JP2576701B2 - Epoxy resin composition and semiconductor device - Google Patents
Epoxy resin composition and semiconductor deviceInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、流動性がよく、低応力
で膨張係数が小さく、低吸湿率で高いガラス転移温度を
有し、耐湿性などに優れた硬化物を与えるエポキシ樹脂
組成物及び該エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された
半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an epoxy resin composition having good fluidity, low stress, low expansion coefficient, low moisture absorption, high glass transition temperature, and a cured product excellent in moisture resistance and the like. And a semiconductor device sealed with a cured product of the epoxy resin composition.
【0002】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】硬化性
エポキシ樹脂、硬化剤及びこれに各種添加剤を配合した
エポキシ樹脂組成物は、一般に他の熱硬化性樹脂に比べ
て成形性、接着性、電気特性、機械的特性、耐湿性等に
優れているため、エポキシ樹脂組成物で半導体装置を封
止することが多く行われている。2. Description of the Related Art A curable epoxy resin, a curing agent and an epoxy resin composition containing various additives are generally more moldable and more adhesive than other thermosetting resins. Because of its excellent electrical properties, mechanical properties, moisture resistance, and the like, semiconductor devices are often sealed with an epoxy resin composition.
【0003】しかしながら、近年の半導体装置の分野に
おいては、パッケージサイズの小型化、薄型化が進む一
方、半導体素子は大型化が進んでおり、この様な半導体
装置を従来のエポキシ樹脂組成物で封止すると、半導体
素子とエポキシ樹脂組成物との熱による寸法変化の差に
より、半導体素子が受ける応力が大きくなるという問題
があり、また、吸湿後の半田処理を経る工程において、
パッケージにクラックが入るといった問題も生じてきて
いる。However, in the field of semiconductor devices in recent years, the package size and the thickness have been reduced, while the semiconductor elements have been increased in size. Such a semiconductor device has been sealed with a conventional epoxy resin composition. When stopped, the difference in dimensional change due to heat between the semiconductor element and the epoxy resin composition causes a problem that stress applied to the semiconductor element increases, and in a step of performing a soldering process after absorbing moisture,
Problems such as cracks in the package have also arisen.
【0004】これらの問題に対し、本出願人は先に硬化
性エポキシ樹脂にオルガノポリシロキサンを配合したエ
ポキシ樹脂組成物(特開昭56−129246号公
報)、芳香族重合体とオルガノポリシロキサンとからな
るブロック共重合体を添加したエポキシ樹脂組成物(特
開昭58−21417号公報)、更にはトリフェノール
アルカン型エポキシ樹脂又はその重合体を主成分とする
エポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂又はトリフ
ェノールアルカン型フェノール樹脂及びオルガノポリシ
ロキサンを配合した樹脂封止型半導体装置(特開昭63
−226951号公報)を完成し、低応力化されたエポ
キシ樹脂組成物を提案してその解決を計ってきた。[0004] In order to solve these problems, the present applicant has previously disclosed an epoxy resin composition in which an organopolysiloxane was blended with a curable epoxy resin (Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-129246), and an aromatic polymer and an organopolysiloxane. Resin composition to which a block copolymer consisting of the following has been added (Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-21417), a triphenolalkane-type epoxy resin or an epoxy resin containing the polymer as a main component, a novolak-type phenol resin or A resin-encapsulated semiconductor device containing a phenol alkane type phenol resin and an organopolysiloxane (JP-A-63
No. 226951), and proposed a low-stress epoxy resin composition to solve the problem.
【0005】しかしながら、上述した低応力化エポキシ
樹脂組成物においても、最近の益々高度化した半導体装
置の封止に対する要求を完全に満たすことは難しい。即
ち、現在においては更に半導体封止樹脂の低応力化が求
められていると共に、成形時の流動性が良く、しかも曲
げ強度や曲げ弾性率等の機械的強度、高いガラス転移温
度、耐湿性等の諸特性に優れた硬化物を与える半導体封
止用樹脂組成物の開発が望まれている。[0005] However, even with the above-mentioned epoxy resin composition having a reduced stress, it is difficult to completely satisfy the recent demands for encapsulation of semiconductor devices, which are increasingly sophisticated. That is, at present, there is a demand for further lowering the stress of the semiconductor encapsulating resin, good fluidity at the time of molding, mechanical strength such as flexural strength and flexural modulus, high glass transition temperature, moisture resistance and the like. There is a demand for the development of a resin composition for semiconductor encapsulation that gives a cured product having excellent properties.
