフェノールを酸性
条件下にアセトンの存在下に縮合させると、合衆国特許
第3,576,883号の記述のごとく、4,4′−イソプロピリデ
ンジチオ−ビス（2,6−ジ第三ブチルフェノール）の形
成をもたらす。この反応順序を下に示す。
一塩化硫黄で2,6−ジ第三ブチルフェノール（DTBP）を
硫化する手順による、主にジサルファイドを含むビス
（3,5−ジ第三ブチル−４−ヒドロキシフェノール）ポ
リサルファイド類混合物の調製について教示している。
ポリサルファイド類は、合衆国特許第3,952,064号と第
3,479,407号、及び特願昭第48−28425号で明らかにされ
たとおり、Zn/HCl還元を含めてなる方法によって、2,6
−ジ第三ブチル−４−メルカプトフェノールに還元され
ることが示された。生ずるメルカプトフェノールを酸性
条件下にアセトンの存在下に縮合させると、合衆国特許
第3,576,883号の記述のごとく、4,4′−イソプロピリデ
ンジチオ−ビス（2,6−ジ第三ブチルフェノール）の形
成をもたらす。この反応順序を下に示す。
（IV）4,4′−イソプロピリデンジチオ−ビス（2,6−ジ
第三ブチルフェノール） ｎ＝2,3,4,‥‥；主生成物はジサルファイド有機ジサル
ファイド化合物が、水銀陰極での電気触媒で対応するメ
ルカプタン類に還元できることは一般に知られている。
その場合、水銀は最初の化学段階で硫黄−硫黄結合を切
断して、水銀メルカプチド塩を生じ、続いてこの塩をメ
ルカプタンへ電気化学的に還元する［ジェイ・キュー・
チェンバース（J.Q.Chambers）、有機硫黄化合物類、
「元素電気化学のエンサイクロペディア」12巻、エイ・
ジェイ・バード編、マーセル・デッカー社、ニューヨー
ク、1978年、393−409頁］。鉛陰極での有機ジサルファ
イドの電気触媒的還元については、幾つかの前例があ
る。チオグリコール酸は、2N硫酸中の鉛陰極でジチオジ
グリコール酸の電気触媒的還元によって得られたという
報告がある［イー・ラーソン（E.Larson）、Ber.Dtsch.
Chem.Ges.61巻1439頁（1928年）］。
第三ブチルフェノール） ｎ＝2,3,4,‥‥；主生成物はジサルファイド有機ジサル
ファイド化合物が、水銀陰極での電気触媒で対応するメ
ルカプタン類に還元できることは一般に知られている。
その場合、水銀は最初の化学段階で硫黄−硫黄結合を切
断して、水銀メルカプチド塩を生じ、続いてこの塩をメ
ルカプタンへ電気化学的に還元する［ジェイ・キュー・
チェンバース（J.Q.Chambers）、有機硫黄化合物類、
「元素電気化学のエンサイクロペディア」12巻、エイ・
ジェイ・バード編、マーセル・デッカー社、ニューヨー
ク、1978年、393−409頁］。鉛陰極での有機ジサルファ
イドの電気触媒的還元については、幾つかの前例があ
る。チオグリコール酸は、2N硫酸中の鉛陰極でジチオジ
グリコール酸の電気触媒的還元によって得られたという
報告がある［イー・ラーソン（E.Larson）、Ber.Dtsch.
