JP2559706Y2 - Broadband oscillation circuit - Google Patents

Broadband oscillation circuit

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JP2559706Y2
JP2559706Y2 JP11321491U JP11321491U JP2559706Y2 JP 2559706 Y2 JP2559706 Y2 JP 2559706Y2 JP 11321491 U JP11321491 U JP 11321491U JP 11321491 U JP11321491 U JP 11321491U JP 2559706 Y2 JP2559706 Y2 JP 2559706Y2
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capacitor
connection point
variable capacitance
circuit
aft
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正彦 斉藤
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  • Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
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Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この考案は、テレビまたはビデオ
テープレコーダ(VTR)などに用いて好適な広帯域発
振回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wideband oscillation circuit suitable for use in a television or a video tape recorder (VTR).

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は、従来より知られている、コレク
タ接地のクラップ形AFT(自動微同調)回路付きの広
帯域発振回路である。この広帯域発振回路における発振
周波数は、主として、インダクティブ素子の一種である
1/2波長の誘導性線路20、同調用可変容量ダイオー
ド10および同調容量6の素子から構成される共振回路
によって決定され、端子12から同調用可変容量ダイオ
ード10に逆バイアス状態に加えられる選局電圧TUに
よって発振周波数が選択される。一方、AFT回路はA
FT補正容量7とAFT可変容量ダイオード8が直列接
続されたものが、同調容量6に並列接続されており、A
FT電圧印加端子11に印加されるAFT制御電圧CV
によってAFT可変容量ダイオード8の容量が変化する
ようになっている。なお、この容量変化によって、広帯
域発振回路全体の共振容量が変化し、発振周波数の微小
制御が行われる。これは主として、周囲温度変化や電源
電圧変動等による発振周波数の変動を補正するためであ
る。
2. Description of the Related Art FIG. 5 shows a conventionally known broadband oscillation circuit with a collector grounded clap type AFT (automatic fine tuning) circuit. The oscillation frequency of the broadband oscillation circuit is mainly determined by a resonance circuit composed of a half-wavelength inductive line 20, which is a kind of inductive element, a tuning variable capacitance diode 10, and a tuning capacitance 6, and a terminal. The oscillation frequency is selected from 12 by the tuning voltage TU applied to the tuning variable capacitance diode 10 in a reverse bias state. On the other hand, the AFT circuit
An FT correction capacitor 7 and an AFT variable capacitor diode 8 connected in series are connected in parallel to the tuning capacitor 6 and A
AFT control voltage CV applied to FT voltage application terminal 11
As a result, the capacitance of the AFT variable capacitance diode 8 changes. The change in capacitance changes the resonance capacitance of the entire wide-band oscillation circuit, and finely controls the oscillation frequency. This is mainly for correcting fluctuations in the oscillation frequency due to changes in the ambient temperature, fluctuations in the power supply voltage, and the like.

【0003】[0003]

【考案が解決しようとする課題】ところで、上述した広
帯域発振回路におけるAFT回路は、AFT制御幅Δf
(発振周波数補正範囲)が発振回路の発振周波数によっ
て異なり、その周波数特性は、次のようにして求められ
る。まず、誘導性線路20から見た共振容量は図6に示
すようになる。ここで、AFT可変容量ダイオード8の
値を0制御時に7pFとし、最大制御時には5pFに減
少すると仮定する。また、同調用可変容量ダイオード1
0は、LOWチャンネル(510MHz)で発振した時
の容量をVD1Lとし、HIGHチャンネル(890MH
z)で発振した時の容量をVD1Hとする。さらに、各定
数をそれぞれ次のように設定する。
By the way, the AFT circuit in the above-mentioned broadband oscillation circuit has an AFT control width Δf.
(Oscillation frequency correction range) differs depending on the oscillation frequency of the oscillation circuit, and its frequency characteristic is obtained as follows. First, the resonance capacitance viewed from the inductive line 20 is as shown in FIG. Here, it is assumed that the value of the AFT variable capacitance diode 8 is 7 pF at the time of 0 control and is reduced to 5 pF at the time of maximum control. In addition, tuning variable capacitance diode 1
0 indicates that the capacity when oscillating on the LOW channel (510 MHz) is VD1L, and the HIGH channel (890 MHz)
The capacitance at the time of oscillation in z) is VD 1H . Further, each constant is set as follows.

【0004】 同調容量6 :容量C6 ;10pF AFT補正容量7 :容量C7 ; 2pF AFT可変容量ダイオード8 :容量VD2 ; 7pF AFT可変容量ダイオード8 :容量VD2’; 5pF 同調用可変容量ダイオード10:容量VD1L ;17pF 同調用可変容量ダイオード10:容量VD1H ; 3pF このような条件の下では、LOWチャンネルにおける発
振時の合成容量 TL (0制御時)、CTL’(最大制御
時)は、それぞれ、CTL=6.880pF、CTL’=
6.834pFとなる。また、AFT制御幅ΔfLは次
式に従って求められ、+1.71MHzとなる。
Tuning capacitance 6: capacitance C6; 10 pF AFT correction capacitance 7: capacitance C7; 2 pF AFT variable capacitance diode 8: capacitance VD 2 ; 7 pF AFT variable capacitance diode 8: capacitance VD 2 '; 5 pF tuning variable capacitance diode 10: Capacitance VD 1L ; 17 pF Tuning variable capacitance diode 10: Capacitance VD 1H ; 3 pF Under such conditions, the combined capacitance C TL (at 0 control) and C TL ′ (at maximum control) during oscillation in the LOW channel are , respectively, C TL = 6.880pF, C TL '=
6.834 pF. Further, the AFT control width Δf L is obtained according to the following equation, and becomes +1.71 MHz.

