JP2649813B2 - Method for producing silicon nitride whiskers from rice husk - Google Patents

Method for producing silicon nitride whiskers from rice husk

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【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、もみ殻を原料とする窒化ケイ素ウィスカー
の製造方法に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing silicon nitride whiskers from rice hulls.

次世代の構造材料として注目されているFRM(繊維強
化金属)、FRC(繊維強化セラミック)などの複合材料
の強化材としては、ウィスカー、多結晶、非晶質などか
らなる短繊維、連続繊維などが考えられている。この内
でも、ウィスカーは、形状比(長さ/径)が大きい単結
晶であり、他の繊維に比して強度が大きいことから、特
に有望視されている材料である。
Reinforcing materials for composite materials such as FRM (fiber reinforced metal) and FRC (fiber reinforced ceramic), which are attracting attention as next-generation structural materials, include whiskers, polycrystalline, amorphous short fibers, and continuous fibers. Is considered. Among them, whiskers are a single crystal having a large shape ratio (length / diameter), and have high strength as compared with other fibers, and are therefore particularly promising materials.

現在実用に向けての研究が進められているウィスカー
としては、窒化ケイ素(Si3N4)、炭化ケイ素(SiC)、
チタン酸カリウム(K2O・6TiO2)などがある。特に、窒
化ケイ素は、高温強度及び熱衝撃抵抗に優れ、理論値に
近い引張強度を発揮することから、高温で使用される複
合材料用の強化材として、注目されている。
Whiskers that are currently being studied for practical use include silicon nitride (Si 3 N 4 ), silicon carbide (SiC),
And the like potassium titanate (K 2 O · 6TiO 2) . In particular, silicon nitride has attracted attention as a reinforcing material for composite materials used at high temperatures because it has excellent high-temperature strength and thermal shock resistance and exhibits a tensile strength close to a theoretical value.

従来技術とその問題点 窒化ケイ素ウィスカーの製造方法としては、固相法、
液相法及び気相法が知られており、工業的には、固相法
及び気相法が採用されている。
Conventional technology and its problems As a method for producing silicon nitride whiskers, a solid phase method,
A liquid phase method and a gas phase method are known, and a solid phase method and a gas phase method are industrially employed.

固相法では、SiO2粉末にN2ガスを接触させるか、SiO2
−C−フッ化物系混合物にN2ガスまたはN2−NH3混合ガ
スを接触させて、窒化ケイ素ウィスカーを得ている。し
かしながら、この固相法により得られる窒化ケイ素ウィ
スカーは、形状が一定ではなく、直径が比較的大きく且
つそのばらつきも大きい。
The solid phase method, or contacting the N 2 gas to the SiO 2 powder, SiO 2
The N 2 gas or the N 2 —NH 3 mixed gas is brought into contact with the —C—fluoride-based mixture to obtain a silicon nitride whisker. However, the silicon nitride whiskers obtained by this solid phase method are not uniform in shape, have relatively large diameters, and have large variations.

気相法には、(イ)ケイ素の塩化物にNH3ガスを接触
させる方法、(ロ)モノシラン(SiH4)をNH3ガスと反
応させる方法、 (ハ)シリコンジイミド[{Si(NH)]をN2ガス
雰囲気中またはNH3ガス雰囲気中で熱分解させる方法な
どが含まれている。しかしながら、これらの方法には、
使用する原料が高価であるという共通した欠点のほか
に、(イ)では、生成物中に塩素が混入する、(ロ)で
は、モノシランの空気中での酸化が激しいので、取扱い
に難点があり、また廃ガスの処理が困難である、(ハ)
では、生成物中にイミドが残留するので、NH3臭が残存
する、等の問題点がある。
The gas phase method includes (a) a method of bringing NH 3 gas into contact with silicon chloride, (b) a method of reacting monosilane (SiH 4 ) with an NH 3 gas, (c) silicon diimide [{Si (NH) 2x ] is thermally decomposed in an N 2 gas atmosphere or an NH 3 gas atmosphere. However, these methods include:
In addition to the common drawback that the raw materials used are expensive, (a) chlorine is mixed into the product, and (b) monosilane is oxidized in the air intensely. And it is difficult to treat waste gas. (C)
Thus, there is a problem that the imide remains in the product, so that the smell of NH 3 remains.

