JP2606294B2 - Ion implanter - Google Patents

Ion implanter

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JP2606294B2 JP16203488A JP16203488A JP2606294B2 JP 2606294 B2 JP2606294 B2 JP 2606294B2 JP 16203488 A JP16203488 A JP 16203488A JP 16203488 A JP16203488 A JP 16203488A JP 2606294 B2 JP2606294 B2 JP 2606294B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、二つの注入室内にイオンビームを切り換
えて導入するようにした、いわるゆるデュアル型のイオ
ン注入装置に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a so-called dual-type ion implantation apparatus in which an ion beam is selectively introduced into two implantation chambers.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

この種のイオン注入装置は従来例を部分的に第4図に
示す。
FIG. 4 partially shows a conventional example of this type of ion implantation apparatus.

即ちこのイオン注入装置は、図示しないイオン源から
のイオンビーム2を導く真空容器4を逆Y型に分岐し
て、それぞれの先に真空弁8aおよび8bを介して注入室12
aおよび12bをそれぞれ設け、この二つの注入室12a、12b
内にイオンビーム2を偏向手段3等を用いて切り換えて
導入するようにしている。
That is, in this ion implantation apparatus, a vacuum vessel 4 for introducing an ion beam 2 from an ion source (not shown) is branched into an inverted Y-shape, and an injection chamber 12 is provided at each end via vacuum valves 8a and 8b.
a and 12b, respectively, these two injection chambers 12a, 12b
The ion beam 2 is switched and introduced using the deflecting means 3 and the like.

真空弁8a、8bは、真空容器4の分岐部に設けられた仕
切板6のイオンビーム2通路用の開口部7a、7bをそれぞ
れ塞ぐものであり、弁体10a、10bの周縁部に、機械的接
触による気密シール部としてリング状のパッキン9a、9b
をそれぞれ有している。
The vacuum valves 8a and 8b close the openings 7a and 7b for the passage of the ion beam 2 of the partition plate 6 provided at the branch portion of the vacuum vessel 4, respectively. Ring-shaped packing 9a, 9b as hermetic seal part by mechanical contact
Respectively.

尚、各注入室12a、12b内には、基板14を着脱するため
の水平状態と装着された基板14にイオン注入するための
垂直状態とに回転させられるホルダ13a、13bがそれぞれ
設けられている。
Note that, in each of the implantation chambers 12a and 12b, holders 13a and 13b that are rotated to a horizontal state for attaching and detaching the substrate 14 and a vertical state for implanting ions into the mounted substrate 14 are provided, respectively. .

また、両注入室12a、12bの後部には、基板14をそこと
大気側との間で出し入れするための真空予備室16a、16b
がそれぞれ隣接されている。図中の18a〜21aおよび18b
〜21bはそのための真空弁であり、矢印は基板14の搬出
入経路の一例を示す。
In addition, vacuum back chambers 16a, 16b are provided at the rear of the two injection chambers 12a, 12b for taking the substrate 14 in and out between the chamber and the atmosphere.
Are adjacent to each other. 18a-21a and 18b in the figure
Reference numerals 21b to 21b denote vacuum valves for this purpose, and arrows indicate an example of a path for carrying in and out the substrate 14.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

上記真空弁8a、8bは、メンテナンス作業時に両注入室
12a、12b間あるいはそれらと上流側の真空容器4巻の真
空を完全に区分する目的があるため、完全な気密シール
のためのパッキン9a、9bを備えており、またその弁体10
a、10bは真空圧に耐える十分な厚みを持っているため重
い。
The vacuum valves 8a and 8b are used for both injection chambers during maintenance work.
For the purpose of completely separating the vacuum of the four vacuum containers between or between 12a and 12b or upstream thereof, packings 9a and 9b for complete airtight sealing are provided.
a and 10b are heavy because they have enough thickness to withstand vacuum pressure.

従って、これらの真空弁8a、8bを、イオンビーム2を
注入室12a側と12b側とに切り換えるたびに開閉させるこ
とは、パッキン9a、9bや弁体10a、10bの支持部の寿命
上、またそれらからの塵埃の発生上問題があった。
Accordingly, opening and closing these vacuum valves 8a and 8b each time the ion beam 2 is switched between the implantation chamber 12a and the implantation chamber 12b is not only because of the life of the packings 9a and 9b and the support of the valve bodies 10a and 10b, but also because There was a problem in generating dust from them.

