JP2571990Y2 - Positive characteristic thermistor device - Google Patents

Positive characteristic thermistor device

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JP2571990Y2
JP2571990Y2 JP1990019208U JP1920890U JP2571990Y2 JP 2571990 Y2 JP2571990 Y2 JP 2571990Y2 JP 1990019208 U JP1990019208 U JP 1990019208U JP 1920890 U JP1920890 U JP 1920890U JP 2571990 Y2 JP2571990 Y2 JP 2571990Y2
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coefficient thermistor
case
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Description

【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は、消磁回路に用いられる正特性サーミスタ装
置に関し、給電用端子の構造を、正特性サーミスタの電
極に接触する接触部と、外部接続用の端子部との間に迂
回部を設けた構造とすると共に、端子とケースとの間
に、接触部の位置決めを行なう位置決め部を設けること
により、電極接触部から端子部への熱伝導を抑制すると
共に、電極接触部と迂回部との間の機械的な接触を阻止
し、端子部の温度上昇を抑制し、消磁回路用として使用
した場合には残留電流を低く抑え、消磁作用を向上でき
るようにしたものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial application field> The present invention relates to a positive temperature coefficient thermistor device used in a demagnetizing circuit, in which the structure of a power supply terminal is changed by a contact portion that contacts an electrode of the positive temperature coefficient thermistor and an external connection. By providing a structure in which a detour portion is provided between the terminal portion and the terminal portion, and by providing a positioning portion for positioning the contact portion between the terminal and the case, heat conduction from the electrode contact portion to the terminal portion is provided. In addition to suppressing the mechanical contact between the electrode contact part and the detour part, the temperature rise of the terminal part is suppressed, and when used for a degaussing circuit, the residual current is kept low and the degaussing effect is improved. It is made possible.

〈従来の技術〉 消磁回路に使用される正特性サーミスタ装置として
は、消磁用の正特性サーミスタと、加熱用の正特性サー
ミスタとを、金属板でなる平板状の共通の端子を間に挟
んで重ね合せると共に、弾性端子で弾力的に挾持した構
造のものがもっともよく知られている。各端子は正特性
サーミスタの電極に接触する接触部と、接触部に連続す
る端子部とを備え、端子部をケースを貫通して外部に導
出する。
<Conventional technology> As a positive temperature coefficient thermistor device used in a degaussing circuit, a positive temperature coefficient thermistor for degaussing and a positive temperature coefficient thermistor for heating are sandwiched by a flat plate-shaped terminal made of a metal plate. The best known is a structure in which they are superposed and elastically sandwiched by elastic terminals. Each terminal includes a contact portion that contacts the electrode of the positive temperature coefficient thermistor, and a terminal portion that is continuous with the contact portion, and the terminal portion extends through the case to the outside.

前述の正特性サーミスタ装置を使用した消磁回路の動
作はよく知られている。消磁用の正特性サーミスタが加
熱用の正特性サーミスタによって加熱され、消磁用正特
性サーミスタの動作温度が、単独で動作する温度よりも
高い温度に移行する。このため、消磁用の正特性サーミ
スタによって制御されて消磁コイルに流れる平衡点電流
が消磁用の正特性サーミスタを単独で用いる場合よりも
減少し、消磁作用が向上する。
The operation of a degaussing circuit using the above-described PTC thermistor device is well known. The degaussing positive temperature coefficient thermistor is heated by the heating positive temperature coefficient thermistor, and the operating temperature of the degaussing positive temperature coefficient thermistor shifts to a higher temperature than the temperature at which it operates alone. Therefore, the equilibrium point current controlled by the degaussing positive characteristic thermistor and flowing through the degaussing coil is reduced as compared with the case where the degaussing positive characteristic thermistor is used alone, and the demagnetizing effect is improved.

〈考案が解決しようとする課題〉 消磁回路において、平衡点電流を減少させるには、消
磁用の正特性サーミスタの抵抗値をできるだけ高い値に
持ち上げる必要がある。消磁用の正特性サーミスタの抵
抗値を上昇させるには、加熱用の正特性サーミスタとし
て、抵抗値及びスイッチング温度TSの高いもの使用する
ことの他に、放熱量を減少させることが重要である。各
種の放熱経路のうち、正特性サーミスタに直接接触する
端子を通した放熱が最も大きくなる。従って、放熱量を
減少させるためには、端子をどのような構造にするか
が、極めて重要な事項となる。
<Problem to be Solved by the Invention> In the degaussing circuit, in order to reduce the equilibrium point current, it is necessary to raise the resistance of the degaussing positive temperature coefficient thermistor to as high a value as possible. In order to increase the resistance value of the degaussing PTC thermistor, it is important to use a heating PTC thermistor having a high resistance value and a high switching temperature TS as well as to reduce the amount of heat radiation. Among the various heat radiation paths, the heat radiation through the terminal that directly contacts the positive temperature coefficient thermistor is greatest. Therefore, in order to reduce the amount of heat radiation, the structure of the terminal is extremely important.

