JP2593460B2 - Laser processing method and laser processing apparatus - Google Patents

Laser processing method and laser processing apparatus

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JP2593460B2 JP61290252A JP29025286A JP2593460B2 JP 2593460 B2 JP2593460 B2 JP 2593460B2 JP 61290252 A JP61290252 A JP 61290252A JP 29025286 A JP29025286 A JP 29025286A JP 2593460 B2 JP2593460 B2 JP 2593460B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザ加工方法及びレーザ加工装置に関
し、特に可動ステージ上に載置された被加工物をレーザ
ビームによって加工するようにしたレーザ加工装置に適
用するものである。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing method and a laser processing apparatus, and more particularly to laser processing in which a workpiece placed on a movable stage is processed by a laser beam. It is applied to the device.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

この種のレーザ加工装置として、例えば半導体ウエハ
上のメモリチップの欠陥を修繕する目的で、一旦加工さ
れたチープをレーザビームによって再加工するものがあ
る。この種の加工装置においては、高速かつ高精度でウ
エハをレーザビームの加工位置に位置合わせすることが
要求されている。
As this type of laser processing apparatus, for example, there is an apparatus that reprocesses a chip once processed by a laser beam in order to repair a defect of a memory chip on a semiconductor wafer. In this type of processing apparatus, it is required to align a wafer with a laser beam processing position with high speed and high accuracy.

ところが、従来のレーザ加工装置においては、レーザ
ビームの加工位置に被加工物を位置合わせする方法とし
て、第1に、被化合物を載置したステージを移動する方
法と、第2に、レーザビームの位置を光学系(例えば、
ガルバノミラーなど)を用いて移動させる方法とが採用
されていた。
However, in a conventional laser processing apparatus, as a method of positioning a workpiece to a processing position of a laser beam, first, a method of moving a stage on which a compound is mounted, and second, a method of moving a laser beam. Position the optical system (for example,
(A galvanometer mirror or the like).

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

第1のステージを移動させる方法は、レーザビームの
加工位置に高い精度で位置合わせできる利点がある反
面、被加工物を載置しているステージ及びその駆動機構
の質量がかなり大きいために、位置合わせ速度をそれほ
ど高速化し得ない問題がある。
The method of moving the first stage has the advantage that it can be positioned with high precision at the processing position of the laser beam. However, since the mass of the stage on which the workpiece is mounted and the driving mechanism thereof are considerably large, There is a problem that the matching speed cannot be increased so much.

また、第2のレーザビームを移動させる方法は、移動
速度を高速化できる利点がある反面、レーザビームを被
加工物の所定加工位置に位置合わせするための位置合わ
せ精度をそれほど高くできない問題がある。
Further, the second method of moving the laser beam has an advantage that the moving speed can be increased, but there is a problem that the positioning accuracy for positioning the laser beam at a predetermined processing position of the workpiece cannot be so high. .

本発明の目的は、レーザビームの加工位置に被加工物
を位置決めして加工する際に、高速度、高精度を実現す
ることにある。
An object of the present invention is to realize high speed and high accuracy when processing a workpiece by positioning the workpiece at a processing position of a laser beam.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明は、第1に「移動可能なステージ上に載置され
た被加工物の要加工部に、加工用レーザから出力された
レーザビームをレーザビーム照射系を経て前記被加工物
の要加工部に向けて照射することにより、前記要加工部
を加工するレーザ加工方法において、前記レーザビーム
の照射位置と前記要加工部との距離が所定値を上回って
いる間、前記ステージを前記照射位置に向けて第1の速
度で移動させることにより、前記要加工部を前記レーザ
ビームの照射位置に近づけ、前記距離が前記所定値以下
になった時には、前記ステージを前記第1速度の平均値
より遅い第2の一定速度で引き続き同じ向きに移動させ
ると伴に、前記レーザビームの照射位置を前記要加工部
に向けて移動させ、それにより、前記距離が許容値以下
になったとき、前記レーザビームの照射を開始し前記要
加工部を加工するレーザ加工方法」を提供する。
The first aspect of the present invention is to provide a laser beam output from a processing laser through a laser beam irradiating system to a required processing portion of a workpiece mounted on a movable stage. In the laser processing method of processing the required processing portion by irradiating the stage, the stage is moved to the irradiation position while the distance between the irradiation position of the laser beam and the required processing portion exceeds a predetermined value. By moving at a first speed, the required processing portion is brought closer to the irradiation position of the laser beam, and when the distance becomes equal to or less than the predetermined value, the stage is moved from the average value of the first speed. While continuing to move in the same direction at a slow second constant speed, the irradiation position of the laser beam is moved toward the required processing portion, so that when the distance becomes equal to or less than an allowable value, Start the irradiation of Zabimu to provide a laser processing method "for processing the main processing unit.

この場合、前記距離が前記所定値を上回っている間、
前記距離が減少するにつれて前記第1の速度を所定速度
に向けて徐々に減少させ、前記距離が前記所定値以下に
なった時には、「前記所定速度と同一又はその近傍にあ
る第2の一定速度」で前記ステージを移動させることが
好ましい。
In this case, while the distance exceeds the predetermined value,
As the distance decreases, the first speed is gradually decreased toward a predetermined speed, and when the distance becomes equal to or less than the predetermined value, a second constant speed which is the same as or close to the predetermined speed is used. Preferably, the stage is moved.

また、本発明は、「レーザビームを発生する加工用レ
ーザと、被加工物を載置して移動可能なステージと、前
記要加工部を前記レーザビームの照射位置に近づけるべ
く前記ステージを駆動制御するステージ駆動制御部と、
前記レーザビームを前記要加工部に近づけるべく駆動制
御するレーザビーム照射系駆動制御部、及び、前記要加
工部と前記レーザビーム照射位置との距離が許容値以下
になったときに前記レーザビームを発生させるための電
源を前記加工用レーザに供給するレーザ駆動制御部から
なるレーザ加工装置において、前記ステージ駆動制御部
は、前記要加工部の位置に対応する目標位置と前記レー
ザビームの照射位置が入力されそれらの間隔の距離に相
当する差出力を演算するステージ駆動用減算回路と、予
め定められた所定値に対応する基準信号と前記差出力と
を比較し、前記差出力が前記基準信号より大きいならば
信号Lを、前記基準信号以下であるなら信号Hを比較出
力として出力する比較回路と、前記差出力と前記比較出
力を受けて、前記比較出力が信号Lならば前記差出力を
送出し、前記比較出力が信号Hならば前記差出力の送出
を停止するステージ駆動用ゲート回路と、前記ステージ
駆動用ゲート回路からの信号を受けて、前記差出力が入
力される間は前記差出力をホールドすると伴に入力され
た前記差出力を送出し、前記ステージ駆動用ゲート回路
からの信号が停止されるとホールドされた最後の前記差
出力の送出を維持するホールド回路、及び、前記ホール
ド回路からの前記差出力を受けて、前記差出力が変化す
る間は第1の速度となる電力を送出して前記ステージを
駆動させ、前記差出力が一定になると前記第1速度の平
均値より遅い第2の一定速度となる電力を送出して前記
ステージを駆動させる速度制御回路からなり、前記レー
ザビーム照射系駆動制御部は、前記ステージ駆動制御部
から送出された前記比較出力と前記差出力とを受けて前
記比較出力が信号Lならば予め定められた前記レーザビ
ーム照射位置の基準位置を送出し、前記比較出力が信号
Hならば前記差出力を送出する照射系駆動用ゲート回路
と、前記照射系駆動用ゲート回路から前記基準位置が入
力されると前記基準位置を送出し、前記照射系駆動用ゲ
ート回路から前記差出力が入力されると前記基準位置か
らの前記レーザビーム照射位置の移動量と前記差出力と
を減算し減算値を出力する照射系駆動用減算回路、及
び、前記照射系駆動用減算回路から前記基準位置が入力
されると前記レーザビームの照射位置を前記基準位置に
移動させ、前記照射系駆動用減算回路から前記減算値が
入力されると前記減算値がゼロになるまで前記レーザビ
ーム照射位置を移動させるレーザビーム駆動回路からな
ることを特徴とするレーザ加工装置」を提供する。
Further, the present invention provides a processing laser for generating a laser beam, a stage on which a workpiece is placed and movable, and a drive control of the stage for bringing the required processing portion closer to the laser beam irradiation position. A stage drive control unit,
A laser beam irradiation system drive control unit that drives and controls the laser beam so as to approach the required processing portion, and the laser beam when the distance between the required processing portion and the laser beam irradiation position is equal to or less than an allowable value. In a laser processing apparatus including a laser drive control unit that supplies power for generating the processing laser to the processing laser, the stage drive control unit includes a target position corresponding to a position of the required processing portion and an irradiation position of the laser beam. A stage driving subtraction circuit that calculates a difference output corresponding to the distance between the input and the distances, compares a reference signal corresponding to a predetermined value and the difference output, and the difference output is based on the reference signal. A comparison circuit for outputting the signal L as a comparison output if the signal L is larger than the reference signal, and receiving the difference output and the comparison output, When the comparison output is a signal L, the difference output is transmitted, and when the comparison output is a signal H, the stage drive gate circuit for stopping the transmission of the difference output, and receiving a signal from the stage drive gate circuit, While the difference output is input, the input difference output is sent out while holding the difference output, and when the signal from the stage driving gate circuit is stopped, the last difference output held is output. A hold circuit for maintaining transmission, and receiving the difference output from the hold circuit, and while the difference output changes, sends out power having a first speed to drive the stage, and the difference output is A speed control circuit that drives the stage by sending power that becomes a second constant speed that is lower than the average value of the first speed when the speed becomes constant, and the laser beam irradiation system drive control unit includes: Receiving the comparison output and the difference output sent from the stage drive control unit, if the comparison output is a signal L, a predetermined reference position of the laser beam irradiation position is sent out, and if the comparison output is a signal H, For example, an irradiation system drive gate circuit that sends the difference output, and the reference position is sent when the reference position is input from the irradiation system drive gate circuit, and the difference output is sent from the irradiation system drive gate circuit. An irradiation system drive subtraction circuit for subtracting the difference output from the movement amount of the laser beam irradiation position from the reference position and outputting a subtraction value; and the reference position from the irradiation system drive subtraction circuit. Is input, the irradiation position of the laser beam is moved to the reference position. When the subtraction value is input from the irradiation system driving subtraction circuit, the laser beam is moved until the subtraction value becomes zero. A laser processing device comprising a laser beam drive circuit for moving a laser beam irradiation position.