従って従来は、真空弁8a、8bは常時のイオン注入時は
開位置にとどめておくのが普通であった。
Therefore, conventionally, it was usual that the vacuum valves 8a and 8b were kept at the open position during the normal ion implantation.

ところがそのようにしておくと、例えば図示例のよう
に注入室12b側でイオン注入中に、注入室12a側で基板14
を出し入れするために真空弁20a、20aを開けると、真空
予備室16aの真空度(一般的に注入室12aの真空度よりも
低く、例えば100mmTorr程度)の影響のため、注入室12a
の真空度が低下し、これが仕切板6の開口部7a、7bを通
じてイオン注入動作中の注入室12bの真空度低下を招く
という問題があった。
However, in this case, for example, as shown in the drawing, during the ion implantation on the implantation chamber 12b side, the substrate 14 is implanted on the implantation chamber 12a side.
When the vacuum valves 20a and 20a are opened to take in and out of the chamber, the vacuum chamber 20a is affected by the degree of vacuum of the vacuum preparatory chamber 16a (generally lower than the vacuum degree of the injection chamber 12a, for example, about 100 mmTorr).
Has a problem that the degree of vacuum of the implantation chamber 12b during the ion implantation operation is reduced through the openings 7a and 7b of the partition plate 6.

その結果例えば、この真空度低下がイオン注入プロセ
スにおいて許容できる限界、例えば1×10-6Torrを割る
ような場合はイオン注入プロセスを中断させなければな
らず、それに至らない場合でも、イオンビーム2は真空
度低下の影響を受けるための基板14への均一な照射が困
難になる等の不具合を生じていた。
As a result, for example, if the reduction in the degree of vacuum falls below an allowable limit in the ion implantation process, for example, 1 × 10 −6 Torr, the ion implantation process must be interrupted. In this case, there has been a problem that it is difficult to uniformly irradiate the substrate 14 due to the influence of the degree of vacuum reduction.

このようなことを防ぐ一つの解決策は、真空弁20a、2
1bあるいは真空弁20a、21bを開いて真空予備室16aある
いは16bと注入室12aあるいは12bとを連通させる前に、
その真空予備室16a、16bの真空度を十分に(例えば10-6
Torr程度というように注入室12a、12bの真空度に近い値
に)高めておくことであるが、そのためには大容量の真
空排気装置を用いるか長時間真空排気を行うかする必要
があり、前者の場合は不経済となり後者の場合は生産者
が低下する。
One solution to prevent this is to use the vacuum valves 20a, 2
Before opening 1b or the vacuum valves 20a and 21b to communicate the vacuum spare chamber 16a or 16b with the injection chamber 12a or 12b,
The degree of vacuum in the vacuum preparatory chambers 16a and 16b is sufficiently set (for example, 10 −6
It should be increased to a value close to the degree of vacuum of the injection chambers 12a and 12b such as about Torr), but for that purpose, it is necessary to use a large-capacity evacuation device or perform evacuation for a long time, In the former case, it becomes uneconomical, and in the latter case, the producer decreases.

そこでこの発明は、上記のような点を改善したイオン
注入装置を提供することを目的とする。
Therefore, an object of the present invention is to provide an ion implantation apparatus in which the above points are improved.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

この発明のイオン注入装置は、前記真空容器の分岐部
に、上流側真空容器と二つの注入室との間の連通部を択
一的に閉じるバルブであって、前記真空弁の弁体よりも
軽い弁体と、当該弁体の周縁部との神経容器側の固定部
材との間で構成される非接触のラビリンス部とを有する
ものを設けたことを特徴とする。
An ion implantation apparatus according to the present invention is a valve that selectively closes a communication portion between an upstream vacuum vessel and two implantation chambers at a branch portion of the vacuum vessel, and is more than a valve body of the vacuum valve. A valve having a light valve body and a non-contact labyrinth portion formed between a peripheral member of the valve body and a fixing member on the nerve container side is provided.

