JP2566037B2 - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体レーザにより高効率な励起を行う固
体レーザ装置に関するもので、特に半導体レーザからの
励起光を固体レーザ媒質に効率良く導く手段に関する。

〔従来の技術〕

第４図は、例えば1971年11月30日に交付された米国特
許第3624545号に開示されている半導体レーザ励起固体
レーザ装置の構成説明図である。図において、（１）は
固体レーザ媒質、（２）は半導体レーザアレー、（３）
は反射筒、（４）は高反射鏡、（５）は出力結合鏡、
（６）は光軸、（７）はレーザ共振器モードである。こ
れは固体レーザ媒質（１）の吸収スペクトルにほぼ一致
した発光スペクトルを持つ半導体レーザを多数並べてア
レー状にした半導体レーザアレー（２）からの射出光を
固体レーザ媒質（１）の励起に用いるいわゆる側面光励
起の固体レーザ装置である。

上記半導体レーザアレー（２）からの射出光は光軸
（６）とほぼ直交して上記固体レーザ媒質（１）の側面
から入射し一部は吸収され一部は透過して反射筒（３）
で反射された後再び上記固体レーザ媒質（１）に入射し
レーザ増幅が可能な励起領域を形成する。一方、レーザ
共振器は上記高反射鏡（４）と出力結合鏡（５）とで構
成され、レーザ共振器モード（７）が形成される。上記
励起領域は上記レーザ共振器モード（７）のモード分布
との間にあまり関係なく上記固体レーザ媒質（１）のほ
ぼ全体に渡って行われる。レーザ発振モードは上記レー
ザ共振器モード（７）の内で基本モードであるTEMooモ
ードが望ましい。上記レーザ増幅が可能な励起領域と上
記レーザ共振器モード（７）との関係を説明するため、
上記固定レーザ媒質（１）を含む上記光軸（６）に垂直
な断面図を第５図に示す。図において、（８）は励起領
域である。半導体レーザアレー（２）からの射出光に伴
う励起エネルギーの多くはレーザ共振器モード（７）に
よって占められる領域以外の固体レーザ媒質（１）の領
域内に与えられるため、レーザ発振モードの増幅に寄与
しない部分が多くなる。したがって、励起効率が低いと
いう問題があった。

この励起領域とレーザ共振モードの大きさもしくは体
積に大きな差があるという欠点を改善するため励起光源
である半導体レーザからの射出光を上記レーザ共振器の
光軸（６）と略平行になるように配置し、上記固体レー
ザ媒質（１）の上記光軸（６）に略垂直な端面から励起
するようにした端面光励起の固体レーザが1987年３月24
日に交付された米国特許第4653056号に開示されてい
る。米国特許第4653056号に開示されたレーザの構成例
を第６図に示す。図において、（９）は半導体レーザ、
（10）はレンズ、（11）は励起光である。上記半導体レ
ーザ（９）からの発散射出光はレンズ（10）で集められ
た後収束光に変換され、上記高反射光（４）を通過し上
記固体レーザ媒質（１）の上記光軸（６）に略垂直な端
面の一方から固体レーザ媒質（１）内に導入される。励
起効率を高くするため、励起領域をレーザ発振モード
（７）の内で基本モードであるTEMooモードのモード体
積にマッチングさせるようになっている。半導体レーザ
を用いる端面光励起の固体レーザでは励起領域をTEMoo
モードのモード体積にマッチングさせることが可能であ
るため高い励起効率が得られる。しかしながら、従来の
半導体レーザではその出力がせいぜい1W程度に限定され
ていることが多く、また、より高出力の半導体レーザを
励起光源として用いても端面光励起の固体レーザでは使
用できるエネルギーに限界があるため固体レーザの出力
が限定される。これに対して側面光励起の固体レーザで
は励起光源からのエネルギーをより多く固体レーザ媒質
内に移入できるが、励起領域とTEMooモードのモード体
積とのマッチングに問題がある。この欠点を改善するた
め励起光源である半導体レーザアレーは側面光励起の配
置構造となっているがレーザ共振器の構成を変えて励起
光源である半導体レーザアレーからの光がレーザ共振器
の光軸にほぼ一致するようにした構成の固体レーザが19
87年12月１日に交付された米国特許第4710940号に開示
されている。米国特許第4710940号に開示された固体レ
ーザの構成図を第７図に示す。図において、（12）は第
１の側面（14）と第２の側面（15）を持つ台形状の固体
レーザ媒質、（13）は第１の端面、（16）は第２の端面
である。第１の側面（14）および第２の側面（15）には
固体レーザの発振波長に対して高反射となるが励起光源
である半導体レーザ（19）の発振波長に対しては低反射
となる誘電体多層膜が形成されている。また、第１の端
面（13）と第２の端面（16）には固体レーザの発振波長
に対して低反射となる誘電体多層膜が形成されている。
この様な構成において、レーザ共振器内のレーザ光は第
８図に示すように上記第１の側面（14）および上記第２
の側面（15）で交互に反射を繰り返しながら上記固体レ
ーザ媒質（12）の中をジグザグに進行する。一方、上記
励起光源である半導体レーザ（19）からの光はジグザグ
に進行するレーザ光に対してその光軸がほぼ一致するよ
う上記第１の側面（14）もしくは上記第２の側面（15）
に対して斜めから入射する。したがって、上記第７図に
示した端面光励起の固体レーザと同様に励起領域をレー
ザ発振モード（７）の内で基本モードであるTEMooモー
ドのモード体積にマッチングさせることができる。しか
しながら、第１の側面（14）および第２の側面（15）に
形成されている高反射の誘電体多層膜の反射率は製作精
度等により100％にすることはできずせいぜい99.5％程
度であり、各１回の反射につき0.5％の損失を受けるの
で、高出力を得ようとして反射回数を増加させると損失
もそれに応じて増加すると言う欠点がある。

