JP2631846B2 - テトラヒドロフラン誘導体 - Google Patents
テトラヒドロフラン誘導体Info
- Publication number
- JP2631846B2 JP2631846B2 JP62179833A JP17983387A JP2631846B2 JP 2631846 B2 JP2631846 B2 JP 2631846B2 JP 62179833 A JP62179833 A JP 62179833A JP 17983387 A JP17983387 A JP 17983387A JP 2631846 B2 JP2631846 B2 JP 2631846B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- general formula
- tetrahydrofuran derivative
- alkyl group
- chain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、新規なテトラヒドロフラン誘導体に関す
る。
る。
発明の開示 本発明のテトラヒドロフラン誘導体は、文献未記載の
新規化合物であって、下記一般式（２）で表わされる。
新規化合物であって、下記一般式（２）で表わされる。
〔式中、R4は低級アルコキシカルボニル基又は （ここでR7は低級アルキル基）を、R5は低級アルコキシ
カルボニル基をそれぞれ示す。R6はフェニル低級アルコ
キシ低級アルキル基を示す。〕 上記一般式（２）で表わされるテトラヒドロフラン誘
導体は、消炎剤、抗癌剤、抗ウイルス剤、抗菌剤、抗潰
瘍剤等として有用である。
カルボニル基をそれぞれ示す。R6はフェニル低級アルコ
キシ低級アルキル基を示す。〕 上記一般式（２）で表わされるテトラヒドロフラン誘
導体は、消炎剤、抗癌剤、抗ウイルス剤、抗菌剤、抗潰
瘍剤等として有用である。
本明細書において示される各基は、より具体的にはそ
れぞれ次の通りである。
れぞれ次の通りである。
低級アルキル基としては、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、tert−ブチル、ペンチル、
ヘキシル基等の炭素数１〜６の直鎖又は分枝鎖状アルキ
ル基を例示できる。
ル、イソプロピル、ブチル、tert−ブチル、ペンチル、
ヘキシル基等の炭素数１〜６の直鎖又は分枝鎖状アルキ
ル基を例示できる。
フエニル低級アルコキシ低級アルキル基としては、フ
エニルメトキシメチル、２−フエニルエトキシメチル、
４−フエニルブトキシメチル、６−フエニルヘキシルオ
キシメチル、２−フエニルメトキシメチル、２−（２−
フエニルエトキシ）エチル、１−（２−フエニルエトキ
シ）エチル、３−フエニルメトキシブチル、５−（４−
フエニルブトキシ）ペンチル、６−（1,1−ジメチル−
２−フエニルエトキシ）ヘキシル、２−メチル−３−フ
エニルメトキシプロピル、６−（６−フエニルヘキシル
オキシ）ヘキシル基等のアルコキシ部分の炭素数が１〜
６の直鎖又は分枝鎖状アルコキシ基であって且つアルキ
ル部分の炭素数が１〜６の直鎖又は分枝鎖状アルキル基
であるフエニルアルコキシアルキル基を例示できる。低
級アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、
ブトキシカルボニル、tert−ブトキシカルボニル、ペン
チルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル基等
のアルコキシ部分の炭素数が１〜６の直鎖又は分枝鎖状
アルコキシ基であるアルコキシカルボニル基を例示でき
る。
エニルメトキシメチル、２−フエニルエトキシメチル、
４−フエニルブトキシメチル、６−フエニルヘキシルオ
キシメチル、２−フエニルメトキシメチル、２−（２−
フエニルエトキシ）エチル、１−（２−フエニルエトキ
シ）エチル、３−フエニルメトキシブチル、５−（４−
フエニルブトキシ）ペンチル、６−（1,1−ジメチル−
２−フエニルエトキシ）ヘキシル、２−メチル−３−フ
エニルメトキシプロピル、６−（６−フエニルヘキシル
オキシ）ヘキシル基等のアルコキシ部分の炭素数が１〜
６の直鎖又は分枝鎖状アルコキシ基であって且つアルキ
ル部分の炭素数が１〜６の直鎖又は分枝鎖状アルキル基
であるフエニルアルコキシアルキル基を例示できる。低
級アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、
ブトキシカルボニル、tert−ブトキシカルボニル、ペン
チルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル基等
のアルコキシ部分の炭素数が１〜６の直鎖又は分枝鎖状
アルコキシ基であるアルコキシカルボニル基を例示でき
る。
としては、ジメトキシホスフイニル、ジエトキシホスフ
イニル、ジプロポキシホスフイニル、ジイソプロポキシ
ホスフイニル、ジ−ブトキシホスフイニル、ジ−tert−
ブトキシホスフイニル、ジペンチルオキシホスフイニ
ル、ジヘキシルオキシホスフイニル基等の上記R7で表わ
される低級アルキル基が炭素数１〜６の直鎖又は分枝鎖
状アルキル基であるジアルコキシホスフイニル基を例示
できる。
イニル、ジプロポキシホスフイニル、ジイソプロポキシ
ホスフイニル、ジ−ブトキシホスフイニル、ジ−tert−
ブトキシホスフイニル、ジペンチルオキシホスフイニ
ル、ジヘキシルオキシホスフイニル基等の上記R7で表わ
される低級アルキル基が炭素数１〜６の直鎖又は分枝鎖
状アルキル基であるジアルコキシホスフイニル基を例示
できる。
本発明のテトラヒドロフラン誘導体は、種々の方法で
製造され得るが、その好ましい方法として例えば下記反
応式−２に示す方法を挙げることができる。
製造され得るが、その好ましい方法として例えば下記反
応式−２に示す方法を挙げることができる。
〔式中R4、R5及びR6は前記に同じ。〕 反応式−２によれば、一般式（２）で表わされる化合
物は、一般式（５）で表わされる化合物に一般式（６）
で表わされる化合物を、アルゴン気流下、触媒の存在下
に適当な不活性溶媒中で反応させることにより製造され
る。
物は、一般式（５）で表わされる化合物に一般式（６）
で表わされる化合物を、アルゴン気流下、触媒の存在下
に適当な不活性溶媒中で反応させることにより製造され
る。
上記反応で使用される不活性溶媒としては、例えばベ
ンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ｎ
−ヘキサン、ｎ−ペンタン、シクロヘキサン等の炭化水
素類、塩化メチレン、塩化エチレン等のハロゲン化アル
キル類等を挙げることができる。また、触媒としては、
例えば酢酸ロジウム（II）、酢酸パラジウム（II）、硫
酸銅、酢酸銅、その他銅（II）コンプレツクス類等を挙
げることができる。一般式（５）の化合物と一般式
（６）の化合物との使用割合としては、特に制限がなく
広い範囲内から適宜選択できるが、通常前者に対して後
者を少なくとも２倍モル量、好ましくは３〜４倍モル量
とするのがよい。また触媒の使用量としては、一般式
（５）の化合物に対して通常少なくとも触媒量、好まし
くは0.02倍モル量とするのがよい。上記反応は、通常11
0〜130℃程度、好ましくは120℃程度で好適に進行し、
一般に0.2〜0.5時間程度で該反応は終了する。
ンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ｎ
−ヘキサン、ｎ−ペンタン、シクロヘキサン等の炭化水
素類、塩化メチレン、塩化エチレン等のハロゲン化アル
キル類等を挙げることができる。また、触媒としては、
例えば酢酸ロジウム（II）、酢酸パラジウム（II）、硫
酸銅、酢酸銅、その他銅（II）コンプレツクス類等を挙
げることができる。一般式（５）の化合物と一般式
（６）の化合物との使用割合としては、特に制限がなく
広い範囲内から適宜選択できるが、通常前者に対して後
者を少なくとも２倍モル量、好ましくは３〜４倍モル量
とするのがよい。また触媒の使用量としては、一般式
（５）の化合物に対して通常少なくとも触媒量、好まし
くは0.02倍モル量とするのがよい。上記反応は、通常11
0〜130℃程度、好ましくは120℃程度で好適に進行し、
一般に0.2〜0.5時間程度で該反応は終了する。
斯くして得られる本発明の化合物は、通常の分離手段
により容易に単離精製される。該分離手段としては、例
えば溶媒抽出法、希釈法、再結晶法、カラムクロマトグ
ラフイー、プレパラテイブ薄層クロマトグラフイー等を
採用できる。
により容易に単離精製される。該分離手段としては、例
えば溶媒抽出法、希釈法、再結晶法、カラムクロマトグ
ラフイー、プレパラテイブ薄層クロマトグラフイー等を
採用できる。