〔作用〕[Action]

上記バルブを閉じると、そのラビリンス部でコンダク
タンスが低下する。従ってこのようなバルブを設けるこ
とにより、機械的接触による気密シール部を有する真空
弁を開閉することなく、二つの注入室間で互いに真空度
に影響を及ぼし合うのを防ぐことができる。
When the valve is closed, the conductance decreases in the labyrinth part. Therefore, by providing such a valve, it is possible to prevent the two injection chambers from mutually affecting the degree of vacuum without opening and closing a vacuum valve having a hermetic seal portion due to mechanical contact.

しかも、このバルブは機械的接触による気密シール部
を持たず、またその弁体が軽いためその支持部における
負担が軽く、従ってその開閉に伴う寿命低下や塵埃の発
生の可能性は殆ど無い。
In addition, this valve does not have an airtight seal portion due to mechanical contact, and its valve body is light, so that the load on its supporting portion is light. Therefore, there is almost no possibility of shortening the life and generating dust due to opening and closing.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は、この発明に係るイオン注入装置における真
空容器の分岐部の一例を拡大して示す横断面図である。
図示以外の部分は第4図の例と同様であるのでそれを参
照するものとし、以下においては従来例との相違点を主
に説明する。
FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view showing an example of a branch portion of a vacuum vessel in an ion implantation apparatus according to the present invention.
Parts other than the illustration are the same as those in the example of FIG. 4, and reference is made to them. In the following, differences from the conventional example will be mainly described.

この実施例においては、真空容器4の前述したような
分岐部に、上流側の真空容器4と二つの注入室12aおよ
び12bとの間の連通部、より具体的には仕切板6に設け
たイオンビーム2(第4図参照)通過用の開口部7aおよ
び7bを択一的に閉じるバルブ24を設けている。
In this embodiment, a communication portion between the upstream vacuum vessel 4 and the two injection chambers 12a and 12b, more specifically, a partition plate 6 is provided at the branch portion of the vacuum vessel 4 as described above. A valve 24 for selectively closing the openings 7a and 7b for passing the ion beam 2 (see FIG. 4) is provided.

このバルブ24は、弁体28およびラビリンス部32を有し
ている。
The valve 24 has a valve body 28 and a labyrinth part 32.

弁体28は、前述した真空弁8a、8bの弁体10a、10bより
も薄くて軽いものであり、また真空容器4内に気密を保
った状態で挿入された回転軸26に取り付けられており、
それによって矢印Aのように180度反転させられる。
The valve body 28 is thinner and lighter than the valve bodies 10a and 10b of the above-described vacuum valves 8a and 8b, and is attached to a rotary shaft 26 inserted in the vacuum vessel 4 while maintaining airtightness. ,
Thereby, it is inverted by 180 degrees as indicated by arrow A.

ラビリンス部32は、この例では、仕切板6の開口部7a
および7bの周囲にそれぞれ取り付けられたリング状で断
面コの字状の固定部材30と、それに非常に狭い隙間をあ
けて非接触で入り込むように弁体28に取り付けられたリ
ング状の可動部材31とで構成されている。
The labyrinth part 32 is, in this example, an opening 7a of the partition plate 6.
And 7b, and a ring-shaped movable member 31 attached to the valve body 28 so as to enter in a non-contact manner with a very narrow gap therebetween. It is composed of

従ってこの実施例においては、例えば注入室12b側に
イオンビーム2を導入してイオン注入する場合は、図示
例のようにバルブ24で仕切板6の開口部7a側を閉じれば
良い。勿論、従来からあるメンテナンス用の真空弁8aお
よび8bは開いたままで良い。
Therefore, in this embodiment, for example, when the ion beam 2 is introduced into the implantation chamber 12b and the ions are implanted, the opening 7a side of the partition plate 6 may be closed by the valve 24 as shown in the illustrated example. Of course, the conventional maintenance vacuum valves 8a and 8b may be left open.

そのようにすると、開口部7aの回りのラビリンス部32
では、非接触ではあるけれども、コンダクタンスが大幅
に低下する。その結果、真空弁8a、8bを用いることな
く、注入室12aの真空度の低下が注入室12bの真空度に影
響を与えるのを防ぐことができる。従って、従来例で説
明したように真空予備室16a、16bの真空度を十分に高め
ておくというような必要は無くなり、それに伴う経済性
や生産性の低下も無くなる。
By doing so, the labyrinth part 32 around the opening 7a
In this case, conductance is greatly reduced though it is non-contact. As a result, it is possible to prevent a decrease in the degree of vacuum in the injection chamber 12a from affecting the degree of vacuum in the injection chamber 12b without using the vacuum valves 8a and 8b. Therefore, it is not necessary to sufficiently increase the degree of vacuum in the pre-vacuum chambers 16a and 16b as described in the conventional example, and the accompanying reduction in economy and productivity is also eliminated.