問題点を解決するための手段 本発明者は、上記の如き技術の現況に鑑みて、思索を
重ねてきた。その過程において、現在、わが国において
は年間約300万トン(1986年)も生成されるもみ殻に着
目した。すなわち、もみ殻中には、産地により若干の変
化はあるが、約15乃至20重量%程度のSiO2が含まれてお
り、もみ殻の無機成分の約95%を占めている。しかる
に、もみ殻の大部分は、農業廃棄物として処理され、一
部が、燃料として利用されているにすぎない。したがっ
て、上述の従来技術の問題点を解決するとともに、この
もみ殻を有効に利用することが出来れば、新たなケイ素
資源を見出したこととなり得るはずである。本発明者
は、この様な新たな着想のもとに更に研究を進めた結
果、ついに本発明を完成するに至った。すなわち、本発
明は、下記の方法を提供するものである: 「(a)乾燥もみ殻を無機酸で処理し、濾過し、固形分
を洗浄して酸処理もみ殻を得る工程、及び (b)得られた酸処理もみ殻を有機鉄化合物の存在下且
つN2ガスの流通下に熱処理して窒化ケイ素ウィスカーを
成長させる工程 を備えたことを特徴とするもみ殻を原料とする窒化ケイ
素ウィスカーの製造方法。」 本発明において出発原料として使用するもみ殻は、そ
のまま使用しても良いが、通常は夾雑物が混入している
ので、予め水洗及び乾燥しておくことが好ましい。
Means for Solving the Problems The present inventor has been thinking in view of the state of the art as described above. In the process, we focused on rice husks, which are currently produced in Japan at about 3 million tons (1986). That is, the rice hulls contain about 15 to 20% by weight of SiO 2, although there is a slight change depending on the production area, and occupy about 95% of the inorganic components of the rice husks. However, most of the rice husk is disposed of as agricultural waste, and only a portion is used as fuel. Therefore, if the above-mentioned problems of the prior art can be solved and this rice husk can be effectively used, a new silicon resource can be found. As a result of further research based on such a new idea, the present inventors have finally completed the present invention. That is, the present invention provides the following method: "(a) treating dried rice hulls with an inorganic acid, filtering and washing solids to obtain an acid-treated rice hull; and (b) A) heat-treating the obtained acid-treated rice husks in the presence of an organic iron compound and in the flow of N 2 gas to grow silicon nitride whiskers. The rice husk used as a starting material in the present invention may be used as it is, but it is preferable that it be washed and dried in advance because it usually contains contaminants.

必要に応じて水洗及び乾燥を終えたもみ殻は、無機酸
の稀薄溶液で処理される。無機酸としては、硝酸、塩
酸、硫酸等が使用され、その溶液濃度は、特に限定され
ないが、硝酸及び塩酸の場合には、0.5〜2N程度、硫酸
の場合には、0.1〜0.5N程度とすることが好ましい。酸
処理は、SiO2以外の成分(有機物、P2O5、K2O、CaOな
ど)を除去し得る条件(温度及び時間)で行えば良く、
特に限定されないが、 80〜100℃程度で1〜3時間程度行うことが好ましい。
次いで、処理液を濾過し、残留する固形分を水洗及び乾
燥して、酸処理物を得る。水洗及び乾燥の方法などは、
特に限定されず、酸が除去され且つ引き続く反応時に反
応を阻害しない程度に水分の除去を行うような条件を採
用すれば良い。
The rice hulls, which have been washed and dried as required, are treated with a dilute solution of an inorganic acid. As the inorganic acid, nitric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid and the like are used.The concentration of the solution is not particularly limited, but in the case of nitric acid and hydrochloric acid, it is about 0.5 to 2 N, and in the case of sulfuric acid, it is about 0.1 to 0.5 N. Is preferred. The acid treatment may be performed under conditions (temperature and time) capable of removing components other than SiO 2 (organic substances, P 2 O 5 , K 2 O, CaO, etc.),
Although not particularly limited, it is preferable to carry out the reaction at about 80 to 100 ° C. for about 1 to 3 hours.
Next, the treatment liquid is filtered, and the remaining solid content is washed with water and dried to obtain an acid-treated product. Washing and drying methods, etc.,
There is no particular limitation, and conditions may be employed such that the acid is removed and moisture is removed to such an extent that the reaction is not hindered during the subsequent reaction.