〔作用〕[Action]

先の発明のように構成すれば、要加工部PPが加工レー
ザビームLBの照射位置から大きく離れているときには、
ステージ1を高速で送ることによって要加工部PPを加工
レーザビームLBの照射位置近傍にまで早く近づけて行く
ことができる。そして、やがて要加工部PPが加工レーザ
ビームLBの照射位置の近傍まできたときには、ステージ
1を一定微小速度で移動させながら加工レーザビームLB
を要加工部PPへ向けて移動させる。かくして要加工部PP
と加工レーザビームLBの照射位置との位置合わせを高速
度かつ高精度で行うことができる。
With the configuration as in the preceding invention, when the required processing portion PP is far away from the irradiation position of the processing laser beam LB,
By moving the stage 1 at high speed, the required processing portion PP can be quickly brought close to the vicinity of the irradiation position of the processing laser beam LB. Then, when the required processing part PP reaches the vicinity of the irradiation position of the processing laser beam LB, the processing laser beam LB is moved while moving the stage 1 at a constant minute speed.
To the required processing part PP. Thus, the required processing part PP
And the irradiation position of the processing laser beam LB can be aligned with high speed and high accuracy.

また別の発明のように構成すれば、X、Y軸両方向に
移動可能なステージ1の移動により、要加工部PPをレー
ザビームLBの照射位置に位置決めする際、先に位置決め
が完了した方向のステージ1の移動は位置決めが完了し
た時点で停止するが、他方向の移動は位置決めが完了し
た時点でも継続させるので、高速度かつ高精度のレーザ
加工が実現できる。
According to another aspect of the present invention, when the stage to be processed PP is positioned at the irradiation position of the laser beam LB by moving the stage 1 movable in both the X and Y axes directions, Although the movement of the stage 1 is stopped when the positioning is completed, the movement in the other direction is continued even when the positioning is completed, so that high-speed and high-accuracy laser processing can be realized.

〔実施例〕〔Example〕

以下図面について、本発明を半導体製造装置に適用し
た場合の実施例として詳述する。
Referring to the drawings, an embodiment in which the present invention is applied to a semiconductor manufacturing apparatus will be described in detail.

第1図において、1はベース2上に取り付けられたウ
エハステージで、ウエハステージ駆動モータ3によって
X方向及びY方向に移動できるようになされている。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a wafer stage mounted on a base 2, which can be moved in X and Y directions by a wafer stage drive motor 3.

ウエハステージ1の上面には、被加工物としてウエハ
4が例えば真空吸着によって装着され、レーザビーム照
射系5から照射される加工レーザビームLBを受けるよう
になされている。
A wafer 4 is mounted on the upper surface of the wafer stage 1 as a workpiece by, for example, vacuum suction, and receives a processing laser beam LB irradiated from a laser beam irradiation system 5.

レーザビーム照射系5は対物レンズ系で構成され、ベ
ース2上に据え付けられた架台11の上方に設けられたレ
ーザビームステージ12に、ウエハ4を挟んでウエハステ
ージ1と対向するように固定されている。
The laser beam irradiation system 5 includes an objective lens system, and is fixed to a laser beam stage 12 provided above a gantry 11 mounted on the base 2 so as to face the wafer stage 1 with the wafer 4 interposed therebetween. I have.

レーザビーム照射系5には加工用レーザ13から発生さ
れたレーザビームLBXが、ビームパワー制御部14におい
てパワーを調整された後、加工レーザビームLBとしてミ
ラー15、アパーチャ16を介してレーザビーム照射系5に
供給される。アパーチャー16とウエハ4とはレーザビー
ム照射系5に関して共役な関係にあるため、レーザビー
ム照射系5はアパーチャ16の開口形状に成形された加工
レーザビームLBをウエハ4上に結像させ、結像された位
置の半導体ウエハ部分を加工する。
The laser beam LBX generated from the processing laser 13 is supplied to the laser beam irradiation system 5 after the power is adjusted by the beam power control unit 14. The laser beam LBX is then processed as a processing laser beam LB via the mirror 15 and the aperture 16. 5 is supplied. Since the aperture 16 and the wafer 4 have a conjugate relationship with respect to the laser beam irradiation system 5, the laser beam irradiation system 5 forms a processing laser beam LB formed into the opening shape of the aperture 16 on the wafer 4, and forms an image. The semiconductor wafer portion at the set position is processed.

レーザビームステージ12は、レーザビーム照射系5を
X方向及びY方向に移動自在に保持している。一方レー
ザビーム照射系5及び架台11間にレーザビーム照射系5
をX方向又はY方向に移動させるためのレーザビーム駆
動装置20が設けられている。
The laser beam stage 12 holds the laser beam irradiation system 5 movably in the X and Y directions. On the other hand, the laser beam irradiation system 5
There is provided a laser beam driving device 20 for moving the laser beam in the X direction or the Y direction.

レーザビーム駆動装置20は、例えばX軸方向について
図示するように、レーザビーム照射系5の鏡筒の外側面
上に挾着保持されたベアリング21を有し、このベアリン
グ21が、X軸方向の両端部を外側からレーザビーム駆動
素子22及び圧縮ばね23によって保持した構成を有する。
レーザビーム駆動素子22は、一端を架台11に固着してな
る例えばピエゾ素子で構成されている。一端部を架台11
に固定された圧縮ばね23によってベアリング21はレーザ
ビーム駆動素子22上に押しつけられている。
The laser beam driving device 20 has a bearing 21 sandwiched and held on the outer surface of the lens barrel of the laser beam irradiation system 5 as shown in the X-axis direction, for example. It has a configuration in which both ends are held from outside by a laser beam drive element 22 and a compression spring 23.
The laser beam driving element 22 is configured by, for example, a piezo element having one end fixed to the gantry 11. One end of the base 11
The bearing 21 is pressed onto the laser beam driving element 22 by a compression spring 23 fixed to the bearing 21.

かくしてレーザビーム駆動素子22が供給される電圧に
比例して伸縮すると、レーザビーム照射系5は圧縮ばね
23の付勢力によってレーザビーム駆動素子22の圧縮伸長
量に相当する量だけX方向に移動される。
Thus, when the laser beam driving element 22 expands and contracts in proportion to the supplied voltage, the laser beam irradiation system 5 becomes a compression spring.
The laser beam drive element 22 is moved in the X direction by an amount corresponding to the amount of compression and expansion of the laser beam drive element 22 by the urging force of the laser beam drive element 22.

Y方向についても同様にして、レーザビーム駆動素子
22及び圧縮ばね23が設けられており、これによりレーザ
ビーム照射系5がレーザビーム駆動素子22の圧縮伸長に
対応した量だけY軸方向に移動できるようになされてい
る。
Similarly, in the Y direction, the laser beam driving element
22 and a compression spring 23 are provided so that the laser beam irradiation system 5 can move in the Y-axis direction by an amount corresponding to the compression and expansion of the laser beam driving element 22.

かくしてウエハ4上の所定の要加工部PPを加工レーザ
ビームLBに位置合わせするにつき、ウエハステージ1を
ウエハステージ駆動モータ3によってX方向及び又はY
方向に移動する第1の方法と、レーザビーム駆動装置20
のレーザビーム駆動素子22によってレーザビーム照射系
5をX方向及び又はY方向に移動する第2の方法とのい
ずれか一方又は両方を用いることにより、ウエハ4とレ
ーザビーム照射系5との相対的な位置を変更することに
よって位置合わせができるようになされている。
Thus, in order to align a predetermined required processing portion PP on the wafer 4 with the processing laser beam LB, the wafer stage 1 is moved by the wafer stage driving motor 3 in the X direction and / or the Y direction.
A first method of moving in the direction of
By using one or both of the second method of moving the laser beam irradiation system 5 in the X direction and / or the Y direction by the laser beam driving element 22, the relative movement between the wafer 4 and the laser beam irradiation system 5 The position can be adjusted by changing the proper position.

第2図は、レーザビーム照射系5内に収容された対物
レンズ5aと、架台11内に固設されたレンズ11aとを示し
ており、両レンズは無限系を構成している。対物レンズ
5aが第2図の実線図示の位置から、破線図示の位置ま
で、距離X1だけ移動したとき、ウエハ4上のビーム位置
は距離X1だけ移動したとする。距離X1が非常に小さいと
きには対物レンズ5aを通る光線は、ほとんどレンズの光
軸上を通ると考えられ、従ってレンズの収差等の影響を
受けない。
FIG. 2 shows an objective lens 5a housed in the laser beam irradiation system 5 and a lens 11a fixed in the gantry 11, and both lenses constitute an infinite system. Objective lens
5a from the position of the solid line shown in FIG. 2, to the position of the dashed lines shown, when the moving distance X 1, and the beam position on the wafer 4 is moved by a distance X 1. Distance ray passing through the objective lens 5a when X 1 is extremely small, considered almost passes the optical axis of the lens, thus not affected by the aberration of the lens.

