JP2581489B2 - 冷却器及びその製造方法 - Google Patents
冷却器及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2581489B2 JP2581489B2 JP4173130A JP17313092A JP2581489B2 JP 2581489 B2 JP2581489 B2 JP 2581489B2 JP 4173130 A JP4173130 A JP 4173130A JP 17313092 A JP17313092 A JP 17313092A JP 2581489 B2 JP2581489 B2 JP 2581489B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- storage container
- gas
- cooler
- cooling
- thermal conductivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 46
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 12
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ペルチェ素子のペルチ
ェ効果を利用して光検出素子や赤外線検出素子等からな
る半導体光検出器を冷却する冷却器及びその製造方法に
関するものである。
ェ効果を利用して光検出素子や赤外線検出素子等からな
る半導体光検出器を冷却する冷却器及びその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ペルチェ効果を利用して光検出素子や赤
外線検出素子等からなる半導体光検出器を冷却する従来
の冷却器は、収納容器の内部に、ペルチェ効果で熱を吸
収する３段や４段等の多段のペルチェ素子を配置すると
ともに、この多段のペルチェ素子の最上位には、光検出
素子や赤外線検出素子を配置して該収納容器の内部に封
入し、１気圧の窒素ガスやキセノンガス中で光検出素子
や赤外線検出素子を冷却するようにしている。
外線検出素子等からなる半導体光検出器を冷却する従来
の冷却器は、収納容器の内部に、ペルチェ効果で熱を吸
収する３段や４段等の多段のペルチェ素子を配置すると
ともに、この多段のペルチェ素子の最上位には、光検出
素子や赤外線検出素子を配置して該収納容器の内部に封
入し、１気圧の窒素ガスやキセノンガス中で光検出素子
や赤外線検出素子を冷却するようにしている。
【０００３】ところで、従来の上記冷却器は、いくら多
段のペルチェ素子を配置しても、以下に示す３つの理由
から冷却能力が向上しないという問題があった。即ち、
（１）収納容器の内部におけるガスの対流に伴い熱が伝
導して冷却能力が向上しない、（２）収納容器のリード
線に熱が伝導して冷却能力が向上しない、（３）放射に
伴い熱が伝導して冷却能力が向上しない、という理由か
らガス中にいくら多段のペルチェ素子を配置しても冷却
器の冷却能力が向上しなかった。
段のペルチェ素子を配置しても、以下に示す３つの理由
から冷却能力が向上しないという問題があった。即ち、
（１）収納容器の内部におけるガスの対流に伴い熱が伝
導して冷却能力が向上しない、（２）収納容器のリード
線に熱が伝導して冷却能力が向上しない、（３）放射に
伴い熱が伝導して冷却能力が向上しない、という理由か
らガス中にいくら多段のペルチェ素子を配置しても冷却
器の冷却能力が向上しなかった。
【０００４】上記（２）、（３）の理由を解消する方法
は全く無いが、（１）の理由は収納容器の内部を真空に
するという方法である程度解決でき、より低い温度で光
検出素子や赤外線検出素子を冷却することができた。
は全く無いが、（１）の理由は収納容器の内部を真空に
するという方法である程度解決でき、より低い温度で光
検出素子や赤外線検出素子を冷却することができた。
【０００５】しかしながら、収納容器の内部を真空にす
る場合、冷却開始時には確かに冷却効率が良いが、時間
の経過につれ水素等の熱伝導性の良好なガスが該内部に
発生して冷却効率が低下するという問題があった（図４
参照）。また、この真空化の方法だと収納容器を加熱し
なければならないが、赤外線検出素子の損傷防止の観点
から加熱できないので、充分なガス出しを行えず、熱伝
導率の良い水素、酸素等の脱ガスのため短期間で冷却効
率が著しく低下するという問題があった（図４参照）。