逆に注入室12a側でイオン注入する場合は、バルブ24
の弁体28を図中に2点鎖線で示すように開口部7b側へ反
転させれば、上記と同様の結果が得られる。
Conversely, when ion implantation is performed on the implantation chamber 12a side, the valve 24
The same result as above can be obtained by inverting the valve body 28 to the opening 7b side as shown by a two-dot chain line in the figure.

しかも、このバルブ24は真空弁8a、8bと違ってパッキ
ンのような機械的接触による気密シール部を持たず、ま
たその弁体28が軽いためその支持部における負担が軽
く、従ってそれをイオンビームを注入室12a側と12b側と
の切り換える度に開閉させても、それに伴う寿命低下や
塵埃の発生の可能性は殆ど無い。
Moreover, unlike the vacuum valves 8a and 8b, this valve 24 does not have a hermetic seal portion due to mechanical contact such as packing, and the valve body 28 is light, so that the load on the support portion is light, so that Is opened and closed each time the injection chamber 12a and the injection chamber 12b are switched, there is almost no possibility that the life will be shortened or dust will be generated.

第2図は、この発明に係るイオン注入装置における真
空容器の分岐部の他の例を拡大して示す横断面図であ
る。
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing another example of the branch portion of the vacuum vessel in the ion implantation apparatus according to the present invention.

第1図の例との相違点を主に説明すると、この実施例
においては、上記バルブ24を相当するバルブ34を構成す
るものとして、仕切板6の直ぐ上流側に、その開口部7
a、7bに対応する位置にイオンビーム通過用の開口部41
a、41bをそれぞれ有する薄板40を設け、かつ両者の間
に、非常に狭い隙間をあけて非接触に弁体38を収納して
いる。
The difference from the example of FIG. 1 will be mainly described. In this embodiment, a valve 34 corresponding to the valve 24 is provided, and an opening 7 is provided immediately upstream of the partition plate 6.
Openings 41 for ion beam passage at positions corresponding to a and 7b
A thin plate 40 having both a and 41b is provided, and the valve body 38 is accommodated in a non-contact manner with a very narrow gap therebetween.

この弁体38は、真空弁8a、8bの弁体10a、10bよりも薄
くて軽いものであり、また軸36に支持されており、矢印
C(第3図も参照)のように回転させられることによっ
て、開口部7aと41aあるいは開口部7bと41bを択一的に閉
じる。
The valve body 38 is thinner and lighter than the valve bodies 10a and 10b of the vacuum valves 8a and 8b, and is supported by a shaft 36, and is rotated as shown by an arrow C (see also FIG. 3). Thereby, the openings 7a and 41a or the openings 7b and 41b are alternatively closed.

しかも弁体38で閉じられた側は、当該弁体38の周縁部
と、真空容器4側の固定部材である仕切板6および薄板
40とが非接触で入り込んでラビリンス部42を構成するよ
うにしている。
In addition, the side closed by the valve body 38 includes the peripheral portion of the valve body 38 and the partition plate 6 and the thin plate as fixing members on the vacuum vessel 4 side.
The labyrinth portion 42 is configured to enter without contact with 40.

尚、バルブ34の弁体38の駆動は、例えば第3図に示す
ように、シリンダー48に結合された軸44を真空シール部
46を通して真空容器4内に挿入し、それで弁体38を矢印
Cのように回転させることによって行うことができる。
Incidentally, the valve body 38 of the valve 34 is driven by, for example, as shown in FIG.
This can be performed by inserting the valve body 38 into the vacuum container 4 through 46 and then rotating the valve body 38 as shown by the arrow C.

従ってこの実施例の場合も、弁体38で塞いだ側の開口
部7aあるいは7b回りのコンダクタンスが非常に低下する
ので、注入室12a、12b間で互いに真空度に影響を及ぼし
合うのを防ぐことができる。また、弁体38が軽く、しか
も非接触であるので、その開閉に伴う寿命低下の発塵の
可能性は殆ど無い。
Therefore, also in the case of this embodiment, since the conductance around the opening 7a or 7b on the side closed by the valve body 38 is greatly reduced, it is necessary to prevent the injection chambers 12a and 12b from mutually affecting the degree of vacuum. Can be. In addition, since the valve body 38 is light and non-contact, there is almost no possibility of dust generation due to a shortened life due to the opening and closing thereof.