【0006】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
流動性が良好で、しかも低応力で膨張係数が小さく、低
吸湿率で高いガラス転移温度を有し、良好な耐湿性、機
械的強度を有する硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物及
び該エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装
置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances,
Epoxy resin composition having good fluidity, low stress, low expansion coefficient, low moisture absorption, high glass transition temperature, and a cured product having good moisture resistance and mechanical strength, and the epoxy resin composition It is an object to provide a semiconductor device sealed with a cured product.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は上記
目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、(A)下記
(1)式で示されるナフタレン環を有するエポキシ樹
脂、(B)下記(2)式で示されるトリフェノールアル
カン型樹脂を主成分とする硬化剤及び(C)無機質充填
剤を含有するエポキシ樹脂組成物、及び、(A)下記
(1)式で示されるナフタレン環を有するエポキシ樹
脂、(B)置換もしくは非置換のノボラック型フェノー
ル樹脂及び/又は下記(2)式で示されるトリフェノー
ルアルカン型樹脂を主成分とする硬化剤、(C)無機質
充填剤及び(D)下記(3)式で示される有機重合体と
下記(4)式で示されるオルガノポリシロキサンとの付
加反応により得られるブロック共重合体を含有するエポ
キシ樹脂組成物が、流動性が良好で、しかも低応力で膨
張係数が小さく、吸水率が著しく少なく、高いガラス転
移温度を有し、良好な耐湿性、機械的強度、接着性を有
する硬化物を与え、このためこのエポキシ樹脂組成物は
DIP型、フラットパック型、PLCC型、SO型等の
いずれの型の半導体装置の封止にも有効に使用でき、こ
の種の半導体装置の封止用として非常に優れた特性を有
していることを知見し、本発明をなすに至った。The inventors of the present invention have conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, (A) an epoxy resin having a naphthalene ring represented by the following formula (1); (2) an epoxy resin composition containing a curing agent having a triphenolalkane-type resin represented by the formula as a main component and (C) an inorganic filler; and (A) a naphthalene ring represented by the following formula (1): (B) a curing agent mainly containing a substituted or unsubstituted novolak type phenol resin and / or a triphenolalkane type resin represented by the following formula (2), (C) an inorganic filler and (D) An epoxy resin composition containing a block copolymer obtained by an addition reaction between an organic polymer represented by the following formula (3) and an organopolysiloxane represented by the following formula (4) is flowable. Good, low stress, low coefficient of expansion, extremely low water absorption, high glass transition temperature, and gives a cured product with good moisture resistance, mechanical strength, and adhesiveness. The composition can be effectively used for sealing any type of semiconductor device such as a DIP type, a flat pack type, a PLCC type, and an SO type, and has extremely excellent characteristics for sealing this type of semiconductor device. The inventors have found that the present invention has been performed, and have accomplished the present invention.
【0008】即ち、本発明は、 (A)下記一般式(1)で示されるエポキシ樹脂、 (B)下記一般式(2)で示されるトリフェノールアル
カン型樹脂を主成分とする硬化剤、 (C)無機質充填剤を含有してなることを特徴とするエ
ポキシ樹脂組成物を提供する。また、本発明は、 (A)下記一般式(1)で示されるエポキシ樹脂、 (B)置換もしくは非置換のノボラック型フェノール樹
脂及び/又は下記一般式(2)で示されるトリフェノー
ルアルカン型樹脂を主成分とする硬化剤、 (C)無機質充填剤、 (D)下記一般式(3)で示される有機重合体と下記一
般式(4)で示されるオルガノポリシロキサンとの付加
反応により得られるブロック共重合体を含有してなるこ
とを特徴とするエポキシ樹脂組成物を提供する。更に、
本発明は、上記エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した
半導体装置を提供する。That is, the present invention provides: (A) an epoxy resin represented by the following general formula (1); (B) a curing agent mainly containing a triphenolalkane type resin represented by the following general formula (2); C) An epoxy resin composition comprising an inorganic filler is provided. Further, the present invention provides (A) an epoxy resin represented by the following general formula (1), (B) a substituted or unsubstituted novolak-type phenol resin and / or a triphenolalkane-type resin represented by the following general formula (2) (C) an inorganic filler, (D) obtained by an addition reaction of an organic polymer represented by the following general formula (3) and an organopolysiloxane represented by the following general formula (4). Provided is an epoxy resin composition comprising a block copolymer. Furthermore,
The present invention provides a semiconductor device sealed with a cured product of the above epoxy resin composition.
【0009】[0009]
【化7】 Embedded image
【0010】[0010]
【化8】 Embedded image
【0011】[0011]
【化9】 Embedded image
【0012】[0012]
【化10】 Embedded image
【0013】以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明に係るエポキシ樹脂組成物は、上述したよう
に、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)無機質
充填剤を配合してなるものである。Hereinafter, the present invention will be described in more detail. The epoxy resin composition according to the present invention contains (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, and (C) an inorganic filler, as described above. It becomes.
【0014】ここで、(A)成分のエポキシ樹脂は、下
記一般式(1)で示されるもので、ナフタレン環を有し
ているため、ガラス転移温度が高く、吸水量が少なく、
かつ優れた強靭性を有するものである。The epoxy resin (A) is represented by the following general formula (1) and has a naphthalene ring, so that it has a high glass transition temperature, a small water absorption,
It also has excellent toughness.
【0015】[0015]
【化11】 Embedded image
【0016】上記(1)式中R1は水素原子又は炭素数
1〜10のアルキル基、OGはグリシジルエーテル基、
mは0〜2の整数、nは1又は2、kは0〜3の整数で
ある。ここで、OGはナフタレン環のいずれのリングに
付加してもよく、また両リングに同時に付加してもよい
(以下、同様)。なお、R1の炭素数1〜10のアルキ
ル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、t−
ブチル基、オクチル基等が挙げられる。In the above formula (1), R 1 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, OG is a glycidyl ether group,
m is an integer of 0 to 2, n is 1 or 2, and k is an integer of 0 to 3. Here, OG may be added to any of the rings of the naphthalene ring, or may be added to both of the rings at the same time (the same applies hereinafter). As the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms of R 1, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, t-
Examples thereof include a butyl group and an octyl group.
【0017】かかる一般式(1)で示されるエポキシ樹
脂の具体例としては次の化合物を挙げることができる。Specific examples of the epoxy resin represented by the general formula (1) include the following compounds.