本発明の化合物は、当然に光学異性体並びにシン異性
体及びアンチ異性体を包含するものである。これらの異
性体は、慣用の分割法、例えば光学分割剤を使用する方
法、高速液体クロマトグラフイー、酵素を使用する方法
等で分離することができる。
体及びアンチ異性体を包含するものである。これらの異
性体は、慣用の分割法、例えば光学分割剤を使用する方
法、高速液体クロマトグラフイー、酵素を使用する方法
等で分離することができる。
実施例 以下、本発明を更に詳しく説明するため本発明化合物
の製造例を実施例として挙げる。
の製造例を実施例として挙げる。
実施例１ トルエン5ml中へ、（Ｒ）−５−ベンジルオキシメチ
ルテトラヒドロフラン−２−チオン167mg及びジエチル
ジアゾマロネート411mgを混合撹拌し、酢酸ロジウム
（II）２量体6.6mgの存在下に５分間還流した。減圧濃
縮後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフイー（酢
酸エチル：ヘキサン＝1:3）で精製することにより、
（Ｒ）−５−ベンジルオキシメチル−２−ジエトキシカ
ルボニルメチレンテトラヒドロフラン257mgを得た。
ルテトラヒドロフラン−２−チオン167mg及びジエチル
ジアゾマロネート411mgを混合撹拌し、酢酸ロジウム
（II）２量体6.6mgの存在下に５分間還流した。減圧濃
縮後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフイー（酢
酸エチル：ヘキサン＝1:3）で精製することにより、
（Ｒ）−５−ベンジルオキシメチル−２−ジエトキシカ
ルボニルメチレンテトラヒドロフラン257mgを得た。
IR（ニート）：ν＝1730,1705,1630cm-1 1 H−NMR（CDCl3/TMS）： δ＝1.28（ｔ×2,6H,J＝7.1Hz） 1.90−2.40（m,2H）、 2.85−3.37（m,2H）、 4.23（ｑ×2,4H,J＝7.1Hz） 4.56（s,2H）、 4.75（s,1H）、 7.32（s,5H） 実施例２ 適当な出発原料を用い、上記実施例１と同様にして下
記の化合物を得た。
記の化合物を得た。
（Ｒ）−５−ベンジルオキシメチル−２−エトキシカ
ルボニル−２−ジエトキシホスフイニルメチレンテトラ
ヒドロフラン Ｅ体:Z体＝1:1 Ｅ体の物性値 ▲〔α〕24 D▼＝＋17.14゜（ｃ＝1.05,クロロホルム） IR（ニート）：ν＝1710,1625cm-1 1 H−NMR（CDCl3/TMS）： δ＝1.18−1.43（m,9H）、 1.84−2.31（m,2H）、 3.10−3.38（m,2H）、 3.41−3.80（m,2H）、 3.92−4.35（m,6H）、 4.57（s,2H）、 4.65−4.85（m,1H）、 7.32（s,5H） Ｚ体の物性 ▲〔α〕24 D▼＝＋5.78゜（ｃ＝1.02,クロロホルム） IR（ニート）：ν＝1688,1575cm-1 1 H−NMR（CDCl3/TMS）： δ＝1.22−1.43（m,9H）、 1.90−2.28（m,2H）、 3.04−3.40（m,2H）、 3.51−3.82（ddd,2H）、 3.90−4.37（m,6H）、 4.57（s,2H）、 4.80−4.97（m,1H）、 7.33（s,5H） （Ｒ）−５−ベンジルオキシメチル−２−フタロイル
メチレンテトラヒドロフラン IR（ニート）：ν＝1720,1675cm-1 1 H−NMR（CDCl3/TMS）： δ＝2.24（m,2H）、 3.50（t,1H,J＝7.0Hz）、 3.52（t,1H,J＝7.0Hz）、 3.79（ddd,2H,J＝7.0Hz,7.0Hz,14.5Hz）、 4.57（s,2H）、 5.09（m,1H）、 7.28（s,5H）、 7.61−7.93（m,4H）
ルボニル−２−ジエトキシホスフイニルメチレンテトラ
ヒドロフラン Ｅ体:Z体＝1:1 Ｅ体の物性値 ▲〔α〕24 D▼＝＋17.14゜（ｃ＝1.05,クロロホルム） IR（ニート）：ν＝1710,1625cm-1 1 H−NMR（CDCl3/TMS）： δ＝1.18−1.43（m,9H）、 1.84−2.31（m,2H）、 3.10−3.38（m,2H）、 3.41−3.80（m,2H）、 3.92−4.35（m,6H）、 4.57（s,2H）、 4.65−4.85（m,1H）、 7.32（s,5H） Ｚ体の物性 ▲〔α〕24 D▼＝＋5.78゜（ｃ＝1.02,クロロホルム） IR（ニート）：ν＝1688,1575cm-1 1 H−NMR（CDCl3/TMS）： δ＝1.22−1.43（m,9H）、 1.90−2.28（m,2H）、 3.04−3.40（m,2H）、 3.51−3.82（ddd,2H）、 3.90−4.37（m,6H）、 4.57（s,2H）、 4.80−4.97（m,1H）、 7.33（s,5H） （Ｒ）−５−ベンジルオキシメチル−２−フタロイル
