JP2644747B2 - 液体金属イオン源 - Google Patents
液体金属イオン源Info
- Publication number
- JP2644747B2 JP2644747B2 JP7741387A JP7741387A JP2644747B2 JP 2644747 B2 JP2644747 B2 JP 2644747B2 JP 7741387 A JP7741387 A JP 7741387A JP 7741387 A JP7741387 A JP 7741387A JP 2644747 B2 JP2644747 B2 JP 2644747B2
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- Japan
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- power supply
- ion
- ion source
- liquid metal
- control power
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はイオン源に係り、特に小型、低コストの制御
部を有する液体金属イオン源に関する。
部を有する液体金属イオン源に関する。
従来の集束イオンビーム装置の一例として「プローシ
ーデイングズ・オブ、ナインス・シンボジウム・オン・
アイシヤツト85、トーキヨウ(1985年)第66頁から第72
頁(Proc.9th Symp.On ISIAT′85,Tokyo(1985)PP65−
72)」において論じられているイオン源の構成図を第2
図に示す。この集束イオンビーム装置はGaを搭載したイ
オン放出部1、引出し電極2、シールド電極3よりなる
液体金属イオン源とビームを集束する静電レンズ8とビ
ームを偏向する8重極静電偏向器9を有している。
ーデイングズ・オブ、ナインス・シンボジウム・オン・
アイシヤツト85、トーキヨウ(1985年)第66頁から第72
頁(Proc.9th Symp.On ISIAT′85,Tokyo(1985)PP65−
72)」において論じられているイオン源の構成図を第2
図に示す。この集束イオンビーム装置はGaを搭載したイ
オン放出部1、引出し電極2、シールド電極3よりなる
液体金属イオン源とビームを集束する静電レンズ8とビ
ームを偏向する8重極静電偏向器9を有している。
上記従来技術は放出イオン電流量を制御する制御電源
6が加速電源5により高電圧に浮いており制御電源6へ
のエネルギー供給のために絶縁トランスが必要であり、
絶縁性確保のため装置が大型化する傾向があつた。ま
た、液体金属イオン源は第3図に示すようにスレツシヨ
ルド電圧Vthから急激に電流が立ち上るVe−I特性を有
するため、放出イオン電流Iを決定するには制御電圧と
Vthの和を引出し電極に印加する必要があり高電圧仕様
の制御電源6が必要であつた。本発明は上述したような
問題点を解決し、装置の小型化や低コスト化に適した液
体金属イオン源の提供を目的とする。
6が加速電源5により高電圧に浮いており制御電源6へ
のエネルギー供給のために絶縁トランスが必要であり、
絶縁性確保のため装置が大型化する傾向があつた。ま
た、液体金属イオン源は第3図に示すようにスレツシヨ
ルド電圧Vthから急激に電流が立ち上るVe−I特性を有
するため、放出イオン電流Iを決定するには制御電圧と
Vthの和を引出し電極に印加する必要があり高電圧仕様
の制御電源6が必要であつた。本発明は上述したような
問題点を解決し、装置の小型化や低コスト化に適した液
体金属イオン源の提供を目的とする。
上記目的は引出し電極と制御電源の間にレベルシフタ
を設けることによつて達成される。
を設けることによつて達成される。
レベルシフタの負極電位を変化させる事で、高電圧に
レベルシフタした正極電位(引出し電極電位)を変化さ
せられるため、制御電源を接地電位基準で動作させるこ
とができる。また、引き出しスレツシヨルド電圧Vthを
も含めてシフト電圧を設定することで制御電源に必要な
出力電圧範囲が小さくできる。
レベルシフタした正極電位(引出し電極電位)を変化さ
せられるため、制御電源を接地電位基準で動作させるこ
とができる。また、引き出しスレツシヨルド電圧Vthを
も含めてシフト電圧を設定することで制御電源に必要な
出力電圧範囲が小さくできる。
以下、発明の実施例を図面を用いて説明する。
第1図は本発明の一実施例になる液体金属イオン源の
構成図である。イオン放出部1にはステンレス製のチツ
プにGaInSn合金を搭載したものを用い、レベルシフタ7
にはツエナーダイオードを直列接続したものを用いた。
ツェナーダイオード等の受動型定電圧素子に定電圧を発
生させるには、素子内に電流を流す必要があるが、本実
施例の場合、引出電極2に流入するイオン電流を利用し
ている。加速電源5の電圧を15KVとし、レベルシフタ7
の電圧降下を8KVに設定した場合、制御電源6の出力電
圧を0〜2KV変化させる事で放出イオン電流を1〜50μ
A変化させることができた。この実施例では制御電源6
が接地電位基準で動作できるため、絶縁トランスが不要
となつており、制御電源6も0〜2KVと出力電圧範囲の
狭いもので十分であるため、装置を小型低コストに構成
できた。
構成図である。イオン放出部1にはステンレス製のチツ