第７図と同様の構成で励起光源である半導体レーザを
適当な間隔をもって並べた複数の半導体レーザで構成さ
れたダイオードバーで構成した固体レーザがトーマス・
マイケル・ベイアにより特開平1-122180に開示されてい
る。第８図は特開平1-122180に開示された高効率モード
調和型固体レーザ装置の構成例である。図において、
（17）は固体レーザ媒質から作成されたレーザブロッ
ク、（18）は適当な間隔をもって並べた複数の半導体レ
ーザで構成されたダイオードバー、（20）はファイバレ
ンズ、（21）は第１の入射端面、（22）は第２の入射端
面である。

次に動作について説明する。ダイオードバー（18）を
構成する半導体レーザからの出力光は一般に紙面に平行
な方向の広がり角に比べて紙面に垂直な方向の広がり角
が広い。そこでファイバレンズ（20）により垂直方向の
みを平行光束としてそのビーム径が固体レーザの横モー
ドの大きさと調和するようにしてレーザブロック（17）
に入射させる。ここでダイオードバー（18）からの出力
光の波長を固体レーザ媒質の吸収帯に一致させておくと
ダイオードバー（18）からの出力光はレーザブロック
（17）の中で伝搬するにしたがって指数関数的に吸収さ
れ固体レーザの発振波長で利得を有する反転分布を形成
する。このときの反転分布はファイバレンズ（20）を通
過したダイオードバー（18）からの出力光の空間分布を
反映してダイオードバー（18）を構成する各半導体レー
ザの発光位置で大きく、半導体レーザの間隔位置では小
さい。このような反転分布を形成したレーザブロック
（17）内で第８図に示したようなダイオードバー（18）
からの出力光が入射する端面のダイオードバー（18）を
構成する各半導体レーザの発光位置とほぼ一致する第１
の側面（14）と、その側面に対向する第２の側面（15）
で交互に反射するジグザグな光路をもってレーザ共振器
を形成するように高反射鏡（４）、出力結合鏡（５）を
配置する。このときダイオードバー（18）からの出力光
が入射する第１の側面（14）はダイオードバー（18）か
らの出力光の波長に対しては無反射とし固体レーザの発
振波長に対しては高反射となるダイクロイックコーティ
ングを施してある。第２の側面（15）には固体レーザの
発振波長に対して高反射コーティングを施し、一部、高
反射鏡（４）、出力結合鏡（５）にレーザ光が出力され
る部分である第１の入射端面（21）と第２の入射端面
（22）には固体レーザの発振波長に対してほぼ無反射と
なるコーティングを施してある。このようにレーザ共振
器を構成することによりダイオードバー（18）から射出
された光のエネルギーを高効率でレーザ発振モードに結
合できる。ダイオードバー（18）を構成する半導体レー
ザの数を増加させジグザグの反射回数を増加させる事に
より固体レーザの発振出力を増加させることができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

