JP2648386B2 - Optical neurocomputer - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、生体の神経回路網を模擬し、連想やパタ
ーン認識などの機能を有するコンピュータ（ニューロコ
ンピュータ）を光学的に実現する光ニューロコンピュー
タに関するものである。The present invention relates to an optical neurocomputer that simulates a neural network of a living body and optically realizes a computer (neurocomputer) having functions such as association and pattern recognition. It is about.
［従来の技術］ 第６図は、例えばOptics letters第14巻、第16号（19
89）の第844頁〜第846頁に記載された従来の光ニューロ
コンピュータ（光ニューロチップ）を示す構成図であ
る。[Prior Art] FIG. 6 shows, for example, Optics letters Vol. 14, No. 16 (19
FIG. 89 is a configuration diagram showing a conventional optical neurocomputer (optical neurochip) described on pages 844 to 846 of (89).
図において、（101）はストライプ状の発光素子で、
等間隔に並べられ発光素子アレイ層を構成している。各
発光素子（101）に与えられる入力信号が「１」か
「０」かであるのに対応して各発光素子（101）が点燈
あるいは消燈するように構成されている。（102）は各
発光素子（101）からの光を受光するストライプ状の受
光素子で、等間隔に並べられ受光素子アレイ層を構成し
ている。各受光素子（102）は各発光素子（101）に対し
て互いに直交するように配置されている。In the figure, (101) is a stripe-shaped light emitting element,
The light emitting element array layers are arranged at equal intervals. Each light emitting element (101) is turned on or off according to whether the input signal given to each light emitting element (101) is "1" or "0". (102) is a stripe-shaped light receiving element for receiving light from each light emitting element (101), and is arranged at equal intervals to constitute a light receiving element array layer. Each light receiving element (102) is arranged so as to be orthogonal to each light emitting element (101).
この光ニューロコンピュータでは、発光素子アレイ層
および受光素子アレイ層は、発光素子（101）および受
光素子（102）がそれぞれ32個ずつ配列されている。（1
03）は発光素子（101）と受光素子（102）との間の設け
られた空間光変調器であり、発光素子（101）と受光素
子（102）の各交点を要素とするマトリックス状に配置
されており、その各要素の光透過率により各発光素子
（101）からの光信号を変調するように構成されてい
る。空間光変調器（103）は32×32のマトリックス状の
各点に、金属皮膜が形成されているか否かで構成されて
おり、マトリックス状の各点の金属皮膜の有無に対応し
て「１」か「０」が定まる。In this optical neurocomputer, the light emitting element array layer and the light receiving element array layer each include 32 light emitting elements (101) and 32 light receiving elements (102). (1
03) is a spatial light modulator provided between the light emitting element (101) and the light receiving element (102), and is arranged in a matrix with each intersection of the light emitting element (101) and the light receiving element (102) as an element. The optical signal from each light emitting element (101) is modulated by the light transmittance of each element. The spatial light modulator (103) is constituted by whether or not a metal film is formed at each point of a 32 × 32 matrix, and “1” corresponds to the presence or absence of the metal film at each point of the matrix. "Or" 0 "is determined.
この構成では、発光素子（101）のアレイ層、受光素
子（102）のアレイ層、空間光変調器（103）の３層が積
み重ねられたものものとなっており、上述した通り、発
光素子（101）のアレイ層と受光素子（102）のアレイ層
とはそれぞれのアレイ層を構成する各素子の長手方向が
互いに直交するように貼り合わされている。In this configuration, an array layer of the light emitting element (101), an array layer of the light receiving element (102), and three layers of the spatial light modulator (103) are stacked. As described above, the light emitting element ( The array layer of 101) and the array layer of the light receiving element (102) are bonded so that the longitudinal directions of the elements constituting each array layer are orthogonal to each other.
次に動作について説明する。 Next, the operation will be described.