【0018】[0018]
【化12】 Embedded image
【0019】上記エポキシ樹脂はその1種を単独で又は
2種以上を混合して使用することができる。また、上記
エポキシ樹脂にはノボラック型エポキシ樹脂やビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂、及びこれらに塩素や臭素原子
等のハロゲン原子を導入した置換エポキシ樹脂、更に、
スチレンオキサイド、シクロヘキセンオキサイド、フェ
ニルグリシジルエーテルのモノエポキシ化合物等を併用
しても差し支えない。The above epoxy resins can be used alone or as a mixture of two or more. In addition, the epoxy resin is a novolak type epoxy resin or a bisphenol A type epoxy resin, and a substituted epoxy resin in which a halogen atom such as chlorine or bromine atom is introduced.
Mono-epoxy compounds of styrene oxide, cyclohexene oxide, phenylglycidyl ether and the like may be used in combination.
【0020】上記式(1)で示されるエポキシ樹脂の合
成は、例えばフェノール性水酸基を有するナフタレン環
含有重合体とエピクロルヒドリンとの反応等により行う
ことができる。The synthesis of the epoxy resin represented by the above formula (1) can be carried out, for example, by reacting a naphthalene ring-containing polymer having a phenolic hydroxyl group with epichlorohydrin.
【0021】(B)成分は(A)成分のエポキシ樹脂の
硬化剤として用いられるもので、トリフェノールアルカ
ン型樹脂を主成分とする。また、後述する(D)成分の
特定のブロック共重合体を配合する場合、(B)成分と
しては置換もしくは非置換のノボラック型フェノール樹
脂を主成分とするものでもよい。The component (B) is used as a curing agent for the epoxy resin of the component (A), and contains a triphenolalkane type resin as a main component. When a specific block copolymer of the component (D) described later is blended, the component (B) may be mainly composed of a substituted or unsubstituted novolak-type phenol resin.
【0022】ここで、置換もしくは非置換のノボラック
型フェノール樹脂として具体的には下記の化合物が例示
される。Here, specific examples of the substituted or unsubstituted novolak type phenol resin include the following compounds.
【0023】[0023]
【化13】 Embedded image
【0024】一方、トリフェノールアルカン型樹脂は、
下記一般式(2)で示されるものであり、具体的には下
記の化合物が例示される。On the other hand, the triphenol alkane type resin is
It is represented by the following general formula (2), and specific examples include the following compounds.
【0025】[0025]
【化14】 Embedded image
【0026】[0026]
【化15】 Embedded image
【0027】なお、(B)成分には必要に応じこれらノ
ボラック型フェノール樹脂、トリフェノールアルカン型
樹脂以外の硬化剤、例えばジアミノジフェニルメタン、
ジアミノジフェニルスルホン、メタフェニレンジアミン
等に代表されるアミン系硬化剤、無水フタル酸、無水ピ
ロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸等
の酸無水物系硬化剤等を配合することもできる。If necessary, a curing agent other than the novolak-type phenol resin and the triphenolalkane-type resin, for example, diaminodiphenylmethane, may be added to the component (B).
An amine-based curing agent represented by diaminodiphenylsulfone, metaphenylenediamine and the like, and an acid-based curing agent such as phthalic anhydride, pyromellitic anhydride and benzophenonetetracarboxylic acid can also be blended.
【0028】(B)成分の配合量は特に制限されない
が、(A)成分中に含まれるエポキシ基1モルに対して
フェノールノボラック樹脂やトリフェノールアルカン樹
脂に含まれるフェノール性OH基のモル比が0.1〜3
モル/モル、特に0.5〜1.5モル/モルであること
が好ましい。The amount of the component (B) is not particularly limited, but the molar ratio of the phenolic OH group contained in the phenol novolak resin or the triphenolalkane resin to 1 mol of the epoxy group contained in the component (A) is not limited. 0.1-3
Mol / mol, preferably 0.5 to 1.5 mol / mol.
【0029】(C)成分の無機質充填剤としては、結晶
性又は非結晶性の石英粉末が代表的に挙げられ、そのほ
かアルミナ、BN、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等も
用いることができる。なお、石英粉末の形状は、球状、
破砕状のいずれも使用できるが、半導体素子に与える局
所応力を防止するために75μm以上の粗粒を石英粉末
全体の0.3重量%以下にしたものが好ましい。また、
組成物の流動性を向上させるため、平均粒径0.4〜2
μmの球状シリカを全石英粉末100重量部中5〜20
重量部用いることが望ましい。これらの石英粉末は使用
に際しシランカップリング剤で表面処理を施すことも有
効である。この(C)成分の配合量は、(A)成分と
(B)成分の合計量100重量部に対し350〜700
重量部、特に400〜650重量部の範囲が好ましい。
この範囲より使用量が多すぎると、分散が困難となるば
かりか、加工性、低応力、耐クラック性の物性において
不利になり、一方使用量が少なすぎると膨張係数が大き
くなる場合が生じる。As the inorganic filler of the component (C), crystalline or non-crystalline quartz powder is typically exemplified, and alumina, BN, silicon nitride, aluminum nitride and the like can also be used. The shape of the quartz powder is spherical,
Any of crushed particles can be used, but it is preferable that coarse particles of 75 μm or more are reduced to 0.3% by weight or less of the entire quartz powder in order to prevent local stress applied to the semiconductor element. Also,
In order to improve the fluidity of the composition, the average particle size is 0.4 to 2
μm spherical silica in 5 to 20 parts by weight of 100 parts by weight of all quartz powder.
It is desirable to use parts by weight. It is also effective to subject these quartz powders to a surface treatment with a silane coupling agent before use. The compounding amount of the component (C) is 350 to 700 with respect to 100 parts by weight of the total amount of the components (A) and (B).
The preferred range is 400 parts by weight, especially 400 to 650 parts by weight.