尚、上記実施例はいずれも、一つの弁体28あるいは38
を移動させることによって仕切板6の開口部7a側と7b側
とを択一的に閉じるようにしているが、開口部7a側と7b
側とに専用の二つの弁体を用いてそれらを互い違いに閉
じることによって、開口部7a側と7b側とを択一的に閉じ
るようにしても良い。
In each of the above embodiments, one valve body 28 or 38
Is moved so that the openings 7a and 7b sides of the partition plate 6 are selectively closed.
The openings 7a and 7b may be alternatively closed by alternately closing them using two valve bodies dedicated to the sides.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上のようにこの発明によれば、上流側の真空容器と
二つの注入室との間の連通部を択一的に閉じるバルブを
設けたので、機械的接触による気密シール部を有する真
空弁を開閉することなく、二つの注入室間で互いに真空
度に影響を及ぼし合うのを防ぐことができる。
As described above, according to the present invention, since the valve that selectively closes the communication portion between the upstream vacuum vessel and the two injection chambers is provided, the vacuum valve having the hermetic seal portion by mechanical contact is provided. Without opening and closing, it is possible to prevent the two injection chambers from mutually affecting the degree of vacuum.

しかも、このバルブは機械的接触による気密シール部
を持たず、またその弁体が軽いためその支持部における
負担が軽く、その結果その開閉に伴う寿命低下や塵埃の
発生の可能性は殆ど無い。
In addition, this valve does not have an airtight seal portion due to mechanical contact, and its valve body is light, so that the load on its supporting portion is light. As a result, there is almost no possibility that the opening and closing of the valve will shorten its life and generate dust.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は、この発明に係るイオン注入装置における真空
容器の分岐部の一例を拡大して示す横断面図である。第
2図は、分岐部の他の例を拡大して示す横断面図であ
る。第3図は、第2図のバルブの駆動機構の一例を示す
正面図である。第4図は、従来のイオン注入装置の一例
を部分的に示す横断面図である。 2……イオンビーム、4……真空容器、6……仕切板、
8a、8b……機械的接触による気密シール部を有する真空
弁、12a、12b……注入室、24,34……バルブ、28,38……
弁体、32,42……ラビリンス部。
FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view showing an example of a branch portion of a vacuum vessel in an ion implantation apparatus according to the present invention. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing another example of the branch portion. FIG. 3 is a front view showing an example of a drive mechanism of the valve shown in FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view partially showing an example of a conventional ion implantation apparatus. 2 ... Ion beam, 4 ... Vacuum container, 6 ... Partition plate,
8a, 8b: Vacuum valve having hermetic seal by mechanical contact, 12a, 12b: Injection chamber, 24, 34 ... Valve, 28, 38 ...
Valve, 32,42 ... Labyrinth part.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】イオンビームを導く真空容器を二つに分岐
してそれぞれの先に、機械的接触による気密シール部を
有する真空弁を介して注入室をそれぞれ設け、この二つ
の注入室内にイオンビームを切り換えて導入するように
したイオン注入装置において、前記真空容器の分岐部
に、上流側の真空容器と二つの注入室との間の連通部を
択一的に閉じるバルブであって、前記真空弁の弁体より
も軽い弁体と、当該弁体の周縁部と真空容器側の固定部
材との間で構成される非接触のラビリンス部とを有する
ものを設けたことを特徴とするイオン注入装置。
1. A vacuum vessel for introducing an ion beam is branched into two, and an injection chamber is provided at each end via a vacuum valve having a hermetically sealed portion by mechanical contact. In an ion implantation apparatus adapted to switch and introduce a beam, a valve for selectively closing a communication section between an upstream vacuum vessel and two implantation chambers at a branch portion of the vacuum vessel, An ion having a valve element having a lighter valve element than a valve element of a vacuum valve, and a non-contact labyrinth portion formed between a peripheral portion of the valve element and a fixing member on the vacuum vessel side. Infusion device.
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