Chem.Ges.61巻1439頁（1928年）］。
［問題点を解決する手段］ 次の用語が本明細書で使用されている。
「DTBP」は2,6−ジ第三ブチルフェノール（ｌ）のこ
とである。
とである。
「ポリサルファイド」及び「ビス（3,5−ジ第三ブチ
ル−４−ヒドロキシフェノール）ポリサルファイド」
は、ビス（3,5−ジ第三ブチル−４−ヒドロキシフェノ
ール）ポリサルファイド（II）の一つ以上の種を指すの
に用いられ、ジ−、トリ−、テトラ−、及びそれらより
高次のサルファイド類を包含し、かつ単一種並びに二種
以上の混合物をも包含する。典型的には、ポリサルファ
イドはジサルファイドを他種より多量に存在させた二種
以上の混合物である。
ル−４−ヒドロキシフェノール）ポリサルファイド」
は、ビス（3,5−ジ第三ブチル−４−ヒドロキシフェノ
ール）ポリサルファイド（II）の一つ以上の種を指すの
に用いられ、ジ−、トリ−、テトラ−、及びそれらより
高次のサルファイド類を包含し、かつ単一種並びに二種
以上の混合物をも包含する。典型的には、ポリサルファ
イドはジサルファイドを他種より多量に存在させた二種
以上の混合物である。
「メルカプトフェノール」は2,6−ジ第三ブチル−４
−メルカプトフェノール（III）のことである。
−メルカプトフェノール（III）のことである。
「変更SCE標準電極」は、塩化テトラブチルアンモニ
ウムを充填した飽和カロメル電極と定義される。典型的
には、これは非水性媒体中の印加電位を測定する上での
標準電極として使用される。
ウムを充填した飽和カロメル電極と定義される。典型的
には、これは非水性媒体中の印加電位を測定する上での
標準電極として使用される。
「低級アルカノール」は、１−６個の炭素原子のヒド
ロキシ置換アルカンとして定義される。
ロキシ置換アルカンとして定義される。
メルカプトフェノール（III）合成法の新規な改良
は、酸性電解質媒体中の鉛陰極でポリサルファイド（I
I）の電気触媒的還元を行なうことからなる。一つの態
様で、この電気触媒的還元は酸性電解質媒体中でアセト
ンの存在下に実施できる。この還元は、一段階手順で4,
4′−イソプロピリデンジチオ−ビス（2,6−ジ第三ブチ
ルフェノール）の合成を生ずる。
は、酸性電解質媒体中の鉛陰極でポリサルファイド（I
I）の電気触媒的還元を行なうことからなる。一つの態
様で、この電気触媒的還元は酸性電解質媒体中でアセト
ンの存在下に実施できる。この還元は、一段階手順で4,
4′−イソプロピリデンジチオ−ビス（2,6−ジ第三ブチ
ルフェノール）の合成を生ずる。
概して、酸性電解質媒体中のポリサルファイド（II）
からなる混合物中で鉛陰極と適当な陽極に電圧を印加す
る。好ましい電圧は約−0.5ボルトに等しいかそれ以上
であり（鉛陰極と変更SCE標準電極の間で測定）、好ま
しい陽極はガラス製フリットによって電解質媒体と接触
する黒鉛電極である。酸性電解質媒体は、電気触媒反応
を支持するのに適した溶媒中のルイス酸からなる。この
溶媒は、概してポリサルファイド（II）を十分に可溶化
できるもの、及び電気触媒的還元と両立できるものであ
る。好ましい酸性電解質媒体は、低級アルカノール中の
プロトン酸を含めてなり、メタノール中の1.0モル
（Ｍ）塩酸が最も好ましい。
からなる混合物中で鉛陰極と適当な陽極に電圧を印加す
る。好ましい電圧は約−0.5ボルトに等しいかそれ以上
であり（鉛陰極と変更SCE標準電極の間で測定）、好ま
しい陽極はガラス製フリットによって電解質媒体と接触
する黒鉛電極である。酸性電解質媒体は、電気触媒反応
を支持するのに適した溶媒中のルイス酸からなる。この
溶媒は、概してポリサルファイド（II）を十分に可溶化
できるもの、及び電気触媒的還元と両立できるものであ
る。好ましい酸性電解質媒体は、低級アルカノール中の
プロトン酸を含めてなり、メタノール中の1.0モル
（Ｍ）塩酸が最も好ましい。
電解質媒体中の十分量のアセトン、好ましくはアセト
ンとポリサルファイド（II）とのモルが少なくとも約１
となる量のアセトン、の存在下に上の電気触媒的還元を
行なうと、4,4′−イソプロピリデンシチオ−ビス（2,6
−ジ第三ブチルフェノール）が一段階手順で形成され
る。
ンとポリサルファイド（II）とのモルが少なくとも約１