この関係はY軸方向についても同様である。 This relationship is the same in the Y-axis direction.

このような条件の下に、レーザビーム照射系5から照
射されるXY平面上の照射位置及びウエハ4のXY平面上の
位置が、それぞれ干渉計25及び26によって測定される。
Under such conditions, the irradiation position on the XY plane irradiated from the laser beam irradiation system 5 and the position on the XY plane of the wafer 4 are measured by the interferometers 25 and 26, respectively.

レーザビーム照射系5に対する干渉計25は、波長が安
定化された測定用レーザ31から照射される平行な出力ビ
ームをビームスプリッタ32、33を順次介してレーザビー
ム照射系5の外側面に固着された検出ミラー34に入射
し、その反射光をビームスプリッタ33に受けるようにな
されている。これと同時に、干渉計25は測定用レーザ31
の出力ビームをビームスプリッタ32、33、ミラー35を介
して架台11の基準位置に設けられた基準ミラー36に入射
し、その反射光をミラー35を介してビームスプリッタ33
に戻すように構成されている。尚、ビームスプリッタ33
とミラー34との間で往復する出力ビームの延長線上にレ
ーザビーム照射系5の射出側の節点が位置するように設
定されている。これにより、ビーム照射系5が光軸と直
交する方向に変位するのに伴ってレーザビームLBがウエ
ハ4上で同方向に変位したとき、両者の変位量が一致す
ることになり、ビームLBの変位量検出の精度が高まる。
The interferometer 25 for the laser beam irradiation system 5 has a parallel output beam emitted from the wavelength-stabilized measurement laser 31 fixed to the outer surface of the laser beam irradiation system 5 via beam splitters 32 and 33 sequentially. The light enters the detection mirror 34 and the reflected light is received by the beam splitter 33. At the same time, the interferometer 25
The output beam of the light enters the reference mirror 36 provided at the reference position of the gantry 11 via the beam splitters 32 and 33 and the mirror 35, and reflects the reflected light via the mirror 35 to the beam splitter 33.
It is configured to return to. In addition, beam splitter 33
The output side node of the laser beam irradiation system 5 is set so as to be located on an extension of the output beam reciprocating between the laser beam and the mirror 34. Accordingly, when the laser beam LB is displaced in the same direction on the wafer 4 as the beam irradiation system 5 is displaced in the direction orthogonal to the optical axis, the displacement amounts of the laser beam LB and the laser beam LB coincide with each other. The accuracy of displacement detection is improved.

かくしてビームスプリッタ33からは、基準ミラー36か
ら反射して来た反射ビームと、検出ミラー34から反射し
て来た反射ビームとによって干渉を起こした干渉ビーム
が得られ、この干渉ビームは光電センサ37に入射する。
この干渉ビームは基準ミラー36のX方向の位置と、検出
ミラー34従ってレーザビーム照射系5のX方向の位置と
の差に基づいて、レーザビーム照射系5の送り量が変化
するとこれに応じて明るさが変化し、この明るさの変化
に応じて光電センサ37から当該送り量に対応する検出パ
ルスDT1を光電センサ37から送出する。
Thus, from the beam splitter 33, an interference beam that causes interference between the reflected beam reflected from the reference mirror 36 and the reflected beam reflected from the detection mirror 34 is obtained. Incident on.
This interference beam is based on the difference between the position of the reference mirror 36 in the X direction and the position of the detection mirror 34 and thus the laser beam irradiation system 5 in the X direction. The brightness changes, and the photoelectric sensor 37 sends out a detection pulse DT1 corresponding to the feed amount from the photoelectric sensor 37 according to the change in brightness.

これに対してウエハ4の位置検出用の干渉計26は、測
定用レーザ31の出力ビームをビームスプリッタ32、ミラ
ー41、ビームスプリッタ42を介してウエハステージ1の
側面に固着された検出ミラー43に入射し、その反射ビー
ムをビームスプリッタ42に受ける。これと共に測定用レ
ーザ31の出力ビームをビームスプリッタ32、ミラー41、
ビームスプリッタ42、ミラー44を介して上述の基準ミラ
ー36に検出用ビームを入射し、その反射ビームをミラー
44を介してビームスプリッタ42に戻すように構成されて
いる。
On the other hand, the interferometer 26 for detecting the position of the wafer 4 applies the output beam of the measuring laser 31 to the detection mirror 43 fixed to the side surface of the wafer stage 1 via the beam splitter 32, the mirror 41, and the beam splitter 42. The reflected light is incident on the beam splitter 42. At the same time, the output beam of the measuring laser 31 is changed to a beam splitter 32, a mirror 41,
A detection beam is incident on the reference mirror 36 via the beam splitter 42 and the mirror 44, and the reflected beam is reflected by the mirror.
It is configured to return to the beam splitter 42 via 44.

かくしてビームスプリッタ42には、検出ミラー43から
の反射ビームと、基準ミラー36からの反射ビームとによ
る干渉ビームが形成され、この干渉ビームの明るさの変
化を光電センサ45によって検出する。光電センサ45に
は、基準ミラー36の基準位置に対する検出ミラー43すな
わちウエハ4の送りに相当する検出パルスDT2が発生す
る。
Thus, in the beam splitter 42, an interference beam due to the reflected beam from the detection mirror 43 and the reflected beam from the reference mirror 36 is formed, and the change in brightness of the interference beam is detected by the photoelectric sensor 45. The photoelectric sensor 45 generates a detection pulse DT2 corresponding to the detection mirror 43 relative to the reference position of the reference mirror 36, that is, the feed of the wafer 4.

このようにして干渉計25及び26から、基準ミラー36が
設けられている基準位置に対するレーザビーム照射系5
の移動量、及びウエハ4の移動量にそれぞれ対応する検
出パルスDT1及びDT2を得ることができ、この検出パルス
DT1及びDT2に基づいてそれぞれレーザビーム照射系5の
駆動制御部及びウエハステージ駆動制御部を制御するこ
とによって、加工レーザビームLBの照射位置にウエハ4
上の加工部分を位置合わせすることができる。
Thus, the laser beam irradiation system 5 from the interferometers 25 and 26 to the reference position where the reference mirror 36 is provided.
And the detection pulses DT1 and DT2 corresponding to the movement amount of the wafer 4 and the movement amount of the wafer 4, respectively.
By controlling the drive control unit and the wafer stage drive control unit of the laser beam irradiation system 5 based on DT1 and DT2, respectively, the wafer 4 is positioned at the irradiation position of the processing laser beam LB.
The upper processed part can be aligned.

すなわちレーザビーム照射系5がXY平面上の原点にあ
るときの加工レーザビームLBの位置と、ウエハ4上に形
成されている基準マークのXY平面上の位置は、予め第1
図の加工装置に具備するウエハアライメント用計測装置
によって予め計測しておく。これに加えてウエハ4上の
要加工部PPと、ウエハ4上に形成されている基準マーク
の位置関係は、設計値として又は測定結果によって、予
め正確に測られている。従ってウエハ4上の要加工部PP
と加工レーザビームLBとのXY平面上の位置関係は予め分
かっているので、その位置ずれの分に相当するX軸方向
及びY軸方向の距離を目標値として設定し、この目標値
に到達するようにウエハ4(従ってウエハステージ1)
及びレーザビーム照射系5を相対的にX方向及びY方向
に送って行くことにより位置合わせ制御をすれば良い。
That is, the position of the processing laser beam LB when the laser beam irradiation system 5 is at the origin on the XY plane and the position of the reference mark formed on the wafer 4 on the XY plane
It is measured in advance by a wafer alignment measuring device provided in the processing apparatus shown in the figure. In addition, the positional relationship between the required processing portion PP on the wafer 4 and the reference mark formed on the wafer 4 is accurately measured in advance as a design value or a measurement result. Therefore, the required processing part PP on the wafer 4
Since the positional relationship between the laser beam LB and the processing laser beam LB on the XY plane is known in advance, distances in the X-axis direction and the Y-axis direction corresponding to the positional deviation are set as target values, and the target value is reached. Wafer 4 (hence wafer stage 1)
The positioning control may be performed by relatively sending the laser beam irradiation system 5 in the X direction and the Y direction.

かかる位置合わせ制御は、第3図に示す駆動制御装置
51によって実行される。なお第3図においては、X方向
の駆動制御系についてだけ示すが、Y軸方向の駆動制御
系も同様に構成されているものとする。
Such positioning control is performed by a drive control device shown in FIG.
Performed by 51. Although FIG. 3 shows only the drive control system in the X direction, it is assumed that the drive control system in the Y axis direction has the same configuration.

駆動制御装置51はレーザビーム照射系5に対するレー
ザビーム照射系駆動制御部52と、ウエハステージ1に対
するウエハステージ駆動制御部53と、加工用レーザ光源
13に対するレーザ駆動制御部54とで構成されている。
The drive control unit 51 includes a laser beam irradiation system drive control unit 52 for the laser beam irradiation system 5, a wafer stage drive control unit 53 for the wafer stage 1, and a processing laser light source.
13 and a laser drive control unit 54.

