JP2583651B2 - Negative radiation sensitive resist composition - Google Patents
Negative radiation sensitive resist compositionInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、新規なネガ型感放射線レジスト組成物、さ
らに詳しくは、半導体素子の製造分野における微細加工
に好適な解像性及びレジストパターンのプロファイル形
状に優れ、かつ放射線の照射量依存性の小さなネガ型感
放射線レジスト組成物に関するものである。Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a novel negative-working radiation-sensitive resist composition, and more particularly, to a resolution and a resist pattern profile suitable for fine processing in the field of manufacturing semiconductor devices. The present invention relates to a negative-type radiation-sensitive resist composition which is excellent in low radiation dose and small in radiation dose dependency.
従来の技術 近年、半導体素子における高密度化、高集積度化の進
歩は著しく、その微細加工技術における解像性は、サブ
ミクロン領域まで要求されるようになってきている。そ
して、半導体素子の製造分野において主流となっている
リソグラフィ技術に関しても、0.5μｍ以下の微細加工
が必要とされ、これに応えるために、短波長の紫外線で
あるDeep UV、ｉ線及びｇ線などの200〜500nmの波長を
発光する光源を露光に用いることが提案されている。さ
らに近年、エキシマレーザーが開発されKrFレーザー
（波長248nm）が使用されている。また、電子線やエッ
クス線に感応するレジストの開発も進められている。2. Description of the Related Art In recent years, the progress of high density and high integration in semiconductor devices has been remarkable, and the resolution in the fine processing technology has been demanded up to the submicron region. Also, with regard to lithography technology, which has become mainstream in the field of manufacturing semiconductor devices, fine processing of 0.5 μm or less is required, and in order to respond to this, short wavelength ultraviolet rays such as Deep UV, i-line and g-line, etc. It has been proposed to use a light source emitting a wavelength of 200 to 500 nm for exposure. In recent years, an excimer laser has been developed and a KrF laser (wavelength: 248 nm) has been used. In addition, development of resists that are sensitive to electron beams and X-rays is also in progress.
前記したような放射線に適合するネガ型レジスト組成
物についての研究も積極的になされており、例えばDeep
UV、ｉ線やｇ線に感応するものとしてフェノールノボ
ラック樹脂とビスアジド化合物から成る組成物、エキシ
マレーザーに感応するものとしてクロロメチル化ポリス
チレンやポリビニルフェノールと芳香族ビスアジド化合
物との混合物から成る組成物（特公昭62−8777号公
報）、エキシマレーザー、Deep UV、エックス線に感応
するものとして熱硬化性樹脂とフォト酸発生剤として21
0〜299nmの範囲の化学線を吸収するハロゲン化有機化合
物とから成る組成物（特開昭62−16405号公報）、ま
た、電子線に感応する組成物としてポリメチルメタクリ
レート（特公昭45−30225号公報）、ポリグリシジルメ
タクリレート［「ジャーナル・オブ・エレクトロケミカ
ル・ソサエティ（J.E.C.S）」，第118巻，第669ページ
（1971）］、クロロメチル化ポリスチレン（特開昭57−
176034号公報）などを含有するものが知られている。Research on negative resist compositions compatible with radiation as described above has also been actively conducted, for example, Deep
A composition composed of a phenol novolak resin and a bisazide compound as one sensitive to UV, i-rays and g-rays, and a composition composed of a mixture of chloromethylated polystyrene or polyvinylphenol and an aromatic bisazide compound as one sensitive to excimer laser ( JP-B-62-8777), a thermosetting resin and a photoacid generator which are sensitive to excimer laser, Deep UV and X-ray.
A composition comprising a halogenated organic compound absorbing actinic radiation in the range of 0 to 299 nm (JP-A-62-16405); and polymethyl methacrylate (JP-B-45-30225) as a composition sensitive to an electron beam. Publication), polyglycidyl methacrylate ["Journal of Electrochemical Society (JECS)", Vol. 118, p. 669 (1971)], chloromethylated polystyrene (Japanese Patent Laid-Open No.
No. 176034) is known.
