JP2569078B2 - 核融合炉の炉壁 - Google Patents
核融合炉の炉壁Info
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- JP2569078B2 JP2569078B2 JP62261579A JP26157987A JP2569078B2 JP 2569078 B2 JP2569078 B2 JP 2569078B2 JP 62261579 A JP62261579 A JP 62261579A JP 26157987 A JP26157987 A JP 26157987A JP 2569078 B2 JP2569078 B2 JP 2569078B2
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- Japan
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- reactor
- fusion reactor
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は核融合炉の炉心プラズマを包む第一壁（以下
炉壁と呼ぶ）に係り、特に、炉壁の炉心プラズマ側を構
成する防護タイルの脱ガスを効果的に行うのに好適な核
融合炉壁の構造に関する。
炉壁と呼ぶ）に係り、特に、炉壁の炉心プラズマ側を構
成する防護タイルの脱ガスを効果的に行うのに好適な核
融合炉壁の構造に関する。
従来、核融合炉壁については、特開昭59-151084号公
報、あるいは、実願昭60-142877号明細書（実開昭62-51
299号）に記載のように、プラズマに面する防護タイル
は絶縁体、または、半導体材料であつて、これが金属基
板に接合されるか、または、黒鉛などの導電性材料が絶
縁層を介して金属基板に接合または機械的に締結された
構造となつており、これらの防護タイルは金属基板と電
気的に導通状態であるか、または、隣接する防護タイル
間は電気的に絶縁状態におかれていた。
報、あるいは、実願昭60-142877号明細書（実開昭62-51
299号）に記載のように、プラズマに面する防護タイル
は絶縁体、または、半導体材料であつて、これが金属基
板に接合されるか、または、黒鉛などの導電性材料が絶
縁層を介して金属基板に接合または機械的に締結された
構造となつており、これらの防護タイルは金属基板と電
気的に導通状態であるか、または、隣接する防護タイル
間は電気的に絶縁状態におかれていた。
上記従来技術による核融合炉壁では、防護タイルの真
空脱ガスを行う場合、真空容器の加熱により輻射を利用
して間接的に炉壁を加熱する方法、冷却基板内に設けら
れた冷却チヤンネル内に加熱媒体、例えば、高温のガス
を循環させる方法、または、炉心部にプラズマを形成し
てから閉じ込め磁場を変化させ、プラズマのエネルギを
炉壁面に与えて炉壁を加熱する方法などがとられてい
た。しかし間接的加熱法では大きな熱容量をもつ真空容
器全体を加熱する必要があり、加熱に長時間、かつ、大
電力を必要とする欠点があつた。冷却チヤンネル内に高
温ガスを循環させる方法は効果的であるが冷却基板に苛
酷な温度サイクルを与えることになり、また、到達温度
も限られている。プラズマ自体による加熱法は加熱時間
が数十msと短かく、プラズマエネルギの入射領域を自由
に制御することは困難であつた。
空脱ガスを行う場合、真空容器の加熱により輻射を利用
して間接的に炉壁を加熱する方法、冷却基板内に設けら
れた冷却チヤンネル内に加熱媒体、例えば、高温のガス
を循環させる方法、または、炉心部にプラズマを形成し
てから閉じ込め磁場を変化させ、プラズマのエネルギを
炉壁面に与えて炉壁を加熱する方法などがとられてい
た。しかし間接的加熱法では大きな熱容量をもつ真空容
器全体を加熱する必要があり、加熱に長時間、かつ、大
電力を必要とする欠点があつた。冷却チヤンネル内に高
温ガスを循環させる方法は効果的であるが冷却基板に苛
酷な温度サイクルを与えることになり、また、到達温度
も限られている。プラズマ自体による加熱法は加熱時間
が数十msと短かく、プラズマエネルギの入射領域を自由
に制御することは困難であつた。
本発明の目的は、炉壁のプラズマに対向する面を効率
よく加熱し、脱ガスを容易に行うことのできる核融合炉
の炉壁を提供することにある。
よく加熱し、脱ガスを容易に行うことのできる核融合炉
の炉壁を提供することにある。
上記目的は、冷却基板と電気的に絶縁され、抵抗回路
を形成している導電性防護材層に直接通電・加熱を行う
ことにより達成される。
を形成している導電性防護材層に直接通電・加熱を行う
ことにより達成される。
第２図は磁場閉じ込め型核融合炉の断面構造を示す模
式図である。本発明の炉壁１は真空容器２とプラズマ３
の間に設置され、真空容器２をプラズマ３から流入する
熱負荷、及び、プラズマ粒子負荷から防護するためのも
のである。プラズマ３はトロイダルコイル4,ポロイダル
コイル５およびプラズマ電流により誘起される平衡磁場