以上説明したように第４図に示した側面光励起の従来
装置では半導体レーザアレー（２）からの射出光に伴う
励起エネルギーの多くはレーザ共振器モード（７）によ
って占められる領域以外の固体レーザ媒質（１）の領域
内に与えられるため、レーザ発振モードの増幅に寄与し
ない部分が多くなり、励起効率が低いという問題があっ
た。

また、第６図に示した端面光励起の従来装置では半導
体レーザに用いる端面光励起の固体レーザでは励起領域
をTEMooモードのモード体積にマッチングさせることが
可能であるため高い励起効率が得られる。しかしなが
ら、従来の半導体レーザではその出力がせいぜい1W程度
に限定されていることが多く、また、より高出力の半導
体レーザを励起光源として用いても端面光励起の固体レ
ーザでは使用できるエネルギーに限度があるため固体レ
ーザの出力が限定され、高出力を得ることができないと
言う問題があった。

さらに、第７図もしくは第８図に示した従来の半導体
レーザ励起固体レーザ装置は以下のような欠点があっ
た。第１に高効率な励起を実現するためにダイオードバ
ー（18）を構成する複数の半導体レーザの設置位置とレ
ーザ共振器を構成するジグザグ光路の反射位置を一致さ
せる必要があり、このため高反射鏡（４）、出力結合鏡
（５）およびダイオードバー（18）の相互の配置関係を
調整することが難しかった。第２にレーザブロック（1
7）に施す高反射膜は誘電体多層膜で作成しているが、
多層膜での吸収や散乱、作成精度等により反射率を100
％にすることは困難でありせいぜい99.5％程度である。
したがって各１回の反射につき0.5％程度の損失を有す
る。このためレーザ発振出力をふやすためジグザグ光路
の反射回数を増加させるとレーザ共振器内部の損失が増
加してしまうという不具合があった。第３にダイオード
バー（18）からの出力光が入射する端面に対向する第１
の入射端面（21）と第２の入射端面（22）および第２の
側面（15）で構成される側面の一部に高反射鏡（４）、
出力結合鏡（５）にレーザ光が出力するため固体レーザ
の発振波長に対して無反射コーティングを施す必要があ
り、高反射コーティング領域と無反射コーティング領域
とを分離して作製しなければならず作製工程が多くなる
という問題があった。

この発明は上記のような課題を解決するためになされ
たもので、側面光励起方式を用いているにもかかわらず
レーザ発振モードのモード体積と励起領域とのマッチン
グを良くし高出力でかつ高効率な半導体レーザ励起固体
レーザ装置を得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置は、
固体レーザ媒質と、該固体レーザ媒質の両側面に長手方
向に配列し、固体レーザ媒質に励起光を射出する半導体
レーザアレーと、上記固体レーザ媒質を含みレーザ共振
器モードを形成するように設置された共振器構成と、上
記半導体レーザアレーと固体レーザ媒質間に、半導体レ
ーザアレーと略平行に配置し、透過形回折格子と反射形
回折格子とが交互に配置された回折格子ブロックを形成
した固体レーザ媒質ブロックと、該固体レーザ媒質ブロ
ックと上記半導体レーザアレー間に設置されたロッドレ
ンズとを備えたものである。

〔作用〕

上記のような構成された半導体レーザ励起固体レーザ
装置では、回折格子が固体レーザ媒質を励起する半導体
レーザからの入射光を回折させ、励起光の伝搬方向を変
化させるので、固体レーザ媒質内の励起光の方向とレー
ザ共振器モードが形成される方向とを概略同一方向に設
定でき、レーザ発振モードのモード体積と励起領域との
マッチングを良くし高出力でかつ高効率を得られるよう
にしたものである。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。な
お、以下に示す実施例の構成説明図では、説明を簡単に
するために固体レーザ媒質の形状が四角柱で、四角柱の
主軸方向がレーザ共振器の光軸方向となるようにレーザ
共振器が構成されており、励起光源は四角柱の側面の周
囲から上記主軸に略垂直な方向に半導体レーザの励起光
が射出されるように設置されている場合の例で説明す
る。