ウエハステージ駆動制御部53において、カウンタ55
は、光電センサ45から得られる検出パルスDT2を受け
て、ステージ1が現在X軸上のどの位置にあるかを表す
カウント出力XCを生成し、減算回路56の減算入力端に送
出する。減算回路56の加算入力端にはX軸方向の送り量
を表す目標値X0が入力されており、その差 XD1=X0−XC ……(5) でなる減算出力XD1を比較回路57に供給する。
In the wafer stage drive controller 53, a counter 55
Receives the detection pulse DT2 obtained from the photoelectric sensor 45, the stage 1 generates a count output X C indicating whether a to which position on the current X-axis, and sends the subtraction input terminal of the subtracting circuit 56. The addition input terminal of the subtracting circuit 56 is input the target value X 0 representing the feed amount in the X-axis direction, compare the difference between X D1 = X 0 -X C ...... consisting of (5) subtraction output X D1 Supply to circuit 57.

かくして、減算回路56から得られる減算出力XD1は、
第4図(A)に示すように、後述の基準位置にある加工
レーザビームLBの位置と、ウエハ4上の要加工部PPの位
置との相対的な差を表しており、この相対的な差X
D1は、補正動作開始時点t=t0の値XD1=X0から、カウ
ンタ55のカウント出力XCが増大してこれが目標値X0に近
づくに従って小さくなって行き、やがてカウンタ55のカ
ウント出力XCが目標値X0に到達したとき、差出力XD1
0になって当該位置合わせ動作が終了したことを表す。
Thus, the subtraction output X D1 obtained from the subtraction circuit 56,
As shown in FIG. 4A, a relative difference between a position of a processing laser beam LB at a reference position described later and a position of a required processing portion PP on the wafer 4 is shown. Difference X
From the value X D1 = X 0 at the correction operation start time t = t 0 , the count output X C of the counter 55 increases and decreases as the value approaches the target value X 0. when X C has reached the target value X 0, indicating that the alignment operation is completed it becomes the difference output X D1 is 0.

比較回路57は、差出力XD1を基準信号X1と比較し、差
出力XD1の内容が基準信号X1の内容より大きいとき、第
4図(B)に示すように、論理「L」レベルを維持する
比較出力COM1を送出する。ここで基準信号X1は、ウエハ
ステージ1を送ることによって位置合わせするモードす
なわちウエハステージ送りモードから、レーザビーム照
射系5を移動することによって位置合わせをするモード
すなわちレーザビーム照射系送りモードに切り換えるタ
イミングにおける差出力XD1の内容を表しており、第4
図に示すように、差出力XD1が0に近づいて来て値X1
り小さくなったとき、比較回路57の比較出力COM1の論理
レベルを「H」レベルに反転させるような値に選定され
ている。比較出力COM1は、インバータ58を介してゲート
回路59に与えられる。
Comparator circuit 57 compares the difference output X D1 reference signal X 1 and, when the content of the difference output X D1 is greater than the content of the reference signal X 1, as shown in FIG. 4 (B), a logic "L" The comparison output COM1 that maintains the level is sent. Here, the reference signal X 1 is switched from a mode of positioning by sending the wafer stage 1, ie, a wafer stage feed mode, to a mode of aligning by moving the laser beam irradiation system 5, ie, a laser beam irradiation system feed mode. The content of the difference output XD1 at the timing
As shown, when the difference output X D1 is smaller than the value X 1 coming close to 0, is selected to a value that inverts the logic level of the comparison output COM1 of the comparator circuit 57 to "H" level ing. The comparison output COM1 is provided to the gate circuit 59 via the inverter 58.

ゲート回路59には、Y軸方向のステージ1とレーザビ
ーム照射系5との位置決めが完了すると論理「H」レベ
ルに反転するY軸位置決め完了信号Cyも入力されてい
る。
When the positioning of the stage 1 and the laser beam irradiation system 5 in the Y-axis direction is completed, the gate circuit 59 also receives a Y-axis positioning completion signal Cy which is inverted to a logical "H" level.

ゲート回路59は、比較出力COM1が論理「L」レベルで
ある限りY軸位置決め完了信号Cyの論理レベルに拘わら
ず開制御され、比較出力COM1とY軸位置決め完了信号Cy
とが共に論理「H」レベルになると閉制御される。
The gate circuit 59 is controlled to be open regardless of the logical level of the Y-axis positioning completion signal Cy as long as the comparison output COM1 is at the logic “L” level, and the comparison output COM1 and the Y-axis positioning completion signal Cy
Are closed when both of them reach the logic "H" level.

ゲート回路59が開くと、差出力XD1がゲート回路59、
ホールド回路81、D/Aコンバータ79、速度制御回路82を
介してモータ駆動回路60に供給され、これによりウエハ
ステージ駆動モータ3(第1図)の駆動が継続される。
When the gate circuit 59 is opened, the difference output XD1 becomes the gate circuit 59,
It is supplied to the motor drive circuit 60 via the hold circuit 81, the D / A converter 79, and the speed control circuit 82, whereby the drive of the wafer stage drive motor 3 (FIG. 1) is continued.

ホールド回路81はゲート回路59からの差出力XD1をホ
ールドしながら、そのままD/Aコンバータ79に送出する
が、比較出力COM1、COM3が共に論理「H」レベルに立ち
上がってゲート回路59が閉制御され差出力XD1の送られ
て来なくなると直前にホールドした差出力XD1をD/Aコン
バータ79に送ることになる。
While hold circuit 81 holds the difference output X D1 from the gate circuit 59, as it is sent to the D / A converter 79, comparator output COM1, COM3 are both logic gate circuit 59 rises to the "H" level closing control If that difference is no longer come sent the output X D1 is made to send a difference output X D1 was held immediately before the D / a converter 79.

減算回路56の差出力XD1は、レーザビーム照射系駆動
制御部52のゲート回路61を通じて減算回路62の加算入力
端に与えられる。
Differential output X D1 of the subtracting circuit 56 is supplied to the addition input terminal of the subtracting circuit 62 through the gate circuit 61 of the laser beam irradiation system drive control unit 52.

レーザビーム照射系駆動制御部52は、光電センサ37の
検出パルスDT1をカウンタ63においてカウントし、その
カウント出力XFを減算回路62の減算入力端に与える。か
くして減算回路62の出力端に得られる減算出力XD2はD/A
コンバータ80を介してレーザビーム駆動回路64に与えら
れる。このときレーザビーム駆動回路64はピエゾ素子で
なるレーザビーム駆動素子22に対して駆動出力DR2を送
出する。これによりカウンタ63のカウント出力XFが、加
算入力端の値と一致するまでレーザビーム照射系5が駆
動制御される。かくして減算回路56の差出力XD1が第4
図(A)のモード切換えレベルX1になったとき、目標値
X0と、ウエハ4の位置XCとの間に残っていた相対的差の
データすなわちXD1(=X1)が減算回路62に加算入力と
して与えられることによりカウンタ63のカウント出力XF
が、この残った分の差出力XD1(≦X1)と一致するまで
レーザビーム照射系5が駆動されることになる。
The laser beam irradiation system drive control unit 52, a detection pulse DT1 of photoelectric sensors 37 and counted in the counter 63, and supplies the count output X F to the subtracting input of subtractor circuit 62. Thus subtraction output X D2 obtained at the output terminal of the subtracting circuit 62 D / A
It is provided to laser beam drive circuit 64 via converter 80. A laser beam driving circuit 64 at this time sends a drive output DR 2 for the laser beam driving device 22 comprising a piezoelectric element. Count output X F of this the counter 63, the laser beam irradiation system 5 until it matches the value of the addition input terminal is driven and controlled. Thus the difference between the output X D1 of the subtraction circuit 56 is a fourth
Figure when it is mode switching level X 1 of (A), the target value
The data of the relative difference remaining between X 0 and the position X C of the wafer 4, that is, X D1 (= X 1 ) is given to the subtraction circuit 62 as an addition input, so that the count output X F of the counter 63 is obtained.
Is driven until the difference output X D1 (≦ X 1 ) matches the remaining difference output X D1 (≦ X 1 ).

レーザビーム照射系駆動制御部52は、以上の構成に加
えて、減算回路62の加算入力端に基準位置データ発生回
路71の基準位置データがXORがゲート回路72を介して与
えられる構成を有する。ゲート回路72には比較回路57の
比較出力COM1がインバータ73を介して開制御信号として
与えられ、これによりゲート回路72がゲート回路61と逆
動作するようになされている。
The laser beam irradiation system drive control unit 52, in addition to the above configuration has a configuration where the reference position data of the reference position data generating circuit 71 is X OR applied through gate circuit 72 to the adding input of subtractor circuit 62 . The comparison output COM1 of the comparison circuit 57 is given to the gate circuit 72 via an inverter 73 as an open control signal, whereby the gate circuit 72 operates in the opposite direction to the gate circuit 61.