【0005】◎[0005]

【数式1】同様に、HIGHチャンネルにおける発振時
の合成容量CTH(0制御時)、CTH’(最大制御時)
は、それぞれ、CTH=2.382pF、CTH’=2.3
76pFとなる。したがって、AFT制御幅ΔfHは+
1.12MHzとなる。次に、図6に示す回路におい
て、AFT補正容量7の容量C7を3pFに変更した場
合について全く同様の演算を行なうと、ΔfLは+2.
81MHz、ΔfHは+1.67MHzとなる。図7は
上述した結果を示すAFT制御幅Δfの周波数特性図で
ある。なお、以上の演算結果は、AFT可変容量ダイオ
ード8の容量が、AFT制御電圧CVに従って、容量V
2(7pF)から容量VD2’(5pF)に減少した場
合の例であるが、例えば、7pFから9pFへと増加し
た場合も、符号がマイナスになるだけで同様の結果が得
られる。このように、従来の発振回路では、AFT制御
幅Δfが、発振周波数の高い方では小さく、低い方では
大きいというように、AFT制御幅Δfに偏差が生じる
という問題がある。
[Formula 1] Similarly, the combined capacitance C TH (at the time of 0 control) and C TH '(at the time of maximum control) during oscillation in the HIGH channel
Are C TH = 2.382 pF and C TH ′ = 2.3, respectively.
It becomes 76 pF. Therefore, the AFT control width Δf H is +
1.12 MHz. Next, in the circuit shown in FIG. 6, when exactly the same calculation is performed when the capacitance C7 of the AFT correction capacitance 7 is changed to 3 pF, Δf L becomes +2.
81 MHz and Δf H are +1.67 MHz. FIG. 7 is a frequency characteristic diagram of the AFT control width Δf showing the above result. The above calculation result indicates that the capacitance of the AFT variable capacitance diode 8 is equal to the capacitance V according to the AFT control voltage CV.
This is an example in the case where the capacitance is reduced from D 2 (7 pF) to the capacitance VD 2 ′ (5 pF). For example, when the capacitance is increased from 7 pF to 9 pF, the same result can be obtained only by changing the sign to minus. As described above, in the conventional oscillation circuit, there is a problem that the AFT control width Δf has a deviation such that the AFT control width Δf is small when the oscillation frequency is high and is large when the oscillation frequency is low.

【0006】図8は上述したAFT制御幅Δfの偏差を
補正するために図5の回路を変更したUHF帯の広帯域
発振回路の構成を示す回路図である。なお、この図にお
いて、図5と同様の機能を有する素子については、同一
の符号を付けて説明を省略する。この広帯域発振回路で
は、誘導性線路20とAFT可変容量ダイオード8が並
列に接続されるように、容量7より十分に小さい容量1
3(一例として0.5pF)を、同調用可変容量ダイオ
ード10のカソードとAFT可変容量ダイオード8のカ
ソードの間に介挿している。この広帯域発振回路におけ
るAFT特性は、上述したAFT制御幅Δfの計算と同
様に計算すると図9に示す破線のようになり(実線は前
述した図5の広帯域発振回路によるもの)、AFT特性
の偏差が改善され、一定な周波数特性のAFT特性が得
られる。
FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of a UHF band broadband oscillation circuit obtained by modifying the circuit of FIG. 5 in order to correct the deviation of the AFT control width Δf. In this figure, elements having the same functions as those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. In this broadband oscillation circuit, the capacitance 1 is sufficiently smaller than the capacitance 7 so that the inductive line 20 and the AFT variable capacitance diode 8 are connected in parallel.
3 (for example, 0.5 pF) is inserted between the cathode of the tuning variable capacitance diode 10 and the cathode of the AFT variable capacitance diode 8. The AFT characteristic of this broadband oscillation circuit, when calculated in the same manner as the above-described calculation of the AFT control width Δf, is as shown by a broken line in FIG. Is improved, and an AFT characteristic having a constant frequency characteristic is obtained.