If the amount is more than this range, not only the dispersion becomes difficult, but also the workability, low stress and physical properties of crack resistance become disadvantageous, while if the amount is too small, the expansion coefficient may increase.
【0030】更に、本発明のエポキシ樹脂組成物の
(D)成分は、下記式(3)で示される有機重合体と下
記式(4)で示されるオルガノポリシロキサンとの付加
反応により得られるブロック共重合体であり、この配合
により本発明のエポキシ樹脂組成物の耐クラック性等を
更に向上させることができる。Further, the component (D) of the epoxy resin composition of the present invention comprises a block obtained by an addition reaction of an organic polymer represented by the following formula (3) and an organopolysiloxane represented by the following formula (4). The epoxy resin composition of the present invention can further improve the crack resistance and the like of the epoxy resin composition of the present invention.
【0031】これを説明すると、(D)成分のブロック
共重合体を構成する有機重合体は下記一般式(3)で示
されるものである。To explain this, the organic polymer constituting the block copolymer of the component (D) is represented by the following general formula (3).
【0032】[0032]
【化16】 Embedded image
【0033】ここで、式中Aは−OH基、−OG基、及
びアルケニル基を含有する炭素数1〜10の有機基から
選ばれる同種又は異種の基であり、Aはナフタレン環の
いずれのリングに付加しても良く、また両リングに同時
に付加してもよい(以下同様)。R1、−OG、m、n
及びkは上記と同様の意味を示す。In the formula, A is the same or different group selected from an organic group having 1 to 10 carbon atoms containing an —OH group, an —OG group, and an alkenyl group, and A is any of naphthalene rings. It may be added to a ring, or may be added to both rings simultaneously (the same applies hereinafter). R 1 , —OG, m, n
And k have the same meaning as described above.
【0034】なお、アルケニル基を含有する炭素数1〜
10の有機基としては、ビニル基、アリル基或いはこれ
らの基を含有する−OCH2C(OH)HCH2OCH
2CH=CH2等が挙げられるが、オルガノハイドロジ
ェンポリシロキサンの≡SiH基と付加反応が可能なも
のであればいずれのものでもよい。The alkenyl group contains 1 to 1 carbon atoms.
Examples of the organic group No. 10 include a vinyl group, an allyl group and —OCH 2 C (OH) HCH 2 OCH containing these groups.
2 CH = CH 2 and the like, but may be any as long as it can be an addition reaction with the ≡SiH group of the organohydrogenpolysiloxane.
【0035】この式(3)で示される有機重合体として
具体的には次の化合物を例示することができる。Specific examples of the organic polymer represented by the formula (3) include the following compounds.
【0036】[0036]
【化17】 Embedded image
【0037】[0037]
【化18】 Embedded image
【0038】以上の化合物において、ナフタレン環に付
加した置換基はいずれもナフタレン環の内側のリングに
付加していることが好ましい。In the above compounds, it is preferable that any substituent added to the naphthalene ring is added to the inner ring of the naphthalene ring.
【0039】一方、オルガノポリシロキサンとしては下
記一般式(4)で示されるものを用いる。On the other hand, an organopolysiloxane represented by the following general formula (4) is used.
【0040】[0040]
【化19】 Embedded image
【0041】ここで、式中R2は水素原子又は−(CH
2)p−NH2(pは0〜5の整数、R3は一価の有機
基、a、bは0.001≦a≦1、1≦b<3、1.0
01≦a+b≦3を満足する正数てあり、1分子中に少
なくとも1個の≡SiH基又は≡Si(CH2)pNH
2を有する。なお、R3の一価の有機基としては、水酸
基或いは炭素数1〜10のものが好ましく、メチル基、
エチル基、ビニル基、フェニル基、ベンジル基等の一価
炭化水素基、クロロプロピル基、クロロメチル基、グリ
シジルプロピル基等の置換一価炭化水素基、及びメトキ
シ基、エトキシ基などのアルコキシ基、更にイソプロペ
ニルオキシ基、イソブテニルオキシ基等のアルケニルオ
キシ基より選ばれる同種又は異種の基が挙げられる。Here, R 2 is a hydrogen atom or — (CH
2 ) p- NH 2 (p is an integer of 0 to 5, R 3 is a monovalent organic group, a and b are 0.001 ≦ a ≦ 1, 1 ≦ b <3, 1.0
A positive number satisfying 01 ≦ a + b ≦ 3, and at least one ≡SiH group or ≡Si (CH 2 ) p NH in one molecule
2 In addition, as a monovalent organic group of R 3 , a hydroxyl group or a group having 1 to 10 carbon atoms is preferable, and a methyl group,
Ethyl group, vinyl group, phenyl group, monovalent hydrocarbon group such as benzyl group, chloropropyl group, chloromethyl group, substituted monovalent hydrocarbon group such as glycidylpropyl group, and methoxy group, alkoxy group such as ethoxy group, Further, there may be mentioned the same or different groups selected from alkenyloxy groups such as isopropenyloxy group and isobutenyloxy group.
【0042】この場合、(4)式のオルガノポリシロキ
サンにおいて、R2が水素原子である≡SiH基を有す
るオルガノハイドロジエンポリシロキサンとしては、特
に両末端ハイドロジェンメチルポリシロキサン、両末端
ハイドロジェンメチル・(2−トリメトキシシリルエチ
ル)ポリシロキサンが好適に用いられ、具体的には下記
の如き化合物が挙げられる。In this case, in the organopolysiloxane of the formula (4), as the organohydrogenpolysiloxane having a ≡SiH group in which R 2 is a hydrogen atom, particularly, both-end hydrogenmethylpolysiloxane and both-end hydrogenmethylmethyl -(2-trimethoxysilylethyl) polysiloxane is preferably used, and specific examples include the following compounds.