このように比較出力COM1が論理「L」で、従ってゲー
ト回路61が閉動作している間、ゲート回路72が開動作し
て減算回路62に基準位置データXORが供給され、その結
果レーザビーム駆動回路64によってレーザビーム駆動素
子22を駆動することにより、加工レーザビームLBの照射
位置をホームポジションとしての基準位置にもたらすよ
うになされている。この実施例の場合、基準位置データ
XORは、加工レーザビームLBをX軸上の座標原点に照射
させるような値に選定され、かくしてウエハステージ駆
動制御部53によってウエハステージ1を位置合わせして
いる間、レーザビーム照射系駆動制御部52によって加工
レーザビームLBがX軸上の原点を照射し得る位置に位置
決めさせる。
Thus, while the comparison output COM1 is at logic "L" and the gate circuit 61 is closed, the gate circuit 72 is opened and the reference position data XOR is supplied to the subtraction circuit 62. By driving the laser beam drive element 22 by the drive circuit 64, the irradiation position of the processing laser beam LB is brought to the reference position as the home position. In the case of this embodiment, the reference position data
X OR is selected to be a value that causes the processing laser beam LB to irradiate the coordinate origin on the X axis. Thus, while the wafer stage drive control unit 53 aligns the wafer stage 1, the laser beam irradiation system drive control is performed. The part 52 positions the processing laser beam LB at a position where the origin on the X axis can be irradiated.

減算回路62の減算出力XD2は、レーザ駆動制御部54の
比較回路75に与えられる。比較回路75は、差出力XD2
基準信号X2より小さい値になったとき、論理「H」レベ
ルに立ち上がる比較出力COM2(第4図(C))を発生
し、これをゲート回路76の入力端子に供給する。ここ
で、基準信号X2の値は、ステージ1とレーザビーム照射
系5とのX軸上の位置合わせが完了したとみなせる許容
範囲を表す信号レベルに予め選定されている。
Subtraction output X D2 of the subtracting circuit 62 is supplied to the comparison circuit 75 of the laser drive control unit 54. Comparison circuit 75, when the difference output X D2 becomes the reference signal X 2 smaller value to generate a logical comparison rises to "H" level output COM2 (FIG. 4 (C)), which gate circuit 76 Supply to input terminal. Here, the value of the reference signal X 2 is preselected in the signal level representing the allowable range which can be regarded as the alignment on the X-axis of the stage 1 and the laser beam irradiation system 5 is completed.

ゲート回路76は、前述の比較出力COM1、COM2を受け、
ステージ1とレーザビーム照射系5との位置決めがX軸
上で完了して両比較出力COM1、COM2が論理「H」レベル
になると、論理「H」レベルのX軸方向位置決め完了信
号Cxをゲート回路77に送る。
The gate circuit 76 receives the aforementioned comparison outputs COM1 and COM2,
When the positioning between the stage 1 and the laser beam irradiation system 5 is completed on the X-axis and both comparison outputs COM1 and COM2 become logic "H" level, a logic "H" level X-axis direction positioning completion signal Cx is gated. Send to 77.

ゲート回路77には、ステージ1とレーザビーム照射系
5との位置決めがY軸上で完了すると論理「H」レベル
になる前述のY軸方向位置決め完了信号Cyも供給されて
おり、要加工部PPにレーザビームLBが照射可能となって
両位置決め信号Cx、Cyが共に論理「H」レベルとなる
と、ゲート回路77は開状態となる。これによりレーザQ
スイツチトリガ発振器78のトリガ出力TRGを加工用レー
ザ13に供給させる。その結果加工用レーザ13がレーザビ
ームLBX(第1図)を発生してウエハ4上に加工レーザ
ビームLBを照射する。
The gate circuit 77 is also supplied with the aforementioned Y-axis direction positioning completion signal Cy which becomes a logical “H” level when the positioning of the stage 1 and the laser beam irradiation system 5 is completed on the Y-axis. When the laser beam LB can be radiated and both the positioning signals Cx and Cy both reach the logical “H” level, the gate circuit 77 is opened. With this, the laser Q
The trigger output TRG of the switch trigger oscillator 78 is supplied to the processing laser 13. As a result, the processing laser 13 generates a laser beam LBX (FIG. 1) and irradiates the wafer 4 with the processing laser beam LB.

以上の構成において、第4図の時点t0では、Y軸上の
位置決めは既に完了して、ステージ1とビーム照射系5
とがY軸方向の変位を停止させており、従って論理
「H」レベルのY軸方向位置決め完了信号Cyがゲート回
路59、77に入力されているものとする。またこの時、加
工レーザビームLBXがX軸上の原点0の位置にあり、か
つウエハ4の要加工部PPが目標値X0の位置にあり、この
状態からウエハステージ駆動制御部53が駆動制御動作を
開始する。すなわち時点t0において、ウエハステージ1
が動作を開始していない状態では、光電センサ45から未
だ検出パルスDT2が送出されないので、カウンタ55のカ
ウント出力XCは0であり、従って減算回路56の差出力X
D1は目標値X0であり、かつ比較回路57の基準信号X1より
大いい値をもっている。そこで比較回路57の比較出力CO
M1は論理「L」レベルにあり、従ってゲート回路59、72
が開動作し、かつゲート回路61、76が閉動作した状態に
なる。
In the above configuration, at the time point t 0 of FIG. 4, the positioning of the Y axis is already finished, the stage 1 and the beam irradiation system 5
Stop the displacement in the Y-axis direction, and therefore, it is assumed that the Y-axis direction positioning completion signal Cy at the logical "H" level has been input to the gate circuits 59 and 77. Further, at this time, the processing laser beam LBX is in the position of the origin 0 on the X axis, and a main processing part PP of the wafer 4 is in the position of the target value X 0, the wafer stage drive control unit 53 from this state drive control Start operation. That is, at time t 0 , wafer stage 1
In a state where but not started operation, the still detection pulse DT2 from the photoelectric sensor 45 is not transmitted, the count output X C of the counter 55 is zero, thus the difference in the subtraction circuit 56 outputs X
D1 is the target value X 0, and has a larger say than the reference signal X 1 of the comparator circuit 57. Therefore, the comparison output CO of the comparison circuit 57
M1 is at the logic "L" level, and therefore the gate circuits 59, 72
Are opened and the gate circuits 61 and 76 are closed.

その結果、減算回路56からの差出力XD1は、ゲート回
路59、ホールド回路81を介して、D/Aコンバータ79でア
ナログ信号に変換され、速度制御回路82に加えられる。
速度制御回路82は、このアナログ信号に対応する速度制
御信号を発生し、モータ駆動回路60に送る。モータ駆動
回路60は、この速度制御信号を増幅した駆動出力DR1
発生し、ウエハステージ駆動モータ3に送る。これによ
り駆動モータ3が起動され、ウエハ4の要加工部PPが加
工レーザビームLBで照射し得る点すなわちX軸上の原点
0に向かって移動開始する。やがて光電センサ45から要
加工部PPの移動量を表す検出パルスDT2が発生され、こ
れによりカウンタ55のカウント出力XCが増加して行き、
これにより差出力XD1が0に向かって低下して行く。速
度制御回路82は、ステージ駆動モータ3が回転している
間、駆動モータ3に内蔵されたタコゼネレータからモー
タ3の回転速度を示す速度信号を受け、差出力XD1に基
づいて生成した速度制御信号とこの速度信号とが対応す
るよう制御を行う。この速度制御信号は、差出力XD1
示す距離差が小さくなるほど、モータ3すなわちステー
ジ1を低速で駆動される傾向を持ち、最後に距離差が無
くなるとステージ1を停止させる信号である。
As a result, the difference output X D1 from the subtraction circuit 56, the gate circuit 59, via a hold circuit 81 is converted into an analog signal by a D / A converter 79 is added to the speed control circuit 82.
The speed control circuit 82 generates a speed control signal corresponding to the analog signal and sends it to the motor drive circuit 60. The motor drive circuit 60, a driving output DR 1 that amplifies the speed control signal generated is sent to the wafer stage drive motor 3. As a result, the drive motor 3 is started, and the required processing portion PP of the wafer 4 starts moving toward a point where the processing laser beam LB can be irradiated, that is, toward the origin 0 on the X axis. Eventually detection pulse DT2 from the photoelectric sensor 45 representing the amount of movement of the main processing part PP is generated, thereby counting an output X C of the counter 55 is gradually increased,
As a result, the difference output XD1 decreases toward zero. Speed control circuit 82, while the stage drive motor 3 is rotating, receives a speed signal indicative of the rotational speed of the motor 3 from the tachogenerator built in the drive motor 3, the speed control signal generated on the basis of the difference between the output X D1 And this speed signal is controlled. This speed control signal is a signal that tends to drive the motor 3, that is, the stage 1, at a lower speed as the distance difference indicated by the difference output XD 1 becomes smaller, and finally stops the stage 1 when the distance difference disappears.

かくしてウエハ4の要加工部PPの位置は、ウエハステ
ージ1と共に加工レーザビームLBの照射位置に近づいて
行く。この動作モード時には、レーザビーム照射系駆動
制御部52の減算回路62には、基準位置データ発生回路71
の基準位置データXORが与えられており、この基準位置
データXORが表すX軸上の原点位置に対してカウンタ63
の値が一致するように、レーザビーム駆動回路64からレ
ーザビーム駆動素子22に対して駆動出力DR2が与えら
れ、加工レーザビームLBは原点を照射し得る状態を維持
する。
Thus, the position of the required processing portion PP of the wafer 4 approaches the irradiation position of the processing laser beam LB together with the wafer stage 1. In this operation mode, the reference position data generation circuit 71 is added to the subtraction circuit 62 of the laser beam irradiation system drive control unit 52.
Of is given a reference position data X OR, counter 63 with respect to the origin position on the X-axis represented by the reference position data X OR
As values match, the drive output DR 2 is given to the laser beam driving device 22 from the laser beam driving circuit 64, the working laser beam LB maintains a state capable of irradiating the origin.

