JP2612213B2 - IC test equipment - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、IC(集積回路)の電気的特性を検査するた
めのIC試験装置に関し、特に被測定ICから出力されるア
ナログの出力信号をデジタルのロジック信号に変換する
ための比較回路に改良を加えたIC試験装置に関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an IC test apparatus for inspecting an electrical characteristic of an IC (integrated circuit), and particularly to an analog output signal output from an IC to be measured. The present invention relates to an IC test apparatus in which a comparison circuit for converting a digital logic signal is improved.
性能や品質の保証されたICを最終製品として出荷する
ためには、製造部門、検査部門の各工程でIC製品の全部
又は一部を抜き取り、種々の電気的特性を検査する必要
がある。IC試験装置はこのような電気的特性を検査する
装置である。In order to ship an IC with guaranteed performance and quality as a final product, it is necessary to extract all or a part of the IC product in each process of the manufacturing department and the inspection department and inspect various electrical characteristics. An IC test device is a device for inspecting such electrical characteristics.
IC試験装置は被測定ICに所定の試験用パターン信号を
与え、それによって被測定ICから出力されるの出力信号
波形を読み取り、被測定ICの基本的動作及び機能に問題
が無いかどうかを解析し、被測定ICの電気的特性を検査
している。The IC test equipment gives a predetermined test pattern signal to the IC under test, reads the output signal waveform output from the IC under test, and analyzes whether there is any problem in the basic operation and function of the IC under test Then, the electrical characteristics of the IC to be measured are inspected.
しかしながら、実際に被測定ICから出力される出力信
号波形はアナログ波形であり、IC試験装置ではこのアナ
ログの出力信号波形に基づいて不良情報を解析しなけれ
ばならない。そこで、IC試験装置では被測定ICからの出
力信号波形を比較回路で一旦デジタルのロジック信号に
変換し、そのロジック信号に基づいて被測定ICの検査を
行っている。However, the output signal waveform actually output from the IC under test is an analog waveform, and the IC test apparatus must analyze the failure information based on the analog output signal waveform. Therefore, in the IC test apparatus, the output signal waveform from the IC under test is temporarily converted into a digital logic signal by a comparison circuit, and the IC under test is inspected based on the logic signal.
第2図はこのようなIC試験装置の全体構成を示す図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing the overall configuration of such an IC test apparatus.
IC試験装置は大別してテスタ部1とIC取付装置2とか
ら成る。テスタ部1は制御手段11、試験信号発生手段1
2、ドライバ13、比較回路14及びフェイルメモリ15等か
ら構成される。実際のテスタ部には、この他にも種々の
構成部品が存在するが本明細書中では発明の説明に必要
な部分のみを示す。The IC test apparatus is roughly divided into a tester section 1 and an IC mounting apparatus 2. The tester unit 1 includes a control unit 11 and a test signal generation unit 1
2, a driver 13, a comparison circuit 14, a fail memory 15, and the like. There are various other components in the actual tester, but only the portions necessary for the description of the invention are shown in this specification.
テスタ部1とIC取付装置2との間は、IC取付装置2の
全入出力端子数mに対応する複数本(m本)の同軸ケー
ブル等から成る信号線によって接続され、各種信号の伝
送を行なうようになっている。なお、この信号線は、物
理的にはIC取付装置2の全入出力端子数mと同じ数だけ
存在するが、図では入力信号線と出力信号線とをその機
能毎に分けて示している。The tester unit 1 and the IC mounting device 2 are connected by signal lines composed of a plurality of (m) coaxial cables or the like corresponding to the total number m of input / output terminals of the IC mounting device 2 to transmit various signals. It is supposed to do it. Although there are physically the same number of the signal lines as the total number m of the input / output terminals of the IC mounting device 2, the input signal lines and the output signal lines are shown separately for each function in the figure. .
IC取付装置2には、1個又は複数個の被測定IC21が搭
載される。被測定IC21の入出力端子とIC取付装置21の入
出力端子とはそれぞれ1対1に対応付けられて接続され
ている。例えば、入出力端子数が28個の被測定IC21を10
個搭載可能なIC取付装置2の場合は、全体で280個の入
出力端子を有することになる。One or a plurality of ICs to be measured 21 are mounted on the IC mounting device 2. The input / output terminal of the IC 21 to be measured and the input / output terminal of the IC mounting device 21 are connected in one-to-one correspondence. For example, if the number of IC21 to be measured
In the case of the IC mounting device 2 which can be mounted individually, it has 280 input / output terminals in total.
制御手段11はIC試験装置全体の制御、運用及び管理等
を行うものであり、マイクロプロセッサ構成になってい
る。従って、図示していないが、システムプログラムを
格納するROMや各種データ等を格納するRAM等を有して構
成される。The control means 11 controls, operates and manages the entire IC test apparatus, and has a microprocessor configuration. Therefore, although not shown, the system includes a ROM for storing a system program, a RAM for storing various data, and the like.