【0007】しかしながら、共振回路にAFT回路を付
加すると、プリント基板上に実装する際に、接地位置に
よっては、パターンのインダクタンスやパターン間のス
トレー容量等により、不要共振回路が形成されやすい。
この結果、AFT特性(周波数特性)にうねりを生じ
る。特に、図8に示すように、素子数が多いと、レイア
ウト上、パターンのインダクタンスおよびストレーが共
に大きい傾向があり、上述したように、HIGHチャン
ネルとLOWチャンネルとにおける偏差を改善しても、
特性が途中で急峻に変化する点が発生しやすい。図10
はこのようなうねりを生じたAFT特性の一例である。
また、図11は、図8に示す広帯域発振回路をプリント
基板に実装した際にパターンのインダクタンスおよびス
トレー容量等によって形成される不要共振回路I,II,I
II(実線)の一例を示す回路図である。なお、この図に
おいて、破線で示す符号17、18はパターンのインダ
クタンスであり、19はストレー容量である。
However, if an AFT circuit is added to the resonance circuit, an unnecessary resonance circuit is likely to be formed when mounting on a printed circuit board due to the inductance of the pattern and the stray capacitance between the patterns depending on the grounding position.
As a result, the AFT characteristics (frequency characteristics) undulate. In particular, as shown in FIG. 8, when the number of elements is large, the inductance and the stray of the pattern tend to be large on the layout, and as described above, even if the deviation between the HIGH channel and the LOW channel is improved,
A point where the characteristic changes sharply on the way is likely to occur. FIG.
Is an example of the AFT characteristic in which such undulation has occurred.
FIG. 11 shows unnecessary resonance circuits I, II, I formed by the inductance and stray capacitance of the pattern when the broadband oscillation circuit shown in FIG. 8 is mounted on a printed circuit board.
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an example of II (solid line). In this figure, reference numerals 17 and 18 indicated by broken lines indicate pattern inductance, and reference numeral 19 indicates stray capacitance.

【0008】このように、図5に示す従来の広帯域発振
回路では、AFT制御幅Δfが発振周波数の高い方では
小さく、発振周波数の低い方では大きいというように、
発振周波数によって偏差を生じるという問題を生じる。
また、図8に示す従来の広帯域発振回路では、AFT特
性が途中で急峻に変化する点が発生しやすく、不要共振
回路が形成されるという問題を生じる。
As described above, in the conventional wideband oscillation circuit shown in FIG. 5, the AFT control width Δf is small when the oscillation frequency is high, and large when the oscillation frequency is low.
There is a problem that a deviation occurs depending on the oscillation frequency.
Further, in the conventional broadband oscillation circuit shown in FIG. 8, a point where the AFT characteristic changes abruptly in the middle is likely to occur, which causes a problem that an unnecessary resonance circuit is formed.

【0009】この考案は上述した事情に鑑みてなされた
もので、不要共振回路が形成されず、かつ、回路設計が
容易であり、平坦な周波数特性のAFT特性を容易に得
ることができる広帯域発振回路を提供することを目的と
している。
The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and does not form an unnecessary resonance circuit, is simple in circuit design, and can easily obtain an AFT characteristic having a flat frequency characteristic. It is intended to provide a circuit.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上述した問題点を解決す
るために、請求項1記載の考案によれば、インダクティ
ブ素子の一端と発振周波数を選択するための第1の可変
容量ダイオードの一端とが第1の接続点で接続され、前
記第1の可変容量ダイオードの他端に補正用コンデンサ
の一端が接続され、前記インダクティブ素子の他端に発
振周波数微同調用の第2の可変容量ダイオードの一端が
接続され、前記第2の可変容量ダイオードの他端と前記
補正用コンデンサの他端とが第2の接続点で接続され、
前記第1の接続点と前記第2の接続点とが小容量コンデ
ンサで接続される共振回路と、各々のベースとエミッタ
間に第1の帰還用コンデンサが介挿されるとともに、互
いのエミッタが第2の帰還用コンデンサによって接続さ
れる1対のトランジスタとを備え、前記1対のトランジ
スタのベース間に前記共振回路を接続したことを特徴と
する。
In order to solve the above-mentioned problems, according to the invention of claim 1, one end of an inductive element and one end of a first variable capacitance diode for selecting an oscillation frequency are provided. Are connected at a first connection point, one end of a correction capacitor is connected to the other end of the first variable capacitance diode, and a second variable capacitance diode for fine tuning of the oscillation frequency is connected to the other end of the inductive element. One end is connected, the other end of the second variable capacitance diode and the other end of the correction capacitor are connected at a second connection point,
A resonance circuit in which the first connection point and the second connection point are connected by a small-capacitance capacitor; a first feedback capacitor interposed between each base and the emitter; And a pair of transistors connected by two feedback capacitors, wherein the resonance circuit is connected between the bases of the pair of transistors.

【0011】次に、請求項2記載の考案によれば、イン
ダクティブ素子の一端に発振周波数を選択するための第
1の可変容量ダイオードの一端と小容量コンデンサの一
端とが接続され、 前記インダクティブ素子の他端に発
振周波数微同調用の第2の可変容量ダイオードの一端と
同調用コンデンサの一端とが接続され、前記同調用コン
デンサの他端と前記第1の可変容量ダイオードの他端と
が第1の接続点で接続され、前記第2の可変容量ダイオ
ードの他端と前記小容量コンデンサの他端とが第2の接
続点で接続され、前記第1の接続点と前記第2の接続点
とが補正用コンデンサによって接続される共振回路と、
各々のベースとエミッタ間に第1の帰還用コンデンサが
介挿されるとともに、互いのエミッタが第2の帰還用コ
ンデンサによって接続される1対のトランジスタとを備
え、前記1対のトランジスタのベース間に前記共振回路
を接続したことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, one end of the first variable capacitance diode for selecting an oscillation frequency and one end of a small capacitance capacitor are connected to one end of the inductive element. Is connected to one end of an oscillation frequency fine tuning second variable capacitance diode and one end of a tuning capacitor, and the other end of the tuning capacitor and the other end of the first variable capacitance diode are connected to each other. 1, the other end of the second variable capacitance diode and the other end of the small capacitance capacitor are connected at a second connection point, and the first connection point and the second connection point And a resonance circuit connected by a correction capacitor,
A first feedback capacitor is interposed between each base and the emitter, and a pair of transistors whose emitters are connected by a second feedback capacitor are provided between the bases of the pair of transistors. The resonance circuit is connected.

