JP2575817Y2 - Cable outer semiconductive layer cutting tool - Google Patents
Cable outer semiconductive layer cutting toolInfo
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- JP2575817Y2 JP2575817Y2 JP1991100696U JP10069691U JP2575817Y2 JP 2575817 Y2 JP2575817 Y2 JP 2575817Y2 JP 1991100696 U JP1991100696 U JP 1991100696U JP 10069691 U JP10069691 U JP 10069691U JP 2575817 Y2 JP2575817 Y2 JP 2575817Y2
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本考案は、ケーブル外部半導電層
切削工具に関し、特に、ケーブルの長さ方向に工具を移
動させながら、外部半導電層を薄く削り取りながら除去
する工具に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cable outer semiconductive layer cutting tool, and more particularly to a tool for removing a thin outer semiconductive layer while moving the tool in the length direction of the cable.
【０００２】[0002]
【従来の技術】電力の供給用に用いられるＣＶケーブル
等においては、導体の周囲を被覆する絶縁体と、内部、
外部半導電層の３つの層を同時に押出して成形し、被覆
層を形成している。そして、前述したような被覆層を形
成することによって、各層間の密着を良好に設定し、ケ
ーブルの性能を発揮させることができるようにされる。
ところが、前述したような被覆層を持つケーブルでは、
そのケーブルの終端部の処理や、接続部の処理を行う際
に、外部半導電層の削り取り作業が困難であるという問
題がある。そこで、前記ケーブルの接続処理を行う場合
には、ガラスの破片等のエッジ部を用いて、手作業で外
部半導電層の削り取り作業を行っていることが多い。そ
の作業を行う場合に、作業員は、適当なガラスの破片を
見付けて、そのエッジをケーブルの表面に突き立てるよ
うにして、外部半導電層を擦り取るような作業を行っ
て、外部半導電層を所定の範囲除去するようにしてい
る。2. Description of the Related Art In a CV cable or the like used for supplying electric power, an insulator covering the periphery of a conductor,
The three layers of the outer semiconductive layer are simultaneously extruded and formed to form a coating layer. By forming the above-mentioned coating layer, the adhesion between the layers is set well, and the performance of the cable can be exhibited.
However, in a cable having a coating layer as described above,
There is a problem that it is difficult to cut off the external semiconductive layer when processing the end portion of the cable or processing the connection portion. Therefore, when performing the connection process of the cable, the external semiconductive layer is often manually cut off using an edge portion such as a piece of glass. When performing the work, the worker finds a suitable piece of glass, pushes its edge against the surface of the cable, scrapes the outer semiconductive layer, and performs the work. Is removed in a predetermined range.
【０００３】また、前述したように、ガラスの破片を用
いる作業では、勘に頼るという作業性から、常に削り過
ぎの危険が伴い、削り取り厚さも手加減で異なり、一定
厚さとすることが甚だ困難で、相当の熟練を要する作業
であった。このため、表面の仕上がり状態は、作業員の
巧拙により左右され、仕上がりが悪い場合には、表面が
さざ波状になり、以後のペーパ掛け作業に支障を来たす
ことになる。Further, as described above, in the operation using broken glass, there is always the danger of excessive shaving due to the workability of relying on intuition, and the shaved thickness also varies with care, and it is extremely difficult to achieve a constant thickness. It was an operation requiring considerable skill. For this reason, the finished state of the surface is affected by the skill of the worker, and if the finished state is poor, the surface becomes rippled, which hinders the subsequent paper applying operation.
【０００４】また、ガラス破片による作業は見映えが良
くないこと、および、安全上の問題もあることから、こ
れに代えて、ナイフ等の工具を用いることも行われてい
る。しかし、ナイフのような工具を用いる場合には、そ
のナイフの刃先が絶縁層に食い込んで、その絶縁層の表
面を損傷したりすることがあり、絶縁層の表面が荒れた
状態では、ケーブルの電界が乱れるという問題が発生す
る。そこで、前述したような能率の良くない作業をなく
すために、特開平３−１９８６０９号公報に示されるよ
うな装置を用いることが考えられる。前記従来例の装置
では、略Ｌ字状のアーム部材と、その２つのアーム部材
の交差部の近傍に支持される切削刃物と、アーム部材の
端部に支持され、ケーブルの表面に押圧されるローラ部
材とから構成されている。そして、前記切削刃物をケー
ブルの周囲に回転させながら、外部半導電層を削り取る
作業を行うようにする。[0004] In addition, since work with glass shards is not good-looking and has safety problems, tools such as knives have been used instead. However, when a tool such as a knife is used, the blade edge of the knife may cut into the insulating layer and damage the surface of the insulating layer. The problem that the electric field is disturbed occurs. Then, in order to eliminate the inefficient work as described above, it is conceivable to use an apparatus as disclosed in JP-A-3-198609. In the above-described conventional apparatus, a substantially L-shaped arm member, a cutting blade supported near an intersection of the two arm members, and an end of the arm member are pressed against the surface of the cable. And a roller member. Then, while rotating the cutting blade around the cable, an operation of scraping the external semiconductive layer is performed.