端子は、また、ケースによって支持されて外部に導出
され、外部回路に接続される部分である。従って、端子
の、特に外部導出部となる端子部は、ケース及び外部回
路に対する熱的悪影響を軽減するため、できるだけ低い
温度となるように抑制する必要がある。
The terminal is a part supported by the case, led out to the outside, and connected to an external circuit. Therefore, it is necessary to suppress the temperature of the terminal, particularly the terminal portion serving as the external lead-out portion, to be as low as possible in order to reduce the adverse thermal effect on the case and the external circuit.

端子の放熱量を減少させることと、端子の温度を低く
抑えることとは、互いに二律背反の関係にあり、両者を
同時に満足する端子構造をとることは必ずしも容易では
ない。
Reducing the amount of heat radiation from the terminal and keeping the temperature of the terminal low are mutually exclusive, and it is not always easy to take a terminal structure that satisfies both at the same time.

上述の放熱量減少と端子温度上昇の問題を同時に解決
しようとする試みは、例えば、特開平1-208803号公報、
特開平1-220403号公報及び実開平1-130502号公報等で公
知である。
Attempts to simultaneously solve the above-described problem of the decrease in the amount of heat radiation and the rise in the terminal temperature are described in, for example, JP-A-1-208803,
It is known in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 1-220403 and 1-130502.

しかしながら、特開平1-220403号公報に記載された考
案は、端子に対し、独立する複数の丸孔を間隔を隔てて
設けて伝熱狭窄部を形成する構造であり、充分な放熱量
減少及び端子温度上昇抑制作用が得られない。
However, the invention described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-220403 has a structure in which a plurality of independent round holes are provided at intervals with respect to a terminal to form a heat transfer constricted portion, and a sufficient heat radiation reduction and The terminal temperature rise suppression effect cannot be obtained.

特開平1-208803号公報に開示された考案は、細長いス
リットを設けてある点で特開平1-220403号と異なり、優
れた放熱量減少及び端子温度上昇抑制の作用が得られる
が、それでも、充分ではない。
The device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-208803 is different from Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-220403 in that an elongated slit is provided, and an excellent effect of reducing heat radiation and suppressing a rise in terminal temperature is obtained. Not enough.

実開平1-130502号に開示された考案は、熱結合板と端
子とを分離し両者間の熱抵抗部材で接続する構造である
ので、構造の複雑化、組立の困難化、部品点数の増大等
を招く。
The device disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 1-130502 has a structure in which the thermal coupling plate and the terminal are separated and connected by a thermal resistance member therebetween, so that the structure becomes complicated, assembly becomes difficult, and the number of parts increases. And so on.

そこで、本考案の課題は、上述する従来技術よりも優
れた放熱量減少作用及び端子温度上昇抑制作用が得ら
れ、消磁回路に使用した場合の平衡点電流が小さく、ケ
ース及び外部回路に対する熱的悪影響の小さな正特性サ
ーミスタ装置を提供することである。
Therefore, an object of the present invention is to provide a heat radiation reducing action and a terminal temperature rise suppressing action which are superior to the above-described conventional techniques, and the equilibrium point current when used in a degaussing circuit is small. An object of the present invention is to provide a positive temperature coefficient thermistor device having a small adverse effect.

〈課題を解決するための手段〉 上述した課題解決のため、本考案に係る正特性サーミ
スタ装置は、ケースと、前記ケース内に収納された2つ
の正特性サーミスタと、前記正特性サーミスタの電極に
導通する複数の端子とを備え、消磁回路に用いられる。
前記2つの正特性サーミスタは、互いに重ね合わされて
いる。
<Means for Solving the Problems> In order to solve the problems described above, the positive temperature coefficient thermistor device according to the present invention includes a case, two positive temperature coefficient thermistors housed in the case, and electrodes of the positive temperature coefficient thermistor. It has a plurality of conducting terminals and is used for a degaussing circuit.
The two PTC thermistors are superimposed on each other.