【0012】[0012]

【作用】請求項1記載の考案によれば、選局電圧は第1
の接続点においてインダクティブ素子に直列接続された
第1の可変容量ダイオードに供給される。発振周波数は
主にインダクティブ素子、第1の可変容量ダイオードな
どによって決定される。また、補正用コンデンサおよび
第2の可変容量ダイオードが接続された第2の接続点に
は所定の制御電圧が供給されており、この制御電圧によ
って、第2の可変容量ダイオードの容量を変化させる。
この結果、共振回路全体の容量が変化し、発振周波数の
微小制御が行なわれる。また、発振器用の1対のトラン
ジスタは、接地点からみると高周波的に浮いた平衡型の
回路構成となっており、回路内に接地点を設ける必要が
ない。したがって、接地回路を介在したパターンによる
インダクタンスは発生しない。
According to the first aspect of the present invention, the tuning voltage is the first voltage.
Is supplied to the first variable capacitance diode connected in series to the inductive element at the connection point. The oscillation frequency is mainly determined by the inductive element, the first variable capacitance diode, and the like. A predetermined control voltage is supplied to a second connection point to which the correction capacitor and the second variable capacitance diode are connected, and the control voltage changes the capacitance of the second variable capacitance diode.
As a result, the capacitance of the entire resonance circuit changes, and fine control of the oscillation frequency is performed. Further, the pair of transistors for the oscillator has a balanced circuit configuration floating at a high frequency when viewed from the ground point, and it is not necessary to provide a ground point in the circuit. Therefore, no inductance is generated by the pattern with the ground circuit interposed.

【0013】請求項2記載の考案によれば、選局電圧は
直列接続された同調用コンデンサと第1の可変容量ダイ
オードとの第1の接続点に供給される。発振周波数は主
に、インダクティブ素子、第1の可変容量ダイオードお
よび同調用コンデンサによって決定される。また、第2
の可変容量ダイオードと小容量コンデンサとが接続され
た第2の接続点には所定の制御電圧が供給されており、
この制御電圧によって第2の可変容量ダイオードの容量
を変化させる。この結果、共振回路全体の容量が変化
し、発振周波数の微小制御が行なわれる。また、発振器
用の1対のトランジスタは、接地点からみると高周波的
に浮いた平衡型の回路構成となっており、回路内に接地
点を設ける必要がない。したがって、接地回路を介在し
たパターンによるインダクタンスは発生しない。
According to the invention, the tuning voltage is supplied to the first connection point between the tuning capacitor and the first variable capacitance diode connected in series. The oscillation frequency is mainly determined by the inductive element, the first variable capacitance diode, and the tuning capacitor. Also, the second
A predetermined control voltage is supplied to a second connection point where the variable capacitance diode and the small capacitance capacitor are connected.
The control voltage changes the capacitance of the second variable capacitance diode. As a result, the capacitance of the entire resonance circuit changes, and fine control of the oscillation frequency is performed. Further, the pair of transistors for the oscillator has a balanced circuit configuration floating at a high frequency when viewed from the ground point, and it is not necessary to provide a ground point in the circuit. Therefore, no inductance is generated by the pattern with the ground circuit interposed.

【0014】[0014]

【実施例】次に図面を参照してこの考案の実施例につい
て説明する。図1はこの考案の一実施例の構成を示す回
路図である。なお、この図において、従来の図5と同様
の機能を有する素子については同一の符号を付け説明を
省略する。ところで、AFT特性のうねりを改善するに
は、不要共振回路内にコア、抵抗などのダンピング用素
子を入れるという解決方法がある。しかしながら、この
方法では、うねりは解決するものの、不要共振回路が残
るため本質的な解決とはならない。また、部品の配置状
態によっては却って複雑な不要共振回路が形成されてし
まう。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of an embodiment of the present invention. In this figure, the elements having the same functions as those of the related art shown in FIG. By the way, in order to improve the undulation of the AFT characteristic, there is a solution to include a damping element such as a core and a resistor in the unnecessary resonance circuit. However, although this method can solve the swell, it is not an essential solution since an unnecessary resonance circuit remains. In addition, a complicated unnecessary resonance circuit may be formed depending on the arrangement state of components.