制御手段11は、試験信号発生手段12に対する種々の制
御を行ったり、フェイルメモリ15から試験結果であるフ
ェイルデータを読み出して種々のデータ処理などを行
う。The control means 11 performs various controls on the test signal generation means 12, reads out fail data as a test result from the fail memory 15, and performs various data processing.
試験信号発生手段12は所定のテストパターン信号(ア
ドレス信号AD1、データ信号DATA、基準電圧信号Vo等)
をドライバ13、比較回路14及びフェイルメモリ15に出力
する。試験信号発生手段12はこのテストパターン信号の
内、被測定IC21のアドレス端子とフェイルメモリ15のア
ドレス端子ADT1にはそれぞれ同じアドレス信号AD1を出
力する。The test signal generating means 12 is a predetermined test pattern signal (address signal AD1, data signal DATA, reference voltage signal Vo, etc.)
Is output to the driver 13, the comparison circuit 14, and the fail memory 15. The test signal generating means 12 outputs the same address signal AD1 to the address terminal of the IC 21 to be measured and the address terminal ADT1 of the fail memory 15 among the test pattern signals.
ドライバ13及び比較回路14はIC取付装置2のそれぞれ
の入出力端子に対して1個ずつ設けられ、それぞれ信号
線で接続されている。なお、比較回路14として単にオペ
アンプのみを図示しているが、詳細構成について後述す
る。IC取付装置2の入出力端子の数がm個の場合、ドラ
イバ13及び比較回路14はそれぞれm個で構成される。但
し、メモリIC等を測定する場合には、アドレス端子に対
しては比較回路は必要ない場合があるので、比較回路の
数が少ない場合もある。One driver 13 and one comparison circuit 14 are provided for each input / output terminal of the IC mounting device 2, and are connected by signal lines. Although only the operational amplifier is shown as the comparison circuit 14, the detailed configuration will be described later. When the number of input / output terminals of the IC mounting device 2 is m, the driver 13 and the comparison circuit 14 are each composed of m. However, when measuring a memory IC or the like, a comparison circuit may not be necessary for an address terminal, and thus the number of comparison circuits may be small.
ドライバ13は試験信号発生手段12からのテストパター
ン信号に応じて、IC取付装置2の入出力端子、すなわち
被測定IC21のアドレス端子、データ入力端子、チップセ
レクト端子、ライトイネーブル端子等の信号入力端子に
試験信号を印加し、所望のテストパターンを被測定IC21
に書き込む。The driver 13 responds to the test pattern signal from the test signal generator 12 by input / output terminals of the IC mounting device 2, that is, signal input terminals such as an address terminal, a data input terminal, a chip select terminal, and a write enable terminal of the IC 21 to be measured. A test signal is applied to the IC
Write to.
比較回路14は被測定IC21のデータ出力端子等の信号出
力端子から出力されるアナログの出力信号を入力し、そ
れを制御手段11からのストローブ信号のタイミングで基
準電圧Voと比較し、その比較結果をフェイルデータFDと
してフェイルメモリ15のデータ入力端子DIに出力する。
この時、被測定IC21のアドレス端子には、テストパター
ンの書き込み時と同じ試験信号が印加されるので、書き
込み時と同じテストパターンがデータ出力端子からは出
力され、これがフェイルデータとなる。The comparison circuit 14 receives an analog output signal output from a signal output terminal such as a data output terminal of the IC under test 21 and compares it with the reference voltage Vo at the timing of the strobe signal from the control means 11. Is output to the data input terminal DI of the fail memory 15 as fail data FD.
At this time, since the same test signal as that at the time of writing the test pattern is applied to the address terminal of the IC 21 to be measured, the same test pattern as at the time of writing is output from the data output terminal, and this becomes fail data.
フェイルメモリ15は、比較回路14から出力されるフェ
イルデータFDを記憶するものであり、被測定IC21と同程
度の記憶容量を有する随時読み書き可能なRAMで構成さ
れている。フェイルメモリ15は、IC取付装置2のデータ
出力端子に固定的に対応するデータ入力端子DI及びデー
タ出力端子DOを有する。例えば、IC取付装置2の全入出
力端子数が280個であり、その中の160個がデータ出力端
子である場合には、フェイルメモリ15はこのデータ出力
端子数と同じか又はそれ以上のデータ入力端子を有する
メモリで構成される。このフェイルメモリ15に記憶され
たフェイルデータはテトス信号発生手段12のアドレス順
序で制御手段11によって読み出され、図示していないデ
ータ処理用のメモリに転送され、種々のデータ処理が行
われる。The fail memory 15 stores the fail data FD output from the comparison circuit 14, and is composed of a random-access RAM having a storage capacity similar to that of the IC 21 to be measured. The fail memory 15 has a data input terminal DI and a data output terminal DO fixedly corresponding to the data output terminal of the IC mounting device 2. For example, when the total number of input / output terminals of the IC mounting device 2 is 280, and 160 of them are data output terminals, the fail memory 15 stores the same or more data as the number of data output terminals. It is composed of a memory having an input terminal. The fail data stored in the fail memory 15 is read out by the control means 11 in the address order of the Tetus signal generating means 12, transferred to a data processing memory (not shown), and subjected to various data processing.