によりトーラス状に形成される。従つて、炉壁１はトー
ラスの内側の真空壁と外側の真空壁を防護する二部分に
分割されるのが一般的である。炉壁のプラズマに面する
側は防護タイル６で覆われており、一方、真空容器２の
側には防護タイル６との間の熱接触を図るための中間材
７を介して冷却基板８が置かれ、プラズマから防護壁面
に流入する熱の除去が行われる。炉壁面上の防護タイル
は、順次、電気的に接続され、炉壁の端面に設けられた
電流端子９に接続されて抵抗回路を形成する。このよう
な防護タイルよりなる回路に接続されたリード線10に電
力を供給することにより、防護壁の加熱を行い、防護壁
表面に効率良い脱ガスが行える。
式図である。本発明の炉壁１は真空容器２とプラズマ３
の間に設置され、真空容器２をプラズマ３から流入する
熱負荷、及び、プラズマ粒子負荷から防護するためのも
のである。プラズマ３はトロイダルコイル4,ポロイダル
コイル５およびプラズマ電流により誘起される平衡磁場
によりトーラス状に形成される。従つて、炉壁１はトー
ラスの内側の真空壁と外側の真空壁を防護する二部分に
分割されるのが一般的である。炉壁のプラズマに面する
側は防護タイル６で覆われており、一方、真空容器２の
側には防護タイル６との間の熱接触を図るための中間材
７を介して冷却基板８が置かれ、プラズマから防護壁面
に流入する熱の除去が行われる。炉壁面上の防護タイル
は、順次、電気的に接続され、炉壁の端面に設けられた
電流端子９に接続されて抵抗回路を形成する。このよう
な防護タイルよりなる回路に接続されたリード線10に電
力を供給することにより、防護壁の加熱を行い、防護壁
表面に効率良い脱ガスが行える。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。防
護タイル６は冷却チヤンネル11をもつ冷却基板８上に熱
伝導性の良好な中間材７を介して冶金的、あるいは、機
械的方法により締結される。中間材は、応力緩和性に優
れた炭素繊維強化銅（またはアルミニウム）材，モリブ
テン，バナジウム、あるいは、チタンおよびそれらを基
体とする合金，銅，タングステン、または、黒鉛製の繊
維で造られたフエルト、または、繊布が適している。防
護タイル６は黒鉛,TiC,導電性SiCおよびそれらの複合
材、あるいは、金属ベリリウムよりなる導電性防護材層
13と冷却基板８側に置かれた電気的絶縁層14で構成され
る。電気的絶縁層は熱伝導性に優れたダイヤモンド，電
気的絶縁性SiCまたはBN,AlN,Si3N4などが適しており、
特に、気相合成法で形成されたダイヤモンド膜、１〜２
重量％のBeOを含有するSiC焼結体が望ましい。電気絶縁
性SiC,BN,AlNなどの絶縁層の形成は、原料粉を導電性防
護材層13として使用する黒鉛、または、セラミツクス材
上に直接、加圧（または常圧）焼結法により形成するこ
とにより、接合界面における熱接触抵抗値の小さい積層
型防護タイル６を実現することができる。防護タイル６
の側面の底面と成す角度は30°〜80°とし、防護タイル
の基底部の断面が台形となるように加工してある。隣接
する防護壁タイル間の間隙には、楔形断面をもつ楔形接
続子12を、防護タイルの側面と密着するように挿入し、
隣接防護タイル間の電気的接触を図る。楔形接続子のプ
ラズマに面する側は黒鉛などの電気的良導体で、一方、
冷却基板側は絶縁層14で形成した二層構造とすることに
より、導電性防護材層13と冷却基板８との絶縁を図つて
いる。相互に結合された防護タイル６の列の終端部に位
置する防護タイル６の側面には接続端子９が接続され、
防護タイルの通電加熱用端子として使用される。防護タ
イルは通電加熱により、特に、板面方向に膨張し、防護
壁間の間隔は温度上昇と共に減少する。楔形接続子12と
防護タイル６の接触面を、例えば、黒鉛のような摩擦係
数の小さい材料で構成しておくことにより、防護タイル
６の熱膨張と共に楔形接続子12が第２図の上方、すなわ
ち、プラズマ側に押し上げられることにより、防護タイ
ル６の熱膨張を吸収することが出来る。その場合、楔形
接続子12の冷却基板８への取り付け方法は、スプリング
を介した機械的締結法が望ましい。楔形接続子12は防護
タイル６の導電性防護材層13を相互に電気的に接続させ
るだけでなく、防護タイル６が破断したり、冶金的締結
部分が剥離した場合に防護タイルの冷却基板８からの脱
落を防止する効果をもち、炉壁の信頼性の向上に役立
つ。なお、本実施例では防護タイル６の形状として長方
形の基底面をもつ場合を示したが、他の形状、例えば、
三角形、あるいは、六角形でも同様の目的が達せられ
る。また、隣接する防護タイル６間に楔形接続子12を設
置する位置は、導電性防護材層13に誘起される誘導電流
により生じる電磁力が許容レベル以下になるように決め
ることが望ましい。
護タイル６は冷却チヤンネル11をもつ冷却基板８上に熱
伝導性の良好な中間材７を介して冶金的、あるいは、機
械的方法により締結される。中間材は、応力緩和性に優
れた炭素繊維強化銅（またはアルミニウム）材，モリブ
テン，バナジウム、あるいは、チタンおよびそれらを基