第１図はこの発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置
の実施例の構成を示す構成説明図であって、（23）は固
体レーザ媒質ブロック、（24）は第１の回折格子、（24
a）は第１の透過形回折格子、（24b）は第１の反射回折
格子、（25）は第２の回折格子、（25a）は第２の透過
形回折格子、（25b）は第２の反射形回折格子、（26）
は第１の面、（27）は第２の面、（28）はロッドレン
ズ、（29）は０次回折光、（30）は第１の１次回折光、
（31）は第１の−１次回折光、（32）は第２の１次回折
光、（33）は第２の−１次回折光、（34）は共振器内光
学素子である。上記第１の回折格子（24）および第２の
回折格子（25）は固体レーザ媒質ブロック（23）の表面
に形成されておりかつ第１の透過形回折格子（24a）は
第２の反射形回折格子（25b）に対向して配置されてい
る。また、第１の面（26）と第２の面（27）には上記半
導体レーザアレー（２）からの励起光に対して高反射で
あるが固体レーザの発振波長に対しては略無反射である
誘電体多層膜のコーティングが形成されている。上記第
１の回折格子（24）および第２の回折格子（25）が形成
された固体レーザ媒質ブロック（23）の側面に沿って配
置され上記半導体レーザアレー（２）は励起光源を構成
する。この半導体レーザアレー（２）はその長さ方向に
沿って接合面がほぼ平行であり互いに間隔を置いて配置
された複数の別個の半導体レーザ（19）で構成されてお
り、上記半導体レーザ（19）の間隔は上記第１の回折格
子（24）もしくは第２の回折格子（25）を構成する上記
第１の透過形回折格子（24a）もしくは第２の透過形回
折格子（25a）の間隔と略一致している。上記半導体レ
ーザ（19）のうちの１つからの射出光は紙面に垂直な方
向の広がり角度が紙面に平行な方向の広がり角度に比べ
て大きいため、紙面に垂直な方向のみ屈折力をもち上記
ロッドレンズ（28）を通過させて平行光束にする。

上記ロッドレンズ（28）を通過した略平行光束は上記
第１の透過形回折格子（24a）に入射し０次回折光（2
9）、第１の１次回折光（30）、第１の−１次回折光（3
1）、±２次回折光もしくはそれ以上の高次回折光を生
じる。±２次回折光もしくはそれ以上の高次回折光を生
じるかどうかは上記第１の透過形回折格子（24a）の格
子ピッチと上記励起光源である半導体レーザアレー
（２）の出射光の波長λと、固体レーザ媒質ブロック
（23）の屈折率ｎおよび第１の透過形回折格子（24a）
の格子断面形状などによって決定される。ここでは上記
回折格子（24）の格子断面形状が矩形である場合の例を
記載しているが必ずしもこれに限定されないのはいうま
でもない。上記０次回折光（29）は光軸（６）に略垂直
な方向でその強度が指数関数的に減衰する吸収を受けな
がら固体レーザ媒質ブロック（23）を伝搬し励起領域を
形成する。つぎに第１の１次回折光（30）は上記第１の
透過形回折格子（24a）の垂線と第１式で表される零で
ない角度θの方向に進行する。上記第１の透過形回折格
子（24a）の格子ピッチｄは上記角度θが出来るだけ90
°に近い角度になるよう設定される。