次に、第3図にIC取付装置の1つの出力端子に対応し
た比較回路14の構成を示す。Next, FIG. 3 shows a configuration of the comparison circuit 14 corresponding to one output terminal of the IC mounting device.
差動増幅器31は、基準電圧Voと被測定IC21の出力信号
Vinとを比較するものであり、負荷抵抗Ra及びRb、電界
効果トランジスタ(FET)Fa及びFb、定電流源Iabから構
成される。電界効果トランジスタFaのゲートには被測定
IC21からの出力信号Vinが入力電圧として供給され、電
界効果トランジスタFbのゲートには基準電圧Voが入力電
圧として供給される。差動増幅器31の負荷抵抗Ra及びRb
のそれぞれの出力電圧は次段のレベルシフト回路32に出
力される。The differential amplifier 31 is connected to the reference voltage Vo and the output signal of the IC 21 to be measured.
Compared with Vin, it is composed of load resistances Ra and Rb, field effect transistors (FETs) Fa and Fb, and a constant current source Iab. Measured at the gate of the field effect transistor Fa
The output signal Vin from the IC 21 is supplied as an input voltage, and the reference voltage Vo is supplied as an input voltage to the gate of the field effect transistor Fb. Load resistances Ra and Rb of the differential amplifier 31
Are output to the next-stage level shift circuit 32.
レベルシフト回路32は差動増幅器31の出力電圧を次段
のA/D変換回路33の最大入力電圧に適合させるものであ
り、定電流源Ic及びIdと、バイポーラトランジスタQc及
びQdと、抵抗Rc及びRdとから構成される。差動増幅器31
の負荷抵抗Raの出力電圧はバイポーラトランジスタQcの
ベースに供給され、負荷抵抗Rbの出力電圧はバイポーラ
トランジスタQdのベースに供給され、それぞれレベルシ
フトされ、抵抗Rc及びRdの出力電圧としてA/D変換回路3
3に出力される。The level shift circuit 32 adjusts the output voltage of the differential amplifier 31 to the maximum input voltage of the next-stage A / D conversion circuit 33, and includes constant current sources Ic and Id, bipolar transistors Qc and Qd, and a resistor Rc. And Rd. Differential amplifier 31
The output voltage of the load resistor Ra is supplied to the base of the bipolar transistor Qc, the output voltage of the load resistor Rb is supplied to the base of the bipolar transistor Qd, and the level is shifted, and the A / D conversion is performed as the output voltage of the resistors Rc and Rd. Circuit 3
Output to 3.
A/D変換回路33の反転入力端子は抵抗Rcの出力電圧を
入力し、非反転入力端子は抵抗Rdの出力電圧を入力し、
両電圧の値を比較した結果を出力する。The inverting input terminal of the A / D conversion circuit 33 receives the output voltage of the resistor Rc, the non-inverting input terminal receives the output voltage of the resistor Rd,
The result of comparing the two voltages is output.
従って、被測定ICからの出力電圧Vinが基準電圧Voよ
りも大きいか小さいかによって、A/D変換回路33からは
“1"又は“0"のロジック信号が出力される。Therefore, the A / D conversion circuit 33 outputs a logic signal of “1” or “0” depending on whether the output voltage Vin from the IC under test is higher or lower than the reference voltage Vo.
第2図に示したような従来のIC試験装置では、比較回
路14の部分で直接被測定IC21からの出力信号を取り込ん
でいるため、被測定IC21からみたインピーダンスが高く
なければならない。従って、第3図に示したように、比
較回路14の入力端に電界効果トランジスタFa及びFbを用
いて比較回路が高入力インピーダンスを構成するように
している。In the conventional IC test apparatus as shown in FIG. 2, since the output signal from the IC 21 to be measured is directly taken in the comparison circuit 14, the impedance as viewed from the IC 21 to be measured must be high. Therefore, as shown in FIG. 3, the comparison circuit has a high input impedance by using the field effect transistors Fa and Fb at the input terminals of the comparison circuit 14.