【0015】そこで、本実施例では広帯域発振回路を図
1に示すような平衡型の回路構成とすることを特徴とす
る。図示する共振回路において、選局電圧TUは、端子
12から抵抗14を介して同調用可変容量ダイオード1
0の一端に供給される。この可変容量ダイオード10の
他端にはインダクティブ素子の一種である1/4波長の
誘導性線路9が直列接続されている。これら誘導性線路
9および可変容量ダイオード10には、AFT制御量を
補正するために、直列接続された補正容量7およびAF
T用可変容量ダイオード8が並列に接続されている。ま
た、誘導性線路9および可変容量ダイオード10の接続
点P1と、補正容量7および可変容量ダイオード8の接
続点P2との間には、容量13が接続されている。さら
に、接続点P2には、抵抗15を介してAFT制御電圧
CVが供給される。また、誘導性線路9の一端は、抵抗
R1と同程度の抵抗値の接地抵抗16によって接地され
ている。
Therefore, the present embodiment is characterized in that the broadband oscillation circuit has a balanced circuit configuration as shown in FIG. In the illustrated resonance circuit, the tuning voltage TU is supplied from the terminal 12 via the resistor 14 to the tuning variable capacitance diode 1.
0 is supplied to one end. The other end of the variable capacitance diode 10 has a 波長 wavelength, which is a kind of inductive element.
An inductive line 9 is connected in series. In order to correct the AFT control amount, the inductive line 9 and the variable capacitance diode 10 have a correction capacitor 7 and an AF
The variable capacitance diode 8 for T is connected in parallel. A capacitor 13 is connected between a connection point P1 between the inductive line 9 and the variable capacitance diode 10 and a connection point P2 between the correction capacitance 7 and the variable capacitance diode 8. Further, the AFT control voltage CV is supplied to the connection point P2 via the resistor 15. One end of the inductive line 9 is grounded by a ground resistor 16 having a resistance value substantially equal to that of the resistor R1.

【0016】発振器用のトランジスタ4,4はIC(集
積回路)によって構成されており、各々のベース間に
は、直列接続された帰還容量3,2および3が接続され
ており、それぞれの帰還容量3および2の接続点には、
各々のトランジスタ4,4のエミッタが接続されてい
る。また、共振回路と上記トランジスタ4,4の各ベー
スとを接続する信号路には、クラップ容量5,5が介挿
されている。図1に示す共振回路は、接地点から見る
と、高周波的に浮いた状態にある。すなわち、高周波的
には、回路内に接地点を設ける必要がない。したがっ
て、図11に示すような、接地回路を介在したパターン
によるインダクタンスは皆無となる。また、同回路に図
11に示すストレー容量19が存在し、ストレー容量1
9によってループ回路が形成されないため、不要共振回
路は形成されず、回路に影響を与えることはない。
The oscillator transistors 4 and 4 are constituted by ICs (integrated circuits), and feedback capacitors 3, 2 and 3 connected in series are connected between the respective bases. At the connection point of 3 and 2,
The emitters of the respective transistors 4, 4 are connected. Further, clap capacitors 5 and 5 are interposed in a signal path connecting the resonance circuit and the bases of the transistors 4 and 4, respectively. The resonance circuit shown in FIG. 1 is in a state of floating at a high frequency when viewed from the ground point. That is, in terms of high frequency, it is not necessary to provide a ground point in the circuit. Therefore, there is no inductance due to the pattern interposed with the ground circuit as shown in FIG. In addition, a stray capacity 19 shown in FIG.
9, no loop circuit is formed, so that no unnecessary resonance circuit is formed and the circuit is not affected.

【0017】図2は本実施例における共振容量の等価回
路である。ここで、0制御時における各定数を次のよう
に設定する。 容量13 :容量C13;0.25pF AFT補正容量7 :容量C7 ;2pF なお、他の定数は図6と同一なので説明を省略する。図
2において、LOWチャンネルにおける発振時の合成容
量CTL(0制御時)、CTL’(最大制御時)は、それぞ
れ、CTL=7.062pF、CTL’=6.9994pF
となる。また、AFT制御幅ΔfLは前述した数式1に
従って求められ、+2.29MHzとなる。同様に、H
IGHチャンネルにおける発振時の合成容量CTH(0制
御時)、CTH’(最大制御時)は、それぞれ、CTH
2.583pF、CTH’=2.569pFとなる。した
がって、AFT制御幅ΔfHは+2.42MHzとな
る。
FIG. 2 is an equivalent circuit of the resonance capacitance in this embodiment. Here, each constant at the time of 0 control is set as follows. Capacitance 13: Capacitance C13; 0.25 pF AFT correction capacitance 7: Capacitance C7; 2 pF The other constants are the same as in FIG. In FIG. 2, the combined capacitances C TL (at the time of 0 control) and C TL ′ (at the time of maximum control) at the time of oscillation in the LOW channel are C TL = 7.062 pF and C TL ′ = 6.9994 pF, respectively.
Becomes Further, the AFT control width Δf L is obtained according to the above-described formula 1, and is +2.29 MHz. Similarly, H
The combined capacitance C TH (at the time of 0 control) and C TH ′ (at the time of maximum control) during oscillation in the IGH channel are respectively C TH =
2.583 pF and C TH '= 2.569 pF. Therefore, the AFT control width Δf H is +2.42 MHz.