前記端子の内の1つは、前記2つの正特性サーミスタ
の間に配置され、前記2つの正特性サーミスタの電極に
面接触する接触部と、迂回部と、前記ケースの外部に導
出される端子部とを有しており、 前記迂回部は、前記接触部よりは狭幅であって、前記
接触部の側方に間隔を隔てて配置され、前記接触部及び
前記端子部を直接に接続するように、一端部が前記接触
部の一端側に連接されるとともに、他端部が前記端子部
に連接されている。
One of the terminals is disposed between the two positive temperature coefficient thermistors, and a contact portion that comes into surface contact with the electrodes of the two positive temperature coefficient thermistors, a detour portion, and a terminal led out of the case. And the detour portion is narrower than the contact portion, is disposed at an interval on a side of the contact portion, and directly connects the contact portion and the terminal portion. As described above, one end is connected to one end of the contact portion, and the other end is connected to the terminal.

好ましくは、前記ケースの内底面と前記接触部の端縁
との間に、凹凸嵌合部を有する。
Preferably, an uneven fitting portion is provided between an inner bottom surface of the case and an edge of the contact portion.

更に上記の構成に加えて、前記内底面と対向する前記
ケースの内面に前記正特性サーミスタ及び前記端子の前
記接触部の配置領域内において突出する突起を有するこ
ともある。
Further, in addition to the above configuration, a projection may be provided on an inner surface of the case facing the inner bottom surface, the protrusion protruding in an arrangement region of the contact portion of the positive temperature coefficient thermistor and the terminal.

〈作用〉 端子は迂回部を有していて、迂回部は接触部よりは狭
幅であって、接触部の側方に間隔を隔てて配置され、接
触部及び端子部を直列に接続するように、一端部が接触
部に連接されるとともに、他端部が端子部に連接されて
いるから、接触部から端子部への熱伝導が迂回部によっ
て抑制され、端子部の温度が低く抑えられる。このた
め、正特性サーミスタの発熱温度が上昇すると共に、端
子部の温度が低くなり、消磁回路において、平衡点抵抗
が大きくなって、残留電流が低くなる。
<Operation> The terminal has a detour portion, and the detour portion is narrower than the contact portion, and is arranged at an interval beside the contact portion so that the contact portion and the terminal portion are connected in series. In addition, since one end is connected to the contact portion and the other end is connected to the terminal portion, heat conduction from the contact portion to the terminal portion is suppressed by the bypass portion, and the temperature of the terminal portion is kept low. . For this reason, the heat generation temperature of the positive temperature coefficient thermistor increases, and the temperature of the terminal portion decreases, so that the equilibrium point resistance increases and the residual current decreases in the degaussing circuit.

ケースの内底面と、端子の接触部の端縁との間に凹凸
嵌合部を有する場合は、端子の接触部が凹凸嵌合によっ
てケースの内底面に位置決めされる。このため、接触部
が迂回部に接触することがなくなり、端子部の温度上昇
が一層確実に防止できるようになる。
When an uneven fitting portion is provided between the inner bottom surface of the case and the edge of the contact portion of the terminal, the contact portion of the terminal is positioned on the inner bottom surface of the case by the uneven fitting. For this reason, the contact portion does not come into contact with the bypass portion, and the temperature rise of the terminal portion can be more reliably prevented.

上記構成とは別に、または上記構成と共に、ケースの
内底面に正特性サーミスタを受ける突起を有することに
より、ケースの内底面を基準にした正特性サーミスタの
高さが位置決めされ、ケース内での正特性サーミスタの
上下方向の位置ずれが防止される。このため、正特性サ
ーミスタの上下方向の位置ずれによる迂回部に対する正
特性サーミスタの接触を回避することができる。
Apart from or in addition to the above configuration, by having a projection for receiving the positive temperature coefficient thermistor on the inner bottom surface of the case, the height of the positive temperature coefficient thermistor with respect to the inner bottom surface of the case is positioned, and the positive Vertical misalignment of the characteristic thermistor is prevented. For this reason, it is possible to avoid contact of the PTC thermistor with the detour part due to the vertical displacement of the PTC thermistor.

同様に、上記構成とは別に、または上記構成と共に、
ケースの内底面に、端子の接触部の面と対向するように
配置された突起を有することにより、端子の接触部の位
置ずれ、及び、いわゆるガタが防止される。このため、
接触部と迂回部の接触を回避できるようになる。
Similarly, separately from or together with the above configuration,
By providing a projection on the inner bottom surface of the case so as to face the contact portion of the terminal, displacement of the contact portion of the terminal and so-called play are prevented. For this reason,
The contact between the contact portion and the bypass portion can be avoided.