る場合、冷却開始時には確かに冷却効率が良いが、時間
の経過につれ水素等の熱伝導性の良好なガスが該内部に
発生して冷却効率が低下するという問題があった（図４
参照）。また、この真空化の方法だと収納容器を加熱し
なければならないが、赤外線検出素子の損傷防止の観点
から加熱できないので、充分なガス出しを行えず、熱伝
導率の良い水素、酸素等の脱ガスのため短期間で冷却効
率が著しく低下するという問題があった（図４参照）。
【０００６】尚、上記（１）の理由を解消する方法とし
て、熱伝導率の低いアルゴンガス等を常圧で封入するこ
とも考えられるが、例えこの方法を採用しても、図５に
示す如く、冷却器の冷却能力は全く向上せず、上記真空
化の方法よりも効率が悪化せざるを得なかった。特に、
３段以上に積層されたペルチェ素子を利用する場合、ガ
ス中でいくら段数を増やしても、冷却器の冷却能率は全
く向上しなかった。
て、熱伝導率の低いアルゴンガス等を常圧で封入するこ
とも考えられるが、例えこの方法を採用しても、図５に
示す如く、冷却器の冷却能力は全く向上せず、上記真空
化の方法よりも効率が悪化せざるを得なかった。特に、
３段以上に積層されたペルチェ素子を利用する場合、ガ
ス中でいくら段数を増やしても、冷却器の冷却能率は全
く向上しなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の冷却器は以上の
ように構成され、収納容器の内部におけるガスの対流に
伴い熱が伝導するので、冷却能力が向上しないという問
題点があった。この問題点は、収納容器の内部を真空に
するという方法で少々解決できたが、上述したような理
由で全面的な解決ができなかった。
ように構成され、収納容器の内部におけるガスの対流に
伴い熱が伝導するので、冷却能力が向上しないという問
題点があった。この問題点は、収納容器の内部を真空に
するという方法で少々解決できたが、上述したような理
由で全面的な解決ができなかった。
【０００８】即ち、収納容器の内部を真空にする場合、
冷却開始時には確かに冷却効率が良いが、時間の経過に
つれ水素等の熱伝導性の良好なガスが該内部に発生して
冷却効率が低下するという大きな問題があった。また、
この真空化の方法だと収納容器を加熱しなければならな
いが、赤外線検出素子の損傷防止の観点から加熱できな
いので、充分なガス出しを行えず、熱伝導率の良い水
素、酸素等の脱ガスのため短期間で冷却効率が著しく低
下するという大きな問題があった。
冷却開始時には確かに冷却効率が良いが、時間の経過に
つれ水素等の熱伝導性の良好なガスが該内部に発生して
冷却効率が低下するという大きな問題があった。また、
この真空化の方法だと収納容器を加熱しなければならな
いが、赤外線検出素子の損傷防止の観点から加熱できな
いので、充分なガス出しを行えず、熱伝導率の良い水
素、酸素等の脱ガスのため短期間で冷却効率が著しく低
下するという大きな問題があった。
【０００９】本発明は上記に鑑みなされたもので、冷却
効率を大幅に向上させることのできる冷却器及びその製
造方法を提供することを目的としている。
効率を大幅に向上させることのできる冷却器及びその製
造方法を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明においては上述の
目的を達成するため、収納容器の内部に、熱を吸収する
多段のペルチェ素子を積層配置するとともに、このペル
チェ素子には、半導体光検出器を配置して該収納容器の
内部に封入し、ペルチェ効果を利用して該半導体光検出
器を冷却するものにおいて、上記収納容器の内部に、１
０乃至１００ｍｍＨｇの熱伝導率の小さな気体を封入し
たことを特徴としている。
目的を達成するため、収納容器の内部に、熱を吸収する
多段のペルチェ素子を積層配置するとともに、このペル
チェ素子には、半導体光検出器を配置して該収納容器の
内部に封入し、ペルチェ効果を利用して該半導体光検出
器を冷却するものにおいて、上記収納容器の内部に、１
０乃至１００ｍｍＨｇの熱伝導率の小さな気体を封入し
たことを特徴としている。
【００１１】また、本発明においては上述の目的を達成
するため、半導体光検出器とペルチェ素子とを収納した
収納容器の内部を真空排気し、所定の温度でベーキング
して収納容器の内部の吸蔵ガスをガス抜きし、さらに収
納容器の内部を真空排気し、次いで収納容器の内部に１
０乃至１００ｍｍＨｇの熱伝導率の小さな気体を封入し
た後、収納容器を密封することを特徴としている。