【０００５】[0005]
【考案が解決しようとする課題】ところが、前述したよ
うな外部半導電層の除去装置では、切削工具が大型のも
のになることの他に、ケーブルの周囲に回転させる状態
で削り取り作業を行うために、作業能率が悪く、また、
刃物がケーブル中心と同心円状に回転しないと、部分的
に剥離できない部分が生じる。前記工具を同心円状に回
転できない原因としては、ローラの位置精度が悪い場合
や、ケーブルが公差内で非真円化している場合である。However, in the above-described apparatus for removing an external semiconductive layer, the cutting tool is not only large, but also performs a cutting operation while rotating around a cable. Work efficiency is poor,
If the blade does not rotate concentrically with the center of the cable, some parts cannot be peeled off. The causes of the inability to rotate the tool concentrically include a case where the position accuracy of the roller is poor and a case where the cable is out of round within the tolerance.
【０００６】そこで、比較的薄い外部半導電層を設けた
ケーブルに対して、実公平３−４３７９７号公報等に示
されるように、サンドペーパーを用いて外部半導電層を
除去することにより、作業性を向上させることが提案さ
れている。前記サンドペーパーを用いる装置では、無端
状のサンドペーパーをケーブルの周囲に巻き掛け、モー
タにより駆動しながら押圧して外部半導電層を除去する
機構を用いており、作業員の熟練等を必要とせずに、容
易に外部半導電層を削り取ることができる。Therefore, as shown in Japanese Utility Model Publication No. 3-43797, the external semiconductive layer is removed from the cable provided with the relatively thin external semiconductive layer by using sandpaper to remove the work. It has been proposed to improve the performance. In the apparatus using the sandpaper, a mechanism is used in which an endless sandpaper is wound around a cable, and is pressed while being driven by a motor to remove the external semiconductive layer. Without removing the outer semiconductive layer.
【０００７】しかし、前述したように、サンドペーパー
を用いる装置では、装置が大型になるという問題は避け
られないものであり、その装置の取り扱いと移動等に難
点がある。また、サンドペーパーで外部半導電層を除去
すると、研磨粉が絶縁体に食い込む可能性は否定できな
い。因みに、切削用サンドペーパーには、１２０番程度
の粒子の大きさのものが適用されているため、研磨粉も
それだけ大きいものであり、絶縁層に食い込み易いもの
である。このように、半導電層を研磨する際に用いる研
磨粉が絶縁体表面に食い込むと、電気特性を著しく悪く
するという不具合がある。However, as described above, in a device using sandpaper, the problem that the device becomes large is inevitable, and there is a problem in handling and moving the device. In addition, if the external semiconductive layer is removed with sandpaper, the possibility that the abrasive powder digs into the insulator cannot be denied. Incidentally, since the cutting sandpaper has a particle size of about 120 or so, the abrasive powder is also large and is likely to bite into the insulating layer. As described above, when the polishing powder used for polishing the semiconductive layer bites into the surface of the insulator, there is a problem that electrical characteristics are significantly deteriorated.
【０００８】前述したように、ケーブルの円周方向に駆
動される部材を用いて、外部半導電層の除去作業を行う
装置の他に、例えば、実公昭５５−３５８５２号公報に
示されるような切削刃物を用い、該切削刃物をケーブル
の長さ方向に移動させるようにして、外部半導電層を削
り取るような方式を用いることも考えられている。そし
て、前記ケーブルの長さ方向に切削刃物を移動させなが
ら、外部半導電層を削り取る装置では、比較的構造が簡
単であり、作業性も良いという利点を発揮させることが
できる。As described above, in addition to the apparatus for removing the outer semiconductive layer using the member driven in the circumferential direction of the cable, for example, as disclosed in Japanese Utility Model Publication No. 55-35852. It has also been considered to use a method in which a cutting blade is used and the cutting blade is moved in the length direction of the cable so as to cut off the outer semiconductive layer. The device for shaving the external semiconductive layer while moving the cutting tool in the length direction of the cable can exhibit advantages of relatively simple structure and good workability.