更に、上記各構成の下で、内底面と対向するケースの
内面に、正特性サーミスタ及び前記端子の接触部の配置
領域内において突出する突起を有することにより、正特
性サーミスタとケースの内面との間の接触面積が小さく
なり、正特性サーミスタによるケースの加熱作用が低下
し、ケースの温度上昇が抑制される。同時に、端子の接
触部の移動範囲が制限され、端子が所定位置に位置決め
される。
Furthermore, under each of the above configurations, the inner surface of the case facing the inner bottom surface has a protrusion protruding in the area where the contact portion of the positive characteristic thermistor and the terminal is arranged, so that the positive characteristic thermistor and the inner surface of the case can be formed. The contact area between them becomes small, the action of heating the case by the PTC thermistor decreases, and the temperature rise of the case is suppressed. At the same time, the range of movement of the contact portion of the terminal is restricted, and the terminal is positioned at a predetermined position.

〈実施例〉 第1図は本考案に係る正特性サーミスタ装置の部分断
面図、第2図は第1図A1-A1線における断面図、第3図
は第1図A2-A2線上における部分断面図、第4図は第2
図B1-B1線上における部分断面図、第5図は第2図B2-B2
線上における部分断面図である。図において、1はケー
ス、2及び3は正特性サーミスタ、4〜6は端子であ
る。
<Embodiment> FIG. 1 is a partial cross-sectional view of the PTC thermistor device according to the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line A1-A1 in FIG. 1, and FIG. 3 is a partial cross-section taken along the line A2-A2 in FIG. Fig. 4
FIG. 5 is a partial cross-sectional view taken along line B1-B1, FIG. 5 is FIG.
It is a partial sectional view on a line. In the figure, 1 is a case, 2 and 3 are positive temperature coefficient thermistors, and 4 to 6 are terminals.

ケース1は、底部材11とカバー部材12との組合せで構
成されている。底部材11及びカバー部材12は適当な耐熱
絶縁プラスチックの成形品として構成されている。第6
図は底部材11の平面図、第7図は第6図C1-C1線上にお
ける断面図である。111は底部材11の内底面、112〜116
は内底面111に突設された突起である。突起112は内底面
111の略中央部に設けられており、突起113、114と突起1
15、116は突起112の両側方向に、間隔を隔てて設けられ
ている。後述するように、突起112は正特性サーミスタ
2、3の電極面と平行する方向への端子移動を阻止し、
突起113、114は正特性サーミスタ2の電極面に対して垂
直となる方向への端子移動を阻止する凹凸嵌合部とな
る。突起115、116は、底部材11の内底面111に対して正
特性サーミスタ2をある一定の間隔を保って支持する。
突起112〜116の個数は任意であり、図示の個数に限定す
る必要はない。117、118は底部材11の周辺に突設された
受部で、カバー部材12はこの受部117、118に嵌合して組
立てられている。
The case 1 is composed of a combination of a bottom member 11 and a cover member 12. The bottom member 11 and the cover member 12 are formed as molded articles of a suitable heat-resistant insulating plastic. Sixth
The figure is a plan view of the bottom member 11, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line C1-C1 in FIG. 111 is the inner bottom surface of the bottom member 11, 112 to 116
Is a projection protruding from the inner bottom surface 111. The protrusion 112 is the inner bottom
It is provided at the approximate center of 111, and the projections 113 and 114 and the projection 1
The reference numerals 15 and 116 are provided at both sides of the projection 112 at an interval. As described later, the protrusion 112 prevents the terminal from moving in a direction parallel to the electrode surfaces of the positive temperature coefficient thermistors 2 and 3.
The protrusions 113 and 114 serve as concave and convex fitting portions that prevent the terminal from moving in a direction perpendicular to the electrode surface of the positive temperature coefficient thermistor 2. The protrusions 115 and 116 support the PTC thermistor 2 at a certain interval with respect to the inner bottom surface 111 of the bottom member 11.
The number of projections 112 to 116 is arbitrary, and need not be limited to the number shown. Reference numerals 117 and 118 denote receiving portions projecting around the bottom member 11, and the cover member 12 is fitted and assembled to the receiving portions 117 and 118.

正特性サーミスタ2、3は、正特性サーミスタ素体2
1、31の厚み方向の両面に電極(22、23)、(32、33)
を設けた構造となっている。これらの正特性サーミスタ
2、3のうち、正特性サーミスタ2は消磁用として備え
られており、正特性サーミスタ3は加熱用として備えら
れている。正特性サーミスタ2、3は、金属板でなる平
板状の共通の端子5を間に挟んで重ね合せると共に、弾
力性のある端子4、6で弾力的に挾持した構造となって
いる。
The positive characteristic thermistors 2 and 3 are the positive characteristic thermistor body 2
Electrodes (22, 23), (32, 33) on both sides in the thickness direction of 1, 31
Is provided. Among these positive temperature coefficient thermistors 2 and 3, the positive temperature coefficient thermistor 2 is provided for demagnetization, and the positive temperature coefficient thermistor 3 is provided for heating. The positive characteristic thermistors 2 and 3 have a structure in which a common terminal 5 of a flat plate made of a metal plate is sandwiched therebetween and overlapped with each other, and is elastically sandwiched between elastic terminals 4 and 6.