しかしながら、これらのレジスト組成物においては、
それから得られるレジストパターンが断面形状において
スソを引きやすくてプロファイル形状が悪く、高解像度
が得られないという欠点がある。さらに、これらのレジ
スト組成物はDeep UV、ｉ線、ｇ線、エキシマレーザ
ー、電子線、エックス線などの放射線の照射量の変化に
対するレジストパターンの寸法変化量が大きいため、微
細なレジストパターンを形成させる際に、レジストパタ
ーン間のスペース部分のヌケが悪く、微細なラインアン
ドスペースのレジストパターンが形成しにくいという問
題も有している。However, in these resist compositions,
The resist pattern obtained therefrom has a drawback in that the cross-sectional shape is apt to sew, the profile shape is poor, and high resolution cannot be obtained. Further, since these resist compositions have a large dimensional change amount of the resist pattern with respect to a change in irradiation amount of radiation such as Deep UV, i-line, g-line, excimer laser, electron beam, and X-ray, a fine resist pattern is formed. In this case, there is also a problem that the gap in the space between the resist patterns is poor and it is difficult to form a fine line and space resist pattern.
このように、特に0.5μｍ以下の微細加工に対応でき
るDeep UV、ｉ線、ｇ線、エキシマレーザー、電子線、
エックス線などを利用したリソグラフィにおいて用いら
れるネガ型レジストについては、まだ実用的なものは得
られていないのが実状である。Thus, Deep UV, i-line, g-line, excimer laser, electron beam,
As for a negative resist used in lithography using X-rays or the like, a practical resist has not yet been obtained.
このため、半導体素子製造分野においては、解像性及
びプロファイル形状に優れ、かつ前記の各種放射線の照
射量の変化に対するレジスタパターンの寸法変化量が小
さく、微細なラインアンドスペースのレジストパターン
を形成しうるネガ型感放射線レジスト組成物の開発が強
く望まれている。For this reason, in the field of semiconductor device manufacturing, a resist pattern having excellent resolution and profile shape, a small dimensional change amount of the register pattern with respect to the change of the irradiation amount of the various radiations, and a fine line and space resist pattern is formed. The development of a negative-working radiation-sensitive resist composition is strongly desired.
発明が解決しようとする課題 本発明は、このような要望にこたえ、各種放射線に対
して感応し、高解像性でプロファイル形状が優れるとと
もに、寸法変化量の小さい微細なラインアンドスペース
のレジストパターンを形成しうるネガ型感放射線レジス
ト組成物を提供することを目的としてなされたものであ
る。Problems to be Solved by the Invention The present invention responds to such a demand, and is sensitive to various radiations, has a high resolution and an excellent profile shape, and has a fine line and space resist pattern with a small dimensional change. The purpose of the present invention is to provide a negative-working radiation-sensitive resist composition capable of forming a resist.
課題を解決するための手段 本発明者らは、前記の好ましい性質を有するネガ型感
放射線レジスト組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結
果、ポリヒドロキシスチレン、特定のトリアジン化合物
及びアルコキシメチル化尿素樹脂を含有して成る組成物
により、その目的を達成しうることを見出し、この知見
に基づいて本発明を完成するに至った。Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies to develop a negative-working radiation-sensitive resist composition having the above-mentioned preferable properties. As a result, polyhydroxystyrene, a specific triazine compound and an alkoxymethylated urea were obtained. It has been found that the object can be achieved by a composition containing a resin, and the present invention has been completed based on this finding.
すなわち、本発明は、（Ａ）ポリヒドロキシスチレ
ン、（Ｂ）一般式（Ｉ） であり、R1及びR2は炭素数１〜５のアルキル基、R3及び
R4は、それぞれ水素原子、水酸基又はカルボキシル基で
あって、それらは同一であってもよいし、たがいに異な
っていてもよい） で表わされるトリアジン化合物、及び（Ｃ）アルコキシ
メチル化尿素樹脂を含有して成るネガ型感放射線レジス
ト組成物を提供するものである。That is, the present invention relates to (A) polyhydroxystyrene, (B) a general formula (I) R 1 and R 2 are an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, R 3 and
R 4 is a hydrogen atom, a hydroxyl group or a carboxyl group, which may be the same or different from each other), and (C) an alkoxymethylated urea resin. And a negative-working radiation-sensitive resist composition.
以下、本発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
本発明組成物においては、（Ａ）成分としてポリヒド
ロキシスチレンが用いられる。このポリヒドロキシスチ
レンについては特に制限はなく、公知のものを用いるこ
とができるが、重量平均分子量が3000〜50000、好まし
くは5000〜30000の範囲のものが好適である。In the composition of the present invention, polyhydroxystyrene is used as the component (A). The polyhydroxystyrene is not particularly limited, and known ones can be used, but those having a weight average molecular weight of 3,000 to 50,000, preferably 5,000 to 30,000 are suitable.