メチレンテトラヒドロフラン IR（ニート）：ν＝1720,1675cm-1 1 H−NMR（CDCl3/TMS）： δ＝2.24（m,2H）、 3.50（t,1H,J＝7.0Hz）、 3.52（t,1H,J＝7.0Hz）、 3.79（ddd,2H,J＝7.0Hz,7.0Hz,14.5Hz）、 4.57（s,2H）、 5.09（m,1H）、 7.28（s,5H）、 7.61−7.93（m,4H）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ａ６１Ｋ 31/665 ＡＤＺ Ａ６１Ｋ 31/665 ＡＤＺ Ｃ０７Ｄ 307/30 Ｃ０７Ｄ 307/30
Claims (1)
- 【請求項１】一般式 〔式中、R4は低級アルコキシカルボニル基又は （ここでR7は低級アルキル基）を、R5は低級アルコキシ
カルボニル基をそれぞれ示す。R6はフェニル低級アルコ
キシ低級アルキル基を示す。〕 で表わされるテトラヒドロフラン誘導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62179833A JP2631846B2 (ja) | 1987-07-17 | 1987-07-17 | テトラヒドロフラン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62179833A JP2631846B2 (ja) | 1987-07-17 | 1987-07-17 | テトラヒドロフラン誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6422866A JPS6422866A (en) | 1989-01-25 |
| JP2631846B2 true JP2631846B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=16072694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62179833A Expired - Lifetime JP2631846B2 (ja) | 1987-07-17 | 1987-07-17 | テトラヒドロフラン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2631846B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6332442B1 (en) | 1998-04-16 | 2001-12-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Intake air duct |
| TW576893B (en) | 2000-05-17 | 2004-02-21 | Toyoda Gosei Kk | Air intake duct and manufacturing method therefor |
| EP1331216A4 (en) | 2000-10-31 | 2005-12-07 | Daicel Chem | MONOMERS HAVING ELECTRON SUPPRESSOR GROUPS AND METHODS OF PREPARING THE SAME |
-
1987
- 1987-07-17 JP JP62179833A patent/JP2631846B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ，（７），（１９８７），Ｐ．１３７９−８０ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6422866A (en) | 1989-01-25 |
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