【0018】次に、図2において、容量13を0.5p
Fに変更した場合について同様の演算を行なうと、AF
T制御幅ΔfLは+2.82MHzとなり、AFT制御
幅ΔfHは+3.96MHzとなる。この結果を図示す
ると、図3に示す特性図のようになる。ここで、図示す
る実線が容量C13が0.25pFの時のAFT制御幅
Δfであり、破線が容量C13を0.5pFに変えた時
のAFT制御幅Δfである。
Next, in FIG.
When the same calculation is performed for the case of changing to F, AF
The T control width Δf L is +2.82 MHz, and the AFT control width Δf H is +3.96 MHz. The result is illustrated in the characteristic diagram shown in FIG. Here, the solid line shown is the AFT control width Δf when the capacitance C13 is 0.25 pF, and the broken line is the AFT control width Δf when the capacitance C13 is changed to 0.5 pF.

【0019】図からも明らかなように、補正容量7およ
び容量13の選定により、平滑で、かつ希望するAFT
制御幅の周波数特性が得られる。また、上述したよう
に、まず、補正容量7の容量C7でLOWチャンネルの
制御幅を設定した後、容量C3でHIGHチャンネルの
制御幅を設定すれば、意図的にHIGHチャンネルの制
御幅を高くすることもできる。このように、図1に示す
平衡形の広帯域発振回路では、AFT特性の周波数偏差
が改善されるとともに、不要共振回路ができないように
と注意する必要がなく、容易に設計でき、うねりのない
平坦な周波数特性のAFT特性が容易に得られる。
As is apparent from the drawing, the selection of the correction capacitors 7 and 13 makes it possible to obtain a smooth and desired AFT.
The frequency characteristics of the control width can be obtained. Further, as described above, first, the control width of the LOW channel is set by the capacitance C7 of the correction capacitance 7, and then the control width of the HIGH channel is set by the capacitance C3, thereby intentionally increasing the control width of the HIGH channel. You can also. As described above, in the balanced wide-band oscillation circuit shown in FIG. 1, the frequency deviation of the AFT characteristic is improved, and it is not necessary to pay attention to avoid an unnecessary resonance circuit. An AFT characteristic having a simple frequency characteristic can be easily obtained.

【0020】また、図4は、本考案の他の実施例であ
り、発振器を1/4波長の誘導性線路9で構成し、AF
T回路を付加した回路図である。図においては、同調容
6と同調用可変容量ダイオード10とを接続点P3で
直列接続し、この接続点P3に端子12から供給される
選局電圧TUを与えるようにしている。また、AFT可
変容量ダーオード8と小容量の容量13とを接続点P4
で直列接続し、この接続点P4にAFT電圧印加端子1
1よりAFT制御電圧CVを与えるようにしている。こ
の広帯域発振回路においても、図1に示す回路と同様
に、AFT特性の偏差が改善されるとともに、不要共振
回路ができることを心配することなく、容易に設計で
き、うねりのない平坦な周波数特性のAFT特性が容易
に得られる。
FIG. 4 shows another embodiment of the present invention, in which the oscillator is constituted by an inductive line 9 of 1/4 wavelength, and
It is a circuit diagram to which a T circuit was added. In the figure, the tuning volume
The quantity 6 and the tuning variable capacitance diode 10 are connected in series at a connection point P3, and a tuning voltage TU supplied from the terminal 12 is supplied to the connection point P3. Further, the AFT variable capacitance diode 8 and the small capacitance 13 are connected to a connection point P4.
And the AFT voltage application terminal 1 is connected to this connection point P4.
The AFT control voltage CV is applied from 1. Also in this broadband oscillation circuit, similarly to the circuit shown in FIG. 1, the deviation of the AFT characteristic is improved, and it is easy to design without worrying about the generation of an unnecessary resonance circuit, and it has a flat frequency characteristic without undulation. AFT characteristics can be easily obtained.

【0021】なお、各実施例において、共振回路はイン
ダクティブ素子として1/4波長の誘導性線路を用いた
もので説明したが、この考案においては、共振回路はイ
ンダクティブ素子としてコイルを用いたものであっても
よい。
In each of the embodiments, the resonance circuit is described as using a quarter-wave inductive line as an inductive element. In the present invention, the resonance circuit uses a coil as an inductive element. There may be.

【0022】[0022]

【考案の効果】以上、説明したように、請求項1記載の
考案によれば、インダクティブ素子の一端と発振周波数
を選択するための第1の可変容量ダイオードの一端とが
第1の接続点で接続され、前記第1の可変容量ダイオー
ドの他端に補正用コンデンサの一端が接続され、前記イ
ンダクティブ素子の他端に発振周波数微同調用の第2の
可変容量ダイオードの一端が接続され、前記第2の可変
容量ダイオードの他端と前記補正用コンデンサの他端と
が第2の接続点で接続され、前記第1の接続点と前記第
2の接続点とが小容量コンデンサで接続される共振回路
と、各々のベースとエミッタ間に第1の帰還用コンデン
サが介挿されるとともに、互いのエミッタが第2の帰還
用コンデンサによって接続される1対のトランジスタと
を備え、前記トランジスタの互いのベース間に前記共振
回路を接続したため、不要共振回路が形成されず、設計
が容易であり、周波数特性の平坦なAFT特性を容易に
得ることができるという利点が得られる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, one end of the inductive element and one end of the first variable capacitance diode for selecting the oscillation frequency are connected at the first connection point. One end of a correction capacitor is connected to the other end of the first variable capacitance diode, one end of a second variable capacitance diode for oscillation frequency fine tuning is connected to the other end of the inductive element, The other end of the variable capacitance diode and the other end of the correction capacitor are connected at a second connection point, and the first connection point and the second connection point are connected by a small capacitance capacitor. A first feedback capacitor interposed between each base and the emitter, and a pair of transistors connected to each other by a second feedback capacitor. Because of connecting the resonant circuit between each other based register is not unnecessary resonance circuit is formed, it is easy to design, is the advantage that it is possible to easily obtain a flat AFT characteristic of the frequency characteristic is obtained.