やがて第4図(A)の時点t1において、差出力XD1
基準信号X1より小さい値になると、比較回路57の比較出
力COM1が論理「H」レベルに立ち上がる(第4図
(B))。これによりゲート回路59、72は閉制御され、
ゲート回路61は開制御される。
At time t 1 of FIG. 4 (A) Then, when the difference output X D1 becomes the reference signal X 1 value less than the comparison output COM1 of the comparator circuit 57 rises to a logic "H" level (FIG. 4 (B) ). As a result, the gate circuits 59 and 72 are controlled to be closed,
The gate circuit 61 is controlled to open.

従ってホールド回路81は、直前にホールドした差出力
XD1をD/Aコンバータ79に送ることになり、その結果時点
t1以後ウエハステージ駆動モータ3に対する駆動出力DR
1は一定電圧に切換えられ、ウエハ4の要加工部PPの位
置は一定微小速度で移動する。この速度は、後述のよう
に駆動されるレーザビーム照射系5が要加工部PPの移動
に十分追従できる値に設定されている。
Therefore, the hold circuit 81 outputs the difference output held immediately before.
X D1 is sent to D / A converter 79, and as a result
Drive output DR for wafer stage drive motor 3 after t 1
1 is switched to a constant voltage, and the position of the required processing portion PP of the wafer 4 moves at a constant minute speed. This speed is set to a value that allows the laser beam irradiation system 5 driven as described later to sufficiently follow the movement of the required processing portion PP.

一方レーザビーム照射系駆動制御部52の減算回路62に
は、基準位置データXORに代わって、減算回路56の差出
力XD1がゲート回路61を通じて与えられる状態に切り換
わる。その結果減算回路62の差出力XD2は、それまでの
加工レーザビームLBの照射位置(すなわち原点)と、減
算回路56の差出力XD1の値との差に相当する値に急激に
変化し、これによりレーザビーム駆動回路64からレーザ
ビーム駆動素子22に対する駆動出力DR2が送出される。
従ってレーザビームLBが照射し得る位置は、時点t1から
要加工部PPの位置に向かって移動を開始し、その移動量
を光電センサ37から発生される検出パルスDT1によって
検出し、これによりカウンタ63のカウント出力XFが大き
くなって行き、差出力XD2の値が小さくなって行く。
On the other hand, the subtraction circuit 62 of the laser beam irradiation system drive control unit 52, in place of the reference position data X OR, differential output X D1 of the subtraction circuit 56 is switched to a state given through the gate circuit 61. Differential output X D2 resulting subtraction circuit 62, it to the irradiation position of the processing laser beam LB (i.e. the origin), abruptly changes to a value corresponding to the difference between the value of the difference output X D1 of the subtracting circuit 56 This driving output DR 2 from the laser beam driving circuit 64 for the laser beam driving device 22 is sent by.
Thus the position of the laser beam LB can be irradiated, starts to move toward the time t 1 to the position of the main processing unit PP, detected by the detection pulse DT1 generated the movement amount from the photoelectric sensor 37, thereby the counter 63 count output X F is gradually increased, the value of the difference output X D2 becomes smaller.

やがて時点t2において、減算回路62の差出力XD2が比
較回路75の基準信号X2より小さくなると、比較回路75の
比較出力COM2が論理「H」レベルに立ち上がる(第4図
(C))。この比較出力COM2の変化は、ゲート回路76を
通じてゲート回路77に与えられる。このとき既に、論理
「H」レベルのY軸方向位置決め完了信号Cyがゲート回
路77に加えられているので、ゲート回路77は開制御さ
れ、レーザQトリガ発振器78のトリガ出力TRGに基づい
て加工用レーザ13に対する駆動出力DR3が送出される。
Eventually at time t 2, when the difference between the output X D2 of the subtraction circuit 62 is smaller than the reference signal X 2 of the comparison circuit 75, the comparison output COM2 of the comparison circuit 75 rises to a logic "H" level (FIG. 4 (C)) . The change of the comparison output COM2 is given to the gate circuit 77 through the gate circuit 76. At this time, since the logic “H” level Y-axis direction positioning completion signal Cy has already been applied to the gate circuit 77, the gate circuit 77 is controlled to open, and processing is performed based on the trigger output TRG of the laser Q trigger oscillator 78. driving output DR 3 is sent to the laser 13.

その結果、加工用レーザビームLBがウエハ4上に照射
される。このときの加工レーザビームLBの位置は、基準
信号X2によって表されているレーザ照射許容範囲に入っ
ており、かくしてウエハ4の要加工部PPが加工レーザビ
ームLBによって加工される。
As a result, the processing laser beam LB is irradiated onto the wafer 4. Position of the processing laser beam LB in this case is entered into the laser irradiation tolerance range, represented by the reference signal X 2, thus main processing part PP of the wafer 4 is processed by the processing laser beam LB.

この加工が終了して時点t3において、1つの要加工部
PPに対する加工作業が終了し、続いてウエハステージ駆
動制御部53の目標位置入力X0の値が次の要加工部PP′の
位置を指定する目標値X0′(Y軸方向の値は変化ないも
のとする)に変更される。このとき目標位置入力X0′と
ステージ1の現在位置を表すカウンタ出力XCとの差出力
XD1は、基準信号X1より大きいので、比較回路57の比較
出力COM1が論理「L」レベルに変化し、時点t0とt1との
間の動作と同様にモータ駆動回路60によって新たな目標
位置X0′についての位置合わせが開始する。
At time t 3 the process is finished, one main processing unit
Processing work for the PP is completed, the 'target value X 0 to specify the location of' (Y-axis direction of the value the value of the target position input X 0 have the following main processing part PP of the wafer stage drive control unit 53 changes To be not included). At this time, the difference output between the target position input X 0 ′ and the counter output X C indicating the current position of the stage 1 is output.
X D1 is greater than the reference signal X 1, new by comparison output COM1 changes to logic "L" level, the time t 0 and the operation as well as the motor driving circuit 60 between t 1 of the comparison circuit 57 Positioning for the target position X 0 ′ starts.

また比較出力COM1が論理「L」であるのでゲート回路
61が閉動作している間、ゲート回路72が開動作して、減
算回路62に基準位置データXORが供給され、その結果レ
ーザビーム駆動回路64によってレーザビーム駆動素子22
を駆動することにより、加工レーザビームLBの照射位置
をホームポジションとしての原点位置へ復帰させる動作
を開始させる。
Also, since the comparison output COM1 is at logic "L", the gate circuit
While the closing operation of 61 is performed, the gate circuit 72 opens, and the reference position data XOR is supplied to the subtracting circuit 62. As a result, the laser beam driving element 22 is
To start the operation of returning the irradiation position of the processing laser beam LB to the home position as the home position.

時点t4に至って、差出力XD1が基準信号X1よりを下回
ると、レーザビーム照射系駆動制御部52とウエハステー
ジ駆動制御部53とは、時点t1、t2間と同様の動作を開始
させる。すなわち、時点t4において比較回路57の比較出
力COM1が論理「H」レベルに立ち上がり(第4図
(B))、これによりゲート回路59、72が閉制御され、
かつゲート回路61が開制御される。
Led to time t 4, the difference output X D1 is below the reference signal X 1, and the laser beam irradiation system drive control unit 52 and wafer stage drive control unit 53, the same operation as the period from the time point t 1, t 2 Let it start. That is, the rising comparison output COM1 of the comparator circuit 57 at time t 4 is the logic "H" level (FIG. 4 (B)), thereby the gate circuit 59,72 is controlled closed,
The gate circuit 61 is controlled to open.

従ってウエハステージ制御部53において、ホールド回
路81は、直前にホールドした差出力XD1をD/Aコンバータ
79に送ることになり、それ以後ウエハステージ駆動モー
タ3に対する駆動出力DR1は一定電圧に切換えられ、ウ
エハ4の要加工部PP′の位置は一定微小速度で移動す
る。一方レーザビーム照射系駆動制御部52の減算回路62
には、減算回路56の差出力XD1がゲート回路61を介して
与えられる状態に切り換わる。その結果減算回路62の差
出力XD2は、時点t4におけるカウンタXFが示す加工レー
ザビームLBの照射位置と、減算回路56の差出力XD1(す
なわちX1)の値との差に相当する値に急激に変化し、こ
れに対応した駆動出力DR2がレーザビーム駆動回路62か
ら送出される。従ってレーザビームLBが照射し得る位置
は、時点t4から要加工部PP′の位置に向かって移動を開
始する。
Thus, in the wafer stage control unit 53, the hold circuit 81, a difference output X D1 was held immediately before the D / A converter
Will be sent to 79, thereafter driving the output DR 1 to the wafer stage driving motor 3 is switched to a constant voltage, the position of the main processing unit PP 'of the wafer 4 is moved at a constant small rate. On the other hand, the subtraction circuit 62 of the laser beam irradiation system drive control unit 52
To switch to their respective positions differential output X D1 of the subtracting circuit 56 is supplied through the gate circuit 61. Differential output X D2 resulting subtraction circuit 62 corresponds to the difference between the irradiation position of the processing laser beam LB indicated by the counter X F at time t 4, the value of the difference output X D1 of the subtraction circuit 56 (i.e., X 1) It changes abruptly to a value, which drives the output DR 2 corresponding to is sent from the laser beam driving circuit 62. Thus the position of the laser beam LB can be irradiated, starts to move toward the position of the main processing unit PP 'from the time t 4.