【０００９】ところが、前記従来例のように、鉋のよう
な切削刃物を用いて外部半導電層の切削を行う装置で
は、ケーブルの外周に一致するように、円弧状のガイド
部材を用いているために、ケーブルの径が異なるものに
対しては、作業性が良くないという問題がある。また、
前記鉋のような切削刃物を用いて、外部半導電層の切削
を行う切削工具では、ケーブルに摺動する部材が比較的
大型になるために、持ち運び等にも難点があり、操作性
の点でも解決を要する問題がある。However, in the apparatus for cutting the outer semiconductive layer using a cutting tool such as a plane as in the conventional example, an arc-shaped guide member is used so as to coincide with the outer periphery of the cable. Therefore, there is a problem that workability is not good for cables having different diameters. Also,
With a cutting tool that cuts the outer semiconductive layer using a cutting tool such as the plane, the member that slides on the cable is relatively large, so there is a difficulty in carrying, etc. But there are problems that need to be resolved.
【００１０】[0010]
【考案の目的】本考案は、前述したような外部半導電層
を切削除去する切削工具の問題を解決するもので、鉋の
ような切削刃を用い、ケーブルの長さ方向に移動させな
がら、外部半導電層を薄く切削して除去する装置を構成
し、装置の構成を簡素化できるとともに、外部半導電層
の削り取り厚さを任意に調整できるような切削工具を提
供することを目的としている。The purpose of the present invention is to solve the problem of the cutting tool for cutting and removing the outer semiconductive layer as described above, using a cutting blade such as a plane while moving the cable in the length direction of the cable. It is an object of the present invention to provide a cutting tool capable of simplifying the configuration of an apparatus for thinly cutting and removing an external semiconductive layer, and also capable of arbitrarily adjusting the shaved thickness of the external semiconductive layer. .
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段および作用】本考案は、ケ
ーブル表面に押圧しつつケーブルの長手方向に摺動移動
させることにより、ケーブル外部半導電層を薄い層状に
削り取って除去する鉋状の切削工具に関する。本考案の
請求項１の考案は、両端にハンドル部を備えた本体バー
１１と、前記本体バー１１の長さ方向の中央部に配置し
た切削刃支持部２０と、前記本体バー１１上の切削刃支
持部２０を挟む両側位置に、削り取りすべきケーブルの
軸心に平行となるように配置した２個の棒状ガイド部材
１５、１６とからなり、前記棒状のガイド部材１５、１
６を切削すべきケーブル外部半導電層部分に押し当て、
前記切削刃支持部２０にケーブル外部半導電層への食い
込み深さを調節自在に設けた切削刃２５により切削する
構成としたことを特徴とする。請求項２の考案は、前記
本体バー１１上には、前記ガイド部材１５、１６の取り
付け間隔を適宜設定する複数個の取付け孔が設けられて
いることを特徴とする。請求項３の考案は、前記切削刃
２５の食い込み深さ調節は、切削刃支持部２０に設けた
マイクロメータにより微調節可能としたことを特徴とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to a planar cutting method in which a cable outer semiconductive layer is removed in a thin layer by sliding the cable in the longitudinal direction while pressing the cable surface. For tools. According to the first aspect of the present invention, there is provided a main body bar 11 having handle portions at both ends, a cutting blade support portion 20 disposed at a central portion in a longitudinal direction of the main body bar 11, and a cutting on the main body bar 11. The two rod-shaped guide members 15 and 16 are arranged at both sides of the blade supporting portion 20 so as to be parallel to the axis of the cable to be shaved.
6 is pressed against the outer semiconductive layer of the cable to be cut,
It is characterized in that the cutting blade supporting portion 20 is configured to be cut by a cutting blade 25 which is provided so as to be capable of adjusting a depth of penetration into a cable external semiconductive layer. The invention according to claim 2 is characterized in that a plurality of mounting holes for appropriately setting the mounting intervals of the guide members 15 and 16 are provided on the main body bar 11. The invention of claim 3 is characterized in that the bite depth adjustment of the cutting blade 25 can be finely adjusted by a micrometer provided on the cutting blade support 20.
【００１２】前述したように構成することにより、本考
案においては、切削工具を小型に構成することができ、
作業員に熟練を要求することなしに、容易に外部半導電
層の除去作業を行うことができる。また、本考案の切削
工具は、切削刃の突出量を任意に調整することができる
ので、外部半導電層の厚さに応じて、切削深さを設定す
ることができる。さらに、ケーブルのサイズに対応させ
て、ガイド部材の間隔を調整する手段を用いる場合に
は、１つの装置を用いて、異なるサイズのケーブルに対
する作業を行うことができる。With the above-described configuration, in the present invention, the cutting tool can be reduced in size,
The operation of removing the external semiconductive layer can be easily performed without requiring the worker to have skill. In addition, the cutting tool according to the present invention can adjust the protrusion amount of the cutting blade arbitrarily, so that the cutting depth can be set according to the thickness of the external semiconductive layer. Further, in the case of using a means for adjusting the interval between the guide members in accordance with the size of the cable, it is possible to use a single device to work on cables of different sizes.