【0023】また、請求項2記載の考案によれば、イン
ダクティブ素子の一端に発振周波数を選択するための第
1の可変容量ダイオードの一端と小容量コンデンサの一
端とが接続され、前記インダクティブ素子の他端に発振
周波数微同調用の第2の可変容量ダイオードの一端と同
調用コンデンサの一端とが接続され、前記同調用コンデ
ンサの他端と前記第1の可変容量ダイオードの他端とが
第1の接続点で接続され、前記第2の可変容量ダイオー
ドの他端と前記小容量コンデンサの他端とが第2の接続
点で接続され、前記第1の接続点と前記第2の接続点と
が補正用コンデンサによって接続される共振回路と、各
々のベースとエミッタ間に第1の帰還用コンデンサが介
挿されるとともに、互いのエミッタが第2の帰還用コン
デンサによって接続される1対のトランジスタとを備
え、前記トランジスタの互いのベース間に前記共振回路
を接続したため、不要共振回路が形成されず、設計が容
易であり、周波数特性の平坦なAFT特性を容易に得る
ことができるという利点が得られる。
According to the invention, one end of the first variable capacitance diode for selecting the oscillation frequency and one end of the small capacitance capacitor are connected to one end of the inductive element, and one end of the inductive element is connected to the other end of the inductive element. One end of a second variable capacitance diode for fine tuning of the oscillation frequency and one end of a tuning capacitor are connected to the other end, and the other end of the tuning capacitor and the other end of the first variable capacitance diode are connected to the first. The other end of the second variable capacitance diode and the other end of the small capacitance capacitor are connected at a second connection point, and the first connection point and the second connection point And a resonance circuit connected by a correction capacitor, a first feedback capacitor is interposed between each base and the emitter, and each emitter is connected by a second feedback capacitor. A pair of transistors, and the resonance circuit is connected between the bases of the transistors. Therefore, an unnecessary resonance circuit is not formed, the design is easy, and the AFT characteristic having a flat frequency characteristic is easily obtained. The advantage is that it can be done.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本考案の一実施例の構成を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す広帯域発振回路における共振回路の
等価回路図である。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of a resonance circuit in the broadband oscillation circuit shown in FIG.

【図3】図2に示す広帯域発振回路のAFT特性を示す
周波数特性図である。
FIG. 3 is a frequency characteristic diagram showing AFT characteristics of the broadband oscillation circuit shown in FIG.

【図4】本考案の他の実施例の構成を示す回路図であ
る。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of another embodiment of the present invention.

【図5】従来のコレクタ接地のクラップ形のAFT(自
動周波数同調)回路付きの広帯域発振回路の構成を示す
回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional broadband oscillation circuit with a collector-grounded clap type AFT (automatic frequency tuning) circuit.

【図6】図5に示す従来の広帯域発振回路における共振
回路の等価回路図である。
FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of a resonance circuit in the conventional broadband oscillation circuit shown in FIG.

【図7】図6に示す等価回路のAFT制御幅Δf(発振
周波数補正範囲)の周波数特性図である。
7 is a frequency characteristic diagram of an AFT control width Δf (oscillation frequency correction range) of the equivalent circuit shown in FIG.

【図8】図5に示す広帯域発振回路におけるΔfの偏差
を補正するために回路変更した従来の発振回路の構成を
示す回路図である。
8 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional oscillation circuit in which a circuit is modified to correct a deviation of Δf in the broadband oscillation circuit shown in FIG.

【図9】図5および図8に示す広帯域発振回路のAFT
特性の一例を示す周波数特性図である。
FIG. 9 is an AFT of the broadband oscillation circuit shown in FIGS. 5 and 8;
FIG. 4 is a frequency characteristic diagram showing an example of a characteristic.