端子4、6は、正特性サーミスタ2、3の電極23、32
に接触するバネ性の接触部41、61と、ケース1の外部に
導出される端子部42、62を有している。
The terminals 4 and 6 are connected to the electrodes 23 and 32 of the thermistors 2 and 3, respectively.
It has contact portions 41 and 61 having a spring property to come into contact with the terminal 1 and terminal portions 42 and 62 led out of the case 1.

端子5は、正特性サーミスタ2の電極22及び正特性サ
ーミスタ3の電極33に共通に接触する接触部51と、ケー
ス1の底部材11を貫通して外部に導出される端子部52
と、迂回部53とを有している。これらは、同一の金属板
材にプレス加工等を施して同体に形成されている。
The terminal 5 has a contact portion 51 that is in common contact with the electrode 22 of the positive temperature coefficient thermistor 2 and the electrode 33 of the positive temperature coefficient thermistor 3 and a terminal portion 52 that penetrates the bottom member 11 of the case 1 and is led out.
And a detour section 53. These are formed in the same body by subjecting the same metal plate to press working or the like.

第8図は端子5の正面図、第9図は同じくその側面図
である。接触部51は、ケース1を構成する底部材11の内
底面111と向き合う一端縁に切欠55が設けられている。
切欠55は内底面111上に形成された突起112と噛み合う形
状及び位置に形成されている。
FIG. 8 is a front view of the terminal 5, and FIG. 9 is a side view of the same. The contact portion 51 has a notch 55 at one edge facing the inner bottom surface 111 of the bottom member 11 constituting the case 1.
The notch 55 is formed in a shape and position to be engaged with the projection 112 formed on the inner bottom surface 111.

迂回部53は、接触部51よりは狭い幅の狭幅路路となっ
ていて、接触部51の側方に間隔G1を隔てて配置されてい
る。迂回部53の一端部は、接触部51の上方に連接され、
他端部は端子部52に連接され、接触部51及び端子部52に
対して、電気的、熱的な直列回路を形成している。実施
例において、迂回部53は接触部51の面から浮かしてあ
り、正特性サーミスタ2との接触を防止してある。ま
た、上述のようにして浮かされた迂回部53に正特性サー
ミスタ3が接触するのを阻止するため、迂回部53と対向
する接触部51の端縁に阻止辺54を突設してある。
The detour portion 53 is a narrow road having a width narrower than that of the contact portion 51, and is arranged on the side of the contact portion 51 with an interval G1. One end of the detour portion 53 is connected above the contact portion 51,
The other end is connected to the terminal part 52, and forms an electrical and thermal series circuit with the contact part 51 and the terminal part 52. In the embodiment, the detour portion 53 is floated from the surface of the contact portion 51 to prevent contact with the PTC thermistor 2. Further, in order to prevent the PTC thermistor 3 from coming into contact with the detour portion 53 floated as described above, a blocking side 54 is protruded from an edge of the contact portion 51 facing the detour portion 53.

更に、迂回部53、及び端子部52は、その機械的強度を
増大させるため、面に凹または凸による補強部531、521
がスジ状に設けられている。端子5は、機械的強度を補
うために、全体に電気メッキを施すのが望ましい。
Further, the detour portion 53 and the terminal portion 52 are provided with reinforcing portions 531 and 521 formed by concave or convex surfaces to increase the mechanical strength.
Are provided in a streak shape. It is preferable that the terminal 5 be entirely electroplated in order to supplement the mechanical strength.

組立において、共通端子5は、切欠55が底部材11の内
底面111に突設された突起112に嵌合する。これにより、
共通端子5の接触部51は正特性サーミスタ2、3の面と
平行する方向の移動が禁止された状態で位置決めされ
る。このため、接触部51が迂回部53に接触する等の事故
を起すことがなくなり、端子部52の温度上昇が抑制され
る。
In assembling, the common terminal 5 is fitted with a protrusion 112 having the notch 55 projecting from the inner bottom surface 111 of the bottom member 11. This allows
The contact portion 51 of the common terminal 5 is positioned in a state where movement in a direction parallel to the surfaces of the positive temperature coefficient thermistors 2 and 3 is prohibited. For this reason, an accident such as the contact portion 51 coming into contact with the bypass portion 53 does not occur, and the temperature rise of the terminal portion 52 is suppressed.