【００１３】[0013]
【実施例】図示される例にしたがって、本考案のケーブ
ル外部半導電層切削工具を説明する。図１および図２に
示されるように、本考案の切削工具１０は、両側にハン
ドル１２、１３を取り付けた本体バー１１に対して、そ
の中央部に切削刃支持部２０を設けている。前記本体バ
ー１１は、剛性の大きな板状部材により構成され、その
本体バー１１の両側端部に配置されるハンドル１２、１
３は、溶接等の手段を用いて、本体バーと一体に形成さ
れる。また、前記切削刃支持部２０に対応させて、その
両側にガイド部材１５、１６を配置し、該ガイド部材１
５、１６を固定ネジ１９……により固定している。前記
ガイド部材は本体バー１１の巾よりも長い部材を用い、
ガイド部材の両端部１５ａ、１６ａを円弧状に成形し
て、前記ガイド部材をケーブルの表面に接触させて往復
移動させた場合でも、ケーブルの絶縁層を損傷したりす
ることがないようにされる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The cable outer semiconductive layer cutting tool of the present invention will be described with reference to the illustrated example. As shown in FIGS. 1 and 2, a cutting tool 10 of the present invention has a main body bar 11 having handles 12, 13 attached to both sides thereof, and a cutting blade support portion 20 provided at a central portion thereof. The main body bar 11 is made of a rigid plate-like member, and handles 12, 1, 1
3 is formed integrally with the main body bar by using means such as welding. Further, guide members 15 and 16 are arranged on both sides of the guide member support portion 20 so as to correspond to the cutting blade support portion 20.
5 and 16 are fixed by fixing screws 19. The guide member uses a member longer than the width of the main body bar 11,
Even if both ends 15a and 16a of the guide member are formed in an arc shape and the guide member is brought into contact with the surface of the cable and reciprocated, the insulating layer of the cable is not damaged. .
【００１４】前記本体バー１１の中央部に配置される切
削刃支持部２０は、本体バー１１の巾方向に対して、直
角に取り付けられる支持部材２１と、前記支持部材２１
に調節ネジ２８を介して取り付けられる切削刃２５とか
ら構成される。前記切削刃２５は、その中央部に上下方
向の長孔２７を設け、切削刃の本体の下部に形成する刃
先２６が、切削工具の移動方向に突出する状態に設けら
れている。そして、前記切削刃２５を支持部材２１に対
して上下方向に移動させ、調節ネジ２８により長孔２７
を介して固定することにより、刃先２６の突出量（刃先
が外部半導電層へ食い込む深さ）を調整できるようにさ
れる。なお、本考案の切削工具１０では、前記支持部材
２１と反対側にも、支持部材２２を配置しているが、前
記支持部材２２は、補助手段として用いることができ
る。The cutting blade supporting portion 20 disposed at the center of the main body bar 11 includes a supporting member 21 mounted at a right angle to the width direction of the main body bar 11, and a supporting member 21.
And a cutting blade 25 attached to the cutting blade 25 via an adjustment screw 28. The cutting blade 25 is provided with an elongated hole 27 in the vertical direction at the center thereof, and a cutting edge 26 formed at the lower part of the main body of the cutting blade is provided in a state of protruding in the moving direction of the cutting tool. Then, the cutting blade 25 is moved up and down with respect to the support member 21,
The protrusion amount of the cutting edge 26 (the depth at which the cutting edge bites into the external semiconductive layer) can be adjusted. In the cutting tool 10 of the present invention, the support member 22 is disposed on the opposite side of the support member 21, but the support member 22 can be used as auxiliary means.
【００１５】前述したように構成される本考案の切削工
具１０は、図３に示されるようにして、ケーブル１の外
部半導電層５を削り取る作業に使用される。前記ケーブ
ル１は、ＣＶケーブルの場合を示しているもので、前記
ＣＶケーブルでは、一般のケーブルの場合と同様に、導
体２の周囲に図示を省略した内部半導電層を配置し、そ
の周囲を絶縁層４により被覆し、さらに、その絶縁層の
周囲を外部半導電層５により被覆している。前記外部半
導電層５は、０．２５ｍｍないし３ｍｍ程度の厚さで形
成されており、カーボンを含有する架橋ポリエチレン等
により構成される。そして、前記ケーブル１の終端部の
処理を行う場合や、接続部を形成する際に、前記外部半
導電層５を、ケーブルの長さ方向に、所定の範囲に亘っ
て除去することが必要とされる。The cutting tool 10 of the present invention configured as described above is used for cutting off the outer semiconductive layer 5 of the cable 1 as shown in FIG. The cable 1 shows a case of a CV cable. In the CV cable, an internal semiconductive layer (not shown) is arranged around a conductor 2 and the periphery thereof is made similar to a general cable. It is covered with an insulating layer 4, and the periphery of the insulating layer is further covered with an external semiconductive layer 5. The outer semiconductive layer 5 is formed with a thickness of about 0.25 mm to 3 mm and is made of carbon-containing crosslinked polyethylene or the like. In addition, when processing the end portion of the cable 1 or forming a connection portion, it is necessary to remove the external semiconductive layer 5 over a predetermined range in the length direction of the cable. Is done.
