JP2629558B2 - Test pattern generation system for integrated circuits - Google Patents

Test pattern generation system for integrated circuits

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JP2629558B2
JP2629558B2 JP5124548A JP12454893A JP2629558B2 JP 2629558 B2 JP2629558 B2 JP 2629558B2 JP 5124548 A JP5124548 A JP 5124548A JP 12454893 A JP12454893 A JP 12454893A JP 2629558 B2 JP2629558 B2 JP 2629558B2
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test pattern
integrated circuit
potential state
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generation system
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徹 辻出
永二 小西
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は集積回路のテストパター
ンの生成に関し、高故障率のテストパターンを作成する
テストパターン生成システムに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the generation of a test pattern for an integrated circuit, and more particularly to a test pattern generation system for generating a test pattern having a high failure rate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、テストプログラムのテストパター
ンは、設計者による手動作成もあるが、ほとんどCAD
データを利用した自動テストパターン発生(ATPG)
により作成されている。このATPGにはDアルゴリズ
ム、PODEMアルゴリズム、FANアルゴリズム等あ
るがこれらは集積回路設計段階でのテストプログラム作
成において、テストパターンを回路より発生させるもの
で、再収れん分岐の多い多段の組合せ回路や、スキャン
パスの入っていない順序回路に対してはテストパターン
の生成に非常に時間が掛かり、充分な故障検出率を有す
るテストパターン発生できない場合が多い。
2. Description of the Related Art Conventionally, a test pattern of a test program has been manually created by a designer.
Automatic test pattern generation using data (ATPG)
It is created by The ATPG includes a D algorithm, a PODEM algorithm, a FAN algorithm, and the like, which generate a test pattern from a circuit when creating a test program in an integrated circuit design stage. The ATPG includes a multi-stage combination circuit having many reconvergent branches and a switch. For a sequential circuit having no campus, it takes a very long time to generate a test pattern, and in many cases, a test pattern having a sufficient failure detection rate cannot be generated.

【0003】他方において、故障検出率の高いテストパ
ターンを容易に作成するために、テスト容易化設計手法
があり、アドホック技法、スキャン設計法、クロスチェ
ック法等が用いられている。これらは、いずれも集積回
路内部の電位状態を付加回路を加えることにより回路的
に外部端子と接続し、観察することを可能にしている方
法である。かかる従来技術の例として、クロスチェック
法を適用した集積回路を図5に示す。図5に示すよう
に、集積回路内の各ゲート501の出力にスイッチ用ト
ランジスタ502が付加されており、このトランジスタ
502のゲート電極503およびドレイン電極504に
連なるプローブライン505とセンスライン506それ
に読み出されたゲートの出力値を圧縮するレジスタ50
7およびそれらの制御回路508から構成されている。
On the other hand, in order to easily create a test pattern having a high failure detection rate, there is a testability design technique, and an ad hoc technique, a scan design technique, a cross-check technique, or the like is used. Each of these methods is a method in which the potential state inside the integrated circuit is connected to an external terminal in a circuit by adding an additional circuit so that the state can be observed. FIG. 5 shows an integrated circuit to which the cross-check method is applied as an example of such a conventional technique. As shown in FIG. 5, a switch transistor 502 is added to the output of each gate 501 in the integrated circuit, and a probe line 505 and a sense line 506 connected to a gate electrode 503 and a drain electrode 504 of the transistor 502 are read out to the output. Register 50 for compressing the output value of the gate
7 and their control circuits 508.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来のテストパターン
発生方法の1つである、自動テストパターン発生(AT
PG)はCADデータを用いて行なうため、回路が複雑
になるとテストパターンの生成に非常に時間が掛かり、
高故障検出率のテストパターンを発生できなかったりす
る場合が多い欠点を有している。特に近年、増々大規模
化する集積回路においては、故障検出率の高いテストパ
ターンを作るための時間は回路規模の2乗に比例すると
いわれており、高故障検出率のテストパターンを作成す
ることは困難にさえなりつつある。
One of the conventional test pattern generation methods, automatic test pattern generation (AT
PG) is performed using CAD data, so if the circuit becomes complicated, it takes a very long time to generate a test pattern,
It has a drawback that a test pattern with a high failure detection rate cannot often be generated. In particular, in recent years, in an integrated circuit that is increasing in scale, it is said that the time required to create a test pattern with a high fault detection rate is proportional to the square of the circuit scale. It's even getting harder.

