JP2550721B2 - 単一波長半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
単一波長半導体レーザおよびその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、単一波長で発振する半導体レーザに関す
るものである。
るものである。
第５図は、例えば「Elect.Lett.1989 vol.25 No.3 p
p.220-221」に示された従来の単一波長半導体レーザの
構造を示す断面図である。図において、１はｐ型のInP
基板、２はアンドープのInGaAsP活性層、３および８は
ｎ型のInPクラッド層、４は島状に形成されたｎ型のInG
aAsPガイド層、５は電極金属である。
p.220-221」に示された従来の単一波長半導体レーザの
構造を示す断面図である。図において、１はｐ型のInP
基板、２はアンドープのInGaAsP活性層、３および８は
ｎ型のInPクラッド層、４は島状に形成されたｎ型のInG
aAsPガイド層、５は電極金属である。
第５図に示された従来の単一波長半導体レーザは、第
６図に示す工程に従って製造される。すなわち、まず第
６図（ａ）に示すように、ｐ型InP基板１上にInGaAsP活
性層２、ｎ型InPクラッド層３、ｎ型InGaAsPガイド層４
を順次形成した後、第６図（ｂ）に示すように、周期約
2000Å間隔でｎ型InGaAsPガイド層４をｎ型InPクラッド
層３までエッチングし、その後第６図（ｃ）に示すよう
に、ｎ型InGaAsPガイド層４を埋め込むようにｎ型InPク
ラッド層８を形成する。そして上下に電極金属５を形成
することにより第５図に示す単一波長半導体レーザが製
造される。
６図に示す工程に従って製造される。すなわち、まず第
６図（ａ）に示すように、ｐ型InP基板１上にInGaAsP活
性層２、ｎ型InPクラッド層３、ｎ型InGaAsPガイド層４
を順次形成した後、第６図（ｂ）に示すように、周期約
2000Å間隔でｎ型InGaAsPガイド層４をｎ型InPクラッド
層３までエッチングし、その後第６図（ｃ）に示すよう
に、ｎ型InGaAsPガイド層４を埋め込むようにｎ型InPク
ラッド層８を形成する。そして上下に電極金属５を形成
することにより第５図に示す単一波長半導体レーザが製
造される。
次に動作について説明する。素子の上下に電圧をかけ
電子およびホールを活性層２に注入すると、活性層２内
で発光再結合を生じ発光する。この光は、活性層２近辺
に設けられた周期的に島状に形成されたガイド層４によ
る等価屈折率の周期的変動により帰還がかけられ、これ
によりレーザ発振に至る。この等価屈折率の周期的変動
は、特定の波長の光の帰還量を大きくし、単一の波長で
発振させる機能、すなわち波長選択性を持つ。
電子およびホールを活性層２に注入すると、活性層２内
で発光再結合を生じ発光する。この光は、活性層２近辺
に設けられた周期的に島状に形成されたガイド層４によ
る等価屈折率の周期的変動により帰還がかけられ、これ
によりレーザ発振に至る。この等価屈折率の周期的変動
は、特定の波長の光の帰還量を大きくし、単一の波長で
発振させる機能、すなわち波長選択性を持つ。
この波長選択性の強度は、屈折率の周期的変動の強
度、すなわち島状に形成されたガイド層４の組成、高さ
および幅に依存するため、高い確率で単一波長で発振す
る半導体レーザ素子を得るためにはそれらを適切に制御
する必要がある。
度、すなわち島状に形成されたガイド層４の組成、高さ
および幅に依存するため、高い確率で単一波長で発振す
る半導体レーザ素子を得るためにはそれらを適切に制御
する必要がある。
第５図に示す従来の半導体レーザでは、第６図（ｂ）
の工程に示すように、クラッド層３に達するまでガイド
層４をエッチングすることにより島状のガイド層４を形
成するものであるため、ガイド層４の高さについてはエ
ッチング量の違いによる変動をうけない。しかし化学的
なエッチングを用いた場合にはサイドエッチが生じるた
め、第７図に示すようにエッチング量の違いにより、第
８図に示すように、ガイド層４の幅が変動する。特にガ
イド層４の幅が狭くなりすぎると、屈折率の周期的変動
の強度が急激に低下し波長選択性が悪くなる。このよう
に、従来の単一波長半導体レーザでは、化学的なエッチ
ング時に生じるサイドエッチによりガイド層の幅が減少
するため、波長選択性が悪化し、高い確率で単一波長で
発振する素子を得られないという問題点があった。