となる量のアセトン、の存在下に上の電気触媒的還元を
行なうと、4,4′−イソプロピリデンシチオ−ビス（2,6
−ジ第三ブチルフェノール）が一段階手順で形成され
る。
実際の反応機構はわかっていないが、上の方法は初期
の化学段階で鉛がジサルファイド結合を切断する機構
と、鉛メルカプチド塩の電気化学的還元によってメルカ
プトフェノール（III）を生ずる段階を伴っている。
の化学段階で鉛がジサルファイド結合を切断する機構
と、鉛メルカプチド塩の電気化学的還元によってメルカ
プトフェノール（III）を生ずる段階を伴っている。
Ｒ−Ｓ−Ｓ−Ｒ＋Pb0→Pb（SR）２ Pb（SR）２＋2H+＋2e′→Pb0＋2RSH アセトンと酸の存在下に、メルカプトフェノール（II
I）がアセトンと縮合し、4,4′−イソプロピリデンジチ
オ−ビス（2,6−ジ第三ブチルフェノール）が次のよう
に形成される。
I）がアセトンと縮合し、4,4′−イソプロピリデンジチ
オ−ビス（2,6−ジ第三ブチルフェノール）が次のよう
に形成される。
ここで しかし、本発明が、メルカプトフェノール（III）と
4,4′−イソプロピリデンジチオ−ビス（2,6−ジ第三ブ
チルフェノール）の製法に改良を加える上で、任意特定
の理論や機構に制限されないことを了解されたい。
4,4′−イソプロピリデンジチオ−ビス（2,6−ジ第三ブ
チルフェノール）の製法に改良を加える上で、任意特定
の理論や機構に制限されないことを了解されたい。
以下の実施例は、酸性電解質媒体中の鉛陰極を利用す
る電気化学的方法が、銀、金、タングステン、銅、モリ
ブデン、ステンレス鋼、及びRuO2/ZrO2/Tiのような代わ
りの陰極組成物を利用する方法と違って、能率的な陰性
電位でポリサルファイド（II）のメルカプトフェノール
（III）への還元を触媒するのに有効であることを例示
している。更に、鉛陰極を利用する本方法は、アセトン
の存在下に、ポリサルファイド（II）から一段階手順で
の4,4′−イソプロピリデンジチオ−ビス（2,6−ジ第三
ブチルフェノール）の合成に有効であることが示され
た。
る電気化学的方法が、銀、金、タングステン、銅、モリ
ブデン、ステンレス鋼、及びRuO2/ZrO2/Tiのような代わ
りの陰極組成物を利用する方法と違って、能率的な陰性
電位でポリサルファイド（II）のメルカプトフェノール
（III）への還元を触媒するのに有効であることを例示
している。更に、鉛陰極を利用する本方法は、アセトン
の存在下に、ポリサルファイド（II）から一段階手順で
の4,4′−イソプロピリデンジチオ−ビス（2,6−ジ第三
ブチルフェノール）の合成に有効であることが示され
た。
実施例１ 種々の陰極材料によるサイクリック・ボルタンメトリー 鉛、銀、金、モリブデン、タングステン、銅、ステン
レス鋼、及びRuO2/ZrO2/Tiを含めた種々の陰極材料を、
酸性電解質媒体中でのポリサルファイド（II）のメルカ
プトフェノール（III）への還元を触媒する能力につい
て、サイクリック・ボルタンメトリーの手法によって試
験した。ポリサルファイド（II）の存在下及び不在下に
電解質媒体中を流れる電流の量は、試験陰極と陽極との
間に印加される陰性電位として監視された。陰性電位を
一定の率で最大値まで漸増し、次いで出発電位まで低下
させた。サイクリック・ボルタンメトリー用電極を以下
のようにつくった。電極材料の円筒形ビレットをテフロ
ン又はガラス充填テフロン棒の末端にプレスばめにし
て、直径３−5mmの円形露出ディスクをつくり、はんだ
又は銀含有エポキシ樹脂で真ちゅうピンに電気的に接続
した。RuO2/ZrO2/Ti材料は公開された手順によって調製
された［バーク・エル・ディー（Barke,L.D.）、マッカ
ーシー・エム（McCarthy,M.）、Electrochimica Acta29
巻211頁（1984年）］。これらの試験で、電解質媒体は5
0％メタノール/50％ベンゼン中0.5M HClからなるもので
あり、約−0.2Vと約−1.1Vの印加電位間に毎秒200ミリ
ボルト（mV）の走査率を利用した。これらの走査は添加
ポリサルファイド（II）の存在下及び不在下に実施され
た。発生電流量は、変更SCE標準電極に対して測定した
印加電位の関数として監視された。