するため、半導体光検出器とペルチェ素子とを収納した
収納容器の内部を真空排気し、所定の温度でベーキング
して収納容器の内部の吸蔵ガスをガス抜きし、さらに収
納容器の内部を真空排気し、次いで収納容器の内部に１
０乃至１００ｍｍＨｇの熱伝導率の小さな気体を封入し
た後、収納容器を密封することを特徴としている。
【００１２】
【作用】本発明によれば、ある程度真空排気された収納
容器の内部に、１０〜１００ｍｍＨｇの熱伝導率が小さ
く、しかも、重量の重いアルゴンガス又はキセノンガス
からなる気体を充填するので、対流の発生を困難ならし
めることができ、冷却器の冷却効率を大幅に向上させる
ことができる。また、多段ペルチェ素子の使用を通じて
冷却面の温度を著しく下げることが可能となり、しか
も、信頼性の大幅な向上を図ることができる。
容器の内部に、１０〜１００ｍｍＨｇの熱伝導率が小さ
く、しかも、重量の重いアルゴンガス又はキセノンガス
からなる気体を充填するので、対流の発生を困難ならし
めることができ、冷却器の冷却効率を大幅に向上させる
ことができる。また、多段ペルチェ素子の使用を通じて
冷却面の温度を著しく下げることが可能となり、しか
も、信頼性の大幅な向上を図ることができる。
【００１３】さらに、アルゴンガス又はキセノンガスか
らなる気体が充填されているので、熱伝導率の良好な水
素等の発生を防止することができ、しかも、時間が経過
しても冷却能力が殆ど低下しないという特徴を有するの
で、冷却器の冷却効率を長時間に亘って維持することが
可能になるとともに、多段ペルチェ素子の使用を通じて
冷却面の著しい温度低下が期待できる。
らなる気体が充填されているので、熱伝導率の良好な水
素等の発生を防止することができ、しかも、時間が経過
しても冷却能力が殆ど低下しないという特徴を有するの
で、冷却器の冷却効率を長時間に亘って維持することが
可能になるとともに、多段ペルチェ素子の使用を通じて
冷却面の著しい温度低下が期待できる。
【００１４】
【実施例】以下、図１乃至図３に示す一実施例に基づき
本発明を詳述すると、本発明に係る冷却器及びその製造
方法は、ある程度真空排気された収納容器１の内部に、
１０〜１００ｍｍＨｇの熱伝導率が小さく、冷却効率を
長時間に亘って安定させる図示しない気体を封入するよ
うにしている。
本発明を詳述すると、本発明に係る冷却器及びその製造
方法は、ある程度真空排気された収納容器１の内部に、
１０〜１００ｍｍＨｇの熱伝導率が小さく、冷却効率を
長時間に亘って安定させる図示しない気体を封入するよ
うにしている。
【００１５】上記収納容器１は図１に示す如く、複数の
リード線３と真空排気管２とを垂下させたベース４上
に、略円筒形のパッケージ５が冠着され、このパッケー
ジ５の上面中央の孔には、受光窓６が嵌着されており、
該ベース４の上面中央には、４段のペルチェ素子７が配
置されるとともに、受光窓６の直下に位置するペルチェ
素子７には、半導体光検出器である光検出素子８が配置
されている。
リード線３と真空排気管２とを垂下させたベース４上
に、略円筒形のパッケージ５が冠着され、このパッケー
ジ５の上面中央の孔には、受光窓６が嵌着されており、
該ベース４の上面中央には、４段のペルチェ素子７が配
置されるとともに、受光窓６の直下に位置するペルチェ
素子７には、半導体光検出器である光検出素子８が配置
されている。
【００１６】また、上記気体は１０〜１００ｍｍＨｇの
熱伝導率が小さく、しかも、重量の重いアルゴンガスや
キセノンガス等からなり、熱伝導率の良好な水素等の発
生を防止するとともに、対流の発生を困難ならしめる作
用を営み、且つ経時変化に伴い冷却能力が殆ど低下しな
い特徴を有している（図３参照）。そして、アルゴンガ
スやキセノンガスからなる気体は図２に示す如く、特に
１０ｍｍＨｇ、６０ｍｍＨｇ、又は１００ｍｍＨｇのガ
ス圧の範囲であるのが望ましい。尚、図３は６０ｍｍＨ
ｇキセノンガスの経時変化を示すグラフである。
熱伝導率が小さく、しかも、重量の重いアルゴンガスや
キセノンガス等からなり、熱伝導率の良好な水素等の発
生を防止するとともに、対流の発生を困難ならしめる作
用を営み、且つ経時変化に伴い冷却能力が殆ど低下しな
い特徴を有している（図３参照）。そして、アルゴンガ
スやキセノンガスからなる気体は図２に示す如く、特に
１０ｍｍＨｇ、６０ｍｍＨｇ、又は１００ｍｍＨｇのガ
ス圧の範囲であるのが望ましい。尚、図３は６０ｍｍＨ
ｇキセノンガスの経時変化を示すグラフである。