かくして得られた酸処理物を反応器内に配置し、カー
ボンプレート上に置かれた有機鉄化合物の存在下にN2
スに接触させ、所定の温度で、保持する。有機鉄化合物
としては、フェロセン[Fe(C5H5]、テトラカルボ
ニルビス二鉄[Fe(CO)(C2H5]、ビス(η−イ
ンデニル)鉄(II) [Fe(C9H7]、メチルフェロセン[Fe(C5H5)(C5
H4CH3)]、ホルミルフェロセン[Fe(C5H5)・(C5H4C
HO)]、フェロセンモノカルボン酸[Fe(C5H5)(C5H4
COOH)]、フェロセンモノカルボン酸メチル[Fe(C
5H5)(C5H4COOCH3)]等が例示される。有機鉄化合物
は、長寸で、径の揃った高品質の窒化ケイ素ウィスカー
を得るための本発明における必須の構成要素であり、反
応時にSiO、C、N2などの気相種を溶解させ、これらが
過飽和となって、下式に従うVLS(vapor、liquid、soli
d)機構により窒化ケイ素ウィスカーを成長させるもの
と推定される。
The acid-treated product thus obtained is placed in a reactor, brought into contact with N 2 gas in the presence of an organic iron compound placed on a carbon plate, and kept at a predetermined temperature. Examples of the organic iron compound include ferrocene [Fe (C 5 H 5 ) 2 ], tetracarbonylbisdiiron [Fe (CO) 4 (C 2 H 5 ) 2 ], bis (η-indenyl) iron (II) [Fe (C 9 H 7 ) 2 ], methyl ferrocene [Fe (C 5 H 5 ) (C 5
H 4 CH 3 )], formylferrocene [Fe (C 5 H 5 ) · (C 5 H 4 C
HO)], ferrocene monocarboxylic acid [Fe (C 5 H 5) (C 5 H 4
COOH)], methyl ferrocene monocarboxylate [Fe (C
5 H 5) (C 5 H 4 COOCH 3)] and the like. The organic iron compound is an essential component in the present invention for obtaining high-quality silicon nitride whiskers having a long size and a uniform diameter, and dissolves gas phase species such as SiO, C, and N 2 during the reaction, These become supersaturated and VLS (vapor, liquid, soli)
d) It is estimated that silicon nitride whiskers are grown by the mechanism.

SiO2+C→SiO+CO 3SiO+3CO+2N2→si3N4+3CO2 なお、有機鉄化合物の不存在下にもみ殻酸処理物の熱
処理を行う場合には、寸法の短い、若干太径で、不揃い
な低品質の窒化ケイ素ウィスカーが得られる。
SiO 2 + C → SiO + CO 3SiO + 3CO + 2N 2 → si 3 N 4 + 3CO 2 In the case where in the absence of an organic iron compound is subjected to heat treatment for viewing Karasan treated is short dimension, slightly large diameter, irregular low quality Is obtained.

N2ガスの流量は、反応器の単位断面積(cm2)当たり1
0〜40ml/min程度とすることが好ましい。N2ガスの流量
が10ml/min未満の場合には、ウィスカーの成長が不十分
となり、一方40ml/minを上回る場合には、欠陥の多い、
径の不揃いなウィスカーが形成される傾向にある。熱処
理は、1350〜1500℃程度で行うことが好ましい。熱処理
温度が1350℃未満の場合には、ウィスカーがほとんど形
成されず、一方1500℃を上回る場合には、SiCが生成す
るようになる。熱処理時間は、ウィスカーの所望寸法、
反応装置の大きさ、反応温度などにより変わり、特に限
定されないが、通常8〜10時間程度である。
The flow rate of N 2 gas is 1 per unit sectional area (cm 2 ) of the reactor.
It is preferable to be about 0 to 40 ml / min. If the flow rate of N 2 gas is less than 10 ml / min, whisker growth will be insufficient, while if it exceeds 40 ml / min, many defects will occur.
Whiskers of irregular diameter tend to be formed. The heat treatment is preferably performed at about 1350 to 1500 ° C. When the heat treatment temperature is lower than 1350 ° C., whiskers are hardly formed, while when the heat treatment temperature is higher than 1500 ° C., SiC is generated. The heat treatment time depends on the desired size of the whisker,
It varies depending on the size of the reaction apparatus, the reaction temperature and the like, and is not particularly limited, but is usually about 8 to 10 hours.