レス鋼、及びRuO2/ZrO2/Tiを含めた種々の陰極材料を、
酸性電解質媒体中でのポリサルファイド（II）のメルカ
プトフェノール（III）への還元を触媒する能力につい
て、サイクリック・ボルタンメトリーの手法によって試
験した。ポリサルファイド（II）の存在下及び不在下に
電解質媒体中を流れる電流の量は、試験陰極と陽極との
間に印加される陰性電位として監視された。陰性電位を
一定の率で最大値まで漸増し、次いで出発電位まで低下
させた。サイクリック・ボルタンメトリー用電極を以下
のようにつくった。電極材料の円筒形ビレットをテフロ
ン又はガラス充填テフロン棒の末端にプレスばめにし
て、直径３−5mmの円形露出ディスクをつくり、はんだ
又は銀含有エポキシ樹脂で真ちゅうピンに電気的に接続
した。RuO2/ZrO2/Ti材料は公開された手順によって調製
された［バーク・エル・ディー（Barke,L.D.）、マッカ
ーシー・エム（McCarthy,M.）、Electrochimica Acta29
巻211頁（1984年）］。これらの試験で、電解質媒体は5
0％メタノール/50％ベンゼン中0.5M HClからなるもので
あり、約−0.2Vと約−1.1Vの印加電位間に毎秒200ミリ
ボルト（mV）の走査率を利用した。これらの走査は添加
ポリサルファイド（II）の存在下及び不在下に実施され
た。発生電流量は、変更SCE標準電極に対して測定した
印加電位の関数として監視された。
試験材料のうち、モリブデンと鉛のみがポリサルファ
イド（II）の存在下において、ポリサルファイド（II）
の不在下に見られるものより還元電流の著しい増加を示
した。モリブデンでは、還元電流のこの増加は、H2発生
が始まる同じ一般電位で生じた。鉛陰極では、還元電流
の増加は、H2発生が始まる電位より実質的に低い電位で
起こった。ポリサルファイド（II）の還元が起こる電位
についての、鉛とモリブデン陰極間のこの相違は、鉛陰
極の相当な利点を実証している。モリブデン陰極と異な
り、鉛陰極は、H2の同時発生が起こらない電位でのポリ
サルファイド（II）の還元を触媒できる。このように、
鉛電極の使用により、H2発生に関連する火災や爆発災害
が回避できると共に、副生物形成の少ない、より効率的
な還元法が提供される。
イド（II）の存在下において、ポリサルファイド（II）
の不在下に見られるものより還元電流の著しい増加を示
した。モリブデンでは、還元電流のこの増加は、H2発生
が始まる同じ一般電位で生じた。鉛陰極では、還元電流
の増加は、H2発生が始まる電位より実質的に低い電位で
起こった。ポリサルファイド（II）の還元が起こる電位
についての、鉛とモリブデン陰極間のこの相違は、鉛陰
極の相当な利点を実証している。モリブデン陰極と異な
り、鉛陰極は、H2の同時発生が起こらない電位でのポリ
サルファイド（II）の還元を触媒できる。このように、
鉛電極の使用により、H2発生に関連する火災や爆発災害
が回避できると共に、副生物形成の少ない、より効率的
な還元法が提供される。
実施例２ 鉛陰極での電気触媒によるメルカプトフェノールの調製 分離規模の鉛電極は鉛シートから二次加工され、支持
脚をもつ直径３インチのディスクと電気的接続用の長い
鉛リード棒からなるすべて鉛製のユニットとして成形さ
れた。電極全体は、１リットルの電量分析用電池の電解
質媒体中に浸漬され、物質移動のため、鉛ディスクの中
央で磁気かきまぜ棒が回転する。
脚をもつ直径３インチのディスクと電気的接続用の長い
鉛リード棒からなるすべて鉛製のユニットとして成形さ
れた。電極全体は、１リットルの電量分析用電池の電解
質媒体中に浸漬され、物質移動のため、鉛ディスクの中
央で磁気かきまぜ棒が回転する。
分離規模の鉛陰極と、電解質媒体と接触させるために
ガラス製フリットを取り付けた黒鉛陽極とを、メタノー
ル中1.0M HCl600mlに浸漬し、電極間に−0.6Vの電位を
かけた。印加電位を変更SCE電極の電位に対して測定し
た。ポリサルファイド（II）2gを加え、電流が直ちに流
れ始めた。反応を完了まで進め、生ずる生成物を単離し
た。生成物を分析すると、これが主にメルカプトフェノ
ール（III）からなることが示された。
ガラス製フリットを取り付けた黒鉛陽極とを、メタノー