しかしながら、電界効果トランジスタFa及びFbは、入
力容量(キャパシタンス)が大きい。例えば、電界効果
トランジスタFa及びFbの容量が約5pFだとすると、入力
容量は全体として約10pF以上である。そのために、電界
効果トランジスタFa及びFbで差動増幅器31を構成した場
合、その動作周波数の限界が50MHz以下となり、その高
周波特性に限界が生じ、比較回路で正確な波形を取り込
むことができなくなり、被測定ICに対して50MHz以上の
高速動作性能を試験することができないという問題があ
る。However, the field effect transistors Fa and Fb have a large input capacitance (capacitance). For example, assuming that the capacitance of the field effect transistors Fa and Fb is about 5 pF, the input capacitance is about 10 pF or more as a whole. Therefore, when the differential amplifier 31 is configured by the field-effect transistors Fa and Fb, the operating frequency limit is 50 MHz or less, the high-frequency characteristics are limited, and the comparator circuit cannot capture an accurate waveform. There is a problem that high-speed operation performance of 50 MHz or more cannot be tested on the IC under test.
本発明は上述の点に鑑みてなされたものであり、入力
容量が小さく、高速動作性能試験においても波形取り込
みを正確に行えるような高速応答性に優れた比較回路を
有するIC試験装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and provides an IC test apparatus having a comparison circuit with a small input capacitance and excellent in high-speed response so that waveform acquisition can be accurately performed even in a high-speed operation performance test. The purpose is to:
〔課題を解決するための手段〕 本発明のIC試験装置は、バイポーラトランジスタ、抵
抗及び定電流源の直列接続で構成され、このバイポーラ
トランジスタのベースに入力された電圧のレベルをシフ
トして出力するレベルシフト回路と、このレベルシフト
回路の出力電圧に応じて負荷抵抗の出力電圧を変化させ
る電流増幅回路と、被測定ICから出力される測定電圧を
入力し、この測定電圧の高周波成分を前記バイポーラト
ランジスタのベースに供給するカップリングコンデンサ
と、前記測定電圧及び前記負荷抵抗の出力電圧を入力
し、これらの両電圧差に応じた電圧を前記レベルシフト
回路の前期定電流源に出力し、この定電流源の電流値を
制御するオペアンプと、前記レベルシフト回路の出力電
圧に応じて変化するように前記オペアンプの電源電圧を
制御する電源制御用バイポーラトランジスタ回路と、前
記電流増幅回路からの出力電圧を前記レベルシフト回路
の前記バイポーラトランジスタのベースにバイアス電圧
として供給するバイアス抵抗回路と、前記電流増幅回路
からの出力電圧を所定の基準電圧と比較してデジタルの
ロジック信号を出力する回路とからなる比較回路を具え
たものである。[Means for Solving the Problems] The IC test apparatus of the present invention is configured by connecting a bipolar transistor, a resistor, and a constant current source in series, and shifts and outputs the level of the voltage input to the base of the bipolar transistor. A level shift circuit, a current amplifying circuit for changing an output voltage of a load resistor according to an output voltage of the level shift circuit, and a measurement voltage output from an IC to be measured, and a high frequency component of the measurement voltage is converted to the bipolar signal. A coupling capacitor to be supplied to the base of the transistor, the output voltage of the measurement voltage and the output voltage of the load resistor are input, and a voltage corresponding to a difference between these two voltages is output to the constant current source of the level shift circuit. An operational amplifier for controlling a current value of a current source; and an operational amplifier for changing the voltage of the operational amplifier in accordance with an output voltage of the level shift circuit. A power supply control bipolar transistor circuit for controlling a voltage, a bias resistance circuit for supplying an output voltage from the current amplifier circuit as a bias voltage to a base of the bipolar transistor of the level shift circuit, and an output voltage from the current amplifier circuit Is compared with a predetermined reference voltage to output a digital logic signal.
被測定ICの測定電圧の高周波成分はカップリングコン
デンサを介してレベルシフト回路のバイポーラトランジ
スタに入力するため、電界効果トランジスタよりも高速
にレベルシフト動作を実行でき、高周波領域ほど低容量
化され、高速試験における波形取り込みが正確かつ容易
に行えるようになる。Since the high-frequency component of the measured voltage of the IC under test is input to the bipolar transistor of the level shift circuit via the coupling capacitor, the level shift operation can be executed faster than the field-effect transistor. Waveform acquisition in a test can be performed accurately and easily.
オペアンプの電源電圧は電源制御用バイポーラトラン
ジスタによってレベルシフト回路の出力電圧に応じて変
化するように制御されているので、オペアンプの電源端
子及び接地端子をフローティング状態にできる。すなわ
ち、オペアンプの電源電圧は被測定ICの測定電圧に追従
して変化するので、入力側からみて接地状態とならない
ため、入力容量が見えなくなり、あたかも入力容量が低
減されたかのようになる。Since the power supply voltage of the operational amplifier is controlled by the power supply control bipolar transistor so as to change in accordance with the output voltage of the level shift circuit, the power supply terminal and the ground terminal of the operational amplifier can be in a floating state. That is, since the power supply voltage of the operational amplifier changes following the measured voltage of the IC under test, it does not become grounded when viewed from the input side, so that the input capacitance becomes invisible and it is as if the input capacitance was reduced.