共通端子5の接触部51の表面には、底部材11の内底面
111に突設された突起113、114が当接している。これに
より、接触部51の面と直交する方向の移動も阻止され
る。
The inner bottom surface of the bottom member 11 is provided on the surface of the contact portion 51 of the common terminal 5.
Projections 113 and 114 projecting from 111 are in contact with each other. Thereby, movement in the direction orthogonal to the surface of the contact portion 51 is also prevented.

しかも、正特性サーミスタ2は、突起115、116によっ
て受けられていて、内底面111から浮いた状態で保持さ
れている。このため、上下方向の位置ずれによる迂回部
53に対する正特性サーミスタ2の接触を回避することが
できるようになる。また、内底面111に対する正特性サ
ーミスタ2の接触を招くことがなくなり、放熱特性が一
定の値に安定に保持される。
Moreover, the positive temperature coefficient thermistor 2 is received by the protrusions 115 and 116 and is held in a state of floating from the inner bottom surface 111. For this reason, the detour part due to vertical displacement
The contact of the positive temperature coefficient thermistor 2 with 53 can be avoided. In addition, contact of the PTC thermistor 2 with the inner bottom surface 111 does not occur, and the heat radiation characteristic is stably maintained at a constant value.

内底面111と対向するカバー部材12の内面121には、正
特性サーミスタ3及び接触部51の配置領域内において突
出する突起122、123が条状に設けられている。突起12
2、123により、正特性サーミスタ2がカバー部材12に接
触するような状態で配置された場合でも、接触面積は、
突起122、123による小さな接触面積となる。このため、
正特性サーミスタ2によるカバー部材12の加熱作用が低
下し、カバー部材12の温度上昇が抑制される。同時に、
端子5の接触部51の移動範囲が、突起122、123によって
制限される。このため、外部機器への装着に当って、端
子部52に対して、上向きの力F1(第2図参照)が作用し
た場合にも、端子5の移動が突起122、123によって規制
され、所定位置に位置決めされる。突起122、123の位置
及び数は任意である。
On the inner surface 121 of the cover member 12 facing the inner bottom surface 111, projections 122 and 123 projecting in the arrangement area of the positive temperature coefficient thermistor 3 and the contact portion 51 are provided in a strip shape. Protrusion 12
According to 2, 123, even if the positive temperature coefficient thermistor 2 is arranged in a state of contacting the cover member 12, the contact area is
A small contact area is formed by the projections 122 and 123. For this reason,
The effect of heating the cover member 12 by the positive temperature coefficient thermistor 2 is reduced, and the temperature rise of the cover member 12 is suppressed. at the same time,
The movement range of the contact portion 51 of the terminal 5 is limited by the projections 122 and 123. Therefore, even when an upward force F1 (see FIG. 2) is applied to the terminal portion 52 when the terminal 5 is attached to an external device, the movement of the terminal 5 is restricted by the projections 122 and 123, and Positioned in position. The positions and numbers of the projections 122 and 123 are arbitrary.

第10図は本考案に係る正特性サーミスタ装置を使用し
たカラーテレビ消磁回路を示し、Cが当該正特性サーミ
スタ装置である。7は交流電源、8は電源投入用のスイ
ッチ、9は消磁コイルである。第11図は正特性サーミス
タ2、3の抵抗温度特性、第12図は時間−電流特性をそ
れぞれ示している。
FIG. 10 shows a color television degaussing circuit using the PTC thermistor device according to the present invention, where C is the PTC thermistor device. Reference numeral 7 denotes an AC power supply, 8 denotes a power-on switch, and 9 denotes a degaussing coil. FIG. 11 shows the resistance-temperature characteristics of the thermistors 2 and 3, and FIG. 12 shows the time-current characteristics.

正特性サーミスタ3による加熱作用がなく、正特性サ
ーミスタ2が単独で動作している場合を仮定すると、第
11図の曲線Aで示す抵抗温度特性なり、正特性サーミス
タ2は温度TA、抵抗値RAで安定する。従って、消磁コイ
ル9には第12図の曲線IAに示す平衡点電流が流れる。こ
の正特性サーミスタ2に対して、第11図の曲線Bで示す
ような抵抗温度特性を持つ正特性サーミスタ3を熱結合
させた場合、正特性サーミスタ2が正特性サーミスタ3
によって加熱され、正特性サーミスタ2の動作温度が温
度TAよりも高い温度がTBに移行する。このため、正特性
サーミスタ2の安定動作時抵抗値が抵抗値RAよりも高い
抵抗値RBになり、消磁コイル9に流れる平衡点電流が第
12図の曲線IBで示すように低下する。
Assuming that the positive temperature coefficient thermistor 3 has no heating effect and the positive temperature coefficient thermistor 2 operates alone,
The resistance-temperature characteristic shown by the curve A in FIG. Therefore, an equilibrium point current shown by a curve IA in FIG. 12 flows through the degaussing coil 9. When a positive temperature coefficient thermistor 3 having a resistance temperature characteristic as shown by a curve B in FIG. 11 is thermally coupled to the positive temperature coefficient thermistor 2, the positive temperature coefficient thermistor 2 becomes
, And the temperature at which the operating temperature of the positive temperature coefficient thermistor 2 is higher than the temperature TA shifts to TB. Therefore, the resistance value of the positive characteristic thermistor 2 at the time of stable operation becomes the resistance value RB higher than the resistance value RA, and the equilibrium current flowing through the degaussing coil 9 becomes the
It decreases as shown by curve IB in FIG.