【0005】また、テスト容易化設計手法で設計された
集積回路では、内部ノードの電位状態の外部端子からの
観測性と制御性を向上させるため付加回路を付ける事を
基本としているため、集積回路の形状寸法が大きくなる
欠点を有し、さらには付加回路に起因する特性変化を生
じる等の欠点も有していた。
Further, in an integrated circuit designed by the design method for testability, an additional circuit is basically provided to improve the observability and controllability of the potential state of the internal node from the external terminal. Has the drawback that the shape and size of the element become large, and further has the drawback that the characteristics change due to the additional circuit occurs.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の集積回路のテス
トパターン生成システムは、集積回路内部の配線の電位
状態をコントラスト像または波形として観察可能な電子
ビームテスタと、集積回路のノードおよびその電位状態
を時系列に記憶する記憶装置と、CAD情報よりテスト
ベクトルを生成するテストパターン発生装置と、これら
の装置を制御する制御装置を備えていることを特徴とす
る。
According to the present invention, there is provided an integrated circuit test pattern generation system, comprising: an electron beam tester capable of observing a potential state of a wiring inside an integrated circuit as a contrast image or a waveform; a node of the integrated circuit; It is characterized by comprising a storage device for storing states in a time series, a test pattern generation device for generating a test vector from CAD information, and a control device for controlling these devices.

【0007】[0007]

【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の一実施例の集積回路テストパターン
発生システムのブロック図であり、集積回路内部の配線
の電位状態を観察可能な電子ビームテスタ101と、集
積回路105のノードとその電位状態を時系列な情報と
して記憶する記憶装置102と、CAD情報よりテスト
ベクトルを生成するテストパターン発生装置103とこ
れらの各装置を制御し、データを加工処理する制御装置
104より構成されている。図2に図1に示した本発明
の集積回路テストパターン生成システムのテストベクト
ル発生のフローチャート図を示す。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram of an integrated circuit test pattern generation system according to one embodiment of the present invention. An electron beam tester 101 capable of observing a potential state of wiring inside an integrated circuit, a node of an integrated circuit 105 and a potential state thereof It comprises a storage device 102 for storing as time-series information, a test pattern generating device 103 for generating a test vector from CAD information, and a control device 104 for controlling these devices and processing data. FIG. 2 is a flow chart of the test vector generation of the integrated circuit test pattern generation system of the present invention shown in FIG.

【0008】LSIテスタにより駆動されている集積回
路のすべてのノードの電位状態は、テストパターンの1
サイクルすべてについて電子ビームテスタにより逐次取
得され、記憶装置に記憶される。次に記憶装置から各ノ
ードの電位状態の情報を制御装置に取りだし、その状態
の変化の有無を識別し、テストパターンの1サイクル中
に電位状態が1度も変化していないノードを抽出する。
それぞれのノードについて、ノードから分岐し入力端子
に至るまでの回路と、出力端子に至るまでの回路をCA
Dデータより抽出し、テストパターン発生装置により、
ノードの電位状態を変化させる入力テストベクトルとノ
ードの電位状態の変化により生じる可観測が可能な出力
ベクトルを発生させる。
The potential states of all the nodes of the integrated circuit driven by the LSI tester are the ones in the test pattern.
The electron beam tester sequentially acquires the data for all the cycles and stores the acquired data in the storage device. Next, information on the potential state of each node is taken out from the storage device to the control device, the presence or absence of a change in the state is identified, and a node whose potential state has never changed during one cycle of the test pattern is extracted.
For each node, the circuit from the node to the input terminal and the circuit from the output terminal to the CA
Extracted from the D data, by the test pattern generator,
An input test vector for changing the potential state of the node and an observable output vector generated by the change in the potential state of the node are generated.

【0009】次にこのノードと関係の無い入出力端子は
最終テストベクトルの値とし、これらのテストベクトル
を加えることにより全入出力端子に対応するテストベク
トルを作成する。図2に示したテストパターンの生成フ
ローを電位状態変化の無いすべてのノードに適用するこ
とにより、新しいテストパターンを作成することができ
る。
Next, input / output terminals irrelevant to this node are used as final test vector values, and test vectors corresponding to all input / output terminals are created by adding these test vectors. A new test pattern can be created by applying the test pattern generation flow shown in FIG. 2 to all nodes having no potential state change.