【００１６】そこで、本考案においては、切削工具１０
の切削刃２５を用いて、ケーブルの長さ方向に鉋で削る
状態で、外部半導電層５の削り取りを行う。そして、前
記切削工具１０のハンドル１２、１３を手で持って、ケ
ーブルの長さ方向に削る動作を行い、その動作を、切削
工具をケーブルの円周方向に順次移動させながら繰り返
して行い、外部半導電層を表面から順次かんな屑のよう
に削り取って除去する作業を行うようにする。その外部
半導電層の削り取りの作業を行う場合には、刃先２６の
突出高さを、外部半導電層の厚さとケーブルのサイズに
対応させて調整し、２つのガイド部材１５、１６をケー
ブルの円周上に押圧する状態で、ケーブルの長さ方向に
摺動させるようにする。そして、削り屑７を取り除くこ
とにより、外部半導電層５に所定の巾の切除部６を形成
し、その動作をケーブルの円周方向に繰り返して行い、
必要とされる長さに亘って、絶縁層を露出させるように
する。Therefore, in the present invention, the cutting tool 10
The outer semiconductive layer 5 is shaved in a state in which the length of the cable is shaved by a plane using the cutting blade 25 of FIG. Then, while holding the handles 12, 13 of the cutting tool 10 by hand, an operation of cutting in the length direction of the cable is performed, and the operation is repeatedly performed while sequentially moving the cutting tool in the circumferential direction of the cable. An operation of removing the semiconductive layer from the surface by sequentially scraping it like a planer dust is performed. When performing the work of scraping the outer semiconductive layer, the protrusion height of the cutting edge 26 is adjusted in accordance with the thickness of the outer semiconductive layer and the size of the cable, and the two guide members 15 and 16 are connected to the cable. The cable is slid in the length direction of the cable while being pressed on the circumference. Then, by removing the shavings 7, a cutout portion 6 having a predetermined width is formed in the outer semiconductive layer 5, and the operation is repeated in the circumferential direction of the cable.
The insulating layer is exposed over the required length.
【００１７】前記図３に示されるように、ケーブル１に
対して、切削工具１０を用いて外部半導電層５の削り取
りの作業を行う場合に、切削刃２５と２つのガイド部材
１５、１６との関係は、図４に示されるように設定され
ている。前記切削刃２５の刃先の突出量は、調整間隔Ｈ
を大きく設定できるように、長孔２７を介して支持部材
２１に支持される。そして、切削工具に適合する径を有
するケーブル１ａでは、切削刃２５の刃先２６の突出高
さは大きく設定されない状態で、外部半導電層５の削り
取り作業を行うことができる。これに対して、大径のケ
ーブル１ｂでは、ケーブルの円弧が非常に大きいため
に、両側のガイド部材により支持される本体バー１１
が、その中央部でケーブルの表面から大きく離間する状
態となる。そこで、そのような状態でも外部半導電層の
削り取りを行うためには、切削刃の刃先２６を下方に大
きく突出させて作業を行うようにする。As shown in FIG. 3, when the cutting operation of the outer semiconductive layer 5 is performed on the cable 1 using the cutting tool 10, the cutting blade 25 and the two guide members 15, 16 are used. Are set as shown in FIG. The amount of protrusion of the cutting edge of the cutting blade 25 is determined by the adjustment interval H
Is supported by the support member 21 through the elongated hole 27 so that the distance can be set large. Then, with the cable 1a having a diameter suitable for the cutting tool, the cutting operation of the outer semiconductive layer 5 can be performed in a state where the protruding height of the cutting edge 26 of the cutting blade 25 is not set large. On the other hand, in the case of the large-diameter cable 1b, since the arc of the cable is very large, the body bar 11 supported by the guide members on both sides is large.
However, at the center thereof, the cable is largely separated from the surface of the cable. Therefore, in order to cut off the outer semiconductive layer even in such a state, the work is performed by protruding the cutting edge 26 of the cutting blade largely downward.