【００１７】従って、冷却器の冷却効率を向上させるに
は、先ず、図示しない真空排気装置に真空排気管２を接
続して光検出素子８とペルチェ素子７とを収納した収納
容器１の内部を矢印で示すように真空排気し、５０℃位
の温度でベーキングして収納容器１の内部の吸蔵ガスを
ガス抜きし、さらに収納容器１の内部をある程度真空排
気し、次いで収納容器１の内部に１０乃至１００ｍｍＨ
ｇのアルゴンガス又はキセノンガスを矢印で示すように
封入した後、真空排気管２を切断して収納容器１を密封
する。そしてその後、ペルチェ素子７のペルチェ効果を
利用して光検出素子８を冷却すれば良い。
は、先ず、図示しない真空排気装置に真空排気管２を接
続して光検出素子８とペルチェ素子７とを収納した収納
容器１の内部を矢印で示すように真空排気し、５０℃位
の温度でベーキングして収納容器１の内部の吸蔵ガスを
ガス抜きし、さらに収納容器１の内部をある程度真空排
気し、次いで収納容器１の内部に１０乃至１００ｍｍＨ
ｇのアルゴンガス又はキセノンガスを矢印で示すように
封入した後、真空排気管２を切断して収納容器１を密封
する。そしてその後、ペルチェ素子７のペルチェ効果を
利用して光検出素子８を冷却すれば良い。
【００１８】上記構成によれば、ある程度真空排気され
た収納容器１の内部に、１０〜１００ｍｍＨｇの熱伝導
率が小さく、しかも、重量の重いアルゴンガス又はキセ
ノンガスを充填するので、対流の発生を困難ならしめる
ことができ、冷却器の冷却効率を向上させることができ
る。また、多段ペルチェ素子７の使用を通じて冷却面の
温度を下げることが可能となり、しかも、信頼性の向上
を図ることができる。
た収納容器１の内部に、１０〜１００ｍｍＨｇの熱伝導
率が小さく、しかも、重量の重いアルゴンガス又はキセ
ノンガスを充填するので、対流の発生を困難ならしめる
ことができ、冷却器の冷却効率を向上させることができ
る。また、多段ペルチェ素子７の使用を通じて冷却面の
温度を下げることが可能となり、しかも、信頼性の向上
を図ることができる。
【００１９】そして、アルゴンガス又はキセノンガスが
充填されているので、図３に示す如く、熱伝導率の良好
な水素等の発生を防止でき、しかも、時間が経過しても
冷却能力が殆ど低下しないので、冷却器の冷却効率を向
上させることが可能になるとともに、多段ペルチェ素子
７の使用を通じて冷却面の温度低下が期待できる。
充填されているので、図３に示す如く、熱伝導率の良好
な水素等の発生を防止でき、しかも、時間が経過しても
冷却能力が殆ど低下しないので、冷却器の冷却効率を向
上させることが可能になるとともに、多段ペルチェ素子
７の使用を通じて冷却面の温度低下が期待できる。
【００２０】さらに、図示しない赤外線検出素子の損傷
防止の観点から加熱できないので充分なガス出しを行え
ず、冷却効率の向上を図れなかったが、本発明によれ
ば、冷却器の冷却効率を向上させることができる。
防止の観点から加熱できないので充分なガス出しを行え
ず、冷却効率の向上を図れなかったが、本発明によれ
ば、冷却器の冷却効率を向上させることができる。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ある程度
真空排気された収納容器の内部に、１０〜１００ｍｍＨ
ｇの熱伝導率が小さく、しかも、重量の重いアルゴンガ
ス又はキセノンガスからなる気体を充填するので、対流
の発生を著しく困難ならしめることができ、安定した冷
却器の冷却効率を大幅に向上させることができるという
顕著な効果がある。また、多段ペルチェ素子の使用を通
じて冷却面の温度を安定させつつ大幅に下げることが可
能となり、しかも、信頼性の著しい向上を図ることがで
きるという顕著な効果がある。
真空排気された収納容器の内部に、１０〜１００ｍｍＨ
ｇの熱伝導率が小さく、しかも、重量の重いアルゴンガ
ス又はキセノンガスからなる気体を充填するので、対流
の発生を著しく困難ならしめることができ、安定した冷
却器の冷却効率を大幅に向上させることができるという
顕著な効果がある。また、多段ペルチェ素子の使用を通
じて冷却面の温度を安定させつつ大幅に下げることが可
能となり、しかも、信頼性の著しい向上を図ることがで
きるという顕著な効果がある。
【００２２】そして、アルゴンガス又はキセノンガスか
らなる気体が充填されているので、熱伝導率の良好な水
素等の発生を確実に防止することができ、しかも、時間
が経過しても冷却能力が安定して殆ど低下しないという
特徴を有するので、冷却器の冷却効率を長時間に亘って