【図10】図8に示す広帯域発振回路のAFT特性にお
いて、急峻に変化する点の発生を示す周波数特性図であ
る。
FIG. 10 is a frequency characteristic diagram showing occurrence of a point where a sharp change occurs in the AFT characteristic of the broadband oscillation circuit shown in FIG. 8;

【図11】プリント基板に実装した際に形成される不要
共振回路例I,II,IIIを示す回路図である。
FIG. 11 is a circuit diagram showing examples I, II, and III of an unnecessary resonance circuit formed when mounted on a printed circuit board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 帰還容量(第2の帰還用コンデンサ) 3 帰還容量(第1の帰還用コンデンサ) 4 トランジスタ 6 同調容量(同調用コンデンサ) 7 補正容量(補正用コンデンサ) 8 AFT可変容量ダイオード(第2の可変容量ダイオ
ード) 9 誘導性線路(インダクティブ素子) 10 同調用可変容量ダイオード(第1の可変容量ダイ
オード) 13 容量(小容量コンデンサ) P1,P3 接続点(第1の接続点) P2,P4 接続点(第2の接続点)
2 Feedback capacitance (second feedback capacitor) 3 Feedback capacitance (first feedback capacitor) 4 Transistor 6 Tuning capacitance (tuning capacitor) 7 Correction capacitance (correction capacitor) 8 AFT variable capacitance diode (second variable) 9 Capacitive diode 9 Inductive line ( Inductive element) 10 Variable capacitance diode for tuning (First variable capacitance diode) 13 Capacitance (Small capacitance capacitor) P1, P3 Connection point (First connection point) P2, P4 Connection point ( Second connection point)

Claims (4)

(57)【実用新案登録請求の範囲】(57) [Scope of request for utility model registration] 【請求項1】 インダクティブ素子の一端と発振周波数
を選択するための第1の可変容量ダイオードの一端とが
第1の接続点で接続され、前記第1の可変容量ダイオー
ドの他端に補正用コンデンサの一端と同調用コンデンサ
の一端とが接続され、前記インダクティブ素子の他端に
発振周波数微同調用の第2の可変容量ダイオードの一端
と前記同調用コンデンサの他端とが接続され、前記第2
の可変容量ダイオードの他端と前記補正用コンデンサの
他端とが第2の接続点で接続され、 前記第1の接続点と前記第2の接続点とが小容量コンデ
ンサで接続された共振回路と、 各々のベースとエミッタ間に第1の帰還用コンデンサが
介挿されるとともに、互いのエミッタが第2の帰還用コ
ンデンサによって接続される1対のトランジスタとを備
え、前記1対のトランジスタのベース間に前記共振回路
における前記同調用コンデンサの一端と他端とを接続し
たことを特徴とする広帯域発振回路。
1. One end of an inductive element and one end of a first variable capacitance diode for selecting an oscillation frequency are connected at a first connection point, and a correction capacitor is connected to the other end of the first variable capacitance diode. One end and tuning capacitor
One end of the one end and is connected, a second variable capacitance diode for the other end to the oscillation frequency fine tuning of the inductive element
And the other end of the tuning capacitor are connected, and the second
The other end of the variable capacitance diode is connected to the other end of the correction capacitor at a second connection point, and the first connection point and the second connection point are connected by a small capacitance capacitor. And a pair of transistors each having a first feedback capacitor interposed between each base and emitter and having their emitters connected by a second feedback capacitor. The resonance circuit between
3. A wide-band oscillation circuit according to claim 1, wherein one end and the other end of said tuning capacitor are connected.
【請求項2】 インダクティブ素子の一端に発振周波数
を選択するための第1の可変容量ダイオードの一端と小
容量コンデンサの一端とが接続され、 前記インダクティブ素子の他端に同調用の第2の可変容
量ダイオードの一端と同調用コンデンサの一端とが接続
され、前記同調用コンデンサの他端と前記第1の可変容
量ダイオードの他端とが第1の接続点で接続され、前記
第2の可変容量ダイオードの他端と前記小容量コンデン
サの他端とが第2の接続点で接続され、前記第1の接続
点と前記第2の接続点とが補正用コンデンサによって接
続される共振回路と、 各々のベースとエミッタ間に第1の帰還用コンデンサが
介挿されるとともに、互いのエミッタが第2の帰還用コ
ンデンサによって接続される1対のトランジスタとを備
え、前記1対のトランジスタのベース間に前記共振回路
における前記インダクティブ素子の一端と他端とを接続
したことを特徴とする広帯域発振回路。
2. One end of an inductive element is connected to one end of a first variable capacitance diode for selecting an oscillation frequency and one end of a small capacitance capacitor, and the other end of the inductive element is connected to a second variable for tuning. One end of a capacitance diode is connected to one end of a tuning capacitor, the other end of the tuning capacitor is connected to the other end of the first variable capacitance diode at a first connection point, and the second variable capacitance is connected. A resonance circuit in which the other end of the diode and the other end of the small-capacitance capacitor are connected at a second connection point, and the first connection point and the second connection point are connected by a correction capacitor; A first feedback capacitor is interposed between the base and the emitter, and a pair of transistors whose emitters are connected by a second feedback capacitor are provided. The resonant circuit between the base of the transistor
3. The broadband oscillation circuit according to claim 1, wherein one end and the other end of said inductive element are connected.
【請求項3】 前記インダクティブ素子が1/4波長の
共振線路であることを特徴とする請求項1記載の広帯域
発振回路。
3. The broadband oscillation circuit according to claim 1, wherein said inductive element is a quarter-wave resonance line.
【請求項4】 前記インダクティブ素子が1/4波長の
共振線路であることを特徴とする請求項2記載の広帯域
発振回路。
4. The broadband oscillation circuit according to claim 2, wherein said inductive element is a quarter-wave resonance line.
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