【0043】[0043]
【化20】 Embedded image
【0044】また、(4)式のオルガノポリシロキサン
において、R2が−(CH2)p−NH2基である≡S
i−(CH2)p−NH2基を有するオルガノポリシロ
キサンとしては、具体的に下記の如き化合物が挙げられ
る。In the organopolysiloxane of the formula (4), R 2 is — (CH 2 ) p —NH 2 group.
Specific examples of the organopolysiloxane having an i- (CH 2 ) p —NH 2 group include the following compounds.
【0045】[0045]
【化21】 Embedded image
【0046】この(D)成分のブロック共重合体は、上
記アルケニル基を有する有機重合体と≡SiH基を有す
るオルガノポリシロキサンとの付加反応、或いはエポキ
シ基を有する有機重合体と−(CH2)p−NH2基を
有するオルガノポリシロキサンとの付加反応により得る
ことができる。The block copolymer of the component (D) is obtained by an addition reaction of the above-mentioned organic polymer having an alkenyl group with an organopolysiloxane having a ≡SiH group, or an organic polymer having an epoxy group and-(CH 2 ) It can be obtained by an addition reaction with an organopolysiloxane having a p- NH 2 group.
【0047】これらの付加反応は従来公知の方法を採用
して行うことができる。例えばアルケニル基と≡SiH
基との付加反応の場合、ベンゼン、トルエン、メチルイ
ソブチルケトンの如き不活性溶剤中で従来公知の付加触
媒、例えば塩化白金酸のような白金系触媒の存在下で6
0〜120℃に加熱して反応させることによって行うこ
とができる。この場合、付加反応に際しては、アルケニ
ル基/≡SiH基のモル比を1以上、好ましくは1.5
〜10とすることが好ましい。また、エポキシ基と−
(CH2)p−NH2基との反応は、例えば無溶剤或い
はトルエン、メチルイソブチルケトンの如き不活性溶剤
中で60〜170℃に加熱して行うことができる。These addition reactions can be carried out by employing a conventionally known method. For example, an alkenyl group and ≡SiH
In the case of an addition reaction with a group, the reaction is carried out in an inert solvent such as benzene, toluene or methyl isobutyl ketone in the presence of a conventionally known addition catalyst, for example, a platinum-based catalyst such as chloroplatinic acid.
The reaction can be carried out by heating to 0 to 120 ° C. to cause a reaction. In this case, during the addition reaction, the molar ratio of alkenyl group / ≡SiH group is 1 or more, preferably 1.5
It is preferably set to 10 to 10. In addition, the epoxy group and-
(CH 2) reaction with p -NH 2 group, for example a solventless or toluene, can be carried out by heating to 60 to 170 ° C. in an inert solvent such as methyl isobutyl ketone.
【0048】この(D)成分のブロック共重合体の配合
量は、その1種を単独で又は2種以上を併用して(A)
成分と(B)成分との合計量100重量部当たり2〜5
0重量部の範囲とすることが好ましい。ブロック共重合
体の使用量が2重量部より少ない場合には耐クラック性
向上効果が十分達成され得ない場合があり、また、50
重量部を越える場合には、機械的な強度が低下する場合
がある。The amount of the component (D) block copolymer to be used may be one kind alone or two or more kinds in combination (A)
2 to 5 per 100 parts by weight of the total amount of the component and the component (B)
It is preferably in the range of 0 parts by weight. If the amount of the block copolymer is less than 2 parts by weight, the effect of improving crack resistance may not be sufficiently achieved, and 50
When the amount exceeds the weight part, the mechanical strength may be reduced.
【0049】なお、上記(A)成分、(B)成分及び
(D)成分に含まれるエポキシ基の量(aモル)とフェ
ノール性水酸基の量(bモル)の比はa/b=0.5〜
1.5の範囲にあることが望ましく、a/bが上記範囲
外にあると、硬化性、低応力性等の物性において不利に
なる場合がある。The ratio of the amount of epoxy group (a mol) and the amount of phenolic hydroxyl group (b mol) contained in the components (A), (B) and (D) is a / b = 0. 5-
It is desirable to be in the range of 1.5, and if a / b is outside the above range, it may be disadvantageous in physical properties such as curability and low stress.
【0050】本発明のエポキシ樹脂組成物には硬化触媒
を配合することができる。この硬化触媒としてはイミダ
ゾール化合物、三級アミン化合物、リン系化合物等が例
示されるが、耐湿性、接着性を向上させるため、1,8
−ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデセン−7とトリ
フェニルフォスフィンとを重量比で0:1〜1:1、好
ましくは0.01:1〜0.5:1の範囲で使用する併
用触媒とすることが好ましい。1,8−ジアザビシクロ
(5.4.0)ウンデセン−7の比率が上記範囲より高
くなるとガラス転移温度が低くなる場合がある。上記併
用触媒の添加量は特に限定されないが、(A)成分と
(B)成分の合計量100重量部に対して0.2〜2重
量部、特に0.4〜1.2重量部とすることが望まし
い。The epoxy resin composition of the present invention may contain a curing catalyst. Examples of the curing catalyst include an imidazole compound, a tertiary amine compound, and a phosphorus-based compound.