本発明組成物において、（Ｂ）成分として用いる上記
一般式（Ｉ）で表わされるトリアジン化合物としては、
具体的には２−（ｐ−メトキシフェニル）−4,6−ビス
（トリクロロメチル）−1,3,5−トリアジン、２−（ｐ
−エトキシフェニル）−4,6−ビス（トリクロロメチ
ル）−1,3,5−トリアジン、２−（ｐ−プロポキシフェ
ニル）−4,6−ビス（トリクロロメチル）−1,3,5−トリ
アジン、２−（ｐ−ブトキシフェニル）−4,6−ビス
（トリクロロメチル）−1,3,5−トリアジン、２−（４
−メトキシナフチル）−4,6−ビス（トリクロロメチ
ル）−1,3,5−トリアジン、２−（４−エトキシナフチ
ル）−4,6−ビス（トリクロロメチル）−1,3,5−トリア
ジン、２−（４−プロポキシナフチル）−4,6−ビス
（トリクロロメチル）−1,3,5−トリアジン、２−（４
−ブトキシナフチル）−4,6−ビス（トリクロロメチ
ル）−1,3,5−トリアジン、２−（４−メトキシ−６−
カルボキシナフチル）−4,6−ビス（トリクロロメチ
ル）−1,3,5−トリアジン、２−（４−メトキシ−６−
ヒドロキシナフチル）−4,6−ビス（トリクロロメチ
ル）−1,3,5−トリアジンなどを挙げることができる。
これらのトリアジン化合物は単独でも、また２種以上を
組み合わせて用いてもよい。In the composition of the present invention, the triazine compound represented by the general formula (I) used as the component (B) includes:
Specifically, 2- (p-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (p
-Ethoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (p-propoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (p-butoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4
-Methoxynaphthyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-ethoxynaphthyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-propoxynaphthyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4
-Butoxynaphthyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-methoxy-6-
(Carboxynaphthyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-methoxy-6-
(Hydroxynaphthyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine and the like.
These triazine compounds may be used alone or in combination of two or more.
本発明組成物において、（Ｃ）成分として用いられる
アルコキシメチル化尿素樹脂は、例えば沸騰水溶液中で
尿素をホルマリンと反応させて縮合物を得たのち、これ
をメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアル
コール、ブチルアルコールなどの低級アルコール類でエ
ーテル化させ、次いで反応液を冷却して析出する樹脂を
取り出すことにより、調製することができる。In the composition of the present invention, the alkoxymethylated urea resin used as the component (C) is obtained, for example, by reacting urea with formalin in a boiling aqueous solution to obtain a condensate, which is then converted into methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, It can be prepared by etherifying with a lower alcohol such as butyl alcohol, and then cooling the reaction solution to take out the precipitated resin.
該アルコキシメチル化尿素樹脂の具体例としては、メ
トキシメチル化尿素樹脂、エトキシメチル化尿素樹脂、
プロポキシメチル化尿素樹脂、ブトキシメチル化尿素樹
脂などが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、
２種以上を組み合わせて用いてもよい。Specific examples of the alkoxymethylated urea resin include a methoxymethylated urea resin, an ethoxymethylated urea resin,
Propoxymethylated urea resins, butoxymethylated urea resins, and the like. These may be used alone,
Two or more kinds may be used in combination.
アルコキシメチル化尿素樹脂を用いることにより、放
射線の照射量の変化に対するレジストパターンの寸法変
化量が特に小さい安定したレジストパターンを得ること
ができる。By using the alkoxymethylated urea resin, it is possible to obtain a stable resist pattern in which the dimensional change of the resist pattern is particularly small with respect to the change in the radiation dose.
本発明組成物における前記各成分の配合割合について
は、（Ａ）成分のポリヒドロキシスチレンと（Ｃ）成分
のアルコキシメチル化尿素樹脂とを、重量比が60:40な
いし95:5、好ましくは75:25ないし90:10になるような割
合で用いるのが望ましい。（Ａ）成分と（Ｃ）成分との
割合が前記範囲を逸脱すると、本発明の目的を達成する
ことができず好ましくない。Regarding the mixing ratio of the above components in the composition of the present invention, the weight ratio of the polyhydroxystyrene of the component (A) to the alkoxymethylated urea resin of the component (C) is 60:40 to 95: 5, preferably 75: 5. : 25 to 90:10 is desirable. If the ratio of the component (A) to the component (C) deviates from the above range, the object of the present invention cannot be achieved, which is not preferable.