まず、入力信号が、各発光素子（101）に入力される
と、各入力信号が「１」か「０」かであるのに対応し
て、各発光素子（101）は点燈するかあるいは消燈す
る。この各発光素子（101）からの出射光は、各発光素
子（101）の発光領域がストライプ状となっているた
め、空間光変調器（103）の各列に一様に入射する。空
間光変調器（103）のマトリックス状の各要素の光透過
率Tijは、上述した通りあらかじめマスクの２次元マト
リックスパターンとして固定されている。First, when an input signal is input to each of the light emitting elements (101), each of the light emitting elements (101) is turned on or corresponding to whether the input signal is “1” or “0”. Turn off the light. The light emitted from each light emitting element (101) is uniformly incident on each column of the spatial light modulator (103) because the light emitting region of each light emitting element (101) has a stripe shape. The light transmittance T ij of each matrix-like element of the spatial light modulator (103) is fixed in advance as a two-dimensional matrix pattern of the mask as described above.
この光の透過率Tijが、生体系におけるニューロン間
のシナプス結合に対応している。The light transmittance T ij corresponds to synaptic connections between neurons in the biological system.
また、このときｊ行目の発光素子（101）が空間変調
器（103）のｊ行目の要素を照射し、空間変調器（103）
のｉ列目を透過した出力光がｉ行目の受光素子（102）
に入射するので、ベクトル・マトリックス演算式は、 と表すことができる。At this time, the light emitting element (101) on the j-th row irradiates the element on the j-th row of the spatial modulator (103), and the spatial modulator (103)
The output light transmitted through the i-th column is a light-receiving element (102) in the i-th row.
, So the vector matrix operation formula is It can be expressed as.
但し、vjは発光素子（101）の配列への入力信号列で
あり、ujは受光素子（102）の配列からの出力信号列で
ある。Here, v j is an input signal sequence to the array of the light emitting elements (101), and u j is an output signal sequence from the array of the light receiving elements (102).
出力信号列uiは、ニューロンに対応させるために、外
部電子回路により、閾値処理が行われる。さらに閾値処
理後の出力信号は、出力側に設けられた電子回路により
入力側へフィードバックされる。以上のループを繰り返
すことにより、フィードバック型のニューラルネットワ
ークを構成することができる。The output signal sequence u i is subjected to threshold processing by an external electronic circuit in order to correspond to the neuron. Further, the output signal after the threshold processing is fed back to the input side by an electronic circuit provided on the output side. By repeating the above loop, a feedback-type neural network can be configured.
このようなニューラルネットワークシステムを用いる
ことにより連想メモリとして機能させることができる。By using such a neural network system, it is possible to function as an associative memory.
［発明が解決しようとする課題］ 従来の光ニューロコンピュータは、以上のように構成
されているので、発光素子（101）のアレイ層と受光素
子（102）アレイ層とを空間光変調器（103）をはさんで
向い合わせに、貼り合わせなければならず、精度の良い
アライメントが必要であった。また、空間光変調器（10
3）の各要素の透過率Tijは固定されているため、シナプ
スの結合強度を更新することができないなどの問題点が
あった。[Problems to be Solved by the Invention] Since the conventional optical neurocomputer is configured as described above, the spatial light modulator (103) includes the array layer of the light emitting element (101) and the array layer of the light receiving element (102). ) Must be bonded face-to-face, and accurate alignment is required. In addition, the spatial light modulator (10
Since the transmittance T ij of each element in 3) is fixed, there has been a problem that the synapse coupling strength cannot be updated.
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、同一の半導体チップ上に発光素子アレイ層
と受光素子アレイ層とをモノリシックに集積化でき、さ
らに各受光素子の受光感度を外部からコントロールする
ことで、ニューロンの結合強度を更新できる光ニューロ
コンピュータを得ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems. The light emitting element array layer and the light receiving element array layer can be monolithically integrated on the same semiconductor chip, and the light receiving sensitivity of each light receiving element can be reduced. It is an object of the present invention to obtain an optical neurocomputer that can update the coupling strength of a neuron by external control.
［課題を解決するための手段］ この発明に係る光ニューロコンピュータは、受光素子
にMSM（Metal−Semiconductor−metal）構造を採用する
ことで、受光素子アレイ層と発光素子アレイ層とを集積
化可能にしたものである。[Means for Solving the Problems] The optical neurocomputer according to the present invention can integrate a light receiving element array layer and a light emitting element array layer by adopting an MSM (Metal-Semiconductor-metal) structure for a light receiving element. It was made.