【0010】本発明によって作成されたテストパターン
は、最初のテストパターンによって電位状態変化の無い
ノードを変化させるテストベクトルを含んでいるため、
集積回路の全ての内部ノードの電位状態を少なくとも1
度は変化させるものとなり、高故障検出率のテストパタ
ーンとなる。
Since the test pattern created by the present invention includes a test vector that changes a node having no potential state change by the first test pattern,
The potential state of all internal nodes of the integrated circuit is at least 1
The degree is changed, resulting in a test pattern with a high failure detection rate.

【0011】図3は本発明の他の実施例を示すブロック
図であり、電子ビームテスタ301と、記憶装置30
2、テストパターン発生装置303、制御装置304、
電位状態の変化を識別する演算装置306より構成され
る集積回路テストパターン生成システムを示している。
集積回路内部ノードの電位状態の変化の無いノードを電
子ビームテスタ301により抽出する方法は、図1に示
した集積回路テストパターン生成システムと同じである
が、取得した1ノードの電位状態の変化の有無を演算装
置306により判別することにより、記憶装置302の
メモリ容量を小さくすると共に、処理時間を短縮できる
効果がある。
FIG. 3 is a block diagram showing another embodiment of the present invention, in which an electron beam tester 301 and a storage device 30 are provided.
2, test pattern generation device 303, control device 304,
1 shows an integrated circuit test pattern generation system including an arithmetic unit 306 for identifying a change in a potential state.
The method of extracting a node having no change in the potential state of the internal node of the integrated circuit by the electron beam tester 301 is the same as that of the integrated circuit test pattern generation system shown in FIG. Determining the presence or absence by the arithmetic unit 306 has the effects of reducing the memory capacity of the storage device 302 and shortening the processing time.

【0012】図4は本発明の他の実施例をしめすブロッ
ク図であり、電子ビームテスタ401、記憶装置40
2、テストパターン発生装置403、制御装置404、
集積回路405、演算装置406、駆動装置407から
構成されている。集積回路405を動作させる駆動装置
407を有する集積回路テストパターン生成システムを
表している。駆動装置407をシステムに含んでいるた
め、集積回路内部の電位状態変化の無いノードの抽出と
作成したテストベクトルの検証を並列に行なうことが可
能となり、高故障検出率のテストパターンの作成時間を
短縮する効果がある。
FIG. 4 is a block diagram showing another embodiment of the present invention, in which an electron beam tester 401 and a storage device 40 are provided.
2, test pattern generation device 403, control device 404,
It comprises an integrated circuit 405, an arithmetic unit 406, and a drive unit 407. 1 illustrates an integrated circuit test pattern generation system including a driving device 407 that operates an integrated circuit 405. Since the driving device 407 is included in the system, it is possible to perform the extraction of the node having no potential change in the integrated circuit and the verification of the created test vector in parallel, thereby reducing the time required to create a test pattern with a high fault detection rate. It has the effect of shortening.

【0013】[0013]

【発明の効果】以上、説明したように本発明は、集積回
路内部の配線の電位状態を観察可能な電子ビームテスタ
とテストパターン発生装置をシステムに有しているた
め、従来方法で作成されたテストパターンでは、観察で
きない集積回路内部のノードの電位状態を観察し、電位
状態変化の無いノードを抽出することができる。さらに
テストパターン発生装置をシステムに有しているため、
CADデータを用いてノードの電位状態を変化させる入
力テストベクトルの発生と、ノードの電位状態の変化に
より生じる可観測可能な出力テストベクトルの発生を短
時間にかつ容易に発生させることが可能となる。特に図
6の従来方法によるテストパターン設計工数と故障検出
率の関係を示すグラフに示すように、従来方法では故障
検出率を80%以上にすることは、テストパターンの設
計時間を2倍以上要しているが、これを短時間にするも
のであり、かつ機能動作以外の故障を検出できるテスト
パターンを作成するため高故障検出率のテストパターン
を与える効果を有している。
As described above, the present invention has an electron beam tester and a test pattern generator capable of observing the potential state of the wiring inside the integrated circuit in the system. In the test pattern, a potential state of a node inside the integrated circuit which cannot be observed can be observed, and a node having no change in the potential state can be extracted. In addition, because the system has a test pattern generator,
An input test vector for changing the potential state of a node using CAD data and an observable output test vector generated by a change in the potential state of the node can be easily generated in a short time. . In particular, as shown in the graph of FIG. 6 showing the relationship between the test pattern design man-hours and the failure detection rate according to the conventional method, making the failure detection rate 80% or more in the conventional method requires twice or more the test pattern design time. However, since the test is performed in a short time and a test pattern capable of detecting a fault other than the functional operation is created, a test pattern having a high fault detection rate is provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例のブロック図。FIG. 1 is a block diagram of one embodiment of the present invention.