A combined catalyst using diazabicyclo (5.4.0) undecene-7 and triphenylphosphine in a weight ratio of 0: 1 to 1: 1, preferably 0.01: 1 to 0.5: 1 It is preferable that If the ratio of 1,8-diazabicyclo (5.4.0) undecene-7 is higher than the above range, the glass transition temperature may decrease. The addition amount of the combined catalyst is not particularly limited, but is 0.2 to 2 parts by weight, particularly 0.4 to 1.2 parts by weight based on 100 parts by weight of the total of the components (A) and (B). It is desirable.
【0051】本発明の組成物には、更に必要により各種
の添加剤を添加することができる。例えば反応性又は非
反応性の熱可塑性エラストマー、シリコーンゲル、シリ
コーンゴム、シリコーンオイル等の低応力化剤、ワック
ス類、ステアリン酸等の脂肪酸及びその金属塩等の離型
剤、カーボンブラック等の顔料、難燃化剤、表面処理剤
(γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等)、
エポキシシラン、ビニルシラン、ほう素化合物、アルキ
ルチタネート等のカップリング剤、老化防止剤、その他
の添加剤の1種又は2種以上を配合することができる。Various additives can be further added to the composition of the present invention, if necessary. For example, reactive or non-reactive thermoplastic elastomers, low stress agents such as silicone gel, silicone rubber, silicone oil, waxes, release agents such as fatty acids such as stearic acid and metal salts thereof, and pigments such as carbon black , Flame retardants, surface treatment agents (γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, etc.),
One or more of coupling agents such as epoxy silane, vinyl silane, boron compound, and alkyl titanate, an antioxidant, and other additives can be blended.
【0052】本発明のエポキシ樹脂組成物は、その製造
に際し上述した成分の所定量を均一に撹拌、混合し、予
め70〜95℃に加熱してあるニーダー、ロール、エク
ストルーダー等により混練、冷却し、粉砕する等の方法
で得ることができる。ここで、成分の配合順序に特に制
限はない。In the production of the epoxy resin composition of the present invention, predetermined amounts of the above-mentioned components are uniformly stirred and mixed in the production thereof, and kneaded and cooled by a kneader, roll, extruder or the like which has been heated to 70 to 95 ° C. And pulverized. Here, there is no particular limitation on the order of compounding the components.
【0053】かくして得られる本発明の組成物はDIP
型、フラットパック型、PLCC型、SO型等の半導体
装置の封止用に有効に使用でき、この場合、成形は従来
より採用されている成形法、例えばトランスファ成形、
インジェクション成形、注型法等を採用して行うことが
できる。なお、エポキシ樹脂組成物の成形温度は150
〜180℃、ポストキュアーは150〜180℃で2〜
16時間行うことが好ましい。The composition of the present invention thus obtained is DIP
Mold, flat-pack mold, PLCC mold, SO mold, etc., can be effectively used for sealing, and in this case, molding is performed by a conventionally used molding method, for example, transfer molding,
Injection molding, casting and the like can be employed. The molding temperature of the epoxy resin composition was 150
~ 180 ℃, post cure at 150 ~ 180 ℃
It is preferably performed for 16 hours.
【0054】[0054]
【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。なお、以下の例において部はいずれも重量
部である。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples. In the following examples, all parts are parts by weight.
【0055】[実施例、比較例] 表1に示す成分に加え、硬化触媒を0.6部、トリフェ
ニルフォスフィンを0.5部、Sb2O3を8部、カー
ボンブラックを1.5部、カルナバワックスを1部、γ
−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを3部添加
したものを熱二本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、
粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。なお、表2に使用
したエポキシ樹脂を示し、表3に硬化剤を示す。Examples and Comparative Examples In addition to the components shown in Table 1, 0.6 part of a curing catalyst, 0.5 part of triphenylphosphine, 8 parts of Sb 2 O 3 and 1.5 parts of carbon black Parts, 1 part of carnauba wax, γ
-Melting and mixing uniformly 3 parts of glycidoxypropyltrimethoxysilane with a hot double roll, cooling,
This was crushed to obtain an epoxy resin composition. Table 2 shows the epoxy resins used, and Table 3 shows the curing agents.