体とする合金，銅，タングステン、または、黒鉛製の繊
維で造られたフエルト、または、繊布が適している。防
護タイル６は黒鉛,TiC,導電性SiCおよびそれらの複合
材、あるいは、金属ベリリウムよりなる導電性防護材層
13と冷却基板８側に置かれた電気的絶縁層14で構成され
る。電気的絶縁層は熱伝導性に優れたダイヤモンド，電
気的絶縁性SiCまたはBN,AlN,Si3N4などが適しており、
特に、気相合成法で形成されたダイヤモンド膜、１〜２
重量％のBeOを含有するSiC焼結体が望ましい。電気絶縁
性SiC,BN,AlNなどの絶縁層の形成は、原料粉を導電性防
護材層13として使用する黒鉛、または、セラミツクス材
上に直接、加圧（または常圧）焼結法により形成するこ
とにより、接合界面における熱接触抵抗値の小さい積層
型防護タイル６を実現することができる。防護タイル６
の側面の底面と成す角度は30°〜80°とし、防護タイル
の基底部の断面が台形となるように加工してある。隣接
する防護壁タイル間の間隙には、楔形断面をもつ楔形接
続子12を、防護タイルの側面と密着するように挿入し、
隣接防護タイル間の電気的接触を図る。楔形接続子のプ
ラズマに面する側は黒鉛などの電気的良導体で、一方、
冷却基板側は絶縁層14で形成した二層構造とすることに
より、導電性防護材層13と冷却基板８との絶縁を図つて
いる。相互に結合された防護タイル６の列の終端部に位
置する防護タイル６の側面には接続端子９が接続され、
防護タイルの通電加熱用端子として使用される。防護タ
イルは通電加熱により、特に、板面方向に膨張し、防護
壁間の間隔は温度上昇と共に減少する。楔形接続子12と
防護タイル６の接触面を、例えば、黒鉛のような摩擦係
数の小さい材料で構成しておくことにより、防護タイル
６の熱膨張と共に楔形接続子12が第２図の上方、すなわ
ち、プラズマ側に押し上げられることにより、防護タイ
ル６の熱膨張を吸収することが出来る。その場合、楔形
接続子12の冷却基板８への取り付け方法は、スプリング
を介した機械的締結法が望ましい。楔形接続子12は防護
タイル６の導電性防護材層13を相互に電気的に接続させ
るだけでなく、防護タイル６が破断したり、冶金的締結
部分が剥離した場合に防護タイルの冷却基板８からの脱
落を防止する効果をもち、炉壁の信頼性の向上に役立
つ。なお、本実施例では防護タイル６の形状として長方
形の基底面をもつ場合を示したが、他の形状、例えば、
三角形、あるいは、六角形でも同様の目的が達せられ
る。また、隣接する防護タイル６間に楔形接続子12を設
置する位置は、導電性防護材層13に誘起される誘導電流
により生じる電磁力が許容レベル以下になるように決め
ることが望ましい。
本発明を適用した実施例２において、導電性防護材層
13として比抵抗10-3Ω・cm、基底面寸法10cm×10cm、厚
さ1cmの黒鉛材を用いると、一枚の防護タイルの両端で
図つた電気抵抗は10-3Ωであつた。各防護タイルに300
Åの導電を十時間行つたところ炉壁全体の温度を600℃
まで上昇させることが出来た。この場合、加熱した防護
タイルは総数二万枚で、加熱に使用した電源容量は2000
KWであつた。
13として比抵抗10-3Ω・cm、基底面寸法10cm×10cm、厚
さ1cmの黒鉛材を用いると、一枚の防護タイルの両端で
図つた電気抵抗は10-3Ωであつた。各防護タイルに300
Åの導電を十時間行つたところ炉壁全体の温度を600℃
まで上昇させることが出来た。この場合、加熱した防護
タイルは総数二万枚で、加熱に使用した電源容量は2000
KWであつた。
第３図は本発明の他の実施例を示す。防護タイル６は
炭素繊維強化炭素材，炭素繊維強化セラミツクス材、ま
たは、金属ベリリウムで形成されている。防護タイル６
は冷却基板８に対して絶縁層14と中間材７を介して冶金
的、あるいは、機械的に締結されている。防護タイル６
にはスリツト15が切り込まれており、両端に設けた接続
端子９にリード線10を接続して全体として抵抗回路を形
成する。このような防護タイル６に交流、又は、直流電
流を流すことにより、防護タイル６の脱ガスを効率良く
行うことが出来る。
炭素繊維強化炭素材，炭素繊維強化セラミツクス材、ま
たは、金属ベリリウムで形成されている。防護タイル６
は冷却基板８に対して絶縁層14と中間材７を介して冶金
的、あるいは、機械的に締結されている。防護タイル６
にはスリツト15が切り込まれており、両端に設けた接続
端子９にリード線10を接続して全体として抵抗回路を形
成する。このような防護タイル６に交流、又は、直流電
流を流すことにより、防護タイル６の脱ガスを効率良く
行うことが出来る。
本実施例によれば、加熱温度の調整は防護タイルに対
する通電量によつて容易に制御できるので、炉運転中の
壁面温度を最適制御することにより、プラズマと炉壁間
の水素燃料粒子の吸収・再放出過程を能動的に制御する
ことができる。
する通電量によつて容易に制御できるので、炉運転中の
壁面温度を最適制御することにより、プラズマと炉壁間