また、（Ｂ）成分のトリアジン化合物は、前記の
（Ａ）成分と（Ｃ）成分との合計量に対し、0.5〜10重
量％、好ましくは１〜７重量％の範囲で配合される。こ
の配合量が0.5重量％未満では本発明の目的が十分に達
成されないし、10重量％を超えるとレジストのアルキル
水溶液に対する溶解性が悪くなり、現像性が低下するた
め好ましくない。Further, the triazine compound as the component (B) is blended in an amount of 0.5 to 10% by weight, preferably 1 to 7% by weight, based on the total amount of the components (A) and (C). If the amount is less than 0.5% by weight, the object of the present invention is not sufficiently achieved, and if it exceeds 10% by weight, the solubility of the resist in an aqueous alkyl solution is deteriorated, and the developability is lowered.
本発明組成物は、通常前記各成分を有機溶剤に溶解し
て、溶液の形で用いられる。この際用いる有機溶剤とし
ては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン、メチルイソアミルケトンなどのケトン類；エ
チレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレン
グリコール、エチレングリコールモノアセテート又はジ
エチレングリコールモノアセテートや、あるいはそれら
のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロ
ピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエ
ーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体；ジオキ
サンのような環式エーテル類；酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、ピルビン酸
メチル、ピルビン酸エチルなどのエステル類などを挙げ
ることができる。これらは単独でも、２種以上混合して
用いてもよい。The composition of the present invention is usually used in the form of a solution obtained by dissolving the above components in an organic solvent. Examples of the organic solvent used at this time include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, and methyl isoamyl ketone; ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, ethylene glycol monoacetate or diethylene glycol monoacetate, and monomethyl ether and monoethyl ether thereof. And polyhydric alcohols such as monopropyl ether, monobutyl ether and monophenyl ether and derivatives thereof; cyclic ethers such as dioxane; methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl pyruvate, pyruvate Esters such as ethyl acid can be exemplified. These may be used alone or as a mixture of two or more.
本発明組成物には、本発明の目的をそこなわない範囲
で所望に応じ相容性のある添加物、例えば付加的樹脂、
可塑剤、安定剤、界面活性剤、増感剤、染料などの慣用
の添加物を加えることができる。The composition of the present invention may contain additives that are compatible as desired within a range that does not impair the purpose of the present invention, such as an additional resin.
Conventional additives such as plasticizers, stabilizers, surfactants, sensitizers, dyes and the like can be added.
次に、このようにして調製されたネガ型感放射線レジ
スト組成物の溶液を用いて、微細パターンを形成する方
法について説明すると、まずシリコンウエハーのような
基板上に、該レジスト組成物の溶液をスピンナーなどで
塗布し、乾燥して感放射線層を設けたのち、ｇ線、ｉ
線、Deep UV、エキシマレーザー、エックス線をマスク
を介して選択的に照射するか、電子線を走査して照射し
たのち、加熱処理を施し、次いで例えば２〜10重量％の
テトラメチルアンモニウムヒドロキシやコリンなどの有
機アルカリ水溶液を用いて現像することにより放射線の
非照射部分が選択的に溶解除去され、プロファイル形状
に優れたレジストパターンを形成することができる。Next, a method for forming a fine pattern using the solution of the negative-type radiation-sensitive resist composition thus prepared will be described.First, a solution of the resist composition is formed on a substrate such as a silicon wafer. After coating with a spinner or the like and drying to provide a radiation-sensitive layer, g-line, i
Radiation, Deep UV, excimer laser, and X-rays are selectively irradiated through a mask or scanned and irradiated with an electron beam, followed by heat treatment, and then, for example, 2 to 10% by weight of tetramethylammonium hydroxy or choline. By developing using an organic alkali aqueous solution such as this, the non-irradiated portion is selectively dissolved and removed, and a resist pattern having an excellent profile shape can be formed.