θ＝SIN^-1λ/nd （１） 上記第１の１次回折光（30）は光軸（６）に略平行な
方向でその強度が指数関数的に減衰する吸収を受けなが
ら固体レーザ媒質ブロック（23）を伝搬し上記第１の面
（26）で反射し再びその強度が指数関数的に減衰する吸
収を受けながら固体レーザ媒質ブロック（23）を伝搬し
励起領域を形成する。つぎに第１の−１次回折光（31）
は上記第１の透過形回折格子（24a）の垂線に対して第
１の１次回折光（30）にほぼ対称になる方向に進行し、
光軸（６）に略平行な方向でその強度が指数関数的に減
衰する吸収を受けながら固体レーザ媒質ブロック（23）
内を伝搬し上記第２の面（27）で反射し再びその強度が
指数関数的に減衰する吸収を受けながら固体レーザ媒質
ブロック（23）を伝搬し励起領域を形成する。同様に上
記半導体レーザアレー（２）を構成する複数の別個の半
導体レーザ（19）の他の１つから出射された励起光も上
記第１の回折格子（24）を構成する他の第１の透過形回
折格子（24a）によって０次回折光、１次回折光、−１
次回折光、±２次回折光もしくはそれ以上の高次回折光
を生じ固体レーザ媒質ブロック（23）を伝搬することに
より励起領域を形成する。次に、上記０次回折光（29）
は光軸（６）に略垂直な方向でその強度が指数関数的に
減衰する吸収を受けながら固体レーザ媒質ブロック（2
3）を伝搬し第２の回折格子（25）に到達すると、上記
第２の反射回折格子（25b）により０次回折光（29）、
第２の１次回折光（32）、第２の−１次回折光（33）、
±２次回折光もしくはそれ以上の高次回折光を生じる。
±２次回折光もしくはそれ以上の高次回折光を生じるか
どうかは上記第２の反射形回折格子（25b）の格子ピッ
チと上記励起光源である半導体レーザアレー（２）の出
射光の波長λと固体レーザ媒質ブロック（23）の屈折率
ｎおよび第２の反射形回折格子（25b）の格子断面形状
などによって決定される。ここでは、上記回折格子（2
5）の格子断面形状が矩形である場合の例を記載してい
るが必ずしもこれに限定されないのはいうまでもない。
上記０次回折光（29）は光軸（６）に略垂直な方向でそ
の強度が指数関数的に減衰する吸収を受けながら固体レ
ーザ媒質ブロック（23）を上記第１の回折格子（24）の
方向に伝搬し励起領域を形成する。つぎに第２の１次回
折光（32）は上記第２の反射形回折格子（25b）の格子
ピッチを上記第１の透過形回折格子（24a）と同じとす
ると上記第２の反射形回折格子（25b）の垂線と第１式
で表される零でない角度θの方向に進行する。上記第２
の１次回折光（32）は光軸（６）に略平行な方向でその
強度が指数関数的に減衰する吸収を受けながら固体レー
ザ媒質ブロック（23）を伝搬し上記第１の面（26）で反
射し再びその強度が指数関数的に減衰する吸収を受けな
がら固体レーザ媒質ブロック（23）を伝搬し励起領域を
形成する。つぎに第２の−１次回折光（33）は上記第２
の反射形回折格子（25b）の垂線に対して第２の１次回
折光（32）にほぼ対称になる方向に進行し、光軸（６）
に略平行な方向でその強度が指数関数的に減衰する吸収
を受けながら固体レーザ媒質ブロック（23）内を伝搬し
上記第２の面（27）で反射し再びその強度が指数関数的
に減衰する吸収を受けながら固体レーザ媒質ブロック
（23）を伝搬し励起領域を形成する。励起領域はこれら
回折光の重なり領域として形成される。上記第１の１次
回折光（30）、第１の−１次回折光（31）、第２の１次
回折光（32）もしくは第２の−１次回折光（33）は光軸
（６）に略平行な方向に進行するので吸収長も長くと
れ、またレーザ共振器モード（７）の上記固体レーザ媒
質ブロック（23）におけるモード体積と略一致させるこ
とができるので励起効率を高くすることができる効果が
ある。

第２図は上記第１の回折格子（24）における０次回折
光（29）、第１の１次回折光（30）、第１の−１次回折
光（31）および上記第２の回折格子（25）における０次
回折光（29）、第２の１次回折光（32）、第２の−１次
回折光（33）の関係をより明らかにするための図と上記
固体レーザ媒質ブロック（23）における励起領域（８）
とレーザ共振器モード（７）との関係を示している。こ
の回折格子を用いた励起領域の形成手段の大きな利点
は、励起光のポンプ体積とレーザ共振器のモード体積に
良く一致できる点にある。レーザ共振器モード体積は高
反射鏡（４）と出力結合鏡（５）の設置位置および形状
によって決定される。レーザ共振器モードの内、TEMoo
モードは単峰でサイドローブがないので極めて有用であ
り望ましい。この回折格子を用いた励起領域の形成手段
では、多数の半導体レーザを上記固体レーザ媒質ブロッ
ク（23）の第１の回折格子（24）および第２の回折格子
（25）が形成された側面に沿って配置することができる
ので、励起される固体レーザ媒質ブロック（23）のレー
ザ利得部分を大幅に増加させることができまた励起領域
をレーザ共振器の所用のモード体積にマッチングさせる
ことによって高い励起効率を得ることができる。したが
って、効率と利得の高い構造が得られる。