窒化反応終了後、酸化防止のために、900℃程度とな
るまでN2ガスの流通下に冷却し、引き続き室温まで放冷
する。
After the end of the nitriding reaction, in order to prevent oxidation, the system is cooled under a flow of N 2 gas until the temperature reaches about 900 ° C., and then cooled to room temperature.

かくして得られた窒化ケイ素ウィスカーは、実質的に
α−Si3N4からなり、通常平均純度(Si3N4として)97〜
98%程度以上、長さ100〜2000μm程度且つ直径0.1〜0.
5μm程度の範囲内にあり、同一反応条件で得られたも
のは、長さ及び直径が比較的揃っている。
The silicon nitride whiskers thus obtained consist essentially of α-Si 3 N 4 and usually have an average purity (as Si 3 N 4 ) of from 97 to
About 98% or more, length about 100-2000 μm and diameter 0.1-0.2.
Those having a diameter in the range of about 5 μm and obtained under the same reaction conditions have relatively uniform lengths and diameters.

発明の効果 本発明によれば、以下の如き効果が達成される。According to the present invention, the following effects are achieved.

(a)従来農業廃棄物として処分されて来たもみ殻をケ
イ素源とするので、原料コストが大巾に低下する。
(A) Since rice husks conventionally disposed of as agricultural waste are used as a silicon source, the cost of raw materials is greatly reduced.

(b)無機酸によるもみ殻の処理を行うことによりSiO2
以外の成分をあらかじめ除去するので、高純度の窒化ケ
イ素ウィスカーが得られる。
(B) The treatment of rice hulls with an inorganic acid results in the formation of SiO 2
Since other components are removed in advance, high-purity silicon nitride whiskers can be obtained.

(c)製造設備は、簡単な構造のもので良い。(C) The manufacturing equipment may have a simple structure.

(d)有機鉄化合物を使用することにより、長寸の窒化
ケイ素ウィスカーが得られる。
(D) By using the organic iron compound, a long silicon nitride whisker can be obtained.

(e)得られた窒化ケイ素ウィスカーは、欠陥が少な
く、長さ及び径の揃ったものである。
(E) The obtained silicon nitride whiskers have few defects and uniform length and diameter.

実 施 例 以下実施例を示し、本発明の特徴とするところをより
一層明らかにする。
EXAMPLES Examples are shown below to further clarify features of the present invention.

実施例1 第1図に断面図としてその概要を示す装置を使用して
本発明を実施した。
Example 1 The present invention was implemented using an apparatus whose outline is shown as a sectional view in FIG.

第1図に示す装置は、アルミナ管(1)内に挿入され
たカーボン管(3)、熱電対(5)及びアルミナ管
(1)の周りに設けられた発熱体(図示せず)を備えて
いる。カーボン管(3)内には、N2ガスの流れ方向
(7)、(9)に垂直な穴あき壁板(11)、(13)を有
するカーボン製容器(15)、水平カーボン板(17)及び
穴あきカーボン板(19)が配置されている。
The apparatus shown in FIG. 1 includes a carbon tube (3) inserted into an alumina tube (1), a thermocouple (5), and a heating element (not shown) provided around the alumina tube (1). ing. Inside the carbon pipe (3), a carbon container (15) having perforated wall plates (11) and (13) perpendicular to the N 2 gas flow direction (7) and (9), and a horizontal carbon plate (17) ) And a perforated carbon plate (19).

もみ殻を9メッシュの金網上に載せ、上から水をかけ
て十分に洗浄した後、60℃で24時間乾燥させた。次い
で、乾燥したもみ殻10gに1NのHNO3230mlを加え、90℃で
3時間加熱した後、液を濾過し、固形分を回収し、60℃
で24時間乾燥して、酸処理もみ殻を得た。
The rice hulls were placed on a 9-mesh wire net, washed thoroughly with water from above, and dried at 60 ° C. for 24 hours. Next, 230 ml of 1N HNO 3 was added to 10 g of the dried rice husks, and the mixture was heated at 90 ° C. for 3 hours.
For 24 hours to obtain acid-treated rice hulls.