また、被測定ICの出力電圧の低周波成分(直流成分)
は、カップリングコンデンサによって遮断され、レベル
シフト回路のバイポーラトランジスタのベースには入力
せず、オペアンプに入力する。従って、直流試験時はオ
ペアンプ回路で被測定ICの出力電圧の低周波成分(直流
成分)と電流増幅回路からの出力電圧とを比較し、両電
圧差がゼロとなるように定電流源の電流値を制御してい
るので、試験精度をオペアンプ単体の精度に確保するこ
とができる。Also, the low frequency component (DC component) of the output voltage of the measured IC
Are cut off by the coupling capacitor and are not inputted to the base of the bipolar transistor of the level shift circuit, but are inputted to the operational amplifier. Therefore, during the DC test, the operational amplifier circuit compares the low-frequency component (DC component) of the output voltage of the IC under test with the output voltage from the current amplifier circuit, and adjusts the current of the constant current source so that the voltage difference between them becomes zero. Since the value is controlled, the test accuracy can be secured to the accuracy of the operational amplifier alone.
さらに、被測定ICからみたインピーダンスは、カップ
リングコンデンサ及びオペアンプによって高入力インピ
ーダンスとなっているため、従来のように電界効果トラ
ンジスタを用いなくても、高入力インピーダンス化を達
成できる。Furthermore, since the impedance viewed from the IC to be measured has a high input impedance due to the coupling capacitor and the operational amplifier, it is possible to achieve a high input impedance without using a field-effect transistor as in the related art.
〔実施例〕 以下、本発明の実施例を添付図面に従って詳細に説明
する。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
第1図は本発明の一実施例であるIC試験装置の比較回
路の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a comparison circuit of an IC test apparatus according to one embodiment of the present invention.
本実施例は、高周波領域の低容量化を図るために高周
波成分で動作する回路と、直流試験による試験精度を向
上するために直流成分で動作する回路とを混合した複合
増幅回路構成となっている。This embodiment has a composite amplifier circuit configuration in which a circuit that operates with a high-frequency component in order to reduce the capacitance in a high-frequency region and a circuit that operates with a DC component in order to improve the test accuracy by the DC test are mixed. I have.
ACカップリングコンデンサC1は被測定IC21の出力電圧
Vinを入力し、その高周波成分のみを通過させ、次段の
レベルシフト回路3のレベルシフト用トランジスタQ3及
びQ4のベースに与える。AC coupling capacitor C1 is the output voltage of IC21 to be measured
Vin is input, and only the high-frequency component is passed therethrough, and applied to the bases of the level shift transistors Q3 and Q4 of the level shift circuit 3 in the next stage.
オペアンプOPは被測定IC21の出力電圧Vinを非反転入
力端子に、電流増幅回路4の抵抗R5及びR6間の出力電圧
V56を反転入力端子に入力し、両端子間の電圧差に応じ
た出力電圧をレベルシフト回路3の定電流源I1及びI2に
与える。なお、オペアンプOPの電源電圧は、回路入力部
の低容量化を図るためにフローティング電源用トランジ
スタQ1及びQ2によって与えらている。The operational amplifier OP outputs the output voltage Vin of the IC under test 21 to the non-inverting input terminal and outputs the output voltage between the resistors R5 and R6 of the current amplifier circuit 4.
V56 is input to the inverting input terminal, and an output voltage corresponding to the voltage difference between the two terminals is supplied to the constant current sources I1 and I2 of the level shift circuit 3. The power supply voltage of the operational amplifier OP is given by the floating power supply transistors Q1 and Q2 in order to reduce the capacitance of the circuit input section.
フローティング電源用トランジスタQ1及びQ2は、レベ
ルシフト回路3のオペアンプバイアス用ツェナーダイオ
ードZDZ及びZD2によってレベルシフトされた電圧をベー
スに入力し、それによってオペアンプOPの電源電圧を駆
動している。すなわち、フローティング電源用トランジ
スタQ1はオペアンプOPの電源端子に正の電圧+Vを、フ
ローティング電源用トランジスタQ2はオペアンプOPの接
地端子に負の電圧−Vを印加し、オペアンプOPをフロー
ティング状態にしている。The transistors Q1 and Q2 for the floating power supply input the voltage level-shifted by the zener diodes ZDZ and ZD2 for the operational amplifier bias of the level shift circuit 3 to drive the power supply voltage of the operational amplifier OP. That is, the floating power supply transistor Q1 applies a positive voltage + V to the power supply terminal of the operational amplifier OP, and the floating power supply transistor Q2 applies a negative voltage −V to the ground terminal of the operational amplifier OP, thereby bringing the operational amplifier OP into a floating state.