第３図はこの発明に関わる他の発明の一実施例を示す
ものであって、上記固体レーザ媒質ブロック（23）の表
面に直接形成された上記第１の回折格子（24）および第
２の回折格子（25）の代わりに第１の回折格子ブロック
（35）と第２の回折格子ブロック（36）を上記固体レー
ザ媒質ブロック（23）の表面に近接もしくは接触して配
設したものである。

本発明の固体レーザは広い範囲に及ぶ固体レーザ材料
たとえばNd:YAG,Nd:GlassもしくはNd:YLFを用いること
ができる。また本発明の固体レーザはレーザ共振器の最
低次モードであるTEMooモードのモード体積に励起領域
をマッチングでき、また小型にすることができるので周
波数逓倍の動作を行うのに適している。レーザ共振器内
に周波数逓倍器を挿入し基本波の1/2倍の波長のレーザ
光を発生し得る。これは第１図の共振器内光学素子（3
4）で表されている。また、パルス光を発生させるため
には第１図の共振器内光学素子（34）としてＱ−スイッ
チを用いれば良い。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、固体レーザ媒質両
側面に略平行な一対の回折格子を設置することにより励
起領域の形成手段では、多数の半導体レーザを、固体レ
ーザ媒質ブロックの回折格子が形成された側面に沿って
配置することができるので、励起される固体レーザ媒質
のレーザ利得部分を大幅に増加させることができまた励
起領域をレーザ共振器の所用モード体積にマッチングさ
せることによって高い励起効率を得ることができる。し
たがって、効率と利得の高い構造が得られるとともに装
置が安価にでき、また、設定精度がゆるいものが得られ
る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザ励起固
体レーザ装置を示す構成図、第２図はこの発明の一実施
例による半導体レーザ励起固体レーザ装置の回折格子の
作用を示す構成図、第３図はこの発明の他の実施例によ
る半導体レーザ励起固体レーザ装置の回折格子の作用を
示す構成図、第４図は従来の側面光励起の固体レーザ装
置を示す構成図、第５図は従来の側面光励起の固体レー
ザ装置における励起領域とレーザ発振モードとの関係を
示す図、第６図は従来の端面光励起の固体レーザ装置を
示す構成図、第７図は従来の端面光励起の固体レーザ装
置を示す構成図、第８図は従来の端面光励起の固体レー
ザ装置を示す構成図である。 図において、（２）は半導体レーザアレー、（23）は固
体レーザ媒質ブロック、（24）は第１の回折格子、（24
a）は第１の透過形回折格子、（24b）は第１の反射形回
折格子、（25）は第２の回折格子、（25a）は第２の透
過形回折格子、（25b）は第２の反射形回折格子、（2
6）は第１の面、（27）は第２の面、（28）はロッドレ
ンズである。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】固体レーザ媒質と、該固体レーザ媒質の両
   側面に長手方向に配列し、固体レーザ媒質に励起光を射
   出する半導体レーザアレーと、上記固体レーザ媒質を含
   みレーザ共振器モードを形成するように設置された共振
   器構成とを備えた半導体レーザ励起固体レーザ装置にお
   いて、上記半導体レーザアレーと固体レーザ媒質間に、
   半導体レーザアレーと略平行に配置し、透過形回折格子
   と反射形回折格子とが交互に配置された回折格子ブロッ
   クを形成した固体レーザ媒質ブロックと、該固体レーザ
   媒質ブロックと上記半導体レーザアレー間に設置された
   ロッドレンズとを備えたことを特徴とする半導体レーザ
   励起固体レーザ装置。