発明の効果 本発明のネガ型感放射線レジスト組成物は、解像性及
びプロファイル形状に優れたレジストパターンを形成し
うるとともに、放射線の照射量の変化に対するレジスト
パターンの寸法変化量が小さいため、微細パターンにお
いて隣接するレジストパターン同士の接合が起こりにく
く、良好なレジストパターンを形成しうることから、特
に微細加工化の進む半導体素子の製造に好適に用いられ
る。Effect of the Invention The negative-working radiation-sensitive resist composition of the present invention can form a resist pattern having excellent resolution and profile shape, and has a small dimensional change amount of the resist pattern with respect to a change in radiation dose. Since it is difficult for bonding between adjacent resist patterns in the pattern to occur and a good resist pattern can be formed, the resist pattern is suitably used particularly in the manufacture of a semiconductor element in which fine processing is advanced.
実施例 次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明する
が、本発明はこれらの例によってなんら限定されるもの
ではない。EXAMPLES Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
実施例１ ポリヒドロキシスチレンとしてリンカーＭ（丸善石油
化学社製、商品名、重量平均分子量18000）を用い、こ
のリンカーM1.7gとメトキシメチル化尿素樹脂0.3gとを
乳酸エチル6.5gに溶解したのち、これに２−（ｐ−メト
キシフェニル）−4,6−ビス（トリクロロメチル）−1,
3,5−トリアジン0.06gを溶解して、ネガ型感放射線レジ
スト塗布液を調製した。Example 1 A linker M (manufactured by Maruzen Petrochemical Co., Ltd., weight average molecular weight: 18,000) was used as polyhydroxystyrene, and 1.7 g of this linker M and 0.3 g of methoxymethylated urea resin were dissolved in 6.5 g of ethyl lactate. And 2- (p-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,
A negative radiation sensitive resist coating solution was prepared by dissolving 0.06 g of 3,5-triazine.
次に、ヘキサメチルジシラザン雰囲気中に７分間放置
することで表面処理した５インチシリコンウエハー上
に、4000rpmで20秒間前記塗布液をスピンコートし、ホ
ットプレート上で90℃で90秒間乾燥することにより、1.
0μｍ厚のレジスト層を形成した。次いで、ｉ線用縮小
投影露光装置LD−5011iA（日立製作所社製）により、ｉ
線を選択的に露光したのち、110℃で90秒間加熱処理を
行い、次いで2.38重量％テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液に１分間浸せきすることにより、ｉ線の
非照射部分を溶解除去してレジストパターンを得た。Next, the coating solution is spin-coated at 4000 rpm for 20 seconds on a 5-inch silicon wafer surface-treated by being left in a hexamethyldisilazane atmosphere for 7 minutes, and dried on a hot plate at 90 ° C. for 90 seconds. By 1.
A 0 μm thick resist layer was formed. Next, i-line reduction projection exposure apparatus LD-5011iA (manufactured by Hitachi, Ltd.)
After selectively exposing the i-line, a heat treatment is performed at 110 ° C. for 90 seconds, and then the substrate is immersed in a 2.38 wt% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide for 1 minute to dissolve and remove the non-irradiated portion of the i-line, thereby forming a resist pattern I got
このようにして得られたレジストパターンは、シリコ
ンウエハー面から垂直に切り立った良好なプロファイル
形状を有する0.60μｍのレジストパターンであり、この
パターンを得るのに必要な最低照射時間、すなわち感度
は60msであった。また、別に0.50μｍのレジストパター
ンを得るための適正照射量を設定し、その設定照射量を
±15％変化させた場合のレジストパターンの寸法変化量
を求めたところ±0.10μｍであった。The resist pattern obtained in this manner is a 0.60 μm resist pattern having a good profile shape that is stood vertically from the silicon wafer surface, and the minimum irradiation time required to obtain this pattern, that is, the sensitivity is 60 ms. there were. Further, an appropriate irradiation amount for obtaining a resist pattern of 0.50 μm was separately set, and the dimensional change amount of the resist pattern when the set irradiation amount was changed by ± 15% was ± 0.10 μm.
比較例 リンカーM1.7gと4,4′−ジアジドジフェニルスルフィ
ド0.3gとをピルビン酸エチル6.5gに溶解して、ネガ型感
放射線レジスト塗布液を調製した。Comparative Example 1.7 g of linker M and 0.3 g of 4,4'-diazidediphenyl sulfide were dissolved in 6.5 g of ethyl pyruvate to prepare a negative type radiation-sensitive resist coating solution.