かくして得た酸処理もみ殻1gを前記カーボン製容器
(15)内に設置するとともに、フェロセン0.1gを面積1.
8×10cm2のカーボン板(17)上に均一に散布した。この
状態で、N2ガスをカーボン管(3)の単位断面積(c
m2)当たり32ml/分の割合で矢印(7)から(9)の方
向に流通させつつ、カーボン製容器(15)内の温度を5
℃/分の速度で昇温させ、1400℃で10時間窒化反応を行
った。
1 g of the acid-treated rice hulls thus obtained was placed in the carbon container (15), and 0.1 g of ferrocene was placed in an area of 1.
It was evenly spread on an 8 × 10 cm 2 carbon plate (17). In this state, the N 2 gas is supplied through the unit cross-sectional area (c
The temperature in the carbon container (15) was lowered by 5 while flowing in the direction of arrows (7) to (9) at a rate of 32 ml / min per m 2 ).
The temperature was raised at a rate of ° C / min, and a nitriding reaction was performed at 1400 ° C for 10 hours.

窒化反応終了後、カーボン製容器(15)内の温度が90
0℃に低下するまでN2ガスを流し続け、次いで空気中で
室温まで自然冷却させた。
After the nitridation reaction, the temperature in the carbon container (15) is 90
The N 2 gas was continued to flow until the temperature dropped to 0 ° C, and then allowed to cool naturally to room temperature in air.

かくして、主に穴あき壁板(13)の外側及びカーボン
板(17)上に反応生成物が形成されていた。得られた生
成物には、少量のカーボンが混入していたので、これを
空気中700℃で1時間熱処理することにより、長さ1500
〜2000μm程度、直径0.1〜0.3μm程度の白色の窒化ケ
イ素ウィスカーを得た。
Thus, a reaction product was formed mainly on the outside of the perforated wall plate (13) and on the carbon plate (17). A small amount of carbon was mixed in the obtained product.
White silicon nitride whiskers having a size of about 2000 μm and a diameter of about 0.1 to 0.3 μm were obtained.

得られた窒化ケイ素ウィスカーは、X線回折により、
α−Si3N4であることが確認された。
The obtained silicon nitride whiskers were analyzed by X-ray diffraction.
It was confirmed to be α-Si 3 N 4 .

なお、カーボン製容器(15)内にも、少量の窒化ケイ
素ウィスカー(α−Si3N4)が生成していたが、このも
のは、長さ100μm以下、直径0.2〜2μm程度で、径が
若干不揃いであった。
A small amount of silicon nitride whiskers (α-Si 3 N 4 ) were also formed in the carbon container (15), and this whisker had a length of 100 μm or less, a diameter of about 0.2 to 2 μm, and a diameter of about 0.2 to 2 μm. It was slightly irregular.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は、本願実施例1において使用した製造装置の概
要を示す断面図である。 (1)……アルミナ管 (3)……カーボン管 (5)……熱電対 (7)……N2ガスの流れ方向 (9)……N2ガスの流れ方向 (11)……穴あき壁板 (13)……穴あき壁板 (15)……カーボン製容器 (17)……水平カーボン板 (19)……穴あきカーボン板
FIG. 1 is a sectional view showing an outline of a manufacturing apparatus used in Example 1 of the present application. (1) Alumina tube (3) Carbon tube (5) Thermocouple (7) Flow direction of N 2 gas (9) Flow direction of N 2 gas (11) Perforated Wall plate (13): Perforated wall plate (15): Carbon container (17): Horizontal carbon plate (19): Perforated carbon plate

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】(a)乾燥もみ殻を無機酸で処理し、濾過
し、固形分を洗浄して酸処理もみ殻を得る工程、及び (b)得られた酸処理もみ殻を有機鉄化合物の存在下且
つN2ガスの流通下に熱処理して窒化ケイ素ウィスカーを
成長させる工程 を備えたことを特徴とするもみ殻を原料とする窒化ケイ
素ウィスカーの製造方法。
(A) treating dried rice hulls with an inorganic acid, filtering and washing solids to obtain acid-treated rice hulls; and (b) treating the obtained acid-treated rice hulls with an organic iron compound. A process of growing silicon nitride whiskers by heat-treating in the presence of N 2 and flowing N 2 gas to produce silicon nitride whiskers using rice husk as a raw material.
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