やがて時点t5において、減算回路62の差出力XD2が比
較回路75の基準信号X2より小さくなると、比較回路75の
比較出力COM2が論理「H」レベルに立ち上がる(第4図
(C))。この比較出力COM2の変化は、ゲート回路76を
介してゲート回路77に与えられ、これを開制御すること
により、レーザQトリガ発振器78のトリガ出力TRGに基
づいて加工用レーザ13に対する駆動出力DR3が送出さ
れ、加工用レーザビームLBがウエハ4上の要加工部PP′
に照射される。
At time t 5 eventually, the difference output X D2 of the subtraction circuit 62 is smaller than the reference signal X 2 of the comparison circuit 75, the comparison output COM2 of the comparison circuit 75 rises to a logic "H" level (FIG. 4 (C)) . The change in the comparison output COM2 is given to the gate circuit 77 via the gate circuit 76, and the gate circuit 77 is controlled to open the gate circuit 77, whereby the drive output DR 3 for the processing laser 13 is output based on the trigger output TRG of the laser Q trigger oscillator 78. Is sent, and the processing laser beam LB is processed on the wafer 4 at the required processing portion PP ′.
Is irradiated.

この加工が終了した時点t6において、要加工部PP′に
対する加工作業が終了し、続いてウエハステージ駆動制
御部53の目標位置入力X0′の値が次の要加工部PP″の位
置を指定する目標値X0″に変更され、前述と同様の動作
なされる。但し、目標位置入力X0″とステージ1の現在
位置を表すカウンタ出力XCとの差出力XD1は、基準信号X
1より小さいので、レーザビーム照射系5は、時点t3
らt4の間に行ったような原点位置復帰動作を行うことな
く、直ちに要加工部PP″に向かって移動を開始する。
At time t 6 this process is completed, 'machining operation is completed with respect, followed by the target position input X 0 of the wafer stage drive control unit 53' main processing unit PP value of the position of the next main processing part PP " The specified target value X 0 ″ is changed, and the same operation as described above is performed. However, the difference between the output X D1 between the counter output X C representing the current position of the target position input X 0 "and stage 1, the reference signal X
Is smaller than 1, the laser beam irradiation system 5, without performing a home position return operation as performed between the time t 3 of t 4, starts to move immediately towards the main processing unit PP ".

尚、以上の実施例では、ステージ1とレーザビーム照
射位置との距離が減少して、差出力XD1が基準信号X1
り小さい値になってからステージ1の移動速度はその時
点の速度に固定されたが、本発明はこれに限るものでは
なく、レーザビーム照射系5が要加工部PPの移動に追従
できる一定速度であれば多照増減しても良い。ただし差
出力XD1が基準信号X1より小さい値になるまでのステー
ジ1の平均速度、すなわち時点t0からt1までのステージ
1の平均速度は、その後の一定速度より速いことが高速
化の効果を得るために必要な条件である。
Incidentally, In the above embodiments, decreasing the distance between the stage 1 and the laser beam irradiation position, the moving speed of the stage 1 from the difference output X D1 becomes the reference signal X 1 value less than the speed at that time Although fixed, the present invention is not limited to this, and multi-illumination may be increased or decreased as long as the laser beam irradiation system 5 can follow the movement of the required processing portion PP at a constant speed. However the average speed of the stage 1 to the difference between the output X D1 becomes the reference signal X 1 value less than, i.e. the average speed of the stage 1 from time t 0 to t 1 is faster than the subsequent constant rate of speed This is a necessary condition to obtain the effect.

尚、以上の実施例では、X軸方向よりY軸方向の位置
決めの方が先に完了した場合、すなわちX軸方向位置決
め信号Cxに先立って、Y軸方向位置決め完了信号Cyが論
理「H」レベルに反転したを場合を説明したが、逆の場
合は、位置決め信号Cxが発生してステージ1とビーム照
射系5とがX軸方向の変位を停止し、かつ要加工部のY
軸方向の位置とビーム照射系5のY軸方向の位置との距
離が所定範囲内に接近した後に、ステージ1をY軸方向
に一定微小速度で変位させ、位置決め信号Cyの発生に伴
いレーザビームLBを要加工部に照射することになる。
In the above embodiment, when the positioning in the Y-axis direction is completed earlier than in the X-axis direction, that is, before the X-axis positioning signal Cx, the Y-axis positioning completion signal Cy is set to the logic “H” level. In the opposite case, the positioning signal Cx is generated, the stage 1 and the beam irradiation system 5 stop displacing in the X-axis direction, and the position
After the distance between the position in the axial direction and the position in the Y-axis direction of the beam irradiation system 5 approaches within a predetermined range, the stage 1 is displaced at a constant minute speed in the Y-axis direction, and the laser beam is generated along with the generation of the positioning signal Cy. LB will be irradiated to the required processing part.

上述の実施例の構成によれば、要加工部PPと加工レー
ザビームLBの照射位置との差が大きいときには、ウエハ
ステージ1を高速駆動することによってウエハ4の要加
工部PPを加工レーザビームLBの照射位置に近づけて行
き、その結果要加工部PPの位置が加工レーザビームLBの
近傍位置にまで近づいて来たとき、ウエハステージ1を
一定微小速度定速で移動させながら、加工レーザビーム
LBを移動させる動作モードに切り換えるようにしたこと
により、長い距離の移動をウエハステージを移動をさせ
ることによって高い精度で実行させることができると共
に、微小位置決めの際には、応答速度が比較的早いレー
ザビーム駆動素子22を用いてレーザビームLBの位置を移
動させることによって要加工部PP上に高速度で位置合わ
せさせることができる。
According to the configuration of the above-described embodiment, when the difference between the required processing portion PP and the irradiation position of the processing laser beam LB is large, the required processing portion PP of the wafer 4 is moved by driving the wafer stage 1 at a high speed. When the position of the required processing portion PP comes close to the position near the processing laser beam LB as a result, the processing laser beam is moved while the wafer stage 1 is moved at a constant minute speed and constant speed.
By switching to the operation mode in which the LB is moved, long distance movement can be performed with high accuracy by moving the wafer stage, and the response speed is relatively fast when performing minute positioning. By moving the position of the laser beam LB using the laser beam driving element 22, it is possible to position the laser beam LB on the required processing portion PP at a high speed.

またレーザビーム駆動素子22の駆動範囲を十分小さく
取り得るので、レーザビーム駆動素子22として、当該狭
い範囲を高い精度で動作するのに適した素子を選択し得
ることにより、加工レーザビームLBの要加工部PPへの位
置合わせを実用上十分高い精度でなし得る。
In addition, since the driving range of the laser beam driving element 22 can be set sufficiently small, an element suitable for operating the narrow range with high accuracy can be selected as the laser beam driving element 22. Positioning to the processing part PP can be performed with sufficiently high precision for practical use.

またステージ3を連続して駆動するため、同一ウエハ
4上の複数の要加工部PP、PP′に対して連続的に加工を
行なう場合に、1つの要加工部PPから他の要加工部PP′
に移動する際に無駄な時間を費やすことがないので、高
速度の位置合わせをすることができる。
Further, since the stage 3 is driven continuously, when a plurality of required processing parts PP and PP 'on the same wafer 4 are continuously processed, one required processing part PP is replaced with another required processing part PP. ′
Since no useless time is spent when moving to the position, high-speed positioning can be performed.

また上述においては、本発明をウエハリペアに適用し
た場合について述べたが、本発明はこれに限らず、一般
に被加工物上の所定の位置をレーザ加工する場合に広く
適用し得る。
In the above description, the case where the present invention is applied to wafer repair has been described. However, the present invention is not limited to this, and can be generally applied to a case where a predetermined position on a workpiece is laser-processed.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上のように本発明によれば、要加工部PP加工部と加
工レーザビームとの間の距離が大きい間は要加工部側を
駆動することによって被加工物が載置されているステー
ジの駆動機構を利用して高速で目標位置へ近づけること
ができる。これと共に、要加工部と加工レーザビームと
の間の距離が十分に小さくなったとき、要加工部側を一
定微小速度で送りながら、レーザビーム照射系を駆動す
ることによって、要加工部の位置に加工レーザビームを
高速度かつ高精度で位置合わせすることができる。
As described above, according to the present invention, while the distance between the required processing part PP processing part and the processing laser beam is large, the stage on which the workpiece is mounted is driven by driving the required processing part side. By using the mechanism, it is possible to approach the target position at high speed. At the same time, when the distance between the required processing portion and the processing laser beam becomes sufficiently small, the laser beam irradiation system is driven while driving the required processing portion side at a constant minute speed, so that the position of the required processing portion is reduced. The processing laser beam can be positioned with high speed and high accuracy.

さらに別の発明によれば、X、Y軸両方向に移動可能
なステージの移動により、要加工部をレーザビームの照
射位置に位置決めする際、先に位置決めが完了した方向
のステージの移動は位置決めが完了した時点で停止する
が、他方向の移動は位置決めが完了した時点でも継続さ
せるので、高速度かつ高精度のレーザ加工が実現でき
る。
According to yet another aspect of the present invention, when the stage to be processed is positioned at the irradiation position of the laser beam by moving the stage movable in both the X and Y axes, the movement of the stage in the direction in which the positioning has been completed first is not performed. Although it stops when completed, the movement in the other direction is continued even when the positioning is completed, so that high-speed and high-accuracy laser processing can be realized.