【００１８】本考案の切削工具１０を用いて外部半導電
層の削り取りを行う場合に、図５に示されるように、作
業者が間違ってガイド部材をケーブルに平行に押圧せず
に、切削方向に角度αを持たせる状態で、切削刃２５の
刃先を立てるようにして、作業を行うことが考えられ
る。しかし、本考案の切削工具１０では、切削刃２５に
対して、ガイド部材１５、１６の先端部が、長さＬだけ
刃先よりも突出するように構成されているので、工具を
斜めにした状態では、刃先２６は、ケーブルの表面に接
しないものとなる。したがって、本考案の切削工具１０
を用いる場合には、２つのガイド部材をケーブルの表面
に均一に押圧する状態で摺動させる場合にのみ、外部半
導電層５を除去する作業を正常に行うことができる。When the outer semiconductive layer is shaved using the cutting tool 10 of the present invention, as shown in FIG. 5, the operator does not erroneously press the guide member in parallel with the cable, but in the cutting direction. It is conceivable that the work is performed by setting the cutting edge of the cutting blade 25 upright in a state where the angle α is provided. However, in the cutting tool 10 of the present invention, since the distal ends of the guide members 15 and 16 are configured to protrude beyond the cutting edge by the length L with respect to the cutting blade 25, the cutting tool is inclined. Then, the cutting edge 26 does not come into contact with the surface of the cable. Therefore, the cutting tool 10 of the present invention
Is used, the operation of removing the external semiconductive layer 5 can be performed normally only when the two guide members are slid in a state of pressing uniformly on the surface of the cable.
【００１９】前述したように構成される本考案の切削工
具１０では、切削刃の両側に配置されるガイド部材１
５、１６を、１箇所でのみ本体バー１１に対して固定保
持させる手段を用いている。したがって、大径のケーブ
ルに対する作業を行う際には、図４に示されたように、
切削刃２５の突出量を非常に大きく設定することが必要
となり、切削工具の装置の安定性を確保することが困難
になるという問題が生じる。そこで、本考案の切削工具
では、図６に示されるように、本体バー１１に対してガ
イド部材を取り付けるために、複数の取り付け孔１７、
１８を配置し、その孔の間隔Ｓを適宜設定する手段を用
いることができる。In the cutting tool 10 of the present invention configured as described above, the guide members 1 arranged on both sides of the cutting blade are provided.
Means for fixing and holding 5 and 16 to the main body bar 11 only at one location is used. Therefore, when working on large diameter cables, as shown in FIG.
It is necessary to set the amount of protrusion of the cutting blade 25 to be very large, which causes a problem that it is difficult to ensure the stability of the cutting tool device. Therefore, in the cutting tool of the present invention, as shown in FIG.
Means for arranging the holes 18 and appropriately setting the interval S between the holes can be used.
【００２０】そして、小径のケーブルに対しては内側の
孔１７を用いてガイド部材の固定を行い、大径のケーブ
ルに対しては、外側の取り付け孔１８を用いることによ
り、切削刃による削り取り作業を安定した状態で行い得
るようにすることができる。なお、前記図６に示される
例において、切削刃２５の突出位置を設定し、確認する
ために、支持部材２１に対して目盛り２３を形成し、切
削刃２５にも目印２４を形成することができる。したが
って、前記目盛り等を用いる場合には、比較的不慣れな
作業者でも、マニュアルにしたがって、切削刃の突出量
を設定することができ、外部半導電層の削り取り作業を
正確に行うことができる。For small-diameter cables, the guide member is fixed by using the inner holes 17, and for large-diameter cables, the outer mounting holes 18 are used, so that the shaving work by the cutting blade is performed. Can be performed in a stable state. In the example shown in FIG. 6, in order to set and confirm the projecting position of the cutting blade 25, a scale 23 is formed on the support member 21, and a mark 24 is also formed on the cutting blade 25. it can. Therefore, when the scale or the like is used, even a relatively unskilled worker can set the amount of protrusion of the cutting blade according to the manual, and can accurately cut off the external semiconductive layer.
【００２１】また、本考案においては、切削刃の突出高
さを調整するために、図７に示されるように、マイクロ
メータ３０のような微小な調節を可能にする部材を用い
て、切削刃に対する突出量の微調整を行うことができ
る。前記図７に示される例では、支持部材２１に対して
保持部材３３を取り付け、前記保持部材３３にマイクロ
メータ３０を取り付けており、前記マイクロメータ３０
の軸３１を用いて切削刃２５を移動させるようにする。
また、前記切削刃２５に対しては、前記各実施例の場合
と同様に、長孔と固定ネジとによる固定保持手段を設
け、マイクロメータにより切削刃の刃先の突出量を微調
整した後で、切削刃を固定ネジにより支持部材に対して
固定させる。Further, in the present invention, in order to adjust the protruding height of the cutting blade, as shown in FIG. Fine adjustment of the amount of protrusion with respect to. In the example shown in FIG. 7, the holding member 33 is attached to the support member 21, and the micrometer 30 is attached to the holding member 33.