の工程に示すように、クラッド層３に達するまでガイド
層４をエッチングすることにより島状のガイド層４を形
成するものであるため、ガイド層４の高さについてはエ
ッチング量の違いによる変動をうけない。しかし化学的
なエッチングを用いた場合にはサイドエッチが生じるた
め、第７図に示すようにエッチング量の違いにより、第
８図に示すように、ガイド層４の幅が変動する。特にガ
イド層４の幅が狭くなりすぎると、屈折率の周期的変動
の強度が急激に低下し波長選択性が悪くなる。このよう
に、従来の単一波長半導体レーザでは、化学的なエッチ
ング時に生じるサイドエッチによりガイド層の幅が減少
するため、波長選択性が悪化し、高い確率で単一波長で
発振する素子を得られないという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためにな
されたもので、サイドエッチによるガイド層の幅の減少
の影響をうけず、高い確率で単一波長で発振する半導体
レーザおよびその製造方法を得ることを目的とする。
されたもので、サイドエッチによるガイド層の幅の減少
の影響をうけず、高い確率で単一波長で発振する半導体
レーザおよびその製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る単一波長半導体レーザは、第１導電型
の第１半導体より成る基板と、この基板上に形成され、
第１半導体よりバンドギャップが小さく屈折率が大きい
第２半導体より成る第１の層と、この第１の層上に形成
され、第２導電型の第１半導体より成る第２の層と、こ
の第２の層上に形成され、第１半導体と屈折率が異なる
第２導電型の第３半導体より成る第３の層と、この第３
の層上に形成され、第２導電型の第１半導体より成る第
４の層と、この第４の層上に島状に形成され、第１半導
体と屈折率が異なる第２導電型の第４半導体より成る第
５の層と、この第５の層上に第５の層を埋め込むように
形成され、第２導電型の第１半導体より成る第６の層と
を備えて構成されている。
の第１半導体より成る基板と、この基板上に形成され、
第１半導体よりバンドギャップが小さく屈折率が大きい
第２半導体より成る第１の層と、この第１の層上に形成
され、第２導電型の第１半導体より成る第２の層と、こ
の第２の層上に形成され、第１半導体と屈折率が異なる
第２導電型の第３半導体より成る第３の層と、この第３
の層上に形成され、第２導電型の第１半導体より成る第
４の層と、この第４の層上に島状に形成され、第１半導
体と屈折率が異なる第２導電型の第４半導体より成る第
５の層と、この第５の層上に第５の層を埋め込むように
形成され、第２導電型の第１半導体より成る第６の層と
を備えて構成されている。
また、この発明に係る単一波長半導体レーザの製造方
法は、第１導電型の第１半導体より成る基板を準備する
工程と、この基板上に、第１半導体よりバンドギャップ
が小さく屈折率が大きい第２半導体より成る第１の層を
形成する工程と、この第１の層上に、第２導電型の第１
半導体より成る第２の層を形成する工程と、この第２の
層上に、第１半導体と屈折率が異なる第２導電型の第３
半導体より成る第３の層を形成する工程と、この第３の
層上に、第２導電型の第１半導体より成る第４の層を形
成する工程と、この第４の層上に、第１半導体と屈折率
が異なる第２導電型の第４半導体より成る第５の層を形
成する工程と、この第５の層をエッチングにより島状に
する工程と、この島状にされた第５の層上に第５の層を
埋め込むように、第２導電型の第１半導体より成る第６
の層を形成する工程とを備えて構成されている。
法は、第１導電型の第１半導体より成る基板を準備する
工程と、この基板上に、第１半導体よりバンドギャップ
が小さく屈折率が大きい第２半導体より成る第１の層を
形成する工程と、この第１の層上に、第２導電型の第１
半導体より成る第２の層を形成する工程と、この第２の
層上に、第１半導体と屈折率が異なる第２導電型の第３
半導体より成る第３の層を形成する工程と、この第３の
層上に、第２導電型の第１半導体より成る第４の層を形
成する工程と、この第４の層上に、第１半導体と屈折率
が異なる第２導電型の第４半導体より成る第５の層を形
成する工程と、この第５の層をエッチングにより島状に
する工程と、この島状にされた第５の層上に第５の層を
埋め込むように、第２導電型の第１半導体より成る第６
の層を形成する工程とを備えて構成されている。
この発明における第３半導体より成る第３の層は、島