［作用］ この発明におけるMSM−受光素子アレイ層は、受光素
子アレイ層の上に、直接形成されるため、貼り合わせの
プロセスが省略される。また、この発明による製造方法
では、発光素子アレイ層の作製過程と受光素子アレイ層
の作製過程とが同一の工程中で行われるため、高密度の
集積化が容易に実現できる。[Operation] Since the MSM-light receiving element array layer in the present invention is formed directly on the light receiving element array layer, the bonding process is omitted. Further, in the manufacturing method according to the present invention, since the manufacturing process of the light emitting element array layer and the manufacturing process of the light receiving element array layer are performed in the same process, high-density integration can be easily realized.
［実施例］ 第１図は、この発明の一実施例における発光素子上に
受光素子が形成された部分の局部的構成を示す斜視図で
あり、図のながて方向と発光素子のながて方向とが一致
しており、受光素子のながて方向は発光素子のながて方
向と直交しているのは上記従来例と同一であり、また発
光素子（１）のアレイ層の構成は上述した従来例におけ
る発光素子（101）と同様のものである。（２）は受光
素子である。Embodiment FIG. 1 is a perspective view showing a local structure of a portion in which a light receiving element is formed on a light emitting element according to an embodiment of the present invention. The direction of the light-receiving element is perpendicular to the direction of the light-emitting element, which is the same as the above-described conventional example, and the configuration of the array layer of the light-emitting element (1). Is similar to the light emitting element (101) in the above-described conventional example. (2) is a light receiving element.
第２図は第１図における受光素子（２）の詳細構成を
示す拡大斜視図である。FIG. 2 is an enlarged perspective view showing a detailed configuration of the light receiving element (2) in FIG.
（４）はｎ−AlGaAsからなるノンドープのスペース
層、（５）はｎ−GaAsからなるノンドープの活性層（受
光層）、（６）はくし型のAl（又はPt−Au）電極（対称
構造を持った制御電極対）、（７）は配線用電極であ
る。なお、電極間の絶縁層は省略している。(4) is a non-doped space layer made of n-AlGaAs, (5) is a non-doped active layer (light-receiving layer) made of n-GaAs, and (6) is a comb-shaped Al (or Pt-Au) electrode (having a symmetrical structure). And (7) are wiring electrodes. The insulating layer between the electrodes is omitted.
第３図は第１図における発光素子（１）の詳細構成を
示す拡大斜視図である。FIG. 3 is an enlarged perspective view showing a detailed configuration of the light emitting element (1) in FIG.
（９）は上下一対の電極である。（10）はｎ−GaAs基
板、（11）はｎ−AlGaAs層、（12）はｎ−GaAs層、（1
3）はｐ−AlGaAs層、（14）はｐ−GaAs層、（15）はSiO
2の絶縁膜であり、これらは一対の電極（９）の間に多
層形成されている。出力光は電極（９）の一部の光出射
窓（16）から取り出される。(9) is a pair of upper and lower electrodes. (10) is an n-GaAs substrate, (11) is an n-AlGaAs layer, (12) is an n-GaAs layer, (1)
3) is a p-AlGaAs layer, (14) is a p-GaAs layer, and (15) is SiO
2 are insulating films which are formed in a multilayer between a pair of electrodes (9). The output light is extracted from a part of the light exit window (16) of the electrode (9).
第４図は、第１図の詳細構成を示す断面図である。第
２図で示した受光素子（２）は、第３図で示した発光素
子アレイ（１）の光出射窓（16）の部分に積層化されて
いる。（７）は出力取出し、及び電圧印加のための配線
用電極、（８）は受光素子（２）の電極（７）と発光素
子（１）の電極（９）の絶縁用薄膜である。FIG. 4 is a sectional view showing a detailed configuration of FIG. The light receiving element (2) shown in FIG. 2 is laminated on the light emitting window (16) of the light emitting element array (1) shown in FIG. (7) is a wiring electrode for taking out output and applying a voltage, and (8) is an insulating thin film between the electrode (7) of the light receiving element (2) and the electrode (9) of the light emitting element (1).
以下、第１図〜第４図に示したこの発明の実施例の動
作について説明する。Hereinafter, the operation of the embodiment of the present invention shown in FIGS. 1 to 4 will be described.