The cutting blade 25 is moved by using the shaft 31 of.
Further, for the cutting blade 25, similarly to the above-described embodiments, a fixing and holding means with a long hole and a fixing screw is provided, and after finely adjusting the protrusion amount of the cutting edge of the cutting blade with a micrometer, Then, the cutting blade is fixed to the support member by a fixing screw.
【００２２】したがって、前述したような調整手段を用
いる場合には、同一の径のケーブルでも、外部半導電層
の厚さが異なるものに対して、刃先の突出量を任意に調
整することができる。また、厚く形成された外部半導電
層に対して、薄い層で削り取り作業を複数回繰り返して
行うような場合にも、刃先の突出量を少なくして、削り
取り作業を行うことによって、絶縁層に対して余分な削
り作用を行ったりすることがないようにする。さらに、
外部半導電層が非常に薄く形成されているようなケーブ
ルに対しては、作業員の勘や経験に依存することなし
に、マイクロメータにより削り取り厚さを正確に設定し
て、外部半導電層の削り取り作業を行うことができる。Therefore, when the adjusting means as described above is used, the amount of protrusion of the cutting edge can be arbitrarily adjusted for cables having the same diameter but different thicknesses of the external semiconductive layer. . Also, in the case where the shaving operation is repeatedly performed with a thin layer on the thick outer semiconductive layer a plurality of times, the protrusion amount of the cutting edge is reduced, and the shaving operation is performed, so that the insulating layer is formed. No extra shaving action is performed. further,
For cables where the outer semiconductive layer is formed very thin, the thickness of the outer semiconductive layer can be accurately set using a micrometer without depending on the intuition and experience of the operator. Can be cut off.
【００２３】また、前述したように構成される本考案の
切削工具において、本体バーやハンドルの形状や材質等
は、ケーブルに対応させて任意に設定できるものであ
り、ガイド部材の形状や長さ等も、作業が容易にできる
範囲で、適宜設定される。また、切削刃を構成する材料
等も、外部半導電層の材質に対応させて構成することが
でき、切削刃を固定保持するための機構も、図示された
固定ネジを用いる他に、任意の固定保持手段を用いるこ
とができる。なお、本考案の剥ぎ取り工具を用いて、外
部半導電層を削り取り除去したケーブル表面部分を、一
層円滑表面とするために、表面仕上げ用のサンドペーパ
ー（例えば、３２０番程度のサンドペーパー）を用い
て、完全仕上げすることも勿論可能である。In the cutting tool of the present invention configured as described above, the shape and material of the main body bar and the handle can be arbitrarily set in accordance with the cable, and the shape and length of the guide member And the like are appropriately set within a range where the work can be easily performed. Further, the material and the like constituting the cutting blade can also be configured to correspond to the material of the external semiconductive layer, and a mechanism for fixing and holding the cutting blade is not limited to the use of the illustrated fixing screw. Fixed holding means can be used. In addition, in order to make the surface of the cable from which the outer semiconductive layer has been scraped off and removed using the stripping tool of the present invention more smooth, a sandpaper for surface finishing (for example, a sandpaper of about # 320) is used. It is, of course, possible to use it for complete finishing.
【００２４】[0024]
【考案の効果】本考案の切削工具は、前述したように構
成を有するものであるから、切削工具を小型に構成する
ことができ、作業員に熟練を要求することなしに、容易
に外部半導電層の除去作業を行うことができる。また、
本考案の切削工具は、切削刃の突出量を任意に調整する
ことができるので、外部半導電層の厚さに応じて、切削
深さを設定することができる。さらに、ケーブルのサイ
ズに対応させて、ガイド部材の間隔を調整する手段を用
いる場合には、１つの装置を用いて、異なるサイズのケ
ーブルに対する作業を行うことができる。[Effect of the Invention] Since the cutting tool of the present invention has the structure as described above, the cutting tool can be made small, and the external half can be easily formed without requiring the skill of the operator. An operation of removing the conductive layer can be performed. Also,
In the cutting tool of the present invention, the protrusion amount of the cutting blade can be arbitrarily adjusted, so that the cutting depth can be set according to the thickness of the external semiconductive layer. Further, in the case of using a means for adjusting the interval between the guide members in accordance with the size of the cable, it is possible to use a single device to work on cables of different sizes.
【図１】 本考案の切削工具の平面図である。FIG. 1 is a plan view of the cutting tool of the present invention.
【図２】 本考案の切削工具の正面図である。FIG. 2 is a front view of the cutting tool of the present invention.