いずれの発明もレーザビーム加工において高速度かつ
高精度の位置合わせを容易に実現することができる。
Either invention can easily realize high-speed and high-accuracy positioning in laser beam processing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明によるレーザ加工装置の機械的構造を示
す縦断面図、第2図はレーザビーム照射系を移動した場
合のレーザビームの照射位置の移動状態を示す略線図、
第3図は第1図を制御する駆動制御装置を示すブロック
図、第4図は位置合わせ動作の説明に供するタイムチャ
ートである。 1……ウエハステージ、2……ベース、3……ウエハス
テージ駆動モータ、4……ウエハ、5……レーザビーム
照射系、11……架台、12……レーザビームステージ、13
……加工用レーザ、14……ビームパワー制御部、20……
レーザビーム駆動装置、21……ベアリング、22……レー
ザビーム駆動素子、23……圧縮ばね、25……レーザビー
ム照射系位置検出用干渉計、26……ウエハステージ位置
検出用干渉計、31……測定用レーザ、51……駆動制御装
置、52……レーザビーム照射系駆動制御部、53……ウエ
ハステージ駆動制御部、54……レーザ駆動制御部。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a mechanical structure of a laser processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram showing a movement state of a laser beam irradiation position when a laser beam irradiation system is moved,
FIG. 3 is a block diagram showing a drive control device for controlling FIG. 1, and FIG. 4 is a time chart for explaining a positioning operation. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer stage, 2 ... Base 3, ... Wafer stage drive motor, 4 ... Wafer, 5 ... Laser beam irradiation system, 11 ... Stand, 12 ... Laser beam stage, 13
…… Processing laser, 14 …… Beam power control unit, 20 ……
Laser beam driving device, 21 bearing, 22 laser beam driving element, 23 compression spring, 25 laser beam irradiation system position detection interferometer, 26 wafer stage position detection interferometer, 31 ... Measurement laser, 51... Drive controller, 52... Laser beam irradiation system drive controller, 53... Wafer stage drive controller, 54... Laser drive controller.

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】移動可能なステージ上に載置された被加工
物の要加工部に、加工用レーザから出力されたレーザビ
ームをレーザビーム照射系を経て前記被加工物の要加工
部に向けて照射することにより、前記要加工部を加工す
るレーザ加工方法において、 前記レーザビームの照射位置と前記要加工部との距離が
所定値を上回っている間、前記ステージを前記照射位置
に向けて第1の速度で移動させることにより、前記要加
工部を前記レーザビームの照射位置に近づけ、 前記距離が前記所定値以下になった時には、前記ステー
ジを前記第1速度の平均値より遅い第2の一定速度で引
き続き同じ向きに移動させると伴に、前記レーザビーム
の照射位置を前記要加工部に向けて移動させ、それによ
り、前記距離が許容値以下になったとき、前記レーザビ
ームの照射を開始し前記要加工部を加工するレーザ加工
方法。
A laser beam output from a processing laser is directed to a required processing portion of a workpiece placed on a movable stage through a laser beam irradiation system. In the laser processing method of processing the required processing portion by irradiating the stage, while the distance between the irradiation position of the laser beam and the required processing portion exceeds a predetermined value, the stage is directed to the irradiation position By moving at a first speed, the required processing portion is brought closer to the irradiation position of the laser beam, and when the distance becomes equal to or less than the predetermined value, the stage is moved to a second speed lower than an average value of the first speed. The laser beam irradiation position is moved toward the required processing portion while the laser beam is continuously moved in the same direction at a constant speed, so that when the distance becomes equal to or less than an allowable value, the laser beam is irradiated. Laser processing method for processing the main processing unit to start the irradiation of the beam.
【請求項2】前記距離が前記所定値を上回っている間、
前記距離が減少するにつれて前記第1の速度を所定速度
に向けて徐々に減少させ、前記距離が前記所定値以下に
なった時には、前記所定速度と同一又はその近傍にある
第2の一定速度で前記ステージを移動させると伴に、前
記レーザビームの照射位置を前記要加工部に向けて移動
させ、それにより、前記距離が許容値以下になったと
き、前記レーザビームの照射を開始することを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のレーザ加工方法。
2. While the distance is above the predetermined value,
As the distance decreases, the first speed is gradually decreased toward a predetermined speed, and when the distance becomes equal to or less than the predetermined value, the first speed is reduced to a second constant speed which is the same as or close to the predetermined speed. Along with moving the stage, the irradiation position of the laser beam is moved toward the required processing portion, whereby, when the distance becomes equal to or less than an allowable value, the irradiation of the laser beam is started. The laser processing method according to claim 1, wherein:
【請求項3】レーザビームを発生する加工用レーザと、 被加工物を載置して移動可能なステージと、 前記要加工部を前記レーザビームの照射位置に近づける
べく前記ステージを駆動制御するステージ駆動制御部
と、 前記レーザビームを前記要加工部に近づけるべく駆動制
御するレーザビーム照射系駆動制御部、及び、 前記要加工部と前記レーザビーム照射位置との距離が許
容値以下になったときに前記レーザビームを発生させる
ための電源を前記加工用レーザに供給するレーザ駆動制
御部からなるレーザ加工装置において、 前記ステージ駆動制御部は、前記要加工部の位置に対応
する目標位置と前記レーザビームの照射位置が入力され
それらの間隔の距離に相当する差出力を演算するステー
ジ駆動用減算回路と、 予め定められた所定値に対応する基準信号と前記差出力
とを比較し、前記差出力が前記基準信号より大きいなら
ば信号Lを、前記基準信号以下であるなら信号Hを比較
出力として出力する比較回路と、 前記差出力と前記比較出力を受けて、前記比較出力が信
号Lならば前記差出力を送出し、前記比較出力が信号H
ならば前記差出力の送出を停止するステージ駆動用ゲー
ト回路と、 前記ステージ駆動用ゲート回路からの信号を受けて、前
記差出力が入力される間は前記差出力をホールドすると
伴に入力された前記差出力を送出し、前記ステージ駆動
用ゲート回路からの信号が停止されるとホールドされた
最後の前記差出力の送出を維持するホールド回路、及
び、 前記ホールド回路からの前記差出力を受けて、前記差出
力が変化する間は第1の速度となる電力を送出して前記
ステージを駆動させ、前記差出力が一定になると前記第
1速度の平均値より遅い第2の一定速度となる電力を送
出して前記ステージを駆動させる速度制御回路からな
り、 前記レーザビーム照射系駆動制御部は、前記ステージ駆
動制御部から送出された前記比較出力と前記差出力とを
受けて前記比較出力が信号Lならば予め定められた前記
レーザビーム照射位置の基準位置を送出し、前記比較出
力が信号Hならば前記差出力を送出する照射系駆動用ゲ
ート回路と、 前記照射系駆動用ゲート回路から前記基準位置が入力さ
れると前記基準位置を送出し、前記照射系駆動用ゲート
回路から前記差出力が入力されると前記基準位置からの
前記レーザビーム照射位置の移動量と前記差出力とを減
算し減算値を出力する照射系駆動用減算回路、及び、 前記照射系駆動用減算回路から前記基準位置が入力され
ると前記レーザビームの照射位置を前記基準位置に移動
させ、前記照射系駆動用減算回路から前記減算値が入力
されると前記減算値がゼロになるまで前記レーザビーム
照射位置を移動させるレーザビーム駆動回路からなるこ
とを特徴とするレーザ加工装置。
3. A processing laser for generating a laser beam, a stage on which a workpiece is mounted and movable, and a stage for driving and controlling the stage so as to bring the required processing portion closer to the irradiation position of the laser beam. A drive control unit, a laser beam irradiation system drive control unit that performs drive control to bring the laser beam closer to the processing-needed part, and when a distance between the processing-needed part and the laser beam irradiation position is equal to or less than an allowable value. In a laser processing apparatus comprising a laser drive control unit for supplying power for generating the laser beam to the processing laser, the stage drive control unit includes a target position corresponding to a position of the required processing unit and the laser. A stage driving subtraction circuit for calculating a difference output corresponding to the distance between the beam irradiation positions which are inputted, and a predetermined predetermined value. A comparison circuit that compares a corresponding reference signal with the difference output, and outputs a signal L as a comparison output if the difference output is greater than the reference signal, and a signal H if the difference output is less than or equal to the reference signal; And the comparison output is received. If the comparison output is a signal L, the difference output is sent out, and the comparison output is a signal H
Then, a stage driving gate circuit for stopping the transmission of the difference output, and receiving a signal from the stage driving gate circuit, while the difference output is input, the difference output is held and input. A hold circuit that sends out the difference output, and maintains the last difference output held when the signal from the stage drive gate circuit is stopped; and receiving the difference output from the hold circuit. While the difference output is changing, the stage is driven by sending the power at the first speed, and when the difference output is constant, the power becomes the second constant speed lower than the average value of the first speed. And a speed control circuit for driving the stage to transmit the laser beam irradiation system, the laser beam irradiation system drive control unit, the comparison output and the difference output sent from the stage drive control unit An irradiation system driving gate circuit for transmitting a predetermined reference position of the laser beam irradiation position when the comparison output is a signal L, and transmitting the difference output when the comparison output is a signal H; When the reference position is input from the system drive gate circuit, the reference position is sent out, and when the difference output is input from the irradiation system drive gate circuit, the movement amount of the laser beam irradiation position from the reference position And an irradiation system driving subtraction circuit that subtracts the difference output and the difference output to output a subtraction value, and moves the irradiation position of the laser beam to the reference position when the reference position is input from the irradiation system driving subtraction circuit. And a laser beam driving circuit for moving the laser beam irradiation position until the subtraction value becomes zero when the subtraction value is inputted from the irradiation system driving subtraction circuit. Laser processing equipment.
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