プにGaInSn合金を搭載したものを用い、レベルシフタ7
にはツエナーダイオードを直列接続したものを用いた。
ツェナーダイオード等の受動型定電圧素子に定電圧を発
生させるには、素子内に電流を流す必要があるが、本実
施例の場合、引出電極2に流入するイオン電流を利用し
ている。加速電源5の電圧を15KVとし、レベルシフタ7
の電圧降下を8KVに設定した場合、制御電源6の出力電
圧を0〜2KV変化させる事で放出イオン電流を1〜50μ
A変化させることができた。この実施例では制御電源6
が接地電位基準で動作できるため、絶縁トランスが不要
となつており、制御電源6も0〜2KVと出力電圧範囲の
狭いもので十分であるため、装置を小型低コストに構成
できた。
第4図は引出し電極電位を固定し、シールド電極3の
電位を変えて放出イオン電流量を変化させた例で、制御
電源6の出力電圧を0〜1KV変化させることで、放出イ
オン電流を0〜50μA変化させることができた。この場
合も第1図に示した例と同様の効果を得ることができ
た。
電位を変えて放出イオン電流量を変化させた例で、制御
電源6の出力電圧を0〜1KV変化させることで、放出イ
オン電流を0〜50μA変化させることができた。この場
合も第1図に示した例と同様の効果を得ることができ
た。
本実施例では制御電源6に一般的な可変電圧電源を用
いたが、回路の特質上吸込み電流を制御できれば良いた
め、トランジスタのオープンコレクタや真空管のオープ
ンアノード回路が使用でき、かかる構成をとれば、更に
回路を簡略化することができる。
いたが、回路の特質上吸込み電流を制御できれば良いた
め、トランジスタのオープンコレクタや真空管のオープ
ンアノード回路が使用でき、かかる構成をとれば、更に
回路を簡略化することができる。
本発明によれば、高電圧に浮いた制御回路を無くし、
かつ絶縁トランスも省略でき、制御電源に必要とされる
電圧も低くでき、装置の小型化、低コスト化に多大の効
果が得られる。
かつ絶縁トランスも省略でき、制御電源に必要とされる
電圧も低くでき、装置の小型化、低コスト化に多大の効
果が得られる。
第1図および第4図は本発明の一実施例を示す構成図、
第2図は従来装置の構成図、第3図は液体金属イオン源
特有のVe−I特性を示すグラフである。 1……イオン放出部、2……引出し電極、3……シール
ド電極、5……加速電源、6……制御電源、7……レベ
ルシフタ、8……静電レンズ、9……偏向器。
第2図は従来装置の構成図、第3図は液体金属イオン源
特有のVe−I特性を示すグラフである。 1……イオン放出部、2……引出し電極、3……シール
ド電極、5……加速電源、6……制御電源、7……レベ
ルシフタ、8……静電レンズ、9……偏向器。
Claims (2)
- 【請求項1】溶離金属により構成されたイオン放出部
と、イオン放出部からイオンビームを引き出すための引
出電極と、該引出電極と前記イオン放出部間にシールド
電極を備えた液体金属イオン源において、前記引出電極
にはレベルシフタを介して制御電源が接続されることを
特徴とする液体金属イオン源 - 【請求項2】溶離金属により構成されたイオン放出部
と、イオン放出部からイオンビームを引き出すための引
出電極と、該引出電極と前記イオン放出部間にシールド
電極を備えた液体金属イオン源において、前記シールド
電極にはレベルシフタを介して制御電源が接続されるこ
とを特徴とする液体金属イオン源
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7741387A JP2644747B2 (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 液体金属イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7741387A JP2644747B2 (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 液体金属イオン源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63248038A JPS63248038A (ja) | 1988-10-14 |
JP2644747B2 true JP2644747B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=13633246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7741387A Expired - Lifetime JP2644747B2 (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 液体金属イオン源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2644747B2 (ja) |
-
1987
- 1987-04-01 JP JP7741387A patent/JP2644747B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63248038A (ja) | 1988-10-14 |
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