状に形成された第４半導体より成る第５の層が与える屈
折率の周期的変動強度が低いときに、付加的に屈折率の
周期的変動を与え、屈折率の周期的変動強度の低下を補
うことができる。
状に形成された第４半導体より成る第５の層が与える屈
折率の周期的変動強度が低いときに、付加的に屈折率の
周期的変動を与え、屈折率の周期的変動強度の低下を補
うことができる。
第１図は、この発明による単一波長半導体レーザの一
実施例の構造を示す断面図である。図において、１は例
えばｐ型のInPより成る基板、２は基板１よりバンドギ
ャップが小さく屈折率が大きい例えばアンドープのInGa
AsPより成る1.3μｍ組成の活性層、３は例えばｎ型のIn
Pより成る第１クラッド層、４は島状に形成され基板１
と屈折率が異なる例えばｎ型のInGaAsPより成る1.15μ
ｍ組成のガイド層、５は電極金属、６はこの発明により
導入された基板１と屈折率が異なる例えばｎ型のInGaAs
Pより成る1.15μｍ組成の屈折率変動調整層、７および
８はそれぞれ例えばｎ型のInPより成る第2,第３クラッ
ド層である。
実施例の構造を示す断面図である。図において、１は例
えばｐ型のInPより成る基板、２は基板１よりバンドギ
ャップが小さく屈折率が大きい例えばアンドープのInGa
AsPより成る1.3μｍ組成の活性層、３は例えばｎ型のIn
Pより成る第１クラッド層、４は島状に形成され基板１
と屈折率が異なる例えばｎ型のInGaAsPより成る1.15μ
ｍ組成のガイド層、５は電極金属、６はこの発明により
導入された基板１と屈折率が異なる例えばｎ型のInGaAs
Pより成る1.15μｍ組成の屈折率変動調整層、７および
８はそれぞれ例えばｎ型のInPより成る第2,第３クラッ
ド層である。
第１図に示されたこの発明の一実施例である単一波長
半導体レーザは、第２図に示す工程に従って製造され
る。すなわち、まず第２図（ａ）に示すように、ｐ型In
P基板１上にInGaAsP活性層２、ｎ型InP第１クラッド層
３、ｎ型InGaAsP屈折率変動調整層６、ｎ型InP第２クラ
ッド層７、ｎ型InGaAsPガイド層４を順次形成する。次
に、第２図（ｂ）に示すように、周期約2000Å間隔でｎ
型InGaAsPガイド層４をｎ型InP第２クラッド層７までエ
ッチングする。続いて、第２図（ｃ）に示すように、ｎ
型InGaAsPガイド層４を埋め込むようにｎ型InP第３クラ
ッド層８を形成する。しかる後、上下に電極金属５を形
成することにより、第１図に示す単一波長半導体レーザ
が製造される。
半導体レーザは、第２図に示す工程に従って製造され
る。すなわち、まず第２図（ａ）に示すように、ｐ型In
P基板１上にInGaAsP活性層２、ｎ型InP第１クラッド層
３、ｎ型InGaAsP屈折率変動調整層６、ｎ型InP第２クラ
ッド層７、ｎ型InGaAsPガイド層４を順次形成する。次
に、第２図（ｂ）に示すように、周期約2000Å間隔でｎ
型InGaAsPガイド層４をｎ型InP第２クラッド層７までエ
ッチングする。続いて、第２図（ｃ）に示すように、ｎ
型InGaAsPガイド層４を埋め込むようにｎ型InP第３クラ
ッド層８を形成する。しかる後、上下に電極金属５を形
成することにより、第１図に示す単一波長半導体レーザ
が製造される。
動作において、第１図に示す構造の場合の動作、すな
わち屈折率変動調整層６がエッチングを受けていない場
合の動作は従来と同様であるので説明は省略する。屈折
率変動調整層６は、第３図に示すように、ガイド層４が
第２図（ｂ）に示す工程において深くエッチングされす
ぎたときのみ部分的にエッチングされ、その際は第４図
に示すように、第２図（ｃ）に示す工程において屈折率
変動調整層６上に回折格子が形成される。
わち屈折率変動調整層６がエッチングを受けていない場
合の動作は従来と同様であるので説明は省略する。屈折
率変動調整層６は、第３図に示すように、ガイド層４が
第２図（ｂ）に示す工程において深くエッチングされす
ぎたときのみ部分的にエッチングされ、その際は第４図
に示すように、第２図（ｃ）に示す工程において屈折率
変動調整層６上に回折格子が形成される。
屈折率変動調整層６上に形成された回折格子は、島状
に形成されたガイド層４と同様に、屈折率の周期的な変
動をもたらす。したがって、屈折率変動調整層６を第１
図に示すように、活性層２とガイド層４の間に導入する
ことにより、屈折率の周期的変動の強度が低下するほど
ガイド層４の幅が狭くなるように該ガイド層４がエッチ