レベルシフト回路3はオペアンプOPに入力される出力
電圧Vinと出力電圧V56との電圧差がゼロとなるように電
流増幅回路4のバイポーラトランジスタQ5及びQ6を駆動
するものであり、定電流源I1及びI2と、レベルシフト用
トランジスタQ3及びQ4と、抵抗R3及びR4と、オペアンプ
バイアス用ツェナーダイオードZD1及びZD2とから構成さ
れる。The level shift circuit 3 drives the bipolar transistors Q5 and Q6 of the current amplifier circuit 4 so that the voltage difference between the output voltage Vin and the output voltage V56 input to the operational amplifier OP becomes zero. It comprises I2, level shift transistors Q3 and Q4, resistors R3 and R4, and operational amplifier bias zener diodes ZD1 and ZD2.
レベルシフト用トランジスタQ3及びQ4は、ACカップリ
ングコンデンサCを通過してくる出力電圧Vinの高周波
成分をベースに入力し、それによって高速に駆動され
る。また、レベルシフト用トランジスタQ3及びQ4は、バ
イアス抵抗R1を介して入力される出力電圧V56に応じて
駆動されている。The level shift transistors Q3 and Q4 input the high frequency component of the output voltage Vin passing through the AC coupling capacitor C to the base and are driven at high speed. The level shift transistors Q3 and Q4 are driven according to the output voltage V56 input via the bias resistor R1.
抵抗R3及びR4はレベルシフト用の抵抗である。 The resistors R3 and R4 are level shift resistors.
ツェナーダイオードZD1及びZD2はオペアンプOP用の電
源を作るために抵抗R3及びR4でレベルシフトされた電圧
をさらにレベルシフトするためのものである。The Zener diodes ZD1 and ZD2 are for further level-shifting the voltage that has been level-shifted by the resistors R3 and R4 to create a power supply for the operational amplifier OP.
定電流源I1及びI2はオペアンプOPの出力電圧に応じて
電流値を制御する。The constant current sources I1 and I2 control the current value according to the output voltage of the operational amplifier OP.
電流増幅回路4は負荷駆動用トランジスタQ5及びQ6、
抵抗R5及びR6から構成され、抵抗R3の出力電圧は負荷駆
動用トランジスタQ5のベースに、抵抗R4の出力電圧は負
荷駆動用トランジスタQ6のベースに供給されている。従
って、電流増幅回路4はレベルシフト回路3の抵抗R3及
びR4の出力電圧に応じて電流を増幅し、抵抗R5及びR6間
の出力電圧V56を制御する。The current amplifier circuit 4 includes load driving transistors Q5 and Q6,
The output voltage of the resistor R3 is supplied to the base of the load driving transistor Q5, and the output voltage of the resistor R4 is supplied to the base of the load driving transistor Q6. Therefore, the current amplifying circuit 4 amplifies the current according to the output voltages of the resistors R3 and R4 of the level shift circuit 3, and controls the output voltage V56 between the resistors R5 and R6.
アッテネータ(1/n ATT)5は出力電圧V56のレベル
を次段のA/D変換回路6に適合させるための減衰器であ
り、抵抗R7及びR8から構成され、抵抗R7及びR8の値に応
じて1/n倍のレベル変換を行う。The attenuator (1 / n ATT) 5 is an attenuator for adjusting the level of the output voltage V56 to the A / D conversion circuit 6 in the next stage, and is constituted by resistors R7 and R8, and according to the values of the resistors R7 and R8. 1 / n times the level conversion.
A/D変換回路6の反転入力端子はアッテネータ5の出
力電圧を入力し、非反転入力端子は基準電圧Voを入力
し、両電圧の値を比較し、その結果をデジタルのロジッ
ク信号として出力する。従って、被測定IC21からの出力
電圧Vinが基準電圧Voよりも大きいか小さいかによっ
て、A/D変換回路6は“1"又は“0"のロジック信号を出
力する。The inverting input terminal of the A / D conversion circuit 6 receives the output voltage of the attenuator 5, the non-inverting input terminal receives the reference voltage Vo, compares the two voltages, and outputs the result as a digital logic signal. . Therefore, the A / D conversion circuit 6 outputs a logic signal of "1" or "0" depending on whether the output voltage Vin from the IC under test 21 is higher or lower than the reference voltage Vo.
次に、本実施例の回路動作について説明する。 Next, the circuit operation of this embodiment will be described.
まず、パルス波形の定常状態のような直流領域の動作
について説明する。出力電圧Vinが直流の場合には、そ
の直流成分はACカップリングコンデンサCを通過せず
に、直接オペアンプOPの非反転入力端子に入力する。First, an operation in a DC region such as a steady state of a pulse waveform will be described. When the output voltage Vin is direct current, the direct current component does not pass through the AC coupling capacitor C and is directly input to the non-inverting input terminal of the operational amplifier OP.