平衡点電流を減少させるには、正特性サーミスタ2の
抵抗値をできるだけ高い値に持ち上げる必要があり、正
特性サーミスタ3としては、正特性サーミスタ2より
も、抵抗値及びスイッチング温度TSの高いものが使用さ
れる。従って、正特性サーミスタ2と正特性サーミスタ
3との間にある共通の端子5はかなり高い温度で加熱さ
れる。
In order to reduce the equilibrium point current, it is necessary to raise the resistance value of the positive temperature coefficient thermistor 2 as high as possible. As the positive temperature coefficient thermistor 3, one having a higher resistance value and a higher switching temperature TS than the positive temperature coefficient thermistor 2 is used. used. Therefore, the common terminal 5 between the positive temperature coefficient thermistor 2 and the positive temperature coefficient thermistor 3 is heated at a considerably high temperature.

ここで、本考案においては、上述の迂回部53を有して
いるので、正特性サーミスタ2−3間において端子5の
接触部51が高温加熱された場合でも、接触部51から端子
部52への熱伝導が迂回部53によって抑制される。このた
め、正特性サーミスタの発熱温度が上昇すると共に、端
子部52の温度が低くなり、平衡点抵抗が大きくなって、
残留電流が低くなると共に、ケース1の耐熱設計が容易
になる。
Here, in the present invention, since the above-described detour portion 53 is provided, even when the contact portion 51 of the terminal 5 is heated to a high temperature between the positive temperature coefficient thermistors 2-3, the contact portion 51 is connected to the terminal portion 52. Is suppressed by the bypass portion 53. For this reason, the heat generation temperature of the positive temperature coefficient thermistor rises, the temperature of the terminal section 52 decreases, and the equilibrium point resistance increases.
The residual current is reduced, and the heat-resistant design of the case 1 is facilitated.

また、ケース1を構成する底部材11の内底面111と端
子5の接触部51との間に、突起112と切欠55による凹凸
嵌合が形成されているので、端子5の接触部51が迂回部
53に接触することがなくなり、端子部52の温度上昇が一
層確実に防止できるようになる。
In addition, since the projections 112 and the notches 55 are formed with concave and convex fittings between the inner bottom surface 111 of the bottom member 11 constituting the case 1 and the contact portions 51 of the terminals 5, the contact portions 51 of the terminals 5 are detoured. Department
The contact with the terminal 53 does not occur, and the temperature rise of the terminal portion 52 can be more reliably prevented.

〈考案の効果〉 以上述べたように、本考案によれば、次のような効果
が得られる。
<Effects of the Invention> As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained.

(a) 消磁回路に使用した場合に残留電流が低く消磁
作用の優れた正特性サーミスタ装置を提供できる。
(A) It is possible to provide a positive temperature coefficient thermistor device having a low residual current and excellent demagnetizing action when used in a degaussing circuit.