【0056】これらの組成物につき、次の(イ)〜
(リ)の諸試験を行った。結果を表1に併記する。 (イ)スパイラルフロー値 EMMI規格に準じた金型を使用して、180℃、70
kg/cm2の条件で測定した。 (ロ)機械的強度(曲げ強度及び曲げ弾性率) JIS−K6911に準じて180℃、70kg/cm
2、成形時間2分の条件で10×4×100mmの抗折
棒を成形し、180℃で4時間ポストキュアーしたもの
について測定した。 (ハ)膨張係数、ガラス転移温度 直径4mm×15mmの試験片を用いて、ディラトメー
ターにより毎分5℃の速さで昇温した時の値を測定し
た。 (ニ)耐クラック性 9.0×4.5×0.5mmの大きさのシリコンチップ
を14PIN−ICフレーム(42アロイ)に接着し、
これにエポキシ樹脂組成物を成形条件180℃×2分で
成形し、180℃で4時間ポストキュアーした後、−1
96℃×1分〜260℃×30秒の熱サイクルを繰り返
して加え、300サイクル後の樹脂クラック発生率を測
定した(測定数=50)。 (ホ)吸湿半田後の耐クラック性(I) 8.0×10.0×0.5mmの大きさのシリコンチッ
プを10×14×2.3mmの大きさのフラットパッケ
ージに接着し、これにエポキシ樹脂組成物を成形条件1
80℃×2分で成形し、180℃で4時間ポストキュア
ーした。これを85℃/85%RHの雰囲気中に72時
間放置した後、温度240℃の半田浴に浸漬し、パッケ
ージクラックが発生するまでの時間(秒)を測定した。 (ヘ)吸湿半田後の耐クラック性(II) 2×4×0.4mmの大きさのシリコンチップを4×1
2×1.8mmのSOパッケージに接着し、これにエポ
キシ樹脂組成物を成形条件175℃×2分で成形し、1
80℃で4時間ポストキュアーした。これを85℃/8
5%RHの雰囲気中に72時間放置した後、温度260
℃の半田浴に浸漬した。次に、このパッケージを解体
し、内部クラックの発生の有無を光学顕微鏡で観察し
た。内部クラックが発生した状態を図1に示す。なお、
図中1はシリコンチップ、2はフレーム、3は封止樹
脂、4はクラックである。 (ト)接着性 図2に示すパッケージを成形条件175℃×2分で成形
し、180℃で4時間ポストキュアーした後、フレーム
(材質:42アロイ、厚さ:0.25mm)の引き抜き
力を測定した。なお、図2において、5はフレーム、6
は封止樹脂である。また、寸法はmmである。 (チ)耐湿性 9.0×4.5×0.5mmの大きさのシリコンチップ
を20PINのPLCCフレームに接着し、これにエポ
キシ樹脂組成物を成形条件180℃×2分で成形し、1
80℃で4時間ポストキュアーした。これを130℃/
85%RHの雰囲気中に放置し、20Vのバイアスを印
加して100時間後のアルミニウム腐食による不良率を
測定した。 (リ)吸水率 180℃、70kg/cm2、成形時間2分の条件で直
径50mm×2mmの円板を成形し、180℃で4時間
ポストキュアーしたものを121℃/100%PCT中
に24時間放置し、吸水率を測定した。With respect to these compositions, the following (A) to (A)
Various tests of (i) were performed. The results are also shown in Table 1. (A) Spiral flow value 180 ° C., 70 ° C. using a mold conforming to the EMMI standard
It was measured under the condition of kg / cm 2 . (B) Mechanical strength (flexural strength and flexural modulus) 180 ° C, 70 kg / cm according to JIS-K6911
2. A bending rod of 10 × 4 × 100 mm was formed under the condition of a molding time of 2 minutes, and post-cured at 180 ° C. for 4 hours. (C) Expansion coefficient, glass transition temperature Using a test piece having a diameter of 4 mm x 15 mm, the value when the temperature was increased at a rate of 5 ° C per minute by a dilatometer was measured. (D) Crack resistance A silicon chip having a size of 9.0 × 4.5 × 0.5 mm is bonded to a 14 PIN-IC frame (42 alloy).
The epoxy resin composition was molded thereon under the molding conditions of 180 ° C. × 2 minutes, and post-cured at 180 ° C. for 4 hours.
A heat cycle of 96 ° C. × 1 minute to 260 ° C. × 30 seconds was repeatedly applied, and the resin cracking rate after 300 cycles was measured (measured number = 50). (E) Crack resistance after moisture-absorbing solder (I) A silicon chip having a size of 8.0 × 10.0 × 0.5 mm was bonded to a flat package having a size of 10 × 14 × 2.3 mm, and was bonded thereto. Molding condition 1 for epoxy resin composition
It was molded at 80 ° C. for 2 minutes and post-cured at 180 ° C. for 4 hours. This was left in an atmosphere of 85 ° C./85% RH for 72 hours, immersed in a solder bath at a temperature of 240 ° C., and the time (sec) until a package crack occurred was measured. (F) Crack resistance after moisture absorption soldering (II) A silicon chip having a size of 2 × 4 × 0.4 mm was 4 × 1
It was adhered to a 2 × 1.8 mm SO package, and the epoxy resin composition was molded thereon under molding conditions of 175 ° C. × 2 minutes.
Post-curing was performed at 80 ° C. for 4 hours. 85 ℃ / 8
After standing in an atmosphere of 5% RH for 72 hours,
C. in a solder bath. Next, this package was disassembled, and the occurrence of internal cracks was observed with an optical microscope. FIG. 1 shows a state in which an internal crack has occurred. In addition,
In the figure, 1 is a silicon chip, 2 is a frame, 3 is a sealing resin, and 4 is a crack. (G) Adhesiveness The package shown in FIG. 2 was molded under molding conditions of 175 ° C. × 2 minutes, post-cured at 180 ° C. for 4 hours, and then pulled out of a frame (material: 42 alloy, thickness: 0.25 mm). It was measured. In addition, in FIG. 2, 5 is a frame, 6
Is a sealing resin. The dimensions are mm. (H) Moisture resistance A silicon chip having a size of 9.0 × 4.5 × 0.5 mm was bonded to a 20-pin PLCC frame, and an epoxy resin composition was formed thereon under molding conditions of 180 ° C. × 2 minutes.
Post-curing was performed at 80 ° C. for 4 hours. 130 ° C /
It was left in an atmosphere of 85% RH, a bias of 20 V was applied, and the defect rate due to aluminum corrosion after 100 hours was measured. (I) A disk having a diameter of 50 mm × 2 mm was formed under the conditions of a water absorption of 180 ° C., 70 kg / cm 2 and a forming time of 2 minutes, and was post-cured at 180 ° C. for 4 hours. It was left for a while, and the water absorption was measured.