入力信号が各発光素子（１）に入力されると、各入力
信号が「１」か「０」であるかに対応して、各発光素子
（１）は点燈または消燈する。この各発光素子（１）か
らの出力光は、各発光素子（１）の発光領域（16）から
各受光素子（２）へ一様に入射する。ここでは、第６図
における空間光変調器（103）に相当するものがないた
め光透過率Tijは、各受光素子（２）の受光感度で表さ
れる。When an input signal is input to each light emitting element (1), each light emitting element (1) is turned on or off according to whether each input signal is "1" or "0". The output light from each light emitting element (1) uniformly enters each light receiving element (2) from the light emitting region (16) of each light emitting element (1). Here, since there is no equivalent to the spatial light modulator (103) in FIG. 6, the light transmittance T ij is represented by the light receiving sensitivity of each light receiving element (2).
第２図にみられるように、各発光素子（１）からの出
力光は、光出力窓（16）上にエピタキシャル成長された
スペース層（４）を透過して、受光素子（２）の活性層
（５）に入射する。ここでの受光素子（２）は、MSM（M
etal−Semiconductor−Metal）構造をもつ受光素子であ
る。この構造においては、半導体一金属界面において２
組のショットキー障壁が存在する。この対称構造を持た
せて設けられた２つの対向するくし形電極（６）に電界
を加えると、ショットキー障壁のバンド構造に変化が生
じ、受光素子への光入射時に、活性層（５）で発生する
キャリアは、くし形電極（６）に加えられる電圧に比例
して外部回路に光電流として取り出される。第４図にお
いて、MSM−受光素子からの出力である光電流Ipは、印
加電圧Vsに比例することになる。As shown in FIG. 2, the output light from each light emitting element (1) passes through the space layer (4) epitaxially grown on the light output window (16), and the active layer of the light receiving element (2). (5). The light receiving element (2) here is an MSM (M
It is a light receiving element having an etal-semiconductor-metal) structure. In this structure, at the semiconductor-metal interface, 2
There are a pair of Schottky barriers. When an electric field is applied to two opposing comb-shaped electrodes (6) provided with this symmetric structure, the band structure of the Schottky barrier changes, and when light enters the light receiving element, the active layer (5) Are generated as photocurrent by an external circuit in proportion to the voltage applied to the comb-shaped electrode (6). In Figure 4, MSM- photocurrent I p is the output from the light receiving element is proportional to the applied voltage V s.
すなわち、受光素子（２）の受光感度は、外部印加電
圧により変化する。このとき受光素子（２）は、上述し
た従来の光コンピュータにおける空間変調器（103）の
機能を併せてもつことができる。受光素子（２）の入射
光量に対して、アナログ的に変調することができ、ニュ
ーロン間のシプナス結合をアナログ量として制御するこ
とができる。That is, the light receiving sensitivity of the light receiving element (2) changes according to the externally applied voltage. At this time, the light receiving element (2) can also have the function of the spatial modulator (103) in the above-mentioned conventional optical computer. The amount of incident light of the light receiving element (2) can be modulated in an analog manner, and the Cypnus coupling between neurons can be controlled as an analog amount.
以上に述べたMSM構造をもつ受光素子（２）を発光素
子（１）のアレイ層上にアレイ状にかつモノリシックに
集積化することで、１個のチップ上でニューラルネット
ワークで必要とされるベクトル・マトリックス演算式＜
１＞を実現することができる。By integrating the light receiving element (2) having the above-described MSM structure into an array and monolithically on the array layer of the light emitting element (1), the vectors required by the neural network on one chip・ Matrix arithmetic expression <
1> can be realized.
なお、上記実施例では、配線用電極（７）は各受光素
子（２）に共通に形成され、この配線用電極（７）に電
圧を加えるようになっている。In the above embodiment, the wiring electrode (7) is formed in common to each light receiving element (2), and a voltage is applied to the wiring electrode (7).