実施例１の塗布液に代えてこの塗布液を使用した以外
は、実施例１と同様な操作によりレジストパターンを形
成し、各種評価を行ったところ、解像度0.80μｍ、感度
200ms、寸法変化量±0.30μｍであり、プロファイル形
状は不良であった。A resist pattern was formed in the same manner as in Example 1 except that this coating liquid was used instead of the coating liquid of Example 1, and various evaluations were performed.
200 ms, the dimensional change was ± 0.30 μm, and the profile shape was poor.
実施例２ 実施例１で用いたｉ線用縮小投影露光装置を、日立製
作所社製HHS−2Rに代えて、20kVの加速電圧で電子線を
選択的に照射した以外は、実施例１と同様な操作により
レジストパターンを得たところ、このレジストパターン
はシリコンウエハー面からほぼ垂直に切り立った良好な
プロファイル形状を有する0.50μｍのレジストパターン
であり、残膜率90％における感度は2.9μC/cm2であっ
た。また、別に0.50μｍのレジストパターンを得るため
の電子線の適性照射量を設定し、その設定照射量を±15
％変化させた場合の寸法変化量を求めたところ、±0.07
μｍであった。Example 2 Same as Example 1 except that the i-line reduction projection exposure apparatus used in Example 1 was selectively irradiated with an electron beam at an accelerating voltage of 20 kV in place of HHS-2R manufactured by Hitachi, Ltd. When the resist pattern was obtained by a simple operation, the resist pattern was a 0.50 μm resist pattern having a good profile shape which stood almost perpendicularly from the silicon wafer surface, and the sensitivity at a residual film ratio of 90% was 2.9 μC / cm 2. Met. In addition, an appropriate dose of electron beam for obtaining a 0.50 μm resist pattern is set separately, and the set dose is set to ± 15.
When the dimensional change when% changed was determined, it was ± 0.07
μm.
実施例３ 実施例１で用いた２−（ｐ−メトキシフェニル）−4,
6−ビス（トリクロロメチル）−1,3,5−トリアジンとｉ
線用縮小投影露光装置とを、それぞれ２−（４−メトキ
シナフチル）−4,6−ビス（トリクロロメチル）1,3,5−
トリアジンとｇ線用縮小投影露光装置に代えた以外は、
実施例１と同様な操作により、レジストパターンを得た
ところ、このレジストパターンはシリコンウエハー面か
らほぼ垂直に切り立った良好なプロファイル形状を有す
る0.55μｍのレジストパターンであり、その感度は60ms
であった。また、別に0.50μｍのレジストパターンを得
るための適性照射量を設定し、その設定照射量を±15％
変化させた場合の寸法変化量を求めたところ、±0.1μ
ｍであった。Example 3 2- (p-methoxyphenyl) -4, used in Example 1
6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine and i
The line reduction projection exposure apparatus was connected to 2- (4-methoxynaphthyl) -4,6-bis (trichloromethyl) 1,3,5-
Except for replacing with triazine and g-line reduced projection exposure equipment,
When a resist pattern was obtained by the same operation as in Example 1, the resist pattern was a 0.55 μm resist pattern having a good profile shape which stood almost vertically from the silicon wafer surface, and had a sensitivity of 60 ms.
Met. In addition, set an appropriate dose to obtain a 0.50 μm resist pattern, and set the dose to ± 15%
When the amount of dimensional change when changed was determined, ± 0.1μ
m.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−146044（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−217855（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−293339（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−15270（ＪＰ，Ａ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-2-14644 (JP, A) JP-A-2-217855 (JP, A) JP-A-1-293339 (JP, A) JP-A-2- 15270 (JP, A)
Claims (1)
般式 （式中のＺは であり、R1及びR2は炭素数１〜５のアルキル基、R3及び
R4は、それぞれ水素原子、水酸基又はカルボキシル基で
あって、それらは同一であってもよいし、たがいに異な
っていてもよい） で表わされるトリアジン化合物、及び（Ｃ）アルコキシ
メチル化尿素樹脂を含有して成るネガ型感放射線レジス
ト組成物。1. A polyhydroxystyrene (A), a general formula (B) (Z in the formula is R 1 and R 2 are an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, R 3 and
R 4 is a hydrogen atom, a hydroxyl group or a carboxyl group, which may be the same or different from each other), and (C) an alkoxymethylated urea resin. A negative-type radiation-sensitive resist composition comprising:
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