一方、レベルシフト回路3のレベルシフト用トランジ
スタQ3及びQ4のベースにはバイアス抵抗R1を介して出力
電圧V56が入力し、同時にオペアンプOPの反転入力端子
にも出力電圧V56が入力している。従って、オペアンプO
Pは出力電圧Vinと出力電圧V56の電圧差に応じて、定電
流源I1及びI2の電流値を制御する。レベルシフト回路3
の電流が変化すると、それに応じて負荷駆動用トランジ
スタQ5及びQ6の駆動電圧が変化し、出力電圧V56が変化
する。On the other hand, the output voltage V56 is input to the bases of the level shift transistors Q3 and Q4 of the level shift circuit 3 via the bias resistor R1, and at the same time, the output voltage V56 is also input to the inverting input terminal of the operational amplifier OP. Therefore, the operational amplifier O
P controls the current value of the constant current sources I1 and I2 according to the voltage difference between the output voltage Vin and the output voltage V56. Level shift circuit 3
Changes, the drive voltage of the load driving transistors Q5 and Q6 changes accordingly, and the output voltage V56 changes.
また、出力電圧V56の変化に応じてレベルシフト用ト
ランジスタQ3及びQ4の駆動電圧も変化する。このように
して、オペアンプOPは出力電圧Vinと出力電圧V56の電圧
差がゼロとなるように定電流源I1及びI2を制御する。Further, the drive voltage of the level shift transistors Q3 and Q4 also changes according to the change of the output voltage V56. Thus, the operational amplifier OP controls the constant current sources I1 and I2 so that the voltage difference between the output voltage Vin and the output voltage V56 becomes zero.
次に、パルス波形の立ち上がりや立ち下がり等のよう
な高周波領域の動作について説明する。Next, the operation in the high frequency region such as the rising and falling of the pulse waveform will be described.
高周波成分で主に動作するのは、ACカップリングコン
デンサC1とレベルシフト用トランジスタQ3及びQ4であ
る。オペアンプOPは動作スピードが遅いため、高周波領
域ではオペアンプOPは帰還動作を追従することができな
い。しかし、高周波成分はACカップリングコンデンサC
を通過し、レベルシフト用トランジスタQ3及びQ4に取り
込まれる。レベルシフト用トランジスタQ3及びQ4は出力
電圧V56が適切となるようにそれぞれの極性に対してレ
ベルシフトを行う。The components that mainly operate with the high frequency component are the AC coupling capacitor C1 and the level shift transistors Q3 and Q4. Since the operational speed of the operational amplifier OP is low, the operational amplifier OP cannot follow the feedback operation in a high frequency region. However, the high frequency component is the AC coupling capacitor C
And are taken into the level shift transistors Q3 and Q4. The level shift transistors Q3 and Q4 perform level shift for each polarity so that the output voltage V56 becomes appropriate.
ツェナーダイオードZD1及びZD2によって更にレベルシ
フトされた電圧はフローティング電源用トランジスタQ1
及びQ2のベースに供給され、フローティング電源用トラ
ンジスタQ1及びQ2をそれぞれ駆動する。フローティング
電源用トランジスタQ1及びQ2はオペアンプ用電源をオペ
アンプOPに印加する。The voltage further level-shifted by the Zener diodes ZD1 and ZD2 is the floating power transistor Q1.
And Q2 to drive the floating power supply transistors Q1 and Q2, respectively. The floating power supply transistors Q1 and Q2 apply the power supply for the operational amplifier to the operational amplifier OP.
このようにして出力電圧Vinの高周波成分の波形に追
従して、オペアンプOPの電源電圧を変化させる(オペア
ンプの電源を出力電圧Vinの変化と同じように変化させ
る)ことにより、オペアンプの入力端子からの容量成分
を低減することができ、高周波時の入力波形に悪影響を
与えることなく取り込むことが可能となる。入力容量の
大きさな約数pF程度となり、高速試験での波形取り込み
が正確となる。In this way, by following the waveform of the high-frequency component of the output voltage Vin, the power supply voltage of the operational amplifier OP is changed (the power supply of the operational amplifier is changed in the same manner as the change of the output voltage Vin), and the input terminal of the operational amplifier is changed. Can be reduced, and it is possible to capture the input waveform at a high frequency without adversely affecting the input waveform. The input capacitance is on the order of several pF, and waveform capture in high-speed tests is accurate.
本発明によれば、入力容量が小さく、高速動作性能試
験においても波形取り込みを正確に行えるような高速応
答性に優れた比較回路を有するIC試験装置を提供するこ
とができる。According to the present invention, it is possible to provide an IC test apparatus having a comparison circuit with a small input capacitance and excellent in high-speed response so that waveform acquisition can be accurately performed even in a high-speed operation performance test.