【図2】本発明における集積回路テストパターン生成シ
ステムのテストベトルの発生手順を示すフローチャート
図。
FIG. 2 is a flowchart illustrating a procedure for generating a test vector in the integrated circuit test pattern generation system according to the present invention.

【図3】本発明の他の実施例のブロック図。FIG. 3 is a block diagram of another embodiment of the present invention.

【図4】本発明の他の実施例のブロック図。FIG. 4 is a block diagram of another embodiment of the present invention.

【図5】従来、テスト容易化設計手法の1つであるクロ
スチェック法で設計された集積回路の構造を示す図。
FIG. 5 is a diagram showing a structure of an integrated circuit designed by a cross-check method, which is one of conventional test-easy design techniques.

【図6】従来方法によるテストパターン設計工数と故障
検出率の関係を示すグラフ。
FIG. 6 is a graph showing a relationship between a test pattern design man-hour and a failure detection rate according to a conventional method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101、301、401 電子ビームテスタ 102、302、402 記憶装置 103、303、403 テストパターン発生装置 104、304、404 制御装置 105、305、405 集積回路 306、406 演算装置 407 駆動装置 501 ゲート 502 スイッチング用トランジスタ 503 ゲート電極 504 ドレイン電極 505 プローブライン 506 センスライン 507 レジスタ 508 制御回路 101, 301, 401 Electron beam tester 102, 302, 402 Storage device 103, 303, 403 Test pattern generator 104, 304, 404 Controller 105, 305, 405 Integrated circuit 306, 406 Arithmetic device 407 Driving device 501 Gate 502 Switching Transistor 503 gate electrode 504 drain electrode 505 probe line 506 sense line 507 register 508 control circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−124438(JP,A) 特開 平4−142475(JP,A) 特開 平4−344571(JP,A) ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (56) References JP-A-63-124438 (JP, A) JP-A-4-142475 (JP, A) JP-A-4-344571 (JP, A)

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 集積回路内部の配線の電位状態をコント
ラスト像または波形として観察可能な電子ビームテスタ
と、集積回路のノードとその電位状態を時系列に記憶す
る記憶装置と、CAD情報よりテストベクトルを生成す
るテストパターン発生装置と、これらの装置を制御する
制御装置より構成され、電子ビームテスタにより計測さ
れ記憶装置に保存された集積回路の全ノードの全テスト
パターンについての電位状態を呼び出し、各々のノード
について全テストパターンについて電位状態の変化を制
御装置の演算機能を用いて演算することにより、電位状
態変化のないノードを抽出し、そのノードの電位状態を
変化させるテストパターンを発生する機能を有すること
を特徴とする集積回路テストパターン生成システム。
1. An electron beam tester capable of observing a potential state of a wiring inside an integrated circuit as a contrast image or a waveform, a storage device for storing the nodes of the integrated circuit and their potential states in time series, and a test vector based on CAD information. generating a test pattern generator is composed of a control unit for controlling these devices, it is measured by an electron beam tester
All tests of all nodes of the integrated circuit stored in the storage device
Retrieve the potential state of the pattern and call each node
Control of potential state change for all test patterns
By using the calculation function of the control device,
An integrated circuit test pattern generation system having a function of extracting a node having no state change and generating a test pattern for changing a potential state of the node.
【請求項2】 電子ビームテスタにより動作している集
積回路のノードとその電位状態を測定し、テストパター
ンごとに前のパターンと逐次比較することにより、各ノ
ードの電位状態の変化を識別し記憶する機能を有する請
求項1記載の集積回路テストパターン生成システム。
2. A collection operated by an electron beam tester.
Measure the node of the integrated circuit and its potential state,
By successively comparing each pattern with the previous pattern,
2. The integrated circuit test pattern generation system according to claim 1, further comprising a function of identifying and storing a change in the potential state of the circuit.
【請求項3】 集積回路を論理的に駆動する駆動装置を
有することを特徴とする請求項1または請求項2記載の
集積回路テストパターン生成システム。
3. The integrated circuit test pattern generation system according to claim 1, further comprising a driving device for logically driving the integrated circuit.
【請求項4】 作成したテストパターンを検証する機能
を有する請求項3記載の集積回路テストパターン生成シ
ステム。
4. The integrated circuit test pattern generation system according to claim 3, having a function of verifying the created test pattern.
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