の水素燃料粒子の吸収・再放出過程を能動的に制御する
ことができる。
本発明によれば、核融合炉の起動前および稼動中にお
ける任意の時点で、最も温度を高めて脱ガス処理を行う
必要のある防護タイルの直接的加熱を行うことができ
る。
ける任意の時点で、最も温度を高めて脱ガス処理を行う
必要のある防護タイルの直接的加熱を行うことができ
る。
第１図は本発明の一実施例の核融合炉壁の詳細な構造
図、第２図は本発明の一実施例の核融合炉壁をもつ磁場
閉じ込め型核融合炉の回転対称軸を含む縦断面図、第３
図は本発明の他の実施例の核融合炉壁の詳細図を示す。 １……炉壁、２……真空容器、４……トロイダルコイ
ル、５……ポロイダルコイル、６……防護タイル、７…
…中間材、８……冷却基板。
図、第２図は本発明の一実施例の核融合炉壁をもつ磁場
閉じ込め型核融合炉の回転対称軸を含む縦断面図、第３
図は本発明の他の実施例の核融合炉壁の詳細図を示す。 １……炉壁、２……真空容器、４……トロイダルコイ
ル、５……ポロイダルコイル、６……防護タイル、７…
…中間材、８……冷却基板。
Claims (3)
- 【請求項１】プラズマ粒子の封入用の真空容器、前記真
空容器の外周に配置された磁場発生用コイル及び前記真
空容器の前記プラズマ粒子に対向する炉壁を備えた核融
合炉の炉壁において、 前記炉壁は、金属からなる冷却基板に電気的絶縁層を介
して耐熱性材料からなる導電性防護材層が接合された積
層構造を有し、かつ前記導電性防護材層は、電気的に接
続された抵抗回路を形成し、前記抵抗回路の両端には電
圧印加用の接続端子が設けられていることを特徴とする
核融合炉の炉壁。 - 【請求項２】前記抵抗回路は、前記導電性防護材層に前
記電気的絶縁層が接合されてなる防護タイルが複数個、
相互に電気的に接続されたものから構成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の核融合炉の炉
壁。 - 【請求項３】前記冷却基板と前記導電性防護材層の間に
熱伝導性の良好な中間材が設けられていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の核融合炉の炉壁。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62261579A JP2569078B2 (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 核融合炉の炉壁 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62261579A JP2569078B2 (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 核融合炉の炉壁 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01105190A JPH01105190A (ja) | 1989-04-21 |
| JP2569078B2 true JP2569078B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=17363878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62261579A Expired - Lifetime JP2569078B2 (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 核融合炉の炉壁 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2569078B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2777139B2 (ja) * | 1988-03-31 | 1998-07-16 | 日本原子力研究所 | 核融合装置の第一壁 |
| US6872909B2 (en) * | 2003-04-16 | 2005-03-29 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas and plasma source having a dielectric vacuum vessel |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0240558Y2 (ja) * | 1985-09-20 | 1990-10-29 |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP62261579A patent/JP2569078B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01105190A (ja) | 1989-04-21 |
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