第1図は本発明の一実施例であるIC試験装置の比較回路
の詳細構成を示す回路図、 第2図はIC試験装置の全体の概略構成を示す回路図、 第3図は従来のIC試験装置の比較回路の一例を示すブロ
ック図である。 1……テスタ部、2……IC取付装置、3……レベルシフ
ト回路、4……電流増幅回路、5……アッテネータ、6
……A/D変換回路、11……制御手段、12……試験信号発
生手段、13……ドライバ、14……比較回路、15……フェ
イルメモリFIG. 1 is a circuit diagram showing a detailed configuration of a comparison circuit of an IC test apparatus according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing a schematic configuration of the entire IC test apparatus, and FIG. It is a block diagram showing an example of a comparison circuit of a test device. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Tester part, 2 ... IC mounting device, 3 ... Level shift circuit, 4 ... Current amplifier circuit, 5 ... Attenuator, 6
... A / D conversion circuit, 11 ... Control means, 12 ... Test signal generation means, 13 ... Driver, 14 ... Comparison circuit, 15 ... Fail memory
Claims (3)
源の直列接続で構成され、このバイポーラトランジスタ
のベースに入力された電圧のレベルをシフトして出力す
るレベルシフト回路と、 このレベルシフト回路の出力電圧に応じて負荷抵抗の出
力電圧を変化させる電流増幅回路と、 被測定ICから出力される測定電圧を入力し、この測定電
圧の高周波成分を前記バイポーラトランジスタのベース
に供給するカップリングコンデンサと、 前記測定電圧及び前記負荷抵抗の出力電圧を入力し、こ
れらの両電圧差に応じた電圧を前記レベルシフト回路の
前期定電流源に出力し、この定電流源の電流値を制御す
るオペアンプと、 前記レベルシフト回路の出力電圧に応じて変化するよう
に前記オペアンプの電源電圧を制御する電源制御用バイ
ポーラトランジスタ回路と、 前記電流増幅回路からの出力電圧を前記レベルシフト回
路の前記バイポーラトランジスタのベースにバイアス電
圧として供給するバイアス抵抗回路と、 前記電流増幅回路からの出力電圧を所定の基準電圧と比
較してデジタルのロジック信号を出力する回路と からなる比較回路を具えたことを特徴とするIC試験装
置。A level shift circuit configured by serially connecting a bipolar transistor, a resistor, and a constant current source, for shifting the level of a voltage input to the base of the bipolar transistor and outputting the output, and an output voltage of the level shift circuit A current amplifying circuit that changes the output voltage of the load resistor according to the following: a coupling capacitor that receives a measurement voltage output from the IC to be measured and supplies a high-frequency component of the measurement voltage to the base of the bipolar transistor; An operational amplifier that inputs a measurement voltage and an output voltage of the load resistor, outputs a voltage corresponding to a difference between the two voltages to the constant current source of the level shift circuit, and controls a current value of the constant current source; A power supply control bipolar for controlling a power supply voltage of the operational amplifier so as to change according to an output voltage of a level shift circuit A transistor circuit, a bias resistor circuit that supplies an output voltage from the current amplifier circuit as a bias voltage to a base of the bipolar transistor of the level shift circuit, and compares the output voltage from the current amplifier circuit with a predetermined reference voltage. And a circuit for outputting a digital logic signal.
圧を更にレベルシフトするためのツェナーダイオードを
設け、このツェナーダイオードでレベルシフトされた電
圧を前記電源制御用バイポーラトランジスタ回路に供給
することを特徴とする請求項1に記載のIC試験装置。2. A power supply control bipolar transistor circuit comprising: a zener diode for further level shifting the output voltage of the resistor of the level shift circuit; and supplying the voltage level-shifted by the zener diode to the power supply control bipolar transistor circuit. The IC test apparatus according to claim 1, wherein
ネータで減衰することを特徴とする請求項1に記載のIC
試験装置。3. The IC according to claim 1, wherein an output voltage from said current amplification circuit is attenuated by an attenuator.
Testing equipment.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2298890A JP2612213B2 (en) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | IC test equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2298890A JP2612213B2 (en) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | IC test equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04172270A JPH04172270A (en) | 1992-06-19 |
JP2612213B2 true JP2612213B2 (en) | 1997-05-21 |
Family
ID=17865489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2298890A Expired - Lifetime JP2612213B2 (en) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | IC test equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2612213B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4977056B2 (en) * | 2008-02-20 | 2012-07-18 | 株式会社アドバンテスト | Test equipment |
-
1990
- 1990-11-06 JP JP2298890A patent/JP2612213B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04172270A (en) | 1992-06-19 |
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