(b) 接触部から端子部への熱伝導を迂回部によって
抑制し、端子部の温度を低く抑え、ケースの熱的劣化が
小さく、耐熱設計が容易であり、省電力型で電気的特性
の優れた正特性サーミスタ装置を提供できる。
(B) The heat conduction from the contact portion to the terminal portion is suppressed by the detour portion, the temperature of the terminal portion is kept low, the thermal deterioration of the case is small, the heat-resistant design is easy, the power saving type and the electric characteristics are improved. An excellent PTC thermistor device can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本考案に係る正特性サーミスタ装置の部分断面
図、第2図は第1図A1-A1線における断面図、第3図は
第1図A2-A2線上における部分断面図、第4図は第2図B
1-B1線上における部分断面図、第5図は第2図B2-B2線
上における部分断面図、第6図は底部材11の平面図、第
7図は第6図C1-C1線上における断面図、第8図は端子
の正面図、第9図は同じくその側面図、第10図は本考案
に係る正特性サーミスタ装置を使用した消磁回路図、第
11図は第10図に示した消磁回路の動作を説明する抵抗温
度特性図、第12図は同じく電流減衰特性図である。 1……ケース、11……底部材 12……カバー部材 111……内底面 112〜116……突起 2、3……正特性サーミスタ 4〜6……端子 41、51、61……接触部 42、52……62……端子部 53……迂回部 55……切欠
FIG. 1 is a partial sectional view of the positive temperature coefficient thermistor device according to the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line A1-A1 in FIG. 1, FIG. 3 is a partial sectional view taken along line A2-A2 in FIG. Figure 2B
FIG. 5 is a partial cross-sectional view along the line B2-B2, FIG. 6 is a plan view of the bottom member 11, and FIG. 7 is a cross-sectional view along the line C1-C1 in FIG. , FIG. 8 is a front view of the terminal, FIG. 9 is a side view of the same, FIG. 10 is a demagnetization circuit diagram using the PTC thermistor device according to the present invention,
FIG. 11 is a resistance temperature characteristic diagram for explaining the operation of the degaussing circuit shown in FIG. 10, and FIG. 12 is a current decay characteristic diagram similarly. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Case, 11 ... Bottom member 12 ... Cover member 111 ... Inner bottom surface 112-116 ... Protrusion 2, 3 ... Positive thermistor 4-6 ... Terminal 41, 51, 61 ... Contact part 42 , 52… 62… Terminal 53… Detour 55… Notch

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−208803(JP,A) 実開 昭62−55304(JP,U) 実開 昭62−98202(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01C 7/00 - 7/22──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-1-208803 (JP, A) Japanese Utility Model Application Sho 62-55304 (JP, U) Japanese Utility Model Application Utility Model Sho 62-98202 (JP, U) (58) Field (Int.Cl. 6 , DB name) H01C 7/00-7/22

Claims (5)

(57)【実用新案登録請求の範囲】(57) [Scope of request for utility model registration] 【請求項1】ケースと、前記ケース内に収納された2つ
の正特性サーミスタと、前記正特性サーミスタの電極に
導通する複数の端子とを備え、消磁回路に用いられる正
特性サーミスタ装置であって、 前記2つの正特性サーミスタは、互いに重ね合わされて
おり、 前記端子の内の1つは、前記2つの正特性サーミスタの
間に配置され、前記2つの正特性サーミスタの電極に面
接触する接触部と、迂回部と、前記ケースの外部に導出
される端子部とを有しており、 前記迂回部は、前記接触部よりは狭幅であって、前記接
触部の側方に間隔を隔てて配置され、前記接触部及び前
記端子部を直列に接続するように、一端部が前記接触部
の一端側に連接されるとともに、他端部が前記端子部に
連接されている正特性サーミスタ装置。
1. A positive temperature coefficient thermistor device comprising a case, two positive temperature coefficient thermistors housed in said case, and a plurality of terminals electrically connected to electrodes of said positive temperature coefficient thermistor, used for a degaussing circuit. The two positive temperature coefficient thermistors are superimposed on each other, and one of the terminals is disposed between the two positive temperature coefficient thermistors and is in contact with the electrodes of the two positive temperature coefficient thermistors. And a detour part, and a terminal part led out of the case, wherein the detour part is narrower than the contact part and is spaced apart from a side of the contact part. A PTC thermistor device, wherein one end is connected to one end of the contact portion and the other end is connected to the terminal portion so as to connect the contact portion and the terminal portion in series.
【請求項2】前記ケースの内底面と前記接触部の端縁と
の間に、凹凸嵌合部を有することを特徴とする請求項1
に記載の正特性サーミスタ装置。
2. An uneven fitting portion between an inner bottom surface of the case and an edge of the contact portion.
4. The positive temperature coefficient thermistor device according to 1.
【請求項3】前記ケースの内底面に、前記正特性サーミ
スタを受ける突起を有することを特徴とする請求項1ま
たは2の何れかに記載の正特性サーミスタ装置。
3. The positive temperature coefficient thermistor device according to claim 1, further comprising a projection on an inner bottom surface of said case for receiving said positive temperature coefficient thermistor.
【請求項4】前記ケースの内底面に、前記接触部の面と
対向するように配置された突起を有すること を特徴とする請求項1、2または3の何れかに記載の正
特性サーミスタ装置。
4. The positive temperature coefficient thermistor device according to claim 1, further comprising a projection disposed on an inner bottom surface of said case so as to face a surface of said contact portion. .
【請求項5】前記迂回部は、面に付与された凹凸による
補強部を有すること を特徴とする請求項1、2、3または4項の何れかに記
載の正特性サーミスタ装置。
5. The positive temperature coefficient thermistor device according to claim 1, wherein said bypass portion has a reinforcing portion formed by unevenness provided on a surface.
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