維持することが可能になるとともに、多段ペルチェ素子
の使用を通じて冷却面の温度低下が期待できるという顕
著な効果がある。
らなる気体が充填されているので、熱伝導率の良好な水
素等の発生を確実に防止することができ、しかも、時間
が経過しても冷却能力が安定して殆ど低下しないという
特徴を有するので、冷却器の冷却効率を長時間に亘って
維持することが可能になるとともに、多段ペルチェ素子
の使用を通じて冷却面の温度低下が期待できるという顕
著な効果がある。
【００２３】さらに、赤外線検出素子の損傷防止の観点
から加熱できないので充分なガス出しを行えず、冷却効
率の向上を全く図れなかったが、本発明によれば、冷却
器の冷却効率を著しく向上させることができるという顕
著な効果がある。
から加熱できないので充分なガス出しを行えず、冷却効
率の向上を全く図れなかったが、本発明によれば、冷却
器の冷却効率を著しく向上させることができるという顕
著な効果がある。
【図１】本発明に係る冷却器及びその製造方法の一実施
例における冷却器を示す説明図である。
例における冷却器を示す説明図である。
【図２】発明に係る冷却器及びその製造方法におけるガ
スの圧力による経時変化を示すグラフである。
スの圧力による経時変化を示すグラフである。
【図３】本発明に係る冷却器及びその製造方法における
６０ｍｍＨｇキセノンガスの経時変化を示すグラフであ
る。
６０ｍｍＨｇキセノンガスの経時変化を示すグラフであ
る。
【図４】従来における真空の経時変化を示すグラフであ
る。
る。
【図５】従来のガスの圧力による冷却温度を示すグラフ
である。
である。
１…収納容器、７…ペルチェ素子、８…光検出素子（半
導体光検出器）
導体光検出器）
Claims (2)
- 【請求項１】 収納容器の内部に、熱を吸収する多段の
ペルチェ素子を積層配置するとともに、このペルチェ素
子には、半導体光検出器を配置して該収納容器の内部に
封入し、ペルチェ効果を利用して該半導体光検出器を冷
却する冷却器において、上記収納容器の内部に、１０乃
至１００ｍｍＨｇの熱伝導率の小さな気体を封入したこ
とを特徴とする冷却器。 - 【請求項２】 半導体検出器とペルチェ素子とを収納し
た収納容器の内部を真空排気し、所定の温度でベーキン
グして収納容器の内部の吸蔵ガスをガス抜きし、さらに
収納容器の内部を真空排気し、次いで収納容器の内部に
１０乃至１００ｍｍＨｇの熱伝導率の小さな気体を封入
した後、収納容器を密封することを特徴とする冷却器の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4173130A JP2581489B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 冷却器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4173130A JP2581489B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 冷却器及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621519A JPH0621519A (ja) | 1994-01-28 |
| JP2581489B2 true JP2581489B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=15954682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4173130A Expired - Lifetime JP2581489B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 冷却器及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2581489B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU1173099A (en) | 1997-11-19 | 1999-06-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodetector and image pickup device employing it |