【図３】 切削工具を用いて外部半導電層の削り取りを
行う状態を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a state in which an external semiconductive layer is cut using a cutting tool.
【図４】 切削工具の各部材とケーブルの関係を示す説
明図である。FIG. 4 is an explanatory view showing a relationship between each member of the cutting tool and a cable.
【図５】 切削工具を斜めにして使用する場合の説明図
である。FIG. 5 is an explanatory view when a cutting tool is used at an angle.
【図６】 本考案の切削工具の別の実施例の説明図であ
る。FIG. 6 is an explanatory view of another embodiment of the cutting tool of the present invention.
【図７】 切削刃の突出量を微量調整可能な装置の説明
図である。FIG. 7 is an explanatory view of a device capable of minutely adjusting the amount of protrusion of a cutting blade.
１ ケーブル、 ５ 外部半導電層、 １０ 切
削工具、１１ 本体バー、 １２・１３ ハンド
ル、１５・１６ ガイド部材、 １７・１８ 取り
付け孔、２０ 切削刃支持部、 ２１ 支持部材、
２５ 切削刃、２６ 刃先、 ２７ 長孔、
２８ 調節ネジ、３０ マイクロメータ。Reference Signs List 1 cable, 5 outer semiconductive layer, 10 cutting tool, 11 main body bar, 12/13 handle, 15.16 guide member, 17/18 mounting hole, 20 cutting blade support, 21 support member,
25 cutting blade, 26 cutting edge, 27 long hole,
28 adjustment screw, 30 micrometers.
Claims (3)
手方向に摺動移動させることにより、ケーブル外部半導
電層を薄い層状に削り取って除去する鉋状の切削工具で
あって、 両端にハンドル部を備えた本体バー１１と、 前記本体バー１１の長さ方向の中央部に配置した切削刃
支持部２０と、 前記本体バー１１上の切削刃支持部２０を挟む両側位置
に、削り取りすべきケーブルの軸心に平行となるように
配置した２個の棒状ガイド部材１５、１６とからなり、 前記棒状のガイド部材１５、１６を切削すべきケーブル
外部半導電層部分に押し当て、前記切削刃支持部２０に
ケーブル外部半導電層への食い込み深さを調節自在に設
けた切削刃２５により切削する構成としたことを特徴と
するケーブル外部半導電層切削工具。1. A plane-shaped cutting tool for shaving and removing a semi-conductive layer outside a cable by sliding the cable in a longitudinal direction while pressing against the surface of the cable. A main body bar 11, a cutting blade support 20 disposed at a central portion in a longitudinal direction of the main bar 11, and a cable to be shaved at both sides of the main bar 11 sandwiching the cutting blade support 20. The rod-shaped guide members 15 and 16 are arranged so as to be parallel to the axis, and the rod-shaped guide members 15 and 16 are pressed against the outer semiconductive layer portion of the cable to be cut, and the cutting blade support portion is provided. A cutting tool for cutting a semiconducting layer outside a cable, characterized in that the cutting tool is configured to be cut into a semiconductive layer (20) by a cutting blade (25) provided to be able to adjust the depth of penetration into the semiconducting layer.
材１５、１６の取り付け間隔を適宜設定する複数個の取
付け孔が設けられていることを特徴とする請求項１記載
のケーブル外部半導電層切削工具。2. A cable external semiconductive according to claim 1, wherein a plurality of mounting holes are provided on said main body bar for appropriately setting a mounting interval between said guide members. Layer cutting tool.
切削刃支持部２０に設けたマイクロメータにより微調節
可能としたことを特徴とする請求項１記載のケーブル外
部半導電層切削工具。3. The adjustment of the cutting depth of the cutting blade 25 is as follows.
2. The cutting tool according to claim 1, wherein the cutting tool can be finely adjusted by a micrometer provided on the cutting blade support.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991100696U JP2575817Y2 (en) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | Cable outer semiconductive layer cutting tool |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991100696U JP2575817Y2 (en) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | Cable outer semiconductive layer cutting tool |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0543712U JPH0543712U (en) | 1993-06-11 |
| JP2575817Y2 true JP2575817Y2 (en) | 1998-07-02 |
Family
ID=14280893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991100696U Expired - Lifetime JP2575817Y2 (en) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | Cable outer semiconductive layer cutting tool |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| KR102434996B1 (en) * | 2021-02-17 | 2022-08-22 | 이중재 | sheath cutting device of waste cable |
Family Cites Families (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPS54139084A (en) * | 1978-04-20 | 1979-10-29 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Wire coat cutting device |
-
1991
- 1991-11-11 JP JP1991100696U patent/JP2575817Y2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0543712U (en) | 1993-06-11 |
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