第５図に示すように、各受光素子（２）の片方の電極
に独立に電圧Vjを印加できるようにすると、マトリック
ス状に配置された各要素ごとにアクセスすることができ
る。すなわちニューロンの結合状態を任意に変更させる
ことが可能な、ダイナミックニューロコンピュータを実
現することができる。As shown in FIG. 5, when such a voltage V j independently on one of the electrodes of the light receiving element (2) can be applied, it can be accessed for each element arranged in a matrix. That is, it is possible to realize a dynamic neurocomputer capable of arbitrarily changing the connection state of neurons.
これを用いると誤差逆伝搬学習則などの学習則を用い
て、ニューロコンピュータに学習機能をももたせること
ができる。When this is used, the neural computer can be provided with a learning function using a learning rule such as an error back propagation learning rule.
第５図で（17）は共通の接地電極、（18）は各受光素
子に個別にアクセスするための引出し電極を示してい
る。In FIG. 5, (17) shows a common ground electrode, and (18) shows an extraction electrode for individually accessing each light receiving element.
光を用いてニューラルネットワークを構成する場合、
抑制性のニューロンの結合、すなわち負の信号を扱うこ
とは、従来の光ニューロコンピュータ単独で実現するこ
とは不可能であった。従来の光ニューロンコンピュータ
システムでは、正負の信号処理をそれぞれ単独に実行す
る光ニューロコンピュータを２系統用いて行っていた。When constructing a neural network using light,
The connection of inhibitory neurons, that is, the handling of negative signals, could not be realized by a conventional optical neurocomputer alone. In a conventional optical neuron computer system, two optical neurocomputers that independently perform positive and negative signal processing are used.
上記の実施例では、受光素子にMSM構造を採用してい
るため、ニューロンの結合状態を正負の結合で表すこと
ができる。すなわちMSM受光素子の配列に加える電圧の
方向によって正負の信号処理を行うことができ、１つの
光ニューロコンピュータで、興奮性と抑制性の結合を同
時に実現するニューラルネットワーク即ち、光ニューロ
コンピュータシステムが構成できる。In the above embodiment, since the light receiving element has the MSM structure, the connection state of the neuron can be represented by positive and negative connections. That is, positive and negative signal processing can be performed depending on the direction of the voltage applied to the array of MSM light receiving elements, and a neural network that realizes simultaneous excitatory and inhibitory functions with one optical neurocomputer, that is, an optical neurocomputer system is configured. it can.
［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、受光素子を、半導
体による受光層と、前記受光層の受光エリア内または前
記受光層上に設けられた対称構造を持った制御電極対と
を有した構造とし、この受光素子が、制御電極対の制御
電極間に加えられる電位差に応じて入射光の電気信号へ
の変換効率を正負の任意の値に調節するように構成した
ので、受光素子において、任意の変換効率により正負の
双極出力を行うことが可能となるため、任意値の興奮性
および抑制性（プラス・マイナス値）のアナログシナプ
ス結合荷重値を実現し、かつ、このアナログシナプス結
合荷重値を外部変調可能とすることができる。従って、
人間の脳におけるニューロン間の結合に近似し、かつ、
学習機能等を持たせた光ニューロコンピュータを実現す
ることが可能となる効果がある。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, a light receiving element includes a light receiving layer made of a semiconductor and a control electrode pair having a symmetric structure provided in a light receiving area of the light receiving layer or on the light receiving layer. Since the light receiving element is configured to adjust the conversion efficiency of the incident light into an electric signal to an arbitrary positive or negative value according to the potential difference applied between the control electrodes of the control electrode pair, In the light receiving element, positive and negative bipolar outputs can be performed with arbitrary conversion efficiency, so that analog synapse coupling load values of arbitrary excitability and suppression (positive / negative value) are realized, and this analog The synaptic connection weight value can be externally modulated. Therefore,
Approximates the connections between neurons in the human brain, and
There is an effect that an optical neurocomputer having a learning function or the like can be realized.
また、受光素子を、従来の空間変調器の機能までも一
体に合わせ持った簡易な構成とすることができるととも
に、複数の発光素子と複数の上記受光素子とを一体に順
次成膜により構成することが可能であり、従って、従来
のようなチップの貼り合わせにおけるアライメントの問
題点を除去することができるとともに、モノリシック集
積化、高集積化が容易となり、膨大な数のシナプス結合
荷重を実現する光ニューロコンピュータを構成すること
ができる効果がある。In addition, the light receiving element can have a simple configuration integrally including the function of the conventional spatial modulator, and a plurality of light emitting elements and the plurality of light receiving elements are integrally formed by sequential film formation. Therefore, it is possible to eliminate the problem of alignment in bonding chips as in the past, and to facilitate monolithic integration and high integration, and realize a huge number of synapse coupling loads. There is an effect that an optical neurocomputer can be configured.