【0057】[0057]
【表1】 [Table 1]
【0058】[0058]
【表2】 [Table 2]
【0059】[0059]
【表3】 [Table 3]
【0060】[0060]
【化22】 Embedded image
【0061】[0061]
【化23】 Embedded image
【0062】硬化触媒 1,8−ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデセン−7
とフェノールノボラック樹脂(TD2131、大日本イ
ンキ社製)とを20/80重量比の割合で130℃×3
0分加熱溶融混合した後、50μm以下に微粉砕したも
の。石英粉末(1) 比表面積1.4m2/g、平均粒径15μmの溶融球状
シリカ(75μm以上の粗粒0.1%以下)石英粉末(2) 比表面積2.5m2/g、平均粒径10μmの溶融破砕
シリカ(75μm以上の粗粒0.1%)石英粉末(3) 比表面積10m2/g、平均粒径1.0μmの溶融球状
シリカ石英粉末(4) 比表面積1.0m2/g、平均粒径30μmの球状シリ
カ(75μm以上の粗粒0.1%)と比表面積3.2m
2/g、平均粒径8μmの破砕シリカ(75μm以上の
粗粒0.1%)と、上記石英粉末(3)とを70:2
0:10重量部の割合で混合したものをγ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン0.60重量%で表面処
理した溶融シリカ Curing catalyst 1,8-diazabicyclo (5.4.0) undecene-7
And a phenol novolak resin (TD2131, manufactured by Dainippon Ink) at a ratio of 20/80 weight ratio at 130 ° C. × 3.
Heat-mixed for 0 minutes, then finely pulverized to 50 μm or less. Quartz powder (1) fused spherical silica having a specific surface area of 1.4 m 2 / g and an average particle size of 15 μm (coarse particles of 75 μm or more and 0.1% or less) quartz powder (2) specific surface area of 2.5 m 2 / g and average particles Fused crushed silica having a diameter of 10 μm (coarse grains having a particle size of 75 μm or more: 0.1%) quartz powder (3) fused spherical silica quartz powder having a specific surface area of 10 m 2 / g and an average particle diameter of 1.0 μm (4) specific surface area of 1.0 m 2 / G, spherical silica having an average particle size of 30 μm (coarse particles having a particle size of 75 μm or more: 0.1%) and a specific surface area of 3.2 m
2 / g, crushed silica having an average particle size of 8 μm (coarse particles having a particle size of 75 μm or more: 0.1%) and the above quartz powder (3) were mixed in a ratio of 70: 2
Fused silica surface-treated with a mixture of 0:10 parts by weight and treated with 0.60% by weight of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane
【0063】表1の結果より、本発明にかかる組成物は
流動性が良く、ガラス転移温度(Tg)が高く、吸湿半
田後の耐クラック性(I及びII)に優れ、接着力が強
く、吸水率が少ない硬化物を与えることが認められる。From the results shown in Table 1, the composition according to the present invention has good fluidity, high glass transition temperature (Tg), excellent crack resistance (I and II) after moisture absorption soldering, strong adhesive strength, It is recognized that a cured product having a low water absorption is given.
【0064】[0064]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のエポキシ
樹脂組成物は、上述した成分の組み合わせとしたことに
より、流動性が良好で、しかも低応力で線膨張係数が小
さく、低吸湿率で高いガラス転移温度を有し、良好な耐
湿性、機械的強度を有する硬化物を得ることができるも
のであり、このため本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化
物で封止された半導体装置は信頼性に優れたものであ
る。As described above, the epoxy resin composition of the present invention has good fluidity, low stress, low linear expansion coefficient, and low moisture absorption by using the above-mentioned components in combination. It is possible to obtain a cured product having a high glass transition temperature and good moisture resistance and mechanical strength. Therefore, a semiconductor device sealed with the cured product of the epoxy resin composition of the present invention is reliable. It has excellent properties.
【図1】吸湿半田後の耐クラック性(II)試験で使用
したSOパッケージにクラックが生じた状態を示す断面
図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a state in which cracks have occurred in an SO package used in a crack resistance (II) test after moisture absorption soldering.
【図2】接着性試験で使用したパッケージを示す斜視図
である。FIG. 2 is a perspective view showing a package used in an adhesion test.
【符号の説明】 1 シリコンチップ 2 フレーム 3 封止樹脂 4 クラック[Description of Signs] 1 silicon chip 2 frame 3 sealing resin 4 crack
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−258830(JP,A) 特開 平2−189326(JP,A) 特開 昭63−227621(JP,A) 特開 平4−155939(JP,A) ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-2-258830 (JP, A) JP-A-2-189326 (JP, A) JP-A-63-227621 (JP, A) JP-A-4- 155939 (JP, A)
Claims (3)
る硬化剤、 (C)無機質充填剤 を含有してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。(A) The following general formula (1): (B) an epoxy resin represented by the following general formula (2): An epoxy resin composition comprising: a curing agent mainly containing a triphenolalkane-type resin represented by the formula: (C) an inorganic filler.
脂及び/又は下記一般式(2) 【化4】 で示されるトリフェノールアルカン型樹脂を主成分とす
る硬化剤、 (C)無機質充填剤、 (D)下記一般式(3) 【化5】 で示される有機重合体と下記一般式(4) 【化6】 で示されるオルガノポリシロキサンとの付加反応により
得られるブロック共重合体を含有してなることを特徴と
するエポキシ樹脂組成物。(A) The following general formula (1): (B) a substituted or unsubstituted novolak phenol resin and / or the following general formula (2): A curing agent containing a triphenol alkane resin as a main component, (C) an inorganic filler, and (D) a general formula (3) shown below. And an organic polymer represented by the following general formula (4): An epoxy resin composition comprising a block copolymer obtained by an addition reaction with an organopolysiloxane represented by the formula:
物の硬化物で封止された半導体装置。3. A semiconductor device sealed with a cured product of the epoxy resin composition according to claim 1.
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