ングされた場合においても、屈折率変動調整層６上の回
折格子が付加的な屈折率の周期的変動を与えることによ
り、屈折率の周期的変動の強度の低下を防止することが
可能となる。すなわち、化学的なエッチング時に生じる
サイドエッチによりガイド層４の幅の減少があっても、
それによる悪影響は屈折率変動調整層６上の回折格子に
より防止される。その結果、高い確率で単一波長で発振
する半導体レーザを得ることができる。
に形成されたガイド層４と同様に、屈折率の周期的な変
動をもたらす。したがって、屈折率変動調整層６を第１
図に示すように、活性層２とガイド層４の間に導入する
ことにより、屈折率の周期的変動の強度が低下するほど
ガイド層４の幅が狭くなるように該ガイド層４がエッチ
ングされた場合においても、屈折率変動調整層６上の回
折格子が付加的な屈折率の周期的変動を与えることによ
り、屈折率の周期的変動の強度の低下を防止することが
可能となる。すなわち、化学的なエッチング時に生じる
サイドエッチによりガイド層４の幅の減少があっても、
それによる悪影響は屈折率変動調整層６上の回折格子に
より防止される。その結果、高い確率で単一波長で発振
する半導体レーザを得ることができる。
以上説明したように、この発明の単一波長半導体レー
ザによれば、第２半導体より成る第１の層と島状に形成
された第４半導体より成る第５の層との間に第３半導体
より成る第３の層を導入したので、第５の層の幅が減少
したときに第３の層上に回折格子を形成して付加的な屈
折率の周期的変動を与えることにより、第５の層の幅の
減少による屈折率の周期的変動の強度の低下を防止し
て、高い確率で単一波長で発振する半導体レーザを得る
ことができるという効果がある。
ザによれば、第２半導体より成る第１の層と島状に形成
された第４半導体より成る第５の層との間に第３半導体
より成る第３の層を導入したので、第５の層の幅が減少
したときに第３の層上に回折格子を形成して付加的な屈
折率の周期的変動を与えることにより、第５の層の幅の
減少による屈折率の周期的変動の強度の低下を防止し
て、高い確率で単一波長で発振する半導体レーザを得る
ことができるという効果がある。
また、この発明の単一波長半導体レーザの製造方法に
よれば、第２半導体より成る第１の層と第４半導体より
成る第５の層との間に第３半導体より成る第３の層を設
けた後、第５の層を島状にエッチングするようにしたの
で、屈折率の周期的変動の強度が低下するほど第５の層
の幅が狭くなるように該第５の層がエッチングされた場
合には第３の層も部分的にエッチングされて該第３の層
上に回折格子が形成されるようにすることにより、該回
折格子によって付加的な屈折率の周期的変動が与えら
れ、これにより屈折率の周期的変動の強度の低下を防止
して、高い確率で単一波長で発振する半導体レーザの製
造方法を得ることができるという効果がある。
よれば、第２半導体より成る第１の層と第４半導体より
成る第５の層との間に第３半導体より成る第３の層を設
けた後、第５の層を島状にエッチングするようにしたの
で、屈折率の周期的変動の強度が低下するほど第５の層
の幅が狭くなるように該第５の層がエッチングされた場
合には第３の層も部分的にエッチングされて該第３の層
上に回折格子が形成されるようにすることにより、該回
折格子によって付加的な屈折率の周期的変動が与えら
れ、これにより屈折率の周期的変動の強度の低下を防止
して、高い確率で単一波長で発振する半導体レーザの製
造方法を得ることができるという効果がある。
第１図はこの発明による単一波長半導体レーザの一実施
例の構造を示す断面図、第２図はその製造工程を示す断
面図、第３図および第４図はその製造工程における過エ
ッチングを示す断面図、第５図は従来の単一波長半導体
レーザの構造を示す断面図、第６図はその製造工程を示
す断面図、第７図および第８図はその製造工程における
過エッチングを示す断面図である。 図において、１はｐ型InP基板、２はInGaAsP活性層、３
はｎ型InP第１クラッド層、４はｎ型InGaAsPガイド層、
５は電極金属、６はｎ型InGaAsP屈折率変動調整層、７
はｎ型InP第２クラッド層、８はｎ型InP第３クラッド層
である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
例の構造を示す断面図、第２図はその製造工程を示す断
面図、第３図および第４図はその製造工程における過エ
ッチングを示す断面図、第５図は従来の単一波長半導体