ル中1.0M HCl600mlに浸漬し、電極間に−0.6Vの電位を
かけた。印加電位を変更SCE電極の電位に対して測定し
た。ポリサルファイド（II）2gを加え、電流が直ちに流
れ始めた。反応を完了まで進め、生ずる生成物を単離し
た。生成物を分析すると、これが主にメルカプトフェノ
ール（III）からなることが示された。
実施例３ 鉛陰極での電気触媒による4,4′−イソプロピリデンジ
チオ−ビス（2,6−ジ第三ブチルフェノール）の調製 50％メタノール/25％トルエン/25％アセトン中の0.5M
HClからなる電解質媒体600mlに−0.7Vを印加して、上
の反応を繰り返した。10％Na2CO3水溶液で洗った後、生
成物を有機相から単離した。分析は、生成物が主に4,
4′−イソプロピリデンジチオ−ビス（2,6−ジ第三ブチ
ルフェノール）からなることを示した。
チオ−ビス（2,6−ジ第三ブチルフェノール）の調製 50％メタノール/25％トルエン/25％アセトン中の0.5M
HClからなる電解質媒体600mlに−0.7Vを印加して、上
の反応を繰り返した。10％Na2CO3水溶液で洗った後、生
成物を有機相から単離した。分析は、生成物が主に4,
4′−イソプロピリデンジチオ−ビス（2,6−ジ第三ブチ
ルフェノール）からなることを示した。
これらの実験は、酸性電解質媒体中の鉛陰極でのポリ
サルファイド（II）の電気触媒的還元からなる新規な方
法により、メルカプトフェノール（III）がポリサルフ
ァイド（II）から効果的に合成できること、及びこの電
気触媒反応をアセトンの存在下に実施する時に4,4′−
イソプロピリデンジチオ−ビス（2,6−ジ第三ブチルフ
ェノール）がつくられることを示した。
サルファイド（II）の電気触媒的還元からなる新規な方
法により、メルカプトフェノール（III）がポリサルフ
ァイド（II）から効果的に合成できること、及びこの電
気触媒反応をアセトンの存在下に実施する時に4,4′−
イソプロピリデンジチオ−ビス（2,6−ジ第三ブチルフ
ェノール）がつくられることを示した。
上の詳細な説明が例示のためにのみ与えられたもので
あり、本発明の精神又は範囲から逸脱せずに多くの変更
をなしうることは、理解されるところである。
あり、本発明の精神又は範囲から逸脱せずに多くの変更
をなしうることは、理解されるところである。
Claims (10)
- 【請求項１】ビス（3,5−ジ第三ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）ポリサルファイドを、酸性電解質媒体中の
鉛陰極で電気触媒的に還元することからなる、2,6−ジ
第三ブチル−４−メルカプトフェノールの製造方法。 - 【請求項２】電解質媒体が低級アルカノール中のプロト
ン酸からなる、特許請求の範囲第１項の方法。 - 【請求項３】電解質媒体がメタノール中の塩酸からな
る、特許請求の範囲第１項の方法。 - 【請求項４】−0.5ボルトの電気陰性電位が鉛陰極で保
持される、特許請求の範囲第１項の方法。 - 【請求項５】ビス（3,5−ジ第三ブチル−４−ヒドロキ
シフェノール）ポリサルファイドを、アセトンを含有す
る酸性電解質媒体中の鉛陰極で、電気触媒的に還元し、
生成物とアセトンとの反応により得られる4,4′−イソ
プロピリデンジチオ−ビス（2,6−ジ第三ブチルフェノ
ール）を媒体から単離することからなる、4,4′−イソ
プロピリデンジチオ−ビス（2,6−ジ第三ブチルフェノ
ール）の製造方法。 - 【請求項６】電解質媒体が低級アルカノール中のプロト
ン酸からなる、特許請求の範囲第５項の方法。 - 【請求項７】電解質媒体がメタノール中の塩酸からな
る、特許請求の範囲第５項の方法。 - 【請求項８】−0.5ボルトの電気陰性電位が鉛陰極で保
持される、特許請求の範囲第５項の方法。 - 【請求項９】アセトンとビス（3,5−ジ第三ブチル−４
−ヒドロキシフェノール）ポリサルファイドとのモル比
が１以上である、特許請求の範囲第５項の方法。 - 【請求項１０】更に、反応混合物から4,4′−イソプロ
ピリデンジチオ−ビス（2,6−ジ第三ブチルフェノー
ル）を分離する段階からなる、特許請求の範囲第５項の
方法。
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