第１図は本発明の一実施例の局部的構成を示す斜視図、
第２図は第１図内の受光素子を示す拡大斜視図、第３図
は第１図内の発光素子を示す拡大斜視図、第４図は第１
図の実施例の断面図とその外部回路、第５図はこの発明
の他の実施例において、ランダムアクセスできるような
電極構造をもつ受光素子を示す拡大斜視図である。第６
図は、従来の光ニューロコンピュータを示す拡大斜視図
である。 （１）は発光素子、（２）は受光素子、（４）はスペー
ス層、（５）は活性層（受光層）、（６）は電極（対称
構造を持った制御電極対）、（７）は配線用電極、
（８）は絶縁層、（９）は電極、（10）はｎ−GaAs基
板、（11）はｎ−AlGaAs層、（12）はｎ−GaAs層、（1
3）はｐ−AlGaAs層、（14）はｐ−GaAs層、（15）は絶
縁膜、（16）は光出射窓である。 なお、各図中同一符号は同一、または相当部分を示す。FIG. 1 is a perspective view showing a local configuration of one embodiment of the present invention,
2 is an enlarged perspective view showing the light receiving element in FIG. 1, FIG. 3 is an enlarged perspective view showing the light emitting element in FIG. 1, and FIG.
FIG. 5 is an enlarged perspective view showing a light receiving element having an electrode structure capable of random access in another embodiment of the present invention. Sixth
FIG. 1 is an enlarged perspective view showing a conventional optical neurocomputer. (1) is a light emitting element, (2) is a light receiving element, (4) is a space layer, (5) is an active layer (light receiving layer), (6) is an electrode (a control electrode pair having a symmetric structure), (7) ) Is a wiring electrode,
(8) is an insulating layer, (9) is an electrode, (10) is an n-GaAs substrate, (11) is an n-AlGaAs layer, (12) is an n-GaAs layer, (1)
3) is a p-AlGaAs layer, (14) is a p-GaAs layer, (15) is an insulating film, and (16) is a light exit window. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
フロントページの続き (72)発明者 久間 和生 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機株式会社中央研究所内 (56)参考文献 特開 平２−59916（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−64370（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−302869（ＪＰ，Ａ)Continuation of the front page (72) Inventor Kazuo Hisama 8-1-1 Tsukaguchi Honcho, Amagasaki City, Hyogo Prefecture Inside the Central Research Laboratory of Mitsubishi Electric Corporation (56) References JP-A-2-59916 (JP, A) JP-A Sho 63-64370 (JP, A) JP-A-1-302869 (JP, A)
Claims (1)
と、前記複数の発光素子からの入射光を電気信号に変換
する複数の受光素子とを備え、 前記受光素子は、半導体による受光層と、前記受光層の
受光エリア内または前記受光層上に設けられた対称構造
を持った制御電極対とを有し、前記制御電極対の制御電
極間に加えられる電位差に応じて前記入射光の電気信号
への変換効率を正負の任意の値に調節することを特徴と
する光ニューロコンピュータ。1. A light-receiving element comprising: a plurality of light-emitting elements that emit light in response to an input signal; and a plurality of light-receiving elements that convert incident light from the plurality of light-emitting elements into an electric signal; A control electrode pair having a symmetric structure provided in a light receiving area of the light receiving layer or on the light receiving layer, and an electric signal of the incident light according to a potential difference applied between the control electrodes of the control electrode pair. An optical neurocomputer characterized by adjusting the conversion efficiency into an arbitrary positive or negative value.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2206444A JP2648386B2 (en) | 1990-08-02 | 1990-08-02 | Optical neurocomputer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2206444A JP2648386B2 (en) | 1990-08-02 | 1990-08-02 | Optical neurocomputer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0490015A JPH0490015A (en) | 1992-03-24 |
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