レーザの構造を示す断面図、第６図はその製造工程を示
す断面図、第７図および第８図はその製造工程における
過エッチングを示す断面図である。 図において、１はｐ型InP基板、２はInGaAsP活性層、３
はｎ型InP第１クラッド層、４はｎ型InGaAsPガイド層、
５は電極金属、６はｎ型InGaAsP屈折率変動調整層、７
はｎ型InP第２クラッド層、８はｎ型InP第３クラッド層
である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】第１導電型の第１半導体より成る基板と、 前記基板上に形成され、前記第１半導体よりバンドギャ
ップが小さく屈折率が大きい第２半導体より成る第１の
層と、 前記第１の層上に形成され、第２導電型の前記第１半導
体より成る第２の層と、 前記第２の層上に形成され、前記第１半導体と屈折率が
異なる第２導電型の第３半導体より成る第３の層と、 前記第３の層上に形成され、第２導電型の前記第１半導
体より成る第４の層と、 前記第４の層上に島状に形成され、前記第１半導体と屈
折率が異なる第２導電型の第４半導体より成る第５の層
と、 前記第５の層上に該第５の層を埋め込むように形成さ
れ、第２導電型の前記第１半導体より成る第６の層とを
備える単一波長半導体レーザ。 - 【請求項２】第１導電型の第１半導体より成る基板を準
備する工程と、 前記基板上に、前記第１半導体よりバンドギャップが小
さく屈折率が大きい第２半導体より成る第１の層を形成
する工程と、 前記第１の層上に、第２導電型の前記第１半導体より成
る第２の層を形成する工程と、 前記第２の層上に、前記第１半導体と屈折率が異なる第
２導電型の第３半導体より成る第３の層を形成する工程
と、 前記第３の層上に、第２導電型の前記第１半導体より成
る第４の層を形成する工程と、 前記第４の層上に、前記第１半導体と屈折率が異なる第
２導電型の第４半導体より成る第５の層を形成する工程
と、 前記第５の層をエッチングにより島状にする工程と、 前記島状にされた第５の層上に該第５の層を埋め込むよ
うに、第２導電型の前記第１半導体より成る第６の層を
形成する工程とを備える単一波長半導体レーザの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1223427A JP2550721B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 単一波長半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1223427A JP2550721B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 単一波長半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0385786A JPH0385786A (ja) | 1991-04-10 |
| JP2550721B2 true JP2550721B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=16797975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1223427A Expired - Fee Related JP2550721B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 単一波長半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2550721B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4097950B2 (ja) * | 2002-02-12 | 2008-06-11 | 三菱電機株式会社 | 分布帰還型レーザ装置、半導体光装置および分布帰還型レーザ装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-08-30 JP JP1223427A patent/JP2550721B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0385786A (ja) | 1991-04-10 |
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