| JP2001326376A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体エネルギー検出素子 |
-
1992
- 1992-06-30 JP JP4173130A patent/JP2581489B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0621519A (ja) | 1994-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5012102A (en) | Methods of producing vacuum devices and infrared detectors with a getter | |
| US5921461A (en) | Vacuum package having vacuum-deposited local getter and its preparation | |
| EP0087827A1 (en) | Infra-red radiation detectors | |
| EP0464893B1 (en) | Infrared detectors and their manufacture | |
| JP2581489B2 (ja) | 冷却器及びその製造方法 | |
| US5001903A (en) | Optimally staged cryopump | |
| JP4629843B2 (ja) | 半導体レーザモジュール及びその製造方法並びにシステム | |
| JPH02503461A (ja) | 低温収着ポンプ | |
| US4716742A (en) | Cryogenic system for radiation detectors | |
| EP2476301A1 (fr) | Systeme de controle thermique d'un equipement | |
| EP0406342B1 (en) | Dewar cryopumping using molecular sieve | |
| JP5082684B2 (ja) | ペルチェ冷却型半導体ｘ線検出器 | |
| JPH0424532A (ja) | トランスファ・ベッセル装置 | |
| JP2000249055A (ja) | 低温真空維持方法 | |
| RU2213941C1 (ru) | Приемник инфракрасного излучения | |
| CA1315111C (en) | Optimally staged cryopump | |
| JPH0774635B2 (ja) | 真空排気装置 | |
| JPH05315130A (ja) | 超電導装置 | |
| CN210663443U (zh) | 半导体制冷模组及半导体制冷装置 | |
| JPS62230901A (ja) | 希土類磁石合金の焼結炉 | |
| JPH0154630B2 (ja) | ||
| JPS6310309B2 (ja) | ||
| JPH0548122A (ja) | 赤外線検出器の製造方法 | |
| JPH05248941A (ja) | 電子冷却型赤外線検知器 | |
| JP2003322417A (ja) | 真空太陽熱収集装置の製造方法及びその製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081121 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081121 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091121 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091121 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101121 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111121 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121121 Year of fee payment: 16